CN116470880A - 反对称驱动的微机电系统谐振器 - Google Patents

反对称驱动的微机电系统谐振器 Download PDF

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CN116470880A CN202310731988.8A CN202310731988A CN116470880A CN 116470880 A CN116470880 A CN 116470880A CN 202310731988 A CN202310731988 A CN 202310731988A CN 116470880 A CN116470880 A CN 116470880A
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Abstract

本发明提供一种反对称驱动的微机电系统谐振器,包括多个呈阵列化排布的环状的谐振单元和多个电极,电极包括驱动电极和感测电极,分别用于对谐振单元进行驱动和感测,驱动电极间隙排布于相邻两谐振单元中的一个谐振单元的环内侧和另一个谐振单元的环外侧,感测电极间隙排布于相邻两谐振单元中的一个谐振单元的环外侧和另一个谐振单元的环外侧。各电极直接与基衬底固定连接且与设置于基衬底上的外接触点电性连接,省略了传统的支撑结构的设计,从而可以降低工艺复杂度,减小电极应力;而且相对于绝缘的支撑结构而言,空气或真空具有较小的介电常数,在省略支撑结构的情况下,本申请能够有效降低寄生电容。

Description

反对称驱动的微机电系统谐振器
技术领域
本发明涉及微机电系统技术领域,特别是涉及一种反对称驱动的微机电系统谐振器。
背景技术
微机电系统(MEMS,Micro-Electro-Mechanical System)是一种基于微电子技术和微加工技术的一种高科技领域。MEMS技术可将机械构件、驱动部件、电控系统、数字处理系统等集成为一个整体的微型单元。MEMS器件具有微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等诸多优点。MEMS技术的发展开辟了一个全新的技术领域和产业,利用MEMS技术制作的微传感器、微执行器、微型构件、微机械光学器件、真空微电子器件、电力电子器件等在航空、航天、汽车、生物医学、环境监控、军事,物联网等领域中都有着十分广阔的应用前景。
寄生电容一般是指电感、电阻和芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上,一个电阻等效于一个电容、一个电感和一个电阻的串联,在低频情况下寄生电容表现不是很明显,而在高频情况下,寄生电容的等效值会大大放大而不能忽略。不管是电阻、电容、电感、还是二极管、三极管、MOS管、IC,在高频的情况下我们都要考虑到它们的等效电容值和电感值。
现有技术中,在差分驱动情况下,电极及接线排布如图1所示。在芯片采用硅通孔技术(TSV)工艺时,因为TSV深度和内部填充材料介电常数较小,因此具有较小的寄生电容。采用上述结构设计及连线方式,在抵消、平衡自身寄生电容的时候,需要在芯片器件层位置采用外挂电容匹配端口(外挂电极13)对地寄生电容,这会增加芯片结构和加工工序,并使芯片整体尺寸增大。
图1所示,在差分驱动的情况下,配置驱动电极11和感测电极12,在驱动端和在感测端都有两条信号,一条传输原始信号(正信号),另一条传输相反的信号(负信号)。
可以看到,在谐振器电极排布上,驱动电极11在同一侧,感测电极12在另一侧,同时,驱动电极11与感测电极12是对称排布的。且在驱动电极侧,正驱动电极(D+端)111设置在谐振单元的外侧,负驱动电极(D-端)112设置在谐振单元10的内侧;在感测电极侧,正感测电极(S+端)121设置在谐振单元10的外侧,负感测电极(S-端)122设置在谐振单元10的内侧。
同时,在现有技术中,驱动电极和感测电极都有多个锚点结构,锚点结构包括导电锚点和绝缘锚点,以对电极固定、支撑和导电。多个锚点结构增加了芯片结构的复杂程度,增加寄生电容和电极应力,也会对芯片的加工、整体尺寸优化都带来不利影响。
应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种微机电系统谐振器及其驱动方式,以解决现有技术中谐振器寄生电容较大及谐振器结构较复杂的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种反对称驱动的微机电系统谐振器,所述微机电系统谐振器包括多个呈阵列化排布的环状的谐振单元和多个电极;所述电极包括驱动电极和感测电极,分别用于对所述谐振单元进行驱动和感测;所述驱动电极间隙排布于相邻两谐振单元中的一个谐振单元的环内侧和另一个谐振单元的环外侧,所述感测电极间隙排布于相邻两谐振单元中的一个谐振单元的环外侧和另一个谐振单元的环外侧。特别改变微机电系统谐振器中电极的设置方式,能够省略支撑结构的设计,直接由电极自身固定,从而降低工艺复杂度,减小电极应力;而且相对于绝缘的支撑结构而言,空气或真空具有较小的介电常数,在省略支撑结构的情况下,能够有效降低寄生电容。使得本申请无需设置外挂电极,谐振器自身可以平衡内部寄生电容,减少芯片结构和加工工序。
可选地,所述微机电系统谐振器包括四个谐振单元和八个电极,其中,所述驱动电极包括两个正驱动电极与两个负驱动电极,所述感测电极包括两个正感测电极和两个负感测电极;其中:
一正驱动电极排布于第一谐振单元的环内侧,另一正驱动电极排布于与所述第一谐振单元相邻的第二谐振单元的环外侧,两所述正驱动电极电连接;
一负驱动电极排布于与所述第一谐振单元相对设置的第三谐振单元的环内侧,另一负驱动电极排布于与所述第二谐振单元相对设置的第四谐振单元的环外侧,两所述负驱动电极电连接;
一所述正感测电极排布于所述第四谐振单元的环内侧,另一正感测电极排布所述第三谐振单元的环外侧,两所述正感测电极电连接;
一负感测电极排布于所述第二谐振单元的环内侧,另一负感测电极排布于所述第一谐振单元的环外侧,两所述负感测电极电连接。
可选地,所述正驱动电极和所述负驱动电极所施加的驱动信号的相位差设置为180°,所述正感测电极和所述负感测电极所感测的感应信号的相位差设置为180°。
可选地,所述电极直接与基衬底固定连接且与设置于所述基衬底上的外接触点电性连接。
可选地,所述微机电系统谐振器包括:基衬底、盖衬底以及器件层,其中,所述盖衬底与所述基衬底间隔设置,所述器件层设置在所述基衬底和所述盖衬底之间并与分别与所述基衬底和所述盖衬底固定连接;各所述电极包括电极主体部和电极锚定部,所述谐振单元和所述电极主体部设置于所述器件层,所述电极锚定部的第一端与所述基衬底固定连接,所述电极锚定部的第二端与所述电极主体部连接以固定所述电极主体部,所述电极锚定部的第一端嵌入并贯穿所述基衬底以显露在所述基衬底表面,所述外接触点设置于所述基衬底表面,并通过连接线与所述电极锚定部电性连接。
可选地,所述微机电系统谐振器还包括耦合部,所述谐振单元与所述耦合部的外端连接点相连,所述连接点为耦合部的最大振幅处。
可选地,所述耦合部为十字架结构、方形结构和圆形结构中的一种。
可选地,所述微机电系统谐振器还包括锚点,所述锚点设置于耦合部上且对应所述耦合部最小振幅的位移节点处,并使所述谐振单元处于悬空。
可选地,所述耦合部中心耦合处设置有T型偏置器,用于为所述微机电系统谐振器提供偏置电压。
可选地,所述谐振单元的形状结构包括圆环、方形环、三角形环、多边形环中的一种或多种;所述谐振单元的谐振模态包括呼吸模态,Lame模态和Wine glass模态中的一种。
如上所述,本发明的反对称驱动的微机电系统谐振器,具有以下有益效果:
针对现有微机电系统谐振器额外设置多个电极支撑结构,会增加工艺复杂度和导致电极应力的增加,且绝缘支撑结构设置会同时导致寄生电容的明显增加的问题,本申请改变了微机电系统谐振器中电极的设置方式,将电极直接与基衬底进行固定,省略了传统的支撑结构的设计,从而可以降低工艺复杂度,减小电极应力;而且相对于绝缘的支撑结构而言,空气或真空具有较小的介电常数,在省略支撑结构的情况下,本申请能够有效降低寄生电容。本申请无需设置外挂电极,谐振器自身可以平衡内部寄生电容,减少芯片结构和加工工序。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解,其构成了说明书的一部分,用于说明本申请的实施方式,并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例。
图1显示为现有的一种微机电系统谐振器结构示意图。
图2显示为本发明实施例的一种反对称驱动的微机电系统谐振器的结构示意图。
图3显示为本发明实施例的另一种反对称驱动的微机电系统谐振器的结构示意图。
图4显示为本发明实施例的又一种反对称驱动的微机电系统谐振器的结构示意图。
图5显示为本发明实施例的反对称驱动的微机电系统谐振器的驱动方式示意图。
图6显示为本发明实施例的反对称驱动的微机电系统谐振器中,相邻的谐振单元的运动方式具有180°相位差的示意图。
图7显示为本发明实施例的一种反对称驱动的微机电系统谐振器的截面结构示意图。
元件标号说明:21、谐振单元;22、耦合部;23、锚点;24、T型偏置器;20、电极;20a、电极主体部;20b、电极锚定部;D+、正驱动电极;D-、负驱动电极;S+、正感测电极;S-、负感测电极;1A、基衬底;1B、器件层;1C、盖衬底;30、外接触点。
实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
应该强调,术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在,但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。
针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用,与其它实施方式中的特征相组合,或替代其它实施方式中的特征。
如在详述本发明实施例时,为便于说明,表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大,而且所述示意图只是示例,其在此不应限制本发明保护的范围。此外,在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
为了方便描述,此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到,这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外,当一层被称为在两层“之间”时,它可以是所述两层之间仅有的层,或者也可以存在一个或多个介于其间的层。
在本申请的上下文中,所描述的第一特征在第二特征 “之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例,也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例,这样第一和第二特征可能不是直接接触。
需要说明的是,本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想,遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变,且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图2所示,本实施例提供一种反对称驱动的微机电系统谐振器,所述微机电系统谐振器包括多个呈阵列化排布的环状的谐振单元21和多个电极20,多个电极20设置于谐振单元21的环内侧和换外侧。电极20包括驱动电极和感测电极,分别用于对谐振单元21进行驱动和感测。驱动电极间隙排布于相邻两谐振单元21中的一个谐振单元21的环内侧和另一个谐振单元21的环外侧,感测电极间隙排布于相邻两谐振单元21中的一个谐振单元21的环外侧和另一个谐振单元21的环外侧。
在微机电系统谐振器工作时,对谐振单元21施加直流电压信号,对驱动电极施加时变信号(如交流电压信号),从而在驱动电极和谐振单元21建立的相反或相同电荷两者之间施加时变静电力;而在时变静电力的驱动下谐振单元21的至少一部位来回振动,使得感测电极和谐振单元21之间的电容发生变化,从而使得感测电极上产生感应信号(如交流电流)。之后,一方面感应信号可以被传输至处理电路进行处理以获取频率信号,另一方面感应信号可以被增益传输给驱动电极以维持谐振单元21振动。
如图2所示,微机电系统谐振器还包括耦合部22,谐振单元21与耦合部22的外端连接点相连,连接点为耦合部22的最大振幅处。具体地,耦合部22为相邻谐振单元21之间的连接组件,耦合部22的外端分别与谐振单元21相连,并通过多种灵活的组合排布实现谐振单元21的阵列化排布。耦合部22与谐振单元21的连接点为耦合部22的最大振幅处,耦合部22内存在位移节点,对应耦合部22最小振幅处。
在一些实施例中,谐振单元21的谐振模态包括呼吸模态,Lame模态和Wine glass模态中的一种。耦合部22的本征频率与谐振单元21的本征频率相同,用于实现模态耦合及能量传递。耦合部22为十字架结构(如图2所示)、方形结构(如图3所示)和圆形结构(如图4所示)中的一种。
图2所示的谐振器的耦合部22为十字架结构,谐振单元21可以设置于十字架结构的四个端部,以形成相应的谐振单元阵列,此时,谐振单元21可以以呼吸模态谐振。
图3所示的谐振器的耦合部22为方形结构,其与谐振单元21的连接位置可以为方形结构的四条边上,以形成相应的谐振单元阵列,此时,谐振单元21可以以Lame模态谐振。
图4所示的谐振器的耦合部22为圆形结构,谐振单元21可以设置于该圆形结构相垂直的两个直径对应的区域上,以形成相应的谐振单元阵列,此时,谐振单元21可以以Wineglass模态谐振。
如图2所示,微机电系统谐振器还包括锚点23,锚点23设置于耦合部22上且对应耦合部22最小振幅的位移节点处,并使谐振单元21处于悬空。
如图2所示,耦合部22中心耦合处设置有T型偏置器24(Bias-T),用于为微机电系统谐振器提供偏置电压。
如图2所示,谐振单元21的形状结构包括圆环、方形环、三角形环、多边形环中的一种或多种。在一个实施例中,谐振单元21的形状结构为圆环。
在一个实施例中,电极20直接与基衬底固定连接且与设置于基衬底上的外接触点电性连接。
图7显示为本申请的微机电系统谐振器的截面结构示意图,如图7所示,微机电系统谐振器设置有若干个外接触点30,以便于与IC电路的接口对应连接,如用于引线键合、或倒装焊接等,从而保证微机电系统谐振器正常工作。对于微机电系统谐振器中的若干个电极20而言,需要与外接触点30电性连接,以便于进行信号传输。如基衬底可以设置有连接线,该连接线用于连接外接触点30和相应的电极20。
继续参阅图7,从结构上来划分,微机电系统谐振器可以包括基衬底1A、器件层1B和盖衬底1C,盖衬底1C与基衬底1A间隔设置,器件层1B设置在基衬底1A和盖衬底1C之间并与分别与基衬底1A和盖衬底1C固定连接,三者依次层叠设置并形成用于容纳谐振单元21和电极20的空间。基衬底1A主要起到支撑作用,谐振单元和配合谐振单元工作的电极20可以形成在器件层1B。其中,谐振单元可以借助于与自身连接的锚点23将自身固定在器件层1B,锚点23的一端与基衬底1A固定连接,另一端支撑固定谐振单元。各电极20包括电极主体部20a和电极锚定部20b,谐振单元和电极主体部20a设置于器件层1B,电极锚定部20b的第一端与基衬底1A固定连接,电极锚定部20b的第二端与电极主体部20a连接以固定电极主体部20a,在一个具体示例中,电极锚定部20b的第一端嵌入并贯穿基衬底1A以显露在基衬底1A表面,外接触点30设置于基衬底1A表面,并通过连接线与电极锚定部20b电性连接。在这种情况下,电极20可以直接与基衬底1A固定连接,从而无需额外设置支撑结构,能够有效降低工艺复杂度,减小电极应力。
可以理解的是,相对于绝缘的支撑结构而言,空气具有较小的介电常数,在省略支撑结构的情况下,能够有效降低寄生电容。另外,电极锚定部20b作为电极20的一部分,基衬底1A中设置的连接线可以直接连接该电极锚定部20b和外接触点30,从而实现电极20与外接触点30的电性连接。本申请的微机电系统谐振器中设置的电极20不仅可以通电以配合谐振单元工作,电极20自身实现固定、支撑和导电的作用,不需要额外设置绝缘锚点对电极进行固定和支撑,也不需要设置导电锚点导电,极大的简化了谐振器的内部结构,有利于谐振器的结构优化,可以减少寄生电容和电极应力,在提高谐振器性能良率的同时,也能节约设计和加工的成本。
如图2所示,本示例的微机电系统谐振器整体可以沿轴线L镜像对称。
在本申请的实施例中,如图2所示,微机电系统谐振器可以被配置为差分驱动。也即驱动电极提供的驱动信号可以包括正驱动信号和负驱动信号。其中,正驱动信号和负驱动信号的相位差可以相差180°。在这种情况下,若干个驱动电极可以包括用于为谐振单元21提供正驱动信号的正驱动电极D+、以及用于为谐振单元21提供负驱动信号的负驱动电极D-。感测电极感测的感应信号可以包括正感应信号和负感应信号。其中,正感应信号和负感应信号的相位差可以相差180°。正感应信号可以和正驱动信号同相。负感应信号可以和负驱动信号同相。在这种情况下,若干个感测电极可以包括产生正感应信号的正感测电极S+、以及产生负感应信号的负感测电极S-。
如图2所示,在一个具体示例中,微机电系统谐振器包括四个谐振单元和八个电极20,其中,驱动电极包括两个正驱动电极D+与两个负驱动电极D-,感测电极包括两个正感测电极S+和两个负感测电极S-;其中:
一正驱动电极D+排布于第一谐振单元的环内侧,另一正驱动电极D+排布于与第一谐振单元相邻的第二谐振单元的环外侧,两正驱动电极D+电连接;
一负驱动电极D-排布于与第一谐振单元相对设置的第三谐振单元的环内侧,另一负驱动电极D-排布于与第二谐振单元相对设置的第四谐振单元的环外侧,两负驱动电极D-电连接;
一正感测电极S+排布于第四谐振单元的环内侧,另一正感测电极S+排布第三谐振单元的环外侧,两正感测电极S+电连接;
一负感测电极S-排布于第二谐振单元的环内侧,另一负感测电极S-排布于第一谐振单元的环外侧,两负感测电极S-电连接。
在一个实施例中,正驱动电极D+和负驱动电极D-所施加的驱动信号的相位差设置为180°,正感测电极S+和负感测电极S-所感测的感应信号的相位差设置为180°。
图5显示为本发明实施例的反对称驱动的微机电系统谐振器的驱动方式示意图。如图5所示,In电极为位于谐振单元环内侧(内圈)的电极,Out电极为位于谐振单元环外侧(外圈)的电极。电极的排布方式请参阅图5。在电学上,正驱动电极相连,负驱动电极相连;正感测电极相连,负感测电极相连。结合外部走线形式, In1和Out1为正驱动电极D+,In2和Out2为负驱动电极D-。与正驱动电极D+临近的In1’和Out1’为负感测电极S- ,而In2’和Out2’为正感测电极S+,从而以反对称连线方式实现谐振器的反对称驱动和感测结构。
图6显示为本发明实施例的反对称驱动的微机电系统谐振器中,相邻的谐振单元的运动方式具有180°相位差的示意图。从图6可以看出,上述的以反对称连线方式实现谐振器的反对称驱动和感测结构,可以使得相邻的谐振单元的运动方式有180°相位差。
与此同时,正驱动电极D+至正感测电极S+ 与负驱动电极D-至负感测电极S- 通路中,正驱动电极D+、负驱动电极D-的寄生电容(如CTSV、Cdrie、Cpad、Cout和Cin等)和对地电容(CGnd)相同,正感测电极S+、负感测电极S-的寄生电容(如CTSV、Cdrie、Cpad、Cout和Cin等)和对地电容(CGnd)相同,无需设置外挂电极平衡谐振器自身的寄生电容。且在经受同样的加工偏差后,正驱动电极D+、负驱动电极D-的寄生电容和对地电容相同,正感测电极S+、负感测电极S-的寄生电容和对地电容依旧相同,寄生电容对加工工艺的敏感性低,提高正负两路寄生电容参数的匹配度。
如上所述,本发明的反对称驱动的微机电系统谐振器,具有以下有益效果:
本申请提供一种反对称驱动的谐振器,该谐振器在差分驱动情况下,采用反对称连线以及反对称驱动和感测结构的方式,本申请无需设置外挂电极,谐振器自身可以平衡内部寄生电容,减少芯片结构和加工工序。本申请的谐振器能降低寄生电容对加工工艺的敏感性,以及提高正负两路寄生电容参数的匹配度。
本申请的电极不需要额外设置绝缘锚点对电极进行固定和支撑,也不需要设置导电锚点导电,极大的简化了谐振器的内部结构,有利于谐振器的结构优化,可以减少寄生电容和电极应力,在提高谐振器性能良率的同时,也能节约设计和加工的成本。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效,而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰或改变。因此,举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变,仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种反对称驱动的微机电系统谐振器,其特征在于,所述微机电系统谐振器包括多个呈阵列化排布的环状的谐振单元和多个电极;所述电极包括驱动电极和感测电极,分别用于对所述谐振单元进行驱动和感测;所述驱动电极间隙排布于相邻两谐振单元中的一个谐振单元的环内侧和另一个谐振单元的环外侧,所述感测电极间隙排布于相邻两谐振单元中的一个谐振单元的环外侧和另一个谐振单元的环外侧。
2.根据权利要求1所述的反对称驱动的微机电系统谐振器,其特征在于:所述微机电系统谐振器包括四个谐振单元和八个电极,其中,所述驱动电极包括两个正驱动电极与两个负驱动电极,所述感测电极包括两个正感测电极和两个负感测电极;其中:
一正驱动电极排布于第一谐振单元的环内侧,另一正驱动电极排布于与所述第一谐振单元相邻的第二谐振单元的环外侧,两所述正驱动电极电连接;
一负驱动电极排布于与所述第一谐振单元相对设置的第三谐振单元的环内侧,另一负驱动电极排布于与所述第二谐振单元相对设置的第四谐振单元的环外侧,两所述负驱动电极电连接;
一所述正感测电极排布于所述第四谐振单元的环内侧,另一正感测电极排布所述第三谐振单元的环外侧,两所述正感测电极电连接;
一负感测电极排布于所述第二谐振单元的环内侧,另一负感测电极排布于所述第一谐振单元的环外侧,两所述负感测电极电连接。
3.根据权利要求2所述的反对称驱动的微机电系统谐振器,其特征在于:所述正驱动电极和所述负驱动电极所施加的驱动信号的相位差设置为180°,所述正感测电极和所述负感测电极所感测的感应信号的相位差设置为180°。
4.根据权利要求1所述的反对称驱动的微机电系统谐振器,其特征在于:所述电极直接与基衬底固定连接且与设置于所述基衬底上的外接触点电性连接。
5.根据权利要求4所述的反对称驱动的微机电系统谐振器,其特征在于:所述微机电系统谐振器包括:基衬底、盖衬底以及器件层,其中,所述盖衬底与所述基衬底间隔设置,所述器件层设置在所述基衬底和所述盖衬底之间并与分别与所述基衬底和所述盖衬底固定连接;各所述电极包括电极主体部和电极锚定部,所述谐振单元和所述电极主体部设置于所述器件层,所述电极锚定部的第一端与所述基衬底固定连接,所述电极锚定部的第二端与所述电极主体部连接以固定所述电极主体部,所述电极锚定部的第一端嵌入并贯穿所述基衬底以显露在所述基衬底表面,所述外接触点设置于所述基衬底表面,并通过连接线与所述电极锚定部电性连接。
6.根据权利要求1所述的反对称驱动的微机电系统谐振器,其特征在于:所述微机电系统谐振器还包括耦合部,所述谐振单元与所述耦合部的外端连接点相连,所述连接点为耦合部的最大振幅处。
7.根据权利要求6所述的反对称驱动的微机电系统谐振器,其特征在于:所述耦合部为十字架结构、方形结构和圆形结构中的一种。
8.根据权利要求6所述的反对称驱动的微机电系统谐振器,其特征在于:所述微机电系统谐振器还包括锚点,所述锚点设置于耦合部上且对应所述耦合部最小振幅的位移节点处,并使所述谐振单元处于悬空。
9.根据权利要求6所述的反对称驱动的微机电系统谐振器,其特征在于:所述耦合部中心耦合处设置有T型偏置器,用于为所述微机电系统谐振器提供偏置电压。
10.根据权利要求1所述的反对称驱动的微机电系统谐振器,其特征在于:所述谐振单元的形状结构包括圆环、方形环、三角形环、多边形环中的一种或多种;所述谐振单元的谐振模态包括呼吸模态,Lame模态和Wine glass模态中的一种。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102868383A (zh) * 2011-07-06 2013-01-09 Nxp股份有限公司 Mems谐振器
CN102959356A (zh) * 2010-04-30 2013-03-06 高通Mems科技公司 微机械压电z轴陀螺仪
CN103338022A (zh) * 2013-07-22 2013-10-02 中国科学院半导体研究所 频率可调的mems谐振器
US20140002200A1 (en) * 2012-06-28 2014-01-02 National Tsing Hua University Micromechanical resonator oscillator structure and driving method thereof
CN107251425A (zh) * 2014-10-22 2017-10-13 微芯片科技公司 用于振荡器和实时时钟应用的多线圈弹簧mems谐振器
CN110661506A (zh) * 2019-09-20 2020-01-07 中国科学院半导体研究所 基于体声波振动模态耦合的rf-mems谐振器
CN110940866A (zh) * 2019-11-29 2020-03-31 中国科学院电子学研究所 灵敏度可调节的谐振微型电场传感器
CN115060745A (zh) * 2022-06-10 2022-09-16 江南大学 一种微波阵列式传感器及制作方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102959356A (zh) * 2010-04-30 2013-03-06 高通Mems科技公司 微机械压电z轴陀螺仪
CN102868383A (zh) * 2011-07-06 2013-01-09 Nxp股份有限公司 Mems谐振器
US20140002200A1 (en) * 2012-06-28 2014-01-02 National Tsing Hua University Micromechanical resonator oscillator structure and driving method thereof
CN103338022A (zh) * 2013-07-22 2013-10-02 中国科学院半导体研究所 频率可调的mems谐振器
CN107251425A (zh) * 2014-10-22 2017-10-13 微芯片科技公司 用于振荡器和实时时钟应用的多线圈弹簧mems谐振器
CN110661506A (zh) * 2019-09-20 2020-01-07 中国科学院半导体研究所 基于体声波振动模态耦合的rf-mems谐振器
CN110940866A (zh) * 2019-11-29 2020-03-31 中国科学院电子学研究所 灵敏度可调节的谐振微型电场传感器
CN115060745A (zh) * 2022-06-10 2022-09-16 江南大学 一种微波阵列式传感器及制作方法

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