CN116459989A - 一种雾化装置及其控制方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及雾化器技术领域，特别是一种雾化装置及其控制方法，控制单元根据第一控制信号以及工作反馈电流信号输出PWM信号；追频推挽电路对PWM信号进行转换得到第二控制信号；雾化驱动电路对第二控制信号转换处理并输出驱动电流信号至雾化片；干烧检测电路获取雾化驱动电路输出的驱动电流信号进行转换并输出工作反馈电流信号至控制单元；干烧过温保护电路获取雾化驱动电路的实时温度并进行转换得到第一控制信号。一方面，干烧检测电路为控制单元提供工作反馈电流信号，当工作反馈电流信号异常时，雾化驱动电路停止导通；另一方面，干烧过温保护电路为控制单元提供第一控制信号，当第一控制信号大于预设温度阈值，雾化驱动电路停止导通。

Description

一种雾化装置及其控制方法

技术领域

本申请涉及雾化技术领域，特别是一种雾化装置及其控制方法。

背景技术

超声波雾化器能够将盛装在液体容器中的液体通过超声波发生器产生的超声波将液体雾化，从而实现其雾化功能，超声波雾化器在有液体的状态下才能正常工作，在缺液的状态下工作有可能会对超声波雾化装置带来损害，如损伤超声波雾化换能片。然而，现有的超声波雾化器一般采用磁簧管的方法来感应水位的高低，成本高、结构复杂，而且一旦磁簧管失效，超声波雾化换能片短时间通过较大电流并产生高温，导致超声波雾化换能片电性能受损，未能可靠保护超声波雾化换能片。

发明内容

基于此，有必要针对上述现有的超声波雾化换能片缺水保护成本高、结构复杂且可靠性不高的问题，提供雾化装置及其控制方法。

第一方面，本申请提供了一种雾化装置，壳体组件，所述壳体组件设有出雾口；储液结构，所述储液结构位于所述壳体组件围合形成的空腔内，所述空腔与所述出雾口连通；雾化片，所述雾化片位于所述空腔内，所述雾化片用于雾化所述储液结构中的液体；雾化控制装置，所述雾化控制装置设置在所述壳体组件或储液结构上，所述雾化片与所述雾化控制装置雾化驱动电路（30）电连接，所述雾化控制装置用于控制所述雾化片启停。

在其中一个实施例中，雾化控制装置包括：控制单元，所述控制单元被配置为根据第一控制信号以及雾化片的工作反馈电流信号输出PWM信号；追频推挽电路，所述追频推挽电路与所述控制单元连接，所述追频推挽电路被配置为对接收到的PWM信号进行转换处理得到第二控制信号；雾化驱动电路，所述雾化驱动电路与所述追频推挽电路连接，所述雾化驱动电路被配置为对接收到的所述第二控制信号进行转换处理，并输出驱动电流信号至雾化片；干烧检测电路，所述干烧检测电路与所述雾化驱动电路和所述控制单元连接，所述干烧检测电路被配置为获取所述雾化驱动电路输出的驱动电流信号并进行转换处理，得到工作反馈电流信号并传输至所述控制单元；干烧过温保护电路，所述干烧过温保护电路与所述控制单元连接，所述干烧过温保护电路被配置为获取所述雾化驱动电路元器件的实时温度并进行转换处理，得到所述第一控制信号。

在其中一个实施例中，所述雾化驱动电路包括第一滤波电路、第三电容、第四电容、第一电感、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第一MOS管，所述第一滤波电路的第一端与外部电源、所述第一电感的第一端共接，所述第一滤波电路的第二端接地，所述第一电感的第二端、所述第一电阻的第一端、所述第四电容的第一端和所述第一MOS管的漏极共接，所述第二电阻的第二端、所述第三电阻的第一端与所述第一MOS管的栅极共接，所述第三电阻的第二端与所述第一MOS管的源极、所述第四电容的第二端连接并形成雾化片第二输入点，所述第一电阻的第二端与所述第三电容的第一端连接，所述第三电容的第二端形成雾化片第一输入点。

在其中一个实施例中，所述第一滤波电路包括第一电容和第二电容，所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端与所述第一电感、外部电源共接，所述第一电容和所述第二电容的第二端共接地，所述第一电容为电解电容。

在其中一个实施例中，所述追频推挽电路包括第五电容、第四电阻、第五电阻、第一三极管和第二三极管，所述第五电容的第一端与所述第一三极管的集电极与外部电源共接，所述第一三极管的发射极与所述第二三极管的发射极连接并形成所述第二控制信号的输出端，所述第二三极管的集电极与所述第四电阻的第二端共接地，所述第四电阻的第一端与所述第一三极管的基极连接，所述第五电阻的第二端与所述第二三极管的基极连接，所述第五电阻的第一端与所述控制单元连接。

在其中一个实施例中，所述干烧检测电路包括第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻和第六电容，所述第六电阻、所述第七电阻、所述第八电阻和所述第九电阻的第一端与所述第一MOS管的源极共接，所述第七电阻、所述第八电阻和所述第九电阻的第二端共接地，所述第六电阻的第二端与所述第六电容的第一端连接并形成所述工作反馈电流信号输出点，所述第六电容的第二端接地。

在其中一个实施例中，所述干烧过温保护电路包括第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻和第七电容，所述第十电阻的第一端与外部电源连接，所述第十电阻的第二端与所述第十一电阻的第一端连接，所述第十一电阻的第二端、所述第十二电阻的第一端、所述第十三电阻的第二端和所述第七电容的第一端共接，所述第七电容与所述第十二电阻的第二端共接地，所述十三电阻的第一端形成所述第一控制信号输出点并与所述控制单元连接。

在其中一个实施例中，所述第十电阻为热敏电阻。

在其中一个实施例中，所述干烧过温保护电路包括第十四电阻、第十五电阻、第十六电阻、第三三极管和第八电容，所述第八电容的第一端、所述第十四电阻的第一端和所述第十五电阻的第二端共接，所述第八电容的第二端与所述第十四电阻的第二端和所述第三三极管的漏极共接地，所述第十五电阻的第一端与第三三极管的源极连接，所述第十六电阻的第二端与所述第三三极管的基极连接，所述第十六电阻的第一端与所述第十一电阻的第二端、第十二电阻的第一端共接。

在其中一个实施例中，所述的雾化装置还包括所述警示模块包括蜂鸣器和/或ED灯，所述警示模块与所述控制单元连接，所述警示模块被配置为根据所述第一控制信号和/或所述工作反馈电流信号发出警示。

本申请第二方面提供了一种应用在上述雾化装置的控制方法，其方法包括：雾化装置上电后，所述干烧检测电路获取雾化装置中雾化驱动电路输出的驱动电流信号并进行转换处理，得到所述工作反馈电流信号并传输至所述控制单元，所述控制单元根据所述工作反馈电流信号输出所述PWM信号至所述追频推挽电路，确保雾化装置中的雾化片处于最佳工作点；雾化装置正常运行时，所述控制单元分别从所述干烧过温保护电路和所述干烧检测电路获取所述第一控制信号和所述工作反馈电流信号，所述控制单元根据所述第一控制信号和/或所述工作反馈电流信号导通或停止导通所述雾化驱动电路；其中，所述第一控制信号是由所述干烧过温保护电路测量所述雾化驱动电路中开关管的实时温度转换并转换处理得到，当所述第一控制信号大于所设控制单元预设的温度阈值，所述雾化驱动电路停止导通；所述工作反馈电流信号是由所述干烧检测电路测量所述雾化驱动电路输出的驱动电流信号并转换处理得到，当所述工作反馈电流信号在一定时间内变化的幅度大于所述控制单元预设的幅度变化阈值，所述雾化驱动电路停止导通。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：

上述的雾化装置的各实施例中，雾化控制装置与雾化片连接，雾化控制装置分别获取实现雾化片开关的元器件的实时温度和雾化驱动电路输出的驱动电流信号的变化情况，两个因素均可单独和/或组合实现雾化片启停。双重保护方式能够确保雾化装置发生干烧后能够及时停止雾化片继续工作，避免雾化片自身高频振动容易使其损坏从而降低其使用寿命。

具体地，雾化装置上电时，通过干烧检测电路获取雾化装置中雾化驱动电路输出的驱动电流信号并转换处理，输出工作反馈电流信号至控制单元，控制单元配合根据雾化片反馈的电流信号来不断调整输出PWM信号的频率，并让PWM信号经过追频推挽电路的转换处理后输出第二控制信号至雾化驱动电路以确保雾化片始终工作在最佳频率点；雾化装置正常运行后，一方面，干烧检测电路继续为控制单元提供工作反馈电流信号，当控制单元检测到工作反馈电流信号在一定时间内变化的幅度大于控制单元预设的幅度变化阈值，雾化驱动电路停止导通；另一方面，干烧过温保护电路获取雾化驱动电路中元器件的实时温度并进行转换处理，得到第一控制信号并传输至控制单元，当第一控制信号大于控制单元预设的温度阈值，雾化驱动电路停止导通。

附图说明

图1为一个实施例中雾化装置的结构示意图；

图2为一个实施例中雾化驱动电路的结构示意图；

图3为一个实施例中干烧检测电路的结构示意图；

图4为一个实施例中追频推挽电路的结构示意图；

图5为一个实施例中干烧过温保护电路的结构示意图。

附图标记：

10控制单元，20追频推挽电路，30雾化驱动电路，31第一滤波电路，40干烧检测电路，50干烧过温保护电路；

R1第一电阻，R2第二电阻，R3第三电阻，R4第四电阻，R5第五电阻，R6第六电阻，R7第七电阻，R8第八电阻，R9第九电阻，R10第十电阻，R11第十一电阻，R12第十二电阻，R13第十三电阻，R14第十四电阻，R15第十五电阻，R16第十六电阻；

C1第一电容，C2第二电容，C3第三电容，C4第四电容，C5第五电容，C6第六电容，C7第七电容；

L1第一电感，M1第一MOS管，Q1第一三极管，Q2第一三极管，Q3第一三极管。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。

实施例1提供了一种雾化装置，该雾化装置包括壳体组件，壳体组件设有出雾口；储液结构，储液结构位于壳体组件围合形成的空腔内，空腔与出雾口连通；雾化片，雾化片位于空腔内，雾化片用于雾化储液结构中的液体；雾化控制装置，雾化控制装置设置在壳体组件或储液结构上，雾化片与雾化控制装置雾化驱动电路（30）电连接，雾化控制装置用于实现雾化片启停。

需要说明的是，该雾化片为超声波雾化片。

上述的雾化装置中，可选地，雾化控制装置分别获取实现雾化片开关的元器件的实时温度和雾化驱动电路输出的驱动电流信号的变化情况，两个因素均可单独和/或组合实现雾化片启停。双重保护方式能够确保雾化装置发生干烧后能够及时停止雾化片继续工作，避免雾化片自身高频振动容易使其损坏从而降低其使用寿命。

如图2所示，除上述实施例的特征以外，本实施例进一步限定了：包括控制单元10，控制单元10被配置为根据第一控制信号以及雾化片的工作反馈电流信号输出PWM信号；追频推挽电路20，追频推挽电路20与控制单元10连接，追频推挽电路20被配置为对接收到的PWM信号进行转换处理得到第二控制信号；雾化驱动电路30，雾化驱动电路30与追频推挽电路20连接，雾化驱动电路30被配置为对接收到的第二控制信号进行转换处理，并输出驱动电流信号至雾化片；干烧检测电路40，干烧检测电路40与雾化驱动电路30和控制单元10连接，干烧检测电路40被配置为获取雾化驱动电路输出的驱动电流信号并进行转换处理，得到工作反馈电流信号并传输至控制单元10；干烧过温保护电路50，干烧过温保护电路50与控制单元10连接，干烧过温保护电路50的至少部分与雾化驱动电路30相邻设置，干烧过温保护电路50被配置为获取雾化驱动电路30的实时温度并进行转换处理，得到第一控制信号。

上述的雾化装置，雾化装置上电时，通过干烧检测电路40获取雾化装置中雾化驱动电路输出的驱动电流信号并转换处理，输出工作反馈电流信号至控制单元10，控制单元10配合根据雾化片反馈的电流信号来不断调整输出PWM信号的频率，并让PWM信号经过追频推挽电路20的转换处理后输出第二控制信号至雾化驱动电路30以确保雾化片始终工作在最佳频率点；雾化装置正常运行后，一方面，干烧检测电路40继续为控制单元10提供工作反馈电流信号，当控制单元检测到工作反馈电流信号在一定时间内变化的幅度大于控制单元10预设的幅度变化阈值，雾化驱动电路30停止导通；另一方面，干烧过温保护电路50通过第十电阻靠近雾化驱动电路30中开关管设置并测量其实时温度并进行转换处理，得到第一控制信号并传输至控制单元10，当第一控制信号大于控制单元10预设的温度阈值，雾化驱动电路30停止导通。

如图2所示，除上述实施例的特征以外，本实施例进一步限定了：雾化驱动电路30包括第一滤波电路31、第三电容C3、第四电容C4、第一电感L1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第一MOS管M1，第一滤波电路31的第一端与外部电源、第一电感L1的第一端共接，第一滤波电路31的第二端接地，第一电感L1的第二端、第一电阻R1的第一端、第四电容C4的第一端和第一MOS管M1的漏极共接，第二电阻R2的第二端、第三电阻R3的第一端与第一MOS管M1的栅极共接，第三电阻R3的第二端与第一MOS管M1的源极、第四电容C4的第二端连接并形成雾化片第二输入点，第一电阻R1的第二端与第三电容C3的第一端连接，第三电容C3的第二端形成雾化片第一输入点，第二电阻的第一端与第一三极管Q1的发射极和第二三极管Q2的发射极共接。

具体地，第一滤波电路31用于对外部电源输入的直流电压进行稳压，从而为第一MOS管的集电极提供稳定的直流电压，当控制单元10输出PWM信号并经追频推挽电路20转换后输出第二控制信号至雾化驱动电路30的栅极，当第二控制信号为高电平时，第一MOS管导通从而使雾化片导通并实现雾化功能。

如图2所示，除上述实施例的特征以外，本实施例进一步限定了：第一滤波电路31包括第一电容C1和第二电容C2，第一电容C1的第一端、第二电容C2的第一端与第一电感L1、外部电源共接，第一电容C1和第二电容C2的第二端共接地；第一电容C1为电解电容。

如图3所示，除上述实施例的特征以外，本实施例进一步限定了：干烧检测电路40包括第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9和第六电容C6，第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8和第九电阻R9的第一端与第一MOS管M1的源极共接，第七电阻R7、第八电阻R8和第九电阻R9的第二端共接地，第六电阻R6的第二端与第六电容C6的第一端连接并形成工作反馈电流信号输出点，第六电容C6的第二端接地。

如图5所示，除上述实施例的特征以外，本实施例进一步限定了：干烧过温保护电路50包括第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13和第七电容C7，第十电阻R10的第一端与外部电源连接，第十电阻R10的第二端与第十一电阻R11的第一端连接，第十一电阻R11的第二端、第十二电阻R12的第一端、第十三电阻R13的第二端和第七电容C7的第一端共接，第七电容C7与第十二电阻R12的第二端共接地，十三电阻的第一端形成第一控制信号输出点并与控制单元10连接；第十电阻R10为热敏电阻。

如图5所示，除上述实施例的特征以外，本实施例进一步限定了：干烧过温保护电路50包括第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16、第三三极管Q3和第八电容C8，第八电容C8的第一端、第十四电阻R14的第一端和第十五电阻R15的第二端共接并与控制单元10连接，第八电容C8的第二端与第十四电阻R14的第二端和第三三极管Q3的集电极共接地，第十五电阻R15的第一端与第三三极管Q3的发射极连接，第十六电阻R16的第二端与第三三极管Q3的基极连接，第十六电阻R16的第一端与第十一电阻R11的第二端、第十二电阻R12的第一端共接。

具体地，上述实施例中的干烧过温保护电路50，因为第十电阻R10为热敏电阻，第十电阻R10靠近雾化驱动电路30中的第一MOS管放置，当第一MOS管工作电流增大，导致第一MOS管产生大量热量辐射至第十电阻R10，第十电阻R10阻值发生变化从而控制第三三极管Q3的栅极电压，进而实现第三三极管Q3的控制；当温度上升，第十电阻R10阻值减小，由第十四电阻R14和第三电容C3组成的放电电路放电时间减小，从而减小单片机采样间隔，提高实时温度获取频率；当温度正常时，降低实时温度获取频率，从而降低能耗。

如图4所示，除上述实施例的特征以外，本实施例进一步限定了：追频推挽电路20包括第五电容C5、第四电阻R4、第五电阻R5、第一三极管Q1和第二三极管Q2，第五电容C5的第一端与第一三极管Q1的集电极与外部电源共接，第一三极管Q1的发射极与第二三极管Q2的发射极连接并形成第二控制信号的输出端，第二三极管Q2的集电极与第四电阻R4的第二端共接地，第四电阻R4的第一端与第一三极管Q1的基极连接，第五电阻R5的第二端与第二三极管Q2的基极连接，第五电阻R5的第一端与控制单元10连接。

除上述实施例的特征以外，本实施例进一步限定了：雾化装置还包括警示模块包括蜂鸣器和/或LED灯，警示模块与控制单元10连接，警示模块被配置为根据第一控制信号和/或工作反馈电流信号发出警示。

实施2提供了一种雾化装置的控制方法，该方法应用在上述的雾化装置，该控制方法包括：雾化装置上电后，干烧检测电路40获取雾化装置中雾化驱动电路输出的驱动电流信号并进行转换处理，得到工作反馈电流信号并传输至控制单元10，控制单元10根据工作反馈电流信号输出PWM信号至追频推挽电路20，确保雾化装置中的雾化片处于最佳工作点；雾化装置正常运行时，控制单元10分别从干烧过温保护电路50和干烧检测电路40获取第一控制信号和工作反馈电流信号，控制单元10根据第一控制信号和/或工作反馈电流信号导通或停止导通雾化驱动电路30；其中，第一控制信号是由干烧过温保护电路50中的热敏电阻（即第十电阻）测量雾化驱动电路30中开关管的实时温度转换并转换处理得到，当第一控制信号大于所设控制单元10预设的温度阈值，雾化驱动电路30停止导通；工作反馈电流信号是由干烧检测电路40测量雾化驱动电路30输出的驱动电流信号并转换处理得到，当工作反馈电流信号在一定时间内变化的幅度大于控制单元10预设的幅度变化阈值，雾化驱动电路30停止导通。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种雾化装置，其特征在于，包括：

壳体组件，所述壳体组件设有出雾口；

储液结构，所述储液结构位于所述壳体组件围合形成的空腔内，所述空腔与所述出雾口连通；

雾化片，所述雾化片位于所述空腔内，所述雾化片用于雾化所述储液结构中的液体；

雾化控制装置，所述雾化控制装置设置在所述壳体组件或储液结构上，所述雾化片与所述雾化控制装置电连接，所述雾化控制装置用于控制所述雾化片启停；

所述雾化控制装置包括：控制单元（10），所述控制单元（10）被配置为根据第一控制信号以及雾化片的工作反馈电流信号输出PWM信号；追频推挽电路（20），所述追频推挽电路（20）与所述控制单元（10）电连接，所述追频推挽电路（20）被配置为对接收到的PWM信号进行转换处理得到第二控制信号；

雾化驱动电路（30），所述雾化驱动电路（30）与所述追频推挽电路（20）电连接，所述雾化驱动电路（30）被配置为对接收到的所述第二控制信号进行转换处理，并输出驱动电流信号至雾化片；干烧检测电路（40），所述干烧检测电路（40）与所述雾化驱动电路（30）和所述控制单元（10）电连接，所述干烧检测电路（40）被配置为获取所述雾化驱动电路输出的所述驱动电流信号并进行转换处理，得到工作反馈电流信号并传输至所述控制单元（10）；干烧过温保护电路（50），所述干烧过温保护电路（50）与所述控制单元（10）电连接，所述干烧过温保护电路（50）的至少部分与所述雾化驱动电路（30）相邻设置，所述干烧过温保护电路（50）被配置为测量所述雾化驱动电路（30）的实时温度并进行转换处理，得到所述第一控制信号。

2.根据权利要求1所述的雾化装置，其特征在于，所述雾化驱动电路（30）包括第一滤波电路（31）、第三电容（C3）、第四电容（C4）、第一电感（L1）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）和第一MOS管（M1），所述第一滤波电路（31）的第一端与外部电源、所述第一电感（L1）的第一端共接，所述第一滤波电路（31）的第二端接地，所述第一电感（L1）的第二端、所述第一电阻（R1）的第一端、所述第四电容（C4）的第一端和所述第一MOS管（M1）的漏极共接，所述第二电阻（R2）的第二端、所述第三电阻（R3）的第一端与所述第一MOS管（M1）的栅极共接，所述第三电阻（R3）的第二端与所述第一MOS管（M1）的源极、所述第四电容（C4）的第二端连接并形成雾化片第二输入点，所述第一电阻（R1）的第二端与所述第三电容（C3）的第一端连接，所述第三电容（C3）的第二端形成雾化片第一输入点，所述第二电阻的第一端与所述追频推挽电路（20）的输出端连接。

3.根据权利要求2所述的雾化装置，其特征在于，所述第一滤波电路（31）包括第一电容（C1）和第二电容（C2），所述第一电容（C1）的第一端、所述第二电容（C2）的第一端、所述第一电感（L1）的第一端与外部电源共接，所述第一电容（C1）的第二端和所述第二电容（C2）的第二端共接地；所述第一电容（C1）为电解电容。

4.根据权利要求2所述的雾化装置，其特征在于，所述干烧检测电路（40）包括第六电阻（R6）、第七电阻（R7）、第八电阻（R8）、第九电阻（R9）和第六电容（C6），所述第六电阻（R6）、所述第七电阻（R7）、所述第八电阻（R8）和所述第九电阻（R9）的第一端与所述第一MOS管（M1）的源极共接，所述第七电阻（R7）、所述第八电阻（R8）和所述第九电阻（R9）的第二端共接地，所述第六电阻（R6）的第二端与所述第六电容（C6）的第一端连接并形成所述工作反馈电流信号输出点，所述第六电容（C6）的第二端接地。

5.根据权利要求1所述的雾化装置，其特征在于，所述追频推挽电路（20）包括第五电容（C5）、第四电阻（R4）、第五电阻（R5）、第一三极管（Q1）和第二三极管（Q2），所述第五电容（C5）的第一端与所述第一三极管（Q1）的集电极与外部电源共接，所述第一三极管（Q1）的发射极与所述第二三极管（Q2）的发射极连接并形成所述第二控制信号的输出端，所述第二三极管（Q2）的集电极与所述第四电阻（R4）的第二端共接地，所述第四电阻（R4）的第一端与所述第一三极管（Q1）的基极连接，所述第五电阻（R5）的第二端与所述第二三极管（Q2）的基极连接，所述第五电阻（R5）的第一端与所述控制单元（10）连接。

6.根据权利要求1所述的雾化装置，其特征在于，所述干烧过温保护电路（50）包括第十电阻（R10）、第十一电阻（R11）、第十二电阻（R12）、第十三电阻（R13）和第七电容（C7），所述第十电阻（R10）的第一端与外部电源连接，所述第十电阻（R10）的第二端与所述第十一电阻（R11）的第一端连接，所述第十一电阻（R11）的第二端、所述第十二电阻（R12）的第一端、所述第十三电阻（R13）的第二端和所述第七电容（C7）的第一端共接，所述第七电容（C7）与所述第十二电阻（R12）的第二端共接地，所述第十三电阻（R13）的第一端形成所述第一控制信号输出点并与所述控制单元（10）连接。

7.根据权利要求6所述的雾化装置，其特征在于，所述干烧过温保护电路（50）包括还包括第十四电阻（R14）、第十五电阻（R15）、第十六电阻（R16）、第三三极管（Q3）和第八电容（C8），所述第八电容（C8）的第一端、所述第十四电阻（R14）的第一端和所述第十五电阻（R15）的第二端共接，所述第八电容（C8）的第二端与所述第十四电阻（R14）的第二端和所述第三三极管（Q3）的发射极共接地，所述第十五电阻（R15）的第一端与第三三极管（Q3）的集电极连接，所述第十六电阻（R16）的第二端与所述第三三极管（Q3）的基极连接，所述第十六电阻（R16）的第一端与所述第十一电阻（R11）的第二端和所述第十二电阻（R12）的第一端共接；

所述第十电阻（R10）为热敏电阻。

8.根据权利要求1所述的雾化装置，其特征在于，还包括：

警示模块，所述警示模块包括蜂鸣器和/或LED灯具，所述警示模块与所述控制单元（10）连接，所述警示模块被配置为根据所述第一控制信号和/或所述工作反馈电流信号发出警示。

9.一种控制方法，其特征在于，应用于如权利要求1-8任一项所述雾化控制装置，该方法包括：

雾化装置上电后，所述干烧检测电路（40）获取雾化装置中雾化驱动电路输出的驱动电流信号并进行转换处理，得到所述工作反馈电流信号并传输至所述控制单元（10），所述控制单元（10）根据所述工作反馈电流信号输出所述PWM信号至所述追频推挽电路（20），确保雾化装置中的雾化片处于最佳工作点；雾化装置正常运行时，所述控制单元（10）分别从所述干烧过温保护电路（50）和所述干烧检测电路（40）获取所述第一控制信号和所述工作反馈电流信号，所述控制单元（10）根据所述第一控制信号和/或所述工作反馈电流信号导通或停止导通所述雾化驱动电路（30）；

其中，所述第一控制信号是由所述干烧过温保护电路（50）中的热敏电阻测量所述雾化驱动电路（30）中开关管的实时温度转换并转换处理得到，当所述第一控制信号大于所设控制单元（10）预设的温度阈值，所述雾化驱动电路（30）停止导通；所述工作反馈电流信号是由所述干烧检测电路（40）测量所述雾化驱动电路（30）输出的驱动电流信号并转换处理得到，当所述工作反馈电流信号在一定时间内变化的幅度大于所述控制单元（10）预设的幅度变化阈值，所述雾化驱动电路（30）停止导通。