CN116449489A - 一种基于平面光波导的波分解复用芯片和光模块 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及光通信领域,特别是涉及一种基于平面光波导的波分解复用芯片和光模块。芯片主要包括:输入波导、输入平板波导、阵列波导光栅和输出平板波导依次连接,输出平板波导分别与m个输出波导连接;每个输出波导上均设置有至少一个衍射光栅;输入平板波导、阵列波导光栅和输出平板波导共同作用,用于对n×m个波长的光信号进行第一次解复用,将n×m个波长的光信号分解为m路光信号,每路光信号中包含n个波长的光信号;输出波导用于接收一路光信号,衍射光栅用于对预定波长的光信号进行衍射,以对n个波长的光信号进行第二次解复用,从而输出单一波长的光信号。本发明具有结构紧凑、封装步骤简便等特点,可实现高速多通道光电封装。
Description
技术领域
本发明涉及光通信领域,特别是涉及一种基于平面光波导的波分解复用芯片和光模块。
背景技术
随着5G通信、大数据、云计算、智能驾驶等行业的迅速发展,人们对信息传输容量和传输速率的需求呈现指数型增长。光模块作为信息传输和交互的重要媒介,其端口的传输速率也越来越高。当前阶段,100G-400Gb/s的数通光模块已经实现商用,光传输互联系统正逐渐向800Gb/s进行过渡,这对光模块的传输性能,封装尺寸和成本提出了越发严苛的要求。
基于平面光波导的波分解复用(Demux)芯片,在芯片内部通过一系列光波导结构可实现对光信号的复用和解复用,其主要结构主要为阵列波导光栅(Arrayed WaveguideGrating)结构。
4×25Gb/s和4×100Gb/s的光接收模块使用1个4通道波分解复用芯片实现光信号的解复用和光学耦合。当光模块速率到达800Gb/s时,理论上通常使用2个并列的4通道波分解复用芯片实现8个通道光信号的解复用和光学耦合。但并列的2个波分解复用芯片占用的封装空间大,封装步骤增多,对光模块的整体集成、小型化封装非常不利。
鉴于此,当光模块速率成倍增加而同时受限于封装尺寸和产品成本时,如何客服现有技术所存在的缺陷,实现高速率更多通道的光信号传输是本技术领域待解决的问题。
发明内容
针对现有技术的以上缺陷或改进需求,本发明解决了现有波分复用过程中波分解复用芯片通道数较少与光信号带宽增加之间的矛盾。
本发明实施例采用如下技术方案:
第一方面,本发明提供了一种基于平面光波导的波分解复用芯片,具体为:包括输入波导、输入平板波导、阵列波导光栅、输出平板波导和m个输出波导,所述输入波导、所述输入平板波导、所述阵列波导光栅和所述输出平板波导依次连接,所述输出平板波导分别与m个所述输出波导连接;其中,每个所述输出波导上均设置有至少一个衍射光栅;所述输入波导用于接收n×m个波长的光信号;所述输入平板波导、所述阵列波导光栅和所述输出平板波导共同作用,用于对n×m个波长的光信号进行第一次解复用,将n×m个波长的光信号分解为m路光信号,每路光信号中包含n个波长的光信号;所述输出波导用于接收一路光信号,所述衍射光栅用于对预定波长的光信号进行衍射,以对n个波长的光信号进行第二次解复用,从而输出单一波长的光信号。
优选的,每个所述输出波导上均设置有m个衍射光栅,m个衍射光栅所对应的衍射波长均不同。
优选的,每个所述输出波导上均设置有n-1个衍射光栅,n-1个衍射光栅所对应的衍射波长均不同;每个所述输出波导为指定角度的斜面,用于将对应波长的光信号按照指定光路进行全反射。
优选的,所述衍射光栅包括多个光栅结构,相邻光栅结构之间设置有刻蚀槽区域;其中,根据所述衍射光栅所对应的衍射波长、光波衍射方向与竖直方向的角度、光栅结构的有效折射率以及刻蚀槽区域的有效折射率确定光栅结构的宽度以及刻蚀槽区域的宽度。
优选的,所述波分解复用芯片包括依次层叠设置的衬底层、波导层和包层,所述输入波导、输入平板波导、阵列波导光栅、输出平板波导和m个输出波导形成所述波导层;其中,所述波导层的折射率大于所述衬底层的折射率,所述波导层的折射率大于所述包层的折射率。
优选的,所述波导层、所述衬底层和所述包层的材料为:硅、二氧化硅和氮化硅中的任一种,或硅、二氧化硅和/或氮化硅所形成的任意一种掺杂材料,以实现各层折射率的调控。
另一方面,本发明提供了一种光模块,具体为:包括n个光电探测器、电路板和第一方面提供的波分解复用芯片,具体的:n个所述光电探测器并排倒装在所述电路板上,所述波分解复用芯片的各个输出波导对准对应的所述光电探测器的光敏面中心,以将解复用后的信号传输给相应的光电探测器;其中,光电探测器的数量与波分解复用芯片每路光信号中包含的波长数量一致,每个光电探测器的通道数量与波分解复用芯片的通道数量一致,用于获取解复用后的每个单波长光信号。
优选的,所述单芯光纤和所述波分解复用芯片的输入波导连接,光学端口和单芯光纤相连,具体包括:将单芯光纤和光学端口对准固定,再通过有源光耦合方法将波分解复用芯片的输入波导与单芯光纤对准耦合。
优选的,所述波分解复用芯片的各个输出波导对准对应的所述光电探测器的光敏面中心,具体包括:每个衍射光栅的输出光路与一个光电探测器光敏面的位置对应,将对应波长的光信号分别衍射输出到每个光电探测器对应通道的光敏面上;当所述波分解复用芯片的各个输出波导的端面为斜面时,各个输出波导的端面与最后一个光电探测器的光通道耦合,其中,不满足衍射条件的光信号通过衍射光栅,到达光波导斜面后利用全反射输出到最后一个光电探测器的光敏面上。
优选的,所述光电探测器并排倒装在电路板上,具体包括:所述光电探测器采用倒装焊形式与电路板连接,每个光电探测器背面有多个焊盘,所述电路板表面与所述光电探测器背面焊盘位置对应的位置存在预贴装焊盘,所述光电探测器的焊盘与所述电路板上相应位置的焊盘对准相接,实现所述光电探测器和所述电路板的电互联。
与现有技术相比,本发明实施例的有益效果在于:在波分解复用芯片的输出波导上增加衍射光栅,将现有的m通道扩展为n×m通道,提升了单个波分解复用芯片所能解复用的波长数,使现有技术中需要使用多个芯片完成的解复用过程能够使用单个波分解复用芯片完成。
另一方面,本发明实施例提供了与波分解复用芯片匹配的光模块。本发明实施例中提供的波分解复用芯片和光模块,具有结构紧凑、封装步骤简便等特点,可实现高速多通道光电封装。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种基于平面光波导的波分解复用芯片的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种基于平面光波导的波分解复用芯片的结构侧视图;
图3为本发明实施例提供的一种基于平面光波导的波分解复用芯片的波分解复用原理示意图;
图4为本发明实施例提供的另一种基于平面光波导的波分解复用芯片的结构侧视图;
图5为本发明实施例提供的一种光模块的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的一种光模块的波分解复用过程示意图;
图7为本发明实施例提供的一种光模块的光路示意图;
图8为本发明实施例提供的另一种光模块的光路示意图;
图9为本发明实施例提供的一种光模块上光探测器焊盘结构示意图;
图10为本发明实施例提供的一种光模块上PCB板的预贴装焊盘结构示意图;
图11为本发明实施例提供的一种光模块的加工方法流程图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明是一种特定功能系统的体系结构,因此在具体实施例中主要说明各结构模组的功能逻辑关系,并不对具体软件和硬件实施方式做限定。
此外,下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。下面就参考附图和实施例结合来详细说明本发明。
实施例1:
为了解决当光模块速率成倍增加而受限于封装尺寸和产品成本时,现有方案无法满足高带宽下解波分复用需求的问题,本实施例提供了一种基于平面光波导的多通道波分解复用芯片。
本实施例提供的波分解复用芯片,能够支持n×m路的波分解复用,其中,n和m为正整数,具体数值依据实际情况进行选择即可。为了描述简便,本实施例中以n=2,m=4,即2×4路为例进行说明,可以将单路包含八个波长的光信号:λ1、λ2、λ3、λ4、λ5、λ6、λ7、λ8,解复用为8路单波长的光信号。其它场景的实施中,可以根据本实施例提供的工作原理进行扩展或适应性调整。
如图1所示,波分解复用芯片的包括输入波导、输入平板波导、阵列波导光栅、输出平板波导和m个输出波导,输入波导、输入平板波导、阵列波导光栅和输出平板波导依次连接,输出平板波导分别与m个所述输出波导连接,每个输出波导上均设置有至少一个衍射光栅。
输入波导用于接收n×m个波长的光信号。输入平板波导、阵列波导光栅和输出平板波导共同作用,用于对n×m个波长的光信号进行第一次解复用,将n×m个波长的光信号分解为m路光信号,每路光信号中包含n个波长的光信号。对于本实施例中的光信号,解复用后生成4路每路包含2个波长的光信号:第一路:λ1、λ5;第二路:λ2、λ6;第三路:λ3、λ7;第四路:λ4、λ8。每路信号光分别通过对应的输出波导进行输出。
输出波导用于接收一路光信号,衍射光栅用于对预定波长的光信号进行衍射,以对n个波长的光信号进行第二次解复用,从而输出单一波长的光信号。对于本实施例中的光信号,每个输出波导中输出的光信号依然包含多个波长,因此,还需要继续通过衍射光栅进行第二次解复用。每路光信号中满足衍射条件的信号进行衍射,不满足衍射条件的继续前进,从而完成不同波长信号的分离。如图2所示,为了完成不同波长信号的分离,每个所述输出波导上均设置有n个衍射光栅,n个衍射光栅所对应的衍射波长均不同,从而是不同波长的光信号在相应衍射光栅的位置衍射输出,图2中n=2。例如,第一路光信号中,符合衍射条件的波长λ1的光信号被衍射输出,不符合衍射条件的波长λ5的光信号沿第一输出波导继续传输,完成了两路不同波长光信号的解复用。实际实施中,在光路方向输出波导上,可以集成n个衍射光栅结构,以实现n×m个波长的波分解复用,从而实现更多通道更高速率的接收光模块应用。
如图2所示,本实施例提供的波分解复用芯片包括依次层叠设置的衬底层、波导层和包层,输入波导、输入平板波导、阵列波导光栅、输出平板波导和m个输出波导形成波导层;波导层的折射率大于衬底层的折射率,波导层的折射率大于包层的折射率。当波导层折射率为n1、衬底层折射率为n2、包层折射率为n3时,一般满足n1>n2,且n1>n3。
在实际加工过程中,衍射光栅包括多个光栅结构,相邻光栅结构之间设置有刻蚀槽区域。根据所述衍射光栅所对应的衍射波长、光波衍射方向与竖直方向的角度、光栅结构的有效折射率以及刻蚀槽区域的有效折射率确定光栅结构的宽度以及刻蚀槽区域的宽度。以下描述和计算中,周期使用d表示,占空比使用f表示,f的取值在0-1之间。
衍射光栅对波长为λ的光产生一级衍射需要满足公式1。
其中,λ为波长,nair=1,θ为光波衍射方向与竖直方向的角度。
neff为一个周期光栅结构的有效折射率,可以根据平板波导有效折射率理论,通过波分解复用芯片的波导层、衬底层和包层材料折射率计算得出,具体计算方式如公式2。
neff=nLeff*f+nHeff*(1-f)(公式2)
其中,nLeff为光栅刻蚀槽区域的有效折射率,nHeff为光栅非刻蚀槽区域的有效折射率。有效折射率neff可根据平板光波导的射线光学方法或波动麦克斯韦方程方法解析求出。
如图3所示,满足上述公式条件的λ波长的光信号产生衍射作用,沿着指定角度θ的方向射出,而其余波长光信号沿着波导的方向继续传播。
进一步的,在实际加工过程中,可以通过控制波导层、衬底层和包层的折射率来控制衍射条件的光信号按照指定角度出射。波导层、衬底层和包层的材料为:硅、二氧化硅和氮化硅中的任一种,或硅、二氧化硅或氮化硅所形成的任意一种掺杂材料,以实现各层折射率的调控。
进一步的,本实施例提供的芯片中,使用了衍射光栅对不同波长的光信号进行解复用,满足衍射条件的光信号按照衍射光栅的指定角度输出,而不满足衍射条件的光信号沿原光路继续前进。为了减少衍射光栅的使用数量,从而简化芯片设计加工难度制作成本,还可以将芯片的输出端设置为指定角度的全反射斜面。具体的:如图4所示,每个输出波导上均设置有n-1个衍射光栅,n-1个衍射光栅所对应的衍射波长均不同;每个所述输出波导为指定角度的斜面,用于将对应波长的光信号按照指定光路进行全反射,图4中,n=2。例如,当符合衍射条件的波长λ1的光信号按照指定角度衍射输出后,不符合衍射条件的波长λ5的光信号沿第一输出波导继续传输,直至达到输出波导末端的输出端面,为了使其输出方向与输出的波长λ1的光信号一致,可以将输出端面设置为35°-48°的反射斜面,实现光信号的全反射,使波长λ5的光信号与波长λ1的光信号以相同角度输出。
本实施例提供的基于平面光波导的波分解复用芯片,在波分解复用芯片的输出波导上增加衍射光栅,将现有的m通道扩展为n×m通道,提升了单个波分解复用芯片所能解复用的波长数,使现有技术中需要使用多个芯片完成的解复用过程能够使用单个波分解复用芯片完成。
实施例2:
在实施例1提供的基于平面光波导的波分解复用芯片基础上,本实施例还提供了一种用于平面光波导波分解复用的光模块。
如图5所示,光模块包括印制电路板空板(Printed Circuit Board Assembly,简写为PCBA)、光电探测器(Photo-Diode,简写为PD)芯片、实施例1中提供的平面光波导波分解复用(Demux)芯片、玻璃板、单芯光纤和光学端口。在具体实施中,可以使用玻璃板作为波分解复用芯片的基板,用于过渡连接波分解复用芯片和PCBA。
为了简便起见,本实施例中以8*100G接收光模块应用为例,说明该接收光模块的工作原理。其它场景的实施中,可以根据本实施例提供的工作原理进行扩展或适应性调整。
如图6所示,光模块还包括单芯光纤,单芯光纤和波分解复用芯片的输入波导连接,光学端口和单芯光纤相连。具体使用中,可以将单芯光纤和光学端口对准固定,再通过有源光耦合方法将波分解复用芯片的输入波导与单芯光纤对准耦合。以实施例1中2×4路的输入光信号为例,从光学端口入射的光信号包含八个波长的光信号:λ1、λ2、λ3、λ4、λ5、λ6、λ7、λ8,光信号通过单芯光纤进入波分解复用芯片的输入波导中,由波分解复用芯片解复用为8路单波长的光信号。
解复用后的光信号通过光电探测器获取,n个光电探测器并排倒装在电路板上。由波分解复用芯片解复用后的每路单波长光信号分别进入一个光电探测器的一路通道中。图5中,与2×4路波分解复用芯片对应,使用了2个光电探测器,分别为第一光电探测器和第二光电探测器。在其它场景中,光电探测器的数量根据波长数量确定,光电探测器的位置根据衍射光栅输出的光路位置确定。
为了使光电探测器获取到对应的光信号,波分解复用芯片的各个输出波导对准对应的光电探测器的中心,以将解复用后的信号传输给相应的光电探测器。具体的,每个衍射光栅的输出光路和与一个光电探测器光敏面的位置对应,将对应波长的光信号分别衍射输出到每个光电探测器对应通道的光敏面上;当波分解复用芯片的各个输出波导的端面为斜面时,各个输出波导的端面与最后一个光电探测器的光通道耦合,其中,不满足衍射条件的光信号到达斜面后利用全反射输出到最后一个光电探测器的光敏面上。
波分解复用芯片四个输出波导上分别刻蚀有衍射光栅结构,衍射光栅的位置和第一光电探测器光敏面的位置对应,以便能将光衍射输出到第一光电探测器对应通道光敏面上。例如,使用2×4路波分解复用芯片时,波分解复用芯片和光电探测器之间具体的光路如图7和图8所示,此处以第一输出波导为例进行说明,由于第一输出波导的输出光信号中包含了2个波长,因此使用2个光电探测器。包含8个波长的光信号经过输入平板波导-阵列波导光栅-输出平板波导后,第一输出波导中传输的光信号波长为λ1、λ5。通过第一输出波导路径上的衍射光栅结构,波长λ1的光信号斜向下衍射到第一光电探测器对应通道的光敏面上。波长λ5的光信号不受衍射光栅的影响继续向后传输,在图7中,到达另一个衍射光栅后,输出到第二光电探测器的对应通道上;在图8中,到达反射斜面后,经过全反射作用反射输出到第二光电探测器的对应通道上。第二-第四输出波导原理相同。最终,波长λ1、λ2、λ3、λ4的光进入第一光电探测器对应通道的光敏面上,波长λ5、λ6、λ7、λ8的光进入第二光电探测器对应通道的光敏面上,实现了8个波长的解复用和光电信号转换。
为了确保波分解复用芯片解复用后每个波长的光信号能够准确入射到对应的光电探测器通道中,可以通过有源光耦合方法进行光路对准。例如:在接收端光学端口输入对应包含多个波长的光源信号,同时监控光电探测器每个通道响应度大小,将波分解复用芯片组件耦合固定到探测器上方光路正确位置。结合实施例1中波分解复用芯片上衍射光栅衍射输出的指定角度θ的设计,以及反射斜面反射角度的设计,可以确保每个波长光信号的出射角度与光电探测器的预贴装位置匹配,从而实现所有波长光信号的耦合对准。
光电探测器接收到单波长的光信号后,将光信号转换成电信号,电信号经过与PCBA的传输线向后端传输和处理。在具体实施中,光电探测器采用倒装焊形式与PCBA连接。如图9所示,每个光电探测器背面有多个焊盘。如图10所示,PCBA表面与光电探测器背面焊盘位置对应的位置存在的预贴装焊盘,PCBA上焊盘位置的形状大小与光电探测器的焊盘一致。光电探测器的焊盘与PCBA上相应位置的焊盘对准相接,实现光电探测器和PCBA的电互联。
具体实施中,如图11所示,本实施例中提供的光模块可以按照以下步骤进行加工集成,也可以使用其它可用的方式完成加工集成,集成后的光模块满足上述的光路和其它信号连接原理即可。
步骤101:将实施例1中提供的波分解复用芯片输出端面研磨成所需到的角度。
步骤102:将波分解复用芯片与玻璃板粘接。
步骤103:通过有源光耦合方法,将波导芯片的输入波导与单芯光纤对准耦合,将单芯光纤和光学端口对准固定,使三者组合成为一个波分解复用芯片组件。
步骤104:将所需数量的光电探测器对准PCBA表面相应位置的贴装金层,完成对准贴装固定。
步骤105:通过有源光耦合方法,完成波分解复用芯片与光电探测器光路的耦合对准。
通过步骤101-步骤105,即可将实施例1中提供的波分解复用芯片和其它元件集成为本实施例中提供的光模块。
根据本实施例中技术方案和具体使用过程描述可见,由于实施例1中提供的每个波分解复用芯片可以在光路方向上通过波导衍射光栅结构集成n×4个通道,因此,本实施例能够利用实施例1提供的波分解复用芯片,在不增加封装空间尺寸和封装工艺步骤的前提下实现传输通道的扩容,以满足800Gb/s甚至更高带宽传输的需求。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种基于平面光波导的波分解复用芯片,其特征在于,包括输入波导、输入平板波导、阵列波导光栅、输出平板波导和m个输出波导,所述输入波导、所述输入平板波导、所述阵列波导光栅和所述输出平板波导依次连接,所述输出平板波导分别与m个所述输出波导连接;其中,每个所述输出波导上均设置有至少一个衍射光栅;
所述输入波导用于接收n×m个波长的光信号;
所述输入平板波导、所述阵列波导光栅和所述输出平板波导共同作用,用于对n×m个波长的光信号进行第一次解复用,将n×m个波长的光信号分解为m路光信号,每路光信号中包含n个波长的光信号;
所述输出波导用于接收一路光信号,所述衍射光栅用于对预定波长的光信号进行衍射,以对n个波长的光信号进行第二次解复用,从而输出单一波长的光信号。
2.根据权利要求1所述的基于平面光波导的波分解复用芯片,其特征在于,每个所述输出波导上均设置有n个衍射光栅,n个衍射光栅所对应的衍射波长均不同。
3.根据权利要求1所述的基于平面光波导的波分解复用芯片,其特征在于,每个所述输出波导上均设置有n-1个衍射光栅,n-1个衍射光栅所对应的衍射波长均不同;
每个所述输出波导为指定角度的斜面,用于将对应波长的光信号按照指定光路进行全反射。
4.根据权利要求1所述的基于平面光波导的波分解复用芯片,其特征在于,所述衍射光栅包括多个光栅结构,相邻光栅结构之间设置有刻蚀槽区域;
其中,根据所述衍射光栅所对应的衍射波长、光波衍射方向与竖直方向的角度、光栅结构的有效折射率以及刻蚀槽区域的有效折射率确定光栅结构的宽度以及刻蚀槽区域的宽度。
5.根据权利要求1-4任一项所述基于平面光波导的波分解复用芯片,其特征在于,所述波分解复用芯片包括依次层叠设置的衬底层、波导层和包层,所述输入波导、所述输入平板波导、所述阵列波导光栅、所述输出平板波导和m个所述输出波导形成所述波导层;
其中,所述波导层的折射率大于所述衬底层的折射率,所述波导层的折射率大于所述衬底层的折射率。
6.根据权利要求5所述基于平面光波导的波分解复用芯片,其特征在于,所述波导层、所述衬底层和所述包层的材料为:硅、二氧化硅和氮化硅中的任一种,或硅、二氧化硅和/或氮化硅所形成的任意一种掺杂材料,以实现各层折射率的调控。
7.一种光模块,其特征在于,包括n个光电探测器、电路板和如权利要求1-6中任一项所述的波分解复用芯片,具体的:
n个所述光电探测器并排倒装在所述电路板上,所述波分解复用芯片的各个输出波导对准对应的所述光电探测器的光敏面中心,以将解复用后的信号传输给相应的光电探测器;
其中,光电探测器的数量与波分解复用芯片每路光信号中包含的波长数量一致,每个光电探测器的通道数量与波分解复用芯片的通道数量一致,用于获取解复用后的每个单波长光信号。
8.根据权利要求7所述的光模块,其特征在于,所述光模块还包括单芯光纤,所述单芯光纤和所述波分解复用芯片的输入波导连接,光学端口和单芯光纤相连,具体包括:
将单芯光纤和光学端口对准固定,再通过有源光耦合方法将波分解复用芯片的输入波导与单芯光纤对准耦合。
9.根据权利要求7所述的光模块,其特征在于,所述波分解复用芯片的各个输出波导对准对应的所述光电探测器的光敏面中心,具体包括:
每个衍射光栅的输出光路与一个光电探测器光敏面的位置对应,将对应波长的光信号分别衍射输出到每个光电探测器对应通道的光敏面上;
当所述波分解复用芯片的各个输出波导的端面为斜面时,各个输出波导的端面与最后一个光电探测器的光通道耦合,其中,不满足衍射条件的光信号通过衍射光栅,到达光波导斜面后利用全反射输出到最后一个光电探测器的光敏面上。
10.根据权利要求7所述的光模块,其特征在于,所述光电探测器并排倒装在电路板上,具体包括:
所述光电探测器采用倒装焊形式与电路板连接,每个光电探测器背面有多个焊盘,所述电路板表面与所述光电探测器背面焊盘位置对应的位置存在预贴装焊盘,所述光电探测器的焊盘与所述电路板上相应位置的焊盘对准相接,实现所述光电探测器和所述电路板的电互联。
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