CN116446048A - 一种碳化硅单晶炉炉盖及其加工工艺 - Google Patents

Abstract

本发明涉及碳化硅单晶炉技术领域，尤其提供一种碳化硅单晶炉炉盖及其加工工艺。该碳化硅单晶炉炉盖包括单晶炉炉盖、导风组件、传动组件以及控制组件。本发明利用传动组件将单晶炉内的动力进行增速、传动至控制组件内，控制组件对导风组件开合度及倾斜方向进行控制，使得进去单晶炉内的氩气气流能够在传动组件及控制组件引导下将氩气气流均匀分散于单晶炉中，对单晶炉内温度进行均匀地扩散，使得在单晶炉内温度分布均匀，避免在单晶生长的过程中出现热点和冷点等问题。

Description

一种碳化硅单晶炉炉盖及其加工工艺

技术领域

本发明涉及碳化硅单晶炉技术领域，尤其涉及一种碳化硅单晶炉炉盖及其加工工艺。

背景技术

单晶硅炉是一种在惰性气体环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,通过直拉法生产单晶硅的制造设备。单晶炉，其由炉底、下炉室、上炉室、炉盖、翻板箱以及副室六大部分组成。在直拉法生产单晶硅过程中需要利用通入的惰性气体对单晶硅炉温度进行均匀扩散，且还要根据不同工序中所遇到的不同情况去调整通入单晶炉中的惰性气体的流量，而现有的单晶硅炉炉盖无法将惰性气体在进行单晶硅炉内进行均匀地扩散，导致出现晶体扭曲等情况出现。

发明内容

基于此，有必要提供一种碳化硅单晶炉炉盖加工工艺，以解决至少一个上述技术问题。

一种碳化硅单晶炉炉盖，包括单晶炉炉盖、导风组件、传动组件以及控制组件，单晶炉炉盖底面安装于单晶炉顶部，单晶炉炉盖底面凹设形成有中空腔体，单晶炉炉盖外周壁一侧贯穿开设有流通槽，流通槽连通中空腔体，中空腔体内壁向中空腔体中心凸设形成有安装凸台，安装凸台水平设置且位于流通槽正下方，安装凸台顶面贯穿凹设有第一转动孔，导风组件通过扭簧转动地安装于流通槽的底部，传动组件顶部穿设通过第一转动孔转动地安装于安装凸台中，传动组件底部穿设进入单晶炉中，且传动组件底部与单晶炉的传动装置连接，控制组件底面中部凹设有第二转动孔，传动组件顶部转动地安装于第二转动孔中，且传动组件外周面的顶部与控制组件底面之间设置有碟簧；

导风组件包括第一导风板以及第二导风板，第一导风板底部通过扭簧转动地安装于流通槽的底部，第一导风板一侧侧壁中部凹设形成有第一安装槽，第一安装槽两端端壁底部均凹设形成有第一抵持槽，第二导风板一侧通过扭簧转动地安装于第一安装槽的侧壁中，第二导风板两端端壁底部凸设有抵持块，且抵持块顶面抵持于第一安装槽顶面；

传动组件包括转动柱以及分级增速器，转动柱外周壁沿圆周方向等距凹设有多个径向引风槽，多个径向引风槽宽度由上至下逐渐增大，转动柱外周面顶部一凸设有抵持台；

控制组件包括控制圆盘以及三个控制元件，第二转动孔凹设形成于控制圆盘底面中心，第二转动孔内壁一侧向第二转动孔中心凸设有定位块，定位块一端端壁抵持于抵持台的端壁，碟簧设置于控制圆盘底面与转动柱外周面顶部，控制圆盘顶面沿圆周方向分别等距凹设形成有三个第一滑动槽以及三个第二滑动槽，三个第一滑动槽及三个第二滑动槽相互临近且平行设置，每个第一滑动槽长度方向与控制圆盘半径方向平行，三个控制元件分别安装于三个第一滑动槽及三个第二滑动槽中；

每个控制元件包括第一控制柱以及第二控制柱，第一控制柱滑动地安装于第一滑动槽中，且第一控制柱侧壁与第一滑动槽邻近控制圆盘中心一端端壁之间设置有弹簧，第二控制柱滑动地安装于第二滑动槽中，且第二控制柱侧壁与第二滑动槽邻近控制圆盘中心一端端壁之间设置有弹簧，第二控制柱的高度小于第一控制柱。

作为本发明的进一步改进，中空腔体内周壁顶部凸设有引风台，引风台底面围绕单晶炉炉盖圆周方向等距凹设有多个弧形导风槽，弧形导风槽远离单晶炉炉盖中心一端端壁凹设有倾斜地导风面，引风台底面中心凹设形成有聚风孔，聚风孔连通多个弧形导风槽，聚风孔中心贯穿凹设有第三转动孔，第三转动孔内设置有籽晶柱。

作为本发明的进一步改进，转动柱顶部穿设通过第一转动孔转动地安装于安装凸台中，转动柱顶部转动地安装于第二转动孔中，抵持台端壁抵持于第二转动孔内壁，转动柱底部穿设进入单晶炉中，转动柱底面设置有锥齿轮，分级增速器顶部与锥齿轮啮合连接，分级增速器一端转动地安装于单晶炉中，分级增速器另一端与单晶炉中的传动装置啮合连接。

作为本发明的进一步改进，控制圆盘顶面沿圆周方向分别等距凹设形成有三个导风槽，且每个导风槽分别位于两个第一滑动槽之间，每个导风槽邻近控制圆盘中心一端端壁凹设有倾斜地引风面，每个导风槽另一端贯穿凹设有通风槽，通风槽远离控制圆盘中心一端底部角部处凹设形成有弧形面。

作为本发明的进一步改进，第一控制柱远离第二滑动槽一端端壁顶部角部处凹设形成有第一倾斜面，第一倾斜面底部角部处凹设形成有第二倾斜面。

作为本发明的进一步改进，第二控制柱邻近第一控制柱一端端壁顶部角部处凹设形成有第三倾斜面。

本发明还提供一种上述碳化硅单晶炉炉盖的加工工艺，所述的加工工艺包括以下步骤：

步骤S1：对生产单晶炉炉盖的原材料的纯度、密度、硬度及抗高温和热应力进行检验；

步骤S2：将生产碳化硅单晶炉炉盖的原材料进行混料并倾倒进入膜具中，随后进行增压、高温烧结处理，形成单晶炉炉盖，将单晶炉炉盖、导风组件、传动组件以及控制组件组装成形；

步骤S3：对组装成形的单晶炉炉盖进行开孔，随后将管道与开孔进行焊接稳固；

步骤S4：对单晶炉炉盖的外表面进行抛光处理，并加以二次精加工；

步骤S5：将精加工后的碳化硅单晶炉炉盖安装于单晶炉中进行抽真空、加注氩气进行试压，检测碳化硅单晶炉炉盖的稳固性能及密封性能，随后对检测合格的碳化硅单晶炉炉盖进行包装出厂。

本发明的有益效果如下：

1.在氩气气流流入单晶炉内时，利用传动组件将单晶炉内的动力进行增速、传动至控制组件内，控制组件对导风组件开合度及倾斜方向进行控制，使得进去单晶炉内的氩气气流能够导向引风台及导风槽，并随引风台及导风槽的引导将氩气气流均匀分散于单晶炉中，对单晶炉内温度进行均匀地扩散，使得在单晶炉内温度分布均匀，避免在单晶生长的过程中出现热点和冷点等问题。

2.进入导风槽的氩气气流将随转动柱旋转进入转动柱的多个径向引风槽内，并随转动柱旋转向下传动，使得单晶炉整体能够更快地、均匀地盈充氩气，为单晶炉后续步骤持续稳定的进行输出氩气气流。

3.当出现晶棒过长时，由于氩气气流流量将增大，且单晶炉中的传动装置的停止转动，利用导风组件、传动组件与控制组件的配合，将加速后的氩气气流均匀流往单晶炉底部，促使氩气气流流动方向，确保氩气气流流动更加均匀，确保过程中单晶炉内温度的均匀性，防止晶体扭曲情况的出现。

附图说明

图1为本发明一实施例的碳化硅单晶炉炉盖的俯视图。

图2为本发明一实施例的碳化硅单晶炉炉盖的立体示意图。

图3为本发明一实施例中单晶炉炉盖的立体示意图。

图4为本发明一实施例的碳化硅单晶炉炉盖的内部示意图。

图5为图4中B处放大图。

图6为本发明另一实施例的碳化硅单晶炉炉盖的内部示意图。

图7为图6中A处放大图。

图8为本发明一实施例的碳化硅单晶炉炉盖的控制组件的剖视图。

图中：10、单晶炉炉盖；11、中空腔体；111、引风台；112、弧形导风槽；113、导风面；114、聚风孔；115、第三转动孔；12、流通槽；13、安装凸台；20、导风组件；21、第一导风板；211、第一安装槽；212、第一抵持槽；22、第二导风板；221、抵持块；30、传动组件；31、转动柱；311、锥齿轮；312、径向引风槽；313、抵持台；32、分级增速器；40、控制组件；41、控制圆盘；411、定位块；412、第二滑动槽；413、导风槽；414、引风面；415、弧形面；416、第一滑动槽；417、通风槽；42、控制元件；421、第一控制柱；422、第二控制柱；423、第一倾斜面；424、第二倾斜面；425、第三倾斜面；43、第二转动孔。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参阅图1至图8，一种碳化硅单晶炉炉盖包括单晶炉炉盖10、导风组件20、传动组件30以及控制组件40，单晶炉炉盖10底面安装于单晶炉顶部，单晶炉炉盖10底面凹设形成有中空腔体11，单晶炉炉盖10外周壁一侧贯穿开设有流通槽12，流通槽12连通中空腔体11，中空腔体11内壁向中空腔体11中心凸设形成有安装凸台13，安装凸台13水平设置且位于流通槽12正下方，安装凸台13顶面贯穿凹设有第一转动孔，导风组件20通过扭簧转动地安装于流通槽12的底部，传动组件30顶部穿设通过第一转动孔转动地安装于安装凸台13中，传动组件30底部穿设进入单晶炉中，且传动组件30底部与单晶炉的传动装置连接，控制组件40底面中部凹设有第二转动孔43，传动组件30顶部转动地安装于第二转动孔43中，且传动组件30外周面的顶部与控制组件40底面之间设置有碟簧；

导风组件20包括第一导风板21以及第二导风板22，第一导风板21底部通过扭簧转动地安装于流通槽12的底部，第一导风板21一侧侧壁中部凹设形成有第一安装槽211，第一安装槽211两端端壁底部均凹设形成有第一抵持槽212，第二导风板22一侧通过扭簧转动地安装于第一安装槽211的侧壁中，第二导风板22两端端壁底部凸设有抵持块221，且抵持块221顶面抵持于第一安装槽211顶面；

传动组件30包括转动柱31以及分级增速器32，转动柱31外周壁沿圆周方向等距凹设有多个径向引风槽312，多个径向引风槽312宽度由上至下逐渐增大，转动柱31外周面顶部一凸设有抵持台313；

控制组件40包括控制圆盘41以及三个控制元件42，第二转动孔43凹设形成于控制圆盘41底面中心，第二转动孔43内壁一侧向第二转动孔43中心凸设有定位块411，定位块411一端端壁抵持于抵持台313的端壁，碟簧设置于控制圆盘41底面与转动柱31外周面顶部，控制圆盘41顶面沿圆周方向分别等距凹设形成有三个第一滑动槽416以及三个第二滑动槽412，三个第一滑动槽416及三个第二滑动槽412相互临近且平行设置，每个第一滑动槽416长度方向与控制圆盘41半径方向平行，三个控制元件42分别安装于三个第一滑动槽416及三个第二滑动槽412中；

每个控制元件42包括第一控制柱421以及第二控制柱422，第一控制柱421滑动地安装于第一滑动槽416中，且第一控制柱421侧壁与第一滑动槽416邻近控制圆盘41中心一端端壁之间设置有弹簧，第二控制柱422滑动地安装于第二滑动槽412中，且第二控制柱422侧壁与第二滑动槽412邻近控制圆盘41中心一端端壁之间设置有弹簧，第二控制柱422的高度小于第一控制柱421。

中空腔体11内周壁顶部凸设有引风台111，引风台111底面围绕单晶炉炉盖10圆周方向等距凹设有多个弧形导风槽112，弧形导风槽112远离单晶炉炉盖10中心一端端壁凹设有倾斜地导风面113，引风台111底面中心凹设形成有聚风孔114，聚风孔114连通多个弧形导风槽112，聚风孔114中心贯穿凹设有第三转动孔115，第三转动孔115内设置有籽晶柱。

转动柱31顶部穿设通过第一转动孔转动地安装于安装凸台13中，转动柱31顶部转动地安装于第二转动孔43中，抵持台313端壁抵持于第二转动孔43内壁，转动柱31底部穿设进入单晶炉中，转动柱31底面设置有锥齿轮311，分级增速器32顶部与锥齿轮311啮合连接，分级增速器32一端转动地安装于单晶炉中，分级增速器32另一端与单晶炉中的传动装置啮合连接。

控制圆盘41顶面沿圆周方向分别等距凹设形成有三个导风槽413，且每个导风槽413分别位于两个第一滑动槽416之间，每个导风槽413邻近控制圆盘41中心一端端壁凹设有倾斜地引风面414，每个导风槽413另一端贯穿凹设有通风槽417，通风槽417远离控制圆盘41中心一端底部角部处凹设形成有弧形面415。

第一控制柱421远离第二滑动槽412一端端壁顶部角部处凹设形成有第一倾斜面423，第一倾斜面423底部角部处凹设形成有第二倾斜面424。

第二控制柱422邻近第一控制柱421一端端壁顶部角部处凹设形成有第三倾斜面425。

本发明还提供一种上述碳化硅单晶炉炉盖的加工工艺，所述加工工艺包括：

步骤S1：对生产单晶炉炉盖10的原材料的纯度、密度、硬度及抗高温和热应力进行检验；

步骤S2：将生产碳化硅单晶炉炉盖的原材料进行混料并倾倒进入膜具中，随后进行增压、高温烧结处理，形成单晶炉炉盖10，将单晶炉炉盖10、导风组件20、传动组件30以及控制组件40组装成形；

步骤S3：对组装成形的单晶炉炉盖10进行开孔，随后将管道与开孔进行焊接稳固；

步骤S4：对单晶炉炉盖10的外表面进行抛光处理，并加以二次精加工；

步骤S5：将精加工后的碳化硅单晶炉炉盖安装于单晶炉中进行抽真空、加注氩气进行试压，检测碳化硅单晶炉炉盖的稳固性能及密封性能，随后对检测合格的碳化硅单晶炉炉盖进行包装出厂。

例如，在一实施例中：当需要开始直拉单晶硅时，需要将碳化硅单晶炉炉盖安装于单晶炉顶部，进行抽真空、从流通槽12处通入氩气，随后对单晶炉内硅料进行化料、融硅，将随后进行引晶、放肩、转肩、等径一系列操作，且上述操作过程中通入氩气对单晶炉的温度进行均匀分布。当氩气气流经流通槽12通往中空腔体11内时，将使得导风组件20围绕扭簧打开，使得氩气气流流入，为中空腔体11及单晶炉内通入氩气，防止外界空气的进入，减少中空腔体11及单晶炉内硅与氧气和水分的接触，降低空气对单晶生长过程的干扰和污染。

例如，在一实施例中：在氩气气流流入的同时，由于分级增速器32一端与单晶炉中的传动装置啮合连接，使得在单晶炉对硅料进行引晶、放肩、转肩、等径一系列操作时，将使得分级增速器32将上述操作的转动动力进行增速、传动，并由于转动柱31底面设置有锥齿轮311，分级增速器32顶部与锥齿轮311啮合连接，使得经分级增速器32增速后的动力传动至转动柱31中，使得转动柱31转动，由于定位块411一端端壁抵持于抵持台313的端壁，使得控制圆盘41跟随转动，由于控制圆盘41跟随转动将产生离心力，使得三个第一控制柱421及三个第二控制柱422分别沿三个第一滑动槽416及三个第二滑动槽412向远离控制圆盘41中心一端移动，同时由于控制圆盘41转动，使得其中一个第一控制柱421将先击打导风组件20，使得导风组件20在第一倾斜面423引导下围绕扭簧旋转，使得导风组件20倾斜设置，使得氩气气流导向引风台111的聚风孔114中，且由于聚风孔114连通多个弧形导风槽112，使得氩气气流将随多个弧形导风槽112均分后经弧形导风槽112的导风面113均匀分散于单晶炉中，对单晶炉内温度进行均匀地扩散，使得在单晶炉内温度分布均匀，避免在单晶生长的过程中出现热点和冷点等问题。

随控制圆盘41继续转动，第二导风板22将先脱离第一控制柱421的第一倾斜面423，使得第二导风板22将围绕扭簧旋转向下移动，并抵持于第二控制柱422上的第三倾斜面425，使得部分的氩气气流将从第一导风板21与第二导风板22之间流出，其中一股氩气气流将随第二导风板22导向流向中空腔体11中心，为籽晶柱处温度进行均匀分布，另一股氩气气流将流向另一个第一控制柱421，并随控制圆盘41转动以及第一控制柱421上第二倾斜面424引导流向导风槽413及引风面414上，使得这股氩气气流将随通风槽417流向弧形面415，并在弧形面415导向下流向转动柱31，由于转动柱31上外周壁沿圆周方向等距凹设有多个径向引风槽312，使得该股氩气气流将随转动柱31转动向下传动，使得单晶炉整体能够更快地、均匀地盈充氩气，为单晶炉后续步骤持续稳定的进行输出氩气气流。随着控制圆盘41继续转动，另一个第一控制柱421将使得第二导风板22的抵持块221顶面重新抵持于第一安装槽211顶面，使得氩气气流重新导向聚风孔114。

例如，在一实施例中：当出现晶棒过长时，氩气气流流量将增大，且单晶炉中的传动装置将停止转动，使得转动柱31将停止旋转，使得控制圆盘41不再转动，控制圆盘41离心力消失，使得三个第一控制柱421及三个第二控制柱422将随弹簧回缩恢复至原本位置，由于导风组件20受氩气气流推动旋转打开使得导风组件20底面抵持于其中一个第一控制柱421侧壁的角部处，并递推控制圆盘41旋转，直至导风组件20底面将抵持于其中两个第一控制柱421侧壁中，此时由于碟簧设置于控制圆盘41底面与转动柱31外周面顶部，将使得碟簧压缩且定位块411一端端壁抵持于抵持台313的端壁，且由于此时导风组件20底面将抵持于其中两个第一控制柱421侧壁中，使得大量的氩气气流流入，迅速充满中空腔体11及单晶炉上部，使得部分的氩气气流将进入暴露出的其中一个导风槽413，并随导风槽413流向转动柱31，由于转动柱31外周壁沿圆周方向等距凹设有多个径向引风槽312，使得氩气气流随多个径向引风槽312引向单晶炉底部，并使得转动柱31轻微旋转，使得控制圆盘41跟随旋转，使得导风组件20脱离其中一个第一控制柱421，随后后方的氩气气流将重复冲击导风组件20使得导风组件20底面又重新抵持于其中两个第一控制柱421侧壁中，以此往复使得控制圆盘41轻微地进行往复旋转，加速氩气气流流往单晶炉底部，促使氩气气流流动，确保氩气气流流动更加均匀，确保过程中单晶炉内温度的均匀性，防止晶体扭曲情况的出现。

安装过程：将第一导风板21底部通过扭簧转动地安装于流通槽12的底部，将第二导风板22一侧通过扭簧转动地安装于第一安装槽211的侧壁中，且抵持块221顶面抵持于第一安装槽211顶面，将转动柱31顶部穿设通过第一转动孔转动地安装于安装凸台13中，将转动柱31顶部转动地安装于第二转动孔43中，抵持台313端壁抵持于第二转动孔43内壁，三个第一控制柱421分布滑动地安装于三个第一滑动槽416中，且每个第一控制柱421侧壁与每个第一滑动槽416邻近控制圆盘41中心一端端壁之间设置有弹簧，将三个第二控制柱422滑动地安装于三个第二滑动槽412中，且每个第二控制柱422侧壁与每个第二滑动槽412邻近控制圆盘41中心一端端壁之间设置有弹簧，将单晶炉炉盖10底面安装于单晶炉顶部，将转动柱31底部穿设进入单晶炉中，转动柱31底面设置有锥齿轮311，分级增速器32顶部与锥齿轮311啮合连接，分级增速器32一端转动地安装于单晶炉中，分级增速器32另一端与单晶炉中的传动装置啮合连接。

有益效果：1.在氩气气流流入单晶炉内时，利用传动组件30将单晶炉内的动力进行增速、传动至控制组件40内，控制组件40对导风组件20开合度及倾斜方向进行控制，使得进去单晶炉内的氩气气流能够导向引风台111及导风槽413，并随引风台111及导风槽413的引导将氩气气流均匀分散于单晶炉中，对单晶炉内温度进行均匀地扩散，使得在单晶炉内温度分布均匀，避免在单晶生长的过程中出现热点和冷点等问题。

2.进入导风槽413的氩气气流将随转动柱31旋转进入转动柱31的多个径向引风槽312内，并随转动柱31旋转向下传动，使得单晶炉整体能够更快地、均匀地盈充氩气，为单晶炉后续步骤持续稳定的进行输出氩气气流。

3.当出现晶棒过长时，由于氩气气流流量将增大，且单晶炉中的传动装置的停止转动，利用导风组件20、传动组件30与控制组件40的配合，将加速后的氩气气流均匀流往单晶炉底部，促使氩气气流流动方向，确保氩气气流流动更加均匀，确保过程中单晶炉内温度的均匀性，防止晶体扭曲情况的出现。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施方式仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (7)

1.一种碳化硅单晶炉炉盖，其特征在于：包括单晶炉炉盖（10）、导风组件（20）、传动组件（30）以及控制组件（40），单晶炉炉盖（10）底面安装于单晶炉顶部，单晶炉炉盖（10）底面凹设形成有中空腔体（11），单晶炉炉盖（10）外周壁一侧贯穿开设有流通槽（12），流通槽（12）连通中空腔体（11），中空腔体（11）内壁向中空腔体（11）中心凸设形成有安装凸台（13），安装凸台（13）水平设置且位于流通槽（12）正下方，安装凸台（13）顶面贯穿凹设有第一转动孔，导风组件（20）通过扭簧转动地安装于流通槽（12）的底部，传动组件（30）顶部穿设通过第一转动孔转动地安装于安装凸台（13）中，传动组件（30）底部穿设进入单晶炉中，且传动组件（30）底部与单晶炉的传动装置连接，控制组件（40）底面中部凹设有第二转动孔（43），传动组件（30）顶部转动地安装于第二转动孔（43）中，且传动组件（30）外周面的顶部与控制组件（40）底面之间设置有碟簧；

导风组件（20）包括第一导风板（21）以及第二导风板（22），第一导风板（21）底部通过扭簧转动地安装于流通槽（12）的底部，第一导风板（21）一侧侧壁中部凹设形成有第一安装槽（211），第一安装槽（211）两端端壁底部均凹设形成有第一抵持槽（212），第二导风板（22）一侧通过扭簧转动地安装于第一安装槽（211）的侧壁中，第二导风板（22）两端端壁底部凸设有抵持块（221），且抵持块（221）顶面抵持于第一安装槽（211）顶面；

传动组件（30）包括转动柱（31）以及分级增速器（32），转动柱（31）外周壁沿圆周方向等距凹设有多个径向引风槽（312），多个径向引风槽（312）宽度由上至下逐渐增大，转动柱（31）外周面顶部一凸设有抵持台（313）；

控制组件（40）包括控制圆盘（41）以及三个控制元件（42），第二转动孔（43）凹设形成于控制圆盘（41）底面中心，第二转动孔（43）内壁一侧向第二转动孔（43）中心凸设有定位块（411），定位块（411）一端端壁抵持于抵持台（313）的端壁，碟簧设置于控制圆盘（41）底面与转动柱（31）外周面顶部，控制圆盘（41）顶面沿圆周方向分别等距凹设形成有三个第一滑动槽（416）以及三个第二滑动槽（412），三个第一滑动槽（416）及三个第二滑动槽（412）相互临近且平行设置，每个第一滑动槽（416）长度方向与控制圆盘（41）半径方向平行，三个控制元件（42）分别安装于三个第一滑动槽（416）及三个第二滑动槽（412）中；

每个控制元件（42）包括第一控制柱（421）以及第二控制柱（422），第一控制柱（421）滑动地安装于第一滑动槽（416）中，且第一控制柱（421）侧壁与第一滑动槽（416）邻近控制圆盘（41）中心一端端壁之间设置有弹簧，第二控制柱（422）滑动地安装于第二滑动槽（412）中，且第二控制柱（422）侧壁与第二滑动槽（412）邻近控制圆盘（41）中心一端端壁之间设置有弹簧，第二控制柱（422）的高度小于第一控制柱（421）。

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶炉炉盖，其特征在于：中空腔体（11）内周壁顶部凸设有引风台（111），引风台（111）底面围绕单晶炉炉盖（10）圆周方向等距凹设有多个弧形导风槽（112），弧形导风槽（112）远离单晶炉炉盖（10）中心一端端壁凹设有倾斜地导风面（113），引风台（111）底面中心凹设形成有聚风孔（114），聚风孔（114）连通多个弧形导风槽（112），聚风孔（114）中心贯穿凹设有第三转动孔（115），第三转动孔（115）内设置有籽晶柱。

3.根据权利要求2所述的碳化硅单晶炉炉盖，其特征在于：转动柱（31）顶部穿设通过第一转动孔转动地安装于安装凸台（13）中，转动柱（31）顶部转动地安装于第二转动孔（43）中，抵持台（313）端壁抵持于第二转动孔（43）内壁，转动柱（31）底部穿设进入单晶炉中，转动柱（31）底面设置有锥齿轮（311），分级增速器（32）顶部与锥齿轮（311）啮合连接，分级增速器（32）一端转动地安装于单晶炉中，分级增速器（32）另一端与单晶炉中的传动装置啮合连接。

4.根据权利要求3所述的碳化硅单晶炉炉盖，其特征在于：控制圆盘（41）顶面沿圆周方向分别等距凹设形成有三个导风槽（413），且每个导风槽（413）分别位于两个第一滑动槽（416）之间，每个导风槽（413）邻近控制圆盘（41）中心一端端壁凹设有倾斜地引风面（414），每个导风槽（413）另一端贯穿凹设有通风槽（417），通风槽（417）远离控制圆盘（41）中心一端底部角部处凹设形成有弧形面（415）。

5.根据权利要求4所述的碳化硅单晶炉炉盖，其特征在于：第一控制柱（421）远离第二滑动槽（412）一端端壁顶部角部处凹设形成有第一倾斜面（423），第一倾斜面（423）底部角部处凹设形成有第二倾斜面（424）。

6.根据权利要求5所述的碳化硅单晶炉炉盖，其特征在于：第二控制柱（422）邻近第一控制柱（421）一端端壁顶部角部处凹设形成有第三倾斜面（425）。

7.一种根据权利要求6所述的碳化硅单晶炉炉盖的加工工艺，其特征在于，所述加工工艺包括以下步骤：

步骤S1：对生产单晶炉炉盖（10）的原材料的纯度、密度、硬度及抗高温和热应力进行检验；

步骤S2：将生产碳化硅单晶炉炉盖的原材料进行混料并倾倒进入膜具中，随后进行增压、高温烧结处理，形成单晶炉炉盖（10），将单晶炉炉盖（10）、导风组件（20）、传动组件（30）以及控制组件（40）组装成形；

步骤S3：对组装成形的单晶炉炉盖（10）进行开孔，随后将管道与开孔进行焊接稳固；

步骤S4：对单晶炉炉盖（10）的外表面进行抛光处理，并加以二次精加工；

步骤S5：将精加工后的碳化硅单晶炉炉盖安装于单晶炉中进行抽真空、加注氩气进行试压，检测碳化硅单晶炉炉盖的稳固性能及密封性能，随后对检测合格的碳化硅单晶炉炉盖进行包装出厂。