CN116437746A - 电致发光显示器 - Google Patents

Abstract

本公开内容涉及一种电致发光显示器，其具有抗氢颗粒渗透的鲁棒结构。根据本公开内容的实施方式的电致发光显示装置包括：基板，其包括显示区域和非显示区域，非显示区域围绕显示区域；设置在显示区域中的发光元件；设置在非显示区域处的栅极驱动器；与栅极驱动器交叠的狭缝图案；以及在狭缝图案中与栅极驱动器的空白空间交叠的保护图案。狭缝图案具有沟槽的形状，该沟槽形成在覆盖栅极驱动器的平坦化层处。保护图案包括与发光元件的部分以及栅极驱动器的部分相同的材料。

Description

电致发光显示器

技术领域

本公开内容涉及电致发光显示器。更具体地，本公开内容涉及一种具有抗氢颗粒渗透的鲁棒结构的电致发光显示器。

背景技术

在显示装置中，电致发光显示装置是自发光装置，并且具有的优点是视角和对比度比其他显示装置的视角和对比度更优异。此外，由于电致发光显示装置不需要单独的背光，因此有利的是电致发光显示装置能够薄且轻便，并且具有低功耗。此外，电致发光显示装置中的有机发光显示装置具有的优点是其可以以低的直流电压来驱动，具有快速的响应速度，并且具有低的制造成本。

电致发光显示装置包括多个电致发光二极管。电致发光二极管包括阳极电极、形成在阳极电极上的发光层以及形成在发光层上的阴极电极。如果向阳极电极施加高电位电压而向阴极电极施加低电位电压，则阳极电极中的空穴和阴极电极中的电子分别向发光层移动。当空穴和电子在发光层中彼此结合时，在激发过程期间形成激子，并且由于来自激子的能量而产生光。电致发光显示装置通过对由堤部隔开的多个电致发光二极管的发光层所产生的光量进行电控制来显示图像。

封装层可以被包括，以保护电致发光显示器的各种元件免受从外部侵入的氧或湿气的影响。同时，由于在制造构成封装层和绝缘层的氮化硅的过程中产生的氢颗粒的扩散，半导体器件可能随着长时间使用而劣化。电致发光显示器需要能够防止湿气从外部渗透并且阻挡可能在元件内部扩散的氢颗粒的结构。

发明内容

本公开内容的一个目的是提供一种包括用于防止异物从外部环境侵入的绝缘层的电致发光显示器。本公开内容的另一个目的是提供一种具有以下结构的电致发光显示器：该结构防止氢颗粒扩散到绝缘层内部从而对用于形成内部绝缘层的半导体器件产生不利影响。

为实现上述目的之一，根据本公开内容的实施方式的电致发光显示装置包括：基板，其包括显示区域和非显示区域，非显示区域围绕显示区域；设置在显示区域中的发光元件；设置在非显示区域处的栅极驱动器；与栅极驱动器交叠的狭缝图案；以及在狭缝图案中与栅极驱动器的空白空间交叠的保护图案。狭缝图案具有沟槽的形状，该沟槽形成在覆盖栅极驱动器的平坦化层处。保护图案包括与发光元件的部分以及栅极驱动器的部分相同的材料。

在一个示例中，栅极驱动器包括多个薄膜晶体管。狭缝图案与薄膜晶体管交叠，并且与不存在薄膜晶体管的空白空间交叠。保护图案和与空白空间交叠的狭缝图案交叠。

在一个示例中，发光元件包括：设置在平坦化层上的像素驱动电极；堤部，其在像素驱动电极的中间部分限定发射区域；像素驱动电极上的发射层；以及发射层上的公共电极。保护图案覆盖狭缝图案，被设置在覆盖栅极驱动器的钝化层上，并且包括与像素驱动电极相同的材料。堤部包括暴露保护图案的中心部分的接触孔。公共电极从显示区域延伸至非显示区域，以通过接触孔与保护图案接触。

在一个示例中，保护图案包括：第一层，其包括与栅极驱动器的元件相同的材料；以及第二层，其在第一层上，包括与像素驱动电极相同的材料。第二层接触第一层。

在一个示例中，第一层包括钼、钛和钼-钛合金中的至少一种。

在一个示例中，第一层设置在覆盖基板的栅极绝缘层上，并且包括与栅极驱动器的栅电极相同的材料。第二层通过覆盖第一层的钝化层和中间绝缘层而接触第一层。

在一个示例中，第一层设置在覆盖基板的中间绝缘层上，并且包括与栅极驱动器的源电极相同的材料。第二层通过覆盖第一层的钝化层而接触第一层。

在一个示例中，保护图案包括：第一层，其包括与栅极驱动器的栅电极相同的材料；第二层，其在第一层上，包括与栅极驱动器的源电极相同的材料；以及第三层，其在第二层上，包括与像素驱动电极相同的材料。第二层和第三层接触第一层。

在一个示例中，第二层接触第一层的中心部分，并且暴露第一层的周边部分。第三层接触第一层和第二层的暴露的周边部分。

在一个示例中，第一层和第二层具有相同的形状。第一层的一部分从第二层的周边暴露。第三层接触第二层、以及第一层从第二层暴露的暴露部分。

在一个示例中，第一层和第二层包括钼、钛和钼-钛合金中的至少一种。

在一个示例中，第一层包括：形成在栅极绝缘层上的第一金属层；以及形成在第一金属层上第二金属层。第一金属层从第二层和第二金属层的周边暴露。第三层接触第二层、以及第一金属层从第二层和第二金属层暴露的暴露部分。

在一个示例中，第一金属层包括钼、钛和钼-钛合金中的至少一种。第二金属层包括铝和铜中的至少一种。

在一个示例中，电致发光显示器还包括：堰部，其设置在非显示区域中栅极驱动器的外部，并且围绕显示区域；以及在公共电极上的封装层。

在一个示例中，封装层包括：第一无机封装层，其覆盖显示区域和非显示区域、堰部的内壁表面、堰部的上表面以及堰部的外壁表面；有机封装层，其设置在第一无机封装层上，并且与堰部的内壁表面的一部分接触；以及第二无机封装层，其设置在有机封装层上，并且在堰部的上表面和堰部的外壁表面处接触第一无机封装层。

在一个示例中，一种电致发光显示器包括：基板，其包括显示区域和非显示区域，非显示区域围绕显示区域；设置在非显示区域中的栅极驱动器和狭缝图案，其中，栅极驱动器包括多个薄膜晶体管，狭缝图案设置在薄膜晶体管上方以及不存在薄膜晶体管的空白空间上方；以及保护图案，其覆盖位于空白空间上方的狭缝图案，并且包括钼、钛和钼-钛合金中的至少一种。

根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置可以包括被设置用于保护和绝缘内部元件的各种绝缘层。这些绝缘层可以由诸如氮化硅的氮化物材料形成以确保保护。然而，在氮化物层的情况下，氢颗粒在制造过程期间可能会被发射和扩散，并且氢颗粒的扩散可能会使氧化物半导体材料的性能劣化。在本公开内容中，通过使用由钼和/或钛形成的图案化的层来捕获和抑制扩散性氢颗粒，可以获得保护氧化物半导体材料的特性的效果。特别地，在显示面板的边缘区域狭窄地形成的窄边框结构中，边框区域的宽度可能无法确保异物从外部渗透的足够长的路径，因此可以应用氮化物绝缘层和保护层。在本公开内容中，氧化物半导体元件可以通过应用用于捕获氢颗粒和抑制穿过氮化物绝缘层和保护层的扩散的结构元件来保护。

除了以上提及的本公开内容的效果之外，本领域技术人员将从本公开内容的以下描述中清楚地理解本公开内容的其他目的和特征。

附图说明

附图被包括以提供对本公开内容的进一步理解，并且被并入本申请中并构成本申请的一部分，附图示出了本公开内容的实施方式，并且与说明书一起用于解释本公开内容的原理。在附图中：

图1是示出根据本公开内容的电致发光显示器的结构的平面图。

图2是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的电致发光显示器的结构。

图3是放大的平面图，示出了图1的圆形“V”部分中的栅极驱动器的结构。

图4是沿着图1中的切割线II-II'的形成保护图案的部分的放大截面图，示出了根据本公开内容的电致发光显示器的结构。

图5是沿着图3中的切割线III-III'的截面图，示出了根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示器的结构。

图6是沿着图3中的切割线III-III'的截面图，示出了根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示器的结构。

图7是沿着图3中的切割线III-III'的截面图，示出了根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示器的结构。

图8是沿着图3中的切割线III-III'的截面图，示出了根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示器的结构。

图9是沿着图3中的切割线III-III'的截面图，示出了根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示器的结构。

图10是沿着图3中的切割线III-III'的截面图，示出了根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示器的结构。

具体实施方式

将通过参照附图描述的以下实施方式来阐明本公开内容的优点和特征及其实现方法。然而，本公开内容可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开内容是透彻和完整的，并向本领域技术人员充分传达本公开内容的范围。此外，本公开内容仅由权利要求的范围限定。

在附图中公开的用于描述本公开内容的实施方式的形状、尺寸、比率、角度和数量仅是示例，因此，本公开内容不限于所示出的细节。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。在以下描述中，当确定对相关已知功能或配置的详细描述不必要地使本公开内容的要点模糊时，将省略该详细描述。

在使用本公开内容中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，可以添加其他部分，除非使用“仅”。单数形式的术语可以包括复数形式，除非相反地指出。

在解释元件时，尽管没有明确的描述，但是该元件被解释为包括误差范围。

在描述位置关系时，例如，当将位置关系描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“邻近……”时，可以在两个部分之间布置一个或更多个部分，除非使用“恰好”或“直接”。

在描述时间关系时，例如，当将时间顺序描述为“在……之后”、“随后”、“接下来”和“在……之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用“恰好”或“直接”。

将理解，尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以用于描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不脱离本公开内容的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

术语“至少一个”应被理解为包括相关联所列项中的一个或更多个的任何和所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义表示从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个提出的所有项的组合以及第一项、第二项或第三项。

如本领域技术人员可以充分理解的，本公开内容的各个实施方式的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合，并且可以以多种方式彼此互操作以及在技术上被驱动。本公开内容的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的电致发光显示装置的示例。在所有附图中，将尽可能使用相同的附图标记指代相同或相似的部分。

图1是示出根据本公开内容的电致发光显示器的结构的平面图。参照图1，根据本公开内容的电致发光显示装置可以包括基板SUB、像素P、公共电力线CPL、栅极驱动电路200、堰部DM和驱动集成电路300。

基板SUB是基础基板(或基础层)，并且包括塑料材料或玻璃材料。鉴于显示装置的特性，优选的是，基板SUB是透明的。根据一个示例的基板SUB可以在平面上具有矩形形状、圆角矩形形状或非矩形形状，其中，圆角矩形形状的每一个角部分被以一定曲率半径倒圆，非矩形形状具有至少六个侧面。在这种情况下，具有非矩形形状的基板SUB可以包括至少一个突出部或至少一个凹口部分。

根据一个示例的基板SUB可以划分为显示区域AA和非显示区域IA。显示区域AA设置在基板SUB的大部分中心部分处，并且可以被定义为用于显示图像的区域。根据一个示例的显示区域AA可以在平面上具有矩形形状、每一个角部分被以一定曲率半径倒圆的圆角矩形形状、或具有至少六个侧面的非矩形形状。在这种情况下，具有非矩形形状的显示区域AA可以包括至少一个突出部或至少一个凹口部分。

非显示区域IA设置在基板SUB的边缘区域上以围绕显示区域AA，并且可以被定义为不显示图像的区域或外围区域。根据一个示例的非显示区域IA可以包括设置在基板SUB的第一边缘上的第一非显示区域IA1、与第一非显示区域IA1平行地设置在基板SUB的第二边缘上的第二非显示区域IA2、设置在基板SUB的第三边缘上的第三非显示区域IA3、以及与第三非显示区域IA3平行地设置在基板SUB的第四边缘上的第四非显示区域IA4。例如，第一非显示区域IA1可以是但不限于基板SUB的上(或下)边缘区域，第二非显示区域IA2可以是但不限于基板SUB的下(或上)边缘区域，第三非显示区域IA3可以是但不限于基板SUB的左(或右)边缘区域，以及第四非显示区域IA4可以是但不限于基板SUB的右(或左)边缘区域。

可以在基板SUB的显示区域AA上设置多个像素P。根据一个示例的像素P可以是以矩阵布置来布置的多个像素，并且可以布置在基板SUB的显示区域AA中。像素P可以由扫描线SL、数据线DL和像素驱动电力线PL限定。

扫描线SL沿着第一方向X延伸，并且沿着与第一方向X交叉的第二方向Y以一定间隔布置。基板SUB的显示区域AA包括多条扫描线SL，该多条扫描线SL沿着第二方向Y彼此间隔开，并且与第一方向X平行地延伸。在这种情况下，第一方向X可以被定义为基板SUB的水平方向，第二方向Y可以被定义为基板SUB的竖直方向，反之亦然，并不限制于这种情况。

数据线DL沿着第二方向Y延伸，并且沿着第一方向X以一定间隔布置。基板SUB的显示区域AA包括多条数据线DL，该多条数据线DL沿着第一方向X彼此间隔开，并且与第二方向Y平行地延伸。

像素驱动电力线PL可以布置在基板SUB上以与数据线DL平行。基板SUB的显示区域AA包括与数据线DL平行的多条像素驱动电力线PL。可选地，像素驱动电力线PL可以布置成与扫描线SL平行。

根据一个示例的像素P可以布置在显示区域AA上以具有条纹结构。在这种情况下，一个单位像素可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。此外，一个单位像素还可以包括白色子像素。

根据另一示例的像素P可以布置在显示区域AA上以具有pentile结构。在这种情况下，一个单位像素可以包括在二维上以多边形形状布置的至少一个红色子像素、至少两个绿色子像素和至少一个蓝色像素。例如，具有pentile结构的一个单位像素可以被布置成使得一个红色子像素、两个绿色子像素和一个蓝色子像素在二维上具有八边形形状。在这种情况下，蓝色子像素可以具有相对最大的开口面积(或发光面积)，而绿色子像素可以具有相对最小的开口面积。

像素P可以包括像素电路PC以及与像素电路PC电连接的发光二极管ED，该像素电路PC与其邻近的扫描线SL、数据线DL和驱动电力线PL电连接。

像素电路PC响应于从与其相邻的至少一条扫描线SL供应的扫描信号，基于从其相邻的数据线DL供应的数据电压，控制从像素驱动电力线PL流向发光二极管ED的电流Ied。

根据一个示例的像素电路PC可以包括至少两个薄膜晶体管和一个电容器。例如，根据一个示例的像素电路PC可以包括向发光二极管ED供应基于数据电压的数据电流Ied的驱动薄膜晶体管、向驱动薄膜晶体管供应从数据线DL供应的数据电压的开关薄膜晶体管、以及存储驱动薄膜晶体管的栅极-源极电压的电容器。

根据另一示例的像素电路PC可以包括至少三个薄膜晶体管和至少一个电容器。例如，根据至少三个薄膜晶体管中的每一个的操作(或功能)，根据另一示例的像素电路PC可以包括电流供应电路、数据供应电路和补偿电路。在这种情况下，电流供应电路可以包括向发光二极管ED供应基于数据电压的数据电流Ied的驱动薄膜晶体管。数据供应电路可以包括至少一个开关薄膜晶体管，至少一个开关薄膜晶体管响应于至少一个扫描信号而向电流供应电路供应从数据线DL供应的数据电压。补偿电路可以包括至少一个补偿薄膜晶体管，该至少一个补偿薄膜晶体管响应于至少一个扫描信号而补偿驱动薄膜晶体管的特性值(阈值电压和/或迁移率)的变化。

发光二极管ED发射与从像素电路PC供应的数据电流Ied相对应的亮度的光。在这种情况下，数据电流Ied可以通过驱动薄膜晶体管和发光二极管ED从驱动电力线PL流向公共电力线CPL。

根据一个示例的发光二极管ED可以包括与像素电路PC电连接的像素驱动电极(未示出)(或第一电极或阳极)、形成在像素驱动电极上的发光层(未示出)、以及与发光层电连接的公共电极CE(或第二电极或阴极)。

公共电力线CPL布置在基板SUB的非显示区域IA上，并且与布置在显示区域AA上的公共电极CE电连接。根据一个示例的公共电力线CPL在具有一定线宽的同时沿着与基板SUB的显示区域AA相邻的第二至第四非显示区域IA2、IA3和IA4布置，并且围绕除了以下部分之外的其他部分：与基板SUB的第一非显示区域IA1相邻的显示区域AA的部分。公共电力线CPL的一端可以布置在第一非显示区域IA1的一侧上，公共电力线CPL的另一端可以布置在第一非显示区域IA1的另一侧上。因此，根据一个示例的公共电力线CPL可以在二维上具有“∩”形，与基板SUB的第一非显示区域IA1相对应的“∩”形的一侧是敞开的。

可以在基板SUB上形成封装层，以围绕显示区域AA的上表面和侧面以及公共电力线CPL。同时，封装层可以在第一非显示区域IA1中暴露公共电力线CPL的一端和另一端。封装层可以防止氧或水渗透到显示区域AA中所设置的发光二极管ED中。根据一个示例的封装层可以包括至少一个无机膜。根据另一示例的封装层可以包括多个无机膜以及在多个无机膜之间置入的有机膜。

根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置可以包括焊盘部分PP、栅极驱动电路200和驱动集成电路300。

焊盘部分PP可以包括设置在基板SUB的非显示区域IA中的多个焊盘。根据一个示例的焊盘部分可以包括设置在基板SUB的第一非显示区域IA1中的多个公共电源焊盘、多个数据输入焊盘、多个电源焊盘和多个控制信号输入焊盘。

栅极驱动电路200设置在基板SUB的第三非显示区域IA3和/或第四非显示区域IA4中，并且与设置在显示区域AA中的扫描线SL以一对一关系连接。利用像素P的制造工艺(即，薄膜晶体管的制造工艺)，栅极驱动电路200可以与基板SUB的第三非显示区域IA3和/或第四非显示区域IA4集成在一起。栅极驱动电路200基于从驱动集成电路300供应的栅极控制信号产生扫描信号，并且根据给定顺序输出扫描信号，从而根据给定顺序驱动多条扫描线SL中的每一条。根据一个示例的栅极驱动电路200可以包括移位寄存器。

堰部DM可以具有闭合曲线结构，其中，堰部DM设置在基板SUB的第一非显示区域IA1、第二非显示区域IA2、第三非显示区域IA3和第四非显示区域IA4中，以围绕显示区域AA的外围。例如，堰部DM可以布置在公共电力线CPL外部，并且因此位于基板SUB上方的最外部。优选地，焊盘部分PP和驱动集成电路300布置在堰部DM的外部区域中。

尽管图1示出了堰部DM被布置在最外部，但是堰部DM不限于图1的示例。作为另一示例，堰部DM可以布置在公共电力线CPL与栅极驱动电路200之间。作为另一示例，堰部DM可以布置在显示区域AA与栅极驱动电路200之间。

通过芯片封装(接合)工艺，驱动集成电路300被封装在基板SUB的第一非显示区域IA1中所限定的芯片封装区域中。驱动集成电路300的输入端子与焊盘部分PP电连接，并且因此与设置在显示区域AA中的多条数据线DL和多条像素驱动电力线PL电连接。驱动集成电路300接收通过焊盘部分PP从显示驱动电路部分(或主机电路)输入的各种电源、定时同步信号和数字图像数据，通过根据定时同步信号产生栅极控制信号来控制栅极驱动电路200的驱动，并且同时将数字图像数据转换为模拟型像素数据电压，以将转换后的数据电压供应给相应的数据线DL。

将参照图2描述示出结构特征的截面图。图2是沿着图1中的切割线I-I'的截面图，示出了根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示器的结构。

根据本公开内容的电致发光显示装置可以包括基板SUB、像素阵列层120、间隔物SP和封装层130。

基板SUB是基础层，并且包括塑料材料或玻璃材料。根据一个示例的基板SUB可以具有不透明或彩色的聚酰亚胺材料。基板SUB可以包括显示区域AA和非显示区域IA。非显示区域IA可以围绕显示区域AA。

可以在基板SUB的上表面上形成缓冲膜(未示出)。缓冲膜形成在基板SUB的一个表面上，以防止水通过易受水渗透的基板SUB而渗透到像素阵列层120中。可以省略缓冲层。

像素阵列层120可以包括薄膜晶体管层、平坦化层PLN、堤部图案BN和发光二极管ED。薄膜晶体管层可以具有多个薄膜晶体管，该多个薄膜晶体管形成在显示区域AA中所限定的多个像素P处，以及在基板SUB的第四非显示区域IA4处所设置的栅极驱动器200处。

根据一个示例的驱动层200可以包括薄膜晶体管T、栅极绝缘膜GI、中间绝缘层ILD和钝化层PAS。在这种情况下，图2中示出的薄膜晶体管T可以是与发光二极管ED电连接的驱动薄膜晶体管。

薄膜晶体管T包括形成在基板SUB或缓冲膜上的半导体层A、栅电极G、源电极S和漏电极D。图2示出但不限于薄膜晶体管T的顶栅结构，其中栅电极G布置在半导体层A上方。对于另一示例，薄膜晶体管T可以具有栅电极G布置在半导体层A下方的底栅结构，或者栅电极G布置在半导体层A上方和下方的双栅结构。

半导体层A可以形成在基板SUB或缓冲膜上。半导体层A可以包括硅基半导体材料、氧化物基半导体材料或有机基半导体材料，并且可以具有单层结构或多层结构。可以在缓冲膜与半导体层A之间另外形成用于屏蔽外部光进入半导体层A的遮光层。

可以在整个基板SUB上形成栅极绝缘膜GI以覆盖半导体层A。栅极绝缘膜GI可以由无机膜形成，例如硅氧化物(SiOx)膜、硅氮化物(SiNx)膜、或SiOx和SiNx的多层膜。

可以在栅极绝缘膜GI上形成栅电极G以与半导体层A交叠。栅电极G可以与扫描线SL一起形成。根据一个示例的栅电极G可以由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任一种或它们的合金的单层或多层形成。

可以在整个基板SUB上形成中间绝缘层ILD以覆盖栅电极G和栅极绝缘膜GI。中间绝缘层ILD在栅电极G和栅极绝缘膜GI上提供平坦化平面。

可以在中间绝缘层ILD上形成源电极S和漏电极D以与半导体层A交叠。栅电极G置于源电极S与漏电极D之间。源电极S和漏电极D可以与数据线DL、驱动电力线PL和公共电力线CPL一起形成。例如，通过同时对源-漏电极材料进行图案化工艺来分别形成源电极S、漏电极D、数据线DL、驱动电力线PL和公共电力线CPL。

源电极S和漏电极D中的每一个可以通过电极接触孔而连接至半导体层A，该电极接触孔穿过中间绝缘层ILD和栅极绝缘膜GI。源电极S和漏电极D可以由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任一种或它们的合金的单层或多层形成。在这种情况下，图2中示出的薄膜晶体管T的源电极S可以与图1中示出的像素驱动电力线PL电连接。

如上所述，设置在基板SUB的像素P中的薄膜晶体管T构成像素电路PC。此外，布置在基板SUB的第四非显示区域IA4中的栅极驱动电路200可以包括与设置在像素P中的薄膜晶体管T相同或相似的薄膜晶体管。

在基板SUB上沉积钝化层PAS以保护薄膜晶体管T。钝化层PAS被堆叠为覆盖在显示区域AA和栅极驱动器200处所形成的所有薄膜晶体管T。

在整个基板SUB上形成平坦化层PLN以覆盖薄膜晶体管层。平坦化层PLN在薄膜晶体管层上提供平坦化表面。根据一个示例的平坦化层PLN可以由有机膜形成，包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂。

根据另一示例的平坦化层PLN可以包括像素接触孔PH，该像素接触孔PH用于暴露设置在像素P中的驱动薄膜晶体管的漏电极D。

在平坦化层PLN上布置堤部BN，并且堤部BN限定在显示区域AA的像素P内部的开口区域(或发光区域)。堤部BN可以表示为像素限定膜。

发光二极管ED可以包括像素驱动电极AE、发光层EL和公共电极CE。像素驱动电极AE形成在平坦化层PLN上，并且通过设置在平坦化层PLN中的像素接触孔PH而电连接至驱动薄膜晶体管的漏电极D。在这种情况下，除了与像素P的开口区域交叠的像素驱动电极AE的中心部分之外的其他边缘部分可以被堤部BN覆盖。堤部BN可以通过覆盖像素驱动电极AE的边缘部分来限定像素P的开口区域。

根据一个示例的像素驱动电极AE可以包括高反射率的金属材料。例如，像素驱动电极AE可以由诸如铝(Al)和钛(Ti)的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、APC(Ag/Pd/Cu)合金、以及APC合金和ITO的沉积结构(ITO/APC/ITO)的多层结构来形成，或者可以包括由选自Ag、Al、Mo、Au、Mg、Ca和Ba中的任一种材料或者两种或更多种的合金材料制成的单层结构。

在基板SUB的显示区域AA上完全地形成发光层EL以覆盖像素驱动电极AE和堤部图案BN。根据一个示例的发光层EL可以包括被竖直沉积以发射白光的两个或更多个发光部分。例如，根据一个示例的发光层EL可以包括通过第一光和第二光的组合来发射白光的第一发光部分和第二发光部分。在此，对于产生第一光，第一发光部分可以包括蓝色发光部分、绿色发光部分、红色发光部分、黄色发光部分和黄绿色发光部分中的任一个。对于产生与第一光具有互补色的第二光，第二发光部分可以包括蓝色发光部分、绿色发光部分、红色发光部分、黄色发光部分和黄绿色发光部分中的任一个。

根据另一示例的发光层EL可以包括蓝色发光部分、绿色发光部分和红色发光部分中的任一个，以发射与像素P中设置的颜色相对应的颜色光。例如，发光层EL可以包括有机发光层、无机发光层和量子点发光层中的任一个，或者可以包括有机发光层(或无机发光层)和量子点发光层的沉积结构或组合结构。

另外，根据一个示例的发光二极管ED还可以包括用于改善发光层EL的光发射效率和/或寿命的功能层。

公共电极CE形成为与发光层EL电连接。公共电极CE形成在基板SUB的整个显示区域AA上，并且因此与设置在每个像素P中的发光层EL共同连接。此外，公共电极CE可以通过显示区域AA延伸至非显示区域IA。

根据一个示例的公共电极CE可以包括可以透射光的透明导电材料或半透射导电材料。当公共电极CE由半透射导电材料形成时，可以通过微腔结构来增强从发光二极管ED发射的光的光发射效率。根据一个示例的半透射导电材料可以包括Mg、Ag或Mg和Ag的合金。另外，还可以在公共电极CE上形成盖层，该盖层用于通过控制从发光二极管ED发射的光的折射率来改善光的发射效率。

间隔物SP可以被布置成分布在显示区域AA内部的开口区域中，即，没有布置发光二极管ED的区域中。间隔物SP意图在沉积发光层EL的过程期间使屏幕掩模和基板彼此不接触。间隔物SP布置在堤部图案BN上，并且可以被沉积为允许发光层EL和公共电极CE跨越/覆盖在显示区域AA内布置的间隔物SP。

视情况而定，发光层EL和/或公共电极CE可能不会跨越间隔物SP。由于间隔物SP仅布置在显示区域AA内部的堤部图案BN的一部分中，因此即使公共电极CE不跨越间隔物SP，公共电极CE也具有与显示区域AA连接同时完全覆盖显示区域AA的结构。

封装层130形成为围绕像素阵列层120的上表面和侧面。封装层130用于防止氧或水渗透到发光二极管ED中。

根据一个示例的封装层130可以包括第一无机封装层PAS1、在第一无机封装层PAS1上的有机封装层PCL、以及在有机封装层PCL上的第二无机封装层PAS2。第一无机封装层PAS1和第二无机封装层PAS2用于防止水或氧渗透到发光二极管ED中。第一无机封装层PAS1和第二无机封装层PAS2中的每一个可以由诸如硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物或钛氧化物的无机材料形成。第一无机封装层PAS1和第二无机封装层PAS2可以通过化学气相沉积(CVD)工艺或原子层沉积(ALD)工艺形成。

有机封装层PCL被第一无机封装层PAS1和第二无机封装层PAS2围绕。有机封装层PCL可以形成为比第一无机封装层PAS1和/或第二无机封装层PAS2相对更厚，以吸附和/或屏蔽在制造过程期间可能出现的颗粒。有机封装层PCL可以由诸如SiOCx(硅氧碳)丙烯酸或环氧树脂的有机材料制成。有机封装层PCL可以通过涂覆工艺(例如喷墨涂覆工艺或狭缝涂覆工艺)形成。

根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示装置还可以包括堰部(或堰部结构)DM。堰部DM被布置在基板SUB的非显示区域IA中，以防止有机封装层PCL溢出。

根据一个示例的堰部DM可以布置在以下的外面：显示区域AA、布置在显示区域AA外部的栅极驱动电路200、以及布置在栅极驱动电路200外部的公共电力线CPL。视情况而定，堰部DM可以被布置成与公共电力线CPL的外侧交叠。在这种情况下，可以减小布置有栅极驱动电路200和公共电力线CPL的非显示区域IA的宽度，以减小边框宽度。

根据本公开内容的堰部DM包括垂直于基板SUB形成的三层结构。例如，堰部DM可以包括由平坦化层PLN制成的第一层、由堤部BN制成的第二层以及由间隔物SP制成的第三层。

整个堰部DM可以被第一无机封装层PAS1和/或第二无机封装层PAS2覆盖。有机封装层PCL可以接触堰部DM的内侧表面的一些部分。例如，有机封装层PCL的侧边缘从底部到上表面的高度可以高于堰部DM的第一层的高度并且低于堰部DM的第二层的高度。为了通过堰部DM限制有机封装层PCL的范围，还可以通过对堤部BN和平坦化层PLN进行图案化来形成沟槽TR。沟槽TR是用于限制有机封装层PCL的元件，使得有机封装层PCL不会溢出到堰部DM的外部，并且被限制在堰部DM的内部。

有机封装层PCL的侧边缘从底部到上表面的高度可以设置为低于堰部DM的整个高度。因此，第一无机封装层PAS1和第二无机封装层PAS2在堰部DM的上表面和堰部DM的外侧表面彼此表面接触。

利用这种结构，可以通过使边缘部分的宽度(或面积)最小化来实现以下电致发光显示器：该电致发光显示器具有窄边框结构，并且显示区域AA与显示面板的总面积的面积比增加。窄边框显示器的优点是显示区域AA所占比例高，从而增加了用户的沉浸感。

由于没有栅极驱动器200的第二非显示区域IA2除了公共电力线CPL之外没有其他元件，因此在减小第二非显示区域IA2的面积方面没有严格限制。同时，第一非显示区域IA1可以是对窄边框结构没有贡献的区域，因为第一非显示区域IA1可以具有驱动集成电路300并且设置在显示面板的下侧。因此，为了实现窄边框结构，重要的是减小其上设置有栅极驱动器200的两侧的面积，即第三非显示区域IA3和第四非显示区域IA4。

然而，因为设置了栅极驱动器200，所以减小第三非显示区域IA3和第四非显示区域IA4的面积受到显著限制。由于栅极驱动器200的多层结构，在台阶部分中可能会高度出现裂缝。为了减少裂缝的出现，可以应用有机材料层。在这种情况下，湿气可能从外部通过有机材料层渗透。为了防止湿气渗透，优选使用氮化物绝缘层。然而，从氮化物层发出的氢颗粒扩散到设置有有机发射层的显示区域AA中的可能性非常高。随着第三非显示区域IA3和第四非显示区域IA4的面积减小，这些现象可能更频繁地发生。

因此，为了解决这些问题，如图3所示，根据本公开内容的电致发光显示器可以包括设置在设置有栅极驱动器200的一些区域中的狭缝图案220。图3是放大的平面图，示出了图1的圆形“V”部分中的栅极驱动器的结构。

狭缝图案220可以设置在设置有栅极驱动器200的区域的中间部分。栅极驱动器200可以包括用于将扫描信号供应给扫描线SL的各种薄膜晶体管。钝化层PAS和平坦化层PLN沉积在这些薄膜晶体管上。在窄边框结构中，栅极驱动器200与堰部DM的边缘之间以及基板SUB的边缘与堰部DM之间的间隙或距离非常窄。湿气从基板SUB的边缘渗透并扩散到显示区域AA中的可能性非常高。

为了防止这个问题，根据本公开内容的电致发光显示器通过部分地去除覆盖栅极驱动器200的钝化层PAS和平坦化层PLN而包括狭缝图案220。狭缝图案220用于阻挡或中断如下路径：从堰部DM外部渗透的湿气通过该路径向显示区域AA传播，如图3中箭头所示。

尽管狭缝图案220防止湿气传播，但它可能是弱点，氢颗粒可能在由于去除钝化层PAS和平坦化层PLN而引起的台阶部分中渗透和扩散。参照图3，图3是形成有栅极驱动器200的部分的放大图，尽管用于栅极驱动器200的薄膜晶体管密集地形成，但它们之间的空白空间占据了薄膜晶体管之间的很大面积。薄膜晶体管包括源-漏电极，并且源-漏电极由钼(Mo)和/或钛(Ti)制成。因此，即使氢颗粒渗透，钼(Mo)和/或钛(Ti)也会捕获氢颗粒，并且可以抑制氢颗粒的扩散。

然而，在没有设置薄膜晶体管而设置有狭缝图案220的空白空间区域中，氢颗粒容易渗透和扩散。此外，没有可以阻止氢颗粒扩散的元素。因此，本公开内容提供了一种从狭缝图案220渗透的氢颗粒可以被吸收的结构。例如，如图4所示，可以通过在没有薄膜晶体管但形成有狭缝图案220的空白空间中形成保护图案PAT来吸收从狭缝图案220渗透的氢颗粒。图4是沿着图1中的切割线II-II'的形成保护图案的部分的放大截面图，示出了根据本公开内容的电致发光显示器的结构。

参照图4，根据本公开内容的电致发光显示器包括在形成有栅极驱动器200的非显示区域中的狭缝图案220。狭缝图案220可以设置在薄膜晶体管上方、以及不存在薄膜晶体管的空白空间上方。在没有薄膜晶体管的空白空间处，在形成狭缝图案220之后，保护图案PAT由与像素驱动电极AE相同的材料形成，并且与像素驱动电极AE形成在相同的层。公共电极CE可以从显示区域AA延伸并连接至保护图案PAT。保护图案PAT可以具有岛状，其不与围绕保护图案PAT设置的栅极驱动器200的元件交叠和接触。保护图案PAT由导电材料制成，因此可能会引起静电并损坏栅极驱动器200。因此，优选的是，保护图案PAT连接至公共电极CE以释放可能集中在保护图案PAT中的静电。

在下文中，将参照各种附图来描述根据本公开内容的保护图案的几个实施方式。下面的附图和描述示出并解释了在示出栅极驱动器200的图3中没有薄膜晶体管的区域中形成的保护图案PAT的结构。

<第一实施方式>

首先，参照图5，将描述本公开内容的第一实施方式。图5是沿着图3中的切割线III-III'的截面图，示出了根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示器的结构。

参照图5，平坦化层PLN沉积在覆盖薄膜晶体管的钝化层PAS上。通过对平坦化层PLN的一些部分进行图案化，形成狭缝图案220。由于图5示出了没有设置薄膜晶体管的位置，因此在钝化层PAS下方未示出薄膜晶体管。然而，在其他部分，薄膜晶体管可以设置在钝化层PAS下方。

保护图案PAT由与像素驱动电极AE相同的材料形成，并与像素驱动电极AE形成在相同的水平，以覆盖在平坦化层PLN处形成的狭缝图案220。优选的是，保护图案PAT具有比狭缝图案220宽的宽度，以完全覆盖平坦化层PLN的蚀刻侧壁以及钝化层PAS从平坦化层PLN暴露的表面。

堤部BN形成在保护图案PAT上。堤部BN可以形成为连续沉积以完全覆盖保护图案PAT和狭缝图案220。然而，当保护图案PAT被堤部BN完全覆盖时，电容(通过静电)可以集中在保护图案PAT。由于电容可能损坏平坦化层PLN或堤部BN，因此优选的是通过公共电极CE释放静电。

因此，堤部BN具有用于暴露保护图案PAT的一些部分的接触孔CH。特别地，接触孔CH可以具有比狭缝图案220窄的宽度，并且可以设置在狭缝图案220内。由于堤部BN由有机材料制成，所有台阶差实现为形成狭缝图案220和保护图案PAT。从显示区域AA延伸的公共电极CE可以设置在堤部BN上。公共电极CE通过接触孔CH连接至保护图案PAT。

第一无机封装层PASl沉积在公共电极CE上。尽管图中未示出，但有机封装层PCL和第二无机封装层PAS2沉积在第一无机封装层PAS1上。对于栅极驱动器200设置在堰部DM外部的示例，第一无机封装层PAS1和第二无机封装层PAS2可以沉积在公共电极CE上。对于栅极驱动器200设置在堰部DM内部的另一示例，第一无机封装层PAS1、有机封装层PCL和第二无机封装层PAS2依次沉积在公共电极CE上。

通过形成在平坦化层PLN处的狭缝图案220，可以阻挡渗入平坦化层PLN与堤部BN之间的界面的湿气。此外，即使在图案化的平坦化层PLN和钝化层PAS相遇的台阶部分处在钝化层PAS处形成裂缝、并且钝化层PAS中所含的氢扩散时，完全覆盖狭缝图案220的保护图案PAT可以捕获氢颗粒或抑制氢颗粒的传播速度。

<第二实施方式>

在下文中，参照图6，将描述本公开内容的第二实施方式。图6是沿着图3中的切割线III-III'的截面图，示出了根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示器的结构。图6所示的结构与图5的结构非常相似。主要区别在于在第一实施方式中保护图案PAT由与像素驱动电极AE相同的材料制成，但第二实施方式的保护图案PAT还包括由与第二实施方式中的薄膜晶体管相同的材料形成的元件。

例如，如图4所示，薄膜晶体管T形成在基板SUB上。参照图6，保护图案PAT还可以包括由与薄膜晶体管的栅电极相同的材料制成的元件。

栅极绝缘层GI沉积在基板SUB上。半导体层可以形成在栅极绝缘层GI下方。由于狭缝图案220形成在没有薄膜晶体管的地方，因此在狭缝图案220处的栅极绝缘层GI下方没有半导体层。栅电极G形成在栅极绝缘层GI上。在第二实施方式中，保护图案PAT的第一层通过将与栅电极G相同的材料图案化为与狭缝图案220交叠而形成。

在图6中，栅极绝缘层GI沉积在整个基板SUB上方，并且栅电极G形成在栅极绝缘层GI上。然而，不限于此。栅极绝缘层GI可以形成为具有与栅电极G相同的形状。

中间绝缘层ILD和钝化层PAS依次沉积在栅电极G上。通过对中间绝缘层ILD和钝化层PAS进行图案化，由与栅电极G相同的材料制成的保护图案PAT的第一层的大部分中间部分被暴露。

平坦化层PLN沉积在暴露保护图案PAT的第一层的钝化层PAS上。通过去除平坦化层PLN的一些部分，形成狭缝图案220。优选的是，狭缝图案220形成为暴露以下部分：从钝化层PAS和中间绝缘层ILD暴露的、保护图案PAT的第一层的所有暴露部分。

保护图案PAT的第二层形成在与像素驱动电极AE相同的层，并且由与像素驱动电极AE相同的材料形成，以覆盖形成在平坦化层PLN处的狭缝图案220。优选的是，保护图案PAT的第二层具有比狭缝图案220宽的宽度，以完全覆盖平坦化层PLN的蚀刻侧壁、暴露保护图案PAT的第一层的钝化层PAS和中间绝缘层ILD的侧壁、以及保护图案PAT的第一层的暴露表面。

堤部BN形成在保护图案PAT上。接触孔CH形成在堤部BN处以暴露保护图案PAT的第二层。从显示区域AA延伸的公共电极CE可以设置在堤部BN上。公共电极CE通过接触孔CH连接至保护图案PAT的第二层。

第一无机封装层PAS1沉积在公共电极CE上。对于栅极驱动器200设置在堰部DM内侧的情况，第一无机封装层PAS1、有机封装层PCL和第二无机封装层PAS2依次沉积在公共电极CE上。

通过形成在平坦化层PLN处的狭缝图案220，可以阻挡渗入平坦化层PLN与堤部BN之间的界面的湿气。此外，即使在图案化的平坦化层PLN和钝化层PAS相遇的台阶部分处在钝化层PAS处形成裂缝、并且钝化层PAS中所含的氢扩散时，完全覆盖狭缝图案220的保护图案PAT可以捕获氢颗粒或抑制氢颗粒的传播速度。

此外，保护图案PAT具有双堆叠结构，其中第一层由与栅电极G相同的材料制成，并且第二层由与像素驱动电极AE相同的材料制成。在这种情况下，通过使用包括在栅电极G中的钼(Mo)和/或钛(Ti)来捕获氢颗粒以抑制氢颗粒的传播，可以保护包括氧化物半导体材料的驱动元件。

<第三实施方式>

在下文中，参照图7，将描述本公开内容的第三实施方式。图7是沿着图3中的切割线III-III'的截面图，示出了根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示器的结构。图7所示的结构与图6的结构非常相似。因此，对于相同结构的描述将不再重复，将说明对不同点的描述。

例如，在第二实施方式中，保护图案PAT的第一层由与栅电极G相同的材料形成。在第三实施方式中，保护图案PAT的第一层由与薄膜晶体管T的源-漏电极S-D相同的材料制成。

中间绝缘层ILD沉积在基板SUB上。尽管图中未示出，但栅极绝缘层GI沉积在中间绝缘层ILD下方。在中间绝缘层ILD上，形成薄膜晶体管T的源电极S(和/或漏电极D)。保护图案PAT的第一层在形成有狭缝图案220的区域处与源电极S形成在同一层，并且由与源电极S相同的材料形成。

钝化层PAS沉积在保护图案PAT的第一层上。通过对钝化层PAS进行图案化，暴露由与源电极S相同的材料制成的保护图案PAT的第一层。

平坦化层PLN沉积在暴露保护图案PAT的第一层的钝化层PAS上。通过去除平坦化层PLN的一些部分，形成狭缝图案220。优选的是，狭缝图案220被形成为暴露以下部分：从钝化层PAS暴露的保护图案PAT的第一层的所有暴露部分。

保护图案PAT的第二层形成在与像素驱动电极AE相同的层，并且由与像素驱动电极AE相同的材料形成，以覆盖形成在平坦化层PLN处的狭缝图案220。优选的是，保护图案PAT的第二层具有比狭缝图案220宽的宽度，以完全覆盖平坦化层PLN的蚀刻侧壁、暴露保护图案PAT的第一层的钝化层PAS的侧壁、以及保护图案PAT的第一层的暴露表面。

堤部BN形成在保护图案PAT上。接触孔CH形成在堤部BN处以暴露保护图案PAT的第二层。从显示区域AA延伸的公共电极CE可以设置在堤部BN上。公共电极CE通过接触孔CH连接至保护图案PAT的第二层。

第一无机封装层PAS1沉积在公共电极CE上。对于栅极驱动器200设置在堰部DM内侧的情况，第一无机封装层PAS1、有机封装层PCL和第二无机封装层PAS2依次沉积在公共电极CE上。

通过形成在平坦化层PLN处的狭缝图案220，可以阻挡渗入平坦化层PLN与堤部BN之间的界面的湿气。此外，即使在图案化的平坦化层PLN和钝化层PAS相遇的台阶部分处在钝化层PAS处形成裂缝、并且钝化层PAS中所含的氢扩散时，形成在狭缝图案220处的保护图案PAT可以捕获氢颗粒或抑制氢颗粒的传播速度。

此外，保护图案PAT具有双堆叠结构，其中第一层由与源电极S相同的材料制成，并且第二层由与像素驱动电极AE相同的材料制成。在这种情况下，通过使用包括在源电极S中的钼(Mo)和/或钛(Ti)来捕获氢颗粒以抑制氢颗粒的传播，可以保护包括氧化物半导体材料的驱动元件。

<第四实施方式>

在下文中，参照图8，将描述本公开内容的第四实施方式。图8是沿着图3中的切割线III-III'的截面图，示出了根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示器的结构。图8所示的结构与图6和图7的结构非常相似。因此，对于相同结构的描述将不再重复，将说明对不同点的描述。

第四实施方式具有如下特征：保护图案PAT的第一层由与栅电极G相同的材料形成，保护图案PAT的第二层由与源-漏电极S-D相同的材料形成，并且保护图案PAT的第三层由与像素驱动电极AE相同的材料形成。

栅极绝缘层GI沉积在基板SUB上。在栅极绝缘层GI上，形成薄膜晶体管T的栅电极G。在用于狭缝图案220的区域中，保护图案PAT的第一层由与栅电极G相同的材料形成，并且与栅电极G形成在相同层。在图6中，栅极绝缘层GI被沉积在整个基板SUB上方，并且栅电极G形成在栅极绝缘层GI上。然而，不限于此。栅极绝缘层GI可以形成为具有与栅电极G相同的形状。

中间绝缘层ILD沉积在保护图案PAT的第一层上。通过对中间绝缘层ILD进行图案化，保护图案PAT的第一层的大部分中间部分被暴露。在保护图案PAT的暴露的第一层的中心部分上，保护图案PAT的第二层由与薄膜晶体管T的源电极S相同的材料形成。

钝化层PAS沉积在保护图案PAT的第一层和第二层上。通过对钝化层PAS进行图案化，保护图案PAT的第一层和第二层被暴露。特别地，优选的是，钝化层PAS可以被图案化成使得保护图案PAT的第二层被完全暴露，并且围绕第二层的第一层的一些部分被暴露。

平坦化层PLN沉积在暴露保护图案PAT的第一层和第二层的钝化层PAS上。通过去除平坦化层PLN的一些部分，形成狭缝图案220。优选的是，狭缝图案220被形成为暴露以下部分：从钝化层PAS暴露的保护图案PAT的第一层和第二层的所有暴露部分。

保护图案PAT的第三层形成在与像素驱动电极AE相同的层，并且由与像素驱动电极AE相同的材料形成，以覆盖形成在平坦化层PLN处的狭缝图案220。优选的是，保护图案PAT的第三层具有比狭缝图案220宽的宽度，以完全覆盖平坦化层PLN的蚀刻侧壁、暴露保护图案PAT的第一层和第二层的钝化层PAS的侧壁、以及保护图案PAT的第一层和第二层的暴露表面。

堤部BN形成在保护图案PAT上。接触孔CH形成在堤部BN处以暴露保护图案PAT的第二层。从显示区域AA延伸的公共电极CE可以设置在堤部BN上。公共电极CE通过接触孔CH连接至保护图案PAT的第二层。

第一无机封装层PAS1沉积在公共电极CE上。对于栅极驱动器200设置在堰部DM内侧的情况，第一无机封装层PAS1、有机封装层PCL和第二无机封装层PAS2依次沉积在公共电极CE上。

通过形成在平坦化层PLN处的狭缝图案220，可以阻挡渗入平坦化层PLN与堤部BN之间的界面的湿气。此外，即使在图案化的平坦化层PLN和钝化层PAS相遇的台阶部分处在钝化层PAS处形成裂缝、并且钝化层PAS中所含的氢扩散时，完全覆盖狭缝图案220的保护图案PAT可以捕获氢颗粒或抑制氢颗粒的传播速度。

此外，保护图案PAT具有三层堆叠结构，其中第一层由与栅电极G相同的材料制成，第二层由与源电极S相同的材料制成，并且第三层由与像素驱动电极AE相同的材料制成。在这种情况下，通过使用包括在栅电极G和/或源电极S中的钼(Mo)和/或钛(Ti)捕获氢颗粒以抑制氢颗粒的传播，可以保护包括氧化物半导体材料的驱动元件。

<第五实施方式>

在下文中，参照图9，将描述本公开内容的第五实施方式。图9是沿着图3中的切割线III-III'的截面图，示出了根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示器的结构。图9所示的第五实施方式的结构与图8所示的第四实施方式的结构非常相似。

不同之处在于保护图案PAT的第二层的形状。在第四实施方式中，由源电极S形成的保护图案PAT的第二层设置在保护图案PAT的第一层的中心部分。在第五实施方式中，保护图案PAT的第二层可以具有与保护图案PAT的第一层相同的形状，并且堆叠在保护图案PAT的第一层上。之后，去除保护图案PAT的第二层的一些边缘部分，保护图案PAT的第一层的一些部分被暴露。保护图案PAT的第三层接触保护图案PAT的第一层的从保护图案PAT的第二层暴露的部分，并且接触保护图案PAT的第二层的表面。

由于第一层和第二层具有相同的形状，因此中间绝缘层ILD可以从形成有栅极驱动器200的区域去除。保护图案PAT的第二层的被去除的边缘部分被钝化层PAS覆盖，中间部分通过对钝化层PAS进行图案化而被暴露。

利用这种结构，可以尽可能地比第一至第三实施方式更大程度上确保与保护图案PAT的第三层接触的保护图案PAT的第一层和第二层的表面积。因此，当氢颗粒渗透和扩散时，可以通过包括钼(Mo)和/或钛(Ti)的保护图案PAT的第一层和第二层来进一步提高捕获氢颗粒的能力。

第五实施方式的其他元件与第四实施方式的元件相同，因此不再重复相同的描述。

<第六实施方式>

在下文中，参照图10，将描述本公开内容的第六实施方式。图10是沿着图3中的切割线III-III'的截面图，示出了根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示器的结构。图10所示的第六实施方式的结构与图9所示的第五实施方式和图8所示的第四实施方式的结构非常相似。

不同之处在于保护图案PAT的第一层的结构。在第五实施方式中，保护图案PAT的第一层具有单层结构，其中与栅电极G相同的材料用于第一层。在第六实施方式中，保护图案PAT的第一层具有双层结构。

保护图案PAT的第一层包括依次堆叠在栅极绝缘层GI上的第一金属层GM1和第二金属层GM2。第一金属层GM1由钼(Mo)-钛(Ti)合金制成，并且第二金属层GM2由铜(Cu)制成。第一金属层GM1和第二金属层GM2的堆叠顺序可以颠倒。也就是说，第一金属层GM1可以由铜(Cu)制成，并且第二金属层GM2可以由钼(Mo)-钛(Ti)合金制成。

此外，在第六实施方式中，当对覆盖保护图案PAT的第一层的保护图案PAT的第二层进行图案化以暴露保护图案PAT的第一层的一些表面时，第一金属层GM1的表面的一些部分可以被暴露。通过暴露包括钼(Mo)-钛(Ti)合金的第一金属层GM1，可以进一步提高捕获氢颗粒的能力。

第六实施方式的其他元件与第四实施方式的元件相同，因此不再重复相同的描述。

在本公开内容的上述示例中描述的特征、结构、效果等包括在本公开内容的至少一个示例中，并且不必限于仅一个示例。此外，本领域的普通技术人员可以通过组合或修改其他示例来实现在本公开内容的至少一个示例中举例说明的特征、结构、效果等。因此，与这样的组合和修改有关的内容应被解释为包括在本申请的范围内。

对于本领域技术人员将明显的是，在不脱离本公开内容的精神或范围的情况下，可以在本公开内容中进行各种修改和变型。因此，本公开内容旨在覆盖本公开内容的修改和变型，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。可以根据以上详细描述对实施方式进行这些和其他改变。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限制为说明书和权利要求中公开的特定实施方式，而应解释为包括所有可能的实施方式以及这样的权利要求所享有的等同物的全部范围。因此，权利要求不受公开内容限制。

Claims (16)

1.一种电致发光显示装置，包括：

基板，其包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域围绕所述显示区域；

设置在所述显示区域中的发光元件；

设置在所述非显示区域处的栅极驱动器；

与所述栅极驱动器交叠的狭缝图案；以及

在所述狭缝图案中与所述栅极驱动器的空白空间交叠的保护图案，

其中，所述狭缝图案具有沟槽的形状，所述沟槽形成在覆盖所述栅极驱动器的平坦化层处，以及

其中，所述保护图案包括与所述发光元件的部分和所述栅极驱动器的部分相同的材料。

2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，

所述栅极驱动器包括多个薄膜晶体管，

所述狭缝图案与所述薄膜晶体管交叠，并且与不存在薄膜晶体管的空白空间交叠，并且

所述保护图案和与所述空白空间交叠的狭缝图案交叠。

3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述发光元件包括：

设置在所述平坦化层上的像素驱动电极；

在所述像素驱动电极的中间部分限定发射区域的堤部；

在所述像素驱动电极上的发射层；以及

在所述发射层上的公共电极，

其中，所述保护图案覆盖所述狭缝图案，被设置在覆盖所述栅极驱动器的钝化层上，并且包括与所述像素驱动电极相同的材料，

其中，所述堤部包括暴露所述保护图案的中心部分的接触孔，以及

其中，所述公共电极从所述显示区域延伸至所述非显示区域，以通过所述接触孔接触所述保护图案。

4.根据权利要求3所述的电致发光显示装置，其中，所述保护图案包括：

第一层，其包括与所述栅极驱动器的元件相同的材料；以及

第二层，其在所述第一层上，包括与所述像素驱动电极相同的材料，

其中，所述第二层接触所述第一层。

5.根据权利要求4所述的电致发光显示装置，其中，所述第一层包括钼、钛和钼-钛合金中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的电致发光显示装置，其中，所述第一层设置在覆盖所述基板的栅极绝缘层上，并且包括与所述栅极驱动器的栅电极相同的材料，

其中，所述第二层通过覆盖所述第一层的钝化层和中间绝缘层来接触所述第一层。

7.根据权利要求4所述的电致发光显示装置，其中，所述第一层设置在覆盖所述基板的中间绝缘层上，并且包括与所述栅极驱动器的源电极相同的材料，

其中，所述第二层通过覆盖所述第一层的钝化层来接触所述第一层。

8.根据权利要求3所述的电致发光显示装置，其中，所述保护图案包括：

第一层，其包括与所述栅极驱动器的栅电极相同的材料；

第二层，其在所述第一层上，包括与所述栅极驱动器的源电极相同的材料；以及

第三层，其在所述第二层上，包括与所述像素驱动电极相同的材料，

其中，所述第二层和所述第三层接触所述第一层。

9.根据权利要求8所述的电致发光显示装置，其中，所述第二层接触所述第一层的中心部分，并且暴露所述第一层的周边部分，

其中，所述第三层接触所述第一层和所述第二层的暴露的周边部分。

10.根据权利要求8所述的电致发光显示装置，其中，所述第一层和所述第二层具有相同的形状，

所述第一层的一部分从所述第二层的周边暴露，并且

所述第三层接触所述第二层、以及所述第一层从所述第二层暴露的暴露部分。

11.根据权利要求8所述的电致发光显示装置，其中，所述第一层和所述第二层包括钼、钛和钼-钛合金中的至少一种。

12.根据权利要求8所述的电致发光显示装置，其中，所述第一层包括：

形成在所述栅极绝缘层上的第一金属层；以及

形成在所述第一金属层上的第二金属层，

其中，所述第一金属层从所述第二层和所述第二金属层的周边暴露，并且

其中，所述第三层接触所述第二层、以及所述第一金属层从所述第二层和所述第二金属层暴露的暴露部分。

13.根据权利要求12所述的电致发光显示装置，其中，所述第一金属层包括钼、钛和钼-钛合金中的至少一种，并且

其中，所述第二金属层包括铝和铜中的至少一种。

14.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，还包括：

堰部，其设置在所述非显示区域中栅极驱动器的外部，并且围绕所述显示区域；以及

在所述公共电极上的封装层。

15.根据权利要求14所述的电致发光显示装置，其中，所述封装层包括：

第一无机封装层，其覆盖所述显示区域与所述非显示区域、所述堰部的内壁表面、所述堰部的上表面以及所述堰部的外壁表面；

有机封装层，其设置在所述第一无机封装层上，并且与所述堰部的内壁表面的一部分接触；以及

第二无机封装层，其设置在所述有机封装层上，并且在所述堰部的上表面和所述堰部的外壁表面处接触所述第一无机封装层。

16.一种电致发光显示装置，包括：

基板，其包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域围绕所述显示区域；

设置在所述非显示区域中的栅极驱动器和狭缝图案，其中，所述栅极驱动器包括多个薄膜晶体管，所述狭缝图案设置在所述薄膜晶体管上方以及不存在薄膜晶体管的空白空间上方；以及

保护图案，其覆盖位于所述空白空间上方的狭缝图案，并且包括钼、钛和钼-钛合金中的至少一种。

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