CN116411322A - 一种高效铟电镀液的制备及应用 - Google Patents
一种高效铟电镀液的制备及应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116411322A CN116411322A CN202310362967.3A CN202310362967A CN116411322A CN 116411322 A CN116411322 A CN 116411322A CN 202310362967 A CN202310362967 A CN 202310362967A CN 116411322 A CN116411322 A CN 116411322A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- indium
- acid
- electroplating
- following
- electroplating solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 329
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 328
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 title claims abstract description 146
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 147
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 93
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims abstract description 43
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims abstract description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 58
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 21
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 15
- -1 p-mercapto-benzyl Chemical group 0.000 claims description 14
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 11
- 238000013329 compounding Methods 0.000 claims description 11
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- GBCGIJAYTBMFHI-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-3-sulfanylbutan-1-ol Chemical compound CC(C)(S)CCO GBCGIJAYTBMFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N propane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCS(O)(=O)=O KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 10
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000002932 luster Substances 0.000 claims description 9
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 9
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 9
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 9
- DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N β‐Mercaptoethanol Chemical compound OCCS DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 8
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 8
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 8
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 8
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-M Methanesulfonate Chemical compound CS([O-])(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- QHYIGPGWXQQZSA-UHFFFAOYSA-N azane;methanesulfonic acid Chemical compound [NH4+].CS([O-])(=O)=O QHYIGPGWXQQZSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);trinitrate Chemical compound [Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N hydrogen thiocyanate Natural products SC#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ORXSLDYRYTVAPC-UHFFFAOYSA-N 2-(4-sulfanylphenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=C(S)C=C1 ORXSLDYRYTVAPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CFPHMAVQAJGVPV-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylbutanoic acid Chemical compound CCC(S)C(O)=O CFPHMAVQAJGVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- SHLSSLVZXJBVHE-UHFFFAOYSA-N 3-sulfanylpropan-1-ol Chemical compound OCCCS SHLSSLVZXJBVHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LMJXSOYPAOSIPZ-UHFFFAOYSA-N 4-sulfanylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(S)C=C1 LMJXSOYPAOSIPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BXAVKNRWVKUTLY-UHFFFAOYSA-N 4-sulfanylphenol Chemical compound OC1=CC=C(S)C=C1 BXAVKNRWVKUTLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M Thiocyanate anion Chemical compound [S-]C#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K cerium trichloride Chemical compound Cl[Ce](Cl)Cl VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 5
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 claims description 5
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 claims description 5
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000001810 isothiocyanato group Chemical group *N=C=S 0.000 claims description 4
- 231100000647 material safety data sheet Toxicity 0.000 claims description 4
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HLWUKJUOPQJDOL-UHFFFAOYSA-N 2-(4-sulfanylphenyl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)C(C)C1=CC=C(S)C=C1 HLWUKJUOPQJDOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 3
- XZAVPVVTKGFNQK-UHFFFAOYSA-N azane;ethanesulfonic acid Chemical compound [NH4+].CCS([O-])(=O)=O XZAVPVVTKGFNQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N benzyl alcohol Substances OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VGBWDOLBWVJTRZ-UHFFFAOYSA-K cerium(3+);triacetate Chemical compound [Ce+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O VGBWDOLBWVJTRZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);trisulfate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 3
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical group [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 claims description 3
- 230000002999 depolarising effect Effects 0.000 claims description 3
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- IGUXCTSQIGAGSV-UHFFFAOYSA-K indium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[In+3] IGUXCTSQIGAGSV-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 claims description 3
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 claims description 3
- CHUPNGGCNPHUEN-UHFFFAOYSA-M potassium;ethanesulfonate Chemical compound [K+].CCS([O-])(=O)=O CHUPNGGCNPHUEN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- XWIJIXWOZCRYEL-UHFFFAOYSA-M potassium;methanesulfonate Chemical compound [K+].CS([O-])(=O)=O XWIJIXWOZCRYEL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- DAJSVUQLFFJUSX-UHFFFAOYSA-M sodium;dodecane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCS([O-])(=O)=O DAJSVUQLFFJUSX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- KQFAFFYKLIBKDE-UHFFFAOYSA-M sodium;ethanesulfonate Chemical group [Na+].CCS([O-])(=O)=O KQFAFFYKLIBKDE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- KKVTYAVXTDIPAP-UHFFFAOYSA-M sodium;methanesulfonate Chemical compound [Na+].CS([O-])(=O)=O KKVTYAVXTDIPAP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 3
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 claims description 3
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical group [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 claims description 3
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NCEGJIHRQBRVJQ-UHFFFAOYSA-N 2-amino-3-[3-[2-(phosphonomethyl)phenyl]phenyl]propanoic acid Chemical compound OC(=O)C(N)CC1=CC=CC(C=2C(=CC=CC=2)CP(O)(O)=O)=C1 NCEGJIHRQBRVJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FAXDZWQIWUSWJH-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropan-1-amine Chemical compound COCCCN FAXDZWQIWUSWJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OLEWMKVPSUCNLG-UHFFFAOYSA-N 4-methylthioamphetamine Chemical compound CSC1=CC=C(CC(C)N)C=C1 OLEWMKVPSUCNLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XHSSRBLTUVPKQU-UHFFFAOYSA-N 4-sulfanylbutanimidamide Chemical compound NC(=N)CCCS XHSSRBLTUVPKQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 claims 1
- 101100184723 Homo sapiens PMPCA gene Proteins 0.000 claims 1
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 claims 1
- 102100025321 Mitochondrial-processing peptidase subunit alpha Human genes 0.000 claims 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims 1
- UBMXFGVZFUYLSN-UHFFFAOYSA-N azanium;propane-1-sulfonate Chemical compound [NH4+].CCCS([O-])(=O)=O UBMXFGVZFUYLSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- 238000000707 layer-by-layer assembly Methods 0.000 claims 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- ZQUDHVGNIZTEDK-UHFFFAOYSA-M potassium;propane-1-sulfonate Chemical compound [K+].CCCS([O-])(=O)=O ZQUDHVGNIZTEDK-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- NPAWNPCNZAPTKA-UHFFFAOYSA-M sodium;propane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].CCCS([O-])(=O)=O NPAWNPCNZAPTKA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 12
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004064 recycling Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 125
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 55
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 49
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 44
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 30
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 16
- 238000003321 atomic absorption spectrophotometry Methods 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 9
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 229910001449 indium ion Inorganic materials 0.000 description 8
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N thioglycolic acid Chemical compound OC(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-N ethanesulfonic acid Chemical compound CCS(O)(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910000337 indium(III) sulfate Inorganic materials 0.000 description 5
- XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H indium(iii) sulfate Chemical compound [In+3].[In+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 4
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 description 2
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 2
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 2
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 2
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000009697 arginine Nutrition 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 150000003585 thioureas Chemical class 0.000 description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- VMKYTRPNOVFCGZ-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1S VMKYTRPNOVFCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N Asparagine Natural products OC(=O)C(N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N L-asparagine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 235000009582 asparagine Nutrition 0.000 description 1
- 229960001230 asparagine Drugs 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- TVBYYVZRRKCXAY-UHFFFAOYSA-L disodium propane-1-sulfonate Chemical group C(CC)S(=O)(=O)[O-].C(CC)S(=O)(=O)[O-].[Na+].[Na+] TVBYYVZRRKCXAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLZGECKKLOSBPL-UHFFFAOYSA-N indium nickel Chemical compound [Ni].[In] YLZGECKKLOSBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N isoleucine Natural products CCC(C)C(N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002540 isothiocyanates Chemical class 0.000 description 1
- RYZCLUQMCYZBJQ-UHFFFAOYSA-H lead(2+);dicarbonate;dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Pb+2].[Pb+2].[Pb+2].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O RYZCLUQMCYZBJQ-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 1
- 230000028161 membrane depolarization Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLDVQCMGOSGNIW-UHFFFAOYSA-N nickel tin Chemical compound [Ni].[Sn] CLDVQCMGOSGNIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNNZYHKDIALBAK-UHFFFAOYSA-M potassium thiocyanate Chemical compound [K+].[S-]C#N ZNNZYHKDIALBAK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 201000006681 severe congenital neutropenia Diseases 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N sulfanyl Chemical class [SH] PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 125000000858 thiocyanato group Chemical group *SC#N 0.000 description 1
- 239000004474 valine Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/54—Electroplating: Baths therefor from solutions of metals not provided for in groups C25D3/04 - C25D3/50
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
- C25D5/50—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment
- C25D5/505—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment of electroplated tin coatings, e.g. by melting
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种高效铟电镀液的制备及应用,涉及电镀领域。具体步骤为:20℃~65℃条件下,将铟源化合物In用酸S搅拌溶解,得到溶液Z;向主液Z中加入配合剂PA、PB、PC、辅配合剂FP,继续搅拌至配合剂完全溶解,得配合物主液ZP;向上述所得配合物主液ZP中加入添加剂BTA;继续搅拌,并加入添加剂BTB,得到电镀主液ZPP;向主液ZPP中加入去极化剂Qt;继续搅拌,并加入催化剂Ct1、Ct2、Ct3;向主液ZPP中加入导电剂Df,紧接着加入稳定剂W。本发明高效铟电镀液,能够提高电镀效率的同时大大扩大铟镀层的应用范围,且对环境无污染或对环境的污染副作用极低,废液和废气的回收利用、无害处理工艺简单、成本低,其应用具有良好的社会效益和经济效益。
Description
技术领域
本发明涉及电镀领域,特别是涉及一种高效铟电镀液及其制备方法与应用。
背景技术
随着现代电脑、通讯设备的发展,连接器表面材料的应用技术随之也飞速发展,材料表面处理技术主要有电镀金属镀层保护技术、电镀功能镀层技术、电镀金属耐磨镀层技术、电镀金属导电镀层技术等。电镀金属镀层导电技术电镀金属主要包括电镀金导电层,最常用的导电镀层主要为金镀层、银镀层等。装饰镀层主要有金镀层、黑镍镀层、彩色合金镀层等。而复合型导电功能镀层如、镍磷镀层、银镍镀层、银锡镀层、镍锡镀层、银铟镀层、镍铟镀层等等,以及单金属镀层Ag、Sn、In等镀层在电子设备、通讯设备和汽车电子系统领域有着及其重要的应用意义。
在上述复合镀层中广泛应用于电子设备、通讯设备、汽车电子系统等领域的是Ag、Sn、In等的复合镀层和单金属镀层。因为银镀层的良好导电性能,铟镀层即铟电镀层具有良好焊接性能和摩擦接触性能,与此同时,因为铟具有低熔点、低应力、对润滑油氧化时生成的有机酸有良好的抗蚀性能,而得到广泛应用和重视。
众所周知,金银镀层技术及环境成本、原材料成本一直以来是限制器广泛应用的主要因素。金银镀层因其成本、环境及技术成本因素等的影响,在相关领域越来越多地被价格低廉、加工技术方便和性能更优的锡、铟电镀及化学镀层所替代。但是在一般情况下,锡镀层通常受应力条件等的影响易生长锡各形各色的晶须。该晶须的生成直接影响镀锡配件的使用安全及使用寿命。随着各种电子设备通讯设备及其配件的高度集成化、小型化合微型化,消除锡晶须的严重的安全风险极其重要。该晶须形成可能造成电路短路、甚至电器设备火灾。与锡镀层相比,铟镀层的优势在于,铟镀层在使用过程中不易形成须晶,即使在加热回流、重熔或者其他方法或使用环境,使得铟重结晶或者迁移再结晶之后铟镀层也不易形成晶须。因此,铟镀层可用作锡及锡合金的替代功能金属镀层而广泛应用于现代电子设备、通讯设备、汽车电子系统等,尤其在小微型无人机、智能驾驶系统等电子设备、通讯设备、汽车相关通讯设备及其配件等的应用更为重要。
铟是化学活性较高且较为特殊的金属,且铟能与其他金属易于形成具低熔点(约156.6℃)、低硬度(约为1.2,低于Pb的1.5)等特殊特性的合金而备受关注。铟(电)镀层在一定条件下与基体金属之间和合金金属之间或共生晶金属之间能形成多种类型的金属间合物(Intermetallic compounds)或形成热界面材料(Thermal interface materials,TIM)而得到广泛研究和应用。如铟电镀层与镍金属基体之间能形成Ni10In27(<300℃)、Ni2In3(>300℃)等金属间化合物(文献:A.I.Ancharov,Interaction between Solid Nickel andTin-Indium Eutectic Melt,and the Nature of Eutectic Alloys[J],Bulletin of theRussian Academy of Sciences,Physics,2016,Vol.80,No.6:627-630);铟镀层与银镀层(铜基体材料)之间能形成AgIn2、Ag2In、Ag3In等Ag-In金属间二元化合物(文献:Pin J.等,Intermetallic Reaction between Electroplated Indium and Silver Layers[C],IEEE,Electronic Components and Technology Conference,2009,1317–1321;Pin J.等,Intermetallic Reaction of Indium and Silver in an ElectroplatingProcess[J],Journal of ELECTRONIC MATERIALS,2009,Vol.38,No.9:1860–1865);铟镀层与铜基体之间能形成Cu11In9、Cu7In3、Cu2In等CuxIny型金属间化合物(文献:S.D.Mahapatra,Elimination of whisker growth by indium addition in electroplated tin oncopper substrate[D],Master Dissertation,Washington State University,2017),以及CuInSe2、CuInS2、InAs、InTe等金属间化合物(文献:G.Rakhymbay等,ElectrochemicalDeposition of Indium:Nucleation Mode and Diffusional Limitation[J],RussianJ.Electrochem.,2016,52(2):99–105)。铜基体上的铟镀层与锡镀层形成的Sn-In-Sn复合电镀层,能有效抑制锡晶须生长(文献:S.D.Mahapatra,Elimination of whisker growthby indium addition in electroplated tin on copper substrate[D],MasterDissertation,Washington State University,2017)。金属间化合物等形成对拓展铟金属镀层对应用起到关键对作用,如上述各种铟金属间化合物镀层广泛应用于印刷电路板、电子连接器、CPU等电子系统封装(文献:Edit S.等,High-speed IndiumElectrodeposition:Efficient,Reliable TIM Technology[C],IEEE,2nd ElectronicsSystem integration Technology Conference,Greenwich,UK,2008,347–350;)热界面材料、以及电子器件焊接(Y.Qin等,Enabling Low-Temperature Bonding in AdvancedPackaging using Electrodeposited Indium[C],IEEE 66th Electronic Componentsand Technology Conference,2016,2152-2156)应用等相关领域,如太阳能应用及太阳能电池领域等。现有技术用于通讯设备等等应用连接器插头有镍电镀涂覆层,在镍镀层上再电镀铟镀层。铟电镀层的厚度通常在0.3~2.5μm范围。而现有应用技术中,许多电解铟工艺大多使用预镀工序,预镀层的厚度一般为1-100nm,或者增加粘合层,以便使得铟电镀层厚度均匀、致密、均一,并且与镍镀层粘附性强。
金属铟电化学电对(In3+/In)的标准电极电势(文献R.Piercy等“The Electrochemistry of Indium”,1975,Journal of Applying Electrochemistry,5:1-15)较标准氢电极(H+/H2)电极/>电势低,因此,In3+离子的还原电极电势较H+的还原的电位更负的电位下发生,并且阴极处大量的氢鼓泡使镀层表面粗糙度增加、脱皮,甚至无法实施电镀。在铟沉积过程中形成的因惰性电子对效应而稳定的In3+离子催化氧化质子还原并参与歧化反应以重新生成In+离子。没有配位剂存在且pH>2时,In3+离子水解生成In(OH)x(H2O)6-x(x=1、2、3)并最终以In(OH)3或In(OH)3·(H2O)n形式生成沉淀析出。此外,镍的化学活性是比铟更差,镍是H+还原H2的良好催化剂,因此在镍催化、氧化体系(电解液溶解当大气中当O2)及在电解流电的共同作用下,可能引起铟镀层的氧化腐蚀、析氢等不利于In电镀层形成的结果;此外,析氢也可能导致不适用于电子部件和装置的粗糙、不均匀、不规则的铟电镀层。而且,铟还可能与镍及其他金属杂质形成对In镀层性能不利的金属间化合物。显而易见,铟镀过程的另一个问题是氢气的生成造成铟电镀技术困难,析氢是导致铟镀层吸附力差、起泡或者脱皮等不良现象出现的最重要因素之一。
铟电镀工艺、铟电镀液(槽)、铟电镀组合物等相关的专利技术也有公开。中国台湾省中文专利:专利申请号为:TW98103278A,专利名称为:薄膜沉积的铟电镀槽,该专利文献公开了一种“电镀液或电镀槽”,用以涂布In层于导电表面。该中文专利提出的铟电镀溶液包括In源(金属铟板、InCl3)、弱酸与其共轭盐对,如柠檬酸及柠檬酸盐等、和溶剂(水)等。
中国专利申请号为:CN202010056803.4,专利名称为铟电镀组合物和在镍上电镀铟的方法,该专利申请文献公开了“一种铟电镀组合物”,该组合物由以下项组成:水;一种或多种铟离子源;一种或多种酸,其选自由无机酸、烷烃磺酸以及所述酸的盐组成的组,其中所述无机酸选自由氨基磺酸以及硫酸组成的组;以及一种或多种氨基酸,其选自由丙氨酸、精氨酸、天冬氨酸、天冬酰胺、谷氨酸、甘氨酸、谷氨酰胺、亮氨酸、组氨酸、赖氨酸、苏氨酸、异亮氨酸、丝氨酸以及缬氨酸组成的组;任选地一种或多种合金金属;以及任选地一种或多种pH调节剂。该组合物等主要组成特点为氨基酸,其在铜基镀镍层上镀铟层厚度为0.1~1μm。
中国专利申请号为:201710512994.9:专利名称为:铟电镀组合物和用于电镀铟的方法,该专利申请文献公开了“一种铟电镀的组合物”,该组合物包含一种或多种铟离子源、硫脲和硫脲衍生物中的一种或多种以及柠檬酸、其盐或其混合物。该组合物等主要组成特点为硫脲和硫脲衍生物。其镀铟层的厚度为铟金属层是10nm到100μm。
中国专利申请号为:20171051126.2,专利名称为:含有胺化合物的铟电镀组合物和铟电镀方法,该专利文献中公开了“一种在镍上电镀铟的方法”,其包含:a)提供包含镍层的衬底;b)使所述衬底与铟电镀组合物接触,所述的组合物包含一种或多种铟离子源、柠檬酸、其盐或其混合物和含量为5ppm到15ppm的下式的一种或多种胺化合物。该发明涉及含有痕量的胺化合物的铟电镀组合物和将铟金属电镀于金属层上的方法,其中铟金属沉积物是均匀的、基本无空隙的且具有光滑的表面形态。
目前,现有电镀铟技术、公开的专利技术存在主要问题在于:铟电镀效率较低、铟镀层与基材或者其他预镀金属镀层粘附力不足、析氢、气泡、覆盖力低以及结晶颗粒不均匀、电镀液稳定性较差等明显的缺陷和不足。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种高效铟电镀液及其制备方法与应用,有助于铟离子配合物种类的增加,对提高电镀效率有所裨益。
一种高效铟电镀液,包括以下使用超纯水配制浓度的组份:铟源化合物:30~205g,酸S:0.001~0.1mol/L,配合剂PA:30~125g/L,配合剂PB:25~65g/L,配合剂PC:25~65g/L,辅配合剂FP:15~45g/L,添加剂BTA:0.5~5.0g/L,添加剂BTB:0.2~2.0g/L,极化剂Qt:0.2~1.25g/L,催化剂Ct1、Ct2、Ct3总含量:1~30μg/L,导电剂Df:5~30g/L,稳定剂W:0.2~10g/L。
一种高效铟电镀液的制备方法,所述具体步骤如下:
S1、20℃~65℃条件下,将30~205g铟源化合物(以In3+计算,简称:In)用浓度为0.001~0.1mol/L(mol/L简写为M)的酸S(以下简称S)搅拌溶解,得到溶液Z;
所述的铟源化合物In为硫酸铟(In2(SO4)3)、氯化铟(InCl3)、硝酸铟(In(NO3)3)、氢氧化铟(In(OH)3)、三氧化二铟(In2O3)中的一种或多种的混合物;
所述的酸S为硫酸(H2SO4)、高氯酸(HClO4)、甲基磺酸、乙基磺酸中的一种或多种的混合物,优选硫酸、高氯酸、甲基磺酸,最优选硫酸、甲基磺酸中的一种或两种的混合物。
S2、搅拌条件下,向每升主液Z中加入配合剂PA含量为30~125g/L,继续加入配合剂PB浓度为25~65g/L,继续加入配合剂PC浓度为25~65g/L,继续加入辅配合剂FP浓度为15~45g/L,继续搅拌至配合剂完全溶解,得配合物主液ZP;
所述配合剂PA为草酸(OA)、丙二酸(MA)、丁二酸(SA)中的一种或多种的混合物;
所述配合剂PB为2-巯基乙醇(BME)、3-巯基丙醇(MPP)、3-巯基-3-甲基丁醇(MMB)、对巯基苯酚(PMP)、对巯基-苯甲醇(PMBA)、对巯基-苯乙醇(PMPE)的一种或多种的混合物;
所述配合剂PC为2-巯基乙酸(2-MAA)、3-巯基丙酸(3-MPA)、2-巯基丁酸(2-MBA)、对巯基苯甲酸(4-MBA)、对巯基苯乙酸(4-MTA)、对巯基苯丙酸(MPPA)的一种或多种的混合物;
所述辅助配合剂FP为氯化物、氟化物、溴化物中的一种或多种的混合物;
S3、搅拌条件下,向第二步所得的配合物主液ZP中加入添加剂BTA含量为0.5~5.0g/L;继续搅拌,并加入添加剂BTB含量在0.2~2.0g/L范围,溶液继续标记为电镀主液ZPP;
所述添加剂BTA为十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、十二烷基硫酸钠(SDS)、十二烷基磺酸钠(SBS)一种或多种的混合物;所述的添加剂BTB为聚乙烯醇(PVA)、聚乙二醇(PEG)、十二烷基聚氧乙烯醚(DPE)一种或多种的混合物;
优选的添加剂BTA为CTAB、SDS;
优选的添加剂BTB为PVA、PEG。
S4、搅拌条件下,向第三步所得的主液ZPP中加入去极化剂Qt含量为0.2~1.25g/L;继续搅拌,并加入催化剂Ct1、Ct2、Ct3总含量为1~30μg/L范围;
所述去极化添加剂Qt为碘化物、硫氰化合物、异硫氰根的一种或多种的混合物;
所述的催化添加剂Ct1为硫酸铜(CuSO4)、硝酸铜(Cu(NO3)2)、氯化铜(CuCl2)、醋酸铜(Cu(Ac)2)中的一种或多种;
所述的催化添加剂Ct2为硫酸锌(ZnSO4)、硝酸锌(Zn(NO3)2)、氯化锌(ZnCl2)、醋酸锌(Zn(Ac)2)中的一种或多种;
所述的催化添加剂Ct3为硫酸铈(Ce2(SO4)3)、硝酸铈(Ce(NO3)3)、氯化铈(CeCl3)、醋酸铈(Ce(Ac)3)中的一种或多种;
S5、搅拌条件下,向第四步所得的主液ZPP中加入导电剂Df含量5~30g/L,紧接着加入稳定剂W含量在0.2~10g/L;
所述的导电剂Df为硫酸盐、磷酸盐、硝酸盐中的一种或多种的混合物;
所述的稳定剂W为甲基磺酸盐、乙基磺酸盐、丙基磺酸盐中的一种或多种的混合物;
S6:调整主液ZPP的pH为0.8~3.6;
进一步地:所述溴化物为KBr、NaBr、NH4Br中的一种。
进一步地:所述氯化物为KCl、NaCl、NH4Cl中的一种。
进一步地:所述氟化物为KF、NaF、NH4F中的一种。
进一步地:所述的硫酸盐为Na2SO4、K2SO4、(NH4)2SO4中的一种。
进一步地:所述的磷酸盐为Na3PO4、K3PO4、(NH4)3PO4中的一种。
进一步地:所述的硝酸盐为NaNO3、KNO3、NH4NO3中的一种。
进一步地:所述的甲基磺酸(MSDS)盐为甲基磺酸钠(Na-MSDS)、甲基磺酸钾(K-MSDS)、甲基磺酸铵(NH4-MSDS)中的一种或多种的混合物;
进一步地:所述的乙基磺酸(ESA)盐为乙基磺酸钠(Na-ESA)、乙基磺酸钾(K-ESA)、乙基磺酸铵(NH4-ESA)中的一种或多种的混合物;
进一步地:所述的丙基磺酸(1-PSA)盐为丙基磺酸钠、丙基磺酸钾(K-1-PSA)、丙基磺酸铵(NH4-1-PSA)中的一种或多种的混合物;
进一步地:所述主液ZPP的pH优选为1.8~2.4。
进一步地:所述主液ZPP的pH最优为2.0±0.1。
进一步地:一种高效铟电镀液的应用,所述应用如下:
S1、预处理:在常规连续电镀工艺条件下,在常规连续电镀工艺条件下,即基材清洗、去油、去锈、清洗、活化、预电镀处理、预电镀镍工序等统称预处理过程;
S2、应用制备好的铟电镀液;
S3、雾铟:设置电镀工艺参数为:温度20℃~65℃、电流密度0.2~25A/dm2、pH值=0.8~3.6、电镀时间10秒~3分钟,即得到铟电镀层,即雾铟。
S4、亮铟:将雾铟镀层层经过160~320℃热处理,时间20秒~3分钟,雾铟镀层重熔、重结晶,即得到具有银白色、明亮金属光泽的铟电镀层,即亮铟。
本发明的有益效果在于:
1、本发明制备的铟电镀液,采用了与In3+离子配合能力适当的配合剂、辅助配合剂等,使得电镀溶液中直接参与电化学沉积还原反应的游离态In3+离子浓度能较好地控制,从而能有效地控制铟电镀层的沉积速率、沉积金属颗粒的大小、电沉积层的厚度等,进而提高电镀效率、满足不同应用的需求。
2、本发明制备的铟电镀液采用了对In3+离子在多种金属基材或电镀金属层表面电沉积具有消除电化学极化效果的去极化剂、对H+在基材表面析出具有较好的极化(析氢抑制)剂等,能有效提高电镀效率、并抑制氢气的析出,消除镀层气泡、起泡等不良现象,使得铟镀层的沉积效率大大提高,同时使得铟镀层沉积厚度,在实施例工艺条件下的铟镀层厚度在0.11~2.15μm之间,覆盖完整、均匀,与金属基材或金属预镀层结合紧密;从而大大扩大铟镀层的应用范围,也进一步满足不同应用领域的实际应用要求。
3、本发明制备的铟电镀液,采用了对铟电镀液应用过程中对基材表面具有进一步的清洁作用、对电镀主液金属离子具有分散作用等的表面活性剂等添加剂,以及对电镀主液配离子及其体系具有良好稳定作用的小分子有机甲基磺酸盐等稳定剂,且同时甲基磺酸盐对电镀铟析氢有一定的抑制作用,使得本发明制备的铟电镀液具有良好的铟电镀效果及良好的施镀应用稳定性,在各种常规电镀环境及应用条件下,常规简单维护、应用铟电镀工序78个使用周期,约3.5~4周工作日,铟电镀液电镀效果:雾铟覆盖率、附着力等没有显著的不良影响,都能得到较好的铟镀层效果,具有较好的应用效果、较好的使用寿命和较低的维护成本,进一步提高电镀液的使用效率和降低应用成本。
4、本发明制备的铟电镀液,由于各种试剂的综合协同作用下,电镀铟镀层的雾铟、亮铟的铟金属表观形貌均匀、表面结构完整、覆盖率都保持在100%,而相应条件下的对比实施例1~3雾铟和亮铟镀层的表观形貌均匀性相对较低、表面结构不尽完整,存在明显的多种形状和不同大小的空洞、孔洞结构,且覆盖率低,覆盖率则低于96%,最低只有85%;附着力测试结果表明,本发明所得到的铟镀层与基材或预镀层的附着力均在5B级;对比实施例的附着力均在4B级及以下。
5、本发明制备的铟电镀液,采用的各种化学试剂在铟电镀液中的作用、辅助作用等,都十分明确,对本发明的制备的铟电镀液的实际应用具有良好可靠性,并能根据实际应用过程中,出现对铟电镀层产生不良现象作出具体分析与判断,能够方便地找出异常原铟所在,并及时作出相应的调整,能有效地提高生产效率、降低生产成本。
6、本发明制备的铟电镀液,应用的主要化学试剂、辅助化学试剂等,都具有原料丰富、成本低廉、环境友好,应用对环境无污染或对环境的污染副作用极低,废液和废气的回收利用、无害处理工艺简单、成本低,其应用具有良好的社会效益和经济效益。
附图说明
图1为实施例一的雾铟镀层SEM照片;
图2为实施例二的雾铟镀层SEM照片;
图3为实施例三亮铟镀层与对比实施例1亮铟镀层SEM照片;
图4为实施例四雾铟镀层与对比实施例2雾铟镀层的SEM照片;
图5为实施例五亮铟镀层与对比实施例3亮铟镀层SEM照片;
图6为实施例六的亮铟镀层SEM照片;
图7为实施例四(图中A)雾铟镀层与对比实施例2(图中B)雾铟镀层附着力测试照片。
具体实施方式
为能进一步了解本发明的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
如图1~图7所示,一种高效铟电镀液,包括以下使用超纯水配制浓度的组份:铟源化合物:30~205g,酸S:0.001~0.1mol/L,配合剂PA:30~125g/L,配合剂PB:25~65g/L,配合剂PC:25~65g/L,辅配合剂FP:15~45g/L,添加剂BTA:0.5~5.0g/L,添加剂BTB:0.2~2.0g/L,极化剂Qt:0.2~1.25g/L,催化剂Ct1、Ct2、Ct3总含量:1~30μg/L,导电剂Df:5~30g/L,稳定剂W:0.2~10g/L。
一种高效铟电镀液的制备方法,其具体步骤如下:
S1、制备溶液Z:20℃~65℃条件下,将30~205g铟源化合物(以In3+计算,简称:In)用浓度为0.001~0.1mol/L(mol/L简写为M)的酸S(以下简称S)搅拌溶解,得到溶液Z;
所述的铟源化合物In为硫酸铟(In2(SO4)3)、氯化铟(InCl3)、硝酸铟(In(NO3)3)、氢氧化铟(In(OH)3)、三氧化二铟(In2O3)中的一种或多种的混合物;
所述的酸S为硫酸(H2SO4)、高氯酸(HClO4)、甲基磺酸、乙基磺酸中的一种或多种的混合物,优选硫酸、高氯酸、甲基磺酸,最优选硫酸、甲基磺酸中的一种或两种的混合物。
S2、制备配合物主液ZP:搅拌条件下,向每升主液Z中加入配合剂PA至配合剂PA含量为30~125g/L,继续加入配合剂PB至配合剂PB浓度为25~65g/L,继续加入配合剂PC至配合剂PC浓度为25~65g/L,继续加入辅配合剂FP至配合剂FP浓度为15~45g/L,继续搅拌至配合剂完全溶解,得配合物主液ZP;
所述配合剂PA为草酸(OA)、丙二酸(MA)、丁二酸(SA)中的一种或多种的混合物;
所述配合剂PB为2-巯基乙醇(BME)、3-巯基丙醇(MPP)、3-巯基-3-甲基丁醇(MMB)、对巯基苯酚(PMP)、对巯基-苯甲醇(PMBA)、对巯基-苯乙醇(PMPE)的一种或多种的混合物;
所述配合剂PC为2-巯基乙酸(2-MAA)、3-巯基丙酸(3-MPA)、2-巯基丁酸(2-MBA)、对巯基苯甲酸(4-MBA)、对巯基苯乙酸(4-MTA)、对巯基苯丙酸(MPPA)的一种或多种的混合物;
所述辅助配合剂FP为氯化物、氟化物、溴化物中的一种或多种的混合物;
所述溴化物为KBr、NaBr、NH4Br中的一种;
所述氯化物为KCl、NaCl、NH4Cl中的一种;
所述氟化物为KF、NaF、NH4F中的一种;
优选地,辅助配合剂FP为氯化物、溴化物,最优选辅助配合剂FP为氯化物。
S3、制备电镀主液ZPP:搅拌条件下,向第二步所得的配合物主液ZP中加入添加剂BTA至BTA含量为0.5~5.0g/L;继续搅拌,并加入添加剂BTB至BTB含量在0.2~2.0g/L范围,溶液继续标记为电镀主液ZPP;
所述添加剂BTA为十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、十二烷基硫酸钠(SDS)、十二烷基磺酸钠(SBS)一种或多种的混合物;所述的添加剂BTB为聚乙烯醇(PVA)、聚乙二醇(PEG)、十二烷基聚氧乙烯醚(DPE);
添加剂BTA优选CTAB、SDS,最优选CTAB;
添加剂BTB优选PVA、PEG,最优选PEG。
S4、去极化处理:搅拌条件下,向第三步所得的主液ZPP中加入去极化剂Qt搅拌,Qt含量为0.2~1.25g/L;并加入催化剂Ct1、Ct2、Ct3总含量为1~30μg/L范围,继续搅拌;
所述去极化添加剂Qt为碘化物、硫氰化合物、异硫氰根的一种或多种的混合物;
所述溴化物为KI、NaI、NH4I中的一种或多种;
所述异硫氰根化合物为KNCS、NaNCS、NH4NCS中的一种或多种;
所述硫氰化合物为KSCN、NaSCN、NH4SCN中的一种或多种;
优选地,所述的去极化剂Qt为碘化物、硫氰化合物,最优选的去极化剂Q为碘化物;
所述的催化添加剂Ct1为硫酸铜(CuSO4)、硝酸铜(Cu(NO3)2)、氯化铜(CuCl2)、醋酸铜(Cu(Ac)2)中的一种或多种;
所述的催化添加剂Ct2为硫酸锌(ZnSO4)、硝酸锌(Zn(NO3)2)、氯化锌(ZnCl2)、醋酸锌(Zn(Ac)2)中的一种或多种;
所述的催化添加剂Ct3为硫酸铈(Ce2(SO4)3)、硝酸铈(Ce(NO3)3)、氯化铈(CeCl3)、醋酸铈(Ce(Ac)3)中的一种或多种;
S5、导电处理:搅拌条件下,向所得主液ZPP中加入导电剂Df,导电剂Df含量5~30g/L范围,紧接着加入稳定剂W,稳定剂W含量在0.2~10g/L范围;
所述的导电剂Df为硫酸盐、磷酸盐、硝酸盐中的一种或多种的混合物;
所述的硫酸盐为Na2SO4、K2SO4、(NH4)2SO4中的一种;
所述的磷酸盐为Na3PO4、K3PO4、(NH4)3PO4中的一种;
所述的硝酸盐为NaNO3、KNO3、NH4NO3中的一种;
优选地,导电剂为硫酸盐、硝酸盐,最优选导电剂为硫酸盐。
所述的稳定剂W为甲基磺酸盐、乙基磺酸盐、丙基磺酸盐中的一种或多种的混合物;
所述的甲基磺酸(MSDS)盐为甲基磺酸钠(Na-MSDS)、甲基磺酸钾(K-MSDS)、甲基磺酸铵(NH4-MSDS)中的一种或多种的混合物;
所述的乙基磺酸(ESA)盐为乙基磺酸钠(Na-ESA)、乙基磺酸钾(K-ESA)、乙基磺酸铵(NH4-ESA)中的一种或多种的混合物;
所述的丙基磺酸(1-PSA)盐为丙基磺酸钠(Na-1-PSA)、丙基磺酸钾(K-1-PSA)、丙基磺酸铵(NH4-1-PSA)中的一种或多种的混合物;
优先地,稳定剂W为甲基磺酸盐、或乙基磺酸盐,最优选甲基磺酸盐;
调整主液ZPP的pH为0.8~3.6;
优选调整主液ZPP的pH=1.8~2.4,最优选ZPP的pH=2.0±0.1。
本发明所述的所有溶液所用的溶剂、补充溶剂到电镀工艺所设定的体积等所用的溶剂等均为水(包括:蒸馏水、去离子水、二次蒸馏水中的任意一种),以下非特殊情况,本发明所述的溶液所涉及使用溶剂都是水,不再进一步说明。
本发明所述高效铟电镀液的应用,在常规连续电镀工艺条件下,即基材清洗、去油、去锈、清洗、活化、预电镀处理、预电镀镍工序等统称预处理过程,以下统一简称“预处理步骤”。
本发明铟电镀主液设置电镀工艺参数为:温度20℃~65℃、电流密度0.2~25A/dm2、pH值=0.8~3.6、电镀时间10秒~3分钟,即得到铟电镀层,本技术领域称之为“雾铟”,以下简称“雾铟”。
将雾铟镀层层经过160~320℃热处理,时间20秒~3分钟,雾铟镀层重熔、重结晶,即得到具有银白色、明亮金属光泽的铟电镀层,本技术领域称之为“亮铟”,以下简称“亮铟”。
对比实施例1、对比实施例2、对比实施例3:
具体选用文献中国专利“铟电镀组合物和在镍上电镀铟的方法”(申请号:CN202010056803.4)的实施例1、4、3(详见文献:表1,第6页[0042]段)的电镀组合物,设定的电镀覆盖(施镀)温度,分别与于本发明实施例3、4、5相同,文献实施例4与本发明实施例4的pH值也相同。其他条件:电流密度、电镀时间则按照本发明对应实施例设定的相同是电流密度、电镀时间参数进行。文献的实施例1、4、3分别依次命名为对比实施例1、对比实施例2、和对比实施例3,与本发明的实施例3、实施例4、实施例5分别一一对应比较铟镀层特性。即用测厚仪测定对比实施例的铟电镀层的厚度、用扫描电子显微镜(SEM)观察铟电镀层的表观形貌及覆盖率,铟电镀层附着力测试按照划格法(GB/T9286-88)测试,并与对应的实施例比较(详见:实施例3、4、5,说明书附图3、4、5、7)。
具体的,对比实施例1:
选用文献中国专利“铟电镀组合物和在镍上电镀铟的方法”(申请号:CN202010056803.4)的实施例1(详见文献:表1,第6页[0042]段)的电镀组合物,即:30g/L铟离子(来自硫酸铟)、甘氨酸100g/L、氨基磺酸50g/L、pH=2.1,覆盖温度(即施镀温度)30℃,施镀电流密度、施镀时间与本发明实施例3一致。
对比实施例2:
选用文献中国专利“铟电镀组合物和在镍上电镀铟的方法”(申请号:CN202010056803.4)的实施例4(详见文献:表1,第6页[0042]段)的电镀组合物,即:30g/L铟离子(来自硫酸铟)、甘氨酸100g/L+精氨酸40g/L、硫酸28g/L、pH=2.4,覆盖温度40℃,施镀电流密度、施镀时间与本发明实施例4一样。
对比实施例3:
选用文献中国专利“铟电镀组合物和在镍上电镀铟的方法”(申请号:CN202010056803.4)的实施例3(详见文献:表1,第6页[0042]段)的电镀组合物,即:30g/L铟离子(来自硫酸铟)、甘氨酸50g/L、氨基磺酸100g/L、pH=2,覆盖温度50℃,施镀电流密度、施镀时间与本发明实施例5相同。
用测厚仪测定雾铟电镀层的厚度、用扫描电子显微镜(SEM)观察铟电镀层的表观形貌及覆盖率,铟电镀层附着力测试按照划格法(GB/T 9286-88)测试,并与对比实施例比较;用原子吸收分光光度法测定了雾铟镀层的金属铟含量。结果表明:本发明制备的铟电镀液的应用,可很好地在金属基材或镍镀层上铟镀层厚度约为0.11~2.15μm、与基材及预镀层间附着力强、覆盖均匀、表面颗粒形态均一、厚度均匀、外观一致的雾铟(未经重熔处理的铟镀层,以下简称“雾铟”)镀层、亮铟(经160~300℃加热重熔处理的铟镀层,以下简称“亮铟”)电镀层,覆盖率~100%,附着力均为5B级别(详见:本发明说明书实施例一~六及说明书附图1~7)。原子吸收分光光度法测定结果显示:雾铟镀层铟含量大约在99.91~99.96wt%(质量百分比)之间。
铟为本发明制备的铟电镀液,采用了与In3+离子配合力适度的相对较的小分子有机酸配合剂、以及与In3+离子配合力良好的羧酸、巯基醇、巯基酚等配合剂,同时采用了卤化物为辅助配位添加剂、异硫氰化物、硫氰化物等添加剂为In3+生成In镀层沉积的去极化剂、卤离子为H+还原析出H2的极化剂、以及硫酸盐等导电剂、表面活性剂添加剂、稳定添加剂等的综合、系统地协同作用下,例如:硫酸盐导电剂能与In3+离子形成形成In(SO4)2 -配离子,有助于铟离子配合物种类的增加,对提高电镀效率有所裨益。
如上述步骤制备得到本发明铟电镀液组合物,各化合物的配比不同时,实施电镀工艺参数有所不同,实施效果也有所不同,具体如下:
实施例一:
在20℃、搅拌条件下,用0.001M的H2SO4溶液,顺序加入、溶解如下物质至预设浓度:
在常规连续电镀工艺条件下,预处理步骤、应用本发明制备的铟电镀主液电镀铟,设置电镀工艺参数为温度:20℃、电流密度0.2A/dm2、电镀时间3分钟,即“雾铟”,将雾铟镀层经过160℃热处理、处理时间180秒,雾铟镀层重熔、重结晶,即得到具有银白色、明亮金属光泽的铟电镀层(本技术领域称之为“亮铟”,以下简称“亮铟”)。用测厚仪测定雾铟电镀层的厚度、用扫描电子显微镜(SEM)观察铟电镀层的表观形貌及覆盖率,铟电镀层附着力测试按照划格法(GB/T 9286-88)测试,并与对比实施例比较。用原子吸收分光光度法测定了雾铟镀层的金属铟含量。测试结果:雾铟镀层厚度在约0.11~0.125μm范围,雾铟、亮铟金属表观形貌均匀、表面结构完整、覆盖率为100%(详见:说明书附图1),而相应条件下的对比实施例雾铟和亮铟镀层的表观形貌均匀性相对较低、表面结构不尽完整,存在明显的多种形状和不同大小的空洞、孔洞结构,且覆盖率较低,其覆盖率低于96%,最低只有85%;附着力测试结果表明,本发明所得到的铟镀层与基材或预镀层的附着力均在5B级;对比实施例的附着力均在4B级及以下。原子吸收分光光度法测定结果显示:雾铟镀层铟含量在99.91~99.96wt%(质量百分比)之间。
实施例二:
在25℃、搅拌条件下,用0.005M的HClO4溶液,顺序加入、溶解如下物质至预设浓度:
在常规连续电镀工艺条件下,预处理步骤、应用本发明制备的铟电镀主液电镀铟,设置电镀工艺参数为温度:25℃、电流密度0.5A/dm2、电镀时间2分钟,即得电镀“雾铟”镀层,将雾铟镀层经过190℃热处理、处理时间40秒,雾铟镀层重熔、重结晶,即得到具有银白色、明亮金属光泽的铟电镀层(本技术领域称之为“亮铟”,以下简称“亮铟”)。用测厚仪测定雾铟电镀层的厚度、用扫描电子显微镜(SEM)观察铟电镀层的表观形貌及覆盖率,铟电镀层附着力测试按照划格法(GB/T 9286-88)测试,并与对比实施例比较。用原子吸收分光光度法测定了雾铟镀层的金属铟含量。测试结果:雾铟镀层厚度在约0.25~0.305μm范围;雾铟、亮铟金属表观形貌均匀、表面结构完整、覆盖率100%(详见:说明书附图2),而相应条件下的对比实施例雾铟和亮铟镀层的表观形貌均匀性相对较低、表面结构不尽完整,存在明显的多种形状和不同大小的空洞、孔洞结构,且覆盖率较低,其覆盖率低于96%,最低只有85%;附着力测试结果表明,本发明所得到的铟镀层与基材或预镀层的附着力均在5B级;对比实施例的附着力均在4B级及以下。原子吸收分光光度法测定结果显示:雾铟镀层铟含量在99.91~99.96wt%(质量百分比)之间。
实施例三:
在35℃、搅拌条件下,用0.01M甲基磺酸溶液,顺序加入、溶解如下物质至预设浓度:
即得到一种高效电镀铟电镀液。
在常规连续电镀工艺条件下,预处理步骤、应用本发明制备的铟电镀主液电镀铟,设置电镀工艺参数为温度:30℃、电流密度3A/dm2、电镀时间1分钟,即得到“雾铟”镀层,将雾铟镀层经过220℃热处理、处理时间60秒,雾铟镀层重熔、重结晶,即得到具有银白色、明亮金属光泽的铟电镀层(本技术领域称之为“亮铟”,以下简称“亮铟”)。用测厚仪测定雾铟电镀层的厚度、用扫描电子显微镜(SEM)观察铟电镀层的表观形貌及覆盖率,铟电镀层附着力测试按照划格法(GB/T 9286-88)测试,并与对比实施例1比较。用原子吸收分光光度法测定了雾铟镀层的金属铟含量。测试结果:雾铟镀层厚度在约0.55~0.65μm范围,雾铟、亮铟金属表观形貌均匀、表面结构完整、覆盖率为100%(详见:说明书附图3A),而相应条件下的对比实施例3雾铟和亮铟镀层的表观形貌均匀性相对较低、表面结构不尽完整,存在明显的多种形状和不同大小的空洞、孔洞结构,且覆盖率较低,其覆盖率约为96%(详见:说明书附图3B);附着力测试结果表明,本发明所得到的铟镀层与基材或预镀层的附着力均在5B级;对比实施例的附着力均在4B级及以下。原子吸收分光光度法测定结果显示:雾铟镀层铟含量在99.91~99.96wt%(质量百分比)之间。
实施例四:
在45℃、搅拌条件下,用0.01M的H2SO4+0.01M甲基磺酸混合溶液,顺序加入、溶解如下物质至预设浓度:
即得到一种高效电镀铟电镀液。
在常规连续电镀工艺条件下,预处理步骤、应用本发明制备的铟电镀主液电镀铟,设置电镀工艺参数为温度:40℃、电流密度6A/dm2、电镀时间40秒,即“雾铟”,将雾铟镀层经过250℃热处理、处理时间100秒,雾铟镀层重熔、重结晶,即得到具有银白色、明亮金属光泽的铟电镀层(本技术领域称之为“亮铟”,以下简称“亮铟”)。用测厚仪测定雾铟电镀层的厚度、用扫描电子显微镜(SEM)观察铟电镀层的表观形貌及覆盖率,铟电镀层附着力测试按照划格法(GB/T9286-88)测试,并与对比实施例2比较。用原子吸收分光光度法测定了雾铟镀层的金属铟含量。测试结果:雾铟镀层厚度在约1.2~1.35μm范围,雾铟、亮铟金属表观形貌均匀、表面结构完整、覆盖率100%(详见:说明书附图4A),而相应条件下的对比实施例2雾铟和亮铟镀层的表观形貌均匀性相对较低、表面结构不尽完整,存在明显的多种形状和不同大小的空洞、孔洞结构,且覆盖率较低,其覆盖率约为93%(详见:说明书附图4B);附着力测试结果表明,本发明所得到的铟镀层与基材或预镀层的附着力均在5B级;对比实施例的附着力均在4B级(详见:说明书附图7)。原子吸收分光光度法测定结果显示:雾铟镀层铟含量在99.91~99.96wt%(质量百分比)之间。
实施例五:
在55℃、搅拌条件下,用0.025M的H2SO4+0.025M甲基磺酸混合溶液,顺序加入、溶解如下物质至预设浓度:
即得到一种高效电镀铟电镀液。
在常规连续电镀工艺条件下,预处理步骤、应用本发明制备的铟电镀主液电镀铟,设置电镀工艺参数为温度:50℃、电流密度15A/dm2、电镀时间30秒,即得“雾铟”镀层,将雾铟镀层经过285℃热处理、处理时间140秒,雾铟镀层重熔、重结晶,即得到具有银白色、明亮金属光泽的铟电镀层(本技术领域称之为“亮铟”,以下简称“亮铟”)。用测厚仪测定雾铟电镀层的厚度、用扫描电子显微镜(SEM)观察铟电镀层的表观形貌及覆盖率,铟电镀层附着力测试按照划格法(GB/T 9286-88)测试,并与对比实施例3比较。用原子吸收分光光度法测定了雾铟镀层的金属铟含量。测试结果:雾铟镀层厚度在约1.5~1.55μm范围,雾铟、亮铟金属表观形貌均匀、表面结构完整、覆盖率100%(详见:说明书附图5A),而相应条件下的对比实施例雾铟和亮铟镀层的表观形貌均匀性相对较低、表面结构不尽完整,存在明显的多种形状和不同大小的空洞、孔洞结构,且覆盖率较低,其覆盖率约为85%(详见:说明书附图5B);附着力测试结果表明,本发明所得到的铟镀层与基材或预镀层的附着力均在5B级;对比实施例的附着力均在4B级及以下。原子吸收分光光度法测定结果显示:雾铟镀层铟含量在99.91~99.96wt%(质量百分比)之间。
实施例六:
在65℃、搅拌条件下,用0.025M的H2SO4+0.075M甲基磺酸混合溶液,顺序加入、溶解如下物质至预设浓度:
即得到一种高效电镀铟电镀液。
在常规连续电镀工艺条件下,预处理步骤、应用本发明制备的铟电镀主液电镀铟,设置电镀工艺参数为温度:60℃、电流密度25A/dm2、电镀时间10秒,即得到“雾铟”镀层,将雾铟镀层经过320℃热处理、处理时间20秒,雾铟镀层重熔、重结晶,即得到具有银白色、明亮金属光泽的铟电镀层(本技术领域称之为“亮铟”,以下简称“亮铟”)。用测厚仪测定雾铟电镀层的厚度、用扫描电子显微镜(SEM)观察铟电镀层的表观形貌及覆盖率,铟电镀层附着力测试按照划格法(GB/T 9286-88)测试,并与对比实施例比较。用原子吸收分光光度法测定了雾铟镀层的金属铟含量。测试结果:雾铟镀层厚度在约2.01~2.15μm范围,雾铟、亮铟金属表观形貌均匀、表面结构完整、覆盖率都保持在100%(详见:说明书附图6),而相应条件下的对比实施例雾铟和亮铟镀层的表观形貌均匀性相对较低、表面结构不尽完整,存在明显的多种形状和不同大小的空洞、孔洞结构,且覆盖率较低,其覆盖率低于96%,最低只有85%;附着力测试结果表明,本发明所得到的铟镀层与基材或预镀层的附着力均在5B级;对比实施例的附着力均在3B级及以下。原子吸收分光光度法测定结果显示:雾铟镀层铟含量在99.91~99.96wt%(质量百分比)之间。
显然,上述所描述的实施例仅仅是本申请的部分实施例,而不是全部实施例。基于本申请中实施例中的铟电镀液的制备工艺步骤、各种化学试剂的系统、紧密配合、主要试剂(In、S、PA、PB、PC)、辅助试剂(FP、Df)以及相关添加剂(Qt、Ct1、Ct2、Ct3、Ct、BT、以及Df、W等)等的各种化学物质的综合、协同作用,使得本实施例仅为本申请的较佳实施例,本领域技术人员在没有付出创造性劳动的前提下,对个别或者部分制造步骤的改进、对主要试剂、辅助试剂以及相关添加剂等的化学组成中少数同类化学物质的替换、化学组成的调整所获得的其他同类实施例,都属于本申请的保护范围。
本发明的特定实施例,除了所示出并描述的那些元素以外,这些示例还可以包括其它元素。本发明人或者关于特定示例(或其一个或多个方面)或者关于此处所示或所述的其他示例(或其一个或多个方面),还预见了使用所示或所述元素的任意组合或排列的示例。
Claims (14)
1.一种高效铟电镀液,其特征在于:包括以下使用超纯水配制浓度的组份:铟源化合物:30~205g,酸S:0.001~0.1mol/L,配合剂PA:30~125g/L,配合剂PB:25~65g/L,配合剂PC:25~65g/L,辅配合剂FP:15~45g/L,添加剂BTA:0.5~5.0g/L,添加剂BTB:0.2~2.0g/L,极化剂Qt:0.2~1.25g/L,催化剂Ct1、Ct2、Ct3总含量:1~30μg/L,导电剂Df:5~30g/L,稳定剂W:0.2~10g/L。
2.一种高效铟电镀液的制备方法,其特征在于:所述具体步骤如下:
S1、20℃~65℃条件下,将30~205g铟源化合物用浓度为0.001~0.1mol/L的酸S搅拌溶解,得到溶液Z;
所述的铟源化合物In为硫酸铟In2(SO4)3、氯化铟InCl3、硝酸铟In(NO3)3、氢氧化铟In(OH)3、三氧化二铟In2O3中的一种或多种的混合物;
所述的酸S为硫酸H2SO4、高氯酸HClO4、甲基磺酸、乙基磺酸中的一种或多种的混合物,优选硫酸、高氯酸、甲基磺酸,最优选硫酸、甲基磺酸中的一种或两种的混合物。
S2、搅拌条件下,向每升主液Z中加入配合剂PA含量为30~125g/L,继续加入配合剂PB浓度为25~65g/L,继续加入配合剂PC浓度为25~65g/L,继续加入辅配合剂FP浓度为15~45g/L,继续搅拌至配合剂完全溶解,得配合物主液ZP;
所述配合剂PA为草酸OA、丙二酸MA、丁二酸SA中的一种或多种的混合物;
所述配合剂PB为2-巯基乙醇BME、3-巯基丙醇MPP、3-巯基-3-甲基丁醇MMB、对巯基苯酚PMP、对巯基-苯甲醇PMBA、对巯基-苯乙醇PMPE的一种或多种的混合物;
所述配合剂PC为2-巯基乙酸2-MAA、3-巯基丙酸3-MPA、2-巯基丁酸2-MBA、对巯基苯甲酸4-MBA、对巯基苯乙酸4-MTA、对巯基苯丙酸MPPA的一种或多种的混合物;
所述辅助配合剂FP为氯化物、氟化物、溴化物中的一种或多种的混合物;
S3、搅拌条件下,向第二步所得的配合物主液ZP中加入添加剂BTA含量为0.5~5.0g/L;继续搅拌,并加入添加剂BTB含量在0.2~2.0g/L范围,溶液继续标记为电镀主液ZPP;
所述添加剂BTA为十六烷基三甲基溴化铵CTAB、十二烷基硫酸钠SDS、十二烷基磺酸钠SBS一种或多种的混合物;所述的添加剂BTB为聚乙烯醇PVA、聚乙二醇PEG、十二烷基聚氧乙烯醚DPE一种或多种的混合物;
S4、搅拌条件下,向第三步所得的主液ZPP中加入去极化剂Qt含量为0.2~1.25g/L;继续搅拌,并加入催化剂Ct1、Ct2、Ct3总含量为1~30μg/L范围;
所述去极化添加剂Qt为碘化物、硫氰化合物、异硫氰根的一种或多种的混合物;
所述的催化添加剂Ct1为硫酸铜CuSO4、硝酸铜Cu(NO3)2、氯化铜CuCl2、醋酸铜Cu(Ac)2中的一种或多种;
所述的催化添加剂Ct2为硫酸锌ZnSO4、硝酸锌Zn(NO3)2、氯化锌ZnCl2、醋酸锌Zn(Ac)2中的一种或多种;
所述的催化添加剂Ct3为硫酸铈Ce2(SO4)3、硝酸铈Ce(NO3)3、氯化铈CeCl3、醋酸铈Ce(Ac)3中的一种或多种;
S5、搅拌条件下,向第四步所得的主液ZPP中加入导电剂Df含量5~30g/L,紧接着加入稳定剂W含量在0.2~10g/L;
所述的导电剂Df为硫酸盐、磷酸盐、硝酸盐中的一种或多种的混合物;
所述的稳定剂W为甲基磺酸盐、乙基磺酸盐、丙基磺酸盐中的一种或多种的混合物;
S6:调整主液ZPP的pH为0.8~3.6。
3.根据权利要求1所述的一种高效铟电镀液的制备方法,其特征在于:所述溴化物为KBr、NaBr、NH4Br中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种高效铟电镀液的制备方法,其特征在于:所述氯化物为KCl、NaCl、NH4Cl中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种高效铟电镀液的制备方法,其特征在于:所述氟化物为KF、NaF、NH4F中的一种。
6.根据权利要求1所述的一种高效铟电镀液的制备方法,其特征在于:所述的硫酸盐为Na2SO4、K2SO4、(NH4)2SO4中的一种。
7.根据权利要求1所述的一种高效铟电镀液的制备方法,其特征在于:所述的磷酸盐为Na3PO4、K3PO4、(NH4)3PO4中的一种。
8.根据权利要求1所述的一种高效铟电镀液的制备方法,其特征在于:所述的硝酸盐为NaNO3、KNO3、NH4NO3中的一种。
9.根据权利要求1所述的一种高效铟电镀液的制备方法,其特征在于:所述的甲基磺酸MSDS盐为甲基磺酸钠Na-MSDS、甲基磺酸钾K-MSDS、甲基磺酸铵NH4-MSDS中的一种或多种的混合物。
10.根据权利要求1所述的一种高效铟电镀液的制备方法,其特征在于:所述的乙基磺酸ESA盐为乙基磺酸钠Na-ESA、乙基磺酸钾K-ESA、乙基磺酸铵NH4-ESA中的一种或多种的混合物。
11.根据权利要求1所述的一种高效铟电镀液的制备方法,其特征在于:所述的丙基磺酸1-PSA盐为丙基磺酸钠、丙基磺酸钾K-1-PSA、丙基磺酸铵NH4-1-PSA中的一种或多种的混合物。
12.根据权利要求1所述的一种高效铟电镀液的制备方法,其特征在于:所述主液ZPP的pH为1.8~2.4。
13.根据权利要求1所述的一种高效铟电镀液的制备方法,其特征在于:所述主液ZPP的pH为2.0±0.1。
14.一种高效铟电镀液的应用,其特征在于:所述应用如下:
S1、预处理:在常规连续电镀工艺条件下,在常规连续电镀工艺条件下,即基材清洗、去油、去锈、清洗、活化、预电镀处理、预电镀镍工序等统称预处理过程;
S2、应用制备好的铟电镀液;
S3、雾铟:设置电镀工艺参数为:温度20℃~65℃、电流密度0.2~25A/dm2、pH值=0.8~3.6、电镀时间10秒~3分钟,即得到铟电镀层,即雾铟;
S4、亮铟:将雾铟镀层层经过160~320℃热处理,时间20秒~3分钟,雾铟镀层重熔、重结晶,即得到具有银白色、明亮金属光泽的铟电镀层,即亮铟。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310362967.3A CN116411322A (zh) | 2023-04-07 | 2023-04-07 | 一种高效铟电镀液的制备及应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310362967.3A CN116411322A (zh) | 2023-04-07 | 2023-04-07 | 一种高效铟电镀液的制备及应用 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116411322A true CN116411322A (zh) | 2023-07-11 |
Family
ID=87050925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310362967.3A Pending CN116411322A (zh) | 2023-04-07 | 2023-04-07 | 一种高效铟电镀液的制备及应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116411322A (zh) |
-
2023
- 2023-04-07 CN CN202310362967.3A patent/CN116411322A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Walsh et al. | A review of developments in the electrodeposition of tin-copper alloys | |
Goh et al. | Effects of hydroquinone and gelatin on the electrodeposition of Sn–Bi low temperature Pb-free solder | |
Zhang | Tin and tin alloys for lead-free solder | |
EP0021774B1 (en) | Photovoltaic cells and a method of making such cells | |
JP2010505045A (ja) | 効率的なガリウム薄膜電気めっき方法及び化学 | |
WO2000041518A2 (en) | Electrodeposition chemistry for filling of apertures with reflective metal | |
JP2009500527A (ja) | スズ・ウィスカ成長を最小化する特性又は特徴を有するスズの電着 | |
US9076657B2 (en) | Electrochemical etching of semiconductors | |
TWI575118B (zh) | 於ph敏感應用之金屬鍍覆 | |
CA2023871C (en) | Electrodeposition of palladium films | |
CN108441902B (zh) | 基于生物碱复合配位的一价金无氰镀金电镀液及其应用 | |
CN113026068B (zh) | 一种应用于晶圆先进封装领域的无氰化学镀金溶液及其镀金工艺 | |
US20090188808A1 (en) | Indium electroplating baths for thin layer deposition | |
Rajamani et al. | Electrodeposition of tin-bismuth alloys: Additives, morphologies and compositions | |
Kashiwa et al. | Effects of electrolyte composition and additives on the formation of invar Fe–Ni alloys with low thermal expansion electrodeposited from sulfate bath | |
JPH0613758B2 (ja) | 電気アルミニウムめっき方法 | |
Ding et al. | Effects of four N-based additives on imitation gold plating | |
CN116411322A (zh) | 一种高效铟电镀液的制备及应用 | |
Balaji et al. | Methanesulphonic acid in electroplating related metal finishing industries | |
Ishizaki et al. | Electrodeposition of ZnTe film with high current efficiency at low overpotential from a citric acid bath | |
TWI490376B (zh) | 高速銅鍍敷之方法 | |
CN108360029A (zh) | 通过将锡与金掺杂减轻锡和镀锡表面上的锡须生长的方法和装置 | |
Ishizaki et al. | Effect of pH on the electrodeposition of ZnTe film from a citric acid solution | |
Jordan | Electrodeposition of lead and lead alloys | |
CN112941577B (zh) | 一种含光亮剂的离子液体镀铝液及光亮铝镀层的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |