CN116405002B - 滤波器结构调控方法、装置和滤波器 - Google Patents
滤波器结构调控方法、装置和滤波器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116405002B CN116405002B CN202310199046.XA CN202310199046A CN116405002B CN 116405002 B CN116405002 B CN 116405002B CN 202310199046 A CN202310199046 A CN 202310199046A CN 116405002 B CN116405002 B CN 116405002B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- compensation layer
- temperature compensation
- interdigital electrode
- optimal
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 177
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 163
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 129
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 89
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 89
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 89
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 49
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims abstract description 44
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 70
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 7
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/40—Arrangements for reducing harmonics
Abstract
本申请涉及滤波器领域，提供一种滤波器结构调控方法、装置和滤波器。所述方法包括：根据温度补偿层厚度变化引发的频率温度系数变化，确定最佳温度补偿层厚度；根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型；根据所述最佳温度补偿层厚度和所述最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控。本申请实施例提供的滤波器结构调控方法、装置和滤波器可以使得滤波器的机电耦合系数为2.5％到3％，同时频率温度系数为‑20ppm/℃到20ppm/℃，从而使得滤波器有效带宽满足需求，同时使得滤波器的相对带宽为0.5％到1％，提高窄带通信质量。
Description
技术领域
本申请涉及滤波器技术领域，具体涉及一种滤波器结构调控方法、装置和滤波器。
背景技术
在保密通信中，为保证信号不易被侦察且具有高保密性，通常需要在非常窄的通信带宽内实现信号发送和接收，由于窄带的信号能量可以很高，宽频的干扰无法掩盖窄带信号的传输，因而具有很强的抗干扰能力，同时由于信号在极窄的带宽范围内，很难通过扫频的方式对信号快速定位、截获和破解，即使可以暂时截获，但窄带信号可以迅速在其他的极窄通信频段内切换，因而难以被真正截获。因此，窄带通信对通信系统来说至关重要，而满足一定相对带宽和有效带宽的滤波器是窄带通信的核心关键元器件。
此外，随着移动通信技术的不断发展，射频前端作为移动通信的核心组件，其对满足一定相对带宽和有效带宽的滤波器的需求也日益增长。
但滤波器由于受温度影响会导致频率温度系数发生变化，进而产生带宽漂移，影响有效带宽大小，同时，滤波器的机电耦合系数变化，会影响相对带宽大小。在实际使用时，要使窄带通信质量达到较好的效果，滤波器的相对带宽和有效带宽均需满足一定的要求，因此也需要频率温度系数和机电耦合系数满足一定的要求，但传统滤波器仅采用单晶结构，对单晶结构的调控会使滤波器的频率温度系数和机电耦合系数同步变化，两者相互影响使滤波器的有效带宽和相对带宽无法同时满足需求，进而影响窄带通信质量。
发明内容
本申请实施例提供一种滤波器结构调控方法、装置和滤波器，用以解决传统滤波器为单晶材料，其频率温度系数和机电耦合系数是同步变化的，两者相互影响使滤波器的有效带宽和相对带宽无法同时满足需求，进而影响窄带通信质量的技术问题。
第一方面，本申请实施例提供一种滤波器结构调控方法，包括：
根据温度补偿层厚度变化引发的频率温度系数变化，确定最佳温度补偿层厚度；所述最佳温度补偿层厚度是所述频率温度系数为-20ppm/℃到20ppm/℃时的温度补偿层厚度；
根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型；所述最佳压电单晶衬底切型是所述机电耦合系数为2.5％到3％时的压电单晶衬底切型；
根据所述最佳温度补偿层厚度和所述最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控。
在一个实施例中，所述根据温度补偿层厚度变化引发的频率温度系数变化，确定最佳温度补偿层厚度，包括：
若温度补偿层厚度变化引发谐振频率温度系数和反谐振频率温度系数均在-20ppm/℃到20ppm/℃的范围内变化，则确定此时温度补偿层厚度变化范围内的温度补偿层厚度为最佳温度补偿层厚度。
在一个实施例中，所述根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型，包括：
根据压电单晶衬底切型为Y切，欧拉角在(0°，0°～180°，0°)范围内变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型。
在一个实施例中，所述根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型，包括：
根据压电单晶衬底切型为X切，欧拉角在(90°，90°，80°～160°)范围内变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型。
在一个实施例中，所述根据所述最佳温度补偿层厚度和所述最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控之后，包括：
根据叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化引发的谐振品质因数变化，确定第一叉指电极厚度和第一叉指电极金属化比；所述第一叉指电极厚度和所述第一叉指电极金属化比为所述谐振品质因数取第一最大值时对应的叉指电极厚度和叉指电极金属化比，所述第一最大值为所述谐振品质因数的变化范围内的最大值；
根据所述第一叉指电极厚度和所述第一叉指电极金属化比，对滤波器的叉指电极进行调控。
在一个实施例中，所述根据所述最佳温度补偿层厚度和所述最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控之后，包括：
根据叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化引发的反谐振品质因数变化，确定第二叉指电极厚度和第二叉指电极金属化比；所述第二叉指电极厚度和所述第二叉指电极金属化比为所述反谐振品质因数取第二最大值时对应的叉指电极厚度和叉指电极金属化比，所述第二最大值为所述反谐振品质因数的变化范围内的最大值；
根据所述第二叉指电极厚度和所述第二叉指电极金属化比，对滤波器的叉指电极进行调控。
在一个实施例中，所述对滤波器的叉指电极进行调控之后，包括：
利用Piston结构对滤波器的叉指电极进行调控，以提升谐振品质因数和反谐振品质因数。
第二方面，本申请实施例提供一种滤波器结构调控装置，包括：
最佳温度补偿层厚度确定模块，用于：根据温度补偿层厚度变化引发的频率温度系数变化，确定最佳温度补偿层厚度；所述最佳温度补偿层厚度是所述频率温度系数为-20ppm/℃到20ppm/℃时的温度补偿层厚度；
最佳压电单晶衬底切型确定模块，用于：根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型；所述最佳压电单晶衬底切型是所述机电耦合系数为2.5％到3％时的压电单晶衬底切型；
滤波器结构调控模块，用于：根据所述最佳温度补偿层厚度和所述最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控。
第三方面，本申请实施例提供一种滤波器，采用第一方面所述的滤波器结构调控方法得到，包括：温度补偿层、压电单晶衬底和叉指电极；
所述温度补偿层生长在所述压电单晶衬底上，所述叉指电极埋入所述温度补偿层内。
在一个实施例中，所述温度补偿层的材料为二氧化硅，所述压电单晶衬底的材料为钽酸锂，所述叉指电极的材料为铝、铜、铂、金和钼中的一种；
所述温度补偿层的厚度大于波长的0.2倍，所述波长为所述叉指电极激发的声表面波波长；
所述压电单晶衬底的切型为Y切，欧拉角为(0°，120°～135°，0°)或X切，欧拉角为(90°，90°，110°～125°)；
所述叉指电极的厚度为所述波长的0.04倍或0.05倍，所述叉指电极的金属化比为0.45。
本申请提供的滤波器结构调控方法、装置和滤波器，根据温度补偿层厚度变化引发的频率温度系数变化，确定最佳温度补偿层厚度，根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型，根据最佳温度补偿层厚度和最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控。本申请由于采用了温度补偿层与压电单晶衬底的复合结构，且最佳温度补偿层厚度是频率温度系数为-20ppm/℃到20ppm/℃时的温度补偿层厚度，最佳压电单晶衬底切型是机电耦合系数为2.5％到3％时的压电单晶衬底切型，因此，能够通过分别调控温度补偿层厚度和压电单晶衬底切型，将频率温度系数变化和机电耦合系数变化分离开，避免两者同时变化产生的相互干扰，实现将温度补偿层厚度调控为最佳温度补偿层厚度，将压电单晶衬底切型调控为最佳压电单晶衬底切型，使得滤波器的机电耦合系数为2.5％到3％，同时频率温度系数为-20ppm/℃到20ppm/℃，从而使得滤波器有效带宽满足需求，同时使得滤波器的相对带宽为0.5％到1％，提高窄带通信质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的滤波器结构调控方法的流程示意图；
图2是本申请实施例提供的温度补偿层厚度变化引发的频率温度系数变化示意图；
图3是本申请实施例提供的压电单晶衬底切型为Y切时欧拉角的进动角变化引发的机电耦合系数变化示意图；
图4是本申请实施例提供的压电单晶衬底切型为X切时欧拉角的自转角变化引发的机电耦合系数变化示意图；
图5是本申请实施例提供的叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化引发的谐振品质因数变化示意图；
图6是本申请实施例提供的叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化引发的反谐振品质因数变化示意图；
图7是本申请实施例提供的叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化引发的机电耦合系数变化示意图；
图8是本申请实施例提供的Piston结构引发的谐振品质因数变化示意图；
图9是本申请实施例提供的Piston结构引发的反谐振品质因数变化示意图；
图10是本申请实施例提供的滤波器结构调控装置的结构示意图；
图11是本申请实施例提供的滤波器结构示意图之一；
图12是本申请实施例提供的滤波器结构示意图之二；
图13是本申请实施例提供的增加了Piston结构的叉指电极结构示意图；
图14是本申请实施例提供的滤波器的滤波仿真结果示意图。
附图标记：
1-温度补偿层；2-压电单晶衬底；3-叉指电极；4-Piston结构。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
图1是本申请实施例提供的滤波器结构调控方法的流程示意图。参照图1，本申请实施例提供一种滤波器结构调控方法，可以包括：
101、根据温度补偿层厚度变化引发的频率温度系数变化，确定最佳温度补偿层厚度；
最佳温度补偿层厚度是频率温度系数为-20ppm/℃到20ppm/℃时的温度补偿层厚度；
102、根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型；
最佳压电单晶衬底切型是机电耦合系数为2.5％到3％时的压电单晶衬底切型；
103、根据最佳温度补偿层厚度和最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控。
步骤101中，由于最佳温度补偿层厚度是频率温度系数为-20ppm/℃到20ppm/℃时的温度补偿层厚度，因此最佳温度补偿层厚度也是一个取值范围。
步骤102中，由于最佳压电单晶衬底切型是机电耦合系数为2.5％到3％时的压电单晶衬底切型，因此最佳压电单晶衬底切型中的欧拉角也是X切时的欧拉角的一个取值范围，或Y切时的欧拉角的一个取值范围，或Z切时的欧拉角的一个取值范围。
步骤103中，即将温度补偿层厚度控制在最佳温度补偿层厚度取值范围内，将压电单晶衬底切型中的欧拉角控制在最佳压电单晶衬底切型为X切时的欧拉角的取值范围内，或最佳压电单晶衬底切型为Y切时的欧拉角的取值范围内，或最佳压电单晶衬底切型为Z切时的欧拉角的取值范围内。
在极端温度下，由于滤波器频率的漂移，干扰信号会出现在通带附近，导致通信质量变差，因此为保证装备在强干扰、宽温范围内有效通信，通常使用窄带温度补偿型滤波器。
通常窄带温度补偿型滤波器的机电耦合系数在0.6％左右，可实现相对带宽为0.2％到0.3％，但其频率温度系数为-30ppm/℃到-20ppm/℃，由于频率温度系数区间过窄，使得该区间内的实际带宽过小，在产生带宽漂移的情况下，导致有效带宽过小。
当相对带宽为0.5％到1％时，窄带通信质量可有效提高，但这需要滤波器的机电耦合系数为2.5％到3％，同时，要使有效带宽得以增大，需要频率温度系数在-20ppm/℃到20ppm/℃之间，以增大频率温度系数区间。但传统单晶结构的滤波器的机电耦合系数和频率温度系数是同步变化的，难以同时保证机电耦合系数为2.5％到3％以及频率温度系数为-20ppm/℃到20ppm/℃，而对于窄带温度补偿型滤波器来说，由于其是包括温度补偿层和压电单晶衬底的复合结构，因此可以通过分别调控温度补偿层和压电单晶衬底实现机电耦合系数和频率温度系数的分离调控，避免机电耦合系数和频率温度系数两者联动变化，从而将机电耦合系数和频率温度系数均调控至预设的范围内。
需要说明的是，滤波器的相对带宽为实际带宽与中心频率的比值，滤波器的有效带宽为实际带宽与带宽漂移的差值绝对值。
本实施例提供的滤波器结构调控方法，根据温度补偿层厚度变化引发的频率温度系数变化，确定最佳温度补偿层厚度，根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型，根据最佳温度补偿层厚度和最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控。本实施例由于采用了温度补偿层与压电单晶衬底的复合结构，且最佳温度补偿层厚度是频率温度系数为-20ppm/℃到20ppm/℃时的温度补偿层厚度，最佳压电单晶衬底切型是机电耦合系数为2.5％到3％时的压电单晶衬底切型，因此，能够通过分别调控温度补偿层厚度和压电单晶衬底切型，将频率温度系数变化和机电耦合系数变化分离开，避免两者同时变化产生的相互干扰，实现将温度补偿层厚度调控为最佳温度补偿层厚度，将压电单晶衬底切型调控为最佳压电单晶衬底切型，使得滤波器的机电耦合系数为2.5％到3％，同时频率温度系数为-20ppm/℃到20ppm/℃，从而使得滤波器有效带宽满足需求，同时使得滤波器的相对带宽为0.5％到1％，提高窄带通信质量。
图2是本申请实施例提供的温度补偿层厚度变化引发的频率温度系数变化示意图。参照图2，在一个实施例中，根据温度补偿层厚度变化引发的频率温度系数变化，确定最佳温度补偿层厚度，可以包括：
若温度补偿层厚度变化引发谐振频率温度系数和反谐振频率温度系数均在-20ppm/℃到20ppm/℃的范围内变化，则确定此时温度补偿层厚度变化范围内的温度补偿层厚度为最佳温度补偿层厚度。
需要说明的是，该温度补偿层的材料此处不作限定，本实施例中，该温度补偿层的材料可以为二氧化硅，该二氧化硅材料可以通过物理气相沉积法进行溅射或化学气相沉积法进行生长。
参照图2，当温度补偿层厚度大于波长的0.2倍时，谐振频率温度系数和反谐振频率温度系数均在-20ppm/℃到20ppm/℃的范围内变化，因此，可以确定最佳温度补偿层厚度大于波长的0.2倍，其中，波长为滤波器的叉指电极激发的声表面波波长。
本实施例根据温度补偿层厚度变化引发的谐振频率温度系数变化和反谐振频率温度系数变化，确定温度补偿层厚度大于波长的0.2倍时，谐振频率温度系数和反谐振频率温度系数均在-20ppm/℃到20ppm/℃的范围内变化，有助于后续通过将温度补偿层厚度调控为大于波长的0.2倍，使得频率温度系数为-20ppm/℃到20ppm/℃。
图3是本申请实施例提供的压电单晶衬底切型为Y切时欧拉角的进动角变化引发的机电耦合系数变化示意图。参照图3，在一个实施例中，根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型，可以包括：
根据压电单晶衬底切型为Y切，欧拉角在(0°，0°～180°，0°)范围内变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型。
需要说明的是，该压电单晶衬底的材料此处不作限定，本实施例中，该压电单晶衬底的材料可以为钽酸锂，该钽酸锂材料的厚度可以为波长的30倍以上。
参照图3，在二氧化硅温度补偿层厚度大于波长的0.2倍的情况下，当压电单晶衬底切型为Y切，欧拉角在(0°，120°～135°，0°)范围内时，机电耦合系数能够控制在2.5％到3％，因此，可以确定最佳压电单晶衬底切型为Y切，欧拉角在(0°，120°～135°，0°)范围内。
本实施例根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定压电单晶衬底切型为Y切，欧拉角在(0°，120°～135°，0°)范围内时，机电耦合系数为2.5％到3％，有助于后续通过将压电单晶衬底切型调控为Y切，欧拉角在(0°，120°～135°，0°)范围内，以此将机电耦合系数控制在2.5％到3％。
图4是本申请实施例提供的压电单晶衬底切型为X切时欧拉角的自转角变化引发的机电耦合系数变化示意图。参照图4，在一个实施例中，根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型，可以包括：
根据压电单晶衬底切型为X切，欧拉角在(90°，90°，80°～160°)范围内变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型。
参照图4，在二氧化硅温度补偿层厚度大于波长的0.2倍的情况下，当压电单晶衬底切型为X切，欧拉角在(90°，90°，110°～125°)范围内时，机电耦合系数能够控制在2.5％到3％，因此，可以确定最佳压电单晶衬底切型为X切，欧拉角在(90°，90°，110°～125°)范围内。
本实施例根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定压电单晶衬底切型为X切，欧拉角在(90°，90°，110°～125°)范围内时，机电耦合系数为2.5％到3％，有助于后续通过将压电单晶衬底切型调控为X切，欧拉角在(90°，90°，110°～125°)范围内，以此将机电耦合系数控制在2.5％到3％。
图5是本申请实施例提供的叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化引发的谐振品质因数变化示意图。参照图5，在一个实施例中，根据最佳温度补偿层厚度和最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控之后，可以包括：
根据叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化引发的谐振品质因数变化，确定第一叉指电极厚度和第一叉指电极金属化比，根据第一叉指电极厚度和第一叉指电极金属化比，对滤波器的叉指电极进行调控。
第一叉指电极厚度和第一叉指电极金属化比为谐振品质因数取第一最大值时对应的叉指电极厚度和叉指电极金属化比，第一最大值为谐振品质因数的变化范围内的最大值。
需要说明的是，该叉指电极的材料此处不作限定，可以为铝、铜、铂、金和钼中的一种，本实施例中，该叉指电极的材料可以为铜。
参照图5，在二氧化硅温度补偿层厚度大于波长的0.2倍，压电单晶衬底切型为X切，欧拉角为(90°，90°，112°)的情况下，当叉指电极厚度为波长的0.03倍到0.06倍、叉指电极金属化比为0.3到0.55时，谐振品质因数先增大后减小，但总体维持在620到740之间，基本满足了对谐振品质因数的要求，当谐振品质因数为734时达到最大值，此时滤波器的谐振器串联谐振能量损耗最小，因此，可以确定第一叉指电极厚度为谐振品质因数等于734时的叉指电极厚度，即为波长的0.04倍，第一叉指电极金属化比为谐振品质因数等于734时的叉指电极金属化比，即为0.45。
本实施例根据叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化引发的谐振品质因数变化，确定叉指电极厚度为波长的0.04倍，叉指电极金属化为0.45时，谐振品质因数达到最大数值734，有助于后续通过将叉指电极厚度调控为波长的0.04倍，将叉指电极金属化比调控为0.45，以此将谐振品质因数调控至最大值。
图6是本申请实施例提供的叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化引发的反谐振品质因数变化示意图。参照图6，在一个实施例中，根据最佳温度补偿层厚度和最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控之后，可以包括：
根据叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化引发的反谐振品质因数变化，确定第二叉指电极厚度和第二叉指电极金属化比，根据第二叉指电极厚度和第二叉指电极金属化比，对滤波器的叉指电极进行调控。
第二叉指电极厚度和第二叉指电极金属化比为反谐振品质因数取第二最大值时对应的叉指电极厚度和叉指电极金属化比，第二最大值为反谐振品质因数的变化范围内的最大值。
参照图6，在二氧化硅温度补偿层厚度大于波长的0.2倍，压电单晶衬底切型为X切，欧拉角为(90°，90°，112°)的情况下，当叉指电极厚度为波长的0.03倍到0.06倍、叉指电极金属化比为0.3到0.55时，反谐振品质因数先增大后减小，但总体维持在500到750之间，基本满足了对反谐振品质因数的要求，当反谐振品质因数为716时达到最大值，此时滤波器的谐振器并联谐振能量损耗最小，因此，可以确定第二叉指电极厚度为反谐振品质因数等于716时的叉指电极厚度，即为波长的0.05倍，第二叉指电极金属化比为反谐振品质因数等于716时的叉指电极金属化比，即为0.45。
本实施例根据叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化引发的反谐振品质因数变化，确定叉指电极厚度为波长的0.05倍，叉指电极金属化比为0.45时，反谐振品质因数达到最大数值716，有助于后续通过将叉指电极厚度调控为波长的0.05倍，将叉指电极金属化比调控为0.45，以此将反谐振品质因数调控至最大值。
图7是本申请实施例提供的叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化引发的机电耦合系数变化示意图。参照图7，在一个实施例中，叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化对机电耦合系数的影响具体如下：
在二氧化硅温度补偿层厚度大于波长的0.2倍，压电单晶衬底切型为X切，欧拉角为(90°，90°，112°)的情况下，随着叉指电极厚度的增大，机电耦合系数逐渐增大，当叉指电极厚度为波长的0.04倍，叉指电极金属化为0.45时，机电耦合系数为4％，当叉指电极厚度为波长的0.05倍，叉指电极金属化为0.45时，机电耦合系数为4.2％，虽然机电耦合系数不为2.5％到3％，但也基本满足了窄带滤波器对机电耦合系数的要求，在主要考虑谐振品质因数和反谐振品质因数的情况下，机电耦合系数可以适当增加。
本实施例通过叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化引发的机电耦合系数变化，能够确定在根据第一叉指电极厚度和第一叉指电极金属化比，对滤波器的叉指电极进行调控，或根据第二叉指电极厚度和第二叉指电极金属化比，对滤波器的叉指电极进行调控时，并不会对机电耦合系数变化造成重大影响。
图8是本申请实施例提供的Piston结构引发的谐振品质因数变化示意图；
图9是本申请实施例提供的Piston结构引发的反谐振品质因数变化示意图。
参照图5-图6，以及图8-图9，在一个实施例中，对滤波器的叉指电极进行调控之后，可以包括：
利用Piston结构对滤波器的叉指电极进行调控，以提升谐振品质因数和反谐振品质因数。
Piston结构为活塞结构，即在叉指电极的两端进行加厚处理。
参照图5和图8，在二氧化硅温度补偿层厚度大于波长的0.2倍，压电单晶衬底切型为X切，欧拉角为(90°，90°，112°)，且图5中的叉指电极厚度与图8中的叉指电极厚度处于同等变化范围内、图5中的叉指电极金属化比与图8中的叉指电极金属化比处于同等变化范围内的情况下，增加Piston结构后，谐振品质因数整体由图5中的627到734，增加至图8中的1255到1469，即Piston结构使得谐振品质因数大幅提升。
参照图6和图9，在二氧化硅温度补偿层厚度大于波长的0.2倍，压电单晶衬底切型为X切，欧拉角为(90°，90°，112°)，且图6中的叉指电极厚度与图9中的叉指电极厚度处于同等变化范围内、图6中的叉指电极金属化比与图9中的叉指电极金属化比处于同等变化范围内的情况下，增加Piston结构后，反谐振品质因数整体由图6中的509到716，增加至图9中的1017到1432，即Piston结构使得反谐振品质因数大幅提升。
本实施例通过增加Piston结构，能够使得谐振品质因数和反谐振品质因数大幅提升。
下面对本申请实施例提供的滤波器结构调控装置进行描述，下文描述的滤波器结构调控装置与上文描述的滤波器结构调控方法可相互对应参照。
图10是本申请实施例提供的滤波器结构调控装置的结构示意图。参照图10，本申请实施例提供一种滤波器结构调控装置，可以包括：
最佳温度补偿层厚度确定模块1001，用于：根据温度补偿层厚度变化引发的频率温度系数变化，确定最佳温度补偿层厚度；所述最佳温度补偿层厚度是所述频率温度系数为-20ppm/℃到20ppm/℃时的温度补偿层厚度；
最佳压电单晶衬底切型确定模块1002，用于：根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型；所述最佳压电单晶衬底切型是所述机电耦合系数为2.5％到3％时的压电单晶衬底切型；
滤波器结构调控模块1003，用于：根据所述最佳温度补偿层厚度和所述最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控。
本实施例提供的滤波器结构调控装置，根据温度补偿层厚度变化引发的频率温度系数变化，确定最佳温度补偿层厚度，根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型，根据最佳温度补偿层厚度和最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控。本实施例由于采用了温度补偿层与压电单晶衬底的复合结构，且最佳温度补偿层厚度是频率温度系数为-20ppm/℃到20ppm/℃时的温度补偿层厚度，最佳压电单晶衬底切型是机电耦合系数为2.5％到3％时的压电单晶衬底切型，因此，能够通过分别调控温度补偿层厚度和压电单晶衬底切型，将频率温度系数变化和机电耦合系数变化分离开，避免两者同时变化产生的相互干扰，实现将温度补偿层厚度调控为最佳温度补偿层厚度，将压电单晶衬底切型调控为最佳压电单晶衬底切型，使得滤波器的机电耦合系数为2.5％到3％，同时频率温度系数为-20ppm/℃到20ppm/℃，从而使得滤波器有效带宽满足需求，同时使得滤波器的相对带宽为0.5％到1％，提高窄带通信质量。
在一个实施例中，最佳温度补偿层厚度确定模块1001具体用于：
若温度补偿层厚度变化引发谐振频率温度系数和反谐振频率温度系数均在-20ppm/℃到20ppm/℃的范围内变化，则确定此时温度补偿层厚度变化范围内的温度补偿层厚度为最佳温度补偿层厚度。
在一个实施例中，最佳压电单晶衬底切型确定模块1002具体用于：
根据压电单晶衬底切型为Y切，欧拉角在(0°，0°～180°，0°)范围内变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型。
在一个实施例中，最佳压电单晶衬底切型确定模块1002具体用于：
根据压电单晶衬底切型为X切，欧拉角在(90°，90°，80°～160°)范围内变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型。
在一个实施例中，还包括叉指电极调控模块(图中未示出)，用于：
根据叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化引发的谐振品质因数变化，确定第一叉指电极厚度和第一叉指电极金属化比；所述第一叉指电极厚度和所述第一叉指电极金属化比为所述谐振品质因数取第一最大值时对应的叉指电极厚度和叉指电极金属化比，所述第一最大值为所述谐振品质因数的变化范围内的最大值；
根据所述第一叉指电极厚度和所述第一叉指电极金属化比，对滤波器的叉指电极进行调控。
在一个实施例中，叉指电极调控模块，用于：
根据叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化引发的反谐振品质因数变化，确定第二叉指电极厚度和第二叉指电极金属化比；所述第二叉指电极厚度和所述第二叉指电极金属化比为所述反谐振品质因数取第二最大值时对应的叉指电极厚度和叉指电极金属化比，所述第二最大值为所述反谐振品质因数的变化范围内的最大值；
根据所述第二叉指电极厚度和所述第二叉指电极金属化比，对滤波器的叉指电极进行调控。
在一个实施例中，叉指电极调控模块，用于：
利用Piston结构对滤波器的叉指电极进行调控，以提升谐振品质因数和反谐振品质因数。
下面对本申请实施例提供的滤波器进行描述，下文描述的滤波器与上文描述的滤波器结构调控方法和滤波器结构调控装置可相互对应参照。
图11是本申请实施例提供的滤波器结构示意图之一；
图12是本申请实施例提供的滤波器结构示意图之二；
参照图11-图12，本申请实施例提供一种滤波器，采用前述滤波器结构调控方法得到，可以包括：温度补偿层1、压电单晶衬底2和叉指电极3；
温度补偿层1生长在压电单晶衬底2上，叉指电极3埋入温度补偿层1内；
温度补偿层1的材料为二氧化硅，压电单晶衬底2的材料为钽酸锂，叉指电极3的材料为铝、铜、铂、金和钼中的一种；
温度补偿层1的厚度大于波长的0.2倍，波长为叉指电极3激发的声表面波波长；
压电单晶衬底2的切型为Y切，欧拉角为(0°，120°～135°，0°)或X切，欧拉角为(90°，90°，110°～125°)；
叉指电极3的厚度为波长的0.04倍或0.05倍，叉指电极3的金属化比为0.45。
需要说明的是，温度补偿层1的材料、压电单晶衬底2的材料和叉指电极3的材料此处不作限定，本实施例中，温度补偿层1的材料为二氧化硅，且其表面可以是平坦的，如图11所示，也可以是不平坦的，如图12所示，压电单晶衬底2的材料为钽酸锂，叉指电极3的材料为铜。
本实施例通过温度补偿层、压电单晶衬底和叉指电极的相关参数设定，能够得到频率温度系数、机电耦合系数、谐振品质因数和反谐振品质因数综合优化的窄带低损耗滤波器。
图13是本申请实施例提供的增加了Piston结构的叉指电极结构示意图。参照图13，在一个实施例中，可以通过Piston结构4调控叉指电极，使得滤波器谐振品质因数和反谐振品质因数进一步提高。
图14是本申请实施例提供的滤波器的滤波仿真结果示意图。参照图14，在一个实施例中，滤波器的温度补偿层的厚度大于波长的0.2倍、压电单晶衬底的切型为X切，欧拉角为(90°，90°，112°)，满足谐振频率温度系数和反谐振频率温度系数均在-20ppm/℃到20ppm/℃的范围内变化，机电耦合系数为2.5％到3％，因而滤波器的相对带宽能够控制在0.5％到1％，图14中的纵坐标为本实施例滤波器上声表面波的正向传输系数，该系数的峰值越大说明声表面波的激发强度越大，该仿真结果显示，在滤波器频率为576兆赫到584兆赫，即有效带宽为8兆赫时，滤波器上声表面波激发强度显著，说明本实施例滤波器的窄带通信有效。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (9)
1.一种滤波器结构调控方法，其特征在于，包括：
根据温度补偿层厚度变化引发的频率温度系数变化，确定最佳温度补偿层厚度；所述最佳温度补偿层厚度是所述频率温度系数为-20ppm/℃到20ppm/℃时的温度补偿层厚度；
根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型；所述最佳压电单晶衬底切型是所述机电耦合系数为2.5％到3％时的压电单晶衬底切型；
根据所述最佳温度补偿层厚度和所述最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控，以使所述滤波器有效带宽满足需求，且相对带宽为0.5％至1％；
所述根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型，包括：
根据压电单晶衬底切型为X切，欧拉角在(90°，90°，80°～160°)范围内变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型；
所述根据所述最佳温度补偿层厚度和所述最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控之后，包括：
根据叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化引发的反谐振品质因数变化，确定第二叉指电极厚度和第二叉指电极金属化比；所述第二叉指电极厚度和所述第二叉指电极金属化比为所述反谐振品质因数取第二最大值时对应的叉指电极厚度和叉指电极金属化比，所述第二最大值为所述反谐振品质因数的变化范围内的最大值；
根据所述第二叉指电极厚度和所述第二叉指电极金属化比，对滤波器的叉指电极进行调控。
2.根据权利要求1所述的滤波器结构调控方法，其特征在于，所述根据温度补偿层厚度变化引发的频率温度系数变化，确定最佳温度补偿层厚度，包括：
若温度补偿层厚度变化引发谐振频率温度系数和反谐振频率温度系数均在-20ppm/℃到20ppm/℃的范围内变化，则确定此时温度补偿层厚度变化范围内的温度补偿层厚度为最佳温度补偿层厚度。
3.根据权利要求1所述的滤波器结构调控方法，其特征在于，所述对滤波器的叉指电极进行调控之后，包括：
利用Piston结构对滤波器的叉指电极进行调控，以提升谐振品质因数和反谐振品质因数。
4.一种滤波器结构调控方法，其特征在于，包括：
根据温度补偿层厚度变化引发的频率温度系数变化，确定最佳温度补偿层厚度；所述最佳温度补偿层厚度是所述频率温度系数为-20ppm/℃到20ppm/℃时的温度补偿层厚度；
根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型；所述最佳压电单晶衬底切型是所述机电耦合系数为2.5％到3％时的压电单晶衬底切型；
根据所述最佳温度补偿层厚度和所述最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控，以使所述滤波器有效带宽满足需求，且相对带宽为0.5％至1％；
所述根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型，包括：
根据压电单晶衬底切型为Y切，欧拉角在(0°，0°～180°，0°)范围内变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型。
5.一种滤波器结构调控方法，其特征在于，包括：
根据温度补偿层厚度变化引发的频率温度系数变化，确定最佳温度补偿层厚度；所述最佳温度补偿层厚度是所述频率温度系数为-20ppm/℃到20ppm/℃时的温度补偿层厚度；
根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型；所述最佳压电单晶衬底切型是所述机电耦合系数为2.5％到3％时的压电单晶衬底切型；
根据所述最佳温度补偿层厚度和所述最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控，以使所述滤波器有效带宽满足需求，且相对带宽为0.5％至1％；
所述根据所述最佳温度补偿层厚度和所述最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控之后，包括：
根据叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化引发的谐振品质因数变化，确定第一叉指电极厚度和第一叉指电极金属化比；所述第一叉指电极厚度和所述第一叉指电极金属化比为所述谐振品质因数取第一最大值时对应的叉指电极厚度和叉指电极金属化比，所述第一最大值为所述谐振品质因数的变化范围内的最大值；
根据所述第一叉指电极厚度和所述第一叉指电极金属化比，对滤波器的叉指电极进行调控。
6.根据权利要求5所述的滤波器结构调控方法，其特征在于，所述对滤波器的叉指电极进行调控之后，包括：
利用Piston结构对滤波器的叉指电极进行调控，以提升谐振品质因数和反谐振品质因数。
7.一种滤波器结构调控装置，其特征在于，包括：
最佳温度补偿层厚度确定模块，用于：根据温度补偿层厚度变化引发的频率温度系数变化，确定最佳温度补偿层厚度；所述最佳温度补偿层厚度是所述频率温度系数为-20ppm/℃到20ppm/℃时的温度补偿层厚度；
最佳压电单晶衬底切型确定模块，用于：根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型；所述最佳压电单晶衬底切型是所述机电耦合系数为2.5％到3％时的压电单晶衬底切型；
滤波器结构调控模块，用于：根据所述最佳温度补偿层厚度和所述最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控，以使所述滤波器有效带宽满足需求，且相对带宽为0.5％至1％；
所述根据压电单晶衬底切型变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型，包括：
根据压电单晶衬底切型为X切，欧拉角在(90°，90°，80°～160°)范围内变化引发的机电耦合系数变化，确定最佳压电单晶衬底切型；
所述根据所述最佳温度补偿层厚度和所述最佳压电单晶衬底切型，对滤波器的温度补偿层和压电单晶衬底进行调控之后，包括：
根据叉指电极厚度变化和叉指电极金属化比变化引发的反谐振品质因数变化，确定第二叉指电极厚度和第二叉指电极金属化比；所述第二叉指电极厚度和所述第二叉指电极金属化比为所述反谐振品质因数取第二最大值时对应的叉指电极厚度和叉指电极金属化比，所述第二最大值为所述反谐振品质因数的变化范围内的最大值；
根据所述第二叉指电极厚度和所述第二叉指电极金属化比，对滤波器的叉指电极进行调控。
8.一种滤波器，其特征在于，采用权利要求1至6任一项所述的滤波器结构调控方法得到，包括：温度补偿层、压电单晶衬底和叉指电极；
所述温度补偿层生长在所述压电单晶衬底上，所述叉指电极埋入所述温度补偿层内。
9.根据权利要求8所述的滤波器，其特征在于，
所述温度补偿层的材料为二氧化硅，所述压电单晶衬底的材料为钽酸锂，所述叉指电极的材料为铝、铜、铂、金和钼中的一种；
所述温度补偿层的厚度大于波长的0.2倍，所述波长为所述叉指电极激发的声表面波波长；
所述压电单晶衬底的切型为Y切，欧拉角为(0°，120°～135°，0°)或X切，欧拉角为(90°，90°，110°～125°)；
所述叉指电极的厚度为所述波长的0.04倍或0.05倍，所述叉指电极的金属化比为0.45。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310199046.XA CN116405002B (zh) | 2023-03-03 | 2023-03-03 | 滤波器结构调控方法、装置和滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310199046.XA CN116405002B (zh) | 2023-03-03 | 2023-03-03 | 滤波器结构调控方法、装置和滤波器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116405002A CN116405002A (zh) | 2023-07-07 |
| CN116405002B true CN116405002B (zh) | 2024-01-09 |
Family
ID=87016827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310199046.XA Active CN116405002B (zh) | 2023-03-03 | 2023-03-03 | 滤波器结构调控方法、装置和滤波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116405002B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111971897A (zh) * | 2018-04-16 | 2020-11-20 | Rf360欧洲有限责任公司 | 具有改进的品质因数的tf-saw谐振器、rf滤波器和制造tf-saw谐振器的方法 |
| CN112737541A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-04-30 | 北京航天微电科技有限公司 | 一种tc-saw谐振器、制作方法和滤波器 |
| WO2021226826A1 (zh) * | 2020-05-12 | 2021-11-18 | 华为技术有限公司 | 声表面波滤波器的制作方法及声表面波滤波器 |
| CN114337595A (zh) * | 2022-01-04 | 2022-04-12 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种温度补偿型宽带声表面波滤波器 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3838128B2 (ja) * | 2002-03-18 | 2006-10-25 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置、および、これを搭載した通信装置 |
| US9391589B2 (en) * | 2011-01-24 | 2016-07-12 | Epcos Ag | Surface acoustic wave filter on a lithium niobate substrate |
| US11522516B2 (en) * | 2020-08-27 | 2022-12-06 | RF360 Europe GmbH | Thin-film surface-acoustic-wave filter using lithium niobate |
-
2023
- 2023-03-03 CN CN202310199046.XA patent/CN116405002B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111971897A (zh) * | 2018-04-16 | 2020-11-20 | Rf360欧洲有限责任公司 | 具有改进的品质因数的tf-saw谐振器、rf滤波器和制造tf-saw谐振器的方法 |
| WO2021226826A1 (zh) * | 2020-05-12 | 2021-11-18 | 华为技术有限公司 | 声表面波滤波器的制作方法及声表面波滤波器 |
| CN112737541A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-04-30 | 北京航天微电科技有限公司 | 一种tc-saw谐振器、制作方法和滤波器 |
| CN114337595A (zh) * | 2022-01-04 | 2022-04-12 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种温度补偿型宽带声表面波滤波器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116405002A (zh) | 2023-07-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11309861B2 (en) | Guided surface acoustic wave device providing spurious mode rejection | |
| US5998907A (en) | Surface acoustic wave devices and their manufacturing method | |
| US5432392A (en) | Surface wave device | |
| CN107852144B (zh) | 弹性波谐振器、弹性波滤波器、分波器、通信装置以及弹性波谐振器的设计方法 | |
| CN107852145B (zh) | 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 | |
| US20130300519A1 (en) | Surface acoustic wave filter device | |
| CN110999080B (zh) | 弹性波装置、多工器、高频前端电路以及通信装置 | |
| JP3622202B2 (ja) | 弾性表面波装置の温度特性調整方法 | |
| US11362640B2 (en) | Electrode-defined unsuspended acoustic resonator | |
| US11949400B2 (en) | Multiple layer system, method of manufacture and saw device formed on the multiple layer system | |
| CN115276594A (zh) | 一种纵向泄漏声表面波谐振器及滤波器 | |
| CN110383685A (zh) | 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 | |
| US11588464B2 (en) | TF-SAW resonator with improved quality factor, RF filter and method of manufacturing a TF-SAW resonator | |
| CN109039298B (zh) | 声表面波器件及其制作方法 | |
| CN116405002B (zh) | 滤波器结构调控方法、装置和滤波器 | |
| US20200274519A1 (en) | Reduced-size guided-surface acoustic wave (saw) devices | |
| EP0869609A1 (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP2001044787A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH11191720A (ja) | 弾性表面波装置及び弾性表面波フィルタ | |
| WO2024077955A1 (zh) | 一种多传输零点的声表面波滤波器及信号处理电路 | |
| US6097131A (en) | Optimal cut for SAW devices on langatate | |
| CN208623639U (zh) | 弹性波器件、射频前端电路和通信器件 | |
| CN116886066A (zh) | 温度补偿型横向激励体声波谐振器 | |
| CN116233709A (zh) | 一种基于纵声表面波的高性能声学器件 | |
| US20040000840A1 (en) | Method for making potassium niobate thin film, surface acoustic wave element, frequency filter, frequency oscillator, electronic circuit and electronic apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |