CN116404012A - 感测器封装结构 - Google Patents

感测器封装结构 Download PDF

Info

Publication number
CN116404012A
CN116404012A CN202111653131.6A CN202111653131A CN116404012A CN 116404012 A CN116404012 A CN 116404012A CN 202111653131 A CN202111653131 A CN 202111653131A CN 116404012 A CN116404012 A CN 116404012A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
layer
sensing
sensor package
annular
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111653131.6A
Other languages
English (en)
Inventor
张雅涵
洪立群
李建成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tong Hsing Electronic Industries Ltd
Original Assignee
Tong Hsing Electronic Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tong Hsing Electronic Industries Ltd filed Critical Tong Hsing Electronic Industries Ltd
Publication of CN116404012A publication Critical patent/CN116404012A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/0502—Disposition
    • H01L2224/05026—Disposition the internal layer being disposed in a recess of the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

本申请公开一种感测器封装结构，包含一基板、设置且电性耦接于所述基板上的一感测芯片、形成于所述感测芯片的一环形支撑体、及设置于所述环形支撑体上的一透光层。所述感测芯片的顶部界定有一感测区域及围绕于所述感测区域且承载所述环形支撑体的一承载区域。所述感测芯片的所述顶部包含有位于所述感测区域与所述承载区域的一保护层与一滤光层、位于所述感测区域且形成于所述滤光层上的一像素层、及形成于所述像素层上的一微透镜层。位于所述承载区域的所述滤光层部位呈一粗糙化构造，且其至少部分埋置于所述环形支撑体内。据此，提升所述环形支撑体自所述感测芯片彼此之间的结合力，进而有效地避免产生剥离。

Description

感测器封装结构
技术领域
本申请涉及一种封装结构，尤其涉及一种感测器封装结构。
背景技术
现有的感测器封装结构包含有一玻璃片、一感测芯片、及黏着于所述玻璃片与所述感测芯片之间的一黏着层。其中，由于所述感测芯片的结构变更较容易导致其感测结果受到影响，所以现有感测器封装结构大都朝向所述黏着层进行改良，以提升所述黏着层与其他构件之间的连接效果。然而，上述改良方向有其局限性存在。
于是，发明人认为上述缺陷可改善，乃特潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本申请。
发明内容
本申请实施例在于提供一种感测器封装结构，其能有效地改善现有感测器封装结构所可能产生的缺陷。
本申请实施例公开一种感测器封装结构，其包括：一基板；一感测芯片，设置于基板上，并且感测芯片电性耦接于基板；其中，感测芯片的顶部界定有一感测区域及围绕于感测区域的一承载区域；感测芯片的顶部包含有：一保护层，位于感测区域与承载区域；一滤光层，具有位于感测区域的一中心区块、及位于承载区域的一周围区块，并且周围区块呈一粗糙化构造；一像素层，位于感测区域且形成于中心区块上；及一微透镜层，位于感测区域且形成于像素层上；一环形支撑体，形成于感测芯片的承载区域，并且滤光层的周围区块的至少部分埋置于环形支撑体内；以及一透光层，设置于环形支撑体上，以使透光层、环形支撑体、及感测芯片共同包围形成有一封闭空间。
可选地，滤光层的周围区块凹设形成有多个环形凹槽，以构成粗糙化结构，并且每个环形凹槽围绕于中心区块的外围，至少一个环形凹槽被环形支撑体所填满。
可选地，每个环形凹槽于周围区块呈贯穿状，以使周围区块形成间隔设置的多个环形肋，并且环形支撑体穿过至少一个环形凹槽而连接于保护层。
可选地，多个环形凹槽的中心彼此重叠。
可选地，滤光层的周围区块形成有彼此间隔设置的多个突起，以构成粗糙化结构，并且多个突起围绕分布于中心区块的外围，多个突起中的至少部分埋置于环形支撑体之内。
可选地，环形支撑体是由一阻焊层所构成，并且环形支撑体的内缘形成有呈环形的一散光面；其中，当一光线穿过透光层而以一入射角投射于散光面时，散光面能使光线以不同于入射角的多个角度散开成多道光线。
可选地，散光面包含有间隔排列的多个锯齿形条纹，并且每个锯齿形条纹的长度方向垂直于透光层的内表面。
可选地，基板包含有位于感测芯片外侧的多个焊接垫，并且感测芯片包含有位于承载区域的多个连接垫；其中，感测器封装结构包含有多条金属线，并且多条金属线的一端连接于多个焊接垫，而多条金属线的另一端连接于多个焊接垫。
可选地，感测芯片于承载区域形成有贯穿周围区块与保护层的至少一个容置槽，并且多个连接垫位于至少一个容置槽之内。
可选地，感测器封装结构包含有形成于基板的一封装体，感测芯片、环形支撑体、及透光层皆埋置于封装体内，并且透光层的部分表面裸露于封装体之外。
综上所述，本申请实施例所公开的感测器封装结构，其通过在所述环形支撑体与所述感测芯片之间形成有所述粗糙化结构的所述滤光层，据以能提升彼此之间的结合力，进而有效地避免所述环形支撑体自所述感测芯片产生剥离。
为能更进一步了解本申请的特征及技术内容，请参阅以下有关本申请的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本申请，而非对本申请的保护范围作任何的限制。
附图说明
图1为本申请实施例一的感测器封装结构的立体示意图。
图2为图1的上视示意图。
图3为图2沿剖线III-III的剖视示意图。
图4为图3的局部放大示意图。
图5为图1的感测器封装结构省略支撑体、感测芯片的像素层与微透镜层、透光层、及封装体后的上视示意图。
图6为图5的滤光层变化态样示意图。
图7为图5的滤光层另一变化态样的示意图。
图8为图4的环形支撑体变化态样示意图。
图9为本申请实施例二的感测器封装结构的立体示意图。
图10为图9的立体剖视示意图。
图11为图9的感测器封装结构省略透光层及封装体后的立体示意图。
图12为图9沿剖线XII-XII的剖视示意图。
图13为图12的局部放大示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本申请所公开有关“感测器封装结构”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本申请的优点与效果。本申请可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本申请的构思下进行各种修改与变更。另外，本申请的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本申请的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本申请的保护范围。
应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[实施例一]
请参阅图1至图8所示，其为本申请的实施例一。如图1和图2所示，本实施例公开一种感测器封装结构100；也就是说，内部非为封装感测器的任何结构，其结构设计基础不同于本实施例所指的感测器封装结构100，所以两者之间并不适于进行对比。
请参阅图2至图4所示，所述感测器封装结构100于本实施例中包含有一基板1、设置于所述基板1上且彼此电性耦接的一感测芯片2、电性耦接所述感测芯片2与所述基板1的多条金属线3、设置于所述感测芯片2上的一环形支撑体4、设置于所述环形支撑体4上的一透光层5、及形成于所述基板1上的一封装体6。
其中，所述感测器封装结构100于本实施例中虽是以包含上述组件来做说明，但所述感测器封装结构100也可以依据设计需求而加以调整变化。举例来说，在本申请未绘示的其他实施例中，所述感测器封装结构100可以省略多个所述金属线3，并且所述感测芯片2通过覆晶方式固定且电性耦接于所述基板1上；或者，所述感测器封装结构100也可以省略或以其他构造替代所述封装体6。以下将分别就本实施例中的所述感测器封装结构100的各个组件构造与连接关系作一说明。
所述基板1于本实施例中为呈正方形或矩形，但本申请不受限于此。其中，所述基板1于其上表面11的大致中央处设有一固晶区111，并且所述基板1于其上表面11形成有位于所述固晶区111(或所述感测芯片2)外侧的多个焊接垫112。多个所述焊接垫112于本实施例中是大致排列成环状，但本申请不限于此。举例来说，在本申请未绘示的其他实施例中，多个所述焊接垫112也可以是在所述固晶区111的相反两侧分别排成两列。
此外，所述基板1也可以于其下表面12设有多个焊接球7，并且所述感测器封装结构100能通过多个所述焊接球7而焊接固定于一电子构件(图中未示出)上，据以使所述感测器封装结构100能够电性连接所述电子构件。
所述感测芯片2于本实施例中是以一影像感测芯片来说明，但不以此为限。其中，所述感测芯片2(的底面22)是固定于所述基板1的所述固晶区111；也就是说，所述感测芯片2位于多个所述焊接垫112的内侧。需额外说明的是，所述感测器封装结构100于本实施例中是包含有设置于所述固晶区111上的一胶材M(如：导热胶)，并且所述感测芯片2通过所述胶材M而固定于所述固晶区111上(如：所述感测芯片2的所述底面22与所述固晶区111通过所述胶材M而彼此黏接固定)，但本申请不受限于此。举例来说，在本申请未绘示的其他实施例中，所述胶材M也可以被省略或是以其他组件取代。
再者，所述感测芯片2的一顶部21界定有一感测区域21a及围绕于所述感测区域21a(且呈环形)的一承载区域21b，并且所述感测芯片2包含有位于所述承载区域21b的多个连接垫216。其中，所述感测芯片2的多个所述连接垫216的数量及位置于本实施例中是分别对应于所述基板1的多个所述焊接垫112的数量及位置。
再者，多个所述金属线3的一端分别连接于多个所述焊接垫112，并且多个所述金属线3的另一端分别连接于多个所述连接垫216，据以使所述基板1能通过多个所述金属线3而电性耦接于所述感测芯片2。
更详细地说，所述感测芯片2的所述顶部21于本实施例中包含有朝向远离所述基板1方向依据排列配置的一保护层211(passivation layer)、一滤光层212(color filterlayer)、一像素层213(pixel layer)、及一微透镜层214(micro-lens layer)。
其中，所述保护层211位于所述感测区域21a与所述承载区域21b。所述滤光层212具有位于所述感测区域21a的一中心区块2121、及位于所述承载区域21b的一周围区块2122，并且所述周围区块2122呈一粗糙化构造。所述像素层213位于所述感测区域21a且形成于所述中心区块2121上，并且所述微透镜层214位于所述感测区域21a且形成于所述像素层213上。
再者，所述环形支撑体4于本实施例中是以一环氧树脂(epoxy)层来说明，并且所述环形支撑体4形成于所述感测芯片2的所述承载区域21b。其中，所述滤光层212的所述周围区块2122的至少部分埋置于所述环形支撑体4内，据以使得所述环形支撑体4与所述感测芯片2之间通过形成有所述粗糙化结构的所述滤光层212而能提升彼此之间的结合力，进而有效地避免所述环形支撑体4自所述感测芯片2产生剥离。
需额外说明的是，位于所述感测芯片2的所述保护层211上方的所述滤光层212、所述像素层213、及所述微透镜层214皆属于光学部件，所以所述感测器封装结构100于本实施例中是通过对属于光学部件的所述滤光层212进行结构设计，以提升其与所述环形支撑体4的结合效果。也就是说，不是对光学部位进行结合性改良的任何封装结构，皆不同于本实施例所指的所述感测器封装结构100。
更进一步地说，所述滤光层212于所述周围区块2122所形成的所述粗糙化结构于本实施例中是可以依据设计需求而加以调整变化，为便于理解，下述说明介绍所述滤光层212能够提供较佳结合效果的其中几个实施态样，但本申请不受限于此。
如图3至图5所示，所述滤光层212的所述周围区块2122凹设形成有多个环形凹槽2123，以构成所述粗糙化结构，并且每个所述环形凹槽2123围绕于所述中心区块2121的外围。其中，多个所述环形凹槽2123的中心较佳是彼此重叠而构成同心环排列，并且所述环形支撑体4可以是设置于至少一个所述环形凹槽2123上；也就是说，至少一个所述环形凹槽2123被所述环形支撑体4所填满。
更详细地说，每个所述环形凹槽2123于本实施例中是在所述周围区块2122呈贯穿状，以使所述周围区块2122形成间隔设置的多个环形肋2124，并且所述环形支撑体4可以设置于至少一个所述环形凹槽2123上；也就是说，所述环形支撑体4穿过至少一个所述环形凹槽2123而连接于所述保护层211，但本申请不受限于此。举例来说，在本申请未绘示的其他实施例中，任一个所述环形凹槽2123也可以不是贯穿状，以使所述环形支撑体4与所述保护层211之间是被所述滤光层212的所述周围区块2122所隔开。
如图6和图7所示，所述滤光层212的所述周围区块2122于本实施例中也可以形成有彼此间隔设置的多个突起2125，以构成所述粗糙化结构。其中，多个所述突起2125围绕分布于所述中心区块2121的外围，并且多个所述突起2125中的至少部分埋置于所述环形支撑体4之内(类似于图4)。需说明的是，所述环形支撑体4于本实施例中是直接接触于所述保护层211上，但本申请不受限于此。举例来说，在本申请未绘示的其他实施例中，所述滤光层212的所述周围区块2122可以具有位于所述保护层211上的一薄膜，并且多个所述突起2125形成于所述薄膜上，以使得所述环形支撑体4与所述保护层211之间被所述滤光层212的所述薄膜所隔开。
再者，任一个所述突起2125的形状可以依据设计需求而加以调整变化，例如：每个所述突起2125可以是如图6所示的一方形体(如：正方形体或长方形体)或是如图7所示的一棱形体，但本申请不以此为限。
此外，如图3至图5所示，所述感测芯片2于所述承载区域21b形成有贯穿所述周围区块2122与所述保护层211的至少一个容置槽215，并且多个所述连接垫216位于至少一个所述容置槽215之内。也就是说，至少一个所述容置槽215可以是呈环形且数量为一个，以供多个所述连接垫216位于其内；或者，至少一个所述容置槽215的数量可以是多个，以分别供多个所述连接垫216位于其内。
再者，如图3和图4所示，所述环形支撑体4可以是位于至少一个所述容置槽215的内侧；或者，如图8所示，所述环形支撑体4也可以位于至少一个所述容置槽215上，以使每个所述连接垫216及其相连的每条所述金属线3的局部埋置于所述环形支撑体4内。
如图3至图5所示，所述透光层5于本实施例中是以呈透明状的一平板玻璃来说明，但本申请不受限于此。其中，所述透光层5通过所述环形支撑体4而设置于所述感测芯片2的上方；也就是说，所述环形支撑体4于本实施例中是夹持于所述透光层5与所述感测芯片2之间。所述透光层5、所述环形支撑体4、及所述感测芯片2共同包围形成有一封闭空间E，而所述感测区域21a(如：所述滤光层212的所述中心区块2121、所述像素层213、及所述微透镜层214)位于所述封闭空间E内且面向所述透光层5。
再者，所述透光层5于本实施例中包含有一外表面51、位于所述外表面51相反侧的一内表面52、及相连于所述外表面51与所述内表面52的一环侧面53。其中，所述内表面52是面向所述感测区域21a，所述环形支撑体4的外侧缘43自所述透光层5的所述环侧面53内缩一距离，但本申请不受限于此。举例来说，如图8所示，所述环形支撑体4的所述外侧缘43也可以切齐于所述透光层5的所述环侧面53，并且多个所述连接垫216及其所相连的所述金属线3的局部皆埋置于所述环形支撑体4内。
如图3至图5所示，所述封装体6于本实施例中形成于所述基板1的所述上表面11且其边缘切齐于所述基板1的边缘。其中，所述感测芯片2、所述环形支撑体4、所述透光层5、及每条所述金属线3的至少部分皆埋置于所述封装体6内，并且所述透光层5的部分表面(如：所述外表面51)裸露于所述封装体6之外。
进一步地说，所述封装体6于本实施例中是以一液态封胶(liquid compound)来说明，但本申请不受限于此。举例来说，在本申请未绘示的其他实施例中，所述封装体6的液态封胶之顶面上可以进一步形成有一模制封胶(molding compound)；或者，所述封装体6也可以仅为一模制封胶。
[实施例二]
请参阅图9至图13所示，其为本申请的实施例二。由于本实施例类似于上述实施例一，所以两个实施例的相同处不再加以赘述，而本实施例相较于上述实施例一的差异大致说明如下：
于本实施例中，所述环形支撑体4是由一阻焊层(solder mask layer)所构成，并且所述环形支撑体4的内缘形成有呈环形的一散光面41。其中，所述散光面41包含有间隔排列的多个锯齿形条纹42。其中，所述散光面41的所述些锯齿形条纹42于本实施例中是呈等间隔地排列成环状，但本申请不以此为限。举例来说，在本申请未绘示的其他实施例中，所述些锯齿形条纹42也可以依据设计需求而彼此相连或非等间隔地排列成环状。
再者，所述散光面41与所述感测区域21a相夹形成有一夹角σ，并且所述夹角σ于本实施例中是以90度来说明，但本申请不受限于此。举例来说，所述夹角σ可以依据设计需求而调整成介于80度～100度。其中，所述散光面41的每个所述锯齿形条纹42的长度方向较佳是垂直于所述透光层5的所述内表面52(或所述感测芯片2的所述顶部21)。
据此，当一光线L穿过所述透光层5而以一入射角投射于所述散光面41时(如：图10)，所述散光面41(或多个所述锯齿形条纹42)能使所述光线L以不同于所述入射角的多个角度散开成多道光线，进而有效地降低眩光现象于所述感测器封装结构100中产生。
[本申请实施例的技术效果]
综上所述，本申请实施例所公开的感测器封装结构，其通过在所述环形支撑体与所述感测芯片之间形成有所述粗糙化结构的所述滤光层，据以能提升彼此之间的结合力，进而有效地避免所述环形支撑体自所述感测芯片产生剥离。
再者，本申请实施例所公开的感测器封装结构，其通过在所述环形支撑体(或所述环形阻焊层)的内缘形成有所述散光面，据以使得穿过所述透光层而投射于所述散光面的光线能够被以不同于该入射角的多个角度散开成多道光线，进而有效地减轻于所述感测器封装结构中产生的眩光现象。
进一步地说，当本申请实施例的所述环形支撑体以所述环形阻焊层来实现时，由于所述环形阻焊层可以通过冲压、微影、印刷、或涂布等方式制造而成，所以所述环形阻焊层的厚度可以被有效且精准地控制，并且所述环形阻焊层的外形(如：所述散光面的形状)也可以被精确地成形。据此，所述感测器封装结构能够更为有效地降低眩光现象的产生。
再者，在本申请实施例所公开的感测器封装结构中，所述环形支撑体(或所述环形阻焊层)的所述散光面还可以形成有特定的构造(如：所述散光面与所述感测区相夹形成有介于80度～100度的夹角、所述散光面的每个所述锯齿形条纹的长度方向垂直于所述透光层的所述内表面、或所述散光面的多个所述锯齿形条纹呈等间隔地排列)，据以使得该感测器封装结构能够进一步地降低眩光现象的产生。
以上所公开的内容仅为本申请的可选可行实施例，并非因此局限本申请的专利范围，所以凡是运用本申请说明书及图式内容所做的等效技术变化，均包含于本申请的专利范围内。

Claims (10)

1.一种感测器封装结构，其特征在于，所述感测器封装结构包括：一基板；
一感测芯片，设置于所述基板上，并且所述感测芯片电性耦接于所述基板；其中，所述感测芯片的顶部界定有一感测区域及围绕于所述感测区域的一承载区域；所述感测芯片的所述顶部包含有：
一保护层，位于所述感测区域与所述承载区域；
一滤光层，具有位于所述感测区域的一中心区块、及位于所述承载区域的一周围区块，并且所述周围区块呈一粗糙化构造；
一像素层，位于所述感测区域且形成于所述中心区块上；及
一微透镜层，位于所述感测区域且形成于所述像素层上；
一环形支撑体，形成于所述感测芯片的所述承载区域，并且所述滤光层的所述周围区块的至少部分埋置于所述环形支撑体内；以及
一透光层，设置于所述环形支撑体上，以使所述透光层、所述环形支撑体、及所述感测芯片共同包围形成有一封闭空间。
2.依据权利要求1所述的感测器封装结构，其特征在于，所述滤光层的所述周围区块凹设形成有多个环形凹槽，以构成所述粗糙化结构，并且每个所述环形凹槽围绕于所述中心区块的外围，至少一个所述环形凹槽被所述环形支撑体所填满。
3.依据权利要求2所述的感测器封装结构，其特征在于，每个所述环形凹槽于所述周围区块呈贯穿状，以使所述周围区块形成间隔设置的多个环形肋，并且所述环形支撑体穿过至少一个所述环形凹槽而连接于所述保护层。
4.依据权利要求2所述的感测器封装结构，其特征在于，多个所述环形凹槽的中心彼此重叠。
5.依据权利要求1所述的感测器封装结构，其特征在于，所述滤光层的所述周围区块形成有彼此间隔设置的多个突起，以构成所述粗糙化结构，并且多个所述突起围绕分布于所述中心区块的外围，多个所述突起中的至少部分埋置于所述环形支撑体之内。
6.依据权利要求1所述的感测器封装结构，其特征在于，所述环形支撑体是由一阻焊层所构成，并且所述环形支撑体的内缘形成有呈环形的一散光面；其中，当一光线穿过所述透光层而以一入射角投射于所述散光面时，所述散光面能使所述光线以不同于所述入射角的多个角度散开成多道光线。
7.依据权利要求6所述的感测器封装结构，其特征在于，所述散光面包含有间隔排列的多个锯齿形条纹，并且每个所述锯齿形条纹的长度方向垂直于所述透光层的内表面。
8.依据权利要求1所述的感测器封装结构，其特征在于，所述基板包含有位于所述感测芯片外侧的多个焊接垫，并且所述感测芯片包含有位于所述承载区域的多个连接垫；其中，所述感测器封装结构包含有多条金属线，并且多条所述金属线的一端连接于多个所述焊接垫，而多条所述金属线的另一端连接于多个所述焊接垫。
9.依据权利要求8所述的感测器封装结构，其特征在于，所述感测芯片于所述承载区域形成有贯穿所述周围区块与所述保护层的至少一个容置槽，并且多个所述连接垫位于至少一个所述容置槽之内。
10.依据权利要求1所述的感测器封装结构，其特征在于，所述感测器封装结构包含有形成于所述基板的一封装体，所述感测芯片、所述环形支撑体、及所述透光层皆埋置于所述封装体内，并且所述透光层的部分表面裸露于所述封装体之外。
CN202111653131.6A 2021-12-28 2021-12-30 感测器封装结构 Pending CN116404012A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110149017A TWI807560B (zh) 2021-12-28 2021-12-28 感測器封裝結構
TW110149017 2021-12-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116404012A true CN116404012A (zh) 2023-07-07

Family

ID=86897272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111653131.6A Pending CN116404012A (zh) 2021-12-28 2021-12-30 感测器封装结构

Country Status (3)

Country Link
US (1) US12113082B2 (zh)
CN (1) CN116404012A (zh)
TW (1) TWI807560B (zh)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8269300B2 (en) * 2008-04-29 2012-09-18 Omnivision Technologies, Inc. Apparatus and method for using spacer paste to package an image sensor
US9368535B2 (en) * 2014-02-28 2016-06-14 Semiconductor Components Industries, Llc Imaging systems with flip chip ball grid arrays
KR102605618B1 (ko) * 2016-11-14 2023-11-23 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지
US10510797B2 (en) * 2017-10-31 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor image sensor
KR102655476B1 (ko) * 2018-05-03 2024-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US10868062B2 (en) * 2018-09-27 2020-12-15 Kingpak Technology Inc. Sensor package structure
CN111863843B (zh) * 2019-04-30 2024-03-01 同欣电子工业股份有限公司 感测器封装结构及其感测模块
EP3842991B1 (en) * 2019-11-04 2024-05-15 Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd. Optical fingerprint apparatus and electronic device
CN112908938B (zh) * 2019-12-03 2024-08-20 原相科技股份有限公司 光学感测封装模块

Also Published As

Publication number Publication date
US12113082B2 (en) 2024-10-08
US20230207590A1 (en) 2023-06-29
TW202326991A (zh) 2023-07-01
TWI807560B (zh) 2023-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102484191B (zh) 带高折射率透镜的led模块
KR100853240B1 (ko) 발광다이오드
CN107591420B (zh) 感测器封装结构
TWI703679B (zh) 感測器封裝結構
US11450649B2 (en) Illumination apparatus comprising passive optical nanostructures
CN112530999B (zh) 一种显示装置及其制作方法
CN115514863B (zh) 无焊接式感测镜头
US20130088851A1 (en) Lighting module and lighting device thereof
CN116404012A (zh) 感测器封装结构
CN116364731A (zh) 感测器封装结构
TWI721815B (zh) 感測器封裝結構
KR101693545B1 (ko) 전기 컴포넌트 및 전기 컴포넌트들을 생산하기 위한 방법
US20240128291A1 (en) Sensor package structure
CN116544249A (zh) 传感器封装结构
US20060086940A1 (en) Package structure of multi-chips light-emitting module
US20230395634A1 (en) Sensor package structure
JPH08116095A (ja) 発光装置
JP7522343B2 (ja) 面発光光源及びその製造方法
US20230395624A1 (en) Sensor package structure and chip-scale sensor package structure
US20230393313A1 (en) Sensor lens assembly
CN116417482A (zh) 感测器封装结构
CN116504795A (zh) 感测器封装结构
CN117637789A (zh) 改善眩光的影像传感器模块结构
JP2017517885A (ja) 発光素子パッケージ
CN117199006A (zh) 感测器封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination