CN116394102A - 一种硅晶片磨边机 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种硅晶片磨边机，通过优化打磨装置的驱动模块，来让设备兼容圆形硅晶片和方形硅晶片的边缘打磨，其技术方案：一种硅晶片磨边机，包括机架以及设置在机架上的真空吸盘轴机构、压紧装置、定位装置和打磨装置，所述真空吸盘轴机构包括用于承载并带动硅晶片转动的主轴，所述定位装置包括位于主轴的侧边且能够靠近或远离主轴运动的挡板，所述压紧装置将硅晶片压紧在主轴上，所述打磨装置包括位于主轴的侧边的打磨头、驱动打磨头沿Z轴方向移动的第一打磨驱动模块、驱动打磨头沿Y轴方向移动的第二打磨驱动模块以及驱动打磨头沿X轴方向移动的第三打磨驱动模块，属于晶片加工技术领域。

Description

一种硅晶片磨边机

技术领域

本发明属于晶片加工技术领域，更具体而言，涉及一种硅晶片磨边机。

背景技术

在某些集成电路的制造过程中，需要对硅晶片的边缘进行打磨修整。常见的硅晶片一般都是圆形，俗称晶圆，现有技术中有针对晶圆的磨边设备。

例如，CN111482865A就公开了一种晶圆打磨设备，其真空吸盘轴机构的第一轴体承载并驱动晶圆旋转，压紧机构的压紧件抵接于晶圆以将其压紧于第一轴体，定位机构的定位件可在压紧机构执行压紧操作之前对晶圆实施二次定位，打磨机构的打磨机可沿第一轴体的轴向和径向运动；晶圆在第一轴体的驱动下旋转，打磨机沿第一轴体的径向运动与晶圆的边缘接触，从而实现磨边，由此可见，该打磨设备适用于圆形的硅晶片的边缘打磨；

但是硅晶片还有方形的，在某些工艺上有相关的方形产品，类似上述的打磨设备便无法针对方形的硅晶片进行边缘打磨，而实际中如果要分别针对圆形硅晶片和方形硅晶片去设置两台打磨设备的话，成本又比较高，加上方形硅晶片产量也比较少，会导致用于打磨方形硅晶片的打磨设备利用率低。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种硅晶片磨边机，通过优化打磨装置的驱动模块，来让设备兼容圆形硅晶片和方形硅晶片的边缘打磨。

根据本发明的第一方面，提供了一种硅晶片磨边机，包括机架以及设置在机架上的真空吸盘轴机构、压紧装置、定位装置和打磨装置，所述真空吸盘轴机构包括用于承载并带动硅晶片转动的主轴，所述定位装置包括位于主轴的侧边且能够靠近或远离主轴运动的挡板，所述压紧装置将硅晶片压紧在主轴上，所述打磨装置包括位于主轴的侧边的打磨头，所述打磨装置还包括驱动打磨头沿Z轴方向移动的第一打磨驱动模块、驱动打磨头沿Y轴方向移动的第二打磨驱动模块以及驱动打磨头沿X轴方向移动的第三打磨驱动模块。

在上述的硅晶片磨边机中，所述第一打磨驱动模块、第二打磨驱动模块以及第三打磨驱动模块均为直线模组。

在上述的硅晶片磨边机中，所述挡板为围绕所述主轴周向布置的两个；

所述定位装置包括与挡板一一对应的定位驱动模块，所述定位驱动模块驱动挡板直线移动；一个所述挡板的移动方向为X轴方向，另一个所述挡板的移动方向为Y轴方向。

在上述的硅晶片磨边机中，所述机架上固定有与挡板一一对应的固定块，所述挡板滑动配合在固定块上；

所述固定块上固定有顶块，所述挡板上螺纹连接有一调节螺杆，所述调节螺杆位于所述顶块背向主轴的一侧，所述挡板的移动方向与设置在该挡板上的调节螺杆的轴向相平行；

所述调节螺杆朝向顶块的一端为触碰端，所述触碰端用于与顶块接触，通过调整触碰端与顶块的间距来改变挡板的移动距离。

在上述的硅晶片磨边机中，所述压紧装置包括压紧轴体、固定在机架上的基座以及设置在基座上用于驱动压紧轴体升降的第一压紧驱动模块，所述压紧轴体与主轴同轴布置；

所述压紧轴体的下端连接有一万向节，所述万向节远离压紧轴体的一端具有弹性体按压部。

在上述的硅晶片磨边机中，所述基座上滑动连接有安装板，所述安装板连接第一压紧驱动模块和压紧轴体，所述基座上设有第一限位部，所述第一限位部位于安装板的下方用于限制安装板下移，所述第一限位部的高度可调。

在上述的硅晶片磨边机中，所述第一限位部包括第一限位螺杆，所述第一限位螺杆螺纹连接在基座上，所述第一限位螺杆的轴线与压紧轴体的轴线相平行，所述第一限位螺杆的上端用于与安装板接触。

在上述的硅晶片磨边机中，所述基座上设有第二限位部，所述第二限位部位于安装板的上方用于限制安装板上移。

在上述的硅晶片磨边机中，所述第二限位部包括第二限位螺杆，所述第二限位螺杆螺纹连接在基座上，所述第二限位螺杆的轴线与压紧轴体的轴线相平行，所述第二限位螺杆的下端用于与安装板接触。

在上述的硅晶片磨边机中，所述安装板上设有第二压紧驱动模块，所述压紧轴体连接在第二压紧驱动模块的输出端，所述第二压紧驱动模块驱动压紧轴体上下移动；

所述第一压紧驱动模块的行程大于所述第二压紧驱动模块的行程。

本发明上述技术方案中的一个技术方案至少具有如下优点或有益效果之一：

本发明中打磨头在第一打磨驱动模块下可以沿Z轴方向移动，在第二打磨驱动模块驱动下可沿Y轴方向移动，在第三打磨驱动模块的驱动下可沿X轴方向移动，使得打磨头的灵活性更高，即使遇到方形的硅晶片，打磨头在第二打磨驱动模块和第三打磨驱动模块的配合下，可以对方形硅晶片的侧边进行打磨，再配合主轴的转动，可以依次对方形硅晶片的四个侧边进行打磨，基于此，便使该磨边机可以兼容圆形硅晶片和方形硅晶片的打磨。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步地说明；

图1是本发明第一实施例的结构示意图；

图2是本发明第一实施例的定位装置的结构示意图；

图3是本发明第一实施例的定位装置的另一个结构示意图；

图4是本发明第一实施例的图3的A的局部放大图；

图5是本发明第一实施例的定位装置使用时的俯视图；

图6是本发明第一实施例的压紧装置的结构示意图；

图7是本发明第一实施例的压紧装置的左视图；

图8是本发明第一实施例的压紧装置的右视图；

图9是本发明第一实施例的打磨装置的结构示意图；

图10是本发明第一实施例的打磨头的结构示意图。

其中，各图的附图标号：

1、机架；

2、真空吸盘轴机构；21、主轴；

3、压紧装置；31、压紧轴体；313、万向节；32、基座；33、第一压紧驱动模块；34、安装板；35、第二导轨组件；36、第二压紧驱动模块；37、第一限位部；38、第一缓冲器；39、第二限位部；40、第二缓冲器；

4、定位装置；41、挡板；411、第一板体；412、第二板体；413、螺纹孔；414、通孔；42、定位驱动模块；43、固定块；44、顶块；45、调节螺杆；46、第一导轨组件；

5、打磨装置；51、打磨头；511、旋转驱动电机；512、砂轮；513、机头固定座；514、机头活动座；515、冷却水管；52、第一打磨驱动模块；53、第二打磨驱动模块；54、第三打磨驱动模块。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中相同或类似的标号自始至终表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同方案。

参照图1至图10所示，本发明一个实施例中，一种硅晶片磨边机，包括机架1以及设置在机架1上的真空吸盘轴机构2、压紧装置3、定位装置4和打磨装置5；

真空吸盘轴机构2包括主轴21，主轴21上设有负压腔和旋转导气装置，主轴21的自由端设有弹性的接触部件，硅晶片放置到主轴21的接触部件上，利用负压腔和旋转导气装置可以让主轴21吸附硅晶片，再利用电动机来驱动主轴21旋转，进而带动硅晶片转动，真空吸盘轴机构2的具体结构可参照专利CN211828704U，本实施例在此不做赘述；本实施例中，主轴21的轴向便为Z轴方向。

参照图2至图5，定位装置4包括挡板41、与挡板41一一对应的定位驱动模块42，定位驱动模块42驱动挡板41直线移动；挡板41为围绕主轴21周向布置的两个，一个挡板41的移动方向为X轴方向，另一个挡板41的移动方向为Y轴方向；

若定位驱动模块42驱动挡板41靠近主轴21，到位后挡板41处于伸出状态，若定位驱动模块42驱动挡板41远离主轴21，到位后挡板41处于缩回状态；

打磨前，在挡板41伸出状态下，根据硅晶片尺寸先设置好挡板41用于与硅晶片接触的位置到主轴21轴线的距离；放置硅晶片前，挡板41先位于缩回状态，放置好硅晶片后，挡板41在定位驱动模块42的驱动下移动，逐渐靠近主轴21，让挡板41趋于伸出状态，挡板41在接触到硅晶片的外壁后会推动硅晶片移动，当两个挡板41均处于伸出状态时，这时候距离是确定的，硅晶片刚好与主轴21同轴，完成定位，接着两个挡板41都会缩回；两个挡板41一个定位X轴方向，一个定位Y轴方向，可以适用于圆形硅晶片和方形硅晶片的定位。

在本实施例中，机架1上固定有与挡板41一一对应的固定块43，挡板41滑动配合在固定块43上；固定块43上固定有顶块44，挡板41上螺纹连接有一调节螺杆45，调节螺杆45位于顶块44背向主轴21的一侧，挡板41的移动方向与设置在该挡板41上的调节螺杆45的轴向相平行；调节螺杆45朝向顶块44的一端为触碰端，触碰端用于与顶块44接触；

定位驱动模块42驱动挡板41伸出，调节螺杆45位于挡板41上跟随挡板41移动，当调节螺杆45的触碰端抵紧到顶块44时，挡板41停止移动，这时挡板41便处于伸出状态，挡板41用于与硅晶片接触的位置到主轴21轴线的距离便是预设距离；

基于此可知，在挡板41处于缩回状态时，调节螺杆45的触碰端与顶块44的间距便是挡板41的移动距离，通过调整触碰端与顶块44的间距可以改变挡板41的移动距离，进而改变预设距离；

在实践中，同一批次的硅晶片打磨前，可以利用这一批次的其中一块硅晶片来确定出预设距离；将硅晶片放置到主轴21上，然后调整调节螺杆45，设置预设距离，直至挡板41处于伸出状态时，硅晶片可以与主轴21同轴，便确定预设距离合适，那么这一批次的硅晶片便不用再调整调节螺杆45了，可以直接应用本定位装置4。

在本实施例中，挡板41上设有与调节螺杆45相对应的固定套筒，固定套筒上转动设置有活动套筒，调节螺杆45插设在固定套筒中，活动套筒中设有与调节螺杆45相配合的调节螺母，转动活动套筒便可转动调节螺母，调节螺母再带动调节螺杆45伸缩，可让调节螺杆45沿其轴向移动；调节螺杆45的连接结构类似于千分尺的结构，使用较高精度的调节螺杆45，可以实现精密调节，让预设距离更为精准，定位效果更优。

在本实施例中，固定块43上设有第一导轨组件46，挡板41滑动连接在第一导轨组件46上。

在本实施例中，挡板41包括沿其移动方向依次布置的第一板体411和第二板体412，第一板体411可拆卸固定在第二板体412上，第一板体411用于接触硅晶片，第二板体412则是与第一导轨组件46连接；

定位驱动模块42为气缸，气缸是固定在固定块43上，第二板体412上设有一连接板，气缸的活塞杆与连接板固定连接，气缸在外设气源的驱动下，让活塞杆伸缩，进而让第二板体412滑动，第二板体412再带着第一板体411靠近或远离主轴21。

在另外的一些实施例中，定位驱动模块42可以是电缸或液压缸。

在本实施例中，第一板体411上沿挡板41的移动方向间隔布置有多个螺纹孔413，第二板体412上沿挡板41的移动方向间隔布置有多个通孔414，使用螺栓穿过通孔414与螺纹孔413螺纹连接以将第一板体411固定到第二板体412上；不同位置的通孔414与螺纹孔413配合可以改变第一板体411在第二板体412上的位置，让第一板体411更接近主轴21或更远离主轴21；这种调节适用于不同尺寸硅晶片的定位，需要调节的预设距离比较大，而调节螺杆45适用于小范围的微调，例如同一规格不同批次的硅晶片的预设距离的调节。

在另外的一些实施例中，第一板体411可以通过卡扣的方式与第二板体412连接，通过设置不同的卡扣位，可以调整第一板体411在第二板体412上的位置；或者，第一板体411可以通过磁吸的方式与第二板体412连接，通过设置不同的吸附位置来控制第一板体411在第二板体412上的位置。

在本实施例中，第一板体411包括构建成L型的水平段和竖直段，螺纹孔413设置在水平段上，竖直段位于水平段朝向主轴21的一端；竖直段有着较大的面积，方便与硅晶片接触。

参照图6至图8，压紧装置3包括压紧轴体31、固定在机架1上的基座32以及设置在基座32上用于驱动压紧轴体31升降的第一压紧驱动模块33，压紧轴体31与主轴21同轴布置；压紧轴体31的下端连接有一万向节313，万向节313远离压紧轴体31的一端具有弹性体按压部；

需要压紧硅晶片时，压紧轴体31在第一压紧驱动模块33的驱动下下降，万向节313跟随压紧轴体31同步下移，万向节313的弹性体按压部便可压紧到硅晶片上；基于万向节313的特性，弹性体按压部的按压不会干涉硅晶片的旋转，可以让硅晶片在不脱离主轴21的情况下跟随主轴21旋转，且弹性体按压部具有弹性性能，在按压时不会划伤硅晶片表面，不会在硅晶片表面产生按压痕迹；由于是万向节313，在弹性体按压部压紧硅晶片后，硅晶片可以轻微摇动，在硅晶片受到砂轮512的冲击时可以轻微摇动来缓冲，从而减小硅晶片边缘破碎的几率。

万向节313为球头万向节，包括转向头和外套筒，转向头的一端与压紧轴体31固定连接，转向头的另一端为球头，外套筒内设有球形内腔，球形内腔与球头配合，以使外套筒可以转动和摇动；弹性体按压部可以是设置在外套筒上，也可以让外套筒直接充当弹性体按压部。

在本实施例中，弹性体按压部为耐磨硅胶按压部。

在本实施例中，基座32上滑动连接有安装板34，基座32上设有第二导轨组件35，安装板34与第二导轨组件35滑动配合；第一压紧驱动模块33的输出端与安装板34连接，进而驱动安装板34升降；安装板34上设有第二压紧驱动模块36，压紧轴体31连接在第二压紧驱动模块36的输出端，第二压紧驱动模块36驱动压紧轴体31上下移动；第一压紧驱动模块33的行程大于第二压紧驱动模块36的行程；

也就是说，第一压紧驱动模块33的行程大，速度快，第一压紧驱动模块33的主要目的是让压紧轴体31靠近硅晶片，但是不会让弹性体按压部接触到硅晶片；而第二压紧驱动模块36行程小，速度慢，第二压紧驱动模块36会让弹性体按压部接触到硅晶片并压紧它，以此避免硅晶片受到强烈冲击。

在本实施例中，第一压紧驱动模块33和第二压紧驱动模块36均是气缸。

在另外的一些实施例中，第一压紧驱动模块33和第二压紧驱动模块36还可以是电缸或液压缸。

在本实施例中，基座32上设有第一限位部37，第一限位部37位于安装板34的下方用于限制安装板34下移，第一限位部37的高度可调；当安装板34下移触碰到第一限位部37后，便会停止移动，通过调整第一限位部37的高度，便可调整安装板34的下移距离，从而改变弹性体按压部的下移距离，加上弹性体按压部具有弹性性能，以此可以改变弹性体按压部压紧硅晶片时的压紧力度，即使不同厚度的硅晶片也可以适用；

第一限位部37包括第一限位螺杆，第一限位螺杆螺纹连接在基座32上，第一限位螺杆的轴线与压紧轴体31的轴线相平行，第一限位螺杆的上端用于与安装板34接触；当安装板34向下移动触碰到第一限位螺杆的上端时，便会停止移动，通过转动第一限位螺杆可以调整第一限位螺杆的上端的高度，从而改变安装板34的可下移距离；

且，在基座32上设有第一缓冲器38，第一缓冲器38位于安装板34的下方；当第一缓冲器38未受压时，第一缓冲器38的上端高于第一限位螺杆的上端，第一缓冲器38的上端与第一限位螺杆的上端的间距小于第一缓冲器38的行程；安装板34向下移动时，会先触碰到第一缓冲器38的上端，减缓下降速度，再抵紧到第一限位螺杆的上端，安装板34不会剧烈撞击到第一限位螺杆上。

在本实施例中，基座32上设有第二限位部39，第二限位部39位于安装板34的上方；

第二限位部39包括第二限位螺杆，第二限位螺杆螺纹连接在基座32上，第二限位螺杆的轴线与压紧轴体31的轴线相平行，第二限位螺杆的下端用于与安装板34接触；当安装板34向上移动触碰到第二限位螺杆的下端时，便会停止移动，通过转动第二限位螺杆可以调整第二限位螺杆的下端的高度，从而改变安装板34的上移限位，第一限位螺杆的上端与第二限位螺杆的下端配合来限制安装板34的移动范围，可以避免第二导轨组件35的滑块直接撞击基座32；

同理，在基座32上设有第二缓冲器40，第二缓冲器40位于安装板34的上方；当第二缓冲器40未受压时，第二缓冲器40的下端低于第二限位螺杆的下端，第二缓冲器40的下端与第二限位螺杆的下端的间距小于第二缓冲器40的行程；安装板34向上移动时，会先触碰到第二缓冲器40的下端，减缓上升速度，再抵紧到第二限位螺杆的下端，安装板34不会剧烈撞击到第二限位螺杆上。

在本实施例中，第一缓冲器38和第二缓冲器40均是弹簧缓冲器。

参照图9和图10，打磨装置5包括位于主轴21的侧边的打磨头51、驱动打磨头51沿Z轴方向移动的第一打磨驱动模块52、驱动打磨头51沿Y轴方向移动的第二打磨驱动模块53以及驱动打磨头51沿X轴方向移动的第三打磨驱动模块54；打磨头51包括座体、设置在座体上的旋转驱动电机511以及设置在旋转驱动电机511的电机轴上的砂轮512；砂轮512在旋转驱动电机511的驱动下可以旋转，砂轮512与硅晶片的边缘接触后进行打磨作业；

砂轮512可以沿三个方位移动，灵活性更高，即使遇到方形的硅晶片，砂轮512在第二打磨驱动模块53和第三打磨驱动模块54的配合下，可以对方形硅晶片的侧边进行打磨，再配合主轴21的转动，可以依次对方形硅晶片的四个侧边进行打磨，基于此，使该磨边机可以兼容圆形硅晶片和方形硅晶片的打磨。

在本实施例中，X轴方向、Y轴方向分别与主轴21的径向相平行；

当硅晶片为方形时，外部的机械手将方形硅晶片放置到主轴21上，两个挡板41伸出，与方形硅晶片相邻的两个侧边接触，定位方形硅晶片，定位完成后，主轴21吸附方形硅晶片，同时弹性体按压部压紧方形硅晶片，接着挡板41会缩回，避免影响方形硅晶片的转动；定位好的方形硅晶片其长度方向、宽度方向分别在X轴方向、Y轴方向上，砂轮512先在第三打磨驱动模块54的驱动下靠近方形硅晶片，直至与方形硅晶片的侧面接触进行打磨，接着，砂轮512在第二打磨驱动模块53的驱动下沿方形硅晶片的侧面的长度方向移动，对整个侧面进行打磨；同时，砂轮512在第一打磨驱动模块52的驱动下沿Z轴方向往复移动，以让砂轮512外周面磨损平衡，确保研磨精度，砂轮512的上下移动会让方形硅晶片受到轴向力，而万向节313的设置，使得方形硅晶片可以轻微上下翘动，缓冲由于砂轮512上下移动所带来的冲击，减小方形硅晶片边缘破碎的几率；完成一个侧面打磨后，方形硅晶片在主轴21的转动下变换方位，对另一个侧面进行打磨，以此，可以完成对方形硅晶片的磨边。

当硅晶片为圆形时，也是一样的定位步骤和压紧步骤，打磨步骤有所不同：砂轮512先在第三打磨驱动模块54的驱动下靠近圆形硅晶片，直至与圆形硅晶片的外周接触进行打磨，接着，砂轮512在第一打磨驱动模块52的驱动下沿Z轴方向往复移动，主轴21会带着圆形硅晶片持续转动，以此完成运行硅晶片的磨边；由于最开始打磨的磨削量大，对砂轮512的磨损也比较大，基于砂轮512可以三个方位移动，可以变换砂轮512与圆形硅晶片的初始接触位置，进而延长砂轮512的使用寿命。

在本实施例中，第一打磨驱动模块52、第二打磨驱动模块53以及第三打磨驱动模块54均为直线模组；更具体而言，直线模组是滚珠丝杆直线模组；

座体是设置在第一打磨驱动模块52上，在第一打磨驱动模块52的驱动下，座体上下移动，进而带动砂轮512沿Z轴方向移动；第一打磨驱动模块52是设置在第二打磨驱动模块53上，在第二打磨驱动模块53的驱动下，整个第一打磨驱动模块52可以沿Y轴方向移动，从而让砂轮512可以沿Y轴方向移动；第二打磨驱动模块53是设置在第三打磨驱动模块54上，在第三打磨驱动模块54的驱动下，整个第二打磨驱动模块53可沿X轴方向移动，从而使砂轮512可以沿X轴方向移动。

在本实施例中，座体包括机头固定座513和机头活动座514，机头固定座513与第一打磨驱动模块52连接，机头活动座514铰接在机头固定座513上，以使机头活动座514可以向上翻转，旋转驱动电机511便是固定在机头活动座514上，需要更换砂轮512时，可以翻转机头活动座514，让砂轮512翘起，方便更换；在平常的打磨作业中，可以利用插销、螺栓等紧固件将机头活动座514锁紧在机头固定座513上，防止在打磨时砂轮512晃动；

同时，在机头活动座514上可以设置冷却水管515，在打磨时，冷却水管515可以喷射冷却液对砂轮512进行冷却，并避免打磨时产生的粉尘飞扬。

尽管已经示出和描述了本发明的实施方式，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种硅晶片磨边机，包括机架以及设置在机架上的真空吸盘轴机构、压紧装置、定位装置和打磨装置，所述真空吸盘轴机构包括用于承载并带动硅晶片转动的主轴，所述定位装置包括位于主轴的侧边且能够靠近或远离主轴运动的挡板，所述压紧装置将硅晶片压紧在主轴上，所述打磨装置包括位于主轴的侧边的打磨头，其特征在于，所述打磨装置还包括驱动打磨头沿Z轴方向移动的第一打磨驱动模块、驱动打磨头沿Y轴方向移动的第二打磨驱动模块以及驱动打磨头沿X轴方向移动的第三打磨驱动模块。

2.根据权利要求1所述的硅晶片磨边机，其特征在于，所述第一打磨驱动模块、第二打磨驱动模块以及第三打磨驱动模块均为直线模组。

3.根据权利要求1所述的硅晶片磨边机，其特征在于，所述挡板为围绕所述主轴周向布置的两个；

所述定位装置包括与挡板一一对应的定位驱动模块，所述定位驱动模块驱动挡板直线移动；一个所述挡板的移动方向为X轴方向，另一个所述挡板的移动方向为Y轴方向。

4.根据权利要求3所述的硅晶片磨边机，其特征在于，所述机架上固定有与挡板一一对应的固定块，所述挡板滑动配合在固定块上；

所述固定块上固定有顶块，所述挡板上螺纹连接有一调节螺杆，所述调节螺杆位于所述顶块背向主轴的一侧，所述挡板的移动方向与设置在该挡板上的调节螺杆的轴向相平行；

所述调节螺杆朝向顶块的一端为触碰端，所述触碰端用于与顶块接触，通过调整触碰端与顶块的间距来改变挡板的移动距离。

5.根据权利要求1所述的硅晶片磨边机，其特征在于，所述压紧装置包括压紧轴体、固定在机架上的基座以及设置在基座上用于驱动压紧轴体升降的第一压紧驱动模块，所述压紧轴体与主轴同轴布置；

所述压紧轴体的下端连接有一万向节，所述万向节远离压紧轴体的一端具有弹性体按压部。

6.根据权利要求5所述的硅晶片磨边机，其特征在于，所述基座上滑动连接有安装板，所述安装板连接第一压紧驱动模块和压紧轴体，所述基座上设有第一限位部，所述第一限位部位于安装板的下方用于限制安装板下移，所述第一限位部的高度可调。

7.根据权利要求6所述的硅晶片磨边机，其特征在于，所述第一限位部包括第一限位螺杆，所述第一限位螺杆螺纹连接在基座上，所述第一限位螺杆的轴线与压紧轴体的轴线相平行，所述第一限位螺杆的上端用于与安装板接触。

8.根据权利要求6所述的硅晶片磨边机，其特征在于，所述基座上设有第二限位部，所述第二限位部位于安装板的上方用于限制安装板上移。

9.根据权利要求8所述的硅晶片磨边机，其特征在于，所述第二限位部包括第二限位螺杆，所述第二限位螺杆螺纹连接在基座上，所述第二限位螺杆的轴线与压紧轴体的轴线相平行，所述第二限位螺杆的下端用于与安装板接触。

10.根据权利要求5所述的硅晶片磨边机，其特征在于，所述安装板上设有第二压紧驱动模块，所述压紧轴体连接在第二压紧驱动模块的输出端，所述第二压紧驱动模块驱动压紧轴体上下移动；

所述第一压紧驱动模块的行程大于所述第二压紧驱动模块的行程。

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