CN116387407A - 太阳电池的掺杂方法、制备方法、装置及太阳电池、介质 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种太阳电池的掺杂方法、制备方法、装置及太阳电池、介质，包括：提供待加工硅片，待加工硅片表面沉积有掺杂源；根据预设梯度范围和待加工硅片的方阻值分布信息，将待加工硅片沉积有掺杂源的表面划分为多个加工区域，各所述加工区域的最大方阻值与最小方阻值的差值处于预设梯度范围内；根据各所述加工区域的方阻值、方阻值与激光参数的对应关系，确定各所述加工区域对应的目标激光参数；根据各所述目标激光参数对待加工硅片进行激光掺杂，从而提高激光掺杂区域的方阻均匀性，形成良好的欧姆接触，提高太阳电池的电性能和光电转换效率。
Description
技术领域
本申请涉及太阳电池技术领域，特别是涉及一种太阳电池的掺杂方法、制备方法、装置及太阳电池、介质。
背景技术
选择性发射极(Selective Emitter)太阳电池由于具有较高的能量转化效率而备受关注，在制备选择性发射极时通常先对硅片衬底进行扩散形成轻掺杂结，之后通过激光掺杂的方式于硅片衬底的局部区域形成重掺杂结，以使硅片与金属栅线形成良好的欧姆接触。然而，随着光伏硅片尺寸不断扩大，电池片内方阻均匀性变差，若采用相同的激光参数进行加工，会导致重掺杂区域方阻高低差异很大，无法形成良好的欧姆接触，降低电池片的电性能和良品率。
发明内容
基于此，有必要针对现有技术中电池片经过激光掺杂加工后重掺杂区域方阻均匀性差的问题提供一种太阳电池的掺杂方法、制备方法、装置及太阳电池、介质。
为了实现上述目的，本申请提供了一种太阳电池的掺杂方法，包括：
提供待加工硅片，所述待加工硅片表面沉积有掺杂源；
根据预设梯度范围和所述待加工硅片的方阻值分布信息，将所述待加工硅片沉积有掺杂源的表面划分为多个加工区域，各所述加工区域的最大方阻值与最小方阻值的差值处于所述预设梯度范围内；
根据各所述加工区域的方阻值、方阻值与激光参数的对应关系，确定各所述加工区域对应的目标激光参数；
根据各所述目标激光参数对所述待加工硅片进行激光掺杂。
在其中一个实施例中，所述根据各所述加工区域的方阻值、方阻值与激光参数的对应关系，确定各所述加工区域对应的目标激光参数包括：
基于各所述加工区域的方阻值获取各所述加工区域的方阻平均值；
根据各所述加工区域的方阻平均值和所述对应关系，确定各所述加工区域对应的所述目标激光参数。
在其中一个实施例中，所述掺杂方法还包括：
根据表面沉积有掺杂源的硅片样本的参数信息，确定所述硅片样本各方阻值对应的初始激光参数；
对多个所述初始激光参数进行优化，基于优化获得的优化激光参数以及多个所述方阻值，建立所述方阻值与优化激光参数的对应关系。
在其中一个实施例中，所述对多个所述初始激光参数进行优化，包括：
基于所述初始激光参数对所述硅片样本进行激光掺杂；
在经激光掺杂后的所述硅片样本的方阻值未处于目标方阻值范围内的情况下，根据预设调整规则调节激光参数，并基于调节后的激光参数进行激光掺杂，直至经激光掺杂后的所述硅片样本的方阻值处于所述目标方阻值范围，将调节后的激光参数作为所述优化激光参数。
在其中一个实施例中，所述根据表面沉积有掺杂源的硅片样本的参数信息，确定所述硅片样本各方阻值对应的初始激光参数，包括：
基于所述硅片样本的多个方阻值分别与基准方阻值之间的差值，获取各所述初始激光参数与基准激光参数之间的补偿值，所述基准方阻值与所述基准激光参数对应；
根据所述基准激光参数与各所述补偿值获取对应的所述初始激光参数。
本申请提供一种太阳电池的制备方法，包括：
根据如上所述的太阳电池的掺杂方法获得激光掺杂后的待加工硅片；
对所述激光掺杂后的待加工硅片进行预处理，并对预处理后的待加工硅片的进行正背面镀膜、丝网印刷以获得太阳电池。
本申请提供一种太阳电池的掺杂装置，包括：
硅片供给模块，用于提供待加工硅片，所述待加工硅片表面沉积有掺杂源；
区域划分模块，用于根据预设梯度范围和所述待加工硅片的方阻值分布信息，将所述待加工硅片沉积有掺杂源的表面划分为多个加工区域，各所述加工区域的最大方阻值与最小方阻值的差值处于所述预设梯度范围内；
参数确定模块，用于根据各所述加工区域的方阻值、方阻值与激光参数的对应关系，确定各所述加工区域对应的目标激光参数；
激光模块，用于根据各所述目标激光参数对所述待加工硅片进行激光掺杂。
在其中一个实施例中，太阳电池的掺杂装置还包括：
测试模块，用于根据表面沉积有掺杂源的硅片样本的参数信息，确定所述硅片样本各方阻值对应的初始激光参数，对多个所述初始激光参数进行优化，基于优化获得的优化激光参数以及多个所述方阻值，建立所述方阻值与优化激光参数的对应关系。
本申请提供一种太阳电池，采用如上所述的方法制成。
本申请提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的方法的步骤。
上述太阳电池的掺杂方法、制备方法、装置及太阳电池、介质，根据预设梯度范围和待加工硅片的方阻值分布信息，将待加工硅片沉积有掺杂源的表面划分为多个加工区域，以方阻值梯度划分区域的形式使得每个加工区域能够依据方阻值与激光参数的对应关系匹配生成对应的目标激光参数进行激光掺杂，从而提高激光掺杂区域的方阻均匀性，形成良好的欧姆接触，提高太阳电池片的电性能和光电转换效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一实施例中提供的太阳电池的掺杂方法流程示意图之一；
图2为一实施例中提供的太阳电池的掺杂方法流程示意图之二；
图3为一实施例中提供的太阳电池的掺杂方法流程示意图之三；
图4为一实施例中提供的太阳电池的掺杂方法流程示意图之四；
图5为一实施例中提供的待加工硅片划分多个加工区域及对应的目标激光参数的结构示意图；
图6为一实施例中提供的太阳电池的掺杂方法流程示意图之五。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
太阳能光伏发电在不远的将来会占据世界能源消费的重要席位，不但要替代部分常规能源，而且将成为世界能源供应的主体。光伏太阳电池片是太阳能发电系统中的核心部分，也是太阳能发电系统中价值最高的部分，其中选择性发射极(Selective Emitter，以下简称“SE”)太阳电池于金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂，由此既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命，从而提高转换效率。
进一步地，可以通过硅墨法、刻蚀掩膜法、印刷磷源法和激光掺杂法等工艺来实现SE太阳电池，其中激光掺杂法由于设备工艺简单、制程稳定可控成为主流技术，而随着光伏硅片尺寸不断扩大、组件技术不断创新，基于大尺寸硅片的高功率组件成为光伏行业的创新趋势，硅片的尺寸已经从166mm发展到目前主流的182mm，随着电池尺寸的增加，电池片内部的扩散均匀性很难达到与小尺寸电池相同的均匀性，大尺寸电池片的方阻控制变得困难，如果使用相同的激光参数对硅片进行加工，容易使得硅片上各激光重掺杂后的区域方阻不均匀，且可能导致原本方阻大的区域降的方阻不够，印刷后栅线与硅片无法形成良好的欧姆接触，而原本方阻低的地方降的方阻过大，印刷烧结后易产生漏电，即由于激光掺杂后导致重掺杂区域方阻均匀性差，在烧结时会造成部分区域过烧或烧不透，不能形成良好的欧姆接触，不但导致电池效率降低，还会出现雾黑不良或脏污不良等问题。
基于此，本申请提出一种太阳电池的掺杂方法、制备方法、装置及太阳电池、介质，使激光掺杂后的重掺杂区方阻变得均匀，烧结时电池各区域能够形成良好的欧姆接触。
请参阅图1，本申请提供一种太阳电池的掺杂方法，所述方法包括步骤S102～步骤S108。
步骤S102：提供待加工硅片，所述待加工硅片表面沉积有掺杂源。
其中，待加工硅片可以是单晶硅片，例如N型单晶硅片或P型单晶硅片，在一些实施例中，需要对待加工硅片进行预处理，首先是对待加工硅片进行制绒清洗，其中，制绒是指通过化学反应在硅片表面产生各向异性腐蚀，形成密集的显微金字塔形角锥体结构的绒面，使电池片最大限度地减少光反射率，提高短路电流，即提高光电转换效率，而清洗处理是为了消除硅片表面缺陷和金属杂质等，以获得洁净的硅片表面。进一步地，对清洗后的硅片表面沉积掺杂源以作扩散处理，例如当采用P型单晶硅片作为待加工硅片时，可以在待加工硅片表面掺杂五价磷元素以形成PN结，具体是指以液态三氯氧磷作为掺杂源，在高温有氧条件下充分分解反应，生成二氧化硅和磷原子，利用磷原子(N型)向待加工硅片(P型)内部扩散的方法，改变硅片表面层的导电类型，形成PN结，同时在硅片表面形成一层磷硅玻璃以便后续激光掺杂，当有适当波长的光照射在PN结上，由于光伏效应在势垒区两边形成电势，在开路情况下由于稳定的电势差而形成电流。
步骤S104：根据预设梯度范围和待加工硅片的方阻值分布信息，将待加工硅片沉积有掺杂源的表面划分为多个加工区域，各所述加工区域的最大方阻值与最小方阻值的差值处于预设梯度范围内。
其中，在待加工硅片进行激光掺杂之前，可以通过电池方阻全自动测试系统对电池片进行全面的方阻扫描测试，以获取硅片的方阻值分布信息，即所述方阻值分布信息包括了硅片沉积掺杂源表面的多个方阻值。需要说明的是，如若检测到待加工硅片的方阻值超出控制规格限，则说明该待加工硅片处于不合格状态，需要将该待加工硅片放置承载盒中返工处理。
进一步地，所述预设梯度范围是控制各区域方阻值变化的标准，在本实施例中优选预设梯度范围为5Ω，也即，根据方阻值分布信息将待加工硅片划分成若干个小的加工区域，且每个加工区域内的方阻值变化控制在5Ω以内，即每个加工区域的方阻值变化可以控制在一定范围内，由此在待加工硅片上可以形成大小不等的不规则形状的多个加工区域，进而可以针对各个加工区域的方阻值情况有针对性地实施激光掺杂，由此使得激光加工后重掺杂区的方阻变得均匀。基于对所述待加工硅片的方阻值分布进行针对性的区域划分，使各个区域匹配适合的目标激光参数，以自动优化激光参数的形式实现激光掺杂区域的方阻均匀性。
步骤S106：根据各所述加工区域的方阻值、方阻值与激光参数的对应关系，确定各所述加工区域对应的目标激光参数。
其中，目标激光参数可以理解为是各所述加工区域对应的最佳匹配的激光参数，通过确定方阻值与最佳匹配的激光参数的对应关系，并建立对应的数据库，也即，各个加工区域依据方阻值在所述数据库中均能匹配到对应的最佳激光参数。可选地，所述激光参数包括激光功率和激光频率，不同的激光设备厂家所使用的激光参数不同，例如一些激光设备是通过调节激光功率来实现加工，而另一些激光设备是通过调节激光频率来实现加工，故可根据激光设备的实际设置对应选用激光参数的类型。
步骤S108：根据各所述目标激光参数对待加工硅片进行激光掺杂。
由于各加工区域都生成有对应的目标激光参数，通过各所述目标激光参数对待加工硅片进行激光掺杂，例如在以磷扩散后形成的磷硅玻璃为掺杂源，在金属栅线区域进行激光扫描掺杂以形成N++的重掺杂区域，从而实现选择发射极，然后进行后续常规电池制备流程即可，如刻蚀、镀膜和印刷烧结等。通过为各加工区域匹配对应的目标激光参数进行重掺杂，实现自动优化激光参数，使得重掺杂区域的方阻变得均匀，在烧结时电池各区域能形成更好的欧姆接触，并提高电池片的电性能和良品率，且操作简便，利于电池片的批量生产。
进一步地，请参照下表1，表1示出划分各加工区域以匹配对应的目标激光参数进行重掺杂的检测结果、与不划分区域以固定激光参数的检测结果对比，其中，激光参数以激光功率为例进行示意，实施例1以待加工硅片划分为16个加工区域为例、实施例2以待加工硅片划分为9个加工区域为例,、实施例3以待加工硅片划分为25个加工区域为例。从表1可以获知，实施例以划分加工区域，且各加工区域以各自的目标激光参数进行激光加工的形式得到的方阻不均匀性降低，故验证本申请以划分加工区域进行自动化优化激光参数的方式能够使得重掺杂区的方阻更加均匀。
表1
在上述示例中，根据预设梯度范围和待加工硅片的方阻值分布信息，将待加工硅片沉积有掺杂源的表面划分为多个加工区域，以方阻值梯度划分区域的形式使得每个加工区域能够依据方阻值与激光参数的对应关系匹配生成对应的目标激光参数进行激光掺杂，从而提高激光掺杂区域的方阻均匀性，形成良好的欧姆接触，提高太阳电池片的电性能和光电转换效率。
在一个实施例中，如图2所示，所述掺杂方法还包括步骤S202以及步骤S204。
步骤S202：根据表面沉积有掺杂源的硅片样本的参数信息，确定硅片样本各方阻值对应的初始激光参数。
可以理解的是，为了建立存储有方阻值与激光参数的对应关系的数据库，需要利用大量的硅片样本作为数据支撑，其中，硅片样本的多个方阻值可以是硅片样本片内的数据，也可以是不同硅片样本之间的数据。进一步地，所述参数信息包括基准方阻值和基准激光参数，以基准方阻值为参照，其与基准激光参数相对应，需要说明的是，所述基准方阻值的设定是依据电池转换效率、电池良品率以及现有设备能达到的稳定制程能力综合设定，本申请对该基准方阻值不做限定，而硅片样本的其他不同方阻值所对应的初始激光参数则依据上述两个基准值进行确定，例如硅片样本的方阻值在基准方阻值的基础上每升高或降低一个预设值，则该方阻值对应的初始激光参数需要在基准激光参数的基础上增加一个变化值，该变化值可以为正数，也可以为负数。
步骤S204：对多个初始激光参数进行优化，基于优化获得的优化激光参数以及多个方阻值，建立方阻值与优化激光参数的对应关系。
其中，将硅片样本的多个方阻值划分为不同的梯度，例如以基准方阻值的上下每5Ω为一个梯度，各个梯度根据步骤S202所述的调整规则对应有初始激光参数，进而对各梯度的初始激光参数进行逐一验证优化，以使优化得到的优化激光参数为匹配该梯度的最佳激光参数，从而将各梯度与对应的优化激光参数的关系作为方阻值与激光参数的对应关系，并建立该对应关系的数据库，在激光加工过程中，使得各个加工区域的方阻值在该数据库中都能匹配到各自的最佳激光参数。
在一个实施例中，步骤S202根据表面沉积有掺杂源的硅片样本的参数信息，确定硅片样本各方阻值对应的初始激光参数，包括以下步骤：基于硅片样本的多个方阻值分别与基准方阻值之间的差值，获取各所述初始激光参数与基准激光参数之间的补偿值，根据基准激光参数与各所述补偿值获取对应的初始激光参数。
可选地，若激光掺杂加工通过调节激光功率来实现，当方阻值相对于基准方阻值每升高5Ω，则该方阻值对应的初始激光功率相对于基准激光功率增加1％；若方阻值相对于基准方阻值每降低5Ω，则该方阻值对应的初始激光功率相对于基准激光功率降低1％。若激光掺杂加工通过调节激光频率来实现，当方阻值相对于基准方阻值每升高5Ω，则该方阻值对应的初始激光频率相对于基准激光频率降低5，当方阻值相对于基准方阻值每降低5Ω，则该方阻值对应的初始激光频率相对于基准激光频率增加5。基于上述调整规则，通过获取硅片样本方阻值与基准方阻值之间的差值，则可以确定方阻值对应的初始激光参数需要在基准激光参数的基础上增加或降低的补偿值，基准激光参数加上该补偿值以形成该方阻值对应的初始激光参数。
在一个实施例中，如图3所示，步骤S204对多个初始激光参数进行优化包括步骤S302和步骤S304。
步骤S302：基于初始激光参数对硅片样本进行激光掺杂。
具体地，将硅片样本的多个方阻值将划分为不同的梯度，例如以基准方阻值的上下每5Ω为一个梯度，根据各梯度对应的初始激光参数对硅片样本进行激光掺杂，若激光掺杂后该梯度方阻未处于目标方阻值范围内，则表明该初始激光参数还不是匹配该梯度方阻的最佳激光参数，进而需要对初始激光参数进行优化调整，以使激光掺杂后的梯度方阻达到目标方阻值范围内。
步骤S304：在经激光掺杂后的硅片样本的方阻值未处于目标方阻值范围内的情况下，根据预设调整规则调节激光参数，并基于调节后的激光参数进行激光掺杂，直至经激光掺杂后的硅片样本的方阻值处于目标方阻值范围，将调节后的激光参数作为优化激光参数。
可选地，所述目标方阻值范围的上下限是由电池最佳转换效率以及激光设备制程能力综合决定，本申请对该目标方阻值范围不做限定，由于初始激光参数包括初始激光功率和初始激光频率，若硅片样本经过激光掺杂后的梯度方阻大于目标方阻值范围的上限值，则需要将初始激光功率按1％依次增加或将初始激光频率按5逐渐降低，经过不断的实验验证直至经过激光掺杂后的梯度方阻处于目标方阻值范围内，并将最终调节得到的激光参数作为优化激光参数；若硅片样本经过激光掺杂后的梯度方阻小于目标方阻值范围的下限值，则需要将初始激光功率按1％依次减小或将初始激光频率按5逐渐增加，经过不断的实验验证直至经过激光掺杂后的梯度方阻处于目标方阻值范围内，并将最终调节得到的激光参数作为优化激光参数。
在一个实施例中，如图4所示，步骤S106根据各所述加工区域的方阻值、方阻值与激光参数的对应关系，确定各所述加工区域对应的目标激光参数，包括步骤S402和步骤S404。
步骤S402：基于各所述加工区域的方阻值获取各所述加工区域的方阻平均值。
步骤S404：根据各所述加工区域的方阻平均值和所述对应关系，确定各所述加工区域对应的目标激光参数。具体如图5所示，图5示出待加工硅片划分多个加工区域及对应的目标激光参数的结构示意图，即根据各个加工区域的方阻平均值对照方阻值与激光参数的对应关系，生成各个加工区域对应的目标激光参数，进而利用激光设备按照各目标激光参数对待加工硅片进行激光掺杂加工，以智能优化激光参数的方式使得制备得到的太阳电池的激光掺杂效果更加均匀，进一步地提高太阳电池片的电性能和良品率，且所述太阳电池的掺杂方法提供的智能化优化加工参数的方式简单易操作，适合批量生产，且能降低制造成本，提高企业竞争力。
在一个实施例中，如图6所示，提供了一种太阳电池的掺杂方法流程示意图，其中，所述方法包括步骤S601～步骤S607。
步骤S601：根据表面沉积有掺杂源的硅片样本的参数信息，确定硅片样本各方阻值对应的初始激光参数。
步骤S602：对多个初始激光参数进行优化，基于优化获得的优化激光参数以及多个方阻值，建立方阻值与优化激光参数的对应关系。
步骤S603：提供待加工硅片，所述待加工硅片表面沉积有掺杂源。
步骤S604：根据预设梯度范围和待加工硅片的方阻值分布信息，将待加工硅片沉积有掺杂源的表面划分为多个加工区域。
步骤S605：基于各所述加工区域的方阻值获取各所述加工区域的方阻平均值。
步骤S606：根据各所述加工区域的方阻平均值和对应关系，确定各所述加工区域对应的目标激光参数。
步骤S607：根据各所述目标激光参数对待加工硅片进行激光掺杂。
其中，本实施例中的步骤与前述实施例中相同步骤的限定一致，在此不再赘述。
本申请提供一种太阳电池的制备方法，包括：
根据如上所述掺杂方法获得激光掺杂后的待加工硅片；
对激光掺杂后的待加工硅片进行预处理，并对预处理后的待加工硅片的进行正背面镀膜、丝网印刷以获得太阳电池。
其中，所述预处理包括对激光掺杂后的待加工硅片进行氧化、去PSG、碱抛、退火、背钝化，进一步地，对背钝化后的待加工硅片进行背面镀膜、正面镀膜、背面激光刻槽、丝网烧结、抗LID处理以及测试入库，最终形成太阳电池，具体地，所述丝网印刷包括丝网烧结和测试入库。
基于同样的发明构思，本申请提供一种太阳电池的掺杂装置，包括硅片供给模块、区域划分模块、参数确定模块和激光模块。硅片供给模块用于执行步骤S102提供待加工硅片，待加工硅片表面沉积有掺杂源，区域划分模块用于执行步骤S104根据预设梯度范围和待加工硅片的方阻值分布信息，将待加工硅片沉积有掺杂源的表面划分为多个加工区域，各所述加工区域的最大方阻值与最小方阻值的差值处于预设梯度范围内，参数确定模块用于执行步骤S106根据各所述加工区域的方阻值、方阻值与激光参数的对应关系，确定各所述加工区域对应的目标激光参数，激光模块用于执行步骤S108根据各所述目标激光参数对待加工硅片进行激光掺杂。各模块可以参考对应步骤实施例的相关描述，在此不再赘述。
在一个实施例中，太阳电池的掺杂装置还包括测试模块，用于根据表面沉积有掺杂源的硅片样本的参数信息，确定硅片样本各方阻值对应的初始激光参数，对多个初始激光参数进行优化，基于优化获得的优化激光参数以及多个方阻值，建立方阻值与优化激光参数的对应关系。测试模块可以参考对应步骤实施例的相关描述，在此不再赘述。
本申请提供一种太阳电池，采用如上述实施例所述方法制成。上述太阳电池通过太阳电池的掺杂方法的优化加工后，增强了欧姆接触，使得太阳电池的电性能和良品率提高，且制造成本降低，有利于批量生产，更容易满足客户的订单需求。
本申请提供一种计算机设备，该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器和通信接口。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端进行有线或无线方式的通信，无线方式可通过WIFI、移动蜂窝网络、NFC(近场通信)或其他技术实现。该计算机程序被处理器执行时以实现一种太阳电池的掺杂方法和太阳电池的制备方法。
本申请提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述各方法实施例中的步骤。
本申请提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述各方法实施例中的步骤。
应该理解的是，虽然图1-图4、图6的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1-图4、图6中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。
上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种太阳电池的掺杂方法，其特征在于，包括：
提供待加工硅片，所述待加工硅片表面沉积有掺杂源；
根据预设梯度范围和所述待加工硅片的方阻值分布信息，将所述待加工硅片沉积有掺杂源的表面划分为多个加工区域，各所述加工区域的最大方阻值与最小方阻值的差值处于所述预设梯度范围内；
根据各所述加工区域的方阻值、方阻值与激光参数的对应关系，确定各所述加工区域对应的目标激光参数；
根据各所述目标激光参数对所述待加工硅片进行激光掺杂。
2.根据权利要求1所述的太阳电池的掺杂方法，其特征在于，所述根据各所述加工区域的方阻值、方阻值与激光参数的对应关系，确定各所述加工区域对应的目标激光参数包括：
基于各所述加工区域的方阻值获取各所述加工区域的方阻平均值；
根据各所述加工区域的方阻平均值和所述对应关系，确定各所述加工区域对应的所述目标激光参数。
3.根据权利要求1所述的太阳电池的掺杂方法，其特征在于，所述掺杂方法还包括：
根据表面沉积有掺杂源的硅片样本的参数信息，确定所述硅片样本各方阻值对应的初始激光参数；
对多个所述初始激光参数进行优化，基于优化获得的优化激光参数以及多个所述方阻值，建立所述方阻值与优化激光参数的对应关系。
4.根据权利要求3所述的太阳电池的掺杂方法，其特征在于，所述对多个所述初始激光参数进行优化，包括：
基于所述初始激光参数对所述硅片样本进行激光掺杂；
在经激光掺杂后的所述硅片样本的方阻值未处于目标方阻值范围内的情况下，根据预设调整规则调节激光参数，并基于调节后的激光参数进行激光掺杂，直至经激光掺杂后的所述硅片样本的方阻值处于所述目标方阻值范围，将调节后的激光参数作为所述优化激光参数。
5.根据权利要求3所述的太阳电池的掺杂方法，其特征在于，所述根据表面沉积有掺杂源的硅片样本的参数信息，确定所述硅片样本各方阻值对应的初始激光参数，包括：
基于所述硅片样本的多个方阻值分别与基准方阻值之间的差值，获取各所述初始激光参数与基准激光参数之间的补偿值，所述基准方阻值与所述基准激光参数对应；
根据所述基准激光参数与各所述补偿值获取对应的所述初始激光参数。
6.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：
根据如权利要求1至5任一项所述的太阳电池的掺杂方法获得激光掺杂后的待加工硅片；
对所述激光掺杂后的待加工硅片进行预处理，并对预处理后的待加工硅片的进行正背面镀膜、丝网印刷以获得太阳电池。
7.一种太阳电池的掺杂装置，其特征在于，包括：
硅片供给模块，用于提供待加工硅片，所述待加工硅片表面沉积有掺杂源；
区域划分模块，用于根据预设梯度范围和所述待加工硅片的方阻值分布信息，将所述待加工硅片沉积有掺杂源的表面划分为多个加工区域，各所述加工区域的最大方阻值与最小方阻值的差值处于所述预设梯度范围内；
参数确定模块，用于根据各所述加工区域的方阻值、方阻值与激光参数的对应关系，确定各所述加工区域对应的目标激光参数；
激光模块，用于根据各所述目标激光参数对所述待加工硅片进行激光掺杂。
8.根据权利要求7所述的太阳电池的掺杂装置，其特征在于，还包括：
测试模块，用于根据表面沉积有掺杂源的硅片样本的参数信息，确定所述硅片样本各方阻值对应的初始激光参数，对多个所述初始激光参数进行优化，基于优化获得的优化激光参数以及多个所述方阻值，建立所述方阻值与优化激光参数的对应关系。
9.一种太阳电池，其特征在于，采用权利要求1至6任一项所述方法制成。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6任一项所述方法的步骤。
Priority Applications (1)
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| CN202310456850.1A CN116387407A (zh) | 2023-04-25 | 2023-04-25 | 太阳电池的掺杂方法、制备方法、装置及太阳电池、介质 |
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