CN116387252A - 一种半导体散热结构、散热盖体、封装结构及其制备方法 - Google Patents

一种半导体散热结构、散热盖体、封装结构及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116387252A
CN116387252A CN202310374617.9A CN202310374617A CN116387252A CN 116387252 A CN116387252 A CN 116387252A CN 202310374617 A CN202310374617 A CN 202310374617A CN 116387252 A CN116387252 A CN 116387252A
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat dissipation
heat
substrate
semiconductor
nanoparticle layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310374617.9A
Other languages
English (en)
Inventor
华菲
金英镇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ningbo Shijie Electronic Co ltd
Original Assignee
Ningbo Shijie Electronic Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ningbo Shijie Electronic Co ltd filed Critical Ningbo Shijie Electronic Co ltd
Priority to CN202310374617.9A priority Critical patent/CN116387252A/zh
Publication of CN116387252A publication Critical patent/CN116387252A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种半导体散热结构、散热盖体、封装结构及其制备方法，该半导体散热结构与半导体器件接触，包括散热基体，散热基体的底面接触半导体器件；散热基体内包含至少一个中空腔体；至少在散热基体底面的内表面设置纳米颗粒层，纳米颗粒层附着并填充相变散热液，相变散热液在中空腔体内进行液相‑气相的反复转换。本发明提供的半导体散热结构的中空腔体内含有相变散热液，可以在腔体内实现相变转化，以加速散热，提高散热效率。

Description

一种半导体散热结构、散热盖体、封装结构及其制备方法
技术领域
本发明属于集成电路领域，涉及半导体器件的散热，尤其涉及一种半导体散热结构、散热盖体、封装结构及其制备方法。
背景技术
随着集成电路技术的不断进步和工业应用需求的不断提高，电子信息产业蓬勃迅速发展，各种电子产品不断涌现，电子产品的运行频率越来越高，其单位时间内产生的热量越多，热量累积将引起温度升高，从而导致其产品的运行性能包括稳定性下降，必需及时地将其产生的热量散发出去，因此散热器则成为了电子产品必不可少的元件。
传统的散热器多为固定在芯片封装壳体外的额外结构，如散热鳍片、风扇、具有流体通道的散热器等。现有散热器一般为实心结构，散热较慢，高度较高，因此无法满足电子产品日益小型化的要求。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种半导体散热结构、散热盖体、封装结构及其制备方法：
一种半导体散热结构，所述散热结构与半导体器件接触，
所述散热结构包括散热基体，所述散热基体的底面接触所述半导体器件；
所述散热基体内包含至少一个中空腔体；
至少在所述散热基体底面的内表面设置纳米颗粒层，所述纳米颗粒层附着并填充相变散热液，所述相变散热液在所述中空腔体内进行液相-气相的反复转换。
进一步地，所述中空腔体内还包括一个或多个固定在所述散热基体的所述底面上的纳米鳍结构，所述纳米鳍结构外表面设置所述纳米颗粒层，所述纳米颗粒层附着所述相变散热液。
进一步地，所述纳米鳍结构包括纳米柱、纳米片、纳米墙中的一种或多种结构。
进一步地，还包括，在所述散热基体的侧壁或顶面中一个或多个内表面设置所述纳米颗粒层，所述纳米颗粒层附着所述相变散热液。
进一步地，所述纳米颗粒层包括钛纳米颗粒、钛氧化物纳米颗粒、钛-钛氧化物纳米颗粒、铜纳米颗粒、铜-铜氧化物纳米颗粒、镍纳米颗粒或镍-镍氧化物纳米颗粒中的任一种或至少两种的组合。
进一步地，所述相变散热液包括水、甲醇、乙醇、丙酮、全氟己烷、三氯三氟乙烷、汞、乙二醇或异丙醇中的任一种或至少两种的组合。
进一步地，所述纳米颗粒层的孔隙率低于40％，所述纳米颗粒的粒径小于等于100μm。
进一步地，所述散热结构还包括固定在所述散热基体顶面外表面上的多个散热鳍片，所述散热鳍片设置在所述中空腔体的对应位置。
一种半导体散热盖体，所述散热盖体盖设在半导体器件上，所述半导体器件预先固定在支撑结构上，
所述散热盖体包括中央部分和四周部分，所述四周部分延伸至所述支撑结构的四周，并与所述支撑结构结合固定；
所述散热盖体的所述中央部分包括散热基体，所述散热基体的底面接触所述半导体器件；
所述散热基体内包含至少一个中空腔体；
至少在所述散热基体底面的内表面设置纳米颗粒层，所述纳米颗粒层内附着并填充相变散热液，所述相变散热液在所述中空腔体内进行液相-气相的反复转换。
进一步地，所述中空腔体内还包括一个或多个固定在所述散热基体的所述底面上的纳米鳍结构，所述纳米鳍结构外表面设置所述纳米颗粒层，所述纳米颗粒层附着所述相变散热液。
进一步地，所述纳米鳍结构包括纳米柱、纳米片、纳米墙中的一种或多种结构。
进一步地，所述散热基体的侧壁或顶面中一个或多个的内表面设置所述纳米颗粒层，所述纳米颗粒层附着相变散热液。
进一步地，所述纳米颗粒层包括钛纳米颗粒、钛氧化物纳米颗粒、钛-钛氧化物纳米颗粒、铜纳米颗粒、铜-铜氧化物纳米颗粒、镍纳米颗粒或镍-镍氧化物纳米颗粒中的任一种或至少两种的组合。
进一步地，所述相变散热液包括水、甲醇、乙醇、丙酮、全氟己烷、三氯三氟乙烷、汞、乙二醇或异丙醇中的任一种或至少两种的组合。
进一步地，所述纳米颗粒的孔隙率低于40％，所述纳米颗粒的粒径小于等于100μm。
进一步地，还包括固定在所述散热盖体顶面外表面上的散热鳍片，所述散热鳍片与所述散热基体内的所述中空腔体对应设置。
一种半导体散热结构的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
散热基材加工步骤，包括在所述散热基材的一表面至少部分区域设置纳米颗粒层，所述纳米颗粒层附着并填充相变散热液；
然后，进行散热基材整形步骤，包括将所述散热基材弯折或拼接形成密封的散热基体，所述散热基体内包含至少一个中空腔体，所述纳米颗粒层至少设置在所述散热基体底面的内表面，形成所述半导体散热结构；
然后，将所述散热基体的底面接触半导体器件，使得所述相变散热液在所述中空腔体内进行液相-气相的反复转换。
进一步地，所述散热基材加工步骤包括将纳米颗粒附着至所述散热基材的所述表面的所述区域上，
再对所述纳米颗粒进行烧结或镀设包裹层，所述包裹层布设在所述区域表面并包裹所述纳米颗粒。
进一步地，所述散热基材加工步骤包括在所述散热基材的部分区域表面设置纳米鳍结构。
进一步地，所述纳米鳍结构设置为纳米柱、纳米片、纳米墙中的一种或多种形貌。
进一步地，所述纳米颗粒层表面的纳米颗粒包括钛纳米颗粒、钛氧化物纳米颗粒、钛-钛氧化物纳米颗粒、铜纳米颗粒、铜-铜氧化物纳米颗粒、镍纳米颗粒或镍-镍氧化物纳米颗粒中的任一种或至少两种的组合；所述纳米颗粒的孔隙率低于40％，所述纳米颗粒的粒径小于等于100μm。
进一步地，所述散热基材加工步骤还包括，在设置所述纳米颗粒层之后，将相变散热液填充至所述纳米颗粒层内；所述相变散热液包括水、甲醇、乙醇、丙酮、全氟己烷、三氯三氟乙烷、汞、乙二醇或异丙醇中的任一种或至少两种的组合。
进一步地，所述散热基材整形步骤还包括，在形成所述散热结构后，对所述散热基体的四周进行整形处理以减小厚度，并在所述散热基体的底面的外表面与支撑框体结合，形成散热盖体。
进一步地，所述散热基材整形步骤还包括，在形成所述散热结构后，对所述散热基体的四周进行整形处理以减小厚度，并对所述四周部分进行弯折整形成支撑部，形成散热盖体。
进一步地，还包括固定多个散热鳍片的步骤，所述散热鳍片设置在所述中空腔体的对应位置，
所述固定多个散热鳍片的步骤，设置在所述散热基材加工步骤之前，以将多个散热鳍片固定在所述散热基材的另一表面上，
或，所述固定多个散热鳍片的步骤设置在所述散热基材整形步骤之后，
或，所述固定多个散热鳍片的步骤设置在所述散热结构与半导体器件结合之后。
一种包含前述半导体散热结构或半导体散热盖体的封装结构，所述封装结构中包含多个半导体器件，
所述散热基体内的中空腔体与所述半导体器件中的一个或多个对应设置。
进一步地，所述散热结构还包括固定在所述散热基体或所述散热盖体顶面外表面上的散热鳍片，所述散热鳍片与所述中空腔体对应设置。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
1、本发明提供了一种与半导体器件接触的散热结构，该散热结构内设置中空腔体，并在中空腔体内表面中至少底面上设置纳米颗粒层以吸附并填充相变散热液。通过纳米颗粒层的颗粒表面促进相变散热液的保持和填充，且对填充相变散热液的工艺进行简化，也极大提高相变散热液的填充量。而在中空腔体中，相变散热液在吸收热量后气化成气体，向散热结构顶表面和侧壁扩散，在扩散至顶表面或侧壁时，由于热量的消散而再次液化，并最终流回散热结构的底表面，并再次被纳米颗粒层中的纳米颗粒吸附。相变散热液的状态变化路径与中空腔体中热量的扩散路径一致，整体上极大提高半导体器件的散热效率。
2、本发明提供的散热结构的中空腔体内含有相变散热液，可以在腔体内实现相变转化，以加速散热，提高散热效率。此外，通过纳米颗粒吸附散热液，增加散热表面积的同时还能够降低散热装置的高度，使得产品更加轻薄。还可以通过与外接散热鳍片配合，将散热鳍片对应固定在散热结构的中空腔体上，使得散热鳍片与外界形成的散热空间可以视为与中空腔体接触的延伸散热空间，使得相变散热液的有效散热空间可以进一步增大，进一步提高封装结构的散热效率。
3、本发明提供的散热结构还可以集成为保护和封装半导体器件的散热盖体的一部分，不必再额外施加散热结构，进一步降低封装结构的高度，节约了成本，利于器件的整体小型化。
4、本发明提供的散热结构可以配合多半导体器件的封装工艺，按需将散热结构中的起主要散热功能的中空腔体与一个或多个芯片对应设置，对某些散热需求高的芯片进行针对性地散热处理，进一步提高多芯片封装体的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1中的(a)为本发明提供的半导体散热结构的俯视图；图1中的(b)为图1中的(a)中x-x’处对应的剖面图，其中圆形框中显示了局部放大图；
图2中的(a)、图2中的(b)、图2中的(c)和图2中的(d)为本发明提供的不同散热结构的剖面图；
图3中的(a)、图3中的(b)、图3中的(c)、图3中的(d)、图3中的(e)和图3中的(f)为本发明提供的在中空腔体中施加纳米鳍结构的俯视剖面图；
图4中的(a)、图4中的(b)、图4中的(c)和图4中的(d)为本发明提供的施加有散热鳍片的不同封装结构的剖面图；
图5中的(a)、图5中的(b)和图5中的(c)为本发明提供的不同封装结构和封装盖体与半导体结构封装之后的剖面图；
图6中的(a)为本发明提供的集成有多半导体器件的散热结构的俯视图；图6中的(b)示出了多半导体器件固定在支撑结构时的俯视图，图6中的(c)为图6中的(b)中y-y’处对应的剖面图；
图7中的(a)、图7中的(b)和图7中的(c)为本发明提供的施加有散热鳍片的不同封装结构和封装盖体的剖面图；
图8中的(a)-图8中的(f)示出了本发明提供的制备方法示意图。
其中，1-散热结构；11-散热基体；12-中空腔体；13-纳米颗粒层；14-散热盖体的四周部分；15-散热盖体的中央部分；16-散热基材；
21-支撑结构；22-半导体器件；23-焊球；24-焊料；25-封装支架；
3-散热鳍片；
4-纳米鳍结构；41-纳米柱；42-纳米片；43-纳米墙。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
传统工艺中，半导体器件，特别是散热量较大的运算单元或是功率器件，通常需要在封装壳体外施加散热鳍片、风扇、具有流体通道的散热器等，对半导体器件产生的热量进行传导，完成散热。但随着半导体器件朝小型化的方向发展，半导体器件的面积急剧较小，使得在封装壳体外可以施加散热器的有效面积也极大缩小，使得传统外接散热器的散热效果也极大降低。此外，外接的散热鳍片等散热结构通常具有加大的高度，其高度会极大增大整个半导体器件封装体的高度，不利于器件小型化。
本说明书提供一种半导体散热结构、散热盖体、封装结构及其制备方法。下面结合附图，对本说明书的半导体散热结构、散热盖体、封装结构及其制备方法进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施方式中的特征可以相互组合。
参见图1，其中图1中的(a)示出了将散热结构1与半导体器件22结合后的俯视图，图1中的(b)示出了图1中的(a)中沿x-x’方向的剖面图，且在右侧的圆形框中示出了局部的放大图。本发明提供一种半导体散热结构1，散热结构1与半导体器件22接触，散热结构1包括散热基体11，散热基体11的底面接触半导体器件22；散热基体内包含至少一个中空腔体12；至少在散热基体11底面的内表面设置纳米颗粒层13，纳米颗粒层13附着并填充相变散热液，相变散热液在中空腔体12内进行液相-气相的反复转换。
具体来说，图1中示出了，将散热结构1固定在半导体器件22上，具体固定的方式可以是施加导热胶体等方式，本发明并不对上述固定的方式进行具体限定，只要散热结构1与半导体器件22可以可靠固定，且固定后，两者之间形成稳定有效的热量传递通道即可。
此外，本发明在散热结构1中设置了中空腔体12，该中空腔体12的多个表面之间形成了热量传递的空间。特别地，本发明中，该中空腔体12的底表面与半导体器件22接触，本领域技术人员应当理解的是，在该底表面处由于直接接触热源，其热量会大于顶表面或其他的侧壁表面。
具体来说，中空腔体12通过散热基体11进行折叠或拼接，将多个表面结合密封而成。由于中空腔体12的空间大小与散热结构的效果成正相关，但其高度不宜过多，避免导致半导体器件封装后的高度增加过多。在实际应用中，中空腔体12的高度为0.2～5mm。散热基体11需要有稳定的支撑效果、较好的散热性能，以及便于后续纳米颗粒加工设置等特性。
需要特别注意的是，在与半导体器件22接触的散热基体11的底表面上设置了纳米颗粒层13，其在散热基体11的底表面上形成了凹凸起伏的表面，通过凸起的纳米颗粒增大了散热基体11的表面积。此外，在纳米颗粒层12中填充有相变散热液，纳米颗粒还可以对该相变散热液进行一定的吸附，使得纳米颗粒层12中含有足够量的相变散热液。
相变散热液的材料选择为，在热量传递过程中可以进行液相-气相反复转换的材料，在本发明中，相变散热液预先吸附并填充在纳米颗粒层12中，纳米颗粒层12直接设置在散热基体11的底表面上。当散热基体11的底表面获得半导体器件散发的热量后，热量传递至纳米颗粒层12，其中吸附并填充的相变散热液吸收该热量发生相变，转换为气体，该气体会向底表面以外的空间扩散，即在中空腔体12中发生扩散。当该气体扩散至散热基体11的侧壁或顶表面后，气体遇冷而发生另一相变过程，变回液体，而该液体在受到重力的影响后，落回散热基材11的底表面，再次被底表面上的纳米颗粒层12所吸附。上述相变的转换是根据热量传递进行的，在对半导体器件进行散热的过程中，反复进行液相-气相的转变，从而高效率的完成散热。
特别地，如图1中的(a)所示，纳米颗粒层12完全铺满散热基材11的底表面，但本领域技术人员可以理解的是，该纳米颗粒层12可以设置在散热基材11底表面的局部区域中。
具体而言，相变散热液包括水、甲醇、乙醇、丙酮、全氟己烷、三氯三氟乙烷、汞、乙二醇或异丙醇中的任一种或至少两种的组合。具体的材料类型可以根据半导体器件22的发热情况，结合中空腔体12的热扩散效率的具体情况进行综合选择。
此外，纳米颗粒层12中的纳米颗粒包括钛纳米颗粒、钛氧化物纳米颗粒、钛-钛氧化物纳米颗粒、铜纳米颗粒、铜-铜氧化物纳米颗粒、镍纳米颗粒或镍-镍氧化物纳米颗粒中的任一种或至少两种的组合。具体的纳米颗粒材料，可以根据相变散热液的吸附能力等情况进行选择。
具体尺寸上来看，纳米颗粒层的孔隙率低于40％，使得纳米颗粒层的纳米颗粒之间形成了一定可以填充液体的空间，具体地，纳米颗粒层的孔隙率为10％-35％。纳米颗粒的粒径小于等于100μm，具体地，纳米颗粒的粒径为0.01～80μm。例如，纳米颗粒的粒径可以是0.01μm、0.05μm、0.10μm、1.00μm、2.00μm、5.00μm、10.00μm、15.00μm、20.00μm、25.00μm、30.00μm、35.00μm、40.00μm、45.00μm、50.00μm、55.00μm、60.00μm、65.00μm、70.00μm、75.00μm、80.00μm、85.00μm、90.00μm、95.00μm或100.00μm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
需要说明的是，虽然图1中散热结构1的平面尺寸在横纵两个方向上均小于半导体器件22，但本领域技术人员应当理解的是，可以根据需要对该散热结构1的平面尺寸进行调整，例如可以调整为与半导体器件22完全相同，或在横纵某个方向上与半导体器件22一致。进一步的，还可以设置散热结构1稍大于半导体器件22。
此外，虽然图1中示出的散热结构1放置在半导体器件的中央位置，但本领域技术人员应当理解的是，可以根据需要对该散热结构1放置在半导体器件的顶表面的位置进行灵活设置。
如图1中的(b)所示，该半导体器件22是通过焊球23和额外施加的焊料24与支撑结构21固定，但半导体器件22的固定方式不以此为限，其他常见的固定方式均可以运用至本发明中。
接下来参考图2，对散热结构的常见变形进行说明。如图2中的(a)所示，该散热结构仅在其中央位置形成中空腔体12，以外的部分保留了较多的散热基体11本体，此结构可以方便后续散热基体11的整形和加工。
如图2中的(b)所示，在中空腔体12内的全部表面都设置纳米颗粒层13。需要说明的是，中空腔体12的内表面中，除了与半导体器件22直接接触的底表面施加有纳米颗粒层13外，中空腔体12中的其他表面，如侧壁中的一个或多个、顶表面均可以按需施加纳米颗粒层13。上述各表面施加纳米颗粒层13时，可以根据需要，可以仅在某个或某些表面中的某些区域设置。该纳米颗粒层13中纳米颗粒的材料、形貌特征、包含的相变散热液的材料均与前述相同，在此不再赘述。
在实际应用中，当纳米颗粒层13设置在多个表面上时，通过额外施加的纳米颗粒而增大中空腔体12的内表面积，增大相变散热液蒸发后的气体，接触中空腔体12内表面积的机会，增加气体成核的可能性，有助于气体更快、更有效地转变为液体，释放更多热量；同时由于毛细作用，中空腔室12的顶表面、侧壁的纳米颗粒层均可以吸附相变散热液，提高相变散热液的填充量，提高散热效率，从而可以一定程度上缩小中空腔体12的体积，进一步降低散热结构的高度。
如图2中的(c)所示，在散热基材11底表面上设置有多个纳米鳍结构4，该纳米鳍结构4从底表面伸出，延伸至中空腔体12的内部。此外，还可以如图2中的(d)所示，该纳米鳍结构4从底表面伸出直至与散热基体顶表面接触，以形成更加稳定的结构。
具体而言，图2中的(c)和图2中的(d)的纳米鳍结构4的表面都设置纳米颗粒层13，此时，相变散热液可以通过纳米鳍结构4回流至散热基体11的底表面，缩短相变散热液的回流路径，提高散热效率。
下面对纳米鳍结构进行详细描述，具体参照图3，纳米鳍结构4通常具有柱状、片状和墙体等形貌的变形，其中墙体是指在片状纳米鳍结构的基础上，接触式增加了额外的突出柱体而形成的复合型纳米鳍结构。
结合图3中的(a)和图3中的(b)中示出，在散热结构1内包含若干阵列排布的纳米柱41，上述纳米柱41固定在散热基体的底表面上。进一步，纳米柱41的高度可以进一步延伸至散热基体顶表面，形成顶部与散热基体顶表面固定的稳定结构。如图3中的(a)示出的该纳米柱呈8×4的阵列结构，但本发明中具体的阵列布局形式并不以此为限，可以灵活设置纳米柱41的排布数量和形貌，例如图3中的(b)中可以在第二、四行设置较第一、三行少1的周期形貌。在实际使用中，纳米柱不必形成阵列，在具体的布设密度上可以根据热量集聚的程度来确定。
具体而言，当纳米柱41形成阵列排布时，相邻的两个纳米柱之间的距离为0.2～1cm，例如可以是0.2cm、0.3cm、0.4cm、0.5cm、0.6cm、0.7cm、0.8cm、0.9cm或1.0cm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
具体地，纳米柱41与中空腔体的侧壁之间的距离为0.2～1cm，例如可以是0.2cm、0.3cm、0.4cm、0.5cm、0.6cm、0.7cm、0.8cm、0.9cm或1.0cm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
具体地，纳米柱41的直径为0.5～2mm，例如可以是0.5mm、0.6mm、0.8mm、1.0mm、1.2mm、1.5mm、1.8mm或2.0mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
尽管在前述实施例中，纳米柱41的剖面示出为一圆形，但此处并不对纳米柱41的剖面形貌进行限定，其剖面还可以为一矩形、一扇形、一三角形、一多边形等，其尺寸、间隔距离等均可以根据实际需要进行设定。
结合图3中的(c)和图3中的(d)中示出，在散热结构1内包含若干阵列排布的纳米片42，上述纳米片42固定在散热基体的底表面上。进一步，纳米片42的高度可以进一步延伸至散热基体顶表面，形成顶部与散热基体顶表面固定的稳定结构。如图3中的(c)示出的该纳米片42呈7条延散热结构的平面中较窄边平行排布的阵列结构，但本发明中上述具体的阵列布局形式并不以此为限，可以灵活设置纳米片42的排布数量和形貌，例如图3中的(d)中可以延散热结构的平面中较长边平行排布的阵列结构。在实际使用中，纳米片42不必形成阵列，可以具有不同的长度和宽度，也不必与散热结构的平面结构中某条边平行，在具体的布设密度上可以根据热量集聚的程度来确定。
具体而言，当纳米片42形成阵列排布时，相邻的两个纳米片42之间的距离为0.2～1cm，例如可以是0.2cm、0.3cm、0.4cm、0.5cm、0.6cm、0.7cm、0.8cm、0.9cm或1.0cm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
具体地，纳米片42与中空腔室12的侧壁之间的距离为0.2～1cm，例如可以是0.2cm、0.3cm、0.4cm、0.5cm、0.6cm、0.7cm、0.8cm、0.9cm或1.0cm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
具体地，纳米片42的厚度为0.5～2mm，例如可以是0.5mm、0.6mm、0.8mm、1.0mm、1.2mm、1.5mm、1.8mm或2.0mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
尽管在前述实施例中，纳米片42的剖面示出为一矩形，但此处并不对纳米片42的剖面形貌进行限定，其剖面还可以为一环形、一由至少一条边为弧形形成的结构等具有延续剖面形貌的结构，且其尺寸、间隔距离等均可以根据实际需要进行设定。
结合图3中的(e)和图3中的(f)中示出，在散热结构1内包含若干阵列排布的纳米墙43，上述纳米墙43固定在散热基体的底表面上。进一步，纳米墙43的高度可以进一步延伸至散热基体顶表面，形成顶部与散热基体顶表面固定的稳定结构。如图3中的(e)示出的该纳米墙43中的片状纳米鳍结构呈7条延散热结构的平面中较窄边平行排布的阵列结构，且复合在片状纳米鳍结构内的多个突出柱体均呈阵列排布，但本发明中上述具体的阵列布局形式并不以此为限，可以灵活设置片状纳米鳍结构和突出柱体状纳米鳍结构的排布数量和形貌，例如图3中的(f)中的片状纳米鳍结构可以延散热结构的平面中较长边平行排布的阵列结构，而突出柱体状的纳米鳍结构也成阵列排布。在实际使用中，纳米墙43不必形成阵列，片状和突出柱状纳米鳍结构可以分别具有不同的长度和宽度，片状纳米鳍结构也不必与散热结构的某条边平行，在具体的布设密度上可以根据热量集聚的程度来确定。且具体的片状纳米鳍结构和柱状纳米鳍结构的剖面形状和轮廓形貌也不进行限定。
在实际应用中，可以将由纳米柱、纳米片或纳米墙形成组合，在其中选择一种或多种进行组合设置，按需形成纳米鳍结构。
此外，本发明提供的散热结构还可以与散热鳍片配合使用，具体参见图4，图4中的(a)-图4中的(d)示出了不同散热结构与散热鳍片固定方式的剖面图。散热鳍片通常呈阵列排布，相邻的两个散热鳍片之间的距离为1～3mm，例如可以是1.0mm、1.2mm、1.5mm、1.8mm、2.0mm、2.2mm、2.5mm、2.8mm或3.0mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。散热鳍片3为实心立柱结构，通常由散热性能较好的材质制成。
如图4中的(a)所示，散热鳍片3设置在散热结构的顶表面上，且散热鳍片3与中空腔体12对应位置的排布密度明显大于其他部位，上述设置可以通过外加散热鳍片3进一步提高散热结构整体的散热性能。此外，本领域技术人员可以知晓，还可以将散热鳍片3均匀地排布在整个散热结构的顶表面上。散热鳍片对应设置在中空腔体12上，使得散热鳍片3与外界形成的散热空间可以视为与中空腔体12接触的延伸散热空间，使得相变散热液的有效散热空间可以进一步增大，进一步提高封装结构的散热效率。
如图4中的(b)所示，由于散热基材11中大部分的空间都形成了中空腔体12，形成了有效的散热空间，故而散热鳍片3可以均匀地设置在该散热结构的顶表面上。此外，本领域技术人员可以知晓，还可以设置散热鳍片3是非均匀地排布在散热结构的顶表面的某些区域上。
如图4中的(c)和图4中的(d)所示，散热鳍片3可以与中空腔体12中的纳米鳍结构4进行配合设置。具体而言，散热鳍片3优先在纳米鳍结构之间的位置进行设置，纳米鳍结构之间的位置可以视为有效的中空腔体，使得散热鳍片3与外界形成的散热空间可以视为与中空腔体接触的延伸散热空间，使得相变散热液的有效散热空间可以进一步增大，进一步提高封装结构的散热效率。
在实际应用中，半导体器件需要通过封装支架进行密封，封装支架从顶部罩在半导体器件的顶部，并从半导体器件四周延伸向下与支撑结构密封结合，该封装支架需要具有稳定的物理结构，能够保证封装的强度，且应当具有较好的散热性能，帮助封装结构内的半导体器件散热。而本发明提供的散热结构可以有多种方式与密封半导体器件的封装支架进行组合设置。
具体参考附图5，如图5中的(a)所示，其在半导体器件22已经通过封装支架25进行密封之后，通过导热胶体等将本发明提供的散热结构与封装支架25结合，两者结合的位置应当与预设半导体器件的位置对应。在实际使用中，封装支架25对应半导体器件的内表面可以设置为具有一定深度的凹槽结构，以容置半导体器件，以降低整个封装结构的厚度，且便于通过外设的散热结构帮助半导体器件散热。上述固定方式集成在半导体器件封装之后，不必对封装工艺进行改进，具有较好的工艺适应性。可选地，可在封装支架25对应半导体器件的顶表面也设置具有一定深度的台阶结构，以容置散热结构。
接下来参考图5中的(b)，其将散热结构与未封装的半导体器件结合固定，再通过外设的封装支架25，从散热结构的顶部进行包裹，以将散热结构固定在封装体内。在实际使用中，散热结构的平面尺寸可以与封装支架25的内表面一致，以形成一个稳定可靠的结构。由于本发明提供的散热结构中的散热基体主体结构具有一定的物理支撑能力，因此，将散热结构集成在封装体内部可以进一步提高封装件的物理强度和可靠性。为了不过分提高封装结构的高度，可以对封装支架25的顶部厚度进行一定的缩减。
需要特别说明的是，图5中的(c)示出了本发明中一较佳的实施方式，其通过对散热结构进行边缘整形，形成可以罩设在半导体器件外部的散热盖体。该散热盖体包括，保留中空腔体12及附近的平面结构，作为散热盖体的中央部分15，以及散热盖体的四周部分14，该散热盖体的四周部分14与支撑结构21密封固定。该散热盖体在实现本发明的散热功能之外，还兼具了封装支架的基本功能，起到支撑和保护的作用，从而在不增加封装结构高度和面积的基础上，有效提高封装结构的散热性能。
目前，多半导体器件进行一起封装的需求极大提高，多个半导体器件通常各自具有不同的功能，且具有不同的散热需求。具体而言，当本发明的散热结构应用至多半导体器件封装时，可将散热结构中起主要散热功能的中空腔体12与散热需求大的半导体器件对应，针对性的提高该半导体器件的散热效率。
具体参照图6对多半导体器件进行一体封装的情形进行说明。首先参看图6中的(b)，示意了3款半导体器件固定在支撑结构上，其具有不同的大小、功能和散热需求，本示例中，设定中部的半导体器件具有较大的散热需求。接下来参考图6中的(a)和图6中的(c)，为了对中部的半导体器件进行更好的散热，在其对应位置设置了散热结构的中空腔体12，该中空腔体12与中部的半导体器件直接接触。本领域技术人员可以知晓，该中空腔体12可以与一个或多个具有散热需求的半导体器件对应，也可以根据需求在中空腔体中设置额外的纳米鳍结构。
在实际使用中，多器件的封装结构可以依据本发明提供的散热盖体进行改造，可以根据需要设计散热盖体中央部分的中空腔体的位置、数量和内部纳米颗粒层、纳米鳍结构的形貌。还可以根据需要，设置一个中空腔体与多个半导体器件进行对应设置。
为了进一步提高散热效率，还可以在封装结构的外侧引入散热鳍片。具体参考附图7，示出了将散热鳍片3与本发明提供的散热结构或散热盖体进行配合的情形，散热鳍片3可以直接设置在散热结构上，也可以设置在封装结构的封装支架25上，还可以设置在散热盖体的中央部分15上。本领域技术人员可以理解的时，上述封装结构引入散热鳍片的情形包含了前述方案的多种组合，前述方案中的相关细节均可以对本方案进行补充。
本发明还提供了一种半导体散热结构的制备方法，具体参考图8中的(a)-图8中的(f),其包含以下步骤：
S1：散热基材加工步骤，包括在散热基材16的一表面至少部分区域设置纳米颗粒层13，纳米颗粒层13附着并填充相变散热液；
S2：散热基材整形步骤，包括将所述散热基材16弯折或拼接形成密封的散热基体11，所述散热基体内包含至少一个中空腔体12，所述纳米颗粒层13至少设置在所述散热基体底面的内表面；
在S1步骤和S2步骤之后，即形成了半导体散热结构，
S3:将所述散热基体的底面接触半导体器件，使得所述相变散热液在所述中空腔体内进行液相-气相的反复转换。
具体参考图8中的(a)，提供一散热基材16，该散热基材后续作为形成散热基体的主体结构，通常选择散热性能优良的金属或陶瓷作为基材材料，并根据后续结合的半导体器件的尺寸进行加工。
之后，参考图8中的(b)，在散热基材16的目标区域施加纳米颗粒，以在其表面形成纳米颗粒层13。通常将包含纳米颗粒的溶液喷淋在散热基材16表面，并烧结，以形成位于散热基材表面的纳米颗粒层13。纳米颗粒包括钛纳米颗粒、钛氧化物纳米颗粒、钛/钛氧化物纳米颗粒、铜纳米颗粒、铜/铜氧化物纳米颗粒、镍纳米颗粒或镍/镍氧化物纳米颗粒中的任一种或至少两种的组合。
需要说明的是，在制备纳米颗粒层的工艺中，可以将形成纳米鳍结构的工艺集成在内。具体而言，可采用喷淋装置将包含纳米颗粒的溶液继续喷淋在纳米颗粒层的表面，在喷淋过程中，放置散热基材的传送带保持静止，喷淋装置的喷头不动或逐渐竖直向上移动，得到竖立的纳米柱。
另一种方式中，在喷淋过程中，将放置散热基材的传送带改变为水平移动，或者放置散热基材的传送带保持静止，通过调节喷淋装置的喷头来回移动，而保持竖直方向上不动或在竖直方向上逐渐上移，则能够得到竖立的纳米片。
而可以根据制备工艺，或后续图案化的方式对分别制备片状和柱状纳米鳍结构，再对形貌进行整形，形成需要的纳米墙结构。
在实际应用中，在形成纳米颗粒层之后，可以配合电镀工艺，在纳米颗粒之间和纳米颗粒表面形成连贯的包裹层，包裹层实现对纳米颗粒内部形成保护，防止纳米颗粒被氧化，同时其还可以进一步增强后续填充的相变散热液的浸润性，提高相变散热液的填充效率。可选地，形成包裹层的材料可以是镍、钛、铬、氧化硅、玻璃或陶瓷等。
在形成包裹层时，可以在形成纳米颗粒层和纳米鳍结构完成烧结之后施加；也可以根据纳米颗粒层和包裹层的材料，选择在喷淋等工艺预制形成纳米颗粒层、纳米鳍结构之后，直接进行电镀等工艺形成包裹层，最后进行一体烧结。
形成纳米颗粒层13之后，将散热基材16浸润在相变散热液中，或通过喷涂的方式，在纳米颗粒层内填充相变散热液。散热液包括水、甲醇、乙醇、丙酮、全氟己烷、三氯三氟乙烷、汞、乙二醇或异丙醇中的任一种或至少两种的组合。
接着，参考图8中的(c)，对已填充相变散热液的散热基材16进行整形处理，可以对片状的散热基材16进行弯折，或将多块独立设置的散热基材进行拼接，获得一个完整密封的散热基体11，其内部保留至少一个中空腔体12，前序工艺中制备的纳米颗粒层13设置在中空腔体12内表面，即完成散热结构的制备。形成的散热结构将与半导体器件直接接触，其中的中空腔体与半导体器件对应设置，使得半导体器件产生的热量可以通过中空腔体内的相变散热液的反复相变过程进行有效散热。
此外，继续参考图8中的(d)，为了便于与半导体器件的结合，可以对散热结构的四周进行整形处理以减小厚度，如对散热结构的四周进行冲压等，进行压缩变薄。后续可以直接在上述四周已经压缩变薄的散热基体的底面外表面，结合一支撑框体，形成散热盖体。
另一种形成散热盖体的方式，在图8中的(d)之后，继续参考图8中的(e)-8中的(f)，对上述四周已经压缩变薄的散热基体，继续整形处理，对四周部分继续压缩延伸，形成类似支撑结构的四周部分，通过对四周部分的弯折整形处理获得散热盖体的四周部分14。
整个散热盖体包括中央部分15和四周部分14，该四周部分14形成可以环绕半导体器件的空间，该中央部分15包括中空腔体，其与半导体器件直接接触。该散热盖体可以对半导体器件进行散热的同时，兼具封装支架的功能，由于并未通过额外施加结构的方式设置中空腔体，其可以整体上获得较小的封装高度，利于器件的小型化。
可以理解的是，在上述散热结构、散热盖体的制备工艺之后，将其直接接触半导体器件并完成结合固定，完成半导体封装结构的制备，使得相变散热液在上述散热结构、散热盖体的中空腔体内进行液相-气相的反复转换，实现对半导体器件的有效散热。
需要理解的是，在本发明的描述中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (27)

1.一种半导体散热结构，所述散热结构与半导体器件接触，其特征在于，
所述散热结构包括散热基体，所述散热基体的底面接触所述半导体器件；
所述散热基体内包含至少一个中空腔体；
至少在所述散热基体底面的内表面设置纳米颗粒层，所述纳米颗粒层附着并填充相变散热液，所述相变散热液在所述中空腔体内进行液相-气相的反复转换。
2.如权利要求1所述的半导体散热结构，其特征在于，所述中空腔体内还包括一个或多个固定在所述散热基体的所述底面上的纳米鳍结构，所述纳米鳍结构外表面设置所述纳米颗粒层，所述纳米颗粒层附着所述相变散热液。
3.如权利要求2所述的半导体散热结构，其特征在于，所述纳米鳍结构包括纳米柱、纳米片、纳米墙中的一种或多种结构。
4.如权利要求1所述的半导体散热结构，其特征在于，还包括，在所述散热基体的侧壁或顶面中一个或多个内表面设置所述纳米颗粒层，所述纳米颗粒层附着所述相变散热液。
5.如权利要求1-4中任一项所述的半导体散热结构，其特征在于，所述纳米颗粒层包括钛纳米颗粒、钛氧化物纳米颗粒、钛-钛氧化物纳米颗粒、铜纳米颗粒、铜-铜氧化物纳米颗粒、镍纳米颗粒或镍-镍氧化物纳米颗粒中的任一种或至少两种的组合。
6.如权利要求1-4中任一项所述的半导体散热结构，其特征在于，所述相变散热液包括水、甲醇、乙醇、丙酮、全氟己烷、三氯三氟乙烷、汞、乙二醇或异丙醇中的任一种或至少两种的组合。
7.如权利要求5所述的半导体散热结构，其特征在于，所述纳米颗粒层的孔隙率低于40％，所述纳米颗粒的粒径小于等于100μm。
8.如权利要求1所述的半导体散热结构，其特征在于，所述散热结构还包括固定在所述散热基体顶面外表面上的多个散热鳍片，所述散热鳍片设置在所述中空腔体的对应位置。
9.一种半导体散热盖体，所述散热盖体盖设在半导体器件上，所述半导体器件预先固定在支撑结构上，其特征在于，
所述散热盖体包括中央部分和四周部分，所述四周部分延伸至所述支撑结构的四周，并与所述支撑结构结合固定；
所述散热盖体的所述中央部分包括散热基体，所述散热基体的底面接触所述半导体器件；
所述散热基体内包含至少一个中空腔体；
至少在所述散热基体底面的内表面设置纳米颗粒层，所述纳米颗粒层内附着并填充相变散热液，所述相变散热液在所述中空腔体内进行液相-气相的反复转换。
10.如权利要求9所述的半导体散热盖体，其特征在于，所述中空腔体内还包括一个或多个固定在所述散热基体的所述底面上的纳米鳍结构，所述纳米鳍结构外表面设置所述纳米颗粒层，所述纳米颗粒层附着所述相变散热液。
11.如权利要求10所述的半导体散热盖体，其特征在于，所述纳米鳍结构包括纳米柱、纳米片、纳米墙中的一种或多种结构。
12.如权利要求9所述的半导体散热盖体，其特征在于，所述散热基体的侧壁或顶面中一个或多个的内表面设置所述纳米颗粒层，所述纳米颗粒层附着相变散热液。
13.如权利要求9-12中任一项所述的半导体散热盖体，其特征在于，所述纳米颗粒层包括钛纳米颗粒、钛氧化物纳米颗粒、钛-钛氧化物纳米颗粒、铜纳米颗粒、铜-铜氧化物纳米颗粒、镍纳米颗粒或镍-镍氧化物纳米颗粒中的任一种或至少两种的组合。
14.如权利要求9-12中任一项所述的半导体散热盖体，其特征在于，所述相变散热液包括水、甲醇、乙醇、丙酮、全氟己烷、三氯三氟乙烷、汞、乙二醇或异丙醇中的任一种或至少两种的组合。
15.如权利要求13所述的半导体散热盖体，其特征在于，所述纳米颗粒的孔隙率低于40％，所述纳米颗粒的粒径小于等于100μm。
16.如权利要求9所述的半导体散热盖体，其特征在于，还包括固定在所述散热盖体顶面外表面上的散热鳍片，所述散热鳍片与所述散热基体内的所述中空腔体对应设置。
17.一种半导体散热结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
散热基材加工步骤，包括在所述散热基材的一表面至少部分区域设置纳米颗粒层，所述纳米颗粒层附着并填充相变散热液；
然后，进行散热基材整形步骤，包括将所述散热基材弯折或拼接形成密封的散热基体，所述散热基体内包含至少一个中空腔体，所述纳米颗粒层至少设置在所述散热基体底面的内表面，形成所述半导体散热结构；
然后，将所述散热基体的底面接触半导体器件，使得所述相变散热液在所述中空腔体内进行液相-气相的反复转换。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述散热基材加工步骤包括将纳米颗粒附着至所述散热基材的所述表面的所述区域上，
再对所述纳米颗粒进行烧结或镀设包裹层，所述包裹层布设在所述区域表面并包裹所述纳米颗粒。
19.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述散热基材加工步骤包括在所述散热基材的部分区域表面设置纳米鳍结构。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述纳米鳍结构设置为纳米柱、纳米片、纳米墙中的一种或多种形貌。
21.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述纳米颗粒层表面的纳米颗粒包括钛纳米颗粒、钛氧化物纳米颗粒、钛-钛氧化物纳米颗粒、铜纳米颗粒、铜-铜氧化物纳米颗粒、镍纳米颗粒或镍-镍氧化物纳米颗粒中的任一种或至少两种的组合；所述纳米颗粒的孔隙率低于40％，所述纳米颗粒的粒径小于等于100μm。
22.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述散热基材加工步骤还包括，在设置所述纳米颗粒层之后，将相变散热液填充至所述纳米颗粒层内；所述相变散热液包括水、甲醇、乙醇、丙酮、全氟己烷、三氯三氟乙烷、汞、乙二醇或异丙醇中的任一种或至少两种的组合。
23.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述散热基材整形步骤还包括，在形成所述散热结构后，对所述散热基体的四周进行整形处理以减小厚度，并在所述散热基体的底面的外表面与支撑框体结合，形成散热盖体。
24.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述散热基材整形步骤还包括，在形成所述散热结构后，对所述散热基体的四周进行整形处理以减小厚度，并对所述四周部分进行弯折整形成支撑部，形成散热盖体。
25.如权利要求17所述的方法，其特征在于，还包括固定多个散热鳍片的步骤，所述散热鳍片设置在所述中空腔体的对应位置，
所述固定多个散热鳍片的步骤，设置在所述散热基材加工步骤之前，以将多个散热鳍片固定在所述散热基材的另一表面上，
或，所述固定多个散热鳍片的步骤设置在所述散热基材整形步骤之后，
或，所述固定多个散热鳍片的步骤设置在所述散热结构与半导体器件结合之后。
26.一种包含如权利要求1中的半导体散热结构或权利要求9中的半导体散热盖体的封装结构，所述封装结构中包含多个半导体器件，其特征在于，
所述散热基体内的中空腔体与所述半导体器件中的一个或多个对应设置。
27.如权利要求26所述的封装结构，其特征在于，所述散热结构还包括固定在所述散热基体或所述散热盖体顶面外表面上的散热鳍片，所述散热鳍片与所述中空腔体对应设置。
CN202310374617.9A 2023-04-10 2023-04-10 一种半导体散热结构、散热盖体、封装结构及其制备方法 Pending CN116387252A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310374617.9A CN116387252A (zh) 2023-04-10 2023-04-10 一种半导体散热结构、散热盖体、封装结构及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310374617.9A CN116387252A (zh) 2023-04-10 2023-04-10 一种半导体散热结构、散热盖体、封装结构及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116387252A true CN116387252A (zh) 2023-07-04

Family

ID=86972887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310374617.9A Pending CN116387252A (zh) 2023-04-10 2023-04-10 一种半导体散热结构、散热盖体、封装结构及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116387252A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10816275B2 (en) Semiconductor device assembly with vapor chamber
US20210125899A1 (en) Method for manufacturing a semiconductor device assembly with through-mold cooling channel formed in encapsulant
KR101550847B1 (ko) 열 분산기를 구비한 멀티-다이 반도체 패키지
EP3051584B1 (en) Heat spreader with down set leg attachment feature
TWI434379B (zh) 微電子封裝體及其製作方法
US7361986B2 (en) Heat stud for stacked chip package
KR20190076661A (ko) 전자 장치 및 전자 장치의 제조 방법
TW201532216A (zh) 封裝結構及其形成方法
JP2000156436A (ja) 半導体素子および半導体チップのパッケ―ジ方法
WO2002100145A1 (en) Thermal enhanced extended surface tape for integrated circuit heat dissipation
CN117441416A (zh) 散热件及电子设备
TWI391084B (zh) 具有散熱件之電路板結構
US8587111B2 (en) Multi-chip package with thermal frame and method of assembling
TW200805587A (en) Semiconductor package, method of production of same, printed circuit board, and electronic apparatus
CN116387252A (zh) 一种半导体散热结构、散热盖体、封装结构及其制备方法
JP2008541464A (ja) 集積回路パッケージ構造体およびそれを製造する方法
CN218730889U (zh) 散热构造体以及电子设备
CN111465254B (zh) 超薄型散热板
CN114649283A (zh) 集成电路设备的浸没冷却
JPH11204676A (ja) 半導体装置とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination