CN116381578A - 一种有源差分磁场探头装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种有源差分磁场探头装置,涉及差分磁场探头领域;上导体层刻蚀第一和第二渐变锥形开口;内导体层包括第一和第二感应环、第一和第二线性渐变型导体及差分放大器;第一感应环的感应面积与第二感应环的感应面积存在重叠;第一感应环通过第一线性渐变型导体与差分放大器连接;第一感应环用于感应外界磁场产生第一电磁信号;第二感应环通过第二线性渐变型导体与差分放大器连接;第二感应环用于感应外界磁场产生第二电磁信号;差分放大器用于对差分电压信号进行放大处理,得到放大的差分电压信号;差分电压信号根据第一电磁信号和第二电磁信号作差得到。本发明可以同时实现高空间分辨率和高灵敏度。
Description
技术领域
本发明涉及差分磁场探头领域,特别是涉及一种有源差分磁场探头装置。
背景技术
随着高密度集成电路的发展,电磁兼容问题越来越严重。通过电磁近场测量,对高密度集成电路中的辐射源进行定位是解决电磁干扰(EMI)问题的有效方法。高密度集成电路向低信号功率和小型化方向发展,这就要求电磁近场测量向高灵敏度、高空间分辨率方向发展。作为电磁近场测量的关键部件,磁场探头的性能严重影响着磁场辐射源的检测。
传统磁场探头提升灵敏度通常采用增大环面积的方法,但是,较大的环面积会降低空间分辨率性能。为了在更大的环面积下提高空间分辨率,专利文献(CN109655770A)与专利文献(CN110261798A)分别提出叠加放置型差分磁场探头结构和并排放置型差分磁场探头结构,通过差分测量结果相当于一个较小的有效环面积,能有效地解决上述问题。然而,专利文献(CN109655770A)与专利文献(CN110261798A)中所涉及的差分磁场探头,在测量中存在位置偏差,这会导致测量误差。
发明内容
本发明的目的是提供一种有源差分磁场探头装置,可以同时实现高空间分辨率和高灵敏度。
为实现上述目的,本发明提供了如下方案:
一种有源差分磁场探头装置,所述有源差分磁场探头装置从上至下依次包括:上导体层、第一介质层、内导体层、第二介质层和下导体层;
所述上导体层上刻蚀第一渐变锥形开口、第二渐变锥形开口;
所述内导体层包括第一感应环、第二感应环、第一线性渐变型导体、第二线性渐变型导体和差分放大器;
所述第一感应环的感应面积与所述第二感应环的感应面积存在重叠;
所述第一线性渐变型导体在垂直方向上位于所述第一渐变锥形开口下方;所述第二线性渐变型导体在垂直方向上位于所述第二渐变锥形开口下方;
所述第一感应环通过第一线性渐变型导体与所述差分放大器的第一输入端连接;所述第一感应环用于感应外界磁场产生第一电磁信号;
所述第二感应环通过第二线性渐变型导体与所述差分放大器的第二输入端连接;所述第二感应环用于感应外界磁场产生第二电磁信号;
所述差分放大器用于对差分电压信号进行放大处理,得到放大的差分电压信号;所述差分电压信号根据所述第一电磁信号和所述第二电磁信号作差得到。
可选地,所述内导体层还包括:滤波电容、直流供电端、输出共面波导;
所述直流供电端与所述差分放大器的供电端连接,得到连接支路;
所述输出共面波导与所述差分放大器的输出端连接;
所述滤波电容的一端与所述连接支路连接;所述滤波电容的另一端与所述输出共面波导连接。
可选地,所述有源差分磁场探头装置还包括:第一开孔和第二开孔;
所述第一开孔位于所述上导体层;所述第二开孔位于所述下导体层;
所述第一开孔的开孔位置和所述第二开孔的开孔位置对应;所述第一开孔和所述第二开孔面积相同。
可选地,所述第一感应环与所述第二感应环均为L型;所述第一感应环与所述第二感应环的长边的长度不同;所述第一感应环与所述第二感应环的短边的长度相同;
所述第一感应环的短边和所述第二感应环的短边与所述第一开孔和所述第二开孔相互对应。
可选地,所述上导体层上还刻蚀有:第一垂直通孔和第二垂直通孔;
所述第一垂直通孔从上至下依次通过所述上导体层、第一介质层、第一感应环的短边的末端、第二介质层和下导体层;
所述第二垂直通孔从上至下依次通过所述上导体层、第一介质层、第二感应环的短边的末端、第二介质层和下导体层。
可选地,所述第一感应环和所述第二感应环为带状线传输结构。
可选地,所述有源差分磁场探头装置采用Rogers RT材料或duroid4350材料。
可选地,所述差分放大器采用具有8GHz增益带宽积的LMH5401。
根据本发明提供的具体实施例,本发明公开了以下技术效果:
本发明公开一种有源差分磁场探头装置,涉及差分磁场探头领域;有源差分磁场探头装置从上至下依次包括:上导体层、第一介质层、内导体层、第二介质层和下导体层;所述上导体层上刻蚀第一渐变锥形开口、第二渐变锥形开口;所述内导体层包括第一感应环、第二感应环、第一线性渐变型导体、第二线性渐变型导体和差分放大器;所述第一感应环的感应面积与所述第二感应环的感应面积存在重叠;所述第一线性渐变型导体在垂直方向上位于所述第一渐变锥形开口下方;所述第二线性渐变型导体在垂直方向上位于所述第二渐变锥形开口下方;所述第一感应环通过第一线性渐变型导体与所述差分放大器的第一输入端连接;所述第一感应环用于感应外界磁场产生第一电磁信号;所述第二感应环通过第二线性渐变型导体与所述差分放大器的第二输入端连接;所述第二感应环用于感应外界磁场产生第二电磁信号;所述差分放大器用于对差分电压信号进行放大处理,得到放大的差分电压信号;所述差分电压信号根据所述第一电磁信号和所述第二电磁信号作差得到。提出第一感应环的感应面积与第二感应环的感应面积存在重叠,相当于一个较小的有效环面积的磁场探头,在保证灵敏度的同时,能够提高空间分辨率。通过线性渐变型导体进行连接具有良好的阻抗匹配和场匹配。采用差分放大器,以提高所提出的探头的灵敏度。本发明提出有源差分磁场探头可以同时实现高空间分辨率和高灵敏度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种有源差分磁场探头的结构图;
图2为本发明实施例提供的上导体层的示意图;
图3为本发明实施例提供的内导体层的示意图;
图4为本发明实施例提供的下导体层的示意图;
图5为本发明实施例提供的频率特性仿真与测试图;
图6为本发明实施例提供的空间分辨率仿真与测试图;
图7为本发明实施例提供的灵敏度的性能测试图;
图8为本发明实施例提供的有源差分磁场探头的结构主视图。
符号说明:
1、第一介质层;2、上导体层;3、第一开孔;4、第一感应环;5、第一渐变锥形开口;6、差分放大器;7、滤波电容;8、直流供电端;9、输出共面波导;10、第二感应环;11、下导体层;12、第二渐变锥形开口;13、第一线性渐变型导体;14、第二线性渐变型导体。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明的目的是提供一种有源差分磁场探头装置,可以同时实现高空间分辨率和高灵敏度。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例1
如图1所示,本发明一种有源差分磁场探头装置,有源差分磁场探头装置从上至下依次包括:上导体层2、第一介质层1、内导体层、第二介质层和下导体层11。
上导体层2上刻蚀第一渐变锥形开口5、第二渐变锥形开口12。
如图2所示,实施过程中,第一渐变锥形开口5和第二渐变锥形开口12由一个三角形与一个梯形构成,三角形宽和高分别为S2和l2,梯形的一个底边与三角形底相同,另一个底边宽与高分别为S3与l3。
内导体层包括第一感应环4、第二感应环10、第一线性渐变型导体12、第二线性渐变型导体14和差分放大器6。
第一感应环4的感应面积与第二感应环10的感应面积存在重叠。
如图3所示,在具体实施中,第一感应环4与第二感应环10具有相同的线宽w1,相同的宽度l4,但是长度不同,第一感应环4的长度为l6,第二感应环10的长度为l5。
第一线性渐变型导体12在垂直方向上位于第一渐变锥形开口5下方;第二线性渐变型导体14在垂直方向上位于第二渐变锥形开口12下方。
第一感应环4通过第一线性渐变型导体12与差分放大器6的第一输入端连接。第一感应环4用于感应外界磁场产生第一电磁信号。
第二感应环10通过第二线性渐变型导体14与差分放大器6的第二输入端连接;第二感应环10用于感应外界磁场产生第二电磁信号。
如图3所示,第一线性渐变型导体12与第一感应环4连接部分的宽度为w1,与差分放大电路部分连接的宽度为w2。
第二线性渐变型导体14与第二感应环10连接部分的宽度为w1,与差分放大电路部分连接的宽度为w2。
差分放大器6用于对差分电压信号进行放大处理,得到放大的差分电压信号。差分电压信号根据第一电磁信号和第二电磁信号作差得到。
内导体层还包括:滤波电容7、直流供电端8、输出共面波导9。
直流供电端8与差分放大器6的供电端连接,得到连接支路。
输出共面波导9与差分放大器6的输出端连接。
滤波电容7的一端与连接支路连接;滤波电容7的另一端与输出共面波导9连接。
实施中,差分放大器6采用具有8GHz增益带宽积的LMH5401。滤波电容7中的C1和C2的值分别设置为0.01μF和2.2nF。直流供电端8V+和V-分别为+2V和-2V。输出共面波导9的线宽与缝隙宽度分别为w3和S4。
本实施例中的有源差分磁场探头以PCB工艺进行加工,采用Rogers RT/duroid4350材料(介电常数3.48,介质损耗角正切0.0037)。
如图8所示,第一介质层1的厚度为h2,第二介质层的厚度为h1。上导体层2、内导体层和下导体层11厚度都为t。
在具体实施中,如图2和图3所示,a=3.5mm,b=2.4mm,l1=0.25mm,l2=l3=1.5mm,S2=1.5mm,S3=2.4mm,l4=3.5mm,l5=4.7mm,l6=5mm,w2=0.68mm,w3=0.75mm,S4=0.15mm。
有源差分磁场探头装置还包括:第一开孔3和第二开孔。
第一开孔3位于所述上导体层2。第二开孔位于所述下导体层11。
第一开孔3的开孔位置和所述第二开孔的开孔位置对应。第一开孔3和第二开孔面积相同。
如图3所示,具体实施中,第一开孔3和第二开孔均由两个长方形组成,大长方形的长宽分别为a和b,小长方形的长宽分别为l1和S1。
如图1和图3所示,第一感应环4与第二感应环10均为L型。第一感应环4与第二感应环10的长边的长度不同。第一感应环4与第二感应环10的短边的长度相同。
第一感应环4的短边和所述第二感应环10的短边与第一开孔3和第二开孔相互对应。
如图1所示,上导体层2上还刻蚀有:第一垂直通孔和第二垂直通孔。
第一垂直通孔从上至下依次通过上导体层2、第一介质层1、第一感应环4的短边的末端、第二介质层和下导体层11。
第二垂直通孔从上至下依次通过上导体层2、第一介质层1、第二感应环10的短边的末端、第二介质层和下导体层11。
第一感应环4和所述第二感应环10为带状线传输结构。
实施例2
在具体实施中,还可以将有源差分磁场探头分为:探测部分、互联部分和差分放大电路部分。
探测部分、互联部分与差分放大电路部分依次级联。
探测部分与互联部分包括至少两层介质和设置在介质上的上中下三层金属。
差分放大电路部分包括至少一层介质和设置在介质上的上下层金属。
探测部分包括两个面积不同的磁场感应环,第一感应环4与第二感应环10。
探测部分放置在时变磁场中,两个面积不同的磁场感应环输出差分电压信号。
互联部分用于将探测部分输出的差分电压信号传输到差分放大电路部分。
差分放大电路部分用于放大差分电压信号,提高磁场探头的灵敏度。
探测部分由第一上层介质层、第一下层介质层、第一上层导体、第一下层导体、第一短路通孔、第二短路通孔、第一内导体构成。
第一上层介质层位于第一上层导体与第一内导体之间。第一下层介质层位于第一下层导体与第一内导体之间。第一内导体由滑动对称的第一感应环4与第二感应环10构成。探测部分的第一上层导体、第一下层导体都有开孔,开孔面积相同。
第一短路通孔位于第一感应环4末端,连接第一上层导体与第一下层导体。第二短路通孔位于第二感应环10末端,连接第一上层导体与第一下层导体。
互联部分由第二上层介质层、第二下层介质层、第二上层导体、第二下层导体和第二内导体构成。
第二上层介质层位于第二上层导体与第二内导体之间。第二下层介质层位于第二下层导体与第二内导体之间。第二上层导体刻蚀渐变锥形开口。第二内导体为线性渐变导体。
互联部分的介质层与探测部分的介质层相连,互联部分的导体与探测部分的导体相连。
差分放大电路部分由第三介质层、第三上层导体、第三下层导体构成。
第三上层导体与第三下层导体表面设置差分放大器6的直流供电端8、滤波电容7和输出共面波导9。
差分放大电路部分的第三介质层与互联部分的第二下层介质层相连,差分放大电路部分的第三上层导体与互联部分的第二下层导体相连,差分放大电路部分的第三下层导体与互联部分的第二内导体相连。
实施例3
本发明采用微带线作为待测件来测试磁场探头的性能,采用网络分析仪作为接收设备来接收输出信号。微带线的一端连接网络分析仪的Port1端口,另一端连接匹配负载;磁场探头第一感应环4的输出端接网络分析仪的Port2端口,磁场探头第二感应环10的输出端接网络分析仪的Port3端口。
如图5所示,有源差分磁场探头的带宽为10MHz至4GHz。
如图6所示,空间分辨率定义如下:当磁场探头位于微带线上方并垂直于微带线导带水平移动时,磁场强度从峰值开始下降6dB时对应的移动距离。有源差分磁场探头的空间分辨率为0.55mm;与相同环面积的传统磁场探头仿真结果相比,有源差分磁场探头的空间分辨率提高约50.0%。
如图7所示,灵敏度定义为当磁场探头位于微带线正上方时,其能耦合到的最小激励信号能量值。其中本底噪声约为-100dBm。磁场探头在1GHz至4GHz范围内的灵敏度约为-90dBm。与相同环面积的传统磁场探头仿真结果相比,有源差分磁场探头的灵敏度提高30dB。
本发明提出第一感应环1的感应面积与第二感应环10的感应面积存在重叠,相当于一个较小的有效环面积的磁场探头,在保证灵敏度的同时,能够提高空间分辨率。通过线性渐变型导体进行连接具有良好的阻抗匹配和场匹配。采用差分放大器6,以提高所提出的探头的灵敏度。本发明提出有源差分磁场探头可以同时实现高空间分辨率和高灵敏度。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (8)
1.一种有源差分磁场探头装置,其特征在于,所述有源差分磁场探头装置从上至下依次包括:上导体层、第一介质层、内导体层、第二介质层和下导体层;
所述上导体层上刻蚀第一渐变锥形开口、第二渐变锥形开口;
所述内导体层包括第一感应环、第二感应环、第一线性渐变型导体、第二线性渐变型导体和差分放大器;
所述第一感应环的感应面积与所述第二感应环的感应面积存在重叠;
所述第一线性渐变型导体在垂直方向上位于所述第一渐变锥形开口下方;所述第二线性渐变型导体在垂直方向上位于所述第二渐变锥形开口下方;
所述第一感应环通过第一线性渐变型导体与所述差分放大器的第一输入端连接;所述第一感应环用于感应外界磁场产生第一电磁信号;
所述第二感应环通过第二线性渐变型导体与所述差分放大器的第二输入端连接;所述第二感应环用于感应外界磁场产生第二电磁信号;
所述差分放大器用于对差分电压信号进行放大处理,得到放大的差分电压信号;所述差分电压信号根据所述第一电磁信号和所述第二电磁信号作差得到。
2.根据权利要求1所述的有源差分磁场探头装置,其特征在于,所述内导体层还包括:滤波电容、直流供电端和输出共面波导;
所述直流供电端与所述差分放大器的供电端连接,得到连接支路;
所述输出共面波导与所述差分放大器的输出端连接;
所述滤波电容的一端与所述连接支路连接;所述滤波电容的另一端与所述输出共面波导连接。
3.根据权利要求1所述的有源差分磁场探头装置,其特征在于,所述有源差分磁场探头装置还包括:第一开孔和第二开孔;
所述第一开孔位于所述上导体层;所述第二开孔位于所述下导体层;
所述第一开孔的开孔位置和所述第二开孔的开孔位置对应;所述第一开孔和所述第二开孔面积相同。
4.根据权利要求3所述的有源差分磁场探头装置,其特征在于,所述第一感应环与所述第二感应环均为L型;所述第一感应环与所述第二感应环的长边的长度不同;所述第一感应环与所述第二感应环的短边的长度相同;
所述第一感应环的短边和所述第二感应环的短边与所述第一开孔和所述第二开孔相互对应。
5.根据权利要求1所述的有源差分磁场探头装置,其特征在于,所述上导体层上还刻蚀有:第一垂直通孔和第二垂直通孔;
所述第一垂直通孔从上至下依次通过所述上导体层、第一介质层、第一感应环的短边的末端、第二介质层和下导体层;
所述第二垂直通孔从上至下依次通过所述上导体层、第一介质层、第二感应环的短边的末端、第二介质层和下导体层。
6.根据权利要求1所述的有源差分磁场探头装置,其特征在于,所述第一感应环和所述第二感应环为带状线传输结构。
7.根据权利要求1所述的有源差分磁场探头装置,其特征在于,所述有源差分磁场探头装置采用RogersRT材料或duroid4350材料。
8.根据权利要求1所述的有源差分磁场探头装置,其特征在于,所述差分放大器采用具有8GHz增益带宽积的LMH5401。
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CN117783702A (zh) * | 2023-12-29 | 2024-03-29 | 上海交通大学 | 同时测量垂直磁场与垂直电场的双分量近场探头及系统 |
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2023
- 2023-04-18 CN CN202310411210.9A patent/CN116381578A/zh active Pending
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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