CN114512780A

CN114512780A - 一种高三阶互调性能的环行器

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Publication number: CN114512780A
Application number: CN202210234770.7A
Authority: CN
Inventors: 冉扬洲; 李扬兴; 夏瑞青; 张建伟; 陈禹伽
Original assignee: CETC 9 Research Institute
Current assignee: CETC 9 Research Institute
Priority date: 2022-03-11
Filing date: 2022-03-11
Publication date: 2022-05-17

Abstract

本发明公开了一种高三阶互调性能的环行器，属于微波元器件技术领域，包括铁氧体基片（401）、介质（402）、中心结（501）、高阻线（502）、开路短截线（503）、外部连接线（504）和开路调配线（505），所述中心结（501）的直径大于铁氧体基片（401）的直径；本发明通过结构改进，中心导体的中心结直径大于铁氧体基片的直径让使中心导体的所有不连续结构均在介质圆周范围内，使得铁氧体基片的表面切向电流密度明显减小，从而有效地提高环行器的三阶互调性能。

Description

一种高三阶互调性能的环行器

技术领域

本发明涉及微波元器件技术领域，尤其涉及一种高三阶互调性能的环行器。

背景技术

现有环行器一般采用的如图1与图2所示的结构：其中，磁体2为铁氧体基片401提供静磁场；匀磁片3将磁体2提供的静磁场均匀化之后传导给铁氧体基片401；铁氧体基片401为器件提供旋磁作用；中心导体5作用为传输微波信号；介质402作用为改善电路匹配；温度补偿片7为器件提供宽温工作能力；盖板8与腔体1将所有零部件压合在一起，构成环行器。

现有环行器的中心导体5与铁氧体基片401的结构如图3所示，由于中心结501的直径小于铁氧体基片401的直径；中心结501与开路调配线505、高阻线502、开路短截线503、外部连接线504之间形成的不连续结构506位于铁氧体基片401的表面，如图4所示，导致铁氧体基片401表面的切向电流密度较大，如图8所示，使环行器的三阶互调性能较差。

发明内容

本发明的目的就在于提供一种高三阶互调性能的环行器，以解决上述问题。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是这样的：一种高三阶互调性能的环行器，包括铁氧体基片、介质、中心结、高阻线、开路短截线、外部连接线和开路调配线，所述中心结的直径大于铁氧体基片的直径。

作为优选的技术方案：所述高阻线位于铁氧体基片的直径范围外；所述高阻线位于介质的直径范围内。

作为优选的技术方案：所述开路短截线位于铁氧体基片的直径范围外；所述开路短截线位于介质的直径范围内。

作为优选的技术方案：所述外部连接线位于铁氧体基片的直径范围外。

作为优选的技术方案：所述开路调配线位于铁氧体基片的直径范围外。

作为优选的技术方案：所述开路调配线位于介质的直径范围内。

本发明的微波信号由外部连接线进入环行器内部，在已被磁体磁化的铁氧体基片非互易效应的作用下发生偏转，实现了环行微波信号的功能。本发明的不连续结构处在铁氧体基片的圆周范围外、介质的圆周范围内；这使得铁氧体基片的表面切向电流密度远远小于现有的同类环行器，从而提升环行器的三阶互调性能。

与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明通过结构改进，中心导体的中心结直径大于铁氧体基片的直径让使中心导体的所有不连续结构均在介质圆周范围内，使得铁氧体基片的表面切向电流密度明显减小，从而有效地提高了环行器的三阶互调性能。

附图说明

图1为现有技术的环行器零件装配示意图；

图2为现有技术的环行器剖视图；

图3为现有技术的环行器内部的基片与中心导体配合示意图；

图4为现有技术的环行器内部中心导体不连续结构示意图；

图5为本发明的环行器内部中心导体不连续结构示意图；

图6为本发明实施例的环行器内部的基片与中心导体装配示意图；

图7为本发明实施例的环行器内部的基片与中心导体配合示意图；

图8为现有技术的环行器铁氧体基片表面的切向电流密度效果图；

图9为本发明实施例的环行器铁氧体基片表面的切向电流密度效果图。

图中：1、腔体；2、磁体；3、匀磁片；401、铁氧体基片；402、介质；5、中心导体；501、中心结；502、高阻线；503、开路短截线；504、外部连接线；505、开路调配线；506、不连续结构；6、温度补偿片；7、盖板。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明作进一步说明。

实施例1：

参见图6和图7，一种高三阶互调性能的环行器，包括铁氧体基片401、介质402、中心结501、高阻线502、开路短截线503、外部连接线504和开路调配线505，所述中心结501的直径大于铁氧体基片401的直径；

本实施例中，所述高阻线502位于铁氧体基片401的直径范围外；所述高阻线502位于介质402的直径范围内；

本实施例中，所述开路短截线503位于铁氧体基片401的直径范围外；所述开路短截线503位于介质402的直径范围内；

本实施例中，所述外部连接线504位于铁氧体基片401的直径范围外；

本实施例中，所述开路调配线505位于铁氧体基片401的直径范围外；

本实施例中，所述开路调配线505位于介质402的直径范围内。

采用本实施例的结构，微波信号由外部连接线504进入环行器内部，在已被磁体2磁化的铁氧体基片401非互易效应的作用下发生偏转，实现了环行微波信号的功能。本发明的不连续结构506（如图5所示）处在铁氧体基片401的圆周范围外、介质402的圆周范围内；这使得铁氧体基片401的表面切向电流密度远远小于现有同类环行器（其对比如图8,9），进而提升环行器的三阶互调性能。原现技术与本实施例的环行器的三阶互调指标实测如下表1；

表1 原现技术与本实施例的环行器的三阶互调指标测试结果

从上表可以看出，本实施例的环行器，三阶互调指标提高了21%。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种高三阶互调性能的环行器，包括铁氧体基片（401）、介质（402）、中心结（501）、高阻线（502）、开路短截线（503）、外部连接线（504）和开路调配线（505），其特征在于：所述中心结（501）的直径大于铁氧体基片（401）的直径。

2.根据权利要求1所述的一种高三阶互调性能的环行器，其特征在于：所述高阻线（502）位于铁氧体基片（401）的直径范围外；所述高阻线（502）位于介质（402）的直径范围内。

3.根据权利要求2所述的一种高三阶互调性能的环行器，其特征在于：所述开路短截线（503）位于铁氧体基片（401）的直径范围外；所述开路短截线（503）位于介质（402）的直径范围内。

4.根据权利要求3所述的一种高三阶互调性能的环行器，其特征在于：所述外部连接线（504）位于铁氧体基片（401）的直径范围外。

5.根据权利要求4所述的一种高三阶互调性能的环行器，其特征在于：所述开路调配线（505）位于铁氧体基片（401）的直径范围外。

6.根据权利要求5所述的一种高三阶互调性能的环行器，其特征在于：所述开路调配线（505）位于介质（402）的直径范围内。