CN116343837A - 磁带盒、磁带驱动器、存储器、磁带、磁带系统及磁带驱动器的动作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够以高精度抑制伴随磁带宽度的变形而产生的偏离磁道的磁带盒、磁带驱动器、存储器、磁带、磁带系统及磁带驱动器的动作方法。磁带盒具备磁带及存储有与磁带相关的信息的存储介质。磁带具有记录面。以使磁带行进的状态通过磁头对记录面记录数据。磁头以沿着记录面相对于磁带的宽度方向倾斜的姿势配置。在存储介质中存储有对记录面记录数据之前获得的角度调整信息。角度调整信息为用于调整使磁头沿着记录面相对于宽度方向倾斜的角度的信息。

Description

磁带盒、磁带驱动器、存储器、磁带、磁带系统及磁带驱动器的 动作方法

技术领域

本发明的技术涉及一种磁带盒、磁带驱动器、存储器、磁带、磁带系统及磁带驱动器的动作方法。

背景技术

专利文献1中公开有磁带盒，其具备：盒壳体，容纳磁带；及存储器，设置于盒壳体，且存储对磁带记录数据之前的信息且用于在对磁带记录数据时或播放数据时调整磁带宽度的信息。

专利文献1：日本专利第6669302号

发明内容

本发明的技术所涉及的一个实施方式提供一种能够以高精度抑制伴随磁带宽度的变形而产生的偏离磁道的磁带盒、磁带驱动器、存储器、磁带、磁带系统及磁带驱动器的动作方法。

本发明的技术所涉及的第1方式为磁带盒，其具备磁带及存储有与磁带相关的信息的存储介质，磁带具有记录面，以使磁带行进的状态通过磁头对记录面记录数据，磁头以沿着记录面相对于磁带的宽度方向倾斜的姿势配置，在存储介质中存储有对记录面记录数据之前获得的角度调整信息，角度调整信息为用于调整使磁头沿着记录面相对于宽度方向倾斜的角度的信息。

本发明的技术所涉及的第2方式为第1方式所涉及的磁带盒，其中，角度调整信息包含与磁带的宽度对应的宽度对应信息，宽度对应信息为对记录面记录数据之前以使磁带行进的状态获取的信息。

本发明的技术所涉及的第3方式为第2方式所涉及的磁带盒，其中，宽度对应信息在磁带的全长方向上在磁带的多个部位中获取。

本发明的技术所涉及的第4方式为第1方式至第3方式中任一个方式所涉及的磁带盒，其中，角度调整信息包含确定环境的第1环境信息。

本发明的技术所涉及的第5方式为第4方式所涉及的磁带盒，其中，第1环境信息为包含表示温度的温度信息及表示湿度的湿度信息中的至少一者的信息。

本发明的技术所涉及的第6方式为第1方式至第5方式中任一个方式所涉及的磁带盒，其中，角度调整信息包含表示磁头沿着记录面相对于宽度方向倾斜的角度的角度信息。

本发明的技术所涉及的第7方式为第1方式至第6方式中任一个方式所涉及的磁带盒，其中，角度调整信息包含表示磁带的物理特征的物理特征信息。

本发明的技术所涉及的第8方式为第7方式所涉及的磁带盒，其中，物理特征包含磁带的厚度、磁带的磁性层的厚度、磁带表面的摩擦系数、磁带背面的摩擦系数、磁带的温度膨胀系数、磁带的湿度膨胀系数、磁带的泊松比及磁带的基材中的至少一个。

本发明的技术所涉及的第9方式为第1方式至第8方式中任一个方式所涉及的磁带盒，其中，存储介质为包含能够以非接触方式与非接触式读写装置进行通信的存储器的介质。

本发明的技术所涉及的第10方式为第1方式至第9方式中任一个方式所涉及的磁带盒，其中，存储介质为包含磁带的一部分的介质。

本发明的技术所涉及的第11方式为磁带驱动器，其具备：处理器，对第1方式至第10方式中任一个方式所涉及的磁带盒执行处理；及角度调整机构，通过对磁头赋予动力来调整角度，处理器执行如下处理：从存储介质获取角度调整信息；根据角度调整信息，使角度调整机构调整角度。

本发明的技术所涉及的第12方式为第11方式所涉及的磁带驱动器，其中，磁带具有伺服带，磁头具有伺服读取元件，当对记录面记录数据时，处理器根据角度调整信息使角度调整机构调整角度，由此使伺服带的位置与伺服读取元件的位置一致。

本发明的技术所涉及的第13方式为第11方式或第12方式所涉及的磁带驱动器，其中，磁头对记录面进行磁处理，角度调整信息包含确定环境的第2环境信息，处理器执行如下处理：以进行磁处理的定时来获取确定环境的第3环境信息；根据第2环境信息与第3环境信息的差异度，使角度调整机构调整角度。

本发明的技术所涉及的第14方式为第11方式至第13方式中任一个方式所涉及的磁带驱动器，其中，处理器执行如下处理：以对记录面记录数据的第1定时来获取确定环境的第4环境信息；以对记录面记录数据的第2定时来获取确定环境的第5环境信息，第2定时与第1定时不同；根据第4环境信息与第5环境信息的差异度，使角度调整机构调整角度。

本发明的技术所涉及的第15方式为第14方式所涉及的磁带驱动器，其中，第2定时为通过对以第1定时记录于记录面的数据进行覆盖来更新数据的定时和/或对以第1定时记录了数据的记录面补记新的数据的定时。

本发明的技术所涉及的第16方式为存储器，其存储有控制对磁带进行磁处理的磁头的动作的控制信息，其中，磁带具有记录面，以使磁带行进的状态通过磁头对记录面记录数据，磁头以沿着记录面相对于磁带的宽度方向倾斜的姿势配置，控制信息包含对记录面记录数据之前获得的角度调整信息，角度调整信息为用于调整使磁头沿着记录面相对于宽度方向倾斜的角度的信息。

本发明的技术所涉及的第17方式为磁带，其具备通过磁头进行磁处理的记录面，其中，以使磁带行进的状态通过磁头对记录面记录数据，磁头以沿着记录面相对于磁带的宽度方向倾斜的姿势配置，在记录面记录有对记录面记录数据之前获得的角度调整信息，角度调整信息为用于调整使磁头沿着记录面相对于宽度方向倾斜的角度的信息。

本发明的技术所涉及的第18方式为磁带系统，其具备：第17方式所涉及的磁带；及磁带驱动器，具有对磁带执行处理的处理器及通过对磁头赋予动力来调整角度的角度调整机构，处理器执行如下处理：从记录面获取角度调整信息；根据角度调整信息，使角度调整机构调整角度。

本发明的技术所涉及的第19方式为磁带驱动器的动作方法，其包括如下步骤：从第1方式至第10方式中任一个方式所涉及的磁带盒中所包含的存储介质获取角度调整信息；及根据角度调整信息，使角度调整机构调整角度。

附图说明

图1是表示磁带系统的结构的一例的框图。

图2是表示磁带盒外观的一例的概略立体图。

图3是表示磁带驱动器的硬件结构的一例的概略结构图。

图4是表示从磁带盒的下侧通过非接触式读写装置释放了磁场的方式的一例的概略立体图。

图5是表示磁带驱动器的硬件结构的一例的概略结构图。

图6是表示从磁带的表面侧观察了在磁带上配置有磁头的状态的方式的一例的概念图。

图7是表示形成于磁带表面的数据带的结构的一例的概念图。

图8是表示数据读写元件与数据磁道之间的对应关系的一例的概念图。

图9是表示从磁带的表面侧观察了磁带的宽度收缩前后的磁带的方式的一例的概念图。

图10是表示从磁带的表面侧观察了在磁带上磁头偏斜的状态的方式的一例的概念图。

图11是表示磁带驱动器中所包含的处理装置所具有的功能的一例的概念图。

图12是表示磁带驱动器中所包含的处理装置所具有的位置检测装置的处理内容的一例的概念图。

图13是表示磁带驱动器中所包含的处理装置所具有的控制装置的处理内容的一例的概念图。

图14是表示控制装置所具有的功能的一例的概念图。

图15是表示基准偏斜角度导出部、第1倾斜机构控制部及第1行进控制部的处理内容的一例的概念图。

图16是表示间距计算部的处理内容的一例的概念图。

图17是表示存储于盒式存储器的角度调整信息的内容的一例的框图。

图18是表示角度调整信息获取部及第2倾斜机构控制部的处理内容的一例的概念图。

图19是表示角度调整信息获取部、第2环境信息获取部及角度调整量计算部的处理内容的一例的概念图。

图20是表示角度调整量计算部的处理内容的一例的概念图。

图21是表示第2倾斜机构控制部、第2行进控制部、第2移动机构控制部及读写元件控制部的处理内容的一例的概念图。

图22是表示数据记录预处理的流程的一例的流程图。

图23A是表示数据记录读取处理的流程的一例的流程图。

图23B是图23A所示的流程图的后续。

图24是表示角度调整量确定处理的流程的一例的流程图。

图25是表示更新温度差及湿度差时的第2环境信息获取部及角度调整量计算部的处理内容的一例的概念图。

图26是表示在磁带的一部分存储角度调整信息的方式的一例的概念图。

图27是表示第1变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图28是表示第1变形例的概念图，是表示实际伺服图案的几何特性与假想伺服图案的几何特性之间的关系的一例的概念图。

图29是表示第1变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了在磁带的宽度方向上相邻的伺服带之间对应的帧以既定间隔偏离的状态的方式的一例的概念图。

图30是表示第1变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了通过在磁带上未偏斜的磁头中所包含的伺服读取元件读取伺服图案的状态的方式的一例的概念图。

图31是表示第1变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了通过在磁带上偏斜的磁头中所包含的伺服读取元件读取伺服图案的状态的方式的一例的概念图。

图32是表示第2变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图33是表示第2变形例的概念图，是表示磁带中所包含的伺服图案的方式的一例的概念图。

图34是表示第3变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图35是表示第3变形例的概念图，是表示磁带中所包含的伺服图案的方式的一例的概念图。

图36是表示第4变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了在实施方式所涉及的磁带的宽度方向上相邻的伺服带之间对应的帧以既定间隔偏离的状态的方式的一例的概念图。

图37是表示第5变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图38是表示第5变形例的概念图，是表示实际伺服图案的几何特性与假想伺服图案的几何特性之间的关系的一例的概念图。

图39是表示第5变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了在磁带的宽度方向上相邻的伺服带之间对应的帧以既定间隔偏离的状态的方式的一例的概念图。

图40是表示第5变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了通过在磁带上偏斜的磁头中所包含的伺服读取元件读取伺服图案的状态的方式的一例的概念图。

图41是表示第6变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图42是表示第6变形例的概念图，是表示磁带中所包含的伺服图案的方式的一例的概念图。

图43是表示第7变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图44是表示第7变形例的概念图，是表示磁带中所包含的伺服图案的方式的一例的概念图。

图45是表示第8变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图46是表示存储于存储介质的程序安装于处理装置的计算机的方式的一例的概念图。

具体实施方式

以下，按照附图对本发明的技术所涉及的磁带盒、磁带驱动器、存储器、磁带、磁带系统及磁带驱动器的动作方法的实施方式的一例进行说明。

首先，对以下说明中所使用词句进行说明。

CPU是指“Central Processing Unit：中央处理器”的简称。NVM是指“Non-volatile memory：非易失性存储器”的简称。RAM是指“Random Access Memory：随机存取存储器”的简称。EEPROM是指“Electrically Erasable a nd Programmable Read OnlyMemory：电可擦可编程只读存储器”的简称。SS D是指“Solid State Drive：固态硬盘”的简称。HDD是指“Hard Disk Driv e：硬盘驱动器”的简称。ASIC是指“Application SpecificIntegrated Cir cuit：专用集成电路”的简称。FPGA是指“Field-Programmable Gate Array：现场可编程门阵列”的简称。PLC是指“Programmable Logic Controlle r：可编程逻辑控制器”的简称。SoC是指“System-on-a-chip：片上系统”的简称。IC是指“IntegratedCircuit：集成电路”的简称。RFID是指“Radio Frequency Identifier：无线射频识别”的简称。BOT是指“Beginning Of T ape：磁带始端”的简称。EOT是指“End Of Tape：磁带尾端”的简称。UI是指“User Interface：用户接口”的简称。WAN是指“Wide Area Network：广域网”的简称。LAN是指“Local Area Network：局域网”的简称。并且，在以下说明中，几何特性是指，长度、形状、朝向和/或位置等一般公认的几何学上的特性。

作为一例，如图1所示，磁带系统10具备磁带盒12及磁带驱动器14。在磁带驱动器14中装填有磁带盒12。磁带盒12容纳有磁带MT。磁带驱动器14从所装填的磁带盒12抽出磁带MT，一边使所抽出的磁带MT行进，一边对磁带MT记录数据，或从磁带MT读取数据。

在本实施方式中，磁带MT为本发明的技术所涉及的“磁带”的一例。并且，在本实施方式中，磁带系统10为本发明的技术所涉及的“磁带系统”的一例。并且，在本实施方式中，磁带驱动器14为本发明的技术所涉及的“磁带驱动器”的一例。并且，在本实施方式中，磁带盒12为本发明的技术所涉及的“磁带盒”的一例。

接着，参考图2～图4对磁带盒12的结构的一例进行说明。另外，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，以箭头A来表示磁带盒12向磁带驱动器14的装填方向，将箭头A方向设为磁带盒12的前方向，将磁带盒12的前方向侧设为磁带盒12的前侧。在以下所示的结构的说明中，“前”是指磁带盒12的前侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与箭头A方向正交的箭头B方向设为右方向，将磁带盒12的右方向侧设为磁带盒12的右侧。在以下所示的结构的说明中，“右”是指磁带盒12的右侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与箭头B方向相反的方向设为左方向，将磁带盒12的左方向侧设为磁带盒12的左侧。在以下所示的结构的说明中，“左”是指磁带盒12的左侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，以箭头C来表示与箭头A方向及箭头B方向正交的方向，将箭头C方向设为磁带盒12的上方向，将磁带盒12的上方向侧设为磁带盒12的上侧。在以下所示的结构的说明中，“上”是指磁带盒12的上侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与磁带盒12的前方向相反的方向设为磁带盒12的后方向，将磁带盒12的后方向侧设为磁带盒12的后侧。在以下所示的结构的说明中，“后”是指磁带盒12的后侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与磁带盒12的上方向相反的方向设为磁带盒12的下方向，将磁带盒12的下方向侧设为磁带盒12的下侧。在以下所示的结构的说明中，“下”是指磁带盒12的下侧。

作为一例，如图2所示，磁带盒12在俯视观察下大致呈矩形形状，且具备箱状的壳体16。壳体16中容纳有磁带MT。壳体16由聚碳酸酯等树脂制成，且具备上壳体18及下壳体20。上壳体18及下壳体20在使上壳体18的下周缘面与下壳体20的上周缘面接触的状态下，通过焊接(例如，超声波焊接)及螺钉固定而接合。接合方法并不限于焊接及螺钉固定，可以是其他接合方法。

在壳体16的内部可旋转地容纳有送出卷轴22。送出卷轴22具备卷轴毂22A、上凸缘22B1及下凸缘22B2。卷轴毂22A形成为圆筒状。卷轴毂22A为送出卷轴22的轴心部，轴心方向沿着壳体16的上下方向，且配置于壳体16的中央部。上凸缘22B1及下凸缘22B2分别形成为圆环状。在卷轴毂22A的上端部固定有上凸缘22B1的俯视中央部，在卷轴毂22A的下端部固定有下凸缘22B2的俯视中央部。另外，卷轴毂22A与下凸缘22B2可以一体成型。

在卷轴毂22A的外周面卷绕有磁带MT，磁带MT的宽度方向的端部由上凸缘22B1及下凸缘22B2保持。

在壳体16的右壁16A的前侧形成有开口16B。磁带MT从开口16B抽出。

下壳体20中设置有盒式存储器24。具体而言，在下壳体20的右后端部容纳有盒式存储器24。在盒式存储器24中搭载有具有NVM的IC芯片。在本实施方式中，所谓的无源RFID标签用作盒式存储器24，并且对盒式存储器24以非接触方式进行各种信息的读写。另外，在本实施方式中，举出了盒式存储器24设置于下壳体20的方式例，但本发明的技术并不限定于此，盒式存储器24只要在能够以非接触方式读写各种信息的位置上设置于壳体16即可。

在盒式存储器24中存储有管理磁带盒12的管理信息13。管理信息13中例如包含与盒式存储器24相关的信息(例如，能够确定磁带盒12的信息)、与磁带MT相关的信息及与磁带驱动器14相关的信息(例如，表示磁带驱动器14的规格的信息及磁带驱动器14中所使用的信号)等。与磁带MT相关的信息中包含规格信息13A。规格信息13A为确定磁带MT的规格的信息。并且，与磁带MT相关的信息中还包含表示记录于磁带MT的数据的概要的信息、表示记录于磁带MT的数据的项目的信息及表示记录于磁带MT的数据的记录格式的信息等。另外，盒式存储器24为本发明的技术所涉及“存储器”的一例。并且，盒式存储器24及磁带MT为本发明的技术所涉及的“存储介质”及“包含存储器的介质”的一例。管理信息13为本发明的技术所涉及的“控制信息”的一例。

作为一例，如图3所示，磁带驱动器14具备控制器25、输送装置26、磁头28、UI系统装置34、通信接口35及环境传感器ES。控制器25具备处理装置30及存储器(storage)32。处理装置30为本发明的技术所涉及的“处理器”的一例。

在磁带驱动器14中沿着箭头A方向装填磁带盒12。在磁带驱动器14中，磁带MT从磁带盒12抽出后使用。磁带驱动器14使用存储于盒式存储器24的管理信息13等控制磁带驱动器14的整体(例如，磁头28等)。

磁带MT具有磁性层29A、基膜29B及背涂层29C。磁性层29A形成于基膜29B的一面侧，背涂层29C形成于基膜29B的另一面侧。对磁性层29A记录数据。磁性层29A包含铁磁性粉末。作为铁磁性粉末，例如可以使用在各种磁记录介质的磁性层中通常使用的铁磁性粉末。作为铁磁性粉末的优选具体例，可举出六方晶铁氧体粉末。作为六方晶铁氧体粉末，例如可举出六方晶锶铁氧体粉末或六方晶钡铁氧体粉末等。背涂层29C例如为包含炭黑等非磁性粉末的层。基膜29B也被称为支承体，例如由聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚酰胺等形成。另外，可以在基膜29B与磁性层29A之间形成有非磁性层。在磁带MT中，形成有磁性层29A的面为磁带MT的表面31，形成有背涂层29C的面为磁带MT的背面33。表面31为本发明的技术所涉及的“记录面”的一例。

磁带驱动器14以使磁带MT行进的状态使用磁头28对磁带MT的表面31进行磁处理。在此，磁处理是指，对磁带MT的表面31记录数据及从磁带MT的表面31读取数据(即，数据的播放)。在本实施方式中，磁带驱动器14使用磁头28选择性地进行对磁带MT的表面31记录数据及从磁带MT的表面31读取数据。即，磁带驱动器14从磁带盒12抽出磁带MT，使用磁头28对所抽出的磁带MT的表面31记录数据，或使用磁头28从所抽出的磁带MT的表面31读取数据。

处理装置30控制磁带驱动器14的整体。在本实施方式中，处理装置30通过ASIC来实现，但本发明的技术并不限定于此。例如，处理装置30可以通过FPGA和/或PLC来实现。并且，处理装置30也可以通过包含CPU、闪存(例如，EEPROM和/或SSD等)及RAM的计算机来实现。并且，也可以通过ASIC、FPGA、PLC及计算机中的两个以上的组合来实现。即，处理装置30也可以通过硬件结构与软件结构的组合来实现。

存储器32与处理装置30连接，处理装置30对存储器32写入各种信息及从存储器32读出各种信息。作为存储器32的一例，可举出闪存和/或HDD。闪存及HDD只不过是一例，只要是能够搭载于磁带驱动器14的非易失性存储器，则可以是任意存储器。

UI系统装置34为具有接收表示来自用户的指示的指示信号的接收功能及对用户提示信息的提示功能的装置。接收功能例如通过触摸面板，硬键(例如，键盘)和/或鼠标等来实现。提示功能例如通过显示器、打印机和/或扬声器等来实现。UI系统装置34与处理装置30连接。处理装置30获取通过UI系统装置34接收的指示信号。UI系统装置34在处理装置30的控制下，对用户提示各种信息。

通信接口35与处理装置30连接。并且，通信接口35经由WAN和/或LAN等通信网(省略图示)与外部装置37连接。通信接口35管理处理装置30与外部装置37之间的各种信息(例如，对磁带MT的记录用数据，从磁带MT读取的数据和/或对处理装置30赋予的指示信号等)的收发。另外，作为外部装置37，例如可举出个人计算机或主机等。

输送装置26为选择性地沿着既定路径向正向及反向输送磁带MT的装置，具备送出马达36、卷取卷轴38、卷取马达40及多个导辊GR。另外，在此，正向是指磁带MT的送出方向，反向是指磁带MT的倒带方向。

送出马达36在处理装置30的控制下，使磁带盒12内的送出卷轴22旋转。处理装置30通过控制送出马达36，控制送出卷轴22的旋转方向、转速及转矩等。

卷取马达40在处理装置30的控制下，使卷取卷轴38旋转。处理装置30通过控制卷取马达40，控制卷取卷轴38的旋转方向、转速及转矩等。

当通过卷取卷轴38卷取磁带MT时，处理装置30使送出马达36及卷取马达40旋转，以使磁带MT沿着既定路径向正向行进。送出马达36及卷取马达40的转速及转矩等根据使卷取卷轴38卷取磁带MT的速度来调整。并且，送出马达36及卷取马达40各自的转速及转矩等由处理装置30调整，由此对磁带M T赋予张力。并且，通过处理装置30调整送出马达36及卷取马达40各自的转速及转矩等，由此控制对磁带MT赋予的张力。

另外，当将磁带MT倒带到送出卷轴22时，处理装置30使送出马达36及卷取马达40旋转，以使磁带MT沿着既定路径向反向行进。

在本实施方式中，通过控制送出马达36及卷取马达40的转速及转矩等，控制施加于磁带MT的张力，但本发明的技术并不限定于此。例如，施加于磁带MT的张力可以使用张力调节辊来控制，也可以通过将磁带MT引入真空腔室来控制。

多个导辊GR分别为引导磁带MT的辊。既定路径即磁带MT的行进路径根据多个导辊GR在磁带盒12与卷取卷轴38之间分开配置于横跨磁头28的位置而设定。

磁头28具备磁性元件单元42及托架44。磁性元件单元42以使其与行进中的磁带MT接触的方式由托架44保持。磁性元件单元42具有多个磁性元件。

磁性元件单元42对由输送装置26输送的磁带MT记录数据，或从由输送装置26输送的磁带MT读取数据。在此，数据例如是指，伺服图案52(参考图6)及除伺服图案52以外的数据，即记录于数据带DB(参考图6)的数据。

磁带驱动器14具备非接触式读写装置46。非接触式读写装置46为本发明的技术所涉及的“非接触式读写装置”的一例。非接触式读写装置46配置成在装填有磁带盒12的状态的磁带盒12的下侧与盒式存储器24的背面24A正对，并且以非接触的方式对盒式存储器24读写信息。

环境传感器ES内置于磁带驱动器14。环境传感器ES测定确定磁带驱动器14的环境(例如，磁带驱动器14内部的环境)的物理量。作为确定磁带驱动器14的环境(以下，也简称为“环境”)的物理量，例如可举出温度及湿度。在本实施方式中，环境传感器ES测定磁带驱动器14的温度及湿度。磁带驱动器14的温度及湿度例如是指，磁带驱动器14内部(例如，磁头28前端部的附近或装填有磁带盒12的位置的附近等)的温度及湿度。测定温度及湿度的部位优选为磁带驱动器14内的磁带MT的周边。尤其优选为作为温度及湿度对磁带MT宽度的变形最容易造成影响的部位来事先指定的部位。环境传感器ES与处理装置30连接，通过环境传感器ES测定出的温度及湿度由处理装置30掌握。

作为一例，如图4所示，非接触式读写装置46从磁带盒12的下侧朝向盒式存储器24释放磁场MF。磁场MF贯穿盒式存储器24。

非接触式读写装置46与处理装置30连接。处理装置30将控制信号输出至非接触式读写装置46。控制信号为控制盒式存储器24的信号。非接触式读写装置46按照从处理装置30输入的控制信号生成磁场MF，朝向盒式存储器24释放所生成的磁场MF。

非接触式读写装置46经由磁场MF在与盒式存储器24之间进行非接触通信，由此对盒式存储器24进行与控制信号相对应的处理。例如，非接触式读写装置46在处理装置30的控制下，选择性地进行从盒式存储器24读取信息的处理及使盒式存储器24存储信息的处理(即，对盒式存储器24写入信息的处理)。换言之，处理装置30经由非接触式读写装置46以非接触方式与盒式存储器24进行通信，由此从盒式存储器24读取信息，或使盒式存储器24存储信息。

作为一例，如图5所示，磁带驱动器14具备移动机构48。移动机构48具有移动致动器48A。作为移动致动器48A，例如可举出音圈马达和/或压电致动器。移动致动器48A与处理装置30连接，处理装置30控制移动致动器48A。移动致动器48A在处理装置30的控制下，生成动力。移动机构48接收由移动致动器48A生成的动力，由此使磁头28沿着磁带MT的宽度方向WD移动(参考图6)。

磁带驱动器14具备倾斜机构49。倾斜机构49为本发明的技术所涉及的“角度调整机构”的一例。倾斜机构49具有倾斜致动器49A。作为倾斜致动器49A，例如可举出音圈马达和/或压电致动器。倾斜致动器49A与处理装置30连接，处理装置30控制倾斜致动器49A。倾斜致动器49A在处理装置30的控制下，生成动力。倾斜机构49接收由倾斜致动器49A生成的动力，由此使磁头28相对于磁带MT的宽度方向WD向磁带MT的长边方向LD侧倾斜(参考图10)。即，磁头28在处理装置30的控制下，从倾斜机构49被赋予动力，由此在磁带MT上偏斜。

作为一例，如图6所示，在磁带MT的表面31形成有伺服带SB1、SB2及S B3以及数据带DB1及DB2。另外，以下，为了便于说明，当无需特别区分时，将伺服带SB1～SB3称为伺服带SB，将数据带DB1及DB2称为数据带DB。

伺服带SB1～SB3以及数据带DB1及DB2沿着磁带MT的长边方向LD(即，全长方向)形成。在此，换言之，磁带MT的全长方向是指，磁带MT的行进方向。磁带MT的行进方向以磁带MT从送出卷轴22侧向卷取卷轴38侧行进的方向即正向(以下，也简称为“正向”)及磁带MT从卷取卷轴38侧向送出卷轴22侧行进的方向即反向(以下，也简称为“反向”)这两个方向来规定。

伺服带SB1～SB3在磁带MT的宽度方向WD(以下，也简称为“宽度方向W D”)上分开的位置上排列。例如，伺服带SB1～SB3沿着宽度方向WD以等间隔排列。另外，在本实施方式中，“等间隔”除了指完全等间隔以外，还指在本发明的技术所属的技术领域中通常允许的误差且包括不脱离本发明的技术宗旨程度的误差在内的含义下的等间隔。

数据带DB1配设于伺服带SB1与伺服带SB2之间，数据带DB2配设于伺服带SB2与伺服带SB3之间。即，伺服带SB与数据带DB沿着宽度方向WD交替排列。

另外，在图6所示的例子中，为了便于说明，示出了3根伺服带SB及2根数据带DB，但这只不过是一例，可以是2根伺服带SB及1根数据带DB，即便是4根以上的伺服带SB及3根以上的数据带DB，本发明的技术也成立。

在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案52。伺服图案52分类为伺服图案52A与伺服图案52B。多个伺服图案52沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。另外，在本实施方式中，“恒定”除了指完全恒定以外，还指包括在本发明的技术所属的技术领域中通常允许的误差且不脱离本发明的技术宗旨程度的误差在内的含义下的恒定。

伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧50划分。帧50由一组伺服图案52规定。在图6所示的例子中，作为一组伺服图案52的一例，示出了伺服图案52A及52B。伺服图案52A及52B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧50内，伺服图案52A位于正向的上游侧，伺服图案52B位于正向的下游侧。

伺服图案52由线状磁化区域对54构成。线状磁化区域对54分类为线状磁化区域对54A与线状磁化区域对54B。

伺服图案52A由线状磁化区域对54A构成。在图6所示的例子中，作为线状磁化区域对54A的一例，示出了由线状磁化区域54A1及54A2构成的对。线状磁化区域54A1及54A2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域54A1及54A2相对于沿着宽度方向WD的假想直线即假想直线C1向相反的方向倾斜。在图6所示的例子中，线状磁化区域54A1及54A2相对于假想直线C1以线对称倾斜。更具体而言，线状磁化区域54A1及54A2互不平行，且形成为以假想直线C1为对称轴向磁带MT的长边方向LD侧的相反的方向以既定角度(例如，5度)倾斜的状态。

线状磁化区域54A1为得到磁化的5根直线即磁化直线54A1a的集合。线状磁化区域54A2为得到磁化的5根直线即磁化直线54A2a的集合。

伺服图案52B由线状磁化区域对54B构成。在图6所示的例子中，作为线状磁化区域对54B的一例，示出了由线状磁化区域54B1及54B2构成的对。线状磁化区域54B1及54B2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域54B1及54B2相对于沿着宽度方向WD的假想直线即假想直线C2向相反的方向倾斜。在图6所示的例子中，线状磁化区域54B1及54B2相对于假想直线C2以线对称倾斜。更具体而言，线状磁化区域54B1及54B2互不平行，且形成为以假想直线C2为对称轴向磁带MT的长边方向LD侧的相反的方向以既定角度(例如，5度)倾斜的状态。

线状磁化区域54B1为得到磁化的4根直线即磁化直线54B1a的集合。线状磁化区域54B2为得到磁化的4根直线即磁化直线54B2a的集合。

在如此构成的磁带MT的表面31侧配置有磁头28。托架44形成为长方体状，且配置成沿着宽度方向WD横贯在磁带MT的表面31上。磁性元件单元42的多个磁性元件沿着托架44的长边方向以直线状排列。磁性元件单元42作为多个磁性元件，具有一对伺服读取元件SR及多个数据读写元件DRW。伺服读取元件SR为本发明的技术所涉及的“伺服读取元件”的一例。

托架44的长边方向的长度相对于磁带MT的宽度足够长。例如，托架44的长边方向的长度设为磁性元件单元42在磁带MT上配置于任意位置也超过磁带MT的宽度的长度。

在磁头28中搭载有一对伺服读取元件SR。在磁头28中，托架44与一对伺服读取元件SR之间的相对位置关系被固定。一对伺服读取元件SR由伺服读取元件SR1及SR2构成。伺服读取元件SR1配置于磁性元件单元42的一端，伺服读取元件SR2配置于磁性元件单元42的另一端。在图6所示的例子中，伺服读取元件SR1设置于与伺服带SB2对应的位置，伺服读取元件SR2设置于与伺服带SB3对应的位置。

多个数据读写元件DRW在伺服读取元件SR1与伺服读取元件SR2之间以直线状配置。多个数据读写元件DRW沿着磁头28的长边方向隔着间隔配置(例如，沿着磁头28的长边方向以等间隔配置)。在图6所示的例子中，多个数据读写元件DRW设置于与数据带DB2对应的位置。

处理装置30获取通过伺服读取元件SR读取了伺服图案52的结果即伺服图案信号，并且按照所获取的伺服图案信号进行伺服控制。在此，伺服控制是指，通过按照由伺服读取元件SR读取的伺服图案52使移动机构48进行动作而使磁头28沿着磁带MT的宽度方向WD移动的控制。

通过进行伺服控制，多个数据读写元件DRW位于数据带DB内的所指定的区域上，在该状态下，对数据带DB内的所指定的区域进行磁处理。在图6所示的例子中，通过多个数据读写元件DRW对数据带DB2内的所指定的区域进行磁处理。

并且，当设为由磁性元件单元42读取数据的读取对象的数据带DB变更时(在图6所示的例子中，设为由磁性元件单元42读取数据的读取对象的数据带DB从数据带DB2变更为数据带DB1时)，移动机构48在处理装置30的控制下，使磁头28沿着宽度方向WD移动，由此变更一对伺服读取元件SR的位置。即，移动机构48通过使磁头28沿着宽度方向WD移动，使伺服读取元件S R1移动至与伺服带SB1对应的位置，使伺服读取元件SR2移动至与伺服带SB2对应的位置。由此，多个数据读写元件DRW的位置从数据带DB2上变更为数据带DB1上，通过多个数据读写元件DRW对数据带DB1进行磁处理。

作为一例，如图7所示，在数据带DB2中，作为通过数据带DB2沿宽度方向WD分割而获得的多个分割区域，从伺服带SB2侧朝向伺服带SB3侧形成有数据磁道DT1、DT2、DT3、DT4、DT5、DT6、DT7及DT8。

磁头28作为多个数据读写元件DRW，沿宽度方向WD在伺服读取元件SR1与伺服读取元件SR2之间具有数据读写元件DRW1、DRW2、DRW3、DRW4、DRW5、DRW6、DRW7及DRW8。数据读写元件DRW1～DRW8与数据磁道DT1～DT8一对一对应，能够从数据磁道DT1～DT8读取(即，播放)数据及对数据磁道DT1～DT8记录(即，写入)数据。

并且，虽然省略图示，但在数据带DB1(参考图6)中也形成有相当于数据磁道DT1、DT2、DT3、DT4、DT5、DT6、DT7及DT8的多个数据磁道DT。

另外，以下，当无需特别区分时，将数据磁道DT1、DT2、DT3、DT4、DT5、DT6、DT7及DT8标记为“数据磁道DT”。并且，以下，当无需特别区分时，将数据读写元件DRW1、DRW2、DRW3、DRW4、DRW5、DRW6、DRW7及DRW8标记为“数据读写元件DRW”。

作为一例，如图8所示，数据磁道DT具有分割数据磁道组DTG。数据磁道DT1～DT8与分割数据磁道组DTG1～DTG8对应。以下，当无需特别区分说明时，将分割数据磁道组DTG1～DTG8标记为“分割数据磁道组DTG”。

分割数据磁道组DTG1为通过数据磁道DT沿宽度方向WD分割而获得的多个分割数据磁道的集合。在图8所示的例子中，作为分割数据磁道组DTG1的一例，示出了通过数据磁道DT沿宽度方向WD等分为12个部分而获得的分割数据磁道DT1_1、DT1_2、DT1_3、DT1_4、……、DT1_11及DT1_12。数据读写元件DRW1担负对分割数据磁道组DTG1的磁处理。即，数据读写元件DRW1担负对分割数据磁道DT1_1、DT1_2、DT1_3、DT1_4、……、DT1_11及DT1_12记录数据及从分割数据磁道DT1_1、DT1_2、DT1_3、DT1_4、……、DT1_11及DT1_12读取数据。

与数据读写元件DRW1同样地，数据读写元件DRW2～DRW8分别担负对与各数据读写元件DRW对应的数据磁道DT的分割数据磁道组DTG的磁处理。

数据读写元件DRW伴随基于移动机构48(参考图6)的磁头28向宽度方向WD的移动，而向与多个数据磁道DT中的所指定的1条数据磁道DT对应的位置移动。数据读写元件DRW通过使用了伺服图案52(参考图6及图7)的伺服控制，停留在与所指定的1条数据磁道DT对应的位置上。

近年来，推进与减少TDS(Transverse Dimensional Stability：横向尺寸稳定性)的影响的技术相关的研究。已知有TDS取决于温度、湿度、磁带卷绕于卷轴的压力及经时劣化等，当未采取任何措施时，TDS变大，并且对数据带DB进行磁处理的情况下会产生偏离磁道(即，数据读写元件DRW相对于数据带DB内的磁道的位置偏离)。

在图9所示的例子中，示出了磁带MT的宽度随着时间的经过而收缩的方式。在该情况下，会成为偏离磁道。偏离磁道是指，数据读写元件DRW未位于分割数据磁道组DTG中所包含的分割数据磁道DT1_1、DT1_2、DT1_3、DT1_4、……、DT1_11及DT1_12中的所指定的分割数据磁道上的状态(即，在宽度方向WD上，所指定的分割数据磁道的位置与数据读写元件DRW的位置偏离的状态)。

磁带MT的宽度有时变宽，在该情况下也会成为偏离磁道。即，若磁带MT的宽度随着时间的经过而变窄或变宽，则伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置会从设计上设定的既定位置(即，分别对线状磁化区域54A1、54A2、54B1及54B2，设计上设定的既定位置)向宽度方向WD偏离。若伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置从设计上设定的既定位置向宽度方向WD偏离，则会导致降低伺服控制的精度，并且数据带DB内的磁道(例如，分割数据磁道DT1_1、DT1_2、DT1_3、DT1_4、……、DT1_11及DT1_12中的所指定的分割数据磁道)与数据读写元件DRW的位置偏离。如此一来，无法对当初预定的磁道进行磁处理。

作为减少TDS的影响的方法，可考虑通过调整对磁带MT赋予的张力来调整磁带MT的宽度的方法。但是，若磁带MT的宽度方向WD的变形量过多，则有时即便调整对磁带MT赋予的张力，也无法消除偏离磁道。并且，若加强对磁带MT赋予的张力，则施加于磁带MT的负荷也变大，也可能会导致缩短磁带MT的寿命。而且，若对磁带MT赋予的张力过弱，则磁头28与磁带MT的接触状态变得不稳定，从而磁头28对磁带MT进行磁处理变得困难。作为除了调整对磁带MT赋予的张力的方法以外减少TDS的影响的方法，作为一例如图10所示，已知有通过使磁头28在磁带MT上偏斜，将伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置保持在设计上设定的既定位置的方法。

磁头28具备旋转轴RA。旋转轴RA设置于磁头28中所包含的磁性元件单元42的相当于俯视中央部的位置。磁头28经由旋转轴RA可旋转地保持于倾斜机构49。另外，在本实施方式中，将通过使磁头28在表面31上沿着表面31以旋转轴RA为中心轴旋转来使磁头28相对于宽度方向WD倾斜的动作称为“偏斜”。

在磁头28中设置有假想中心线即假想直线C3。假想直线C3为通过旋转轴RA且沿着磁头28的俯视观察长边方向(即，多个数据读写元件DRW排列的方向)延伸的直线。磁头28以沿着表面31相对于宽度方向WD倾斜的姿势(换言之，使假想直线C3沿着表面31相对于假想直线C4倾斜的姿势)配置。在图10所示的例子中，磁头28以成为假想直线C3相对于沿着宽度方向WD的假想直线即假想直线C4向磁带MT的长边方向LD侧倾斜的姿势的方式由倾斜机构49保持。在图10所示的例子中，磁头28以将假想直线C3相对于假想直线C4向送出卷轴22侧倾斜的姿势(即，以从图10的纸面表面侧观察时的逆时针方向倾斜的姿势)由倾斜机构49保持。由假想直线C3与假想直线C4所成的角度相当于使磁头28在表面31上沿着表面31以旋转轴RA为中心轴旋转来使磁头28相对于宽度方向WD倾斜的角度。另外，以下，将由假想直线C3与假想直线C4所成的角度也称为“偏斜角度”或“磁头28的偏斜角度”。偏斜角度为将从图10的纸面表侧观察时的逆时针方向设为正而将从图10的纸面表侧观察时的顺时针方向设为负来规定的角度。

倾斜机构49通过接收倾斜致动器49A(参考图5)的动力，使磁头28在磁带MT的表面31上以旋转轴RA为中心旋转。倾斜机构49在处理装置30的控制下，使磁头28在磁带MT的表面31上以旋转轴RA为中心旋转，由此变更假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜(即，方位角)的方向及倾斜的角度。假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜的方向及倾斜的角度的变更通过变更使磁头28沿着表面31相对于宽度方向WD倾斜的角度即磁头28的偏斜角度来实现。在本实施方式中，假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜的方向及倾斜的角度通过磁头28的偏斜角度来表现。

假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜的方向及倾斜的角度即偏斜角度根据温度、湿度、磁带MT卷绕于卷轴的压力及经时劣化等或由它们引起的磁带M T的宽度方向WD的伸缩而发生变更，由此伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置保持于设计上设定的既定位置。在该情况下，会成为正对磁道。正对磁道是指，数据读写元件DRW位于分割数据磁道组DTG中所包含的分割数据磁道DT1_1、DT1_2、DT1_3、DT1_4、……、DT1_11及DT1_12中的所指定的分割数据磁道上的状态(即，在宽度方向WD上，所指定的分割数据磁道的位置与数据读写元件DRW的位置一致的状态)。

伺服读取元件SR读取伺服图案52，并输出表示读取结果的伺服图案信号。伺服读取元件SR沿着假想直线C3以直线状形成。因此，当通过伺服读取元件SR读取伺服图案52A时，在线状磁化区域对54A中，由线状磁化区域54A1与伺服读取元件SR所成的角度和由线状磁化区域54A2与伺服读取元件SR所成的角度不同。如此，若角度不同，则在来源于线状磁化区域54A1的伺服图案信号(即，通过由伺服读取元件SR读取线状磁化区域54A1而获得的伺服图案信号)与来源于线状磁化区域54A2的伺服图案信号(即，通过由伺服读取元件SR读取线状磁化区域54A2而获得的伺服图案信号)之间产生由方位角损失引起的偏差(例如，信号电平的偏差及波形的变形等)。

在图10所示的例子中，由伺服读取元件SR与线状磁化区域54A1所成的角度大于由伺服读取元件SR与线状磁化区域54A2所成的角度，因此伺服图案信号的输出小，且波形也扩展，从而通过在磁带MT行进的状态下伺服读取元件SR横切伺服带SB读取而获得的伺服图案信号中产生偏差。并且，当通过伺服读取元件SR读取伺服图案52B时，也在来源于线状磁化区域54B1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域54B2的伺服图案信号之间产生由方位角损失引起的偏差。

详细内容将在后面叙述，但在本实施方式中，作为检测产生如上所述的由方位角损失引起的偏差的伺服图案信号的方法，利用使用自相关系数来检测伺服图案信号的方法(参考图12)。

接着，参考图11～图21对通过处理装置30进行的具体的处理的内容的一例进行说明。

作为一例，如图11所示，处理装置30具有控制装置30A及位置检测装置30B。位置检测装置30B具有第1位置检测装置30B1及第2位置检测装置30B2。位置检测装置30B获取通过伺服读取元件SR读取了伺服带SB的结果即伺服带信号，并根据所获取的伺服带信号检测磁带MT上的磁头28的位置。在伺服带信号中除了读取了伺服图案52的结果即伺服图案信号以外，还包含伺服控制中不需要的信号(例如，噪声等)。

位置检测装置30B从磁头28获取伺服带信号。伺服带信号分类为第1伺服带信号S1与第2伺服带信号S2。第1伺服带信号S1为表示通过伺服读取元件SR1读取了伺服带SB的结果的信号，第2伺服带信号S2为表示通过伺服读取元件SR2读取了伺服带SB的结果的信号。第1位置检测装置30B1获取第1伺服带信号S1，第2位置检测装置30B2获取第2伺服带信号S2。在图11所示的例子中，作为第1伺服带信号S1的一例，示出了通过由伺服读取元件SR1读取伺服带SB2而获得的信号，作为第2伺服带信号S2的一例，示出了通过由伺服读取元件SR2读取伺服带SB3而获得的信号。另外，在本实施方式中，为了便于说明，当无需区分说明第1伺服带信号S1及第2伺服带信号S2时，不标注符号而称为“伺服带信号”。

第1位置检测装置30B1根据第1伺服带信号S1，检测伺服读取元件SR1相对于伺服带SB2的位置。第2位置检测装置30B2根据第2伺服带信号S2，检测伺服读取元件SR2相对于伺服带SB3的位置。

控制装置30A根据第1位置检测装置30B1中的位置检测结果(即，通过第1位置检测装置30B1检测到位置的结果)及第2位置检测装置30B2中的位置检测结果(即，通过第2位置检测装置30B2检测到位置的结果)进行各种控制。在此，各种控制例如是指，伺服控制及偏斜角度控制等。偏斜角度控制是指，变更偏斜角度的控制。在本实施方式中，通过伺服控制及偏斜角度控制实现跟踪控制。跟踪控制是指，以成为正对磁道的方式调整磁头28位置的控制。另外，跟踪控制可以通过伺服控制、偏斜角度控制及张力控制来实现。张力控制是指，对磁带MT赋予的张力(例如，用于减少TDS的影响的张力)的控制。

接着，对位置检测装置30B的具体的处理内容进行说明。另外，第2位置检测装置30B2的结构与第1位置检测装置30B1的结构相同，因此以下，关于位置检测装置30B的处理内容，主要以第1位置检测装置30B1的具体的处理内容为例子进行说明，而省略关于第2位置检测装置30B2的具体的处理内容的说明。

并且，以下，为了便于说明，将来源于线状磁化区域54A1或54B1的伺服图案信号也称为“第1线状磁化区域信号”，将来源于线状磁化区域54A2或54B2的伺服图案信号也称为“第2线状磁化区域信号”。并且，在本实施方式中，伺服图案信号为由第1线状磁化区域信号及第2线状磁化区域信号构成的信号。因此，通过位置检测装置30B检测第1线状磁化区域信号及第2线状磁化区域信号表示通过位置检测装置30B检测伺服图案信号。

作为一例，如图12所示，第1位置检测装置30B1具有第1检测电路39A及第2检测电路39B。第1检测电路39A及第2检测电路39B并联连接，且具备彼此通用的输入端子30B1a及输出端子30B1b。在图12所示的例子中，示出了对输入端子30B1a输入第1伺服带信号S1的方式例。在第1伺服带信号S1中包含第1线状磁化区域信号S1a及第2线状磁化区域信号S1b。第1线状磁化区域信号S1a及第2线状磁化区域信号S1b为通过伺服读取元件SR1(参考图11)读取的结果即伺服图案信号(即，模拟伺服图案信号)。也可以说第2伺服带信号S2(参考图11)与第1伺服带信号S1相同。即，伺服图案信号具有第1线状磁化区域信号S1a及第2线状磁化区域信号S1b。

在存储器32中，对于各帧50的每一个预先存储有一个理想波形信号66。例如，理想波形信号66相对于从磁带MT的前头遍及末尾的所有帧50的每一个单独建立对应关联。当从磁带MT的前头遍及末尾而通过伺服读取元件SR读取各帧50中所包含的伺服图案52时，第1位置检测装置30B1在每通过伺服读取元件SR读取各帧50中所包含的伺服图案52时(例如，与伺服读取元件S R对伺服图案52开始读取的定时同步地)，从存储器32获取与各帧50对应的理想波形信号66，并将所获取的理想波形信号66用于与第1伺服带信号S1的比较。

理想波形信号66为表示通过伺服读取元件SR读取了记录于磁带MT的伺服带SB的伺服图案52(参考图11)的结果即伺服图案信号(即，模拟伺服图案信号)的理想波形的信号。理想波形信号66可以说是与第1伺服带信号S1进行比较的样本信号。

理想波形信号66分类为第1理想波形信号66A与第2理想波形信号66B。第1理想波形信号66A与来源于线状磁化区域54A2或54B2的信号即第2线状磁化区域信号S1b对应，是表示第2线状磁化区域信号S1b的理想波形的信号。第2理想波形信号66B与来源于线状磁化区域54A1或54B1的信号即第1线状磁化区域信号S1a对应，是表示第1线状磁化区域信号S1a的理想波形的信号。更详细而言，例如，第1理想波形信号66A为表示第2线状磁化区域信号S1b中所包含的单个(即，一个波长量)理想波形的信号(例如，通过伺服读取元件SR读取了伺服图案52中所包含的1根理想磁化直线的结果即理想信号)。并且，例如，第2理想波形信号66B为表示第1线状磁化区域信号S1a中所包含的单个(即，一个波长量)理想波形的信号(例如，通过伺服读取元件SR读取了伺服图案52中所包含的1根理想磁化直线的结果即理想信号)。

由第1理想波形信号66A表示的理想波形为根据磁带MT上的磁头28的朝向而设定的波形。磁头28的托架44(参考图10)与伺服读取元件SR之间的相对位置关系被固定。因此，由第1理想波形信号66A表示的理想波形也可以说是根据磁带MT上的伺服读取元件SR的朝向而设定的波形。例如，由第1理想波形信号66A表示的理想波形为根据伺服图案52A的线状磁化区域54A2的几何特性(例如，磁化直线54A2a的几何特性)及磁带MT上的磁头28的朝向而设定的波形。如上所述，磁头28的托架44(参考图10)与伺服读取元件SR之间的相对位置关系被固定，因此由第1理想波形信号66A表示的理想波形也可以说是根据伺服图案52A的线状磁化区域54A2的几何特性(例如，磁化直线54A2a的几何特性)及磁带MT上的伺服读取元件SR的朝向而设定的波形。在此，磁带MT上的磁头28的朝向例如是指，在磁带MT上由线状磁化区域54A2与磁头28所成的角度。并且，磁带MT上的伺服读取元件SR的朝向例如是指，在磁带MT上由线状磁化区域54A2与伺服读取元件SR所成的角度。另外，由第1理想波形信号66A表示的理想波形除了上述要素以外，还可以考虑伺服读取元件SR其本身的特性(材质、大小、形状和/或使用履历等)、磁带MT的特性(材质和/或使用履历等)和/或磁头28的使用环境等来设定。

与由第1理想波形信号66A表示的理想波形同样地，由第2理想波形信号66B表示的理想波形也是根据磁带MT上的磁头28的朝向而设定的波形，即根据磁带MT上的伺服读取元件SR的朝向而设定的波形。例如，由第2理想波形信号66B表示的理想波形为根据伺服图案52A的线状磁化区域54A1的几何特性(例如，磁化直线54A1a的几何特性)及磁带MT上的磁头28的朝向而设定的波形，即根据伺服图案52A的线状磁化区域54A1的几何特性(例如，磁化直线54A1a的几何特性)及磁带MT上的伺服读取元件SR的朝向而设定的波形。在此，磁带MT上的磁头28的朝向例如是指，在磁带MT上由线状磁化区域54A1与磁头28所成的角度。并且，磁带MT上的伺服读取元件SR的朝向例如是指，在磁带MT上由线状磁化区域54A1与伺服读取元件SR所成的角度。另外，与由第1理想波形信号66A表示的理想波形同样地，由第2理想波形信号66B表示的理想波形除了上述要素以外，也可以考虑伺服读取元件SR其本身的特性(材质、大小、形状和/或使用履历等)、磁带MT的特性(材质和/或使用履历等)和/或磁头28的使用环境等来设定。

第1位置检测装置30B1获取第1伺服带信号S1，并通过对所获取的第1伺服带信号S1与理想波形信号66进行比较来检测伺服图案信号S1A。在图12所示的例子中，第1位置检测装置30B1通过使用第1检测电路39A及第2检测电路39B来检测伺服图案信号S1A。

第1伺服带信号S1经由输入端子30B1a输入于第1检测电路39A。第1检测电路39A使用自相关系数从所输入的第1伺服带信号S1检测第2线状磁化区域信号S1b。

由第1检测电路39A使用的自相关系数为表示第1伺服带信号S1与第1理想波形信号66A之间的相关程度的系数。第1检测电路39A从存储器32获取第1理想波形信号66A，对所获取的第1理想波形信号66A与第1伺服带信号S1进行比较。然后，第1检测电路39A根据比较结果计算自相关系数。第1检测电路39A按照自相关系数，在伺服带SB(例如，图9所示的伺服带SB2)上检测第1伺服带信号S1与第1理想波形信号66A之间的相关高的位置(例如，第1伺服带信号S1与第1理想波形信号66A一致的位置)。

另一方面，第1伺服带信号S1经由输入端子30B1a也输入于第2检测电路39B。第2检测电路39B使用自相关系数从所输入的第1伺服带信号S1检测第1线状磁化区域信号S1a。

由第2检测电路39B使用的自相关系数为表示第1伺服带信号S1与第2理想波形信号66B之间的相关程度的系数。第2检测电路39B从存储器32获取第2理想波形信号66B，对所获取的第2理想波形信号66B与第1伺服带信号S1进行比较。然后，第2检测电路39B根据比较结果计算自相关系数。第2检测电路39B按照自相关系数，在伺服带SB(例如，图9所示的伺服带SB2)上检测第1伺服带信号S1与第2理想波形信号66B之间的相关高的位置(例如，第1伺服带信号S1与第2理想波形信号66B一致的位置)。

第1位置检测装置30B1根据基于第1检测电路39A的检测结果及基于第2检测电路39B的检测结果检测伺服图案信号S1A。第1位置检测装置30B1将伺服图案信号S1A从输出端子30B1b输出至控制装置30A。伺服图案信号S1A为表示通过第1检测电路39A检测到的第2线状磁化区域信号S1b与通过第2检测电路39B检测到的第1线状磁化区域信号S1a的逻辑和的信号(例如，数字信号)。

伺服读取元件SR相对于伺服带SB的位置例如根据伺服图案52A及52B的长边方向LD的间隔来检测。例如，伺服图案52A及52B的长边方向LD的间隔按照自相关系数检测。当伺服读取元件SR位于伺服图案52的上侧(即，图11中的纸面正面观察下的上侧)时，线状磁化区域54A1与线状磁化区域54A2之间的间隔变窄，且线状磁化区域54B1与线状磁化区域54B2之间的间隔也变窄。相对于此，当伺服读取元件SR位于伺服图案52的下侧(即，图11中的纸面正面观察下的下侧)时，线状磁化区域54A1与线状磁化区域54A2之间的间隔变宽，且线状磁化区域54B1与线状磁化区域54B2之间的间隔也变宽。如此，第1位置检测装置30B1使用按照自相关系数检测到的线状磁化区域54A1与线状磁化区域54A2之间的间隔及线状磁化区域54B1与线状磁化区域54B2之间的间隔，进行伺服读取元件SR相对于伺服带SB的位置的检测。

在图12所示的例子中，举出第1位置检测装置30B1通过对第1伺服带信号S1与理想波形信号66进行比较来检测伺服图案信号S1A的方式例进行了说明，但与此同样地，第2位置检测装置30B2也通过对第2伺服带信号S2与理想波形信号66进行比较来检测伺服图案信号S2A，并将检测到的伺服图案信号S2A输出至控制装置30A。

另外，在本实施方式中，举出使用自相关系数来检测第1线状磁化区域信号S1a及第2线状磁化区域信号S1b的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此，也可以使用多个阈值来检测第1线状磁化区域信号S1a及第2线状磁化区域信号S1b。作为多个阈值的一例，可举出第1阈值及第2阈值。第1阈值与第2阈值的大小关系为“第1阈值＞第2阈值”。第1阈值是根据作为第2线状磁化区域信号S1b的波形的振幅来预测的振幅而事先导出的值，用于第2线状磁化区域信号S1b的检测。第2阈值是根据作为第1线状磁化区域信号S1a的波形的振幅来预测的振幅及作为第2线状磁化区域信号S1b的波形的振幅来预测的振幅而事先导出的值。第1阈值及第2阈值用于第1线状磁化区域信号S1a的检测。

作为一例，如图13所示，控制装置30A通过根据位置检测装置30B中的位置检测结果(即，伺服图案信号S1A及S2A)使移动机构48进行动作来调整磁头28的位置。并且，控制装置30A使磁性元件单元42对磁带MT的数据带D B进行磁处理。即，控制装置30A从磁性元件单元42获取读取信号(即，通过磁性元件单元42从磁带MT的数据带DB读取的数据)，或通过对磁性元件单元42供给记录信号而将与记录信号相对应的数据记录于磁带MT的数据带DB。

并且，为了减少TDS的影响，控制装置30A根据位置检测装置30B中的位置检测结果(即，伺服图案信号S1A及S2A)计算伺服带间距SBP，通过根据计算出的伺服带间距SBP使倾斜机构49进行工作来调整偏斜角度。伺服带间距SBP是指，在宽度方向WD(参考图11)上相邻的伺服带SB(参考图11)之间的距离(在图11所示的例子中，为伺服带SB2与伺服带SB3之间的宽度方向WD上的距离)。伺服带间距SBP为本发明的技术所涉及的“宽度对应信息”的一例。

另外，控制装置30A可以按照计算出的伺服带间距SBP进行张力控制。张力控制通过调整送出马达36(参考图3)及卷取马达40(参考图3)各自的转速及转矩等来实现。

在本实施方式中，作为本发明的技术所涉及的“宽度对应信息”的一例，举出了伺服带间距SBP，但这只不过是一例，作为本发明的技术所涉及的“宽度对应信息”，即便代替伺服带间距SBP而使用磁带MT的宽度，本发明的技术仍成立。

作为一例，如图14所示，控制装置30A进行数据记录预处理及数据记录读取处理。数据记录预处理为在通过磁头28对磁带MT的数据带DB记录数据的前阶段进行的处理。数据记录读取处理为磁头28对磁带MT进行磁处理时(即，进行磁处理的定时)进行的处理。

控制装置30A具有第1移动机构控制部30A0、基准偏斜角度导出部30A1、第1倾斜机构控制部30A2、第1行进控制部30A3、间距计算部30A4及第1环境信息获取部30A5。数据记录预处理通过基准偏斜角度导出部30A1、第1倾斜机构控制部30A2、第1行进控制部30A3、间距计算部30A4及第1环境信息获取部30A5来实现。

控制装置30A具有角度调整信息获取部30A6、第2倾斜机构控制部30A7、第2环境信息获取部30A8、角度调整量计算部30A9、第2行进控制部30A10、第2移动机构控制部30A11及读写元件控制部30A12。数据记录读取处理通过角度调整信息获取部30A6、第2倾斜机构控制部30A7、第2环境信息获取部30A8、角度调整量计算部30A9、第2行进控制部30A10、第2移动机构控制部30A11及读写元件控制部30A12来实现。

在此，参考图15及图16对数据记录预处理的一例进行说明。

作为一例，如图15所示，基准偏斜角度导出部30A1从盒式存储器24获取规格信息13A，使用表100来导出基准偏斜角度信息102。基准偏斜角度信息102为本发明的技术所涉及的“角度信息”的一例。基准偏斜角度信息102是指，表示基准偏斜角度的信息。基准偏斜角度是指，在数据记录预处理中开始磁带MT的行进时所使用的偏斜角度。表100存储于存储器32。表100为多个规格信息13A与多个基准偏斜角度信息102一对一建立对应关联的信息。

基准偏斜角度导出部30A1从表100导出与从盒式存储器24获取的规格信息13A对应的基准偏斜角度信息102，将所导出的基准偏斜角度信息102存储于盒式存储器24。另外，在此，举出了基准偏斜角度信息102存储于盒式存储器24的方式例，但这只不过是一例。例如，基准偏斜角度信息102可以不存储于盒式存储器24，也可以是每来到既定定时时(例如，每进行数据记录预处理时)从表100导出与规格信息13A对应的基准偏斜角度信息102。

第1倾斜机构控制部30A2通过按照由基准偏斜角度导出部30A1导出的基准偏斜角度信息102控制倾斜机构49，将磁头28的偏斜角度θ设定为由通过基准偏斜角度导出部30A1导出的基准偏斜角度信息102表示的基准偏斜角度。

若磁头28的偏斜角度θ设定为基准偏斜角度，则第1倾斜机构控制部30A2对第1行进控制部30A3输出角度设定完成信号104。角度设定完成信号104是指，表示偏斜角度θ设定为基准偏斜角度的信号。第1行进控制部30A3以输入了角度设定完成信号104为条件进行行进开始控制。行进开始控制是指，经由送出马达36及卷取马达40开始磁带MT的行进(例如，向正向行进)的控制。即，若输入角度设定完成信号104，则第1行进控制部30A3通过从送出马达36及卷取马达40对磁带MT赋予动力，开始磁带MT的行进。若通过第1行进控制部30A3开始行进开始控制，则第1移动机构控制部30A0通过控制移动机构48，使磁头28沿着宽度方向WD移动，以使磁头28的伺服读取元件SR位于伺服图案52(参考图10)的特定位置(例如，伺服图案52中的宽度方向WD的中央部)。

作为一例，如图16所示，间距计算部30A4根据位置检测装置30B中的位置检测结果(即，伺服图案信号S1A及S2A)，以帧50单位来计算伺服带间距SBP。间距计算部30A4在每次计算伺服带间距SBP时，以时序列来将计算出的伺服带间距SBP存储于盒式存储器24。

存储于盒式存储器24的伺服带间距SBP为在对数据带DB记录数据之前使磁带MT行进的状态下获取的信息。伺服带间距SBP在磁带MT的全长方向的多个部位中获取。即，在对数据带DB记录数据之前使磁带MT行进的状态下，通过间距计算部30A4在磁带MT的全长方向的多个部位中计算伺服带间距SBP。在此，作为一例，在磁带MT的全长方向的所有帧50的部位中计算伺服带间距SBP。但这只不过是一例，例如，伺服带间距SBP可以在磁带MT的全长方向上，以数米单位、数十米单位或数百米单位来计算。即，伺服带间距SBP在磁带MT的全长方向上以恒定的间隔来计算即可。并且，可以在磁带MT的全长方向上，分别在磁带MT一部分区域内的预先设定的多个点上计算伺服带间距SB P，并且在除了计算出伺服带间距SBP的点以外的点上使用内插或外插等来估计伺服带间距SBP。

第1环境信息获取部30A5从环境传感器ES获取环境信息106。环境信息106为确定环境的信息(例如，表示确定环境的物理量的信息)。环境信息106为本发明的技术所涉及的“第1环境信息”及“第2环境信息”的一例。

环境信息106中包含温度信息106A及湿度信息106B。温度信息106A为表示通过环境传感器ES测定出的温度的信息。湿度信息106B为表示通过环境传感器ES测定出的湿度的信息。温度信息106A为本发明的技术所涉及的“温度信息”的一例，湿度信息106B为本发明的技术所涉及的“湿度信息”的一例。第1环境信息获取部30A5将从环境传感器ES获取的环境信息106存储于盒式存储器24。

作为一例，如图17所示，在盒式存储器24中存储有角度调整信息108。角度调整信息108为用于调整偏斜角度θ(参考图15)的信息。角度调整信息108为对磁带MT表面31的数据带DB记录数据之前获得的信息。

角度调整信息108为以磁头28对磁带MT的数据带DB进行磁处理的定时来由控制装置30A使用的信息。即，以磁头28对磁带MT的数据带DB进行磁处理的定时来由控制装置30A使用角度调整信息108而调整偏斜角度θ。

角度调整信息108中包含基准偏斜角度信息102、多个伺服带间距SBP、环境信息106及物理特征信息110。基准偏斜角度信息102通过基准偏斜角度导出部30A1存储于盒式存储器24(参考图15)，多个伺服带间距SBP通过间距计算部30A4存储于盒式存储器24(参考图16)，环境信息106通过第1环境信息获取部30A5存储于盒式存储器24(参考图16)。物理特征信息110为表示磁带MT的物理特征的信息。物理特征信息110在磁带盒12或磁带MT的制造工序中存储于盒式存储器24。另外，物理特征信息110存储于盒式存储器24的定时只要是通过磁头28对磁带MT进行磁处理的前阶段(例如，进行数据记录读取处理的前阶段)，则可以是任意定时。

物理特征信息110中包含磁带厚度信息110A、磁性层厚度信息110B、表面摩擦系数信息110C、背面摩擦系数信息110D、温度膨胀系数信息110E、湿度膨胀系数信息110F、泊松比信息110G及基材信息110H等。

磁带厚度信息110A为表示磁带MT的厚度的信息。磁性层厚度信息110B为表示磁性层29A(参考图3)的厚度的信息。表面摩擦系数信息110C为表示磁带MT表面31(参考图3)的摩擦系数的信息。背面摩擦系数信息110D为表示磁带MT背面33(参考图3)的摩擦系数的信息。温度膨胀系数信息110E为表示磁带MT的温度膨胀系数(例如，表示磁带MT依赖于温度而沿着宽度方向WD伸缩的程度的线膨胀系数)的信息。湿度膨胀系数信息110F为表示磁带MT的湿度膨胀系数(例如，表示磁带MT依赖于湿度而沿着宽度方向WD伸缩的程度的线膨胀系数)的信息。泊松比信息110G为表示磁带MT的泊松比的信息。基材信息110H为表示磁带MT的基材的信息。

另外，在此，举出物理特征信息110中包含磁带厚度信息110A、磁性层厚度信息110B、表面摩擦系数信息110C、背面摩擦系数信息110D、温度膨胀系数信息110E、湿度膨胀系数信息110F、泊松比信息110G及基材信息110H的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，物理特征信息110中包含磁带厚度信息110A、磁性层厚度信息110B、表面摩擦系数信息110C、背面摩擦系数信息110D、温度膨胀系数信息110E、湿度膨胀系数信息110F、泊松比信息110G及基材信息110H中的至少一个即可。

接着，参考图18～图21对数据记录读取处理的一例进行说明。

在此，以满足对磁带MT进行磁处理(在此，作为一例，记录数据的处理)的条件(例如，通过UI系统装置34接收了开始对数据带DB记录数据的指示这一条件)的定时进行数据记录读取处理为前提进行说明。另外，满足对磁带MT进行磁处理的条件的定时为本发明的技术所涉及的“进行磁处理的定时”及“对记录面记录数据的第1定时”的一例。

作为一例，如图18所示，角度调整信息获取部30A6从盒式存储器24获取角度调整信息108。第2倾斜机构控制部30A7从通过角度调整信息获取部30A6从盒式存储器24获取的角度调整信息108提取基准偏斜角度信息102。第2倾斜机构控制部30A7通过按照从角度调整信息108提取的基准偏斜角度信息102控制倾斜机构49，将磁头28的偏斜角度θ设定为由基准偏斜角度信息102表示的基准偏斜角度。

作为一例，如图19所示，第2环境信息获取部30A8从环境传感器ES获取环境信息112。环境信息112为确定环境的信息(例如，表示确定环境的物理量的信息)。环境信息112为本发明的技术所涉及的“第3环境信息”及“第4环境信息”的一例。

环境信息112中包含温度信息112A及湿度信息112B。温度信息112A为表示通过环境传感器ES测定出的温度的信息。湿度信息112B为表示通过环境传感器ES测定出的湿度的信息。

角度调整量计算部30A9计算通过角度调整信息获取部30A6获取的角度调整信息108中所包含的环境信息106与通过第2环境信息获取部30A8获取的环境信息112的差异度。作为环境信息106与环境信息112的差异度的一例，可举出温度差114及湿度差116。

温度差114为由环境信息106中所包含的温度信息106A表示的温度与由环境信息112中所包含的温度信息112A表示的温度的差(例如，从由温度信息106A表示的温度减去由温度信息112A表示的温度而获得的值)。另外，在此，例示了温度差114，但本发明的技术并不限定于此，代替温度差114，可以适用其中另一个相对于由温度信息106A表示的温度及由温度信息112A表示的温度中的一个的比例。

湿度差116为由环境信息106中所包含的湿度信息106B表示的湿度与由环境信息112中所包含的湿度信息112B表示的湿度的差(例如，从由湿度信息106B表示的湿度减去由湿度信息112B表示的湿度而获得的值)。另外，在此，例示了湿度差116，但本发明的技术并不限定于此，代替湿度差116，可以适用其中另一个相对于由湿度信息106B表示的湿度及由湿度信息112B表示的湿度中的一个的比例。

作为一例，如图20所示，角度调整量计算部30A9从通过角度调整信息获取部30A6获取的角度调整信息108提取物理特征信息110及多个伺服带间距S BP(例如，所有伺服带间距SBP)。然后，角度调整量计算部30A9根据物理特征信息110、温度差114、湿度差116及伺服带间距SBP，计算角度调整量118。角度调整量118是指，偏斜角度θ的调整量。例如，角度调整量118由运算式120计算。运算式120为将物理特征信息110、温度差114、湿度差116及伺服带间距SBP设为自变量而将实现正对磁道的角度调整量118设为因变量的运算式。另外，运算式120例如是作为通过在物理特征信息110、温度差114、湿度差116及伺服带间距SBP的各种组合下进行的基于实机的试验和/或计算机模拟等计算实现正对磁道的角度调整量118的运算式来事先获得的运算式。

另外，在此，举出了由运算式120计算角度调整量118的方式例，但这只不过是一例，可以从将物理特征信息110、温度差114及湿度差116设为输入而将角度调整量118设为输出的表(省略图示)导出角度调整量118。

角度调整量计算部30A9按照运算式120计算每个伺服带间距SBP的角度调整量118，并生成表示计算结果的数式122。数式122表示磁带MT的全长方向的位置与角度调整量118之间的对应关系。磁带MT的全长方向的位置与角度调整量118之间的对应关系沿着磁带的全长方向具有连续性，连续性通过插值法(例如，线性插值)来实现。磁带MT的全长方向的位置在磁带MT的全长方向上以恒定的间隔来设定。在此，恒定的间隔例如是指，在磁带MT的全长方向上由帧50规定的间隔(即，获取了伺服带间距SBP的间隔)。角度调整量计算部30A9将所生成的数式122存储于存储器32。

作为一例，如图21所示，第2行进控制部30A10通过进行行进开始控制，开始磁带MT的行进。从位置检测装置30B对第2倾斜机构控制部30A7、第2移动机构控制部30A11及读写元件控制部30A12输入位置检测结果即伺服图案信号S1A及S2A。第2倾斜机构控制部30A7、第2移动机构控制部30A11及读写元件控制部30A12以从位置检测装置30B输入的伺服图案信号S1A及S2A为基础同步进行动作。

若磁带MT开始行进，则第2倾斜机构控制部30A7通过按照从存储于存储器32的数式122获得的角度调整量118控制倾斜机构49，以从数式122获得的角度调整量118来调整偏斜角度θ。第2移动机构控制部30A11根据伺服图案信号S1A及S2A进行伺服控制。

连续进行伺服读取元件SR对伺服图案52的读取，伴随于此伺服图案信号S1A及S2A连续输入于读写元件控制部30A12。读写元件控制部30A12按照伺服图案信号S1A及S2A的输入而对磁头28进行磁处理。即，当对磁带MT表面31的数据带DB(参考图10)记录数据时，读写元件控制部30A12按照伺服图案信号S1A及S2A的输入而将记录信号供给至磁性元件单元42。由此，磁性元件单元42中所包含的多个数据读写元件DRW将与记录信号相对应的数据记录于数据带DB(参考图10)。并且，当在对磁带MT表面31的数据带DB记录数据之后(例如，遍及磁带MT全长而对数据带DB记录数据之后)从数据带DB读取数据时，读写元件控制部30A12通过按照伺服图案信号S1A及S2A的输入而获取读取信号，从数据带DB读取数据。

接着，参考图22～图24对磁带系统10的作用进行说明。

在图22中例示了通过控制装置30A进行的数据记录预处理的流程的一例。在通过磁头28对磁带MT进行磁处理(在此，作为一例，对数据带DB记录数据)的前阶段，当满足开始条件(例如，通过UI系统装置34接收了开始执行数据记录预处理的指示这一条件)时，由控制装置30A进行图22所示的数据记录预处理。

在图22所示的数据记录预处理中，首先，在步骤ST10中，基准偏斜角度导出部30A1从盒式存储器24获取规格信息13A。在执行步骤ST10的处理之后，数据记录预处理转到步骤ST12。

在步骤ST12中，基准偏斜角度导出部30A1从表100导出与在步骤ST12中获取的规格信息13A对应的基准偏斜角度信息102。然后，基准偏斜角度导出部30A1将所导出基准偏斜角度信息102存储于盒式存储器24。在执行步骤ST12的处理之后，数据记录预处理转到步骤ST14。

在步骤ST14中，第1倾斜机构控制部30A2将偏斜角度θ设定为由在步骤ST12中导出的基准偏斜角度信息102表示的基准偏斜角度。在执行步骤ST14的处理之后，数据记录预处理转到步骤ST16。

在步骤ST16中，第1行进控制部30A3通过进行行进开始控制，开始磁带MT的行进。在执行步骤ST16的处理之后，数据记录预处理转到步骤ST18。

在步骤ST18中，间距计算部30A4判定是否从位置检测装置30B输入了伺服图案信号S1A及S2A。在步骤ST18中，当从位置检测装置30B未输入伺服图案信号S1A及S2A时，判定得到否定，而数据记录预处理转到步骤ST21。在步骤ST18中，当从位置检测装置30B输入了伺服图案信号S1A及S2A时，判定得到肯定，而数据记录预处理转到步骤ST20。

在步骤ST20中，间距计算部30A4根据从位置检测装置30B输入的伺服图案信号S1A及S2A计算伺服带间距SBP。然后，间距计算部30A4将计算出的伺服带间距SBP存储于盒式存储器24。在执行步骤ST20的处理之后，数据记录预处理转到步骤ST21。

在步骤ST21中，间距计算部30A4判定磁头28对遍及磁带MT全长的规定的伺服图案52(例如，BOT区间31A(参考图26)与EOT区间31B(参考图26)之间的区间中所包含的所有伺服图案52)的读取是否结束。在步骤ST21中，当磁头28对遍及磁带MT全长的规定的伺服图案52的读取未结束时，判定得到否定，而数据记录预处理转到步骤ST18。在步骤ST21中，当磁头28对遍及磁带MT全长的规定的伺服图案52的读取结束时，判定得到肯定，而数据记录预处理转到步骤ST22。

在步骤ST22中，第1行进控制部30A3通过控制送出马达36及卷取马达40，停止磁带MT的行进。在执行步骤ST22的处理之后，数据记录预处理转到步骤ST24。

在步骤ST24中，第1环境信息获取部30A5从环境传感器ES获取环境信息106。然后，第1环境信息获取部30A5将所获取的环境信息106存储于盒式存储器24。在执行步骤ST24的处理之后，数据记录预处理结束。

在图23A及图23B中示出了通过控制装置30A进行的数据记录读取处理的流程的一例。

在图23A所示的数据记录读取处理中，首先，在步骤ST30中，角度调整信息获取部30A6判定是否满足数据记录开始条件。作为数据记录开始条件的一例，可举出通过UI系统装置34接收了开始对磁带MT的数据带DB记录数据的指示这一条件。在步骤ST30中，当不满足数据记录开始条件时，判定得到否定，而数据记录读取处理转到图23B所示的步骤ST46。在步骤ST30中，当满足数据记录开始条件时，判定得到肯定，而数据记录读取处理转到步骤ST32。

作为一例，在步骤ST32中，控制装置30A执行图24所示的角度调整量确定处理。在执行步骤ST32的处理之后，数据记录读取处理转到步骤ST34。

在图24所示的角度调整量确定处理中，首先，在步骤ST100中，角度调整信息获取部30A6从盒式存储器24获取角度调整信息108。在执行步骤ST100的处理之后，角度调整量确定处理转到步骤ST102。

在步骤ST102中，第2倾斜机构控制部30A7从在步骤ST100中获取的角度调整信息108提取基准偏斜角度信息102。然后，第2倾斜机构控制部30A7通过控制倾斜机构49，将偏斜角度θ设定为由基准偏斜角度信息102表示的基准偏斜角度。在执行步骤ST102的处理之后，角度调整量确定处理转到步骤ST104。

在步骤ST104中，第2环境信息获取部30A8从环境传感器ES获取环境信息112。角度调整量计算部30A9根据通过第2环境信息获取部30A8获取的环境信息112及在步骤ST100中获取的角度调整信息108中所包含的环境信息106，计算温度差114及湿度差116。在执行步骤ST104的处理之后，角度调整量确定处理转到步骤ST106。

在步骤ST106中，角度调整量计算部30A9使用运算式120由在步骤ST104中计算出的温度差114、在步骤ST104中计算出的湿度差116、在步骤ST100中获取的角度调整信息108中所包含的物理特征信息110及在步骤ST100中获取的角度调整信息108中所包含的多个伺服带间距SBP，计算每个伺服带间距SBP的角度调整量118。在执行步骤ST106的处理之后，角度调整量确定处理转到步骤ST108。

在步骤ST108中，角度调整量计算部30A9根据步骤ST106中的计算结果生成数式122，并将所生成的数式122存储于存储器32。在执行步骤ST108的处理之后，角度调整量确定处理结束。

在图23A所示的步骤ST34中，第2行进控制部30A10通过进行行进开始控制，开始磁带MT的行进。在执行步骤ST34的处理之后，数据记录读取处理转到步骤ST36。

在步骤ST36中，控制装置30A判定是否从位置检测装置30B输入了伺服图案信号S1A及S2A。在步骤ST36中，当从位置检测装置30B未输入伺服图案信号S1A及S2A时，判定得到否定，而数据记录读取处理转到步骤ST44。在步骤ST36中，当从位置检测装置30B输入了伺服图案信号S1A及S2A时，判定得到肯定，而数据记录读取处理转到步骤ST38。

在步骤ST38中，第2倾斜机构控制部30A7以从存储于存储器32的数式122获得的角度调整量118来调整偏斜角度θ。在执行步骤ST38的处理之后，数据记录读取处理转到步骤ST40。

在步骤ST40中，第2移动机构控制部30A11按照从位置检测装置30B输入的伺服图案信号S1A及S2A进行伺服控制。在执行步骤ST40的处理之后，数据记录读取处理转到步骤ST42。

在步骤ST42中，读写元件控制部30A12将记录信号供给至磁性元件单元42。由此，磁性元件单元42中所包含的多个数据读写元件将与记录信号相对应的数据记录于数据带DB。在执行步骤ST42的处理之后，数据记录读取处理转到步骤ST44。

在步骤ST44中，控制装置30A判定是否满足第1既定条件。作为第1既定条件的一例，可举出伺服读取元件SR对遍及磁带MT全长的规定的伺服图案52的读取结束这一条件或完成了规定的数据记录(例如，所记录的数据的大小达到规定的大小)这一条件。在步骤ST44中，当不满足第1既定条件时，判定得到否定，而数据记录读取处理转到步骤ST36。在步骤ST44中，当满足第1既定条件时，判定得到肯定，而数据记录预处理转到图23B所示的步骤ST62。

在图23B所示的步骤ST46中，角度调整信息获取部30A6判定是否满足数据读取开始条件。作为数据读取开始条件的一例，可举出遍及磁带MT全长而对数据带DB已记录有数据，且通过UI系统装置34接收了开始从磁带MT的数据带DB读取数据的指示这一条件。在步骤ST46中，当不满足数据读取开始条件时，判定得到否定，而数据记录读取处理转到图23A所示的步骤ST30。在步骤ST46中，当满足数据读取开始条件时，判定得到肯定，而数据记录读取处理转到步骤ST48。

作为一例，在步骤ST48中，控制装置30A执行图24所示的角度调整量确定处理。在执行步骤ST48的处理之后，数据记录读取处理转到步骤ST50。

在步骤ST50中，第2行进控制部30A10通过进行行进开始控制，开始磁带MT的行进。在执行步骤ST50的处理之后，数据记录读取处理转到步骤ST52。

在步骤ST52中，控制装置30A判定是否从位置检测装置30B输入了伺服图案信号S1A及S2A。在步骤ST52中，当从位置检测装置30B未输入伺服图案信号S1A及S2A时，判定得到否定，而数据记录读取处理转到步骤ST60。在步骤ST52中，当从位置检测装置30B输入了伺服图案信号S1A及S2A时，判定得到肯定，而数据记录读取处理转到步骤ST54。

在步骤ST54中，第2倾斜机构控制部30A7以从存储于存储器32的数式122获得的角度调整量118来调整偏斜角度θ。在执行步骤ST54的处理之后，数据记录读取处理转到步骤ST56。

在步骤ST56中，第2移动机构控制部30A11按照从位置检测装置30B输入的伺服图案信号S1A及S2A进行伺服控制。在执行步骤ST56的处理之后，数据记录读取处理转到步骤ST58。

在步骤ST58中，读写元件控制部30A12通过从磁性元件单元42中所包含的多个数据读写元件DRW获取读取信号，从数据带DB获取数据。在执行步骤S T58的处理之后，数据记录读取处理转到步骤ST60。

在步骤ST60中，控制装置30A判定是否满足第2既定条件。作为第2既定条件的一例，可举出伺服读取元件SR对遍及磁带MT全长的所有规定的伺服图案52的读取结束这一条件或完成了规定的数据读取(例如，所读取的数据的大小达到规定的大小)这一条件。在步骤ST60中，当不满足第2既定条件时，判定得到否定，而数据记录读取处理转到步骤ST52。在步骤ST60中，当满足第2既定条件时，判定得到肯定，而数据记录读取处理转到步骤ST62。

在步骤ST62中，第2行进控制部30A10通过控制送出马达36及卷取马达40，停止磁带MT的行进。在执行步骤ST22的处理之后，数据记录读取处理结束。

如以上进行的说明，在本实施方式所涉及的磁带系统10中，在对磁带MT的数据带DB记录数据之前获得的角度调整信息108存储于盒式存储器24。是用于调整偏斜角度θ(参考图15)的信息。然后，第2倾斜机构控制部30A7按照根据存储于盒式存储器24的角度调整信息108而设定的角度调整量118(参考图20)调整偏斜角度θ。因此，根据本结构，与通过调整对磁带MT赋予的张力来抑制伴随磁带MT宽度的变形而产生的偏离磁道的情况相比，能够以高精度抑制伴随磁带MT宽度的变形而产生的偏离磁道。

并且，在本实施方式所涉及的磁带系统10中，角度调整信息108中包含对数据带DB记录数据之前获取的多个伺服带间距SBP。然后，第2倾斜机构控制部30A7按照根据角度调整信息108中所包含的多个伺服带间距SBP而设定的角度调整量118调整偏斜角度θ。因此，根据本结构，能够考虑对数据带D B记录数据之前的多个伺服带间距SBP来调整偏斜角度θ。其结果，与仅通过调整对磁带MT赋予的张力来尝试实现正对磁道的情况相比，能够实现高精度的跟踪控制。另外，角度调整信息108中可以代替伺服带间距SBP而包含磁带MT的宽度。在该情况下，能够考虑对数据带DB记录数据之前的多个宽度来调整偏斜角度θ。

并且，在本实施方式所涉及的磁带系统10中，在磁带MT的全长方向上在磁带MT的多个部位中获取伺服带间距SBP，并且所获取的伺服带间距SBP包含于角度调整信息108中。然后，第2倾斜机构控制部30A7按照根据角度调整信息108中所包含的多个伺服带间距SBP而设定的角度调整量118调整偏斜角度θ。因此，根据本结构，能够考虑在磁带MT的全长方向上在磁带MT的多个部位中获取的伺服带间距SBP来调整偏斜角度θ。其结果，与仅通过调整对磁带MT赋予的张力来尝试实现正对磁道的情况相比，能够实现高精度的跟踪控制。另外，角度调整信息108中可以包含在磁带MT的全长方向上在磁带MT的多个部位中获取的磁带MT的宽度。在该情况下，能够考虑在磁带MT的全长方向上磁带MT的多个部位中获取的磁带MT的宽度来调整偏斜角度θ。

并且，在本实施方式所涉及的磁带系统10中，角度调整信息108中包含环境信息106。而且，第2倾斜机构控制部30A7按照根据角度调整信息108中所包含的环境信息106而设定的角度调整量118调整偏斜角度θ。因此，根据本结构，能够考虑对数据带DB记录数据之前的磁带驱动器14的环境来调整偏斜角度θ。其结果，与仅通过调整对磁带MT赋予的张力来尝试实现正对磁道的情况相比，能够实现高精度的跟踪控制。

并且，在本实施方式所涉及的磁带系统10中，角度调整信息108中包含环境信息106。环境信息106中包含温度信息106A及湿度信息106B。而且，第2倾斜机构控制部30A7按照根据环境信息106中所包含的温度信息106A及湿度信息106B而设定的角度调整量118调整偏斜角度θ。因此，根据本结构，能够考虑对数据带DB记录数据之前的磁带驱动器14的温度及湿度来调整偏斜角度θ。其结果，与仅通过调整对磁带MT赋予的张力来尝试实现正对磁道的情况相比，能够实现高精度的跟踪控制。

并且，在本实施方式所涉及的磁带系统10中，角度调整信息108中包含基准偏斜角度信息102。而且，第2倾斜机构控制部30A7按照根据角度调整信息108中所包含的基准偏斜角度信息102而设定的角度调整量118调整偏斜角度θ。因此，根据本结构，能够考虑对数据带DB记录数据之前的基准偏斜角度来调整偏斜角度θ。其结果，与仅通过调整对磁带MT赋予的张力来尝试实现正对磁道的情况相比，能够实现高精度的跟踪控制。

并且，在本实施方式所涉及的磁带系统10中，角度调整信息108中包含物理特征信息110。而且，第2倾斜机构控制部30A7按照根据角度调整信息108中所包含的物理特征信息110而设定的角度调整量118调整偏斜角度θ。因此，根据本结构，能够考虑对数据带DB记录数据之前的磁带MT的物理特征来调整偏斜角度θ。其结果，与仅通过调整对磁带MT赋予的张力来尝试实现正对磁道的情况相比，能够实现高精度的跟踪控制。

并且，在本实施方式所涉及的磁带系统10中，物理特征信息110中包含磁带厚度信息110A、磁性层厚度信息110B、表面摩擦系数信息110C、背面摩擦系数信息110D、温度膨胀系数信息110E、湿度膨胀系数信息110F、泊松比信息110G及基材信息110H。而且，第2倾斜机构控制部30A7按照根据物理特征信息110中所包含的磁带厚度信息110A、磁性层厚度信息110B、表面摩擦系数信息110C、背面摩擦系数信息110D、温度膨胀系数信息110E、湿度膨胀系数信息110F、泊松比信息110G及基材信息110H而设定的角度调整量118调整偏斜角度θ。因此，根据本结构，能够考虑对数据带DB记录数据之前的磁带MT的厚度、磁性层29A的厚度、磁带MT的表面31的摩擦系数、磁带MT的背面33的摩擦系数、磁带MT的温度膨胀系数、磁带MT的湿度膨胀系数、磁带MT的泊松比及磁带MT的基材来调整偏斜角度θ。其结果，与仅通过调整对磁带MT赋予的张力来尝试实现正对磁道的情况相比，能够实现高精度的跟踪控制。

并且，在本实施方式所涉及的磁带系统10中，在盒式存储器24中存储有角度调整信息108。因此，根据本结构，能够以非接触方式从盒式存储器24获取角度调整信息108。

并且，在本实施方式所涉及的磁带系统10中，当对数据带DB记录数据时，通过使倾斜机构49根据角度调整信息108调整偏斜角度θ，使伺服带SB的位置(具体而言，例如，分割数据磁道DT 1_1、DT 1_2、DT1_3、DT1_4、……、DT1_11及DT1_12中的所指定的分割数据磁道)与伺服读取元件SR的位置一致。因此，根据本结构，与仅通过调整对磁带MT赋予的张力而使对数据带DB记录数据时的伺服带SB的位置与伺服读取元件SR的位置一致的情况相比，能够以高精度使对数据带DB记录数据时的伺服带SB的位置与伺服读取元件SR的位置一致。其结果，与仅通过调整对磁带MT赋予的张力而尝试实现正对磁道的情况相比，能够提高正对磁道的精度即对分割数据磁道DT1_1、D T1_2、DT1_3、DT1_4、……、DT1_11及DT1_12对位数据读写元件DRW的精度。

并且，在本实施方式所涉及的磁带系统10中，存储于盒式存储器24的角度调整信息108中包含环境信息106。环境信息106为在对磁带MT记录数据的前阶段获取的信息。并且，以对磁带MT进行磁处理的定时来获取环境信息112。然后，根据环境信息106与环境信息112的差异度(作为一例，温度差114及湿度差116)调整偏斜角度θ。因此，根据本结构，与仅根据以对磁带MT进行磁处理的定时来获取的环境信息112进行偏斜角度θ的调整的情况相比，能够以高精度抑制伴随由因对磁带MT记录数据之前的环境与对磁带MT进行磁处理的定时下的环境的差异导致的磁带MT的宽度发生变形而产生的偏离磁道。

另外，在上述实施方式中，举出环境信息106中包含温度信息106A及湿度信息106B，且环境信息112中包含温度信息112A及湿度信息112B的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，环境信息106中可以不包含湿度信息106B而包含温度信息106A，环境信息112中可以不包含湿度信息112B而包含温度信息112A。在该情况下，通过角度调整量计算部30A9计算温度差114而不计算湿度差116。而且，在角度调整量计算部30A9中，不使用湿度差116而计算角度调整量118。并且，例如，环境信息106中可以不包含温度信息106A而包含湿度信息106B，环境信息112可以不包含温度信息112A而包含湿度信息112B。在该情况下，通过角度调整量计算部30A9计算湿度差116而不计算温度差114。而且，在角度调整量计算部30A9中，不使用温度差114而计算角度调整量118。

并且，在上述实施方式中，举出根据以对数据带DB记录数据之前的定时来获取的环境信息106与以对数据带DB记录数据的定时来获取的环境信息112的差异度而使倾斜机构49调整偏斜角度θ的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，可以根据以对数据带DB记录数据的定时即第1定时来获取的环境信息112与以与第1定时不同的第2定时来获取的环境信息124(参考图25)的差异度，使倾斜机构49调整偏斜角度θ。在该情况下，与仅根据第1定时来获取的环境信息112进行偏斜角度θ的调整的情况相比，能够以高精度抑制伴随因第1定时下的环境与第2定时下的环境的差异导致的磁带MT的宽度发生变形而产生的偏离磁道。另外，环境信息124(参考图25)为本发明的技术所涉及的“第5环境信息”的一例。

作为一例，如图25所示，环境信息124包含表示通过环境传感器ES测定出的温度的温度信息124A及表示通过环境传感器ES测定出的湿度的湿度信息124B。获取环境信息124的第2定时可以是通过对数据带DB进行覆盖来更新记录于数据带DB的数据的定时，也可以是对已记录有数据的数据带DB补记新的数据的定时。即，可以以通过对数据带DB进行覆盖来更新记录于数据带DB的数据的定时来通过第2环境信息获取部30A8从环境传感器ES获取环境信息124，也可以以对已记录有数据的数据带DB补记新的数据的定时来通过第2环境信息获取部30A8从环境传感器ES获取环境信息124。

在该情况下，角度调整量计算部30A9通过计算由温度信息112A表示的温度与由温度信息124A表示的温度的差来更新温度差114，并且通过计算由湿度信息112B表示的湿度与由湿度信息124B表示的湿度的差来更新湿度差116。然后，角度调整量计算部30A9以与上述实施方式相同的要领来计算角度调整量118(参考图20)。因此，根据本结构，与仅根据第1定时来获取的环境信息112进行偏斜角度θ的调整的情况相比，能够以高精度抑制伴随因第1定时下的环境与通过对数据带DB进行覆盖来更新数据带DB内的数据的定时下的环境的差异导致的磁带MT的宽度发生变形而产生的偏离磁道。并且，根据本结构，与仅根据第1定时来获取的环境信息112进行偏斜角度θ的调整的情况相比，能够以高精度抑制伴随因第1定时下的环境与对已记录有数据的数据带DB补记新的数据的定时下的环境的差异导致的磁带MT的宽度发生变形而产生的偏离磁道。

并且，在上述实施方式中，举出在盒式存储器24中存储角度调整信息108的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，除了盒式存储器24以外，或代替盒式存储器24，可以在磁带MT的一部分存储角度调整信息108。在该情况下，能够从磁带MT获取角度调整信息108。并且，即使陷入无法从盒式存储器24读出角度调整信息108的状况，也能够从磁带MT获取角度调整信息108。

另外，当在磁带MT的一部分存储角度调整信息108时，例如，如图26所示，在BOT区间31A和/或EOT区间31B存储角度调整信息108即可。BOT区间31A是指，设置于磁带MT前头的区域。EOT区间31B是指，设置于磁带MT末尾的区域。

当在BOT区间31A和/或EOT区间31B存储角度调整信息108时，例如，在磁带MT或磁带盒12的制造工序中，物理特征信息110(参考图17)存储于BOT区间31A和/或EOT区间31B。基准偏斜角度信息102、环境信息106及伺服带间距SBP以与在上述实施方式中存储于盒式存储器24的定时相同的定时(即，磁头28对磁带MT的数据带DB进行磁处理的前阶段)来通过磁头28记录于BOT区间31A和/或EOT区间31B。

并且，在上述实施方式中，例示了伺服图案52，但伺服图案52只不过是一例，即便使用其他种类的伺服图案(即，与伺服图案52的几何特性不同的几何特性的伺服图案)，本发明的技术仍成立。在以下的第1变形例～第8变形例中，对记录有与伺服图案52不同的种类的伺服图案的磁带MT的方式例进行说明。

[第1变形例]

作为一例，如图27所示，第1变形例所涉及的磁带MT与图6所示的磁带MT相比，不同点在于，代替帧50而具有帧56。帧56由一组伺服图案58规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案58。与记录于图6所示的磁带MT的多个伺服图案52同样地，多个伺服图案58沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图27所示的例子中，作为帧56中所包含的一组伺服图案58的一例，示出了伺服图案58A及58B。伺服图案58A及58B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧56内，伺服图案58A位于正向的上游侧，伺服图案58B位于正向的下游侧。

伺服图案58由线状磁化区域对60构成。线状磁化区域对60分类为线状磁化区域对60A与线状磁化区域对60B。

伺服图案58A由线状磁化区域对60A构成。在图27所示的例子中，作为线状磁化区域对60A的一例，示出了由线状磁化区域60A1及60A2构成的对。线状磁化区域60A1及60A2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域60A1及60A2相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。线状磁化区域60A1及60A2互不平行，且相对于假想直线C1以不同的角度倾斜。线状磁化区域60A1与线状磁化区域60A2相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域60A1相对于假想直线C1的角度小于线状磁化区域60A2相对于假想直线C1的角度。并且，线状磁化区域60A1的总长度短于线状磁化区域60A2的总长度。

在伺服图案58A中，在线状磁化区域60A1包含多个磁化直线60A1a，在线状磁化区域60A2包含多个磁化直线60A2a。线状磁化区域60A1中所包含的磁化直线60A1a的根数与线状磁化区域60A2中所包含的磁化直线60A2a的根数相同。

线状磁化区域60A1为得到磁化的5根直线即磁化直线60A1a的集合，线状磁化区域60A2为得到磁化的5根直线即磁化直线60A2a的集合。在伺服带S B内，在宽度方向WD上，线状磁化区域60A1的两端的位置(即，5根磁化直线60A1a各自的两端的位置)与线状磁化区域60A2的两端的位置(即，5根磁化直线60A2a各自的两端的位置)对齐。另外，在此，举出了5根磁化直线60A1a各自的两端的位置与5根磁化直线60A2a各自的两端的位置对齐的例子，但这只不过是一例，只要5根磁化直线60A1a中的1根以上的磁化直线60A1a的两端的位置与5根磁化直线60A2a中的1根以上的磁化直线60A2a的两端的位置对齐即可。并且，在本实施方式中，“对齐”这一概念中除了包含完全对齐的含义以外，还包含包括本发明的技术所属的技术领域中通常允许的误差且不脱离本发明的技术的宗旨程度的误差在内的“对齐”这一含义。

伺服图案58B由线状磁化区域对60B构成。在图27所示的例子中，作为线状磁化区域对60B的一例，示出了由线状磁化区域60B1及60B2构成的对。线状磁化区域60B1及60B2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域60B1及60B2相对于假想直线C2向相反的方向倾斜。线状磁化区域60B1及60B2互不平行，且相对于假想直线C2以不同的角度倾斜。线状磁化区域60B1与线状磁化区域60B2相比，相对于假想直线C2的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域60B1相对于假想直线C2的角度小于线状磁化区域60B2相对于假想直线C2的角度。并且，线状磁化区域60B1的总长度短于线状磁化区域60B2的总长度。

在伺服图案58B中，在线状磁化区域60B1包含多个磁化直线60B1a，在线状磁化区域60B2包含多个磁化直线60B2a。线状磁化区域60B1中所包含的磁化直线60B1a的根数与线状磁化区域60B2中所包含的磁化直线60B2a的根数相同。

伺服图案58B中所包含的磁化直线60B1a及60B2a的总根数与伺服图案58A中所包含的磁化直线60A1a及60A2a的总根数不同。在图27所示的例子中，伺服图案58A中所包含的磁化直线60A1a及60A2a的总根数为10根，相对于此，伺服图案58B中所包含的磁化直线60B1a及60B2a的总根数为8根。

线状磁化区域60B1为得到磁化的4根直线即磁化直线60B1a的集合，线状磁化区域60B2为得到磁化的4根直线即磁化直线60B2a的集合。在伺服带S B内，在宽度方向WD上，线状磁化区域60B1的两端的位置(即，4根磁化直线60B1a各自的两端的位置)与线状磁化区域60B2的两端的位置(即，4根磁化直线60B2a各自的两端的位置)对齐。

另外，在此，举出了4根磁化直线60B1a各自的两端的位置与4根磁化直线60B2a各自的两端的位置对齐的例子，但这只不过是一例，4根磁化直线60B1a中的1根以上的磁化直线60B1a的两端的位置与4根磁化直线60B2a中的1根以上的磁化直线60B2a的两端的位置对齐即可。

并且，在此，作为线状磁化区域60A1的一例，举出了得到磁化的5根直线即磁化直线60A1a的集合，作为线状磁化区域60A2的一例，举出了得到磁化的5根直线即磁化直线60A2a的集合，作为线状磁化区域60B1的一例，举出了得到磁化的4根直线即磁化直线60B1a的集合，作为线状磁化区域60B2的一例，举出了得到磁化的4根直线即磁化直线60B2a的集合，但本发明的技术并不限定于此。例如，线状磁化区域60A1是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线60A1a即可，线状磁化区域60A2是有助于确定磁带M T上的磁头28的位置的根数的磁化直线60A2a即可，线状磁化区域60B1是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线60B1a即可，线状磁化区域60B2是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线60B2a即可。

在此，参考图28对线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性进行说明。

作为一例，如图28所示，线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性能够使用假想线状区域对62来表现。假想线状区域对62由假想线状区域62A及假想线状区域62B构成。线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性相当于如下几何特性：当通过使相对于假想直线C1以线对称倾斜的假想线状区域62A及假想线状区域62B的对称轴SA1相对于假想直线C1倾斜而使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜时，基于假想线状区域对62的几何特性。

假想线状区域对62为具有与图6所示的线状磁化区域对54A相同的几何特性的假想线状磁化区域对。假想线状区域对62是为了便于说明线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性而使用的假想磁化区域，并不是实际存在的磁化区域。

假想线状区域62A具有与图6所示的线状磁化区域54A1相同的几何特性，且由与图6所示的5根磁化直线54A1a对应的5根假想直线62A1构成。假想线状区域62B具有与图6所示的线状磁化区域54B1相同的几何特性，且由与图6所示的5根磁化直线54A2a对应的5根假想直线62B1构成。

在假想线状区域对62中设置有中心O1。例如，中心O1为连结5根直线62A1中的位于正向的最上游侧的直线62A1的中心与5根直线62B1中的位于正向的最下游侧的直线62B1的中心的线段L0的中心。

假想线状区域对62具有与图6所示的线状磁化区域对54A相同的几何特性，因此假想线状区域62A及假想线状区域62B相对于假想直线C1以线对称倾斜。在此，考虑如下情况：当通过以中心O1为旋转轴相对于假想直线C1使假想线状区域62A及62B的对称轴SA1以角度a(例如，10度)倾斜，使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜时，假如对该假想线状区域对62进行基于伺服读取元件SR的读取。在该情况下，在假想线状区域对62中，在宽度方向WD上，会产生可读取假想线状区域62A但无法读取假想线状区域62B，或无法读取假想线状区域62A但可读取假想线状区域62B的部位。即，分别在假想线状区域62A及62B中，当进行基于伺服读取元件SR的读取时，会产生不足的部分及不需要的部分。

因此，通过补充不足的部分且去除不需要的部分，在宽度方向WD上，使假想线状区域62A的两端的位置(即，5根直线62A1各自的两端的位置)与假想线状区域62B的两端的位置(即，5根直线62B1各自的两端的位置)对齐。

如此获得的假想线状区域对62的几何特性(即，假想伺服图案的几何特性)相当于实际伺服图案58A的几何特性。即，在宽度方向WD上，通过使假想线状区域62A的两端的位置与假想线状区域62B的两端的位置对齐而获得的相当于假想线状区域对62的几何特性的几何特性的线状磁化区域对60A记录于伺服带SB。

另外，线状磁化区域对60B与线状磁化区域对60A相比，不同点仅在于，代替5根磁化直线60A1a而具有4根磁化直线60B1a及代替5根磁化直线60A2a而具有4根磁化直线60B2a。因此，在宽度方向WD上，通过使4根直线62A1各自的两端的位置与4根直线62B1各自的两端的位置对齐而获得的相当于假想线状区域对(省略图示)的几何特性的几何特性的线状磁化区域对60B记录于伺服带SB。

作为一例，如图29所示，在磁带MT中沿着宽度方向WD形成有多个伺服带SB，在伺服带SB之间处于对应关系的帧56在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。这表示伺服带SB之间处于对应关系的伺服图案58在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。

既定间隔根据角度α、在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间的间距(以下，也称为“伺服带间距”)及帧长来规定。在图29所示的例子中，为了便于视觉掌握角度α，夸大示出了角度α，但实际上，角度α例如为15度左右。角度α为由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间不处于对应关系的帧56之间与假想直线C1所成的角度。在图29所示的例子中，作为角度α的一例，示出了由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧56中的一个帧56(在图29所示的例子中，为伺服带SB3的一个帧56)与相邻于一对帧56中的另一个帧56(在图29所示的例子中，为伺服带SB2内的多个帧56中的与伺服带SB3的一个帧56处于对应关系的帧56)的帧56之间(图29所示的例子中，线段L1)和假想直线C1所成的角度。在该情况下，帧长是指，磁带MT的长边方向LD上的帧56的总长度。既定间隔由以下数式(1)规定。另外，Mod(A/B)表示“A”除以“B”时产生的余数。

(既定间隔)＝Mod{(伺服带间距×tanα)/(帧长)}……(1)

另外，在图29所示的例子中，作为角度α，例示了由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧56中的一个帧56(以下，也称为“第1帧”)与相邻于一对帧56中的另一个帧56(以下，也称为“第2帧”)的帧56之间和假想直线C1所成的角度，但本发明的技术并不限定于此。例如，角度α可以是第1帧与在与第2帧相同的伺服带SB内从第2帧分开2帧以上的帧56(以下，也称为“第3帧”)之间和假想直线C1所成的角度。在该情况下，数式(1)中所使用的“帧长”为磁带MT的长边方向LD上的第2帧与第3帧之间的间距(例如，从第2帧的前端至第3帧的前端的距离)。

作为一例，如图30所示，若以假想直线C1的方向与假想直线C3的方向一致的状态(即，磁头28的长边方向与宽度方向WD一致的状态)通过伺服读取元件SR读取伺服图案58A(即，线状磁化区域对60A)，则在来源于线状磁化区域60A1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域60A2的伺服图案信号之间产生由方位角损失引起的偏差。并且，在以假想直线C1的方向与假想直线C3的方向一致的状态(即，磁头28的长边方向与宽度方向WD一致的状态)通过伺服读取元件SR读取伺服图案58B(即，线状磁化区域对60B)的情况下，也产生相同的现象。

因此，作为一例，如图31所示，倾斜机构49以使假想直线C3相对于假想直线C1向正向的上游侧以角度β(即，从图31的纸面表面侧观察时的向逆时针方向以角度β)倾斜的方式使磁头28以旋转轴RA为中心在磁带MT上偏斜。如此，在磁带MT上磁头28向正向的上游侧以角度β倾斜，因此与图30所示的例子相比，在来源于线状磁化区域60A1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域60A2的伺服图案信号之间由方位角损失引起的偏差变小。并且，在通过伺服读取元件SR读取了伺服图案58B(即，线状磁化区域对60B)的情况下，也同样地，在来源于线状磁化区域60B1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域60B2的伺服图案信号之间由方位角损失引起的偏差变小。

[第2变形例]

另外，在上述第1变形例中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧56划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图32所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧70划分。帧70由一组伺服图案72规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案72。与多个伺服图案58同样地，多个伺服图案72沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图32所示的例子中，作为一组伺服图案72的一例，示出了由伺服图案72A及72B构成的对。伺服图案72A及72B分别为以M字状磁化的伺服图案。伺服图案72A及72B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧70内，伺服图案72A位于正向的上游侧，伺服图案72B位于正向的下游侧。

作为一例，如图33所示，伺服图案72由线状磁化区域对74构成。线状磁化区域对74分类为线状磁化区域对74A与线状磁化区域对74B。

伺服图案72A由一组线状磁化区域对74A构成。一组线状磁化区域对74A以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

在图33所示的例子中，作为线状磁化区域对74A的一例，示出了由线状磁化区域74A1及74A2构成的对。线状磁化区域对74A以与在第1变形例中说明的线状磁化区域对60A相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对60A相同的几何特性。即，线状磁化区域74A1以与在上述第1变形例中说明的线状磁化区域60A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60A1相同的几何特性，线状磁化区域74A2以与在上述第1变形例中说明的线状磁化区域60A2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60A2相同的几何特性。

伺服图案72B由一组线状磁化区域对74B构成。一组线状磁化区域对74B以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

在图33所示的例子中，作为线状磁化区域对74B的一例，示出了由线状磁化区域74B1及74B2构成的对。线状磁化区域对74B以与在上述第1变形例中说明的线状磁化区域对60B相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对60B相同的几何特性。即，线状磁化区域74B1以与在上述第1变形例中说明的线状磁化区域60B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60B1相同的几何特性，线状磁化区域74B2以与在上述第1变形例中说明的线状磁化区域60B2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60B2相同的几何特性。

[第3变形例]

在图32所示的例子中，举出了伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧70划分的方式例，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图34所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧76划分。帧76由一组伺服图案78规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案78。与多个伺服图案72(参考图32)同样地，多个伺服图案78沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图34所示的例子中，作为一组伺服图案78的一例，示出了伺服图案78A及78B。伺服图案78A及78B分别为以N字状磁化的伺服图案。伺服图案78A及78B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧76内，伺服图案78A位于正向的上游侧，伺服图案78B位于正向的下游侧。

作为一例，如图35所示，伺服图案78由线状磁化区域组80构成。线状磁化区域组80分类为线状磁化区域组80A与线状磁化区域组80B。

伺服图案78A由线状磁化区域组80A构成。线状磁化区域组80A由线状磁化区域80A1、80A2及80A3构成。线状磁化区域80A1、80A2及80A3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域80A1、80A2及80A3从正向的上游侧以线状磁化区域80A1、80A2及80A3的顺序配置。

线状磁化区域80A1及80A2以与图33所示的线状磁化区域对74A相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对74A相同的几何特性。即，线状磁化区域80A1以与图33所示的线状磁化区域74A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74A1相同的几何特性，线状磁化区域80A2以与图33所示的线状磁化区域74A2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74A2相同的几何特性。并且，线状磁化区域80A3以与线状磁化区域80A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域80A1相同的几何特性。

伺服图案78B由线状磁化区域组80B构成。线状磁化区域组80B由线状磁化区域80B1、80B2及80B3构成。线状磁化区域80B1、80B2及80B3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域80B1、80B2及80B3从正向的上游侧以线状磁化区域80B1、80B2及80B3的顺序配置。

线状磁化区域80B1及80B2以与图33所示的线状磁化区域对74B相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对74B相同的几何特性。即，线状磁化区域80B1以与图33所示的线状磁化区域74B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74B1相同的几何特性，线状磁化区域80B2以与图33所示的线状磁化区域74B2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74B2相同的几何特性。并且，线状磁化区域80B3以与线状磁化区域80B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域80B1相同的几何特性。

[第4变形例]

在上述第1变形例中，举出既定间隔根据角度α、伺服带间距及帧长来规定的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此，也可以不使用帧长来规定既定间隔。例如，如图36所示，既定间隔根据由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的帧56之间(在图36所示的例子中，为线段L3)与假想直线C1所成的角度α及在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间的间距(即，伺服带间距)来规定。在该情况下，例如，既定间隔由以下数式(2)计算。

(既定间隔)＝(伺服带间距)×tanα……(2)

如此，数式(2)中不包含帧长。这表示即使不考虑帧长也计算出既定间隔。因此，根据本结构，与由数式(1)计算既定间隔的情况相比，能够简单地计算既定间隔。

[第5变形例]

另外，在上述第1变形例中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧56划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图37所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧82划分。

帧82由一组伺服图案84规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案84。与记录于磁带MT的多个伺服图案52(参考图6)同样地，多个伺服图案84沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图37所示的例子中，作为帧82中所包含的一组伺服图案84的一例，示出了伺服图案84A及84B。伺服图案84A及84B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧82内，伺服图案84A位于正向的上游侧，伺服图案84B位于正向的下游侧。

伺服图案84A由线状磁化区域对86A构成。在图37所示的例子中，作为线状磁化区域对86A的一例，示出了由线状磁化区域86A1及86A2构成的对。线状磁化区域86A1及86A2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域86A1及86A2相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。线状磁化区域86A1及86A2互不平行，且相对于假想直线C1以不同的角度倾斜。线状磁化区域86A1与线状磁化区域86A2相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域86A1相对于假想直线C1的角度小于线状磁化区域86A2相对于假想直线C1的角度。

并且，线状磁化区域86A1整体的位置与线状磁化区域86A2整体的位置在宽度方向WD上偏离。即，线状磁化区域86A1一端的位置与线状磁化区域86A2一端的位置在宽度方向WD上未对齐，线状磁化区域86A1另一端的位置与线状磁化区域86A2另一端的位置在宽度方向WD上未对齐。

在伺服图案84A中，在线状磁化区域86A1包含多个磁化直线86A1a，在线状磁化区域86A2包含多个磁化直线86A2a。线状磁化区域86A1中所包含的磁化直线86A1a的根数与线状磁化区域86A2中所包含的磁化直线86A2a的根数相同。

线状磁化区域86A1为得到磁化的5根直线即磁化直线86A1a的集合，线状磁化区域86A2为得到磁化的5根直线即磁化直线86A2a的集合。

在伺服带SB内，线状磁化区域86A1中所包含的所有磁化直线86A1a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86A1中所包含的所有磁化直线86A1a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。并且，在伺服带SB内，线状磁化区域86A2中所包含的所有磁化直线86A2a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86A2中所包含的所有磁化直线86A2a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。

伺服图案84B由线状磁化区域对86B构成。在图37所示的例子中，作为线状磁化区域对86B的一例，示出了由线状磁化区域86B1及86B2构成的对。线状磁化区域86B1及86B2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域86B1及86B2相对于假想直线C2向相反的方向倾斜。线状磁化区域86B1及86B2互不平行，且相对于假想直线C2以不同的角度倾斜。线状磁化区域86B1与线状磁化区域86B2相比，相对于假想直线C2的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域86B1相对于假想直线C2的角度小于线状磁化区域86B2相对于假想直线C2的角度。

并且，线状磁化区域86B1整体的位置与线状磁化区域86B2整体的位置在宽度方向WD上偏离。即，线状磁化区域86B1一端的位置与线状磁化区域86B2一端的位置在宽度方向WD上未对齐，线状磁化区域86B1另一端的位置与线状磁化区域86B2另一端的位置在宽度方向WD上未对齐。

在伺服图案84B中，在线状磁化区域86B1包含多个磁化直线86B1a，在线状磁化区域86B2包含多个磁化直线86B2a。线状磁化区域86B1中所包含的磁化直线86B1a的根数与线状磁化区域86B2中所包含的磁化直线86B2a的根数相同。

伺服图案84B中所包含的磁化直线86B1a及86B2a的总根数与伺服图案84A中所包含的磁化直线86A1a及86A2a的总根数不同。在图37所示的例子中，伺服图案84A中所包含的磁化直线86A1a及86A2a的总根数为10根，相对于此，伺服图案84B中所包含的磁化直线86B1a及86B2a的总根数为8根。

线状磁化区域86B1为得到磁化的4根直线即磁化直线86B1a的集合，线状磁化区域86B2为得到磁化的4根直线即磁化直线86B2a的集合。

在伺服带SB内，线状磁化区域86B1中所包含的所有磁化直线86B1a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86B1中所包含的所有磁化直线86B1a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。并且，在伺服带SB内，线状磁化区域86B2中所包含的所有磁化直线86B2a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86B2中所包含的所有磁化直线86B2a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。

另外，在此，作为线状磁化区域86A1的一例，举出了得到磁化的5根直线即磁化直线86A1a的集合，作为线状磁化区域86A2的一例，举出了得到磁化的5根直线即磁化直线86A2a的集合，作为线状磁化区域86B1的一例，举出了得到磁化的4根直线即磁化直线86B1a的集合，作为线状磁化区域86B2的一例，举出了得到磁化的4根直线即磁化直线86B2a的集合，但本发明的技术并不限定于此。例如，线状磁化区域86A1是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线86A1a即可，线状磁化区域86A2是有助于确定磁带M T上的磁头28的位置的根数的磁化直线86A2a即可，线状磁化区域86B1是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线86B1a即可，线状磁化区域86B2是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线86B2a即可。

在此，参考图38对线状磁化区域对86A的磁带MT上的几何特性进行说明。

作为一例，如图38所示，线状磁化区域对86A的磁带MT上的几何特性能够使用假想线状区域对62来表现。在此，通过以中心O1为旋转轴使假想线状区域62A及62B的对称轴SA1相对于假想直线C1以角度a(例如，10度)倾斜，使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜。然后，使该状态下的假想线状区域对62的假想线状区域62A中所包含的所有直线62A1的一端的宽度方向WD的位置对齐，且使假想线状区域62A中所包含的所有直线62A1的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。并且，同样地，使假想线状区域对62的假想线状区域62B中所包含的所有直线62B1的一端的宽度方向WD的位置对齐，且使假想线状区域62B中所包含的所有直线62B1的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。由此，假想线状区域62A及假想线状区域62B在宽度方向WD上偏离。

即，假想线状区域62A的一端与假想线状区域62B的一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int1偏离，假想线状区域62A的另一端与假想线状区域62B的另一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int2偏离。

如此获得的假想线状区域对62的几何特性(即，假想伺服图案的几何特性)相当于实际伺服图案84A的几何特性。即，线状磁化区域对86A的磁带MT上的几何特性相当于如下几何特性：当通过使相对于假想直线C1以线对称倾斜的假想线状区域62A及假想线状区域62B的对称轴SA1相对于假想直线C1倾斜而使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜时，基于假想线状区域对62的几何特性。

假想线状区域62A与伺服图案84A的线状磁化区域86A1对应，假想线状区域62B与伺服图案84A的线状磁化区域86A2对应。因此，对伺服带SB记录伺服图案84A，该伺服图案84A由线状磁化区域86A1的一端与线状磁化区域86A2的一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int1偏离且线状磁化区域86A1的另一端与线状磁化区域86A2的另一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int2偏离的线状磁化区域对86A构成(参考图37)。

另外，线状磁化区域对86B与线状磁化区域对86A相比，不同点仅在于，代替5根磁化直线86A1a而具有4根磁化直线86B1a及代替5根磁化直线86A2a而具有4根磁化直线86B2a(参考图37)。因此，对伺服带SB记录伺服图案84B，该伺服图案84B由线状磁化区域86B1的一端与线状磁化区域86B2的一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int1偏离且线状磁化区域86B1的另一端与线状磁化区域86B2的另一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int2偏离的线状磁化区域对86B构成(参考图37)。

作为一例，如图39所示，在磁带MT中沿着宽度方向WD形成有多个伺服带SB，在伺服带SB之间处于对应关系的帧82在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。这表示在伺服带SB之间处于对应关系的伺服图案84在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间沿磁带MT的长边方向LD以在上述第1变形例中说明的既定间隔偏离。既定间隔由在上述第1变形例中说明的数式(1)规定。

与上述第1变形例同样地，在本第5变形例中，作为一例，如图40所示，倾斜机构49以使假想直线C3相对于假想直线C1向正向的上游侧以角度β(即，从图40的纸面表面侧观察时的向逆时针方向以角度β)倾斜的方式使磁头28以旋转轴RA为中心在磁带MT上偏斜。即，在磁带MT上磁头28向正向的上游侧以角度β倾斜。在该状态下，当通过伺服读取元件SR在宽度方向WD上重叠的范围R内沿着长边方向LD对线状磁化区域86A1及86A2读取了伺服图案84A时，与图30所示的例子相比，在来源于线状磁化区域86A1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域86A2的伺服图案信号之间由方位角损失引起的偏差变小。并且，在通过伺服读取元件SR读取了伺服图案84B(即，线状磁化区域对86B)的情况下，也同样地，在来源于线状磁化区域86B1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域86B2的伺服图案信号之间由方位角损失引起的偏差变小。

[第6变形例]

另外，在上述第5变形例中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧82划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图41所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧88划分。帧88由一组伺服图案90规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案90。与多个伺服图案84(参考图37)同样地，多个伺服图案90沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图41所示的例子中，作为一组伺服图案90的一例，示出了由伺服图案90A及90B构成的对。伺服图案90A及90B分别为以M字状磁化的伺服图案。伺服图案90A及90B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧88内，伺服图案90A位于正向的上游侧，伺服图案90B位于正向的下游侧。

作为一例，如图42所示，伺服图案90由线状磁化区域对92构成。线状磁化区域对92分类为线状磁化区域对92A与线状磁化区域对92B。

伺服图案90A由一组线状磁化区域对92A构成。一组线状磁化区域对92A以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

在图42所示的例子中，作为线状磁化区域对92A的一例，示出了由线状磁化区域92A1及92A2构成的对。线状磁化区域对92A以与在上述第5变形例中说明的线状磁化区域对86A(参考图37)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对86A相同的几何特性。即，线状磁化区域92A1以与在上述第5变形例中说明的线状磁化区域86A1(参考图37)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86A1相同的几何特性，线状磁化区域92A2以与在上述第5变形例中说明的线状磁化区域86A2(参考图37)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86A2相同的几何特性。

伺服图案90B由一组线状磁化区域对92B构成。一组线状磁化区域对92B以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

在图42所示的例子中，作为线状磁化区域对92B的一例，示出了由线状磁化区域92B1及92B2构成的对。线状磁化区域对92B以与在上述第5变形例中说明的线状磁化区域对86B(参考图37)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对86B相同的几何特性。即，线状磁化区域92B1以与在上述第5变形例中说明的线状磁化区域86B1(参考图37)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86B1相同的几何特性，线状磁化区域92B2以与在上述第5变形例中说明的线状磁化区域86B2(参考图37)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86B2相同的几何特性。

[第7变形例]

在图41所示的例子中，举出了伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧88划分的方式例，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图43所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧94划分。帧94由一组伺服图案96规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案96。与多个伺服图案90(参考图41)同样地，多个伺服图案96沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图43所示的例子中，作为一组伺服图案96的一例，示出了伺服图案96A及96B。伺服图案96A及96B分别为以N字状磁化的伺服图案。伺服图案96A及96B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧94内，伺服图案96A位于正向的上游侧，伺服图案96B位于正向的下游侧。

作为一例，如图44所示，伺服图案96由线状磁化区域组98构成。线状磁化区域组98分类为线状磁化区域组98A与线状磁化区域组98B。

伺服图案96A由线状磁化区域组98A构成。线状磁化区域组98A由线状磁化区域98A1、98A2及98A3构成。线状磁化区域98A1、98A2及98A3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域98A1、98A2及98A3从正向的上游侧以线状磁化区域98A1、98A2及98A3的顺序配置。

线状磁化区域98A1及98A2以与图42所示的线状磁化区域对92A相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对92A相同的几何特性。即，线状磁化区域98A1以与图42所示的线状磁化区域92A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92A1相同的几何特性，线状磁化区域98A2以与图42所示的线状磁化区域92A2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92A2相同的几何特性。并且，线状磁化区域98A3以与线状磁化区域92A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92A1相同的几何特性。

伺服图案96B由线状磁化区域组98B构成。线状磁化区域组98B由线状磁化区域98B1、98B2及98B3构成。线状磁化区域98B1、98B2及98B3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域98B1、98B2及98B3从正向的上游侧以线状磁化区域98B1、98B2及98B3的顺序配置。

线状磁化区域98B1及98B2以与图42所示的线状磁化区域对92B相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对92B相同的几何特性。即，线状磁化区域98B1以与图42所示的线状磁化区域92B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92B1相同的几何特性，线状磁化区域98B2以与图42所示的线状磁化区域92B2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92B2相同的几何特性。并且，线状磁化区域98B3以与线状磁化区域92B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92B1相同的几何特性。

[第8变形例]

在上述第1变形例(例如，图27所示的例子)中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧56划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图45所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向L D由帧560划分。帧560由一组伺服图案580规定。在伺服带SB中沿着磁带M T的长边方向LD记录有多个伺服图案580。与多个伺服图案58同样地，多个伺服图案580沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

伺服图案580由线状磁化区域对600构成。线状磁化区域对600分类为线状磁化区域对600A与线状磁化区域对600B。即，线状磁化区域对600与线状磁化区域对60(参考图27)相比，不同点在于，代替线状磁化区域对60A而具有线状磁化区域对600A的点及代替线状磁化区域对60B而具有线状磁化区域对600B的点。

伺服图案580A由线状磁化区域对600A构成。另外，线状磁化区域对600A与线状磁化区域对60A相比，不同点在于，代替线状磁化区域60A1而具有线状磁化区域600A1的点及代替线状磁化区域60A2而具有线状磁化区域600A2的点。线状磁化区域600A1及600A2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域600A1及600A2相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。线状磁化区域600A1及600A2互不平行，且相对于假想直线C1以不同的角度倾斜。线状磁化区域600A2与线状磁化区域600A1相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域600A2相对于假想直线C1的角度小于线状磁化区域600A1相对于假想直线C1的角度。并且，线状磁化区域600A2的总长度短于线状磁化区域600A1的总长度。

线状磁化区域600A1与线状磁化区域60A1相比，不同点在于，代替多个磁化直线60A1a而具有多个磁化直线600A1a。线状磁化区域600A2与线状磁化区域60A2相比，不同点在于，代替多个磁化直线60A2a而具有多个磁化直线600A2a。

在线状磁化区域600A1包含多个磁化直线600A1a，在线状磁化区域600A2包含多个磁化直线600A2a。线状磁化区域600A1中所包含的磁化直线600A1a的根数与线状磁化区域600A2中所包含的磁化直线600A2a的根数相同。

线状磁化区域600A1为相当于第1线对称区域的线状磁化区域。第1线对称区域是指，形成为在上述第1变形例中说明的线状磁化区域60A2(参考图27)相对于假想直线C1线对称的区域。即，线状磁化区域600A1也可以说是由线状磁化区域60A2(参考图27)的镜像的几何特性(即，通过以假想直线C1为线对称轴进行相对于线状磁化区域60A2(参考图27)的镜像而获得的几何特性)形成的线状磁化区域。

线状磁化区域600A2为相当于第2线对称区域的线状磁化区域。第2线对称区域是指，形成为在上述第1实施方式中说明的线状磁化区域60A1(参考图27)相对于假想直线C1线对称的区域。即，线状磁化区域600A2也可以说是由线状磁化区域60A1(参考图27)的镜像的几何特性(即，通过以假想直线C1为线对称轴进行相对于线状磁化区域60A1(参考图27)的镜像而获得的几何特性)形成的线状磁化区域。

即，在图28所示的例子中，当通过使假想线状区域62A及62B的对称轴S A1相对于假想直线C1以中心O1为旋转轴向从图28的纸面表面侧观察时的顺时针方向以角度a倾斜而使假想线状区域对62整体相对于假想直线C1倾斜时，通过假想线状区域62A的两端的位置与假想线状区域62B的两端的位置对齐而获得的假想线状区域对62的几何特性相当于伺服图案580A的几何特性。

伺服图案580B由线状磁化区域对600B构成。线状磁化区域对600B与线状磁化区域对60B相比，不同点在于，代替线状磁化区域60B1而具有线状磁化区域600B1的点及代替线状磁化区域60B2而具有线状磁化区域600B2的点。线状磁化区域600B1及600B2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域600B1及600B2相对于假想直线C2向相反的方向倾斜。线状磁化区域600B1及600B2互不平行，且相对于假想直线C2以不同的角度倾斜。线状磁化区域600B2与线状磁化区域600B1相比，相对于假想直线C2的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域600B2相对于假想直线C2的角度小于线状磁化区域600B1相对于假想直线C2的角度。

在线状磁化区域600B1包含多个磁化直线600B1a，在线状磁化区域600B2包含多个磁化直线600B2a。线状磁化区域600B1中所包含的磁化直线600B1a的根数与线状磁化区域600B2中所包含的磁化直线600B2a的根数相同。

伺服图案580B中所包含的磁化直线600B1a及600B2a的总根数与伺服图案580A中所包含的磁化直线600A1a及600A2a的总根数不同。在图45所示的例子中，伺服图案580A中所包含的磁化直线600A1a及600A2a的总根数为10根，相对于此，伺服图案580B中所包含的磁化直线600B1a及600B2a的总根数为8根。

线状磁化区域600B1为得到磁化的4根直线即磁化直线600B1a的集合，线状磁化区域600B2为得到磁化的4根直线即磁化直线600B2a的集合。在伺服带SB内，在宽度方向WD上，线状磁化区域600B1的两端的位置(即，4根磁化直线600B1a各自的两端的位置)与线状磁化区域600B2的两端的位置(即，4根磁化直线600B2a各自的两端的位置)对齐。

如此，伺服图案580A的几何特性相当于线状磁化区域60A2(参考图27)的镜像的几何特性及线状磁化区域60A2(参考图27)的镜像的几何特性(即，图27所示的伺服图案58A的镜像的几何特性)，伺服图案580B的几何特性相当于线状磁化区域60B2(参考图27)的镜像的几何特性及线状磁化区域60B2(参考图27)的镜像的几何特性(即，图27所示的伺服图案58B的镜像的几何特性)。但是，这只不过是一例，代替伺服图案580，可以适用由图32所示的伺服图案72的镜像的几何特性、图34所示的伺服图案78的镜像的几何特性、图37所示的伺服图案84的镜像的几何特性、图41所示的伺服图案90的镜像的几何特性或图43所示的伺服图案96的镜像的几何特性形成的伺服图案。

另外，如此，即使在改变了伺服图案的几何特性的情况下，倾斜机构49根据伺服图案的几何特性变更假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜(即，方位角)的方向及倾斜的角度(例如，图31所示的角度β)。即，即使在改变了伺服图案的几何特性的情况下，也与上述第1变形例同样地，倾斜机构49在控制装置30A的控制下，通过使磁头28在磁带MT的表面31上以旋转轴RA为中心旋转，以减小伺服图案信号的偏差的方式变更假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜(即，方位角)的方向及倾斜的角度(例如，图31所示的角度β)。

[其他变形例]

在上述实施方式中，举出磁头28对磁带MT的表面31进行磁处理的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，可以是如下：磁带MT的背面33由磁性层的面形成，磁头28对背面33进行磁处理。在该情况下，背面33为本发明的技术所涉及的“记录面”的一例。

在上述实施方式中，例示了磁带盒12相对于磁带驱动器14插拔自如的磁带系统10，但本发明的技术并不限定于此。例如，即便是对磁带驱动器14事先装填有至少一个磁带盒12的磁带系统(即，至少一个磁带盒12或磁带MT与磁带驱动器14事先(例如，对数据带DB记录数据之前)一体化的磁带系统)，本发明的技术仍成立。

在上述实施方式中，例示了单一磁头28，但本发明的技术并不限定于此。例如，多个磁头28可以配置于磁带MT上。例如，可以使读取用磁头28及至少一个写入用磁头28配置于磁带MT上。读取用磁头28可以用于通过写入用磁头28记录于数据带DB的数据的验证。并且，搭载有读取用磁性元件单元42及至少一个写入用磁性元件单元42的一个磁头可以配置于磁带MT上。

在上述实施方式中，举出处理装置30(参考图3)通过ASIC来实现的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此，处理装置30可以通过软件结构来实现。并且，可以仅将处理装置30中所包含的控制装置30A及位置检测装置30B通过软件结构来实现。当通过软件结构来实现控制装置30A及位置检测装置30B时，例如，如图46所示，处理装置30具备计算机200。计算机200具有处理器200A(例如，单个CPU或多个CPU等)、NVM200B及RAM200C。处理器200A、NVM200B及RAM200C与总线200D连接。在计算机可读取的非暂时性存储介质即便携式存储介质202(例如，SSD或USB存储器等)中存储有程序PG。

存储于存储介质202的程序PG安装于计算机200。处理器200A按照程序PG执行数据记录预处理(参考图22)及数据记录读取处理(参考图23A、图23B及图24)。

并且，可以在经由通信网(省略图示)与计算机200连接的其他计算机或服务器装置等的存储装置中存储程序PG，根据来自处理装置30的请求下载程序PG，并安装于计算机200。另外，程序PG为本发明的技术所涉及的“程序”的一例，计算机200为本发明的技术所涉及的“计算机”的一例。

在图46所示的例子中，例示了计算机200，但本发明的技术并不限定于此，代替计算机200，可以适用包含ASIC、FPGA和/或PLC的器件。并且，代替计算机200，也可以使用硬件结构及软件结构的组合。

作为执行处理装置30(参考图3)的处理的硬件资源，能够使用如下各种处理器。作为处理器，例如可举出作为通过执行软件即程序而执行处理的硬件资源发挥作用的通用处理器即CPU。并且，作为处理器，例如可举出FPGA、PL C或所例示的ASIC等具有为了执行特定处理而专门设计的电路结构的处理器即专用电子电路。在任何处理器中内置或连接有存储器，并且通过在任何处理器中也使用存储器来执行处理。

执行处理装置30和/或伺服写入器控制器SW5的处理的硬件资源可以由这些各种处理器中的一个构成，也可以由相同种类或不同种类的两个以上的处理器的组合(例如，多个FPGA的组合或CPU与FPGA的组合)构成。并且，执行处理装置30和/或伺服写入器控制器SW5的处理的硬件资源可以是一个处理器。

作为由一个处理器构成的例子，第1，有由一个以上的CPU与软件的组合来构成一个处理器，并且该处理器作为执行处理的硬件资源而发挥作用的方式。第2，有以SoC等为代表，使用通过一个IC芯片来实现包含执行处理的多个硬件资源的整个系统的功能的处理器的方式。如此，处理装置30和/或伺服写入器控制器SW5的处理作为硬件资源使用上述各种处理器的一个以上来实现。

而且，更具体而言，作为这些各种处理器的硬件结构，能够使用组合了半导体元件等电路元件的电子电路。并且，上述处理装置30和/或伺服写入器控制器SW5的处理只不过是一例。因此，在不脱离主旨的范围内，可以删除不需要的步骤，或追加新的步骤，或调换处理顺序是不言而喻的。

以上示出的记载内容及图示内容为对本发明的技术所涉及的部分的详细说明，只不过是本发明的技术的一例。例如，与上述的结构、功能、作用及效果相关的说明为与本发明的技术所涉及的部分的结构、功能、作用及效果的一例相关的说明。因此，在不脱离本发明的技术的主旨的范围内，可以对以上示出的记载内容及图示内容删除不需要的部分，或追加新的要件，或进行置换是不言而喻的。并且，为了避免错综复杂，并且便于理解本发明的技术所涉及的部分，在以上示出的记载内容及图示内容中，在能够实施本发明的技术的基础上，省略了与无需特别说明的技术常识等相关的说明。

在本说明书中，“A和/或B”与“A及B中的至少一个”含义相同。即，“A和/或B”表示可以仅是A，也可以仅是B，还可以是A及B的组合。并且，在本说明书中，当三个以上的事体用“和/或”来连结而表现时，也适用与“A和/或B”相同的思考方式。

本说明书中所记载的所有的文献、专利申请及技术标准，通过参考而编入于此的每个文献、专利申请及技术标准与具体且个别记载时相同程度地通过参考编入于本说明书中。

关于以上实施方式，进一步公开以下附记。

(附记1)

一种信息存储方法，其包括在存储与具有记录面的磁带相关的信息的存储介质中存储通过磁头对上述记录面记录数据之前获得的角度调整信息的步骤，

上述磁带具有记录面，

以使上述磁带行进的状态通过磁头对上述记录面记录数据，

上述磁头以沿着上述记录面相对于上述磁带的宽度方向倾斜的姿势配置，

上述角度调整信息为用于调整使上述磁头沿着上述记录面相对于上述宽度方向倾斜的角度的信息。

(附记2)

一种信息存储方法，其包括在具有记录面的磁带中存储通过磁头对上述记录面记录数据之前获得的角度调整信息的步骤，

上述磁带具有记录面，

以使上述磁带行进的状态通过磁头对上述记录面记录数据，

上述磁头以沿着上述记录面相对于上述磁带的宽度方向倾斜的姿势配置，

上述角度调整信息为用于调整使上述磁头沿着上述记录面相对于上述宽度方向倾斜的角度的信息。

符号说明

10-磁带系统，12-磁带盒，13-管理信息，13A-规格信息，14-磁带驱动器，16-壳体，16A-右壁，16B-开口，18-上壳体，20-下壳体，22，SW1-送出卷轴，22A-卷轴毂，22B1-上凸缘，22B2-下凸缘，24-盒式存储器，24B、33-背面，25-控制器，26-输送装置，28-磁头，29A-磁性层，29B-基膜，29C-背涂层，30-处理装置，30A-控制装置，30A0-第1移动机构控制部，30A1-基准偏斜角度导出部，30A2-第1倾斜机构控制部，30A3-第1行进控制部，30A4-间距计算部，30A5-第1环境信息获取部，30A6-角度调整信息获取部，30A7-第2倾斜机构控制部，30A8-第2环境信息获取部，30A9-角度调整量计算部，30A10-第2行进控制部，30A11-第2移动机构控制部，30A12-读写元件控制部，30B-位置检测装置，30B1-第1位置检测装置，30B2-第2位置检测装置，31-表面，31A-BOT区间，31B-EOT区间，32-存储器，34-UI系统装置，35-通信接口，36-送出马达，37-外部装置，38、SW2-卷取卷轴，39A-第1检测电路，39B-第2检测电路，40、M-卷取马达，42-磁性元件单元，44-托架，46-非接触式读写装置，48-移动机构，48A-移动致动器，49-倾斜机构，49A-倾斜致动器，50、56、70、76、82、88、94、560-帧，52、52A、52B、58、58A、58B、72、72A、72B、78、78A、78B、84、84A、84B、90、90A、90B、580、580A、580B-伺服图案，54、54A、54B、60、60A、60B、74、74A、74B、86、86A、86B、92、92A、92B、540A、542、600、600A、600B-线状磁化区域对，54A1、54A2、54B1、54B2、60A1、60A2、60B1、60B2、74A1、74A2、74B1、74B2、80A1、80A2、80A3、86A1、86A2、86B1、86B2、92A1、92A2、92B1、92B2、540A1、540A2、600A1、600A2、600B1、600B2-线状磁化区域，54A1a、54A2a、54B1a、54B2a、60A1a、60A2a、60B1a、60B2a、86A1a、86A2a、86B1a、86B2a、540A1a、540A2a、542A、542B、600A1a、600A2a、600B1a、600B2a-磁化直线，62-假想线状区域对，62A、62B-假想线状区域，62A1、62B1-直线，66-理想波形信号，66A-第1理想波形信号，66B-第2理想波形信号，68-假想直线区域对，68A、68B-假想直线区域，80、80A、80B-线状磁化区域组，100-表，102-基准偏斜角度信息，104-角度设定完成信号，106、112、124-环境信息，106A、112A、124A-温度信息，106B、112B、124B-湿度信息，108-角度调整信息，110-物理特征信息，110A-磁带厚度信息，110B-磁性层厚度信息，110C-表面摩擦系数信息，110D-背面摩擦系数信息，110E-温度膨胀系数信息，110F-湿度膨胀系数信息，110G-泊松比信息，110H-基材信息，114-温度差，116-湿度差，118-角度调整量，120-运算式，122-数式，200-计算机，200A-处理器，200B-NVM，200C-RAM，200D-总线，202-存储介质，A、B、C-箭头，a、α、β-角度，C1、C2、C3、C4-假想直线，DB、DB1、DB2-数据带，DRW、DRW1、DRW2、DRW3、DRW4、DRW5、DRW6、DRW7、DRW8-数据读写元件，DT、DT1、D T2、DT3、DT4、DT5、DT6、DT7、DT8-数据磁道，DT1_1～DT1_12、DT2_1～DT2_12、DT3_1～DT3_12、DT4_1～DT4_12、DT5_1～DT5_12、DT6_1～DT6_12、DT7_1～DT7_12、DT8_1～DT8_12-分割数据磁道，DTG、DTG1、DTG2、DTG3、DTG4、DTG5、DTG6、DTG7、DTG8-分割数据磁道组，ES-环境传感器，GR-导辊，In t1、Int2-间隔，L0、L1、L2-线段，LD-长边方向，MF-磁场，MT-磁带，O1、O2-中心，PG-程序，RA-旋转轴，S1-第1伺服带信号，S1a-第1线状磁化区域信号，S1A、S1B-伺服图案信号，S1b-第2线状磁化区域信号，S2-第2伺服带信号，SA1、SA2-对称轴，SB、SB1、SB2、SB3-伺服带，SBP-伺服带间距，S R、SR1、SR2-伺服读取元件，WD-宽度方向。

Claims (19)

1.一种磁带盒，其具备：

磁带；及

存储介质，存储有与所述磁带相关的信息，

所述磁带具有记录面，

以使所述磁带行进的状态通过磁头对所述记录面记录数据，

所述磁头以沿着所述记录面相对于所述磁带的宽度方向倾斜的姿势配置，

在所述存储介质中存储有对所述记录面记录所述数据之前获得的角度调整信息，

所述角度调整信息为用于调整使所述磁头沿着所述记录面相对于所述宽度方向倾斜的角度的信息。

2.根据权利要求1所述的磁带盒，其中，

所述角度调整信息包含与所述磁带的宽度对应的宽度对应信息，

所述宽度对应信息为对所述记录面记录所述数据之前以使所述磁带行进的状态获取的信息。

3.根据权利要求2所述的磁带盒，其中，

所述宽度对应信息在所述磁带的全长方向上在所述磁带的多个部位中获取。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的磁带盒，其中，

所述角度调整信息包含确定环境的第1环境信息。

5.根据权利要求4所述的磁带盒，其中，

所述第1环境信息为包含表示温度的温度信息及表示湿度的湿度信息中的至少一者的信息。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的磁带盒，其中，

所述角度调整信息包含表示所述磁头沿着所述记录面相对于所述宽度方向倾斜的角度的角度信息。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的磁带盒，其中，

所述角度调整信息包含表示磁带的物理特征的物理特征信息。

8.根据权利要求7所述的磁带盒，其中，

所述物理特征包含所述磁带的厚度、所述磁带的磁性层的厚度、所述磁带表面的摩擦系数、所述磁带背面的摩擦系数、所述磁带的温度膨胀系数、所述磁带的湿度膨胀系数、所述磁带的泊松比及所述磁带的基材中的至少一个。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的磁带盒，其中，

所述存储介质为包含能够以非接触方式与非接触式读写装置进行通信的存储器的介质。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的磁带盒，其中，

所述存储介质为包含磁带的一部分的介质。

11.一种磁带驱动器，其具备：

处理器，对权利要求1至10中任一项所述的磁带盒执行处理；及

角度调整机构，通过对所述磁头赋予动力来调整所述角度，

所述处理器执行如下处理：

从所述存储介质获取所述角度调整信息；

根据所述角度调整信息，使所述角度调整机构调整所述角度。

12.根据权利要求11所述的磁带驱动器，其中，

所述磁带具有伺服带，

所述磁头具有伺服读取元件，

当对所述记录面记录所述数据时，所述处理器根据所述角度调整信息使所述角度调整机构调整所述角度，由此使所述伺服带的位置与所述伺服读取元件的位置一致。

13.根据权利要求11或12所述的磁带驱动器，其中，

所述磁头对所述记录面进行磁处理，

所述角度调整信息包含确定环境的第2环境信息，

所述处理器执行如下处理：

以进行所述磁处理的定时来获取确定所述环境的第3环境信息；

根据所述第2环境信息与所述第3环境信息的差异度，使所述角度调整机构调整所述角度。

14.根据权利要求11或12所述的磁带驱动器，其中，

所述处理器执行如下处理：

以对所述记录面记录所述数据的第1定时来获取确定环境的第4环境信息；

以对所述记录面记录所述数据的第2定时来获取确定所述环境的第5环境信息，所述第2定时与所述第1定时不同；

根据所述第4环境信息与所述第5环境信息的差异度，使所述角度调整机构调整所述角度。

15.根据权利要求14所述的磁带驱动器，其中，

所述第2定时为通过对以所述第1定时记录于所述记录面的所述数据进行覆盖来更新所述数据的定时和/或对以所述第1定时记录了所述数据的所述记录面补记新的所述数据的定时。

16.一种存储器，其存储有控制对磁带进行磁处理的磁头的动作的控制信息，其中，

所述磁带具有记录面，

以使所述磁带行进的状态通过所述磁头对所述记录面记录数据，

所述磁头以沿着所述记录面相对于所述磁带的宽度方向倾斜的姿势配置，

所述控制信息包含对所述记录面记录所述数据之前获得的角度调整信息，

所述角度调整信息为用于调整使所述磁头沿着所述记录面相对于所述宽度方向倾斜的角度的信息。

17.一种磁带，其具备通过磁头进行磁处理的记录面，其中，

以使所述磁带行进的状态通过所述磁头对所述记录面记录数据，

所述磁头以沿着所述记录面相对于所述磁带的宽度方向倾斜的姿势配置，

在所述记录面记录有对所述记录面记录所述数据之前获得的角度调整信息，

所述角度调整信息为用于调整使所述磁头沿着所述记录面相对于所述宽度方向倾斜的角度的信息。

18.一种磁带系统，其具备：

权利要求17所述的磁带；及

磁带驱动器，具有对所述磁带执行处理的处理器及通过对所述磁头赋予动力来调整所述角度的角度调整机构，

所述处理器执行如下处理：

从所述记录面获取所述角度调整信息；

根据所述角度调整信息，使所述角度调整机构调整所述角度。

19.一种磁带驱动器的动作方法，其包括如下步骤：

从权利要求1至10中任一项所述的磁带盒中所包含的所述存储介质获取所述角度调整信息；及

根据所述角度调整信息，使角度调整机构调整所述角度。

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