CN116895290A - 磁头、磁带、磁带盒、磁带驱动器及磁带读取方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种即便通道数不同也能够实现对伺服带的宽度共同的磁带的数据带的磁处理的磁头、磁带、磁带盒、磁带驱动器及磁带读取方法。磁头具备第1伺服读取元件对、第2伺服读取元件对及多个磁性元件。第1伺服读取元件对由第1伺服读取元件及第2伺服读取元件构成，第2伺服读取元件对由第3伺服读取元件及第4伺服读取元件构成，第1伺服读取元件及第3伺服读取元件配置于多个磁性元件的一端侧，并且读取一对伺服带中的一个伺服带，第2伺服读取元件及第4伺服读取元件配置于多个磁性元件的另一端侧，并且读取一对伺服带的中的另一个伺服带。

Description

磁头、磁带、磁带盒、磁带驱动器及磁带读取方法

技术领域

本发明的技术涉及一种磁头、磁带、磁带盒、磁带驱动器及磁带读取方法。

背景技术

专利文献1中公开有接收磁带尺寸变化的用于转换磁记录磁带上的数据的磁头。专利文献1中所记载的磁头包含需转换而具有与不同的磁道间隔距离对应的不同的转换器间隔距离的两个以上的转换器元件的排列。

专利文献1中公开有用于吸收磁带尺寸变化的同时在磁记录磁带上写入数据的方法。专利文献1中所记载的方法包括如下步骤：使磁带滑过磁头的端至端，所述磁头包含需转换而具有与不同的磁道间隔距离对应的不同的转换器间隔距离的两个以上的转换器元件的排列；确定磁带的尺寸条件；及为了按照转换器间隔距离中的哪一个与磁带尺寸条件最紧密一致而进行转换，选择转换器排列中的一个。

专利文献1中公开有在磁带驱动器中，用于转换接收磁带尺寸变化的磁记录磁带上的数据的磁头。专利文献1中所记载的磁头包含多个磁头模块。各磁头模块包含具有根据与公称磁带磁道间隔距离对应的第1转换器间隔距离而彼此隔着间隔的转换器元件的转换器元件的第1排列、根据与由磁带收缩引起而缩小的磁带磁道间隔距离对应的第2转换器间隔距离而彼此隔着间隔配置的转换器元件的第2排列及根据与由磁带扩张引起而扩大的磁带磁道间隔距离对应的第3转换器间隔距离而彼此隔着间隔配置的转换器元件的第3排列，排列在交叉磁道方向上彼此隔着间隔配置。

专利文献1：日本特开2008-146818号公报

发明内容

本发明的技术所涉及的一个实施方式提供一种即便通道数不同也能够实现对伺服带的宽度共同的磁带的数据带的磁处理的磁头、磁带、磁带盒、磁带驱动器及磁带读取方法。

本发明的技术所涉及的第1方式为磁头，其具备：第1伺服读取元件对，从形成有具有多个磁道的数据带及隔着数据带相邻的一对伺服带的磁带读取一对伺服带；第2伺服读取元件对，以与第1伺服读取元件对不同的定时读取一对伺服带；及多个磁性元件，以直线状配置，并且对多个磁道中的与第1伺服读取元件对或第2伺服读取元件对的读取结果相对应的磁道进行磁处理，第1伺服读取元件对由第1伺服读取元件及第2伺服读取元件构成，第2伺服读取元件对由第3伺服读取元件及第4伺服读取元件构成，第1伺服读取元件及第3伺服读取元件配置于多个磁性元件的一端侧，并且读取一对伺服带中的一个伺服带，第2伺服读取元件及第4伺服读取元件配置于多个磁性元件的另一端侧，并且读取一对伺服带中的另一个伺服带。

本发明的技术所涉及的第2方式为1方式所涉及的磁头，其中，数据带沿着磁带的宽度方向分为前进用区域及反转用区域这两个部分，当多个磁性元件对前进用区域进行磁处理时，第1伺服读取元件对读取一对伺服带，当多个磁性元件对反转用区域进行磁处理时，第2伺服读取元件对读取一对伺服带。

本发明的技术所涉及的第3方式为第2方式所涉及的磁头，其中，当多个磁性元件对前进用区域进行磁处理时，第1伺服读取元件读取在磁带的宽度方向上超过一个伺服带的一半的区域，且第2伺服读取元件读取在磁带的宽度方向上超过另一个伺服带的一半的区域。

本发明的技术所涉及的第4方式为第2方式或第3方式所涉及的磁头，其中，当多个磁性元件对反转用区域进行磁处理时，第3伺服读取元件读取在磁带的宽度方向上超过一个伺服带的一半的区域，且第4伺服读取元件读取在磁带的宽度方向上超过另一个伺服带的一半的区域。

本发明的技术所涉及的第5方式为第1方式至第4方式中任一个方式所涉及的磁头，其中，伺服带沿着磁带的宽度方向分为第1区域及第2区域这两个部分，数据带沿着磁带的宽度方向分为前进用区域及反转用区域这两个部分，当多个磁性元件对前进用区域进行磁处理时，第1伺服读取元件对读取第1区域，当多个磁性元件对反转用区域进行磁处理时，第1伺服读取元件对读取第2区域。

本发明的技术所涉及的第6方式为第1方式至第5方式中任一个方式所涉及的磁头，其中，当多个磁性元件为与第1通道数对应的个数时，第1伺服读取元件对及第2伺服读取元件对中的第1伺服读取元件对读取一对伺服带，当多个磁性元件为与第1通道数的一半的通道数即第2通道数对应的个数时，第1伺服读取元件对及第2伺服读取元件对以不同的定时读取一对伺服带。

本发明的技术所涉及的第7方式为第6方式所涉及的磁头，其中，伺服带沿着磁带的宽度方向分为第1区域及第2区域这两个部分，数据带沿着磁带的宽度方向分为前进用区域及反转用区域这两个部分，当多个磁性元件为与第1通道数对应的个数，且多个磁性元件对前进用区域进行磁处理时，第1伺服读取元件对读取第1区域，当多个磁性元件为与第1通道数对应的个数，且多个磁性元件对反转用区域进行磁处理时，第1伺服读取元件对读取第2区域。

本发明的技术所涉及的第8方式为第6方式或第7方式所涉及的磁头，其中，数据带沿着磁带的宽度方向分为前进用区域及反转用区域这两个部分，当多个磁性元件为与第2通道数对应的个数，且多个磁性元件对前进用区域进行磁处理时，第1伺服读取元件对读取一对伺服带，当多个磁性元件为与第2通道数对应的个数，且多个磁性元件对反转用区域进行磁处理时，第2伺服读取元件对读取一对伺服带。

本发明的技术所涉及的第9方式为第1方式至第5方式中任一个方式所涉及的磁头，其中，当多个磁性元件为与第1通道数对应的个数，且多个磁道为与第1通道数对应的条数时，多个磁性元件均被激活，当多个磁道为与第1通道数的一半的通道数即第2通道数对应的条数时，仅多个磁性元件中的与第2通道数对应的个数的磁性元件被激活。

本发明的技术所涉及的第10方式为第6方式至第9方式中任一个方式所涉及的磁头。本发明的技术所涉及的第10方式的磁头中，第1通道数为64通道，第2通道数为32通道。

本发明的技术所涉及的第11方式为磁带，其形成有通过第1方式至第10方式中任一个方式所涉及的磁头读取的数据带及一对伺服带。

本发明的技术所涉及的第12方式为第11方式所涉及的磁带，其中，一对伺服带以多个通道数来兼用。

本发明的技术所涉及的第13方式为第12方式所涉及的磁带。本发明的技术所涉及的第13方式的磁带中，多个通道数为32通道及64通道。

本发明的技术所涉及的第14方式为第13方式所涉及的磁带。本发明的技术所涉及的第14方式的磁带中，磁带的宽度方向上的伺服带的长度在多个磁性元件为与32通道对应的个数的情况及多个磁性元件为与64通道对应的个数的情况下是共同的长度。

本发明的技术所涉及的第15方式为第14方式所涉及的磁带，其中，当多个磁性元件为与32通道对应的个数，且对数据带的磁处理沿着前进方向进行时，伺服带由第1伺服读取元件对读取，当多个磁性元件为与32通道对应的个数，且对数据带的磁处理沿着反转方向进行时，伺服带由第2伺服读取元件对读取。

本发明的技术所涉及的第16方式为第14方式或第15方式所涉及的磁带，其中，当多个磁性元件为与64通道对应的个数，且对数据带的磁处理沿着前进方向进行时，伺服带沿着磁带的宽度方向分为两个部分而获得的一个区域由第1伺服读取元件对读取，当多个磁性元件为与64通道对应的个数，且对数据带的磁处理沿着反转方向进行时，伺服带沿着磁带的宽度方向分为两个部分而获得的另一个区域由第1伺服读取元件对读取。

本发明的技术所涉及的第17方式为磁带盒，其容纳有第11方式至第16方式中任一个方式所涉及的磁带。

本发明的技术所涉及的第18方式为磁带驱动器，其具备：第1方式至第10方式中任一个方式所涉及的磁头；及控制装置，控制磁带及磁头。

本发明的技术所涉及的第19方式为磁带读取方法，其包括如下步骤：磁头中所包含的第1伺服读取元件及第3伺服读取元件配置于多个磁性元件的一端侧，并且读取一对伺服带中的一个伺服带；以及第2伺服读取元件及第4伺服读取元件配置于多个磁性元件的另一端侧，并且读取一对伺服带中的另一个伺服带，该磁头具备从形成有具有多个磁道的数据带及隔着数据带相邻的一对伺服带的磁带读取一对伺服带的第1伺服读取元件对、以与第1伺服读取元件对不同的定时读取一对伺服带的第2伺服读取元件对及以直线状配置并且对多个磁道中的与第1伺服读取元件对或第2伺服读取元件对的读取结果相对应的磁道进行磁处理的多个磁性元件，第1伺服读取元件对由第1伺服读取元件及第2伺服读取元件构成，第2伺服读取元件对由第3伺服读取元件及第4伺服读取元件构成。

本发明的技术所涉及的第20方式为第19方式所涉及的磁带读取方法，其中，数据带沿着磁带的宽度方向分为前进用区域及反转用区域这两个部分，磁带读取方法具备如下步骤：当多个磁性元件对前进用区域进行磁处理时，第1伺服读取元件对读取一对伺服带；及当多个磁性元件对反转用区域进行磁处理时，第2伺服读取元件对读取一对伺服带。

本发明的技术所涉及的第21方式为第20方式所涉及的磁带读取方法，其具备如下步骤：当多个磁性元件对前进用区域进行磁处理时，第1伺服读取元件读取在磁带的宽度方向上超过一个伺服带的一半的区域，且第2伺服读取元件读取在磁带的宽度方向上超过另一个伺服带的一半的区域。

本发明的技术所涉及的第22方式为第20方式或第21方式所涉及的磁带读取方法，其中，当多个磁性元件对反转用区域进行磁处理时，第2伺服读取元件读取在磁带的宽度方向上超过一个伺服带的一半的区域，且第4伺服读取元件读取在磁带的宽度方向上超过另一个伺服带的一半的区域。

本发明的技术所涉及的第23方式为第19方式至第22方式中任一个方式所涉及的磁带读取方法，其中，伺服带沿着磁带的宽度方向分为第1区域及第2区域这两个部分，数据带沿着磁带的宽度方向分为前进用区域及反转用区域这两个部分，磁带读取方法具备如下步骤：当多个磁性元件对前进用区域进行磁处理时，第1伺服读取元件对读取第1区域；及当多个磁性元件对反转用区域进行磁处理时，第1伺服读取元件对读取第2区域。

本发明的技术所涉及的第24方式为第19方式至第23方式中任一个方式所涉及的磁带读取方法，具备如下步骤：当多个磁性元件为与第1通道数对应的个数时，第1伺服读取元件对及第2伺服读取元件对中的第1伺服读取元件对读取一对伺服带；及当多个磁性元件为与第1通道数的一半的通道数即第2通道数对应的个数时，第1伺服读取元件对及第2伺服读取元件对以不同的定时读取一对伺服带。

本发明的技术所涉及的第25方式为第24方式所涉及的磁带读取方法，其中，伺服带沿着磁带的宽度方向分为第1区域及第2区域这两个部分，数据带沿着磁带的宽度方向分为前进用区域及反转用区域这两个部分，磁带读取方法具备如下步骤：当多个磁性元件为与第1通道数对应的个数，且多个磁性元件对前进用区域进行磁处理时，第1伺服读取元件对读取第1区域；及当多个磁性元件为与第1通道数对应的个数，且多个磁性元件对反转用区域进行磁处理时，第1伺服读取元件对读取第2区域。

本发明的技术所涉及的第26方式为第24方式或第25方式所涉及的磁带读取方法，其中，数据带沿着磁带的宽度方向分为前进用区域及反转用区域这两个部分，磁带读取方法具备如下步骤：当多个磁性元件为与第2通道数对应的个数，且多个磁性元件对前进用区域进行磁处理时，第1伺服读取元件对读取一对伺服带；及当多个磁性元件为与第2通道数对应的个数，且多个磁性元件对反转用区域进行磁处理时，第2伺服读取元件对读取一对伺服带。

本发明的技术所涉及的第27方式为第19方式至第23方式中任一个方式所涉及的磁带读取方法，其中，多个磁性元件为与第1通道数对应的个数，磁带读取方法具备如下步骤：当多个磁道为与第1通道数对应的条数时，多个磁性元件均被激活；以及当多个磁道为与第1通道数的一半的通道数即第2通道数对应的条数时，仅多个磁性元件中的与第2通道数对应的个数的磁性元件被激活。

本发明的技术所涉及的第28方式为第24方式至第27方式中任一个方式所涉及的磁带读取方法，其中，第1通道数为64通道，第2通道数为32通道。

附图说明

图1是表示磁带系统的结构的一例的框图。

图2是表示磁带盒外观的一例的概略立体图。

图3是表示磁带驱动器的硬件结构的一例的概略结构图。

图4是表示从磁带盒的下侧通过非接触式读写装置释放了磁场的方式的一例的概略立体图。

图5是表示磁带驱动器的硬件结构的一例的概略结构图。

图6是表示以往例所涉及的磁头在磁带上行进的同时对数据带记录数据或播放数据带的信号时的磁带与磁头之间的相对关系的一例的概念图。

图7是表示现有的32通道用磁带的伺服带的一例及64通道用磁带的伺服带的一例的概念图。

图8是表示从磁带的表面侧观察了在磁带上配置有磁头的状态的方式的一例的概念图。

图9是表示在使与32通道对应的磁带正向行进的状态下通过磁头对前进用带进行磁处理的方式的一例的概念图。

图10是表示在使与32通道对应的磁带反向行进的状态下通过磁头对前进用带进行磁处理的方式的一例的概念图。

图11是表示在使与64通道对应的磁带正向行进的状态下通过磁头对前进用带进行磁处理的方式的一例的概念图。

图12是表示在使与64通道对应的磁带反向行进的状态下通过磁头对前进用带进行磁处理的方式的一例的概念图。

图13A是表示通过控制装置执行的数据读写处理的流程的一例的流程图。

图13B是图13A所示的流程图的后续。

图14是表示第1变形例所涉及的磁带系统中所包含的磁头的结构及磁头周边的结构的一例的概念图。

图15是表示从磁带的表面侧观察了磁带的宽度收缩前后的磁带的方式的一例的概念图。

图16是表示从磁带的表面侧观察了在第2变形例所涉及的磁带系统中在磁带上磁头偏斜的状态的方式的一例的概念图。

图17是表示第3变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图18是表示第3变形例的概念图，是表示实际伺服图案的几何特性与假想伺服图案的几何特性之间的关系的一例的概念图。

图19是表示第3变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了在磁带的宽度方向上相邻的伺服带之间对应的帧以既定间隔偏离的状态的方式的一例的概念图。

图20是表示第3变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了通过在磁带上未偏斜的磁头中所包含的伺服读取元件读取伺服图案的状态的方式的一例的概念图。

图21是表示第3变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了通过在磁带上偏斜的磁头中所包含的伺服读取元件读取伺服图案的状态的方式的一例的概念图。

图22是表示第4变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图23是表示第4变形例的概念图，是表示磁带中所包含的伺服图案的方式的一例的概念图。

图24是表示第5变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图25是表示第5变形例的概念图，是表示磁带中所包含的伺服图案的方式的一例的概念图。

图26是表示第6变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了在实施方式所涉及的磁带的宽度方向上相邻的伺服带之间对应的帧以既定间隔偏离的状态的方式的一例的概念图。

图27是表示第7变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图28是表示第7变形例的概念图，是表示实际伺服图案的几何特性与假想伺服图案的几何特性之间的关系的一例的概念图。

图29是表示第7变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了在磁带的宽度方向上相邻的伺服带之间对应的帧以既定间隔偏离的状态的方式的一例的概念图。

图30是表示第7变形例的概念图，是表示从磁带的表面侧观察了通过在磁带上偏斜的磁头中所包含的伺服读取元件读取伺服图案的状态的方式的一例的概念图。

图31是表示第8变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图32是表示第8变形例的概念图，是表示磁带中所包含的伺服图案的方式的一例的概念图。

图33是表示第9变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图34是表示第9变形例的概念图，是表示磁带中所包含的伺服图案的方式的一例的概念图。

图35是表示第10变形例的概念图，是表示实施方式所涉及的磁带的变形例的概念图(表示从磁带的表面侧观察了磁带的方式的一例的概念图)。

图36是表示存储于存储介质的程序安装于控制装置的计算机的方式的一例的概念图。

具体实施方式

以下，按照附图对本发明的技术所涉及的磁头、磁带、磁带盒、磁带驱动器及磁带读取方法的实施方式的一例进行说明。

首先，对以下说明中所使用词句进行说明。

CPU是指“Central Processing Unit：中央处理器”的简称。NVM是指“Non-volatile memory：非易失性存储器”的简称。RAM是指“Random Access Memory：随机存取存储器”的简称。EEPROM是指“Electrically Erasable and Programmable Read OnlyMemory：电可擦可编程只读存储器”的简称。SSD是指“Solid State Drive：固态硬盘”的简称。HDD是指“Hard Disk Drive：硬盘驱动器”的简称。USB是指“Universal Serial Bus：通用串行总线”的简称。ASIC是指“Application Specific Integrated Circuit：专用集成电路”的简称。FPGA是指“Field-Programmable Gate Array：现场可编程门阵列”的简称。PLC是指“Programmable Logic Controller：可编程逻辑控制器”的简称。SoC是指“System-on-a-chip：片上系统”的简称。IC是指“Integrated Circuit：集成电路”的简称。RFID是指“Radio Frequency Identifier：无线射频识别”的简称。UI是指“User Interface：用户接口”的简称。WAN是指“Wide Area Network：广域网”的简称。LAN是指“Local Area Network：局域网”的简称。ch是指“Channel：通道”的简称。并且，在以下说明中，几何特性是指，长度、形状、朝向和/或位置等一般公认的几何学上的特性。

作为一例，如图1所示，磁带系统10具备磁带盒12及磁带驱动器14。在磁带驱动器14中装填有磁带盒12。磁带盒12容纳有磁带MT。磁带驱动器14从所装填的磁带盒12抽出磁带MT，一边使所抽出的磁带MT行进，一边对磁带MT记录数据，或从磁带MT读取数据。

在本实施方式中，磁带驱动器14为本发明的技术所涉及的“磁带驱动器”的一例。并且，在本实施方式中，磁带盒12为本发明的技术所涉及的“磁带盒”的一例。

接着，参考图2～图4对磁带盒12的结构的一例进行说明。另外，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，以箭头A来表示磁带盒12向磁带驱动器14的装填方向，将箭头A方向设为磁带盒12的前方向，将磁带盒12的前方向侧设为磁带盒12的前侧。在以下所示的结构的说明中，“前”是指磁带盒12的前侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与箭头A方向正交的箭头B方向设为右方向，将磁带盒12的右方向侧设为磁带盒12的右侧。在以下所示的结构的说明中，“右”是指磁带盒12的右侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与箭头B方向相反的方向设为左方向，将磁带盒12的左方向侧设为磁带盒12的左侧。在以下所示的结构的说明中，“左”是指磁带盒12的左侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，以箭头C来表示与箭头A方向及箭头B方向正交的方向，将箭头C方向设为磁带盒12的上方向，将磁带盒12的上方向侧设为磁带盒12的上侧。在以下所示的结构的说明中，“上”是指磁带盒12的上侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与磁带盒12的前方向相反的方向设为磁带盒12的后方向，将磁带盒12的后方向侧设为磁带盒12的后侧。在以下所示的结构的说明中，“后”是指磁带盒12的后侧。

并且，在以下说明中，为了便于说明，在图2～图4中，将与磁带盒12的上方向相反的方向设为磁带盒12的下方向，将磁带盒12的下方向侧设为磁带盒12的下侧。在以下所示的结构的说明中，“下”是指磁带盒12的下侧。

作为一例，如图2所示，磁带盒12在俯视观察下大致呈矩形形状，且具备箱状的壳体16。壳体16中容纳有磁带MT。壳体16由聚碳酸酯等树脂制成，且具备上壳体18及下壳体20。上壳体18及下壳体20在使上壳体18的下周缘面与下壳体20的上周缘面接触的状态下，通过焊接(例如，超声波焊接)及螺钉固定而接合。接合方法并不限于焊接及螺钉固定，可以是其他接合方法。

在壳体16的内部可旋转地容纳有送出卷轴22。送出卷轴22具备卷轴毂22A、上凸缘22B1及下凸缘22B2。卷轴毂22A形成为圆筒状。卷轴毂22A为送出卷轴22的轴心部，轴心方向沿着壳体16的上下方向，且配置于壳体16的中央部。上凸缘22B1及下凸缘22B2分别形成为圆环状。在卷轴毂22A的上端部固定有上凸缘22B1的俯视中央部，在卷轴毂22A的下端部固定有下凸缘22B2的俯视中央部。另外，卷轴毂22A与下凸缘22B2可以一体成型。

在卷轴毂22A的外周面卷绕有磁带MT，磁带MT的宽度方向的端部由上凸缘22B1及下凸缘22B2保持。

在壳体16的右壁16A的前侧形成有开口16B。磁带MT从开口16B抽出。

下壳体20中设置有盒式存储器24。具体而言，在下壳体20的右后端部容纳有盒式存储器24。在盒式存储器24中搭载有具有NVM的IC芯片。在本实施方式中，所谓的无源RFID标签用作盒式存储器24，并且对盒式存储器24以非接触方式进行各种信息的读写。另外，在本实施方式中，举出了盒式存储器24设置于下壳体20的方式例，但本发明的技术并不限定于此，盒式存储器24只要在能够以非接触方式读写各种信息的位置上设置于壳体16即可。

在盒式存储器24中存储有管理磁带盒12的管理信息13。管理信息13中例如包含与盒式存储器24相关的信息(例如，能够确定磁带盒12的信息)、与磁带MT相关的信息及与磁带驱动器14相关的信息(例如，表示磁带驱动器14的规格的信息及磁带驱动器14中所使用的信号)等。与磁带MT相关的信息中包含规格信息13A。规格信息13A为确定磁带MT的规格的信息。并且，与磁带MT相关的信息中还包含表示记录于磁带MT的数据的概要的信息、表示记录于磁带MT的数据的项目的信息及表示记录于磁带MT的数据的记录格式的信息等。

作为一例，如图3所示，磁带驱动器14具备输送装置26、磁头28、控制装置30、UI系统装置34及通信接口35。在本实施方式中，控制装置30为本发明的技术所涉及的“控制装置”的一例。

在磁带驱动器14中沿着箭头A方向装填磁带盒12。在磁带驱动器14中，磁带MT从磁带盒12抽出后使用。

控制装置30控制磁带驱动器14的整体。例如，控制装置30使用存储于盒式存储器24的管理信息13等控制磁带驱动器14的整体(例如，磁带MT及磁头28等)。

在本实施方式中，控制装置30通过ASIC来实现，但本发明的技术并不限定于此。例如，控制装置30可以通过FPGA和/或PLC来实现。并且，控制装置30也可以通过包含CPU、闪存(例如，EEPROM和/或SSD等)及RAM的计算机来实现。并且，也可以通过ASIC、FPGA、PLC及计算机中的两个以上的组合来实现。即，控制装置30也可以通过硬件结构与软件结构的组合来实现。

磁带MT具有磁性层29A、基膜29B及背涂层29C。磁性层29A形成于基膜29B的一面侧，背涂层29C形成于基膜29B的另一面侧。对磁性层29A记录数据。磁性层29A包含铁磁性粉末。作为铁磁性粉末，例如可以使用在各种磁记录介质的磁性层中通常使用的铁磁性粉末。作为铁磁性粉末的优选具体例，可举出六方晶铁氧体粉末。作为六方晶铁氧体粉末，例如可举出六方晶锶铁氧体粉末或六方晶钡铁氧体粉末等。背涂层29C例如为包含炭黑等非磁性粉末的层。基膜29B也被称为支承体，例如由聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚酰胺等形成。另外，可以在基膜29B与磁性层29A之间形成有非磁性层。在磁带MT中，形成有磁性层29A的面为磁带MT的表面31，形成有背涂层29C的面为磁带MT的背面33。

控制装置30在使磁带MT行进的状态下使磁头28进行磁处理。在此，磁处理是指，对磁带MT的表面31记录数据(即，数据的写入)及从磁带MT的表面31读取数据(即，数据的播放)。在本实施方式中，磁头28选择性地进行对磁带MT的表面31记录数据及从磁带MT的表面31读取数据。即，磁带驱动器14从磁带盒12抽出磁带MT，使用磁头28对所抽出的磁带MT的表面31记录数据，或使用磁头28从所抽出的磁带MT的表面31读取数据。

UI系统装置34为具有接收表示来自用户的指示的接收功能及对用户提示信息的提示功能的装置。接收功能例如通过触摸面板、硬键(例如，键盘)和/或鼠标等来实现。提示功能例如通过显示器、打印机和/或扬声器等来实现。UI系统装置34与控制装置30连接。控制装置30获取通过UI系统装置34接收的指示。UI系统装置34在控制装置30的控制下，对用户提示各种信息。

通信接口35与控制装置30连接。并且，通信接口35经由WAN和/或LAN等通信网(省略图示)与外部装置37连接。通信接口35管理控制装置30与外部装置37之间的各种信息(例如，对磁带MT的记录用数据、从磁带MT读取的数据和/或对控制装置30赋予的指示信号等)的收发。另外，作为外部装置37，例如可举出个人计算机或主机等。

输送装置26为选择性地沿着既定路径向正向及反向输送磁带MT的装置，具备送出马达36、卷取卷轴38、卷取马达40及多个导辊GR。另外，在此，正向是指磁带MT的送出方向，反向是指磁带MT的倒带方向。正向为本发明的技术所涉及的“前进方向”的一例，反向为本发明的技术所涉及的“反转方向”的一例。

送出马达36在控制装置30的控制下，使磁带盒12内的送出卷轴22旋转。控制装置30通过控制送出马达36，控制送出卷轴22的旋转方向、转速及转矩等。

卷取马达40在控制装置30的控制下，使卷取卷轴38旋转。控制装置30通过控制卷取马达40，控制卷取卷轴38的旋转方向、转速及转矩等。

当通过卷取卷轴38卷取磁带MT时，控制装置30使送出马达36及卷取马达40旋转，以使磁带MT沿着既定路径向正向行进。送出马达36及卷取马达40的转速及转矩等根据使卷取卷轴38卷取磁带MT的速度来调整。并且，送出马达36及卷取马达40各自的转速及转矩等由控制装置30调整，由此对磁带MT赋予张力。并且，通过控制装置30调整送出马达36及卷取马达40各自的转速及转矩等，由此控制对磁带MT赋予的张力。

另外，当将磁带MT倒带到送出卷轴22时，控制装置30使送出马达36及卷取马达40旋转，以使磁带MT沿着既定路径向反向行进。

在本实施方式中，通过控制送出马达36及卷取马达40的转速及转矩等，控制施加于磁带MT的张力，但本发明的技术并不限定于此。例如，施加于磁带MT的张力可以使用张力调节辊来控制，也可以通过将磁带MT引入真空腔室来控制。

多个导辊GR分别为引导磁带MT的辊。既定路径即磁带MT的行进路径根据多个导辊GR在磁带盒12与卷取卷轴38之间分开配置于横跨磁头28的位置而设定。

磁头28具备磁性元件单元42及托架44。磁性元件单元42以使其与行进中的磁带MT接触的方式由托架44保持。磁性元件单元42具有多个磁性元件。

磁性元件单元42对由输送装置26输送的磁带MT记录数据，或从由输送装置26输送的磁带MT读取数据。在此，数据例如是指，伺服图案52(参考图6)及除伺服图案52以外的数据，即记录于数据带DB(参考图6)的数据。

磁带驱动器14具备非接触式读写装置46。非接触式读写装置46配置成在装填有磁带盒12的状态的磁带盒12的下侧与盒式存储器24的背面24A正对，并且以非接触的方式对盒式存储器24读写信息。

作为一例，如图4所示，非接触式读写装置46从磁带盒12的下侧朝向盒式存储器24释放磁场MF。磁场MF贯穿盒式存储器24。

非接触式读写装置46与控制装置30连接。控制装置30将控制信号输出至非接触式读写装置46。控制信号为控制盒式存储器24的信号。非接触式读写装置46按照从控制装置30输入的控制信号生成磁场MF，朝向盒式存储器24释放所生成的磁场MF。

非接触式读写装置46经由磁场MF在与盒式存储器24之间进行非接触通信，由此对盒式存储器24进行与控制信号相对应的处理。例如，非接触式读写装置46在控制装置30的控制下，选择性地进行从盒式存储器24读取信息的处理及使盒式存储器24存储信息的处理(即，对盒式存储器24写入信息的处理)。换言之，控制装置30经由非接触式读写装置46以非接触方式与盒式存储器24进行通信，由此从盒式存储器24读取信息，或使盒式存储器24存储信息。

作为一例，如图5所示，磁带驱动器14具备移动机构48。移动机构48具有移动致动器48A。作为移动致动器48A，例如可举出音圈马达和/或压电致动器。移动致动器48A与控制装置30连接，控制装置30控制移动致动器48A。移动致动器48A在控制装置30的控制下，生成动力。移动机构48接收由移动致动器48A生成的动力，由此使磁头28沿着磁带MT的宽度方向WD移动(参考图6)。

磁带驱动器14具备倾斜机构49。倾斜机构49具有倾斜致动器49A。作为倾斜致动器49A，例如可举出音圈马达和/或压电致动器。倾斜致动器49A与控制装置30连接，控制装置30控制倾斜致动器49A。倾斜致动器49A在控制装置30的控制下，生成动力。倾斜机构49接收由倾斜致动器49A生成的动力，由此使磁头28相对于磁带MT的宽度方向WD向磁带MT的长边方向LD侧倾斜。即，磁头28在控制装置30的控制下，从倾斜机构49被赋予动力，由此在磁带MT上偏斜。

作为一例，如图6所示，在磁带MT的表面31形成有伺服带SB1、SB2及SB3以及数据带DB1及DB2。另外，以下，为了便于说明，当无需特别区分时，将伺服带SB1～SB3称为伺服带SB，将数据带DB1及DB2称为数据带DB。

伺服带SB1～SB3以及数据带DB1及DB2沿着磁带MT的长边方向LD(即，全长方向)形成。在此，换言之，磁带MT的全长方向是指，磁带MT的行进方向。磁带MT的行进方向以磁带MT从送出卷轴22侧向卷取卷轴38侧行进的方向即正向(以下，也简称为“正向”)及磁带MT从卷取卷轴38侧向送出卷轴22侧行进的方向即反向(以下，也简称为“反向”)这两个方向来规定。

伺服带SB1～SB3在磁带MT的宽度方向WD(以下，也简称为“宽度方向WD”)上分开的位置上排列。例如，伺服带SB1～SB3沿着宽度方向WD以等间隔排列。另外，在本实施方式中，“等间隔”除了指完全等间隔以外，还指在本发明的技术所属的技术领域中通常允许的误差且包括不脱离本发明的技术宗旨程度的误差在内的含义下的等间隔。

数据带DB1配设于伺服带SB1与伺服带SB2之间，数据带DB2配设于伺服带SB2与伺服带SB3之间。即，伺服带SB与数据带DB沿着宽度方向WD交替排列。换言之，在磁带MT中形成有数据带DB及隔着数据带DB相邻的一对伺服带SB。

另外，在图6所示的例子中，为了便于说明，示出了3根伺服带SB及2根数据带DB，但这只不过是一例，可以是2根伺服带SB及1根数据带DB，即便是4根以上的伺服带SB及3根以上的数据带DB，本发明的技术也成立。

在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案52。伺服图案52分类为伺服图案52A及伺服图案52B。多个伺服图案52沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。另外，在本实施方式中，“恒定”除了指完全恒定以外，还指包括在本发明的技术所属的技术领域中通常允许的误差且不脱离本发明的技术宗旨程度的误差在内的含义下的恒定。

伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧50划分。帧50由一组伺服图案52规定。在图6所示的例子中，作为一组伺服图案52的一例，示出了伺服图案52A及52B。伺服图案52A及52B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧50内，伺服图案52A位于正向的上游侧，伺服图案52B位于正向的下游侧。

伺服图案52由线状磁化区域对54构成。线状磁化区域对54分类为线状磁化区域对54A及线状磁化区域对54B。

伺服图案52A由线状磁化区域对54A构成。在图6所示的例子中，作为线状磁化区域对54A的一例，示出了由线状磁化区域54A1及54A2构成的对。线状磁化区域54A1及54A2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域54A1及54A2相对于沿着宽度方向WD的假想直线即假想直线C1向相反的方向倾斜。在图6所示的例子中，线状磁化区域54A1及54A2相对于假想直线C1以线对称倾斜。更具体而言，线状磁化区域54A1及54A2互不平行，且形成为以假想直线C1为对称轴向磁带MT的长边方向LD侧的相反的方向以既定角度(例如，5度)倾斜的状态。

线状磁化区域54A1为得到磁化的5根直线即磁化直线54A1a的集合。线状磁化区域54A2为得到磁化的5根直线即磁化直线54A2a的集合。

伺服图案52B由线状磁化区域对54B构成。在图6所示的例子中，作为线状磁化区域对54B的一例，示出了由线状磁化区域54B1及54B2构成的对。线状磁化区域54B1及54B2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域54B1及54B2相对于沿着宽度方向WD的假想直线即假想直线C2向相反的方向倾斜。在图6所示的例子中，线状磁化区域54B1及54B2相对于假想直线C2以线对称倾斜。更具体而言，线状磁化区域54B1及54B2互不平行，且形成为以假想直线C2为对称轴向磁带MT的长边方向LD侧的相反的方向以既定角度(例如，5度)倾斜的状态。

线状磁化区域54B1为得到磁化的4根直线即磁化直线54B1a的集合。线状磁化区域54B2为得到磁化的4根直线即磁化直线54B2a的集合。

在此，对以往例所涉及的磁头300的结构的一例进行说明。磁头300与磁头28(参考图3)相比，不同点在于，代替磁性元件单元42使用磁性元件单元302。磁头300配置于磁带MT的表面31侧。托架44形成为长方体状，且配置成沿着宽度方向WD横贯在磁带MT的表面31上。磁性元件单元302的多个磁性元件沿着托架44的长边方向以直线状排列。磁性元件单元302作为多个磁性元件，具有一对伺服读取元件R及多个数据读写元件304。

托架44的长边方向的长度相对于磁带MT的宽度足够长。例如，托架44的长边方向的长度设为磁性元件单元302在磁带MT上配置于任意位置也超过磁带MT的宽度的长度。

在磁头300中搭载有一对伺服读取元件R。在磁头300中，托架44与一对伺服读取元件R之间的相对位置关系被固定。一对伺服读取元件R由伺服读取元件R1及R2构成。伺服读取元件R1配置于磁性元件单元302的一端，伺服读取元件R2配置于磁性元件单元302的另一端。在图6所示的例子中，伺服读取元件R1设置于与伺服带SB2对应的位置，伺服读取元件R2设置于与伺服带SB3对应的位置。

多个数据读写元件304在伺服读取元件R1与伺服读取元件R2之间以直线状配置。多个数据读写元件304沿着磁头300的长边方向隔着间隔配置(例如，沿着磁头300的长边方向以等间隔配置)。在图6所示的例子中，多个数据读写元件304设置于与数据带DB2对应的位置。

控制装置30获取通过伺服读取元件R读取了伺服图案52的结果即伺服图案信号，并且按照所获取的伺服图案信号进行跟踪控制(也称为“伺服控制”)。在此，跟踪控制是指，按照通过伺服读取元件SR读取的伺服图案52经由移动机构48使磁头28沿着磁带MT的宽度方向WD移动，由此使磁头28位于所指定的部位的控制。

通过进行跟踪控制，多个数据读写元件304位于数据带DB内的所指定的区域上，在该状态下，对数据带DB内的所指定的区域进行磁处理。在图6所示的例子中，通过多个数据读写元件304对数据带DB2内的所指定的区域进行磁处理。

并且，当设为由磁性元件单元302读取数据的读取对象的数据带DB变更时(在图6所示的例子中，设为由磁性元件单元302读取数据的读取对象的数据带DB从数据带DB2变更为数据带DB1时)，移动机构48在控制装置30的控制下，使磁头28沿着宽度方向WD移动，由此变更一对伺服读取元件R的位置。即，移动机构48通过使磁头300沿着宽度方向WD移动，使伺服读取元件R1移动至与伺服带SB1对应的位置，使伺服读取元件R2移动至与伺服带SB2对应的位置。由此，多个数据读写元件304的位置从数据带DB2上变更为数据带DB1上，通过多个数据读写元件304对数据带DB1进行磁处理。

作为大容量高速磁带格式之一，已知有LTO(Linear Tape-Open：线性磁带开放协议)。LTO的数据通道数朝着8通道、16通道及32通道这一趋势增加。当前的数据通道数为32通道，预计将来数据通道数会成为64通道以上。

当数据通道数成为64通道时，作为一例，如图7所示，数据通道数为64通道的磁带MT中所包含的伺服带SB的宽度方向WD的长度成为数据通道数为32通道的磁带MT中所包含的伺服带SB的宽度方向WD的长度的一半。在此，作为用于对数据通道数为32通道的磁带MT及数据通道数为64通道的磁带MT实现正向及反向的跟踪控制的一例，如图7所示，可考虑将伺服带SB内分为第1区域56及第2区域58这两个部分后使用的方式例。在图7所示的例子中，伺服带SB沿着宽度方向WD区分为第1区域56及第2区域58。在伺服带SB中假想性地设置有通过宽度方向WD的中心的中心线CL，并且通过经由中心线CL沿着上下方向分为两个部分而获得的一个区域为第1区域56，另一个区域为第2区域58。

例如，区域56为用于读取在磁带MT正向行进的状态下进行磁处理时的伺服图案52的区域。区域58为用于读取在磁带MT反向行进的状态下进行磁处理时的伺服图案52的区域。

数据带DB大致分为磁带MT正向行进时进行磁处理的区域即前进用区域及磁带MT反向行进时进行磁处理的区域即反转用区域。例如，当对前进用区域进行磁处理时，进行区域56内的伺服图案52的读取，当对反转用区域进行磁处理时，进行区域58内的伺服图案52的读取，由此实现跟踪控制等。

伺服带SB的宽度在32通道的情况及64通道的情况下也优选设为相等的宽度。这是因为，由此能够获得能够缩小磁带MT的宽度方向WD上的端侧的空白区域(即，边缘保护带)，并且能够将数据带DB确保为较大等几个优点。因此，当前，即使在32通道的情况下，也以与64通道相同的伺服带SB(即，宽度方向WD的长度相同的伺服带SB)的宽度进行伺服图案52的读取已被发明人等深入研究。

但是，在该情况下，在上述以往已知的方法中，当读取前进用区域及反转用区域中的一个区域的数据时，能够使伺服读取元件R读取伺服带SB，但当读取前进用区域及反转用区域中的另一个区域的数据时，无法使伺服读取元件R读取伺服带SB。这是因为伺服带SB的宽度方向WD的长度不足。

因此，鉴于这种情况，在本实施方式中，作为一例，如图8～图12所示，构成磁头28后使用。

作为一例，如图8所示，磁头28配置于磁带MT的表面31侧。托架44形成为长方体状，且配置成沿着宽度方向WD横贯在磁带MT的表面31上。磁性元件单元42的多个磁性元件沿着托架44的长边方向以直线状排列。磁性元件单元42作为多个磁性元件，具有第1伺服读取元件对SRP1、第2伺服读取元件对SRP2及多个数据读写元件DRW。托架44的长边方向的长度设为磁性元件单元42在磁带MT上配置于任意位置也超过磁带MT的宽度的长度。

在本实施方式中，第1伺服读取元件对SRP1为本发明的技术所涉及的“第1伺服读取元件对”的一例。第2伺服读取元件对SRP2为本发明的技术所涉及的“第2伺服读取元件对”的一例。多个数据读写元件DRW为本发明的技术所涉及的“多个磁性元件”的一例。以下，为了便于说明，当无需区分说明第1伺服读取元件对SRP1与第2伺服读取元件对SRP2时，称为“伺服读取元件对SRP”。

在磁头28中搭载有多个伺服读取元件SR。在图8所示的例子中，作为多个伺服读取元件SR，示出了第1伺服读取元件SR1、第2伺服读取元件SR2、第3伺服读取元件SR3及第4伺服读取元件SR4。第1伺服读取元件对SRP1由第1伺服读取元件SR1及第2伺服读取元件SR2构成，并且读取一对伺服带SB(例如，伺服带SB2及SB3)。第2伺服读取元件对SRP2由第3伺服读取元件SR3及第4伺服读取元件SR4构成，并且读取一对伺服带SB。

在本实施方式中，“第1伺服读取元件SR1”为本发明的技术所涉及的“第1伺服读取元件”的一例。第2伺服读取元件SR2为本发明的技术所涉及的“第2伺服读取元件”的一例。第3伺服读取元件SR3为本发明的技术所涉及的“第3伺服读取元件”的一例。第4伺服读取元件SR4为本发明的技术所涉及的“第4伺服读取元件”的一例。

在磁头28中，托架44与第1伺服读取元件对SRP1之间的相对位置关系及托架44与第2伺服读取元件对SRP2之间的相对位置关系被固定。并且，在磁头28中，第1伺服读取元件对SRP1与第2伺服读取元件对SRP2之间的相对位置关系也被固定。

第1伺服读取元件对SRP1中所包含的第1伺服读取元件SR1配置于多个数据读写元件DRW的一端侧。在图8所示的例子中，第1伺服读取元件SR1配置于伺服带SB3上。第1伺服读取元件SR1读取伺服带SB3。读取伺服带SB3是指，从伺服带SB3读取伺服图案52。在图8所示的例子中，伺服带SB2及SB3为本发明的技术所涉及的“一对伺服带”的一例，伺服带SB3为本发明的技术所涉及的“一个伺服带”的一例。

第1伺服读取元件对SRP1中所包含的第2伺服读取元件SR2配置于多个数据读写元件DRW的另一端侧。在图8所示的例子中，第2伺服读取元件SR2配置于伺服带SB2上。第2伺服读取元件SR2读取伺服带SB2。读取伺服带SB2是指，从伺服带SB2读取伺服图案52。在图8所示的例子中，伺服带SB2为本发明的技术所涉及的“另一个伺服带”的一例。

第2伺服读取元件对SRP2中所包含的第3伺服读取元件SR3配置于多个数据读写元件DRW的一端侧。在图8所示的例子中，第3伺服读取元件SR3在配置有多个数据读写元件DRW的方向上在与第1伺服读取元件SR1相比离多个数据读写元件DRW的一端远的一侧与第1伺服读取元件SR1相邻。第3伺服读取元件SR3通过磁头28沿着宽度方向WD从伺服带SB3侧向伺服带SB2侧移动，配置于伺服带SB3上，并且读取伺服带SB3。

第2伺服读取元件对SRP2中所包含的第4伺服读取元件SR4配置于多个数据读写元件DRW的另一端侧。在图8所示的例子中，第4伺服读取元件SR4在配置有多个数据读写元件DRW的方向上在与第2伺服读取元件SR2相比离多个数据读写元件DRW的另一端近的一侧与第2伺服读取元件SR2相邻。第4伺服读取元件SR4通过磁头28沿着宽度方向WD从伺服带SB3侧向伺服带SB2侧移动，配置于伺服带SB2上，并且从伺服带SB2读取伺服图案52。

多个数据读写元件DRW在第1伺服读取元件SR1与第4伺服读取元件SR4之间以直线状配置。多个数据读写元件DRW沿着磁头28的长边方向隔着间隔配置(例如，沿着磁头28的长边方向以等间隔配置)。在图8所示的例子中，多个数据读写元件DRW设置于与数据带DB2对应的位置。

控制装置30获取通过伺服读取元件SR读取了伺服图案52的结果即伺服图案信号，并且按照所获取的伺服图案信号进行跟踪控制。在此，跟踪控制是指，通过按照由伺服读取元件SR读取的伺服图案52使移动机构48进行动作而使磁头28沿着磁带MT的宽度方向WD移动的控制。

通过进行跟踪控制，多个数据读写元件DRW位于数据带DB内的所指定的区域上，在该状态下，从数据带DB内的所指定的区域读取数据。在图8所示的例子中，通过多个数据读写元件DRW对数据带DB2内的所指定的区域进行数据的读取。

搭载于磁头28的多个数据读写元件DRW为64个。控制装置30以32通道或64通道来使磁头28进行磁处理。当磁头28以32通道来进行磁处理时，多个数据读写元件DRW中每隔一个间隔的32个数据读写元件DRW被激活。当磁头28以64通道来进行磁处理时，多个数据读写元件DRW均被激活。在此，激活例如是指，使数据读写元件DRW处于开启的状态(即，能够进行数据的读取或写入的状态)。在此，64通道为本发明的技术所涉及的“第1通道数”的一例，32通道为本发明的技术所涉及的“第2通道数”的一例。

另外，在此，例示了共用32通道及64通道的磁头28，但这只不过是一例。例如，当已确定进行32通道下的读取和/或写入时，磁头28可以是仅配置有上述多个数据读写元件DRW中的32通道时被激活的位置的数据读写元件DRW的规格的磁头。并且，例如，当已确定进行64通道下的读取和/或写入时，磁头28可以是仅配置有上述多个数据读写元件DRW中的64通道时被激活的位置的数据读写元件DRW的规格的磁头。

一对伺服带SB，即图8所示的例子的伺服带SB2及SB3在以32通道来进行磁处理的情况及以64通道来进行磁处理的情况下兼用。并且，伺服带SB的宽度方向WD上的长度在以32通道来进行磁处理的情况及以64通道来进行磁处理的情况下为共同的长度。

以下，对通过磁头28以32通道来对数据带DB进行磁处理的情况及通过磁头28以64通道来进行磁处理的情况进行说明。

首先，参考图9及图10对通过磁头28以32通道来对数据带DB进行磁处理时的一例进行说明。

在图9及图10中示出了形成有本实施方式所涉及的32通道用数据带DB的磁带MT的一例即磁带MT1的一部分。图9是表示使用第1伺服读取元件对SRP1进行跟踪控制的方式的一例的概念图，图10是表示使用第2伺服读取元件对SRP2进行跟踪控制的方式的一例的概念图。磁带MT1为本发明的技术所涉及的“磁带”的一例。

作为一例，如图9所示，第1伺服读取元件对SRP1配置于在宽度方向WD上相邻的伺服带SB上来使用。在图9所示的例子中，第1伺服读取元件对SRP1中所包含的第1伺服读取元件SR1配置于伺服带SB3上，第2伺服读取元件对SRP2中所包含的第2伺服读取元件SR2配置于伺服带SB2上。

在32通道用数据带DB中形成有32根数据子带DSB。对32根数据子带DSB分配磁头28的32个数据读写元件DRW(即，从所有数据读写元件DRW每隔一个间隔而获得的32个数据读写元件DRW)来进行磁处理。

1根数据子带DSB由前进用带FB及反转用带RB构成。通过数据子带DSB沿着宽度方向WD分为两个部分而获得的一个区域(例如，在图9所示的例子中，在数据带DB2内，离伺服带SB3近的一侧的区域)为前进用带FB。并且，通过数据子带DSB沿着宽度方向WD分为两个部分而获得的另一个区域(例如，在图9所示的例子中，在数据带DB2内，离伺服带SB2近的一侧的区域)为反转用带RB。

另外，在此，数据子带DSB沿着宽度方向WD分为两个部分而获得的一个区域为本发明的技术所涉及的“一个区域”的一例。并且，数据子带DSB沿着宽度方向WD分为两个部分而获得的另一个区域为本发明的技术所涉及的“另一个区域”的一例。并且，前进用带FB为本发明的技术所涉及的“前进用区域”的一例。并且，反转用带RB为本发明的技术所涉及的“反转用区域”的一例。

在前进用带FB及反转用带RB分别形成有多个磁道TR。对于前进用带FB的磁道TR，一边使磁带MT正向行进一边通过数据读写元件DRW进行磁处理。对于反转用带RB的磁道TR，一边使磁带MT反向行进一边通过数据读写元件DRW进行磁处理。

当对前进用带FB进行磁处理时，移动机构48通过使磁头28沿着宽度方向WD移动，使第1伺服读取元件SR1及第2伺服读取元件SR2位于在宽度方向WD上相邻的各伺服带SB上。在图9所示的例子中，第1伺服读取元件SR1位于伺服带SB3上，第2伺服读取元件SR2位于伺服带SB2上。第1伺服读取元件SR1读取伺服带SB3，第2伺服读取元件SR2读取伺服带SB2。

当对前进用带FB进行磁处理时，伺服带SB3的宽度方向WD上的超过一半的区域(在此，作为一例，伺服带SB3的总宽度)被设为基于第1伺服读取元件SR1的读取对象范围。并且，当对前进用带FB进行磁处理时，伺服带SB2的宽度方向WD上的超过一半的区域(在此，作为一例，伺服带SB2的总宽度)被设为基于第2伺服读取元件SR2的读取对象范围。

关于各数据子带DSB，当通过与数据子带DSB的位置对应的数据读写元件DRW对前进用带FB进行磁处理时，移动机构48按照基于伺服读取元件SR的伺服图案52的读取结果使磁头28沿着宽度方向WD移动。移动机构48按照伺服图案52的读取结果使磁头28沿着宽度方向WD移动，由此使数据读写元件DRW位于前进用带FB内的所指定的磁道TR上。而且，各数据读写元件DRW对所对应的位置的数据子带DSB中所包含的前进用带FB内的所指定的磁道TR通过数据读写元件DRW进行磁处理。

另一方面，当对反转用带RB进行磁处理时，移动机构48通过使磁头28沿着宽度方向WD移动，作为一例，如图10所示，使第3伺服读取元件SR3及第4伺服读取元件SR4位于在宽度方向WD上相邻的各伺服带SB上。在图10所示的例子中，第3伺服读取元件SR3位于伺服带SB3上，第4伺服读取元件SR4位于伺服带SB2上。第3伺服读取元件SR3读取伺服带SB3，第4伺服读取元件SR4读取伺服带SB2。

即，在使磁带MT1正向行进的状态下，通过第1伺服读取元件对SRP1读取伺服带SB，相对于此，在使磁带MT1反向行进的状态下，通过第2伺服读取元件对SRP2读取伺服带SB。这表示，第1伺服读取元件对SRP1及第2伺服读取元件对SRP2以不同的定时读取一对伺服带SB(在此，作为一例，伺服带SB2及SB3)。

当对反转用带RB进行磁处理时，伺服带SB3的宽度方向WD上的超过一半的区域(在此，作为一例，伺服带SB3的总宽度)被设为基于第3伺服读取元件SR3的读取对象范围。并且，当对反转用带RB进行磁处理时，伺服带SB2的宽度方向WD上的超过一半的区域(在此，作为一例，伺服带SB2的总宽度)被设为基于第4伺服读取元件SR4的读取对象范围。

关于各数据子带DSB，当通过与数据子带DSB的位置对应的数据读写元件DRW对反转用带RB进行磁处理时，移动机构48按照基于伺服读取元件SR的伺服图案52的读取结果使磁头28沿着宽度方向WD移动。移动机构48按照伺服图案52的读取结果使磁头28沿着宽度方向WD移动，由此使数据读写元件DRW位于反转用带RB内的所指定的磁道TR上。而且，各数据读写元件DRW对所对应的位置的数据子带DSB中所包含的反转用带RB内的所指定的磁道TR通过数据读写元件DRW进行磁处理。

在图11及图12中示出了形成有本实施方式所涉及的64通道用数据带DB的磁带MT即磁带MT2的一部分。图11是表示通过进行使用了第1伺服读取元件对SRP1的跟踪控制而从前进用带FB进行数据的读取的方式的一例的概念图，图12是表示通过进行使用了第1伺服读取元件对SRP1的跟踪控制而从反转用带RB进行数据的读取的方式的一例的概念图。磁带MT2为本发明的技术所涉及的“磁带”的一例。

在图11及图12所示的例子中，磁带MT2的数据带DB的宽度(即，宽度方向WD上的长度)与磁带MT1的数据带DB的宽度相同。并且，在图11及图12所示的例子中，磁带MT2的伺服带SB的宽度(即，宽度方向WD上的长度)也与磁带MT1的伺服带SB的宽度相同。

作为一例，如图11所示，伺服带SB沿着宽度方向WD区分为第1区域56A及第2区域58A。在伺服带SB中假想性地设定有通过宽度方向WD的中心的中心线CL1，并且通过经由中心线CL1沿着上下方向分为两个部分而获得的一个区域为第1区域56A，另一个区域为第2区域58A。在图11所示的例子中，在伺服带SB3中，第1区域56A位于在宽度方向WD上与第2区域58A相比更远离数据带DB2的一侧。换言之，第2区域58A位于在宽度方向WD上与第1区域56A相比离数据带DB2近的一侧。并且，在图11所示的例子中，在伺服带SB2中，第1区域56A位于在宽度方向WD上与第2区域58A相比离数据带DB2近的一侧。换言之，第2区域58A位于在宽度方向WD上与第1区域56A相比更远离数据带DB2的一侧。第1区域56A为本发明的技术所涉及的“第1区域”的一例，第2区域58A为本发明的技术所涉及的“第2区域”的一例。

在64通道用数据带DB中形成有64根数据子带DSB。对64根数据子带DSB分配磁头28的64个数据读写元件DRW(即，所有数据读写元件DRW)来进行磁处理。

与32通道用数据子带DSB同样地，64通道用数据子带DSB由前进用带FB及反转用带RB构成。并且，与32通道用数据子带DSB同样地，在64通道用数据子带DSB中，在前进用带FB及反转用带RB分别形成有多个磁道TR。

与32通道用前进用带FB同样地，对于64通道用前进用带FB，一边使磁带MT正向行进一边通过数据读写元件DRW进行磁处理。并且，与32通道用反转用带RB同样地，对于64通道用反转用带RB，一边使磁带MT反向行进一边通过数据读写元件DRW进行磁处理。

当对64通道用前进用带FB进行磁处理时，移动机构48通过使磁头28沿着宽度方向WD移动，使第1伺服读取元件SR1及第2伺服读取元件SR2位于在宽度方向WD上相邻的各伺服带SB的第1区域56A上。在图11所示的例子中，第1伺服读取元件SR1位于伺服带SB3的第1区域56A上，第2伺服读取元件SR2位于伺服带SB2的第1区域56A上。当对64通道用前进用带FB进行磁处理时，伺服带SB3的第1区域56A被设为基于第1伺服读取元件SR1的读取对象范围，伺服带SB2的第1区域56A被设为基于第2伺服读取元件SR2的读取对象范围。即，当对64通道用前进用带FB进行磁处理时，第1伺服读取元件SR1读取伺服带SB3的第1区域56A，第2伺服读取元件SR2读取伺服带SB2的第1区域56A。

关于各数据子带DSB，当通过与数据子带DSB的位置对应的数据读写元件DRW对前进用带FB进行磁处理时，移动机构48按照基于伺服读取元件SR的伺服图案52的读取结果使磁头28沿着宽度方向WD移动。移动机构48按照伺服图案52的读取结果使磁头28沿着宽度方向WD移动，由此使数据读写元件DRW位于前进用带FB内的所指定的磁道TR上。而且，各数据读写元件DRW对所对应的位置的数据子带DSB中所包含的前进用带FB内的所指定的磁道TR通过数据读写元件DRW进行磁处理。

另一方面，当对64通道用反转用带RB进行磁处理时，移动机构48通过使磁头28沿着宽度方向WD移动，作为一例，如图12所示，使第1伺服读取元件SR1及第2伺服读取元件SR2位于在宽度方向WD上相邻的各伺服带SB的第2区域58A上。在图12所示的例子中，第1伺服读取元件SR1位于伺服带SB3的第2区域58A上，第2伺服读取元件SR2位于伺服带SB2的第2区域58A上。当对64通道用反转用带RB进行磁处理时，伺服带SB3的第2区域58A被设为基于第1伺服读取元件SR1的读取对象范围，伺服带SB2的第2区域58A被设为基于第2伺服读取元件SR2的读取对象范围。即，第1伺服读取元件SR1读取伺服带SB3的第2区域58A，第2伺服读取元件SR2读取伺服带SB2的第2区域58A。

关于64通道用各数据子带DSB，当通过与数据子带DSB的位置对应的数据读写元件DRW对反转用带RB进行磁处理时，移动机构48按照基于伺服读取元件SR的伺服图案52的读取结果使磁头28沿着宽度方向WD移动。移动机构48按照伺服图案52的读取结果使磁头28沿着宽度方向WD移动，由此数据读写元件DRW位于反转用带RB内的所指定的磁道TR上。而且，各数据读写元件DRW对所对应的位置的数据子带DSB中所包含的反转用带RB内的所指定的磁道TR通过数据读写元件DRW进行磁处理。

另外，例如，在磁头28以32通道来进行动作时的磁带MT1中，宽度方向WD上的伺服带SB的长度约为宽度方向WD上的数据子带DSB的长度的一半(作为一例，参考图9及图10)。并且，例如，在磁头28以64通道来进行动作时的磁带MT2中，宽度方向WD上的伺服带SB的长度与宽度方向WD上的数据子带DSB的长度大致相同(作为一例，参考图11及图12)。

接着，参考图13A～图13B对磁带系统10的作用进行说明。

在图13A及图13B中示出了通过控制装置30进行的数据读写执行处理的流程的一例。当来到开始执行数据读写处理的定时时(例如，当满足通过UI系统装置34接收了开始执行数据读写执行处理的指示这一条件时)，进行图13A及图13B所示的数据读写执行处理。另外，图13A及图13B所示的流程图的流程为本发明的技术所涉及的“磁带读取方法”的一例。

在图13A所示的数据读写处理中，首先，在步骤ST10中，控制装置30判定是否满足一边使32通道用磁带MT即磁带MT1正向行进一边对数据带DB进行磁处理这一条件(以下，称为“32ch正向处理开始条件”)。作为32ch正向处理开始条件的一例，可举出磁带MT1装填于磁带驱动器14且通过UI系统装置34接收了一边使磁带MT1正向行进一边对数据带DB进行磁处理的指示这一条件。

在步骤ST10中，当不满足32ch正向处理开始条件时，判定得到否定，而数据读写处理转到步骤ST18。在步骤ST10中，当满足32ch正向处理开始条件时，判定得到肯定，而数据读写处理转到步骤ST12。另外，在本步骤ST10中，判定得到肯定的情况为本发明的技术所涉及的“多个磁性元件为与32通道对应的个数，且对数据带的磁处理沿着前进方向进行的情况”的一例。

在步骤ST12中，控制装置30通过经由移动机构48调整磁头28的位置，将第1伺服读取元件对SRP1配置于伺服带SB上。在执行步骤ST12的处理之后，数据读写处理转到步骤ST14。

在步骤ST14中，控制装置30通过控制送出马达36及卷取马达40，使磁带MT1正向行进。在执行步骤ST14的处理之后，数据读写处理转到步骤ST16。

在步骤ST16中，控制装置30使第1伺服读取元件对SRP1开始对伺服带SB的读取，且使32个数据读写元件DRW开始对前进用带FB的磁处理。在执行步骤ST16的处理之后，数据读写处理转到步骤ST40。

在步骤ST18中，控制装置30判定是否满足一边使磁带MT1反向行进一边对数据带DB进行磁处理这一条件(以下，称为“32ch反向处理开始条件”)。作为32ch反向处理开始条件的一例，可举出磁带MT1装填于磁带驱动器14且通过UI系统装置34接收了一边使磁带MT1反向行进一边对数据带DB进行磁处理的指示这一条件。

在步骤ST18中，当不满足32ch反向处理开始条件时，判定得到否定，而数据读写处理转到图13B所示的步骤ST26。在步骤ST18中，当满足32ch反向处理开始条件时，判定得到肯定，而数据读写处理转到步骤ST20。另外，在本步骤ST18中，判定得到肯定的情况为本发明的技术所涉及的“多个磁性元件为与32通道对应的个数，且对数据带的磁处理沿着反转方向进行的情况”的一例。

在步骤ST20中，控制装置30通过经由移动机构48调整磁头28的位置，将第2伺服读取元件对SRP2配置于伺服带SB上。在执行步骤ST20的处理之后，数据读写处理转到步骤ST22。

在步骤ST22中，控制装置30通过控制送出马达36及卷取马达40，使磁带MT1反向行进。在执行步骤ST22的处理之后，数据读写处理转到步骤ST24。

在步骤ST24中，控制装置30使第2伺服读取元件对SRP2开始对伺服带SB的读取，且使32个数据读写元件DRW开始对反转用带RB的磁处理。在执行步骤ST24的处理之后，数据读写处理转到步骤ST40。

在图13B所示的步骤ST26中，控制装置30判定是否满足一边使64通道用磁带MT即磁带MT2正向行进一边对数据带DB进行磁处理的条件(以下，称为“64ch正向处理开始条件”)。作为64ch正向处理开始条件的一例，可举出磁带MT2装填于磁带驱动器14且通过UI系统装置34接收了一边使磁带MT2正向行进一边对数据带DB进行磁处理的指示这一条件。

在步骤ST26中，当不满足64ch正向处理开始条件时(即，当一边使磁带MT2反向行进一边对数据带DB进行磁处理时)，判定得到否定，而数据读写处理转到步骤ST34。在步骤ST26中，当满足64ch正向处理开始条件时，判定得到肯定，而数据读写处理转到步骤ST28。

另外，在本步骤ST26中，判定得到肯定的情况为本发明的技术所涉及的“多个磁性元件为与64通道对应的个数，且对数据带的磁处理沿着前进方向进行的情况”的一例。并且，在本步骤ST26中，判定得到否定的情况为本发明的技术所涉及的“多个磁性元件为与64通道对应的个数，且对数据带的磁处理沿着反转方向进行的情况”的一例。

在步骤ST28中，控制装置30通过经由移动机构48调整磁头28的位置，将第1伺服读取元件对SRP1配置于伺服带SB的第1区域56A上。在执行步骤ST28的处理之后，数据读写处理转到步骤ST30。

在步骤ST30中，控制装置30通过控制送出马达36及卷取马达40，使磁带MT2正向行进。在执行步骤ST30的处理之后，数据读写处理转到步骤ST32。

在步骤ST32中，控制装置30使第1伺服读取元件对SRP1开始对伺服带SB的第1区域56A的读取，且使所有数据读写元件DRW(即，64个数据读写元件DRW)开始对前进用带FB的磁处理。在执行步骤ST32的处理之后，数据读写处理转到图13A所示的步骤ST40。

在步骤ST34中，控制装置30通过经由移动机构48调整磁头28的位置，将第1伺服读取元件对SRP1配置于伺服带SB的第2区域58A上。在执行步骤ST34的处理之后，数据读写处理转到步骤ST36。

在步骤ST36中，控制装置30通过控制送出马达36及卷取马达40，使磁带MT2反向行进。在执行步骤ST36的处理之后，数据读写处理转到步骤ST38。

在步骤ST38中，控制装置30使第1伺服读取元件对SRP1开始对伺服带SB的第2区域58A的读取，且使所有数据读写元件DRW(即，64个数据读写元件DRW)开始对反转用带RB的磁处理。在执行步骤ST38的处理之后，数据读写处理转到图13A所示的步骤ST40。

在图13A所示的步骤ST40中，控制装置30判定是否满足结束数据读写处理的条件(以下，称为“结束条件”)。作为结束条件的第1例，可举出磁带MT的既定位置(例如，正向或反向上的磁带MT的末端)到达磁性元件单元42上这一条件。作为结束条件的第2例，可举出通过UI系统装置34接收了结束数据读写处理的指示这一条件。

在步骤ST40中，当不满足结束条件时，判定得到否定，而数据读写处理转到步骤ST10。在步骤ST40中，当满足结束条件时，判定得到肯定，而数据读写处理转到步骤ST42。

在步骤ST42中，控制装置30结束由伺服读取元件对SRP对伺服带SB的读取，且结束由数据读写元件DRW进行的磁处理。在执行步骤ST42的处理之后，数据读写处理结束。

如以上进行的说明，在磁带系统10中，磁头28具备第1伺服读取元件对SRP1及第2伺服读取元件对SRP2。第1伺服读取元件对SRP1及第2伺服读取元件对SRP2以不同的定时读取一对伺服带SB(例如，伺服带SB2及SB3)。

例如，对于32通道用磁带MT即磁带MT1，当磁带MT2正向行进时，通过第1伺服读取元件对SRP1读取一对伺服带SB(参考图9)，当磁带MT2反向行进时，通过第2伺服读取元件对SRP2读取一对伺服带SB(参考图10)。并且，64通道用磁带MT即磁带MT2的一对伺服带SB由第1伺服读取元件对SRP1读取(参考图11及图12)。

第1伺服读取元件对SRP1中所包含的第1伺服读取元件SR1及第2伺服读取元件对SRP2中所包含的第3伺服读取元件SR3读取一对伺服带SB中的一个伺服带SB(例如，伺服带SB3)(参考图9～图12)。相对于此，第1伺服读取元件对SRP1中所包含的第2伺服读取元件SR2及第2伺服读取元件对SRP2中所包含的第4伺服读取元件SR4读取一对伺服带SB中的另一个伺服带SB(例如，伺服带SB2)(参考图9～图12)。

即，即便通道数不同(即，为32通道及64通道)，也进行由伺服读取元件对SRP对伺服带SB的读取，因此能够进行对伺服带SB的宽度共同的磁带MT1及MT2的数据带DB的跟踪控制。因此，即便通道数不同也能够实现对伺服带SB的宽度共同的磁带MT1及MT2的数据带DB的磁处理。其结果，例如，即使在磁带驱动器14中装填有磁带MT1的情况及装填有磁带MT2的情况下，也进行利用了伺服读取元件对SRP的跟踪控制，因此能够对磁带MT1及MT2的数据带DB内的各磁道TR进行磁处理。

并且，在磁带系统10中，磁带MT1的数据带DB沿着宽度方向WD分为前进用带FB及反转用带RB这两个部分。而且，当对磁带MT1的前进用带FB进行磁处理时，通过第1伺服读取元件对SRP1读取一对伺服带SB(例如，伺服带SB2及SB3)(参考图9)。即，对磁带MT1的前进用带FB进行磁处理时的跟踪控制按照通过由第1伺服读取元件对SRP1读取一对伺服带SB而获得的伺服图案信号来进行。因此，能够实现对磁带MT1的前进用带FB的磁处理。

并且，当对磁带MT1的反转用带RB进行磁处理时，通过第2伺服读取元件对SRP2读取一对伺服带SB(参考图10)。即，对磁带MT1的反转用带RB进行磁处理时的跟踪控制按照通过由第2伺服读取对SRP2读取一对伺服带SB而获得的伺服图案信号来进行。因此，能够实现对磁带MT1的反转用带RB的磁处理。

并且，在磁带系统10中，当对磁带MT1的前进用带FB进行磁处理时，通过第1伺服读取元件SR1读取一对伺服带SB中的一个伺服带SB(例如，伺服带SB3)的总宽度(参考图9)。并且，与此并行地，通过第2伺服读取元件SR2也读取一对伺服带SB中的另一个伺服带SB(例如，伺服带SB2)的总宽度(参考图9)。即，对磁带MT1的前进用带FB进行磁处理时的跟踪控制按照通过由第1伺服读取元件SR1读取一个伺服带SB的总宽度，且通过第2伺服读取元件SR2读取另一个伺服带SB的总宽度而获得的伺服图案信号来进行。因此，能够实现对磁带MT1的前进用带FB的磁处理。

并且，在磁带系统10中，当对磁带MT1的反转用带RB进行磁处理时，通过第3伺服读取元件SR3读取一对伺服带SB中的一个伺服带SB(例如，伺服带SB3)的总宽度(参考图10)。并且，与此并行地，通过第4伺服读取元件SR4也读取一对伺服带SB中的另一个伺服带SB(例如，伺服带SB2)的总宽度(参考图10)。即，对磁带MT1的反转用带RB进行磁处理时的跟踪控制按照通过由第3伺服读取元件SR3读取一个伺服带SB的总宽度，且通过第4伺服读取元件SR4读取另一个伺服带SB的总宽度而获得的伺服图案信号来进行。因此，能够实现对磁带MT1的反转用带RB的磁处理。

并且，在磁带系统10中，当对磁带MT2的前进用带FB进行磁处理时，通过第1伺服读取元件对SRP1读取第1区域56A(参考图11)。即，对磁带MT2的前进用带FB进行磁处理时的跟踪控制按照通过由第1伺服读取元件对SRP1读取第1区域56A而获得的伺服图案信号来进行。因此，能够实现对磁带MT2的前进用带FB的磁处理。

并且，在磁带系统10中，当对磁带MT2的反转用带RB进行磁处理时，通过第1伺服读取元件对SRP1读取第2区域58A(参考图12)。即，对磁带MT2的反转用带RB进行磁处理时的跟踪控制按照通过由第1伺服读取元件对SRP1读取第2区域58A而获得的伺服图案信号来进行。因此，能够实现对磁带MT2的反转用带RB的磁处理。

并且，在磁带系统10中，当数据读写元件DRW为与64通道对应的个数(即，64个)时，通过第1伺服读取元件对SRP1读取一对伺服带SB(参考图11及图12)。并且，当数据读写元件DRW为与32通道对应的个数(即，32个)时，通过第1伺服读取元件对SRP1及第2伺服读取元件对SRP2以不同的定时(即，进行正向磁处理的定时及进行反向磁处理的定时)读取一对伺服带SB(参考图9及图10)。因此，即便数据读写元件DRW为与64通道对应的个数，并且为与32通道对应的个数，也能够实现对伺服带SB的宽度共同的磁带MT1及MT2的数据带DB的磁处理。

并且，在磁带系统10中，当数据读写元件DRW为与64通道对应的个数(即，64个)，并且通过所有数据读写元件DRW对磁带MT2内的所对应的多个前进用带FB进行磁处理时，通过第1伺服读取元件对SRP1读取第1区域56A(参考图11)。即，对磁带MT2的前进用带FB进行磁处理时的跟踪控制按照通过由第1伺服读取元件对SRP1读取第1区域56A而获得的伺服图案信号来进行。因此，能够实现对磁带MT2的前进用带FB的磁处理。

并且，在磁带系统10中，当数据读写元件DRW为与64通道对应的个数(即，64个)，并且通过所有数据读写元件DRW对磁带MT2内的所对应的多个反转用带RB进行磁处理时，通过第2伺服读取元件对SRP2读取第2区域58A(参考图12)。即，对磁带MT2的反转用带RB进行磁处理时的跟踪控制按照通过由第2伺服读取元件对SRP2读取第2区域58A而获得的伺服图案信号来进行。因此，能够实现对磁带MT2的反转用带RB的磁处理。

并且，在磁带系统10中，当数据读写元件DRW为与32通道对应的个数(即，32个)，并且通过32个数据读写元件DRW对磁带MT1内的所对应的多个前进用带FB进行磁处理时，通过第1伺服读取元件对SRP1读取一对伺服带SB(即，伺服带SB2及SB3)(参考图9)。即，对磁带MT1的前进用带FB进行磁处理时的跟踪控制按照通过由第1伺服读取元件对SRP1读取一对伺服带SB而获得的伺服图案信号来进行。因此，能够实现对磁带MT1的前进用带FB的磁处理。

并且，在磁带系统10中，当数据读写元件DRW为与32通道对应的个数(即，32个)，并且通过32个数据读写元件DRW对磁带MT1内的所对应的多个反转用带RB进行磁处理时，通过第2伺服读取元件对SRP2读取一对伺服带SB(即，伺服带SB2及SB3)(参考图10)。即，对磁带MT1的反转用带RB进行磁处理时的跟踪控制按照通过由第2伺服读取元件对SRP2读取一对伺服带SB而获得的伺服图案信号来进行。因此，能够实现对磁带MT1的反转用带RB的磁处理。

并且，在磁带系统10中，当磁头28以32通道来进行磁处理时，多个数据读写元件DRW中每隔一个间隔的32个数据读写元件DRW被激活。当磁头28以64通道来进行磁处理时，多个数据读写元件DRW均被激活。因此，即便未单独使用32通道用磁头及64通道用磁头，也能够实现对通道数不同的磁带MT1及MT2的磁处理。其结果，例如，只要继续使用32通道用磁带MT(即，磁带MT1)及64通道用磁带MT(即，磁带MT2)，则用磁头28便能够应对，因此能够有助于降低成本。

并且，在磁带系统10中，兼用磁带MT1的伺服带SB及磁带MT2的伺服带SB。即，磁带MT1的伺服带SB的宽度与磁带MT2的伺服带SB的宽度共同，伺服图案52的结构及排列也共同。因此，即使在对磁带MT1进行磁处理的情况及对磁带MT2进行磁处理的情况下，能够用相同的磁头28来应对。

另外，在上述实施方式中，对在32通道与64通道的组合中适用了本发明的技术的情况进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，能够以与对32通道与64通道的组合适用了本发明的技术相同的要领，也对64通道以上的通道数的组合(例如，64通道与128通道或128通道与256通道等)适用本发明的技术。

在上述实施方式中，举出以通过选择性地激活多个数据读写元件DRW来切换32通道与64通道的规格的磁头28为前提的方式例进行了说明。因此，为方便起见，在图13A及图13B所示的数据读写处理中，举出了在步骤ST10、步骤ST18及步骤ST26中进行判定的方式例，但这只不过是一例。例如，搭载于磁带驱动器14的磁头28为不与每隔一个的数据读写元件DRW的激活对应的规格的磁头(例如，仅配置有上述多个数据读写元件DRW中的32通道时被激活的位置的数据读写元件DRW的规格的磁头)时，在步骤ST10、步骤ST18及步骤ST26中的判定内容根据搭载于磁带驱动器14的磁头28的规格而发生变化。例如，搭载于磁带驱动器14的磁头28只要是仅配置有上述多个数据读写元件DRW中的32通道时被激活的位置的数据读写元件DRW的规格的磁头，则数据读写处理中所包含的步骤ST10、步骤ST18及步骤ST26的判定内容被设为仅能够应对由32通道的磁头28进行数据的读取和/或写入的判定内容。在该情况下，例如，不需要图13B所示的步骤ST26中的判定处理，因此其结果，不需要图13B所示的步骤ST26～步骤ST38。

并且，例如，搭载于磁带驱动器14的磁头28只要是仅配置有上述多个数据读写元件DRW中的64通道时被激活的位置的数据读写元件DRW的规格的磁头，则数据读写处理中所包含的步骤ST10、步骤ST18及步骤ST26的判定内容被设为仅能够应对由64通道的磁头28进行的数据的读取和/或写入的判定内容。在该情况下，例如，不需要图13A所示的步骤ST10及步骤ST18中的判定处理，因此其结果，不需要图13A所示的步骤ST10～步骤ST24。

[第1变形例]

在上述实施方式中，举出仅使用一个磁头28进行磁处理的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，也可以通过并用进行数据的读取的磁头28A、进行数据的记录(写入)的磁头28B及进行数据的记录(写入)的磁头28C来实现磁处理。

在磁头28A中搭载有多个数据读写元件DRW、第1伺服读取元件对SRP1及第2伺服读取元件对SRP2。数据读写元件DRW为进行数据的读取的磁性元件。在磁头28A中，多个数据读写元件DRW以与在上述实施方式中说明的多个数据读写元件DRW相同的要领排列。

磁头28B配置于比磁头28A更靠送出卷轴22侧的位置。在磁头28B中搭载有多个数据读写元件DRW1、第1伺服读取元件对SRP1及第2伺服读取元件对SRP2。多个数据读写元件DRW1为进行数据的记录(写入)的磁性元件。在磁头28B中，多个数据读写元件DRW1以与在上述实施方式说明的多个数据读写元件DRW相同的要领排列。

磁头28C配置于比磁头28A更靠卷取卷轴38侧的位置。在磁头28C中搭载有多个数据读写元件DRW2、第1伺服读取元件对SRP1及第2伺服读取元件对SRP2。多个数据读写元件DRW2为进行数据的记录(写入)的磁性元件。在磁头28C中，多个数据读写元件DRW2以与在上述实施方式说明的多个数据读写元件DRW相同的要领排列。

在磁头28A中连接有具有与在上述实施方式说明的移动机构48相同的结构的移动机构48A1，以与上述实施方式的移动机构48相同的要领，由控制装置30控制移动机构48A1。移动机构48A1在控制装置30的控制下，使磁头28A沿着宽度方向WD移动，由此调整磁头28A在宽度方向WD上的位置。

在磁头28B中连接有具有与在上述实施方式说明的移动机构48相同的结构的移动机构48B，以与上述实施方式的移动机构48相同的要领，由控制装置30控制移动机构48B。移动机构48B在控制装置30的控制下，使磁头28B沿着宽度方向WD移动，由此调整磁头28B在宽度方向WD上的位置。

在磁头28C中连接有具有与在上述实施方式说明的移动机构48相同的结构的移动机构48C，以与上述实施方式的移动机构48相同的要领，由控制装置30控制移动机构48C。移动机构48C在控制装置30的控制下，使磁头28C沿着宽度方向WD移动，由此调整磁头28C在宽度方向WD上的位置。

另外，磁头28A还用作通过磁头28B或28C对写入于磁带MT的数据进行验证的验证头。

[第2变形例]

近年来，推进与减少TDS(Transverse Dimensional Stability：横向尺寸稳定性)的影响的技术相关的研究。已知有TDS取决于温度、湿度、磁带卷绕于卷轴的压力及经时劣化等，当未采取任何措施时，TDS变大，并且对数据带DB进行磁处理的情况下会产生偏离磁道(即，数据读写元件DRW相对于数据带DB内的磁道的位置偏离)。

在图15所示的例子中，示出了磁带MT的宽度随着时间的经过而收缩的方式。在该情况下，会成为偏离磁道。偏离磁道是指，数据读写元件DRW没有位于数据带DB内的所指定的磁道TR上的状态(即，在宽度方向WD上，所指定的磁道TR的位置与数据读写元件DRW的位置偏离的状态)。

磁带MT的宽度有时变宽，在该情况下也会成为偏离磁道。即，若磁带MT的宽度随着时间的经过而变窄或变宽，则伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置会从设计上设定的既定位置(即，分别对线状磁化区域54A1、54A2、54B1及54B2，设计上设定的既定位置)向宽度方向WD偏离。若伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置从设计上设定的既定位置向宽度方向WD偏离，则跟踪控制的精度降低，从而会导致数据带DB内的所指定的磁道TR与数据读写元件DRW的位置发生偏离。如此一来，无法对当初预定的磁道TR进行磁处理。

作为减少TDS的影响的方法，可考虑通过调整对磁带MT赋予的张力来调整磁带MT的宽度的方法。但是，若磁带MT的宽度方向WD的变形量过多，则有时即便调整对磁带MT赋予的张力，也无法消除偏离磁道。并且，若加强对磁带MT赋予的张力，则施加于磁带MT的负荷也变大，也可能会导致缩短磁带MT的寿命。而且，若对磁带MT赋予的张力过弱，则磁头28与磁带MT的接触状态变得不稳定，从而磁头28对磁带MT进行磁处理变得困难。作为除了调整对磁带MT赋予的张力的方法以外减少TDS的影响的方法，作为一例如图16所示，已知有通过使磁头28在磁带MT上偏斜，将伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置保持在设计上设定的既定位置的方法。

磁头28具备旋转轴RA。旋转轴RA设置于磁头28中所包含的磁性元件单元42的相当于俯视中央部的位置。磁头28经由旋转轴RA可旋转地保持于倾斜机构49。

在磁头28中设置有假想中心线即假想直线C3。假想直线C3为通过旋转轴RA且沿着磁头28的俯视观察长边方向(即，多个数据读写元件DRW排列的方向)延伸的直线。磁头28以沿着表面31相对于宽度方向WD倾斜的姿势(换言之，使假想直线C3沿着表面31相对于假想直线C4倾斜的姿势)配置。在图16所示的例子中，磁头28以成为假想直线C3相对于沿着宽度方向WD的假想直线即假想直线C4向磁带MT的长边方向LD侧倾斜的姿势的方式由倾斜机构49保持。在图16所示的例子中，磁头28以将假想直线C3相对于假想直线C4向送出卷轴22侧倾斜的姿势(即，以从图16的纸面表面侧观察时的逆时针方向倾斜的姿势)由倾斜机构49保持。由假想直线C3与假想直线C4所成的角度相当于使磁头28在表面31上沿着表面31以旋转轴RA为中心轴旋转来使磁头28相对于宽度方向WD倾斜的角度。由假想直线C3与假想直线C4所成的角度即偏斜角度为将从图10的纸面表侧观察时的逆时针方向设为正而将从图16的纸面表侧观察时的顺时针方向设为负来规定的角度。

倾斜机构49在控制装置30的控制下，使磁头28在磁带MT的表面31上以旋转轴RA为中心旋转。倾斜机构49使磁头28在磁带MT的表面31上以旋转轴RA为中心旋转，由此变更假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜(即，方位角)的方向及倾斜的角度。假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜的方向及倾斜的角度的变更通过变更使磁头28沿着表面31相对于宽度方向WD倾斜的角度即磁头28的偏斜角度来实现。在本实施方式中，假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜的方向及倾斜的角度通过磁头28的偏斜角度来表现。

假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜的方向及倾斜的角度即偏斜角度根据温度、湿度、磁带MT卷绕于卷轴的压力及经时劣化等或由它们引起的磁带MT的宽度方向WD的伸缩而发生变更，由此伺服读取元件SR相对于伺服图案52的位置保持于设计上设定的既定位置。在该情况下，会成为正对磁道。正对磁道是指，数据读写元件DRW位于磁道TR上的状态(即，在宽度方向WD上，所指定的磁道TR的位置与数据读写元件DRW的位置一致的状态)。

在上述中，例示了伺服图案52，但伺服图案52只不过是一例，即便使用其他种类的伺服图案(即，与伺服图案52的几何特性不同的几何特性的伺服图案)，本发明的技术仍成立。在以下的第3变形例～第10变形例中，对记录有与伺服图案52不同的种类的伺服图案的磁带MT的方式例进行说明。

[第3变形例]

作为一例，如图17所示，本第3变形例所涉及的磁带MT与图8所示的磁带MT相比，不同点在于，代替帧50而具有帧51。帧51由一组伺服图案53规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案53。与记录于图8所示的磁带MT的多个伺服图案52同样地，多个伺服图案53沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图17所示的例子中，作为帧51中所包含的一组伺服图案53的一例，示出了伺服图案53A及53B。伺服图案53A及53B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧51内，伺服图案53A位于正向的上游侧，伺服图案53B位于正向的下游侧。

伺服图案53由线状磁化区域对60构成。线状磁化区域对60分类为线状磁化区域对60A及线状磁化区域对60B。

伺服图案53A由线状磁化区域对60A构成。在图17所示的例子中，作为线状磁化区域对60A的一例，示出了由线状磁化区域60A1及60A2构成的对。线状磁化区域60A1及60A2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域60A1及60A2相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。线状磁化区域60A1及60A2互不平行，且相对于假想直线C1以不同的角度倾斜。线状磁化区域60A1与线状磁化区域60A2相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域60A1相对于假想直线C1的角度小于线状磁化区域60A2相对于假想直线C1的角度。并且，线状磁化区域60A1的总长度短于线状磁化区域60A2的总长度。

在伺服图案53A中，在线状磁化区域60A1包含多个磁化直线60A1a，在线状磁化区域60A2包含多个磁化直线60A2a。线状磁化区域60A1中所包含的磁化直线60A1a的根数与线状磁化区域60A2中所包含的磁化直线60A2a的根数相同。

线状磁化区域60A1为得到磁化的5根直线即磁化直线60A1a的集合，线状磁化区域60A2为得到磁化的5根直线即磁化直线60A2a的集合。在伺服带SB内，在宽度方向WD上，线状磁化区域60A1的两端的位置(即，5根磁化直线60A1a各自的两端的位置)与线状磁化区域60A2的两端的位置(即，5根磁化直线60A2a各自的两端的位置)对齐。另外，在此，举出了5根磁化直线60A1a各自的两端的位置与5根磁化直线60A2a各自的两端的位置对齐的例子，但这只不过是一例，只要5根磁化直线60A1a中的1根以上的磁化直线60A1a的两端的位置与5根磁化直线60A2a中的1根以上的磁化直线60A2a的两端的位置对齐即可。并且，在本实施方式中，“对齐”这一概念中除了包含完全对齐的含义以外，还包含包括本发明的技术所属的技术领域中通常允许的误差且不脱离本发明的技术的宗旨程度的误差在内的“对齐”这一含义。

伺服图案53B由线状磁化区域对60B构成。在图17所示的例子中，作为线状磁化区域对60B的一例，示出了由线状磁化区域60B1及60B2构成的对。线状磁化区域60B1及60B2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域60B1及60B2相对于假想直线C2向相反的方向倾斜。线状磁化区域60B1及60B2互不平行，且相对于假想直线C2以不同的角度倾斜。线状磁化区域60B1与线状磁化区域60B2相比，相对于假想直线C2的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域60B1相对于假想直线C2的角度小于线状磁化区域60B2相对于假想直线C2的角度。并且，线状磁化区域60B1的总长度短于线状磁化区域60B2的总长度。

在伺服图案53B中，在线状磁化区域60B1包含多个磁化直线60B1a，在线状磁化区域60B2包含多个磁化直线60B2a。线状磁化区域60B1中所包含的磁化直线60B1a的根数与线状磁化区域60B2中所包含的磁化直线60B2a的根数相同。

伺服图案53B中所包含的磁化直线60B1a及60B2a的总根数与伺服图案53A中所包含的磁化直线60A1a及60A2a的总根数不同。在图17所示的例子中，伺服图案53A中所包含的磁化直线60A1a及60A2a的总根数为10根，相对于此，伺服图案53B中所包含的磁化直线60B1a及60B2a的总根数为8根。

线状磁化区域60B1为得到磁化的4根直线即磁化直线60B1a的集合，线状磁化区域60B2为得到磁化的4根直线即磁化直线60B2a的集合。在伺服带SB内，在宽度方向WD上，线状磁化区域60B1的两端的位置(即，4根磁化直线60B1a各自的两端的位置)与线状磁化区域60B2的两端的位置(即，4根磁化直线60B2a各自的两端的位置)对齐。

另外，在此，举出了4根磁化直线60B1a各自的两端的位置与4根磁化直线60B2a各自的两端的位置对齐例子，但这只不过是一例，4根磁化直线60B1a中的1根以上的磁化直线60B1a的两端的位置与4根磁化直线60B2a中的1根以上的磁化直线60B2a的两端的位置对齐即可。

并且，在此，作为线状磁化区域60A1的一例，举出了得到磁化的5根直线即磁化直线60A1a的集合，作为线状磁化区域60A2的一例，举出了得到磁化的5根直线即磁化直线60A2a的集合，作为线状磁化区域60B1的一例，举出了得到磁化的4根直线即磁化直线60B1a的集合，作为线状磁化区域60B2的一例，举出了得到磁化的4根直线即磁化直线60B2a的集合，但本发明的技术并不限定于此。例如，线状磁化区域60A1是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线60A1a即可，线状磁化区域60A2是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线60A2a即可，线状磁化区域60B1是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线60B1a即可，线状磁化区域60B2是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线60B2a即可。

在此，参考图18对线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性进行说明。

作为一例，如图18所示，线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性能够使用假想线状区域对62来表现。假想线状区域对62由假想线状区域62A及假想线状区域62B构成。线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性相当于如下几何特性：当通过使相对于假想直线C1以线对称倾斜的假想线状区域62A及假想线状区域62B的对称轴SA1相对于假想直线C1倾斜而使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜时，基于假想线状区域对62的几何特性。

假想线状区域对62为具有与图8所示的线状磁化区域对54A相同的几何特性的假想线状磁化区域对。假想线状区域对62是为了便于说明线状磁化区域对60A的磁带MT上的几何特性而使用的假想磁化区域，并不是实际存在的磁化区域。

假想线状区域62A具有与图8所示的线状磁化区域54A1相同的几何特性，且由与图8所示的5根磁化直线54A1a对应的5根假想直线62A1构成。假想线状区域62B具有与图8所示的线状磁化区域54B1相同的几何特性，且由与图8所示的5根磁化直线54A2a对应的5根假想直线62B1构成。

在假想线状区域对62中设置有中心O1。例如，中心O1为连结5根直线62A1中的位于正向的最上游侧的直线62A1的中心与5根直线62B1中的位于正向的最下游侧的直线62B1的中心的线段L0的中心。

假想线状区域对62具有与图8所示的线状磁化区域对54A相同的几何特性，因此假想线状区域62A及假想线状区域62B相对于假想直线C1以线对称倾斜。在此，考虑如下情况：当通过以中心O1为旋转轴相对于假想直线C1使假想线状区域62A及62B的对称轴SA1以角度a(例如，10度)倾斜，使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜时，假如对该假想线状区域对62进行基于伺服读取元件SR的读取。在该情况下，在假想线状区域对62中，在宽度方向WD上，会产生可读取假想线状区域62A但无法读取假想线状区域62B，或无法读取假想线状区域62A但可读取假想线状区域62B的部位。即，分别在假想线状区域62A及62B中，当进行基于伺服读取元件SR的读取时，会产生不足的部分及不需要的部分。

因此，通过补充不足的部分且去除不需要的部分，在宽度方向WD上，使假想线状区域62A的两端的位置(即，5根直线62A1各自的两端的位置)与假想线状区域62B的两端的位置(即，5根直线62B1各自的两端的位置)对齐。

如此获得的假想线状区域对62的几何特性(即，假想伺服图案的几何特性)相当于实际伺服图案53A的几何特性。即，在宽度方向WD上，通过使假想线状区域62A的两端的位置与假想线状区域62B的两端的位置对齐而获得的相当于假想线状区域对62的几何特性的几何特性的线状磁化区域对60A记录于伺服带SB。

另外，线状磁化区域对60B与线状磁化区域对60A相比，不同点仅在于，代替5根磁化直线60A1a而具有4根磁化直线60B1a及代替5根磁化直线60A2a而具有4根磁化直线60B2a。因此，在宽度方向WD上，通过使4根直线62A1各自的两端的位置与4根直线62B1各自的两端的位置对齐而获得的相当于假想线状区域对(省略图示)的几何特性的几何特性的线状磁化区域对60B记录于伺服带SB。

作为一例，如图19所示，在磁带MT中沿着宽度方向WD形成有多个伺服带SB，在伺服带SB之间处于对应关系的帧51在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。这表示伺服带SB之间处于对应关系的伺服图案53在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。

既定间隔根据角度α、在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间的间距(以下，也称为“伺服带间距”)及帧长来规定。在图19所示的例子中，为了便于视觉掌握角度α，夸大示出了角度α，但实际上，角度α例如为15度左右。角度α为由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间未处于对应关系的帧51之间与假想直线C1所成的角度。在图19所示的例子中，作为角度α的一例，示出了由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧51中的一个帧51(在图19所示的例子中，为伺服带SB3的一个帧51)与相邻于一对帧51中的另一个帧51(在图19所示的例子中，为伺服带SB2内的多个帧51中的与伺服带SB3的一个帧51处于对应关系的帧51)的帧51之间(图19所示的例子中，线段L1)和假想直线C1所成的角度。在该情况下，帧长是指，磁带MT的长边方向LD上的帧51的总长度。既定间隔由以下数式(1)规定。另外，Mod(A/B)表示“A”除以“B”时产生的余数。

(既定间隔)＝Mod{(伺服带间距×tanα)/(帧长)}……(1)

另外，在图19所示的例子中，作为角度α，例示了由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的一对帧51中的一个帧51(以下，也称为“第1帧”)与相邻于一对帧51中的另一个帧51(以下，也称为“第2帧”)的帧51之间和假想直线C1所成的角度，但本发明的技术并不限定于此。例如，角度α可以是第1帧与在与第2帧相同的伺服带SB内从第2帧分开2帧以上的帧51(以下，也称为“第3帧”)之间和假想直线C1所成的角度。在该情况下，数式(1)中所使用的“帧长”为磁带MT的长边方向LD上的第2帧与第3帧之间的间距(例如，从第2帧的前端至第3帧的前端的距离)。

作为一例，如图20所示，若以假想直线C1的方向与假想直线C3的方向一致的状态(即，磁头28的长边方向与宽度方向WD一致的状态)通过伺服读取元件SR读取伺服图案53A(即，线状磁化区域对60A)，则在来源于线状磁化区域60A1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域60A2的伺服图案信号之间产生由方位角损失引起的偏差。并且，在以假想直线C1的方向与假想直线C3的方向一致的状态(即，磁头28的长边方向与宽度方向WD一致的状态)通过伺服读取元件SR读取伺服图案53B(即，线状磁化区域对60B)的情况下，也产生相同的现象。

因此，作为一例，如图21所示，倾斜机构49以使假想直线C3相对于假想直线C1向正向的上游侧以角度β(即，从图21的纸面表面侧观察时的向逆时针方向以角度β)倾斜的方式使磁头28以旋转轴RA为中心在磁带MT上偏斜。如此，在磁带MT上磁头28向正向的上游侧以角度β倾斜，因此与图20所示的例子相比，在来源于线状磁化区域60A1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域60A2的伺服图案信号之间由方位角损失引起的偏差变小。并且，在通过伺服读取元件SR读取了伺服图案53B(即，线状磁化区域对60B)的情况下，也同样地，在来源于线状磁化区域60B1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域60B2的伺服图案信号之间由方位角损失引起的偏差变小。

[第4变形例]

另外，在上述第1变形例中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧51划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图22所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧70划分。帧70由一组伺服图案72规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案72。与多个伺服图案52同样地，多个伺服图案72沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图22所示的例子中，作为一组伺服图案72的一例，示出了由伺服图案72A及72B构成的对。伺服图案72A及72B分别为以M字状磁化的伺服图案。伺服图案72A及72B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧70内，伺服图案72A位于正向的上游侧，伺服图案72B位于正向的下游侧。

作为一例，如图23所示，伺服图案72由线状磁化区域对74构成。线状磁化区域对74分类为线状磁化区域对74A及线状磁化区域对74B。

伺服图案72A由一组线状磁化区域对74A构成。一组线状磁化区域对74A以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

在图23所示的例子中，作为线状磁化区域对74A的一例，示出了由线状磁化区域74A1及74A2构成的对。线状磁化区域对74A以与在第3变形例中说明的线状磁化区域对60A相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对60A相同的几何特性。即，线状磁化区域74A1以与在上述第3变形例中说明的线状磁化区域60A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60A1相同的几何特性，线状磁化区域74A2以与在上述第3变形例中说明的线状磁化区域60A2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60A2相同的几何特性。

伺服图案72B由一组线状磁化区域对74B构成。一组线状磁化区域对74B以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

在图23所示的例子中，作为线状磁化区域对74B的一例，示出了由线状磁化区域74B1及74B2构成的对。线状磁化区域对74B以与在上述第3变形例中说明的线状磁化区域对60B相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对60B相同的几何特性。即，线状磁化区域74B1以与在上述第3变形例中说明的线状磁化区域60B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60B1相同的几何特性，线状磁化区域74B2以与在上述第3变形例中说明的线状磁化区域60B2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域60B2相同的几何特性。

[第5变形例]

在图22所示的例子中，举出了伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧70划分的方式例，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图24所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧76划分。帧76由一组伺服图案78规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案78。与多个伺服图案72(参考图22)同样地，多个伺服图案78沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图24所示的例子中，作为一组伺服图案78的一例，示出了伺服图案78A及78B。伺服图案78A及78B分别为以N字状磁化的伺服图案。伺服图案78A及78B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧76内，伺服图案78A位于正向的上游侧，伺服图案78B位于正向的下游侧。

作为一例，如图25所示，伺服图案78由线状磁化区域组80构成。线状磁化区域组80分类为线状磁化区域组80A及线状磁化区域组80B。

伺服图案78A由线状磁化区域组80A构成。线状磁化区域组80A由线状磁化区域80A1、80A2及80A3构成。线状磁化区域80A1、80A2及80A3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域80A1、80A2及80A3从正向的上游侧以线状磁化区域80A1、80A2及80A3的顺序配置。

线状磁化区域80A1及80A2以与图25所示的线状磁化区域对74A相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对74A相同的几何特性。即，线状磁化区域80A1以与图25所示的线状磁化区域74A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74A1相同的几何特性，线状磁化区域80A2以与图25所示的线状磁化区域74A2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74A2相同的几何特性。并且，线状磁化区域80A3以与线状磁化区域80A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域80A1相同的几何特性。

伺服图案78B由线状磁化区域组80B构成。线状磁化区域组80B由线状磁化区域80B1、80B2及80B3构成。线状磁化区域80B1、80B2及80B3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域80B1、80B2及80B3从正向的上游侧以线状磁化区域80B1、80B2及80B3的顺序配置。

线状磁化区域80B1及80B2以与图25所示的线状磁化区域对74B相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对74B相同的几何特性。即，线状磁化区域80B1以与图25所示的线状磁化区域74B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74B1相同的几何特性，线状磁化区域80B2以与图25所示的线状磁化区域74B2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域74B2相同的几何特性。并且，线状磁化区域80B3以与线状磁化区域80B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域80B1相同的几何特性。

[第6变形例]

在上述第3变形例中，举出既定间隔根据角度α、伺服带间距及帧长来规定的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此，也可以不使用帧长来规定既定间隔。例如，如图26所示，既定间隔根据由在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间处于对应关系的帧51之间(在图26所示的例子中，为线段L3)与假想直线C1所成的角度α及在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间的间距(即，伺服带间距)来规定。在该情况下，例如，既定间隔由以下数式(2)计算。

(既定间隔)＝(伺服带间距)×tanα……(2)

如此，数式(2)中不包含帧长。这表示即使不考虑帧长也计算出既定间隔。因此，根据本结构，与由数式(1)计算既定间隔的情况相比，能够简单地计算既定间隔。

[第7变形例]

另外，在上述第3变形例中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧51划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图27所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧82划分。

帧82由一组伺服图案84规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案84。与记录于磁带MT的多个伺服图案52(参考图8)同样地，多个伺服图案84沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图27所示的例子中，作为帧82中所包含的一组伺服图案84的一例，示出了伺服图案84A及84B。伺服图案84A及84B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧82内，伺服图案84A位于正向的上游侧，伺服图案84B位于正向的下游侧。

伺服图案84A由线状磁化区域对86A构成。在图27所示的例子中，作为线状磁化区域对86A的一例，示出了由线状磁化区域86A1及86A2构成的对。线状磁化区域86A1及86A2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域86A1及86A2相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。线状磁化区域86A1及86A2互不平行，且相对于假想直线C1以不同的角度倾斜。线状磁化区域86A1与线状磁化区域86A2相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域86A1相对于假想直线C1的角度小于线状磁化区域86A2相对于假想直线C1的角度。

并且，线状磁化区域86A1整体的位置与线状磁化区域86A2整体的位置在宽度方向WD上偏离。即，线状磁化区域86A1一端的位置与线状磁化区域86A2一端的位置在宽度方向WD上未对齐，线状磁化区域86A1另一端的位置与线状磁化区域86A2另一端的位置在宽度方向WD上未对齐。

在伺服图案84A中，在线状磁化区域86A1包含多个磁化直线86A1a，在线状磁化区域86A2包含多个磁化直线86A2a。线状磁化区域86A1中所包含的磁化直线86A1a的根数与线状磁化区域86A2中所包含的磁化直线86A2a的根数相同。

线状磁化区域86A1为得到磁化的5根直线即磁化直线86A1a的集合，线状磁化区域86A2为得到磁化的5根直线即磁化直线86A2a的集合。

在伺服带SB内，线状磁化区域86A1中所包含的所有磁化直线86A1a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86A1中所包含的所有磁化直线86A1a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。并且，在伺服带SB内，线状磁化区域86A2中所包含的所有磁化直线86A2a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86A2中所包含的所有磁化直线86A2a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。

伺服图案84B由线状磁化区域对86B构成。在图27所示的例子中，作为线状磁化区域对86B的一例，示出了由线状磁化区域86B1及86B2构成的对。线状磁化区域86B1及86B2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域86B1及86B2相对于假想直线C2向相反的方向倾斜。线状磁化区域86B1及86B2互不平行，且相对于假想直线C2以不同的角度倾斜。线状磁化区域86B1与线状磁化区域86B2相比，相对于假想直线C2的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域86B1相对于假想直线C2的角度小于线状磁化区域86B2相对于假想直线C2的角度。

并且，线状磁化区域86B1整体的位置与线状磁化区域86B2整体的位置在宽度方向WD上偏离。即，线状磁化区域86B1一端的位置与线状磁化区域86B2一端的位置在宽度方向WD上未对齐，线状磁化区域86B1另一端的位置与线状磁化区域86B2另一端的位置在宽度方向WD上未对齐。

在伺服图案84B中，在线状磁化区域86B1包含多个磁化直线86B1a，在线状磁化区域86B2包含多个磁化直线86B2a。线状磁化区域86B1中所包含的磁化直线86B1a的根数与线状磁化区域86B2中所包含的磁化直线86B2a的根数相同。

伺服图案84B中所包含的磁化直线86B1a及86B2a的总根数与伺服图案84A中所包含的磁化直线86A1a及86A2a的总根数不同。在图38所示的例子中，伺服图案84A中所包含的磁化直线86A1a及86A2a的总根数为10根，相对于此，伺服图案84B中所包含的磁化直线86B1a及86B2a的总根数为8根。

线状磁化区域86B1为得到磁化的4根直线即磁化直线86B1a的集合，线状磁化区域86B2为得到磁化的4根直线即磁化直线86B2a的集合。

在伺服带SB内，线状磁化区域86B1中所包含的所有磁化直线86B1a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86B1中所包含的所有磁化直线86B1a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。并且，在伺服带SB内，线状磁化区域86B2中所包含的所有磁化直线86B2a的一端的宽度方向WD的位置对齐，线状磁化区域86B2中所包含的所有磁化直线86B2a的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。

另外，在此，作为线状磁化区域86A1的一例，举出了得到磁化的5根直线即磁化直线86A1a的集合，作为线状磁化区域86A2的一例，举出了得到磁化的5根直线即磁化直线86A2a的集合，作为线状磁化区域86B1的一例，举出了得到磁化的4根直线即磁化直线86B1a的集合，作为线状磁化区域86B2的一例，举出了得到磁化的4根直线即磁化直线86B2a的集合，但本发明的技术并不限定于此。例如，线状磁化区域86A1是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线86A1a即可，线状磁化区域86A2是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线86A2a即可，线状磁化区域86B1是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线86B1a即可，线状磁化区域86B2是有助于确定磁带MT上的磁头28的位置的根数的磁化直线86B2a即可。

在此，参考图28对线状磁化区域对86A的磁带MT上的几何特性进行说明。

作为一例，如图28所示，线状磁化区域对86A的磁带MT上的几何特性能够使用假想线状区域对62来表现。在此，通过以中心O1为旋转轴使假想线状区域62A及62B的对称轴SA1相对于假想直线C1以角度a(例如，10度)倾斜，使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜。然后，使该状态下的假想线状区域对62的假想线状区域62A中所包含的所有直线62A1的一端的宽度方向WD的位置对齐，且使假想线状区域62A中所包含的所有直线62A1的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。并且，同样地，使假想线状区域对62的假想线状区域62B中所包含的所有直线62B1的一端的宽度方向WD的位置对齐，且使假想线状区域62B中所包含的所有直线62B1的另一端的宽度方向WD的位置也对齐。由此，假想线状区域62A及假想线状区域62B在宽度方向WD上偏离。

即，假想线状区域62A的一端与假想线状区域62B的一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int1偏离，假想线状区域62A的另一端与假想线状区域62B的另一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int2偏离。

如此获得的假想线状区域对62的几何特性(即，假想伺服图案的几何特性)相当于实际伺服图案84A的几何特性。即，线状磁化区域对86A的磁带MT上的几何特性相当于如下几何特性：当通过使相对于假想直线C1以线对称倾斜的假想线状区域62A及假想线状区域62B的对称轴SA1相对于假想直线C1倾斜而使假想线状区域对62的整体相对于假想直线C1倾斜时，基于假想线状区域对62的几何特性。

假想线状区域62A与伺服图案84A的线状磁化区域86A1对应，假想线状区域62B与伺服图案84A的线状磁化区域86A2对应。因此，对伺服带SB记录伺服图案84A，该伺服图案84A由线状磁化区域86A1的一端与线状磁化区域86A2的一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int1偏离且线状磁化区域86A1的另一端与线状磁化区域86A2的另一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int2偏离的线状磁化区域对86A构成(参考图27)。

另外，线状磁化区域对86B与线状磁化区域对86A相比，不同点仅在于，代替5根磁化直线86A1a而具有4根磁化直线86B1a及代替5根磁化直线86A2a而具有4根磁化直线86B2a(参考图27)。因此，对伺服带SB记录伺服图案84B，该伺服图案84B由线状磁化区域86B1的一端与线状磁化区域86B2的一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int1偏离且线状磁化区域86B1的另一端与线状磁化区域86B2的另一端在宽度方向WD上以恒定的间隔Int2偏离的线状磁化区域对86B构成(参考图27)。

作为一例，如图29所示，在磁带MT中沿着宽度方向WD形成有多个伺服带SB，在伺服带SB之间处于对应关系的帧82在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间在磁带MT的长边方向LD上以既定间隔偏离。这表示在伺服带SB之间处于对应关系的伺服图案84在宽度方向WD上相邻的伺服带SB之间沿着磁带MT的长边方向LD以在上述第1变形例中说明的既定间隔偏离。既定间隔由在上述第3变形例中说明的数式(1)规定。

与上述第3变形例同样地，在本第7变形例中，作为一例，如图30所示，倾斜机构49以使假想直线C3相对于假想直线C1向正向的上游侧以角度β(即，从图30的纸面表面侧观察时的向逆时针方向以角度β)倾斜的方式使磁头28以旋转轴RA为中心在磁带MT上偏斜。即，在磁带MT上磁头28向正向的上游侧以角度β倾斜。在该状态下，当通过伺服读取元件SR在宽度方向WD上重叠的范围RG内沿着长边方向LD对线状磁化区域86A1及86A2读取了伺服图案84A时，与图29所示的例子相比，在来源于线状磁化区域86A1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域86A2的伺服图案信号之间由方位角损失引起的偏差变小。并且，在通过伺服读取元件SR读取了伺服图案84B(即，线状磁化区域对86B)的情况下，也同样地，在来源于线状磁化区域86B1的伺服图案信号与来源于线状磁化区域86B2的伺服图案信号之间由方位角损失引起的偏差变小。

[第8变形例]

另外，在上述第7变形例中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧82划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图31所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧88划分。帧88由一组伺服图案90规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案90。与多个伺服图案84(参考图27)同样地，多个伺服图案90沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图31所示的例子中，作为一组伺服图案90的一例，示出了由伺服图案90A及90B构成的对。伺服图案90A及90B分别为以M字状磁化的伺服图案。伺服图案90A及90B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧88内，伺服图案90A位于正向的上游侧，伺服图案90B位于正向的下游侧。

作为一例，如图32所示，伺服图案90由线状磁化区域对92构成。线状磁化区域对92分类为线状磁化区域对92A及线状磁化区域对92B。

伺服图案90A由一组线状磁化区域对92A构成。一组线状磁化区域对92A以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

在图32所示的例子中，作为线状磁化区域对92A的一例，示出了由线状磁化区域92A1及92A2构成的对。线状磁化区域对92A以与在上述第7变形例中说明的线状磁化区域对86A(参考图27)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对86A相同的几何特性。即，线状磁化区域92A1以与在上述第7变形例中说明的线状磁化区域86A1(参考图27)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86A1相同的几何特性，线状磁化区域92A2以与在上述第7变形例中说明的线状磁化区域86A2(参考图27)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86A2相同的几何特性。

伺服图案90B由一组线状磁化区域对92B构成。一组线状磁化区域对92B以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。

在图32所示的例子中，作为线状磁化区域对92B的一例，示出了由线状磁化区域92B1及92B2构成的对。线状磁化区域对92B以与在上述第7变形例中说明的线状磁化区域对86B(参考图27)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对86B相同的几何特性。即，线状磁化区域92B1以与在上述第7变形例中说明的线状磁化区域86B1(参考图27)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86B1相同的几何特性，线状磁化区域92B2以与在上述第7变形例中说明的线状磁化区域86B2(参考图27)相同的方式构成，且具有与线状磁化区域86B2相同的几何特性。

[第9变形例]

在图31所示的例子中，举出了伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧88划分的方式例，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图33所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧94划分。帧94由一组伺服图案96规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案96。与多个伺服图案90(参考图31)同样地，多个伺服图案96沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

在图33所示的例子中，作为一组伺服图案96的一例，示出了伺服图案96A及96B。伺服图案96A及96B分别为以N字状磁化的伺服图案。伺服图案96A及96B沿着磁带MT的长边方向LD相邻，在帧94内，伺服图案96A位于正向的上游侧，伺服图案96B位于正向的下游侧。

作为一例，如图34所示，伺服图案96由线状磁化区域组98构成。线状磁化区域组98分类为线状磁化区域组98A及线状磁化区域组98B。

伺服图案96A由线状磁化区域组98A构成。线状磁化区域组98A由线状磁化区域98A1、98A2及98A3构成。线状磁化区域98A1、98A2及98A3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域98A1、98A2及98A3从正向的上游侧以线状磁化区域98A1、98A2及98A3的顺序配置。

线状磁化区域98A1及98A2以与图32所示的线状磁化区域对92A相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对92A相同的几何特性。即，线状磁化区域98A1以与图32所示的线状磁化区域92A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92A1相同的几何特性，线状磁化区域98A2以与图32所示的线状磁化区域92A2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92A2相同的几何特性。并且，线状磁化区域98A3以与线状磁化区域92A1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92A1相同的几何特性。

伺服图案96B由线状磁化区域组98B构成。线状磁化区域组98B由线状磁化区域98B1、98B2及98B3构成。线状磁化区域98B1、98B2及98B3以沿着磁带MT的长边方向LD相邻的状态配置。线状磁化区域98B1、98B2及98B3从正向的上游侧以线状磁化区域98B1、98B2及98B3的顺序配置。

线状磁化区域98B1及98B2以与图32所示的线状磁化区域对92B相同的方式构成，且具有与线状磁化区域对92B相同的几何特性。即，线状磁化区域98B1以与图32所示的线状磁化区域92B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92B1相同的几何特性，线状磁化区域98B2以与图32所示的线状磁化区域92B2相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92B2相同的几何特性。并且，线状磁化区域98B3以与线状磁化区域92B1相同的方式构成，且具有与线状磁化区域92B1相同的几何特性。

[第10变形例]

在上述第3变形例(例如，图17所示的例子)中，举出伺服带SB沿着磁带MT的长边方向LD由多个帧51划分的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，如图35所示，伺服带SB可以沿着磁带MT的长边方向LD由帧560划分。帧560由一组伺服图案580规定。在伺服带SB中沿着磁带MT的长边方向LD记录有多个伺服图案580。与多个伺服图案52同样地，多个伺服图案580沿着磁带MT的长边方向LD以恒定的间隔配置。

伺服图案580由线状磁化区域对600构成。线状磁化区域对600分类为线状磁化区域对600A及线状磁化区域对600B。即，线状磁化区域对600与线状磁化区域对60(参考图17)相比，不同点在于，代替线状磁化区域对60A而具有线状磁化区域对600A的点及代替线状磁化区域对60B而具有线状磁化区域对600B的点。

伺服图案580A由线状磁化区域对600A构成。另外，线状磁化区域对600A与线状磁化区域对60A相比，不同点在于，代替线状磁化区域60A1而具有线状磁化区域600A1的点及代替线状磁化区域60A2而具有线状磁化区域600A2的点。线状磁化区域600A1及600A2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域600A1及600A2相对于假想直线C1向相反的方向倾斜。线状磁化区域600A1及600A2互不平行，且相对于假想直线C1以不同的角度倾斜。线状磁化区域600A2与线状磁化区域600A1相比，相对于假想直线C1的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域600A2相对于假想直线C1的角度小于线状磁化区域600A1相对于假想直线C1的角度。并且，线状磁化区域600A2的总长度短于线状磁化区域600A1的总长度。

线状磁化区域600A1与线状磁化区域60A1相比，不同点在于，代替多个磁化直线60A1a而具有多个磁化直线600A1a。线状磁化区域600A2与线状磁化区域60A2相比，不同点在于，代替多个磁化直线60A2a而具有多个磁化直线600A2a。

在线状磁化区域600A1包含多个磁化直线600A1a，在线状磁化区域600A2包含多个磁化直线600A2a。线状磁化区域600A1中所包含的磁化直线600A1a的根数与线状磁化区域600A2中所包含的磁化直线600A2a的根数相同。

线状磁化区域600A1为相当于第1线对称区域的线状磁化区域。第1线对称区域是指，形成为在上述第3变形例中说明的线状磁化区域60A2(参考图17)相对于假想直线C1线对称的区域。即，线状磁化区域600A1也可以说是由线状磁化区域60A2(参考图17)的镜像的几何特性(即，通过以假想直线C1为线对称轴进行相对于线状磁化区域60A2(参考图17)的镜像而获得的几何特性)形成的线状磁化区域。

线状磁化区域600A2为相当于第2线对称区域的线状磁化区域。第2线对称区域是指，形成为在上述第3变形例中说明的线状磁化区域60A1(参考图17)相对于假想直线C1线对称的区域。即，线状磁化区域600A2也可以说是由线状磁化区域60A1(参考图17)的镜像的几何特性(即，通过以假想直线C1为线对称轴进行相对于线状磁化区域60A1(参考图17)的镜像而获得的几何特性)形成的线状磁化区域。

即，在图18所示的例子中，当通过使假想线状区域62A及62B的对称轴SA1相对于假想直线C1以中心O1为旋转轴向从图18的纸面表面侧观察时的顺时针方向以角度a倾斜而使假想线状区域对62整体相对于假想直线C1倾斜时，通过假想线状区域62A的两端的位置与假想线状区域62B的两端的位置对齐而获得的假想线状区域对62的几何特性相当于伺服图案580A的几何特性。

伺服图案580B由线状磁化区域对600B构成。线状磁化区域对600B与线状磁化区域对60B相比，不同点在于，代替线状磁化区域60B1而具有线状磁化区域600B1的点及代替线状磁化区域60B2而具有线状磁化区域600B2的点。线状磁化区域600B1及600B2分别为以线状磁化的区域。

线状磁化区域600B1及600B2相对于假想直线C2向相反的方向倾斜。线状磁化区域600B1及600B2互不平行，且相对于假想直线C2以不同的角度倾斜。线状磁化区域600B2与线状磁化区域600B1相比，相对于假想直线C2的倾斜角度陡。这里的“陡”例如是指，线状磁化区域600B2相对于假想直线C2的角度小于线状磁化区域600B1相对于假想直线C2的角度。

在线状磁化区域600B1包含多个磁化直线600B1a，在线状磁化区域600B2包含多个磁化直线600B2a。线状磁化区域600B1中所包含的磁化直线600B1a的根数与线状磁化区域600B2中所包含的磁化直线600B2a的根数相同。

伺服图案580B中所包含的磁化直线600B1a及600B2a的总根数与伺服图案580A中所包含的磁化直线600A1a及600A2a的总根数不同。在图35所示的例子中，伺服图案580A中所包含的磁化直线600A1a及600A2a的总根数为10根，相对于此，伺服图案580B中所包含的磁化直线600B1a及600B2a的总根数为8根。

线状磁化区域600B1为得到磁化的4根直线即磁化直线600B1a的集合，线状磁化区域600B2为得到磁化的4根直线即磁化直线600B2a的集合。在伺服带SB内，在宽度方向WD上，线状磁化区域600B1的两端的位置(即，4根磁化直线600B1a各自的两端的位置)与线状磁化区域600B2的两端的位置(即，4根磁化直线600B2a各自的两端的位置)对齐。

如此，伺服图案580A的几何特性相当于线状磁化区域60A2(参考图17)的镜像的几何特性及线状磁化区域60A2(参考图17)的镜像的几何特性(即，图17所示的伺服图案53A的镜像的几何特性)，伺服图案580B的几何特性相当于线状磁化区域60B2(参考图17)的镜像的几何特性及线状磁化区域60B2(参考图17)的镜像的几何特性(即，图17所示的伺服图案53B的镜像的几何特性)。但是，这只不过是一例，代替伺服图案580，可以适用由图22所示的伺服图案72的镜像的几何特性、图24所示的伺服图案78的镜像的几何特性、图27所示的伺服图案84的镜像的几何特性、图31所示的伺服图案90的镜像的几何特性或图33所示的伺服图案96的镜像的几何特性形成的伺服图案。

另外，如此，即使在改变了伺服图案的几何特性的情况下，倾斜机构49根据伺服图案的几何特性变更假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜(即，方位角)的方向及倾斜的角度(例如，图21所示的角度β)。即，即使在改变了伺服图案的几何特性的情况下，也与上述第3变形例同样地，倾斜机构49在控制装置30A的控制下，通过使磁头28在磁带MT的表面31上以旋转轴RA为中心旋转，以减小伺服图案信号的偏差的方式变更假想直线C3相对于假想直线C4的倾斜(即，方位角)的方向及倾斜的角度(例如，图21所示的角度β)。

[其他变形例]

在上述实施方式中，举出磁头28对磁带MT的表面31进行磁处理的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此。例如，可以是如下：磁带MT的背面33由磁性层的面形成，磁头28对背面33进行磁处理。

在上述实施方式中，例示了磁带盒12相对于磁带驱动器14插拔自如的磁带系统10，但本发明的技术并不限定于此。例如，即便是对磁带驱动器14事先装填有至少一个磁带盒12的磁带系统(即，至少一个磁带盒12与磁带驱动器14或磁带MT事先(例如，对数据带DB记录数据之前)一体化的磁带系统)，本发明的技术仍成立。

在上述实施方式中，举出控制装置30(参考图3)通过ASIC来实现的方式例进行了说明，但本发明的技术并不限定于此，控制装置30可以通过软件结构来实现。当通过软件结构来实现控制装置30A时，例如，如图36所示，控制装置30具备计算机200。计算机200具有处理器200A(例如，单个CPU或多个CPU等)、NVM200B及RAM200C。处理器200A、NVM200B及RAM200C与总线200D连接。在计算机可读取的非暂时性存储介质即便携式存储介质202(例如，SSD或USB存储器等)中存储有程序PG。

存储于存储介质202的程序PG安装于计算机200。处理器200A按照程序PG执行数据读写处理(参考图13A及图13B)。

并且，可以在经由通信网(省略图示)与计算机200连接的其他计算机或服务器装置等的存储装置中存储程序PG，根据来自控制装置30的请求下载程序PG，并安装于计算机200。

在图36所示的例子中，例示了计算机200，但本发明的技术并不限定于此，代替计算机200，可以适用包含ASIC、FPGA和/或PLC的器件。并且，代替计算机200，也可以使用硬件结构及软件结构的组合。

作为执行控制装置30(参考图3)的数据读写处理的硬件资源，能够使用如下各种处理器。作为处理器，例如可举出作为通过执行软件即程序而执行数据读写处理的硬件资源发挥作用的通用处理器即CPU。并且，作为处理器，例如可举出FPGA、PLC或所例示的ASIC等具有为了执行特定处理而专门设计的电路结构的处理器即专用电子电路。在任何处理器中内置或连接有存储器，并且通过在任何处理器中也使用存储器来执行数据读写处理。

执行控制装置30的数据读写处理的硬件资源可以由这些各种处理器中的一个构成，也可以由相同种类或不同种类的两个以上的处理器的组合(例如，多个FPGA的组合或CPU与FPGA的组合)构成。

并且，执行控制装置30的数据读写处理的硬件资源可以是一个处理器。作为由一个处理器构成的例子，第1，有由一个以上的CPU与软件的组合来构成一个处理器，并且该处理器作为执行数据读写处理的硬件资源而发挥作用的方式。第2，有以SoC等为代表，使用通过一个IC芯片来实现包含执行数据读写处理的多个硬件资源的整个系统的功能的处理器的方式。如此，控制装置30的数据读写处理作为硬件资源使用一个以上上述各种处理器来实现。

而且，更具体而言，作为这些各种处理器的硬件结构，能够使用组合了半导体元件等电路元件的电子电路。并且，上述数据读写处理只不过是一例。因此，在不脱离主旨的范围内，可以删除不需要的步骤，或追加新的步骤，或调换处理顺序是不言而喻的。

以上示出的记载内容及图示内容为对本发明的技术所涉及的部分的详细说明，只不过是本发明的技术的一例。例如，与上述的结构、功能、作用及效果相关的说明为与本发明的技术所涉及的部分的结构、功能、作用及效果的一例相关的说明。因此，在不脱离本发明的技术的主旨的范围内，可以对以上示出的记载内容及图示内容删除不需要的部分，或追加新的要素，或进行置换是不言而喻的。并且，为了避免错综复杂，并且便于理解本发明的技术所涉及的部分，在以上示出的记载内容及图示内容中，在能够实施本发明的技术的基础上，省略了与无需特别说明的技术常识等相关的说明。

在本说明书中，“A和/或B”与“A及B中的至少一个”含义相同。即，“A和/或B”表示可以仅是A，也可以仅是B，还可以是A及B的组合。并且，在本说明书中，当三个以上的事体用“和/或”来连结而表现时，也适用与“A和/或B”相同的思考方式。

本说明书中所记载的所有的文献、专利申请及技术标准，通过参考而编入于此的每个文献、专利申请及技术标准与具体且个别记载时相同程度地通过参考编入于本说明书中。

符号说明

10-磁带系统，12-磁带盒，13-管理信息，13A-规格信息，14-磁带驱动器，16-壳体，16A-右壁，16B-开口，18-上壳体，20-下壳体，22-送出卷轴，22A-卷轴毂，22B1-上凸缘，22B2-下凸缘，24-盒式存储器，33-背面，25-控制器，26-输送装置，28、300-磁头，29A-磁性层，29B-基膜，29C-背涂层，30-控制装置，31-表面，33-背面，34-UI系统装置，35-通信接口，36-送出马达，37-外部装置，38-卷取卷轴，40-卷取马达，42、302-磁性元件单元，44-托架，46-非接触式读写装置，48A1、48B、48C-移动机构，48A-移动致动器，49-倾斜机构，49A-倾斜致动器，50、51、70、76、82、88、94、560-帧，52、52A、52B、53、53A、53B、72、72A、72B、78、78A、78B、84、84A、84B、90、90A、90B、580、580A、580B-伺服图案，54、54A、54B、60、60A、60B、74、74A、74B、86、86A、86B、92、92A、92B、540A、542、600、600A、600B-线状磁化区域对，54A1、54A2、54B1、54B2、60A1、60A2、60B1、60B2、74A1、74A2、74B1、74B2、80A1、80A2、80A3、86A1、86A2、86B1、86B2、92A1、92A2、92B1、92B2、540A1、540A2、600A1、600A2、600B1、600B2-线状磁化区域，54A1a、54A2a、54B1a、54B2a、60A1a、60A2a、60B1a、60B2a、86A1a、86A2a、86B1a、86B2a、540A1a、540A2a、542A、542B、600A1a、600A2a、600B1a、600B2a-磁化直线，56、56A-第1区域，58、58A-第2区域，62-假想线状区域对，62A、62B-假想线状区域，62A1、62B1-直线，68-假想直线区域对，68A、68B-假想直线区域，80、80A、80B-线状磁化区域组，200-计算机，200A-处理器，200B-NVM，200C-RAM，200D-总线，202-存储介质，A、B、C-箭头，a、α、β-角度，C1、C2、C3、C4-假想直线，CL-中心线，DB、DB1、DB2-数据带，DRW、304-数据读写元件，DSB-数据子带，FB-前进用带，RB-反转用带，TR-磁道，GR-导辊，Int1、Int2-间隔，L0、L1、L2-线段，LD-长边方向，MF-磁场，MT-磁带，O1、O2-中心，PG-程序，R、R1、R2、SR-伺服读取元件，RA-旋转轴，RG-范围，SA1、SA2-对称轴，SB、SB1、SB2、SB3-伺服带，SBP-伺服带间距，SR1-第1伺服读取元件，SR2-第2伺服读取元件，SR3-第3伺服读取元件，SR4-第4伺服读取元件，SRP1-第1伺服读取元件对，SRP2-第2伺服读取元件对，WD-宽度方向。

Claims (28)

1.一种磁头，其具备：

第1伺服读取元件对，从形成有数据带及隔着所述数据带相邻的一对伺服带的磁带读取所述一对伺服带，所述数据带具有多个磁道；

第2伺服读取元件对，以与所述第1伺服读取元件对不同的定时读取所述一对伺服带；及

多个磁性元件，以直线状配置，并且对所述多个磁道中的与所述第1伺服读取元件对或所述第2伺服读取元件对的读取结果相对应的磁道进行磁处理，

所述第1伺服读取元件对由第1伺服读取元件及第2伺服读取元件构成，

所述第2伺服读取元件对由第3伺服读取元件及第4伺服读取元件构成，

所述第1伺服读取元件及所述第3伺服读取元件配置于所述多个磁性元件的一端侧，并且读取所述一对伺服带中的一个伺服带，

所述第2伺服读取元件及所述第4伺服读取元件配置于所述多个磁性元件的另一端侧，并且读取所述一对伺服带中的另一个伺服带。

2.根据权利要求1所述的磁头，其中，

所述数据带沿着所述磁带的宽度方向分为前进用区域及反转用区域这两个部分，

当所述多个磁性元件对所述前进用区域进行所述磁处理时，所述第1伺服读取元件对读取所述一对伺服带，

当所述多个磁性元件对所述反转用区域进行所述磁处理时，所述第2伺服读取元件对读取所述一对伺服带。

3.根据权利要求2所述的磁头，其中，

当所述多个磁性元件对所述前进用区域进行所述磁处理时，所述第1伺服读取元件读取在所述磁带的宽度方向上超过所述一个伺服带的一半的区域，且所述第2伺服读取元件读取在所述磁带的宽度方向上超过所述另一个伺服带的一半的区域。

4.根据权利要求2或3所述的磁头，其中，

当所述多个磁性元件对所述反转用区域进行所述磁处理时，所述第3伺服读取元件读取在所述磁带的宽度方向上超过所述一个伺服带的一半的区域，且所述第4伺服读取元件读取在所述磁带的宽度方向上超过所述另一个伺服带的一半的区域。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的磁头，其中，

所述伺服带沿着所述磁带的宽度方向分为第1区域及第2区域这两个部分，

所述数据带沿着所述磁带的宽度方向分为前进用区域及反转用区域这两个部分，

当所述多个磁性元件对所述前进用区域进行所述磁处理时，所述第1伺服读取元件对读取所述第1区域，

当所述多个磁性元件对所述反转用区域进行所述磁处理时，所述第1伺服读取元件对读取所述第2区域。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的磁头，其中，

当所述多个磁性元件为与第1通道数对应的个数时，所述第1伺服读取元件对及所述第2伺服读取元件对中的所述第1伺服读取元件对读取所述一对伺服带，

当所述多个磁性元件为与所述第1通道数的一半的通道数即第2通道数对应的个数时，所述第1伺服读取元件对及所述第2伺服读取元件对以不同的定时读取所述一对伺服带。

7.根据权利要求6所述的磁头，其中，

所述伺服带沿着所述磁带的宽度方向分为第1区域及第2区域这两个部分，

所述数据带沿着所述磁带的宽度方向分为前进用区域及反转用区域这两个部分，

当所述多个磁性元件为与所述第1通道数对应的个数，且所述多个磁性元件对所述前进用区域进行所述磁处理时，所述第1伺服读取元件对读取所述第1区域，

当所述多个磁性元件为与所述第1通道数对应的个数，且所述多个磁性元件对所述反转用区域进行所述磁处理时，所述第1伺服读取元件对读取所述第2区域。

8.根据权利要求6所述的磁头，其中，

所述数据带沿着所述磁带的宽度方向分为前进用区域及反转用区域这两个部分，

当所述多个磁性元件为与所述第2通道数对应的个数，且所述多个磁性元件对所述前进用区域进行所述磁处理时，所述第1伺服读取元件对读取所述一对伺服带，

当所述多个磁性元件为与所述第2通道数对应的个数，且所述多个磁性元件对所述反转用区域进行所述磁处理时，所述第2伺服读取元件对读取所述一对伺服带。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的磁头，其中，

所述多个磁性元件为与第1通道数对应的个数，

当所述多个磁道为与所述第1通道数对应的条数时，所述多个磁性元件均被激活，

当所述多个磁道为与所述第1通道数的一半的通道数即第2通道数对应的条数时，仅所述多个磁性元件中的与所述第2通道数对应的个数的磁性元件被激活。

10.根据权利要求6所述的磁头，其中，

所述第1通道数为64通道，

所述第2通道数为32通道。

11.一种磁带，其形成有通过权利要求1至10中任一项所述的磁头读取的所述数据带及所述一对伺服带。

12.根据权利要求11所述的磁带，其中，

所述一对伺服带以多个通道数来兼用。

13.根据权利要求12所述的磁带，其中，

所述多个通道数为32通道及64通道。

14.根据权利要求13所述的磁带，其中，

所述磁带的宽度方向上的所述伺服带的长度在所述多个磁性元件为与32通道对应的个数的情况及所述多个磁性元件为与64通道对应的个数的情况下是共同的长度。

15.根据权利要求14所述的磁带，其中，

当所述多个磁性元件为与32通道对应的个数，且对所述数据带的所述磁处理沿着前进方向进行时，所述伺服带由所述第1伺服读取元件对读取，

当所述多个磁性元件为与32通道对应的个数，且对所述数据带的所述磁处理沿着反转方向进行时，所述伺服带由所述第2伺服读取元件对读取。

16.根据权利要求14或15所述的磁带，其中，

当所述多个磁性元件为与64通道对应的个数，且对所述数据带的所述磁处理沿着前进方向进行时，所述伺服带沿着所述磁带的宽度方向分为两个部分而获得的一个区域由所述第1伺服读取元件对读取，

当所述多个磁性元件为与64通道对应的个数，且对所述数据带的所述磁处理沿着反转方向进行时，所述伺服带沿着所述磁带的宽度方向分为两个部分而获得的另一个区域由所述第1伺服读取元件对读取。

17.一种磁带盒，其容纳有权利要求11至16中任一项所述的磁带。

18.一种磁带驱动器，其具备：

权利要求1至10中任一项所述的磁头；及

控制装置，控制所述磁带及所述磁头。

19.一种磁带读取方法，其包括如下步骤：

磁头所包含的第1伺服读取元件及第3伺服读取元件配置于多个磁性元件的一端侧，并且读取一对伺服带中的一个伺服带；以及

所述磁头所包含的第2伺服读取元件及第4伺服读取元件配置于所述多个磁性元件的另一端侧，并且读取所述一对伺服带中的另一个伺服带，

其中所述磁头具备：第1伺服读取元件对，从形成有数据带及隔着所述数据带相邻的所述一对伺服带的磁带读取所述一对伺服带，所述数据带具有多个磁道；第2伺服读取元件对，以与所述第1伺服读取元件对不同的定时读取所述一对伺服带；及所述多个磁性元件，以直线状配置，并且对所述多个磁道中的与所述第1伺服读取元件对或所述第2伺服读取元件对的读取结果相对应的磁道进行磁处理，所述第1伺服读取元件对由所述第1伺服读取元件及所述第2伺服读取元件构成，所述第2伺服读取元件对由所述第3伺服读取元件及所述第4伺服读取元件构成。

20.根据权利要求19所述的磁带读取方法，其中，

所述数据带沿着所述磁带的宽度方向分为前进用区域及反转用区域这两个部分，

所述磁带读取方法具备如下步骤：

当所述多个磁性元件对所述前进用区域进行所述磁处理时，所述第1伺服读取元件对读取所述一对伺服带；及

当所述多个磁性元件对所述反转用区域进行所述磁处理时，所述第2伺服读取元件对读取所述一对伺服带。

21.根据权利要求20所述的磁带读取方法，其具备如下步骤：

当所述多个磁性元件对所述前进用区域进行所述磁处理时，所述第1伺服读取元件读取在所述磁带的宽度方向上超过所述一个伺服带的一半的区域，且所述第2伺服读取元件读取在所述磁带的宽度方向上超过所述另一个伺服带的一半的区域。

22.根据权利要求20或21所述的磁带读取方法，其中，

当所述多个磁性元件对所述反转用区域进行所述磁处理时，所述第2伺服读取元件读取在所述磁带的宽度方向上超过所述一个伺服带的一半的区域，且所述第4伺服读取元件读取在所述磁带的宽度方向上超过所述另一个伺服带的一半的区域。

23.根据权利要求19至21中任一项所述的磁带读取方法，其中，

所述伺服带沿着所述磁带的宽度方向分为第1区域及第2区域这两个部分，

所述数据带沿着所述磁带的宽度方向分为前进用区域及反转用区域这两个部分，

所述磁带读取方法具备如下步骤：

当所述多个磁性元件对所述前进用区域进行所述磁处理时，所述第1伺服读取元件对读取所述第1区域；及

当所述多个磁性元件对所述反转用区域进行所述磁处理时，所述第1伺服读取元件对读取所述第2区域。

24.根据权利要求19至21中任一项所述的磁带读取方法，其具备如下步骤：

当所述多个磁性元件为与第1通道数对应的个数时，所述第1伺服读取元件对及所述第2伺服读取元件对中的所述第1伺服读取元件对读取所述一对伺服带；及

当所述多个磁性元件为与所述第1通道数的一半的通道数即第2通道数对应的个数时，所述第1伺服读取元件对及所述第2伺服读取元件对以不同的定时读取所述一对伺服带。

25.根据权利要求24所述的磁带读取方法，其中，

所述伺服带沿着所述磁带的宽度方向分为第1区域及第2区域这两个部分，

所述数据带沿着所述磁带的宽度方向分为前进用区域及反转用区域这两个部分，

所述磁带读取方法具备如下步骤：

当所述多个磁性元件为与所述第1通道数对应的个数，且所述多个磁性元件对所述前进用区域进行所述磁处理时，所述第1伺服读取元件对读取所述第1区域；及

当所述多个磁性元件为与所述第1通道数对应的个数，且所述多个磁性元件对所述反转用区域进行所述磁处理时，所述第1伺服读取元件对读取所述第2区域。

26.根据权利要求24所述的磁带读取方法，其中，

所述数据带沿着所述磁带的宽度方向分为前进用区域及反转用区域这两个部分，

所述磁带读取方法具备如下步骤：

当所述多个磁性元件为与所述第2通道数对应的个数，且所述多个磁性元件对所述前进用区域进行所述磁处理时，所述第1伺服读取元件对读取所述一对伺服带；及

当所述多个磁性元件为与所述第2通道数对应的个数，且所述多个磁性元件对所述反转用区域进行所述磁处理时，所述第2伺服读取元件对读取所述一对伺服带。

27.根据权利要求19至21中任一项所述的磁带读取方法，其中，

所述多个磁性元件为与第1通道数对应的个数，

所述磁带读取方法具备如下步骤：

当所述多个磁道为与所述第1通道数对应的条数时，所述多个磁性元件均被激活；以及

当所述多个磁道为与所述第1通道数的一半的通道数即第2通道数对应的条数时，仅所述多个磁性元件中的与所述第2通道数对应的个数的磁性元件被激活。

28.根据权利要求24所述的磁带读取方法，其中，

所述第1通道数为64通道，

所述第2通道数为32通道。