CN116338431A - 电气检查方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的电气检查方法具备如下步骤:准备晶圆(100),该晶圆构成有互相相对的第1镜部与第2镜部之间的距离通过静电力而变化的多个法布里‑帕罗干涉滤光器部;及检查多个法布里‑帕罗干涉滤光器部的各个的电气特性。
Description
本申请是申请日为2018年11月9日、申请号为201880075447.1、发明名称为电气检查方法的专利申请的分案申请。
技术领域
本公开涉及一种用以获得法布里-帕罗干涉滤光器的电气检查方法。
背景技术
作为现有的法布里-帕罗干涉滤光器,已知有具备基板、及在基板上经由空隙互相相对的固定镜及可动镜的滤光器(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特表2013-506154号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
如上述的法布里-帕罗干涉滤光器由于为微细的构造体,故在制造法布里-帕罗干涉滤光器时,提高制造效率及良率的两者较困难。
因此,本公开的目的在于提供一种能够效率良好且良率良好地获得多个法布里-帕罗干涉滤光器的电气检查方法。
[解决问题的技术手段]
本公开的一方面的电气检查方法具备如下步骤:准备晶圆,该晶圆具备基板层、及二维配置于基板层上的多对第1镜部及第2镜部,且通过在互相相对的第1镜部与第2镜部之间形成空隙,而构成有互相相对的第1镜部与第2镜部之间的距离通过静电力而变化的多个法布里-帕罗干涉滤光器部;及检查多个法布里-帕罗干涉滤光器部的各个的电气特性。
该电气检查方法中,针对成为多个法布里-帕罗干涉滤光器的多个法布里-帕罗干涉滤光器部,在晶圆状态下实施电气特性的检查。因此,该电气检查方法能够效率良好且良率良好地获得多个法布里-帕罗干涉滤光器。其理由如下所述。法布里-帕罗干涉滤光器是在经过直至自晶圆切出并装配于例如光检测装置为止的各步骤期间,特性易变化的元件。因此,认为需要在最终阶段的装配时检查法布里-帕罗干涉滤光器的特性。然而,本发明人等发现,晶圆状态下为良品的法布里-帕罗干涉滤光器部即使其后特性发生变化,也不易成为不良品的法布里-帕罗干涉滤光器。因此,通过在晶圆状态下检查各法布里-帕罗干涉滤光器部的电气特性,可在初始阶段排除如晶圆状态下为不良品的法布里-帕罗干涉滤光器直至最终阶段的装配的浪费,且可提高良品的法布里-帕罗干涉滤光器直至最终阶段的装配的概率。
并且,根据该电气检查方法,可效率良好且精度良好地检查各法布里-帕罗干涉滤光器部的电气特性。其理由如下所述。例如,若要针对各法布里-帕罗干涉滤光器实施电气特性的检查,则例如为了使一对探针确实地与法布里-帕罗干涉滤光器的一对端子接触,有必要针对每个法布里-帕罗干涉滤光器调整支撑角度。通过在晶圆状态下检查各法布里-帕罗干涉滤光器部的电气特性,而可减少此种调整的负担。另外,在法布里-帕罗干涉滤光器中,电气特性也根据温度等环境条件变化。因此,若针对各法布里-帕罗干涉滤光器实施电气特性的检查,则成为检查结果的前提的环境条件在法布里-帕罗干涉滤光器间容易变得不同。通过在晶圆状态下检查各法布里-帕罗干涉滤光器部的电气特性,可在稳定的环境条件下获得检查结果。
本公开的一方面的电气检查方法中,也可在检查电气特性的步骤中,以使静电力产生而在设置于多个法布里-帕罗干涉滤光器部的各个的一对端子间测定电容。由此,可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部,检查第2镜部有无破损、设置于各法布里-帕罗干涉滤光器部的配线有无断线等。
本公开的一方面的电气检查方法中,也可在检查电气特性的步骤中,以使静电力产生而对设置于多个法布里-帕罗干涉滤光器部的各个的一对端子间施加电压并测定漏电流。由此,可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部,检查异物有无混入至形成于互相相对的第1镜部与第2镜部之间的空隙、设置于各法布里-帕罗干涉滤光器部的配线有无断线等。
本公开的一方面的电气检查方法也可进而具备拍摄晶圆的步骤。由此,可取得各法布里-帕罗干涉滤光器部的坐标信息,基于所取得的坐标信息,例如使一对探针与各法布里-帕罗干涉滤光器部的一对端子接触。
[发明的效果]
根据本公开,可提供一种能够效率良好且良率良好地获得多个法布里-帕罗干涉滤光器的电气检查方法。
附图说明
图1为自一实施方式的电气检查方法的检查对象即晶圆切出的法布里-帕罗干涉滤光器的俯视图。
图2为图1所示的法布里-帕罗干涉滤光器的仰视图。
图3为沿图1所示的Ⅲ-Ⅲ线的法布里-帕罗干涉滤光器的剖视图。
图4为自一实施方式的电气检查方法的检查对象即晶圆切出的虚设滤光器的剖视图。
图5为一实施方式的电气检查方法的检查对象即晶圆的俯视图。
图6为图5所示的晶圆的一部分的放大俯视图。
图7(a)、(b)为图5所示的晶圆的法布里-帕罗干涉滤光器部及虚设滤光器部的剖视图。
图8(a)、(b)为用以说明图5所示的晶圆的制造方法的剖视图。
图9(a)、(b)为用以说明图5所示的晶圆的制造方法的剖视图。
图10(a)、(b)为用以说明图5所示的晶圆的制造方法的剖视图。
图11(a)、(b)为用以说明图5所示的晶圆的制造方法的剖视图。
图12(a)、(b)为用以说明图5所示的晶圆的制造方法的剖视图。
图13(a)、(b)为用以说明图5所示的晶圆的制造方法的剖视图。
图14为实施一实施方式的电气检查方法的电气检查装置的构成图。
图15为实施一实施方式的电气检查方法的电气检查装置的变形例的构成图。
图16(a)、(b)为用以说明自图5所示的晶圆切出法布里-帕罗干涉滤光器的方法的剖视图。
图17(a)、(b)为用以说明自图5所示的晶圆切出法布里-帕罗干涉滤光器的方法的剖视图。
图18为具备法布里-帕罗干涉滤光器的光检查装置的剖视图。
图19为变形例的晶圆的剖视图。
具体实施方式
以下,参照图式,针对本公开的实施方式进行详细说明。再者,对各图中相同或相当部分标注相同符号,并省略重复说明。
[法布里-帕罗干涉滤光器及虚设滤光器的构成]
在说明一实施方式的电气检查方法之前,针对自其检查对象即晶圆切出的法布里-帕罗干涉滤光器及虚设滤光器的构成进行说明。
如图1、图2及图3所示,法布里-帕罗干涉滤光器1具备基板11。基板11具有互相相对的第1表面11a及第2表面11b。在第1表面11a,依序层叠有反射防止层21、第1层叠体22、中间层23及第2层叠体24。在第1层叠体22与第2层叠体24之间,通过框状的中间层23划分出空隙(气隙)S。
自垂直于第1表面11a的方向观察的情形(俯视)的各部的形状及位置关系为如下。基板11的外缘例如是矩形状。基板11的外缘及第2层叠体24的外缘互相一致。反射防止层21的外缘、第1层叠体22的外缘及中间层23的外缘互相一致。基板11具有位于相对于空隙S的中心较中间层23的外缘更外侧的外缘部11c。外缘部11c例如为框状,自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时包围中间层23。空隙S例如为圆形状。
法布里-帕罗干涉滤光器1在划分于其中央部的光透过区域1a,使具有特定波长的光透过。光透过区域1a例如是圆柱状的区域。基板11例如由硅、石英或玻璃等构成。基板11由硅构成的情形时,反射防止层21及中间层23例如由氧化硅构成。中间层23的厚度例如为数十nm~数十μm。
第1层叠体22中对应于光透过区域1a的部分作为第1镜部31发挥功能。第1镜部31为固定镜。第1镜部31经由反射防止层21配置于第1表面11a。第1层叠体22通过多个多晶硅层25与多个氮化硅层26逐层交替层叠而构成。法布里-帕罗干涉滤光器1中,多晶硅层25a、氮化硅层26a、多晶硅层25b、氮化硅层26b及多晶硅层25c依序层叠于反射防止层21上。构成第1镜部31的多晶硅层25及氮化硅层26的各个的光学厚度优选为中心透过波长的1/4的整数倍。再者,第1镜部31也可不经由反射防止层21,直接配置于第1表面11a上。
第2层叠体24中对应于光透过区域1a的部分作为第2镜部32发挥功能。第2镜部32为可动镜。第2镜部32在相对于第1镜部31的基板11的相反侧,经由空隙S与第1镜部31相对。第1镜部31与第2镜部32互相相对的方向与垂直于第1表面11a的方向平行。第2层叠体24经由反射防止层21、第1层叠体22及中间层23而配置于第1表面11a。第2层叠体24通过多个多晶硅层27与多个氮化硅层28逐层交替层叠而构成。法布里-帕罗干涉滤光器1中,多晶硅层27a、氮化硅层28a、多晶硅层27b、氮化硅层28b及多晶硅层27c依序层叠于中间层23上。构成第2镜部32的多晶硅层27及氮化硅层28的各个的光学厚度优选为中心透过波长的1/4的整数倍。
再者,在第1层叠体22及第2层叠体24中,也可取代氮化硅层,使用氧化硅层。另外,作为构成第1层叠体22及第2层叠体24的各层的材料,也可使用氧化钛、氧化钽、氧化锆、氟化镁、氧化铝、氟化钙、硅、锗、硫化锌等。另外,此处,第1镜部31的空隙S侧的表面(多晶硅层25c的表面)与第2镜部32的空隙S侧的表面(多晶硅层27a的表面)经由空隙S直接相对。但,也可在第1镜部31的空隙S侧的表面及第2镜部32的空隙S侧的表面,形成(不构成镜的)电极层、保护层等。该情形时,第1镜部31及第2镜部32在使这些层介置于之间的状态下,经由空隙S互相相对。换言之,此种情形时,也可实现第1镜部31与第2镜部32经由空隙S的相对。
在第2层叠体24中对应于空隙S的部分(自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时与空隙S重叠的部分),形成有多个贯通孔24b。各贯通孔24b自第2层叠体24的与中间层23为相反侧的表面24a到达空隙S。多个贯通孔24b以对第2镜部32的功能实质不带来影响的程度形成。多个贯通孔24b用于通过蚀刻除去中间层23的一部分以形成空隙S。
第2层叠体24除了第2镜部32以外,进而具备包覆部33及周缘部34。第2镜部32、包覆部33及周缘部34以具有互相相同的层叠构造的一部分且互相连续的方式,一体形成。包覆部33于自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时,包围第2镜部32。包覆部33包覆中间层23的与基板11为相反侧的表面23a、中间层23的侧面23b(外侧的侧面,即与空隙S侧为相反侧的侧面)、第1层叠体22的侧面22a及反射防止层21的侧面21a,到达第1表面11a。即,包覆部33包覆中间层23的外缘、第1层叠体22的外缘及反射防止层21的外缘。
周缘部34于自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时,包围包覆部33。周缘部34位于外缘部11c的第1表面11a上。周缘部34的外缘于自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时,与基板11的外缘一致。周缘部34沿外缘部11c的外缘薄化。即,周缘部34中沿外缘部11c的外缘的部分与周缘部34中除沿外缘的部分外的其他部分相比更薄。法布里-帕罗干涉滤光器1中,周缘部34通过将构成第2层叠体24的多晶硅层27及氮化硅层28的一部分除去而薄化。周缘部34具有与包覆部33连续的非薄化部34a,及包围非薄化部34a的薄化部34b。薄化部34b中,将直接设置于第1表面11a上的多晶硅层27a以外的多晶硅层27及氮化硅层28除去。
第1表面11a至非薄化部34a的与基板11为相反侧的表面34c的高度,低于第1表面11a至中间层23的表面23a的高度。第1表面11a至非薄化部34a的表面34c的高度例如为100nm~5000nm。第1表面11a至中间层23的表面23a的高度例如为500nm~20000nm。薄化部34b的宽度(自垂直于第1表面11a的方向观察的情形的非薄化部34a的外缘与外缘部11c的外缘间的距离)为基板11的厚度的0.01倍以上。薄化部34b的宽度例如为5μm~400μm。基板11的厚度例如为500μm~800μm。
在第1镜部31,以自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时包围光透过区域1a的方式,形成有第1电极12。第1电极12通过在多晶硅层25c掺杂杂质而低电阻化而形成。在第1镜部31,以自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时包含光透过区域1a的方式,形成有第2电极13。第2电极13是通过在多晶硅层25c掺杂杂质而低电阻化而形成。自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时,第2电极13的大小优选为包含光透过区域1a整体的大小,但也可与光透过区域1a的大小大致相同。
在第2镜部32,形成有第3电极14。第3电极14经由空隙S与第1电极12及第2电极13相对。第3电极14是通过在多晶硅层27a掺杂杂质而低电阻化而形成。
一对端子15以隔着光透过区域1a相对的方式设置。各端子15配置于第2层叠体24的表面24a至第1层叠体22的贯通孔内。各端子15经由配线12a与第1电极12电连接。各端子15例如通过铝或其合金等的金属膜而形成。
一对端子16以隔着光透过区域1a相对的方式设置。各端子16配置于第2层叠体24的表面24a至第1层叠体22的贯通孔内。各端子16经由配线13a与第2电极13电连接,且经由配线14a与第3电极14电连接。端子16例如通过铝或其合金等的金属膜而形成。一对端子15相对的方向与一对端子16相对的方向正交(参照图1)。
在第1层叠体22的表面22b,设有多个沟槽17、18。沟槽17以包围配线13a中与端子16的连接部分的方式呈环状延伸。沟槽17将第1电极12与配线13a电连接。沟槽18沿第1电极12的内缘呈环状延伸。沟槽18将第1电极12与第1电极12内侧的区域(第2电极13)电绝缘。各沟槽17、18内的区域可为绝缘材料,也可为空隙。
在第2层叠体24的表面24a,设有沟槽19。沟槽19以包围端子15的方式呈环状延伸。沟槽19将端子15与第3电极14电绝缘。沟槽19内的区域可为绝缘材料,也可为空隙。
在基板11的第2表面11b,依序层叠有反射防止层41、第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44。反射防止层41及中间层43各自具有与反射防止层21及中间层23相同的构成。第3层叠体42及第4层叠体44各自具有以基板11为基准而与第1层叠体22及第2层叠体24对称的层叠构造。反射防止层41、第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44具有抑制基板11翘曲的功能。
第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44沿外缘部11c的外缘薄化。即,第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44中沿外缘部11c的外缘的部分,与第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44中除沿外缘的部分外的其他部相比变薄。法布里-帕罗干涉滤光器1中,第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44在自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时与薄化部34b重叠的部分,将第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44的全部除去而被薄化。
在第3层叠体42、中间层43及第4层叠体44,以自垂直于第1表面11a的方向观察的情形时包含光透过区域1a的方式设有开口40a。开口40a具有与光透过区域1a的大小大致相同的直径。开口40a在光出射侧开口。开口40a的底面到达反射防止层41。
在第4层叠体44的光出射侧的表面,形成有遮光层45。遮光层45例如由铝等构成。在遮光层45的表面及开口40a的内表面,形成有保护层46。保护层46包覆第3层叠体42、中间层43、第4层叠体44及遮光层45的外缘,且包覆外缘部11c上的反射防止层41。保护层46例如由氧化铝构成。再者,通过将保护层46的厚度设为1nm~100nm(优选为30nm左右),而可忽视由保护层46引起的光学影响。
在如上构成的法布里-帕罗干涉滤光器1中,若经由一对端子15、16,对第1电极12与第3电极14之间施加电压,则在第1电极12与第3电极14之间产生对应于该电压的静电力。通过该静电力,将第2镜部32朝向固定于基板11的第1镜部31侧牵引,从而调整第1镜部31与第2镜部32间的距离。如此,在法布里-帕罗干涉滤光器1中,第1镜部31与第2镜部32间的距离通过静电力而变化。
透过法布里-帕罗干涉滤光器1的光的波长依存于光透过区域1a的第1镜部31与第2镜部32间的距离。因此,可通过调整施加于第1电极12与第3电极14间的电压,而适当选择透过的光的波长。此时,第2电极13与第3电极14为相同电位。因此,第2电极13作为用于在光透过区域1a中将第1镜部31及第2镜部32保持平坦的补偿电极发挥功能。
在法布里-帕罗干涉滤光器1中,例如通过使施加于法布里-帕罗干涉滤光器1的电压变化(即,使法布里-帕罗干涉滤光器1中第1镜部31与第2镜部32间的距离变化),且通过光检测器检测透过法布里-帕罗干涉滤光器1的光透过区域1a的光,而可获得分光光谱。
如图4所示,虚设滤光器2与上述的法布里-帕罗干涉滤光器1不同点在于,在第2层叠体24未形成多个贯通孔24b,及于中间层23未形成空隙S。虚设滤光器2中,在第1镜部31与第2镜部32之间设有中间层23。即,第2镜部32未在空隙S上悬空,而配置于中间层23的表面23a。
[晶圆的构成]
其次,针对一实施方式的电气检查方法的检查对象即晶圆的构成进行说明。如图5及图6所示,晶圆100具备基板层110。基板层110例如呈圆板状的形状,在其一部分形成有定向平面OF。基板层110例如由硅、石英或玻璃等构成。以下,自基板层110的厚度方向观察的情形时,将通过基板层110的中心且与定向平面OF平行的假想直线称为第1直线3,自基板层110的厚度方向观察的情形时,将通过基板层110的中心且与定向平面OF垂直的假想直线称为第2直线4。
在晶圆100,设有有效区域101及虚设区域102。虚设区域102是沿基板层110的外缘110c(即,晶圆100的外缘100a)的区域。有效区域101是虚设区域102的内侧的区域。虚设区域102在自基板层110的厚度方向观察的情形时,包围有效区域101。虚设区域102与有效区域101邻接。
在有效区域101,设有二维配置的多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A。多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A设置于有效区域101的整体。在虚设区域102,设有二维配置的多个虚设滤光器部2A。多个虚设滤光器部2A设置于虚设区域102中除一对区域102a外的区域。一区域102a是沿定向平面OF的区域。另一区域102a是沿基板层110的外缘110c中定向平面OF的相反侧的部分的区域。在有效区域101与虚设区域102的边界部分,法布里-帕罗干涉滤光器部1A与虚设滤光器部2A邻接。自基板层110的厚度方向观察的情形时,法布里-帕罗干涉滤光器部1A的外形与虚设滤光器部2A的外形相同。多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A及多个虚设滤光器部2A配置成相对于互相正交的第1直线3及第2直线4的各个对称。再者,多个虚设滤光器部2A也可设置于虚设区域102的整体。另外,多个虚设滤光器部2A也可设置于虚设区域102中除任一区域102a外的区域。
多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A是通过将晶圆100沿各线5切断,而成为多个法布里-帕罗干涉滤光器1的预定的部分。多个虚设滤光器部2A是通过将晶圆100沿各线5切断,而成为多个虚设滤光器2的预定的部分。自基板层110的厚度方向观察的情形时,多条线5以沿与定向平面OF平行的方向的方式延伸,多条线5以沿与定向平面OF垂直的方向的方式延伸。作为一例,自基板层110的厚度方向观察的情形时,各滤光器部1A、2A呈矩形状时,各滤光器部1A、2A呈二维矩阵状配置,多条线5以通过相邻的滤光器部1A、1A间、相邻的滤光器部1A、2A间、及相邻的滤光器部2A、2A间的方式,设定为格子状。
图7(a)是法布里-帕罗干涉滤光器部1A的剖视图,图7(b)是虚设滤光器部2A的剖视图。如图7(a)及(b)所示,基板层110是通过将晶圆100沿各线5切断,而成为多个基板11的预定的层。基板层110具有互相相对的第1表面110a及第2表面110b。在基板层110的第1表面110a,设有反射防止层210。反射防止层210是通过将晶圆100沿各线5切断,而成为多个反射防止层21的预定的层。在基板层110的第2表面110b,设有反射防止层410。反射防止层410是通过将晶圆100沿各线5切断,而成为多个反射防止层41的预定的层。
在反射防止层210上,设有器件层200。器件层200具有第1镜层220、中间层230、及第2镜层240。第1镜层220是具有多个第1镜部31的层,且是通过将晶圆100沿各线5切断而成为多个第1层叠体22的预定的层。多个第1镜部31经由反射防止层210二维配置于基板层110的第1表面110a。中间层230是通过将晶圆100沿各线5切断,成为多个中间层23的预定的层。第2镜层240是具有多个第2镜部32的层,且是通过将晶圆100沿各线5切断而成为多个第2层叠体24的预定的层。多个第2镜部32经由中间层23,二维配置于第1镜层220上。
在反射防止层410上,设有应力调整层400。即,应力调整层400经由反射防止层410设置于基板层110的第2表面110b。应力调整层400具有多个层420、430、440。层420是通过将晶圆100沿各线5切断,成为多个第3层叠体42的预定的层。层430是通过将晶圆100沿各线5切断,成为多个中间层43的预定的层。层440是通过将晶圆100沿各线5切断,成为多个第4层叠体44的预定的层。
在应力调整层400上,设有遮光层450及保护层460。遮光层450是通过将晶圆100沿各线5切断,成为多个遮光层45的预定的层。保护层460是通过将晶圆100沿各线5切断,成为多个保护层46的预定的层。
如图7(a)所示,在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中,在互相相对的第1镜部31与第2镜部32之间形成有空隙S。即,在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中,中间层23划分出空隙S,第2镜部32在空隙S上悬空。在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中,与上述法布里-帕罗干涉滤光器1的构成同样地,设有与第1电极12、第2电极13、第3电极14、多个端子15、16及开口40a等相关的构成。因此,多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A即便是晶圆100的状态,若经由一对端子15、16对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A施加电压,则互相相对的第1镜部31与第2镜部32间的距离也会通过静电力而变化。
如图7(b)所示,在各虚设滤光器部2A中,在互相相对的第1镜部31与第2镜部32之间设有中间层23。即,在虚设滤光器部2A中,中间层23未划分空隙S,第2镜部32配置于中间层23的表面23a。因此,在各虚设滤光器部2A中,虽与上述虚设滤光器2的构成同样地,设有与第1电极12、第2电极13、第3电极14、多个端子15、16及开口40a等相关的构成,但互相相对的第1镜部31与第2镜部32间的距离不变化。再者,也可不于各虚设滤光器部2A,设置与第1电极12、第2电极13、第3电极14、多个端子15、16(构成各端子15、16的铝等的金属膜、用以配置各端子15、16的贯通孔等)及开口40a等相关的构成。
如图6及图7(a)所示,在器件层200,形成有在与基板层110为相反侧开口的第1槽290。第1槽290沿各线5形成。第1槽290在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A及各虚设滤光器部2A中,包围第1镜部31、中间层23及第2镜部32。在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中,第1镜部31、中间层23及第2镜部32由呈环状连续的第1槽290包围。同样地,在各虚设滤光器部2A中,第1镜部31、中间层23及第2镜部32由呈环状连续的第1槽290包围。若着眼于相邻的滤光器部1A、1A、相邻的滤光器部1A、2A及相邻的滤光器部2A、2A,则第1槽290与一滤光器部的周缘部34及另一滤光器部的周缘部34上的区域对应。第1槽290在有效区域101及虚设区域102中连接,自第1镜部31与第2镜部32互相相对的方向(以下简称为「相对方向」)观察的情形时到达基板层110的外缘110c。再者,第1槽290在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A及各虚设滤光器部2A中,只要至少包围第2镜部32即可。
如图7(b)所示,在应力调整层400,形成有在与基板层110为相反侧开口的第2槽470。第2槽470沿各线5形成。即,第2槽470以对应于第1槽290的方式形成。此处,所谓第2槽470对应于第1槽290,意指自相对方向观察的情形时,第2槽470与第1槽290重叠。因此,第2槽470在有效区域101及虚设区域102中连接,自相对方向观察的情形时到达基板层110的外缘110c。
[晶圆的制造方法]
继而,针对晶圆100的制作方法,参照图8~图13进行说明。图8~图13中,(a)是对应于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分的剖视图,(b)是对应于虚设滤光器部2A的部分的剖视图。
首先,如图8所示,在基板层110的第1表面110a形成反射防止层210,且在基板层110的第2表面110b形成反射防止层410。继而,通过在各反射防止层210、410上,交替层叠多个多晶硅层及多个氮化硅层,而在反射防止层210上形成第1镜层220,且在反射防止层410上形成层420。
形成第1镜层220时,通过蚀刻,以反射防止层210的表面露出的方式,将第1镜层220中沿各线5的部分除去。另外,通过杂质掺杂,使第1镜层220的特定的多晶硅层部分地低电阻化,从而每个对应于基板11的部分,形成第1电极12、第2电极13及配线12a、13a。再者,通过蚀刻,每个对应于基板11的部分,在第1镜层220的表面形成沟槽17、18。
继而,如图9所示,在第1镜层220上,及露出的反射防止层210的表面,形成中间层230,且在层420上形成层430。在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分中,中间层230包含对应于空隙S(参照图3)的除去预定部50。继而,通过蚀刻,以基板层110的第1表面110a露出的方式,将中间层230及反射防止层210中沿各线5的部分除去。另外,通过该蚀刻,每个对应于基板11的部分,在中间层230中对应于各端子15、16(参照图3)的部分,形成空隙。
继而,如图10所示,在基板层110的第1表面110a侧及第2表面110b侧的各个中,通过将多个多晶硅层及多个氮化硅层交替层叠,而在中间层230上及露出的基板层110的第1表面110a,形成第2镜层240,且在层430上形成层440。
形成第2镜层240时,将沿线5互相相对的中间层230的侧面230a、第1镜层220的侧面220a及反射防止层210的侧面210a,以第2镜层240包覆。另外,通过杂质掺杂,使第2镜层240的特定的多晶硅层部分地低电阻化,从而每个对应于基板11的部分,形成第3电极14及配线14a。
继而,如图11所示,以通过蚀刻,第2镜层240所含的多晶硅层27a(参照图3)(即,位于最第1表面110a侧的多晶硅层)的表面露出的方式,将第2镜层240中沿各线5的部分薄化。另外,通过该蚀刻,每个对应于基板11的部分,在第2镜层240中对应于各端子15、16(参照图3)的部分,形成空隙。继而,每个对应于基板11的部分,在该空隙形成各端子15、16,将各端子15及配线12a连接,且将各端子16、配线13a及配线14a的各个连接。
至此为止,在基板层110的第1表面110a,形成反射防止层210及器件层200,且在器件层200形成第1槽290。第1槽290是器件层200沿各线5部分地薄化的区域。
继而,如图12(a)所示,在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分,通过蚀刻,将第2层叠体24的表面24a至除去预定部50的多个贯通孔24b形成于第2层叠体24。此时,如图12(b)所示,在对应于各虚设滤光器部2A的部分,不将多个贯通孔24b形成于第2层叠体24。继而,如图12所示,在层440上形成遮光层450。继而,通过蚀刻,以反射防止层410的表面露出的方式,将遮光层450及应力调整层400(即,层420、430、440)中沿各线5的部分除去。另外,通过该蚀刻,每个对应于基板11的部分,形成开口40a。继而,在遮光层450上,露出的反射防止层410的表面、及开口40a的内表面、面向第2槽470的应力调整层400的侧面,形成保护层460。
至此为止,在基板层110的第2表面110b,形成反射防止层410、应力调整层400、遮光层450及保护层460,且在应力调整层400形成第2槽470。第2槽470是应力调整层400沿各线5部分地薄化的区域。
继而,如图13(a)所示,在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分,通过经由多个贯通孔24b的蚀刻(例如,使用氟化氢气体的气相蚀刻),将多个除去预定部50自中间层230同时除去。由此,在对应于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分,每个对应于基板11的部分,形成空隙S。此时,如图13(b)所示,由于在对应于各虚设滤光器部2A的部分,多个贯通孔24b未形成于第2层叠体24,故在中间层230未形成空隙S。
由上,在有效区域101中,如图7(a)所示,通过在互相相对的第1镜部31与第2镜部32间形成空隙S,而构成多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A。另一方面,在虚设区域102中,如图7(b)所示,通过在互相相对的第1镜部31与第2镜部32间设置中间层23,而构成多个虚设滤光器部2A。
[电气检查装置的构成]
其次,针对实施一实施方式的电气检查方法的电气检查装置的构成进行说明。如图14所示,电气检查装置500具备晶圆支撑部510、电压施加部540、摄像部550及测定部570。晶圆支撑部510、电压施加部540及摄像部550配置于暗箱(省略图示)内。电气检查装置500的检查对象为晶圆100。
晶圆支撑部510以晶圆100的相对方向(即,第1镜部31与第2镜部32互相相对的方向)与基线RL平行的方式,支撑晶圆100。但,晶圆支撑部510只要以晶圆100的相对方向沿基线RL的方式支撑晶圆100即可。即,晶圆支撑部510无需以晶圆100的相对方向与基线RL完全平行的方式支撑晶圆100。晶圆支撑部510具有载台511。载台511沿与基线RL垂直的平面(至少沿与该平面平行且互相正交的2方向的各个)可移动地构成。再者,载台511也可以平行于基线RL的线为中心线可旋转地构成。
电压施加部540对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A施加电压。电压施加部540具有载台541、一对臂542及一对探针543。载台541沿与基线RL平行的方向可移动地构成。一对臂542安装于载台541。一对探针543安装于一对臂542。一对臂542及一对探针543构成为微操纵器。一对探针543的前端间的距离调整成各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中的一对端子15、16间的距离。再者,晶圆支撑部510中载台511沿与基线RL平行的方向可移动地构成的情形时,载台541也可不构成为能够移动。
摄像部550拍摄通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100(具体而言是晶圆100的表面)。摄像部550具有相机551及变焦透镜552。相机551出射观察用光L0,检测在通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100的表面被反射的光L0,并将所获得的图像显示于显示器(省略图标)。变焦透镜552具有将晶圆100的表面的像放大的功能。自相机551出射的光L0通过镜505,以在基线RL上前进的方式被反射。由镜505反射后的光L0在基线RL上前进,且在通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100的表面被反射。在晶圆100的表面被反射的光L0在同一光路上相反地前进,经由变焦透镜552入射至相机551。再者,摄像部550也可配置在基线RL上。在该情形时,无需镜505。
测定部570具有作为LCR(Inductance Capacitance Resistance,电感电容电阻)测量计及电源测量单元的至少一者的功能。此处,测定部570具有作为LCR测量计及电源测量单元的两者的功能,可根据检查的目的切换其功能。
测定部570作为LCR测量计发挥功能的情形时,测定部570不使一对探针543产生电位差,在一对端子15、16间测定电容。测定部570也可使一对探针543产生电位差,对一对端子15、16间施加电压而测定电容。该电容相当于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中产生于第1电极12与第3电极14之间的静电电容。通过测定该电容,可检查第2镜部32有无破损、配线12a、13a、14a有无断线等。另外,可通过使施加至一对端子15、16间的电压大小变化,在各电压下测定电容,而取得施加电压的大小与电容的关系。由于该电容对应于互相相对的第1镜部31与第2镜部32的距离,进而对应于透过互相相对的第1镜部31及第2镜部32的光的波长,故也可基于施加电压的大小与电容的关系,取得施加电压的大小与透过的光的波长的关系。
测定部570作为电源测量单元发挥功能的情形时,测定部570使一对探针543产生电位差,对一对端子15、16间施加电压,并测定漏电流。该漏电流相当于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中产生于端子15侧(自端子15经由配线12a到达第1电极12的电气路线)与端子16侧(自端子16经由配线13a到达第2电极13的电气路线、及自端子16经由配线14a到达第3电极14的电气路线)之间的漏电流。通过测定该漏电流,可检查异物有无混入至空隙S、配线12a、13a、14a有无断线等。
在如上那样构成的电气检查装置500中,通过控制部(省略图示)控制各部的动作,由此如下实施电气检查方法。首先,准备检查对象即晶圆100,并通过晶圆支撑部510予以支撑。此时,晶圆100以相对方向沿基线RL的方式,通过晶圆支撑部510予以支撑。继而,通过摄像部550拍摄通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100,并将晶圆100的图像显示于显示器。然后,例如目视显示于显示器的晶圆100的图像,修正晶圆100(例如晶圆100的中心位置)自特定的初始位置(特定的坐标)的偏移。由此,控制部可取得通过晶圆支撑部510支撑的晶圆100的各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的坐标信息,作为距特定的初始位置的相对位置。再者,也可将摄像部550连接于控制部,控制部基于自摄像部550输出的摄像数据,取得晶圆100的各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的坐标信息。
继而,使晶圆支撑部510的载台511基于坐标信息动作,使1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A位于基线RL上(以下,将位于基线RL上的1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A简称为「1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A」)。继而,使电压施加部540的载台541动作,使电压施加部540的一对探针543与1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A的一对端子15、16接触。继而,使测定部570动作,检查各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电气特性。具体而言,在一对端子15、16间测定电容。或者,对一对端子15、16间施加电压并测定漏电流。由此,控制部可基于自测定部570输出的测定结果,针对1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A,判断1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A是否为良品。
若1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A的检查结束,则使电压施加部540的载台541动作,使电压施加部540的一对探针543自1个法布里-帕罗干涉滤光器部1A的一对端子15、16离开。继而,使下一个法布里-帕罗干涉滤光器部1A位于基线RL上,同样地实施该下一个法布里-帕罗干涉滤光器部1A的检查。以下,同样地,依序实施各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的检查。由此,控制部可与晶圆100的各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的坐标信息建立对应,存储与各法布里-帕罗干涉滤光器部1A相关的信息(检查结果)。再者,也可针对通过预先的检查(目视检查等)已明确并非良品的法布里-帕罗干涉滤光器部1A,不使一对探针543与一对端子15、16接触(省略电气检查),而针对下一个法布里-帕罗干涉滤光器部1A实施电气检查,由此提高检查效率。另外,也可针对1片晶圆100的所有法布里-帕罗干涉滤光器部1A中特定比例的数量的法布里-帕罗干涉滤光器部1A实施电气检查,由此判断作为该1片晶圆100是否为良品。即,针对法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电气检查也可不必针对1片晶圆100的所有法布里-帕罗干涉滤光器部1A实施。
再者,如图15所示,也可对电压施加部540应用探针卡。作为一例,电压施加部540也可具有支撑部545、探针卡546及一对探针543。探针卡546通过支撑部545支撑。一对探针543设置于探针卡546。将一对探针543的前端间的距离调整成各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中的一对端子15、16间的距离。固定有支撑部545的情形时,构成为在晶圆支撑部510中载台511可沿平行在基线RL的方向移动。另外,摄像部550也可配置于电压施加部540的侧方。该情形时,通过在晶圆支撑部510中载台511沿与基线RL垂直的方向仅移动特定距离,而通过摄像部550拍摄由晶圆支撑部510支撑的晶圆100。
[法布里-帕罗干涉滤光器的制造方法]
继而,针对自晶圆100切出法布里-帕罗干涉滤光器1的方法(法布里-帕罗干涉滤光器1的制造方法),参照图16及图17进行说明。图16及图17中,(a)是对应于法布里-帕罗干涉滤光器部1A的部分的剖视图,(b)是对应于虚设滤光器部2A的部分的剖视图。
首先,如图16所示,在保护层460上(即,第2表面110b侧)贴附扩张带60。继而,在第2表面110b侧贴附有扩张带60的状态下,自扩张带60的相反侧照射激光L,使激光L的聚光点位于基板层110的内部,且使激光L的聚光点沿各线5相对移动。即,使激光L自扩张带60的相反侧,经由第1槽290中露出的多晶硅层的表面入射至基板层110。
然后,通过该激光L的照射,沿各线5在基板层110的内部形成改质区域7。改质区域7是指密度、折射率、机械强度、其他物理特性与周围成为不同状态的区域,是成为于基板层110的厚度方向伸展的龟裂的起点的区域。作为改质区域7,例如有熔融处理区域(意指暂时熔融后再固化的区域、熔融状态中的区域及自熔融再固化的状态中的区域中的至少任一者)、裂缝区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等,也有这些混合而成的区域。进而,作为改质区域7,有基板层110的材料中改质区域7的密度与非改质区域的密度相比产生变化的区域、形成有晶格缺陷的区域等。基板层110的材料为单结晶硅的情形时,改质区域7也可称为高错位密度区域。再者,相对于各线5的基板层110的厚度方向所排列的改质区域7的列数根据基板层110的厚度而适当调整。
继而,如图17所示,通过使贴附于第2表面110b侧的扩张带60扩张,而使龟裂自形成于基板层110的内部的改质区域7在基板层110的厚度方向伸展,从而将基板层110沿各线5切断成多个基板11。此时,在第1槽290中将第2镜层240的多晶硅层沿各线5切断,且在第2槽470中将反射防止层410及保护层460沿各线5切断。由此,获得在扩张带60上互相分离状态下的多个法布里-帕罗干涉滤光器1及多个虚设滤光器2。
[光检测装置的构成]
其次,针对具备法布里-帕罗干涉滤光器1的光检测装置10的构成进行说明。如图18所示,光检测装置10具备封装71。封装71是具有底座72及盖73的CAN封装。盖73是由侧壁74及顶壁75一体构成。底座72及盖73通过金属材料形成,互相气密地接合。通过金属材料形成的封装71中,侧壁74的形状为以线9为中心线的圆筒状。底座72及顶壁75在平行于线9的方向上互相相对,分别盖住侧壁74的两端。
在底座72的内表面72a固定有配线基板76。作为配线基板76的基板材料,例如可使用硅、陶瓷、石英、玻璃、塑料等。在配线基板76,安装有光检测器(光检测部)77、及热敏电阻等温度检测器(省略图示)。光检测器77配置于线9上。更具体而言,光检测器77以其受光部的中心线与线9一致的方式配置。光检测器77例如为使用InGaAs等的量子型传感器、使用热电堆或辐射热计等的热型传感器等红外线传感器。检测紫外线、可见光、近红外线的各波长区域的光的情形时,作为光检测器77,例如可使用硅光电二极管等。再者,可在光检测器77设置1个受光部,或也可将多个受光部阵列状设置。再者,多个光检测器77也可安装于配线基板76。为能够检测法布里-帕罗干涉滤光器1的温度变化,也可将温度检测器配置于例如接近法布里-帕罗干涉滤光器1的位置。
在配线基板76上,固定有多个间隔件78。作为各间隔件78的材料,例如可使用硅、陶瓷、石英、玻璃、塑料等。在多个间隔件78上,例如通过接合剂而固定法布里-帕罗干涉滤光器1。法布里-帕罗干涉滤光器1配置于线9上。更具体而言,法布里-帕罗干涉滤光器1以光透过区域1a的中心线与线9一致的方式配置。再者,间隔件78也可与配线基板76一体构成。另外,法布里-帕罗干涉滤光器1也可并非通过多个间隔件78支撑,而通过1个间隔件78支撑。
在底座72,固定有多个引线接脚81。更具体而言,各引线接脚81以维持与底座72间的电绝缘性及气密性的状态,贯通底座72。在各引线接脚81,通过导线82电连接有设置于配线基板76的电极垫、光检测器77的端子、温度检测器的端子、及法布里-帕罗干涉滤光器1的端子的各个。再者,光检测器77、温度检测器及法布里-帕罗干涉滤光器1也可经由配线基板76,与各引线接脚81电连接。例如,也可将各个端子及设置于配线基板76的电极垫电连接,将电极垫及各引线接脚81通过导线82连接。由此,可对光检测器77、温度检测器及法布里-帕罗干涉滤光器1的各个输入输出电信号等。
在封装71形成有开口71a。更具体而言,开口71a以其中心线与线9一致的方式,形成于盖73的顶壁75。自平行于线9的方向观察的情形时,开口71a的形状为圆形状。在顶壁75的内表面75a,以盖住开口71a的方式配置有光透过构件83。光透过构件83与顶壁75的内表面75a气密接合。光透过构件83具有在平行于线9的方向互相相对的光入射面83a及光出射面(内表面)83b、以及侧面83c。光透过构件83的光入射面83a在开口71a与顶壁75的外表面成为大致同一平面。光透过构件83的侧面83c与封装71的侧壁74的内表面74a接触。即,光透过构件83到达开口71a内及侧壁74的内表面74a。此种光透过构件83通过将开口71a设为下侧的状态下在盖73的内侧配置玻璃颗粒,使该玻璃颗粒熔融而形成。即,光透过构件83通过熔接玻璃而形成。
在光透过构件83的光出射面83b,通过粘合构件85固定有带通滤光器84。即,粘合构件85经由接合于顶壁75的内表面75a的光透过构件83,而将带通滤光器84固定于顶壁75的内表面75a。带通滤光器84使透过光透过构件83的光中,光检测装置10的测定波长范围的光(是特定的波长范围的光,且是应入射于法布里-帕罗干涉滤光器1的光透过区域1a的光)选择性透过(即,仅使该波长范围的光透过)。带通滤光器84的形状为四边形板状。更具体而言,带通滤光器84具有在平行于线9的方向上互相相对的光入射面84a及光出射面84b、以及4个侧面84c。带通滤光器84是在通过光透过性材料(例如硅、玻璃等)形成为四边形板状的光透过构件的表面,形成有电介质多层膜(例如包含TiO2、Ta2O5等高折射材料与SiO2、MgF2等低折射材料的组合的多层膜)的滤光器。
粘合构件85具有配置于带通滤光器84的光入射面84a的整个区域的第1部分85a。即,第1部分85a是粘合构件85中配置于互相相对的光透过构件83的光出射面83b与带通滤光器84的光入射面84a之间的部分。进而,粘合构件85具有自平行于线9的方向观察的情形时,自带通滤光器84的外缘向外侧突出的第2部分85b。第2部分85b到达侧壁74的内表面74a,与侧壁74的内表面74a接触。另外,第2部分85b与带通滤光器84的侧面84c接触。
如上构成的光检测装置10中,若光自外部经由开口71a、光透过构件83及粘合构件85入射至带通滤光器84,则使特定的波长范围的光选择性透过。若透过带通滤光器84的光入射至法布里-帕罗干涉滤光器1的光透过区域1a,则使特定的波长范围的光中特定波长的光选择性透过。透过法布里-帕罗干涉滤光器1的光透过区域1a的光入射至光检测器77的受光部,并通过光检测器77进行检测。即,光检测器77将透过法布里-帕罗干涉滤光器1的光转换成电信号并输出。例如,光检测器77输出与入射至受光部的光的强度对应的大小的电信号。
[电气检查方法的作用及效果]
上述电气检查方法具备如下步骤:准备构成有多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A的晶圆100;及检查各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电气特性。该电气检查方法中,针对成为多个法布里-帕罗干涉滤光器1的多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A,在晶圆100的状态下实施电气特性的检查。因此,该电气检查方法能够效率良好且良率良好地获得多个法布里-帕罗干涉滤光器1。其理由如下所述。法布里-帕罗干涉滤光器1为在经过直至自晶圆100切出并装配于例如光检测装置10为止的各步骤期间,特性容易变化的元件。因此,认为需要在最终阶段的装配时检查法布里-帕罗干涉滤光器1的特性。然而,本发明人等发现,在晶圆100的状态下为良品的法布里-帕罗干涉滤光器部1A即使其后特性发生变化,也不易成为不良品的法布里-帕罗干涉滤光器1。因此,通过在晶圆100的状态下检查各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电气特性,可在初始阶段排除如在晶圆100的状态下为不良品的法布里-帕罗干涉滤光器1直至最终阶段的装配的浪费,且可提高良品的法布里-帕罗干涉滤光器1直至最终阶段的装配的概率。
并且,根据该电气检查方法,可效率良好且精度良好地检查各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电气特性。其理由如下所述。例如,若要针对各法布里-帕罗干涉滤光器1实施电气特性的检查,则例如为了使一对探针543确实地与法布里-帕罗干涉滤光器1的一对端子15、16接触,有必要针对每个法布里-帕罗干涉滤光器1调整支撑角度。通过在晶圆100的状态下检查各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电气特性,可减少此种调整的负担。另外,在法布里-帕罗干涉滤光器1中,电气特性也根据温度等环境条件变化。因此,若针对各个法布里-帕罗干涉滤光器1实施电气特性的检查,则成为检查结果的前提的环境条件在法布里-帕罗干涉滤光器1间容易变得不同。通过在晶圆100的状态下检查各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的电气特性,可在稳定的环境条件下获得检查结果。
另外,上述电气检查方法中,在检查电气特性的步骤中,在设置于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的一对端子15、16间测定电容。由此,可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A,检查第2镜部32有无破损、配线12a、13a、14a有无断线等。
另外,上述电气检查方法中,在检查电气特性的步骤中,对设置于各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的一对端子15、16间施加电压,并测定漏电流。由此,可针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A,检查异物有无混入至空隙S、配线12a、13a、14a有无断线等。
另外,上述电气检查方法进而具备拍摄晶圆100的步骤。由此,可取得各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的坐标信息,并基于所取得的坐标信息,例如使一对探针543与各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的一对端子15、16接触。
另外,由于晶圆100为构成有互相相对的第1镜部31与第2镜部32之间的距离通过静电力变化的多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A的晶圆,故也能够针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A检查光透过特性(透过互相相对的第1镜部31及第2镜部32的光的透过率等)。然而,预想此种光检查方法需要较上述电气检查方法更长的时间。因此,针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A实施光检查方法的情形时,只要在此之前针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A实施电气检查而掌握不良品,即可排除如针对不良品的各法布里-帕罗干涉滤光器部1A实施光检查方法的浪费。
再者,在晶圆100中,成为多个法布里-帕罗干涉滤光器1的多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A设置于有效区域101。另一方面,在沿基板层110的外缘110c且包围有效区域101的虚设区域102,设有多个虚设滤光器部2A,在各虚设滤光器部2A中,在互相相对的第1镜部31与第2镜部32之间设有中间层23。由此,充分确保晶圆100整体的强度。因此,针对各法布里-帕罗干涉滤光器部1A实施上述电气检查方法时的晶圆100的处理变得容易。另外,晶圆100变得不易翘曲,故可使一对探针543确实地与各法布里-帕罗干涉滤光器部1A的一对端子15、16接触。
另外,在晶圆100的制造方法中,多个法布里-帕罗干涉滤光器部1A保持为晶圆100的状态下,在各法布里-帕罗干涉滤光器部1A中形成空隙S。由此,与以各芯片级实施空隙S的形成的情形相比,效率极其高,可于第1镜部31与第2镜部32之间形成空隙S。并且,在有效区域101中,对二维配置的多个除去预定部50同时实施中间层230的蚀刻等,基板层110内的任意的基板11所对应的部分、及包围其的周围的基板11所对应的部分,制程同时进展,故可减少基板层110的面内的应力偏差。由此,根据晶圆100的制造方法,可获得能够稳定地量产高质量的法布里-帕罗干涉滤光器1的晶圆100。
另外,通过激光L的照射,沿各线5在基板层110的内部形成改质区域7,从而根据以下理由,沿各线5切断晶圆100在制造法布里-帕罗干涉滤光器1的方面极其有效。即,在使用激光L的晶圆100的切断中,由于无需水,故不会产生在空隙S上悬空的第2镜部32因水压而破损,或水渗透至空隙S内而粘结(第2镜部32与第1镜部31接触而无法移动的现象)。由此,使用激光L的晶圆100的切断在制造法布里-帕罗干涉滤光器1的方面极其有效。
[变形例]
以上,虽已针对本公开的一实施方式进行说明,但本公开并不限定于上述实施方式。例如,各构成的材料及形状不限于上述材料及形状,可采用各种材料及形状。在晶圆100中,自基板层110的厚度方向观察的情形时,法布里-帕罗干涉滤光器部1A的外形与虚设滤光器部2A的外形也可不同。另外,自晶圆100切出多个法布里-帕罗干涉滤光器1时,也可不切出所有虚设滤光器部2A(即,也可不将所有虚设滤光器部2A单片化)。另外,虚设区域102的构成并不限定于以上所述。例如,在对应于虚设区域102的区域中,至少第2镜部32可不由呈环状连续的第1槽290包围(例如,第1槽290也可仅横穿对应于虚设区域102的区域),也可不在器件层200形成第1槽290。另外,在对应于虚设区域102的区域中,也可不设置器件层200的一部分层或器件层200的整体。即,成为本公开的检查对象的晶圆中,虚设区域并非必需构成。另外,上述实施方式中,测定法布里-帕罗干涉滤光器部1A中产生于第1电极12与第3电极14之间的静电电容,但也可将与第1电极12及第3电极14分开的电容测定用电极设置于第1镜部31及第2镜部32的各个,而测定产生于该电极间的静电电容。
另外,如图16所示,在晶圆100中,也可以对应于第1槽290的方式,在基板层110的内部形成改质区域7。此处,所谓改质区域7对应于第1槽290,意指自相对方向观察的情形时,改质区域7与第1槽290重叠,尤其意指改质区域7沿各线5形成的状态。由此,可使龟裂自改质区域7向基板层110的厚度方向伸展,可容易且精度良好地自晶圆100切出多个法布里-帕罗干涉滤光器1。该情形时,也可在基板层110的第2表面110b侧贴附扩张带60。此时,贴附于晶圆100的扩张带60的外缘部通过环状的框保持。由此,即使是在基板层110的内部形成有改质区域7的状态,也可容易处理晶圆100。再者,在基板层110的内部形成有改质区域7的晶圆100中,有龟裂自改质区域7意料外地伸展的担忧。在晶圆100中,由于未在虚设区域102中的一对区域102a,设置多个虚设滤光器部2A以及第1槽290及第2槽470,故抑制龟裂的产生,且即使龟裂进展,也通过一对区域102a停止龟裂的伸展。
另外,如图19所示,也可将通过接合第1晶圆610与第2晶圆620而构成的晶圆600设为检查对象。晶圆600包含多个法布里-帕罗干涉滤光器部650A。多个法布里-帕罗干涉滤光器部650A为通过将晶圆600沿设定于第1晶圆610及第2晶圆620的各个的各线5切断而成为多个法布里-帕罗干涉滤光器650的预定部分。自晶圆600的厚度方向观察的情形时,多个法布里-帕罗干涉滤光器部650A二维配置。
第1晶圆610具备基板层611、多个第1镜部612及多个驱动电极613。基板层611具有互相相对的表面611a及表面611b。基板层611通过光透过性材料形成。各第1镜部612例如为金属膜、电介质多层膜或这些的复合膜。各驱动电极613例如通过金属材料形成。
第2晶圆620具备基板层621、多个第2镜部622及多个驱动电极623。基板层621具有互相相对的表面621a及表面621b。基板层621通过光透过性材料形成。各第2镜部622例如为金属膜、电介质多层膜或这些的复合膜。各驱动电极623例如通过金属材料形成。
在晶圆600中,由1个第1镜部612、1个驱动电极613、1个第2镜部622及1个驱动电极623构成1个法布里-帕罗干涉滤光器部650A。以下,着眼于1个法布里-帕罗干涉滤光器部650A,针对晶圆600的构成进行说明。
在基板层611的表面611a,形成有凹部614。在凹部614的底面614a,设有凸部615。凸部615的高度小于凹部614的深度。即,凸部615的端面615a处于相对于基板层611的表面611a凹陷的状态。第1镜部612设置于凸部615的端面615a。驱动电极613以包围凸部615的方式,设置于凹部614的底面614a。驱动电极613例如经由设置于基板层611的配线(省略图示)而与电极垫(省略图示)电气连接。该电极垫例如设置于基板层611中能够自外部接入的区域。
基板层621的表面621b通过例如等离子体聚合膜等而与基板层611的表面611a接合。在基板层621的表面621b,设有第2镜部622及驱动电极623。第2镜部622经由空隙S与第1镜部612相对。驱动电极623以包围第2镜部622的方式,设置于基板层621的表面621b,且经由空隙S与驱动电极613相对。驱动电极623例如经由设置于基板层621的配线(省略图示)而与电极垫(省略图示)电气连接。该电极垫例如设置于基板层621中能够自外部接入的区域。
在基板层621的表面621a,以自晶圆600的厚度方向观察的情形时包围第2镜部622及驱动电极623的方式,形成有槽621c。槽621c呈圆环状延伸。基板层621中被槽621c包围的部分将形成有槽621c的部分作为隔膜状的保持部621d,可在晶圆600的厚度方向产生位移。再者,隔膜状的保持部621d也可通过将自晶圆600的厚度方向观察的情形时包围第2镜部622及驱动电极623的槽形成于基板层621的表面621a及表面621b的至少一者而构成。另外,也可通过将自晶圆600的厚度方向观察的情形时包围第1镜部612及驱动电极613的槽形成于基板层611,而在基板层611构成隔膜状的保持部。另外,也可取代隔膜状的保持部而通过呈放射状配置的多个梁构成保持部。
在如上那样构成有各法布里-帕罗干涉滤光器部650A的晶圆600中,各法布里-帕罗干涉滤光器部650A中,若对驱动电极613与驱动电极623之间施加电压,则对应于该电压的静电力产生于驱动电极613与驱动电极623之间。通过该静电力,基板层621中被槽621c包围的部分被牵引至基板层611侧,从而调整第1镜部612与第2镜部622之间的距离。由此,具有对应于第1镜部612与第2镜部622之间的距离的波长的光透过。本公开中成为检查对象的晶圆(100,600)只要具备基板层(110,611)、以及二维配置于基板层(110,611)上的多对第1镜部(31,612)及第2镜部(32,622),且通过在互相相对的第1镜部(31,612)与第2镜部(32,622)之间形成空隙S,而构成有互相相对的第1镜部(31,612)与第2镜部(32,622)之间的距离通过静电力变化的多个法布里-帕罗干涉滤光器部(1A,650A)即可。
符号说明
1A,650A法布里-帕罗干涉滤光器部
15,16端子
31,612第1镜部
32,622第2镜部
100,600晶圆
110,611基板层
110a第1表面
110b第2表面
220第1镜层
240第2镜层
S空隙。
Claims (4)
1.一种电气检查方法,其特征在于,
具备如下步骤:
准备晶圆的步骤,该晶圆具备基板层、及二维配置于所述基板层上的多对第1镜部及第2镜部,且设置有有效区域和虚设区域,所述有效区域包含通过在互相相对的所述第1镜部与所述第2镜部之间形成空隙,而互相相对的所述第1镜部与所述第2镜部之间的距离根据静电力而变化的多个法布里-帕罗干涉滤光器部,所述虚设区域配置于所述有效区域和所述晶圆的外缘之间;及
检查所述多个法布里-帕罗干涉滤光器部的各个的电气特性的步骤。
2.如权利要求1所述的电气检查方法,其中,
在所述检查电气特性的步骤中,以使所述静电力产生而在设置于所述多个法布里-帕罗干涉滤光器部的各个的一对端子间测定电容。
3.如权利要求1或2所述的电气检查方法,其中,
在所述检查电气特性的步骤中,以使所述静电力产生而对设置于所述多个法布里-帕罗干涉滤光器部的各个的一对端子间施加电压并测定漏电流。
4.如权利要求1至3中任一项所述的电气检查方法,其中,
进一步具备拍摄所述晶圆的步骤。
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