CN116318048B - 一种数据采集卡电路 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种数据采集卡电路，本申请属于电子电路技术领域。本申请所提供的电路包括：信号输入端，用于接收信号；电阻R1，用于进行阻抗匹配；信号输出端，用于输出信号；偏置电压端，用于接入偏置电压；所述信号输入端与所述信号输出端之间设置有：低频通路，包括低频衰减单元，放大单元，第一缓冲单元，源随器以及第二缓冲单元；中频通路，包括中频衰减单元，中频选通单元，源随器以及第二缓冲单元；高频通路，包括高频选通单元，三极管Q1，隔直单元，中频选通单元，源随器以及第二缓冲单元。通过对输入信号的不同设置不同的传输通路，可以改善电路的VSWR以及保证三极管的静态工作点的稳定性。
Description
技术领域
本申请属于电子电路技术领域，具体涉及一种数据采集卡电路。
背景技术
随着互联网行业的发展，越来越多的领域开始对高速数据进行采集以及分析以更好地完成生产，利用数据采集卡电路进行数据采集变得越来越重要。
现有技术中为满足对输入信号不同频段的无失真放大以实现对信号中所包含的数据进行精准采集的目的，通常采用图1所示的数据采集卡电路对输入信号的不同频段进行放大处理，如图1所示，采用三极管Q1、三极管Q2以及三极管Q3组成的分立网络确保输入信号的高频特性，采用运算放大器U1来保证输入信号的直流特性，利用图1所示的采用复合放大器的方式，来同时保证直流和高频的性能。
现有技术所采用的电路结构中为了增大输入阻抗来保证电路结构的稳定性，图1所示的三极管Q1一般选用JFET或者HEMT场效应管，但是由于此类三极管的输入电容较大，会导致高频上的VSWR比较差，存在电路使用频段受限的问题；同时，若三极管Q1选用寄生电容较低的射频三极管来实现，虽然能降低电容，提升VSWR，但是由于射频三极管对静态工作点比较敏感，若输入信号中存在直流分量时，会改变三极管Q1的电路增益，进而导致电路低频特性较差的问题。
发明内容
本申请实施例的目的是提供一种数据采集卡电路，解决了现有技术所采用的电路中存在使用频段受限或者电路的低频特性较差的问题，通过对信号的不同频段设置不同通路并在不同通路中设置不同参数的元件，可以保证各频段通路互不影响，改善了电路的VSWR以及保证三极管的电路静态工作点的稳定性。
本申请实施例提供了一种数据采集卡电路，所述数据采集卡电路包括：
信号输入端，用于接收信号；电阻R1，一端与所述信号输入端连接，另一端接地，用于进行阻抗匹配；信号输出端，用于输出信号；偏置电压端，用于接入偏置电压；
所述信号输入端与所述信号输出端之间设置有：
低频通路，包括低频衰减单元，放大单元，第一缓冲单元，源随器以及第二缓冲单元；所述低频衰减单元的输入端与所述信号输入端连接，所述低频衰减单元的输出端与所述放大单元的第一输入端连接，所述放大单元的输出端与所述第一缓冲单元的输入端连接，所述第一缓冲单元的输出端与所述源随器的输入端连接，所述源随器的输出端与所述第二缓冲单元的输入端连接，所述第二缓冲单元的输出端与所述信号输出端和负载连接；
中频通路，包括中频衰减单元，中频选通单元，源随器以及第二缓冲单元；所述中频衰减单元的输入端与所述信号输入端连接，所述中频衰减单元的输出端与所述中频选通单元的输入端连接，所述中频选通单元的输出端与所述源随器的输入端连接，所述源随器的输出端与所述第二缓冲单元的输入端连接，所述第二缓冲单元的输出端与所述信号输出端和负载连接；
高频通路，包括高频选通单元，三极管Q1，隔直单元，中频选通单元，源随器以及第二缓冲单元；所述高频选通单元的输入端与所述信号输入端连接；所述高频选通单元的输出端与所述三极管Q1的控制端连接，所述三极管Q1的第一端与所述隔直单元的输入端连接，所述隔直单元的输出端与所述中频选通单元的输入端连接，所述中频选通单元的输出端与所述源随器的输入端连接，所述源随器的输出端与所述第二缓冲单元的输入端连接，所述第二缓冲单元的输出端与所述信号输出端和负载连接。
进一步的，所述放大单元包括运算放大器；
所述放大单元的第一输入端为同向输入端；
所述放大单元的第二输入端为反向输入端；
所述反向输入端与所述运算放大器的输出端之间通过电容C2连接，以形成负反馈。
进一步的，所述第二缓冲单元的输出端通过负反馈电阻与所述运算放大器的反向输入端连接，以形成负反馈。
进一步的，所述源随器包括场效应管Q3；
所述场效应管Q3的控制端为源随器的输入端；
所述场效应管Q3的第一端连接电源VCC，第二端连接配置电阻的一端，配置电阻的另一端通过恒流源I1连接电源VEE；
其中，所述配置电阻的另一端为源随器的输出端。
进一步的，所述配置电阻的另另一端通过一增益匹配电阻与所述场效应管Q3的控制端连接；
所述配置电阻和所述增益匹配电阻用于对所述三极管Q1的增益进行匹配。
进一步的，增益匹配电阻的阻值大于或者等于1kΩ。
进一步的，所述高频选通单元包括电容C1；
所述隔直单元包括电容C3；
所述中频选通单元包括电容C4。
进一步的，所述三极管Q1的控制端与电压控制单元连接；
所述电压控制单元包括电压Vbias和上拉电阻；
所述上拉电阻的取值范围为大于或者等于1kΩ。
进一步的，所述三极管Q1的第一端还与三极管Q2的集电极通过一附加电阻连接，以三极管Q2及其附属器件作为等效恒流源电路，以提高输入阻抗和降低输出阻抗。
进一步的，所述低频衰减单元包括电阻R2和电阻R3；所述电阻R2和电阻R3串联，所述电阻R2和电阻R3的公共端为低频衰减单元的输出端，所述电阻R2的另一端为低频衰减单元的输入端，所述电阻R3的另一端接地；
所述低频衰减单元用于对低频信号进行衰减处理。
在本申请实施例中，信号输入端，用于接收信号；电阻R1，用于进行阻抗匹配；信号输出端，用于输出信号；偏置电压端，用于接入偏置电压；所述信号输入端与所述信号输出端之间设置有：低频通路，包括低频衰减单元，放大单元，第一缓冲单元，源随器以及第二缓冲单元；中频通路，包括中频衰减单元，中频选通单元，源随器以及第二缓冲单元；高频通路，包括高频选通单元，三极管Q1，隔直单元，中频选通单元，源随器以及第二缓冲单元。通过所述数据采集卡电路解决了现有技术所采用的电路中存在使用频段受限或者电路的低频特性较差的问题，通过对信号的不同频段设置不同通路并在不同通路中设置不同参数的元件，可以保证各频段通路互不影响，改善了电路的VSWR以及保证三极管的电路静态工作点的稳定性。
附图说明
图1是现有技术中的一种数据采集卡电路示意图；
图2是本申请实施例提供的一种数据采集卡电路示意图；
图3是本申请实施例提供的一种数据采集卡电路通路示意图；
图4是本申请实施例提供的一种数据采集卡电路低频通路示意图；
图5是本申请实施例提供的一种数据采集卡电路中频通路示意图；
图6是本申请实施例提供的一种数据采集卡电路高频通路示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本申请具体实施例作进一步的详细描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分而非全部内容。在更加详细地讨论示例性实施例之前应当提到的是，一些示例性实施例被描述成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各项操作(或步骤)描述成顺序的处理，但是其中的许多操作可以被并行地、并发地或者同时实施。此外，各项操作的顺序可以被重新安排。当其操作完成时所述处理可以被终止，但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤。所述处理可以对应于方法、函数、规程、子例程、子程序等等。
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的基于任务类型的多安全芯片调度方法、安全芯片装置、设备及介质进行详细地说明。
图2是本申请实施例本申请实施例提供的一种数据采集卡电路示意图。如图2所示，具体包括如下：
信号输入端Analog Input，用于接收信号；电阻R1，一端与所述信号输入端AnalogInput连接，另一端接地，用于进行阻抗匹配；信号输出端Analog Output，用于输出信号；偏置电压端V_offset，用于接入偏置电压；
在本方案中，信号输入端Analog Input，用于接收信号，所示信号包括具有高频、中频以及低频或者直流分量中一个或者多个分量的信号。电阻R1的一端与所述信号输入端Analog Input的输出端连接，另一端接地，用于进行阻抗匹配，所述阻抗匹配的目的是调整电路负载功率和抑制信号反射，进而使电路能够达到最佳的工作状态。信号输出端AnalogOutput，用于输出信号。偏置电压端V_offset，用于接入偏置电压，所述偏置电压用于抵消输入信号的直流分量。比如输入一个幅度为10mv，直流分量为1V的正弦波信号，为了能更好的观察细节，就可以通过这个偏置电压叠加一个-1V上去，从而使得输出就成了直流分量为0的正弦波信号，便于后续的放大处理。
在同一实施例中，图3是本申请实施例本申请实施例提供的信号输入端与信号输出端电路通路示意图。如图3所示，具体包括如下：
所述信号输入端Analog Input与所述信号输出端Analog Output之间设置有低频通路DC&Low Freq Path、中频通路Medium Freq Path以及高频通路High Freq Path。
在同一实施例中，图4是本申请实施例提供的一种数据采集卡电路低频通路示意图。如图4所示，具体包括如下：
所述低频通路DC&Low Freq Path，包括低频衰减单元，放大单元，第一缓冲单元，源随器以及第二缓冲单元；所述低频衰减单元的输入端与所述信号输入端Analog Input连接，所述低频衰减单元的输出端与所述放大单元的第一输入端连接，所述放大单元的输出端与所述第一缓冲单元的输入端连接，所述第一缓冲单元的输出端与所述源随器的输入端连接，所述源随器的输出端与所述第二缓冲单元的输入端连接，所述第二缓冲单元的输出端与所述信号输出端和负载连接。
进一步的，所述放大单元包括运算放大器U1；
所述放大单元的第一输入端为同向输入端；
所述放大单元的第二输入端为反向输入端；
所述反向输入端与所述运算放大器U1的输出端之间通过电容C2连接，以形成负反馈。
进一步的，所述第二缓冲单元的输出端通过负反馈电阻R9与所述运算放大器的反向输入端连接，以形成负反馈。
进一步的，所述源随器包括场效应管Q3；
所述场效应管Q3的控制端为源随器的输入端；
所述场效应管Q3的第一端连接电源VCC，第二端连接配置电阻R12的一端，配置电阻的另一端通过恒流源I1连接电源VEE；
其中，所述配置电阻R12的另一端为源随器的输出端。
进一步的，所述低频衰减单元包括电阻R2和电阻R3；所述电阻R2和电阻R3串联，所述电阻R2和电阻R3的公共端为低频衰减单元的输出端，所述电阻R2的另一端为低频衰减单元的输入端，所述电阻R3的另一端接地；
所述低频衰减单元用于对低频信号进行衰减处理。
在本方案中，所述信号输入端Analog Input与所述信号输出端Analog Output之间设置有低频通路DC&Low Freq Path、中频通路Medium Freq Path以及高频通路HighFreq Path，上述通路分别用于对所述信号输入端Analog Input接收到的输入信号中所包含的不同频段分量进行阻抗变换。
所述低频通路DC&Low Freq Path包括低频衰减单元，放大单元，第一缓冲单元，源随器以及第二缓冲单元。其中，所述低频衰减单元包括电阻R2和电阻R3，且所述电阻R2和电阻R3串联，所述电阻R2和电阻R3的公共端为低频衰减单元的输出端，所述电阻R2的另一端为低频衰减单元的输入端，所述电阻R3的另一端接地。所述低频衰减单元的输入端与所述信号输入端Analog Input连接，所述低频衰减单元的输出端与所述放大单元的第一输入端连接。所述低频衰减单元用于对所述输入信号中的低频分量进行衰减处理。
所述放大单元包括集成运算放大器U1，具体的，所述集成运算放大器U1为低频高精度运算放大器，所述放大单元的第一输入端为同向输入端，用于对所述输入信号中的低频分量进行选通，并对衰减之后的低频分量进行放大处理；所述放大单元的第二输入端为反向输入端，所述反向输入端与所述运算放大器U1的输出端之间通过电容C2连接，以形成负反馈，用于防止交流信号造成的电路的运放震荡，提高电路的稳定性。所述放大单元的输出端与所述第一缓冲单元的输入端连接。
所述第一缓冲单元包括缓冲器BUF1以及电阻R14，所述第一缓冲单元的输出端与所述源随器的输入端连接，用于对所述所述输入信号的低频分量进行暂时缓存，以协调所述输入信号中的高频分量、中频分量以及低频分量的数据处理速率，进而实现所述高频分量、中频分量以及低频分量的输出同步。
所述源随器包括场效应管Q3，所述场效应管Q3的控制端为源随器的输入端，所述场效应管Q3的第一端连接电源VCC，第二端连接配置电阻R12的一端，配置电阻的另一端通过恒流源I1连接电源VEE，所述配置电阻R12的另一端为源随器的输出端，所述源随器用于增大电路的输入阻抗以及减小输出阻抗，起到缓冲作用，以使后级电路获取更大输入电压。所述源随器的输出端与所述第二缓冲单元的输入端连接。
所述第二缓冲单元的输出端与所述信号输出端和负载RL连接，所述第二缓冲单元包括放大器Q4，用于隔离前级电路与后级电路，避免由于后级电路的阻抗变化对前级电路的增益以及静态工作点等方面产生的影响，提高了电路的稳定性。所述第二缓冲单元的输出端还通过负反馈电阻R9与所述运算放大器的反向输入端连接，以形成负反馈，用来控制整个电路的低频增益。
在同一实施例中，图5是本申请实施例提供的一种数据采集卡电路中频通路示意图。如图5所示，具体包括如下：
所述中频通路Medium Freq Path，包括中频衰减单元，中频选通单元，源随器以及第二缓冲单元；所述中频衰减单元的输入端与所述信号输入端连接，所述中频衰减单元的输出端与所述中频选通单元的输入端连接，所述中频选通单元的输出端与所述源随器的输入端连接，所述源随器的输出端与所述第二缓冲单元的输入端连接，所述第二缓冲单元的输出端与所述信号输出端和负载连接。
在本方案中，所述中频通路Medium Freq Path，包括中频衰减单元，中频选通单元，源随器以及第二缓冲单元。所述中频衰减单元的输入端与所述信号输入端连接，所述中频衰减单元包括电阻R11和电阻R12，对所述输入信号的中频分量进行衰减，其中所述R11用于为所述输入信号中的中频分量提供通路，以使所述中频分量可以不经过射频三极管直接输入到后级电路中，避免了所述射频三极管对所述中频信号准确度的影响。所述射频三极管为图3中高频通路High Freq Path中的三极管Q1。所述中频衰减单元的输出端与所述中频选通单元的输入端连接。所述中频选通单元包括电容C4，用于对所述输入信号的中频分量进行选频。所述R11同时保证了在偏置电压为0V时，电容C4两端的直流电压基本相等，不会因为发生充电而导致信号畸变。所述中频选通单元的输出端与所述源随器的输入端连接，所述源随器的输出端与所述第二缓冲单元的输入端连接，所述第二缓冲单元的输出端与所述信号输出端和负载连接，所述源随器以及所述第二缓冲单元在所述中频通路中的作用与所述低频通路中的作用相同，只有处理的信号频段不同，此处不再赘述。
在同一实施例中，图6是本申请实施例提供的一种数据采集卡电路高频通路示意图。如图6所示，具体包括如下：
所述高频通路High Freq Path，包括高频选通单元，三极管Q1，隔直单元，中频选通单元，源随器以及第二缓冲单元；所述高频选通单元的输入端与所述信号输入端连接；所述高频选通单元的输出端与所述三极管Q1的控制端连接，所述三极管Q1的第一端与所述隔直单元的输入端连接，所述隔直单元的输出端与所述中频选通单元的输入端连接，所述中频选通单元的输出端与所述源随器的输入端连接，所述源随器的输出端与所述第二缓冲单元的输入端连接，所述第二缓冲单元的输出端与所述信号输出端和负载连接。
进一步的，所述高频选通单元包括电容C1；
所述隔直单元包括电容C3；
所述中频选通单元包括电容C4。
进一步的，所述三极管Q1的控制端与电压控制单元连接；
所述电压控制单元包括电压Vbias和上拉电阻；
所述上拉电阻的取值范围为大于或者等于1kΩ。
进一步的，所述三极管Q1的第一端还与三极管Q2的集电极通过一附加电阻连接，以三极管Q2及其附属器件作为等效恒流源电路，以提高输入阻抗和降低输出阻抗。
进一步的，所述配置电阻R12的另另一端通过一增益匹配电阻R11与所述场效应管Q3的控制端连接；
所述配置电阻R12和所述增益匹配电阻R11用于对所述三极管Q1的增益进行匹配。
进一步的，增益匹配电阻R11的阻值大于或者等于1kΩ。
在本方案中，所述高频通路High Freq Path，包括高频选通单元，三极管Q1，隔直单元，中频选通单元，源随器以及第二缓冲单元。
所述高频选通单元的输入端与所述信号输入端连接，所述高频选通单元包括电容C1，所述电容C1用于对所述输入信号的高频分量进选频，还可以对所述输入信号中的直流分量进行滤除。
所述高频选通单元的输出端与所述三极管Q1的控制端连接，所述三极管Q1为射频三极管，具有较低的寄生电容，同时所述电容C1的值远大于所述三极管Q1的寄生电容，因此，此时的电路电容为所述三极管Q1的寄生电容，利用所述三极管Q1可以降低输入电容，进而提升电路的VSWR。所述三极管Q1的第一端与所述隔直单元的输入端连接。
所述隔直单元包括电容C3，用于对各个通路中的所述输入信号直流分量进行滤除。由于所述三极管Q1为射频三极管，且所述射频三极管对静态工作点较为敏感，为了保证电路的稳定性以及可靠性，可以利用电容C1以及电容C3对所述三极管Q1的输入以及输出端信号进行直流分量的隔离，避免了所述直流分量对所述三极管Q1静态工作点的影响。
所述隔直单元的输出端与所述中频选通单元的输入端连接，所述中频选通单元的输出端与所述源随器的输入端连接，所述源随器的输出端与所述第二缓冲单元的输入端连接，所述第二缓冲单元的输出端与所述信号输出端和负载连接，所述源随器以及所述第二缓冲单元在所述高频通路中的作用与所述低频通路中的作用相同，只有处理的信号频段不同，此处不再赘述。
在本方案中，所述三极管Q1的控制端与电压控制单元连接，所述电压控制单元包括电压Vbias和上拉电阻，所述电压控制单元用于控制所述三极管Q1控制端的输入电压，所述上拉电阻的取值范围为大于或者等于1kΩ。所述三极管Q1的第一端还与三极管Q2的集电极通过一附加电阻R5连接，以三极管Q2及其附属器件作为等效恒流源电路，以提高输入阻抗和降低输出阻抗。
在本方案中，所述配置电阻R12的另另一端通过一增益匹配电阻R11与所述场效应管Q3的控制端连接，所述增益匹配电阻R11的阻值大于或者等于1kΩ。所述配置电阻R12和所述增益匹配电阻R11组成衰减电路用于对所述三极管Q1的增益进行匹配，具体的，所述三极管Q1的增益可采用如下公式计算：
本申请实施例所提供的技术方案，信号输入端，用于接收信号；电阻R1，用于进行阻抗匹配；信号输出端，用于输出信号；偏置电压端，用于接入偏置电压；所述信号输入端与所述信号输出端之间设置有：低频通路，包括低频衰减单元，放大单元，第一缓冲单元，源随器以及第二缓冲单元；中频通路，包括中频衰减单元，中频选通单元，源随器以及第二缓冲单元；高频通路，包括高频选通单元，三极管Q1，隔直单元，中频选通单元，源随器以及第二缓冲单元。通过所述数据采集卡电路解决了现有技术所采用的电路中存在使用频段受限或者电路的低频特性较差的问题，通过对信号的不同频段设置不同通路并在不同通路中设置不同参数的元件，可以保证各频段通路互不影响，拓宽了电路的使用频段，通过利用射频三极管传输高频信号，可以减小高频通路的输入电容，改善了电路的VSWR，同时在射频三极管输入输出端设置电容隔直，可以避免所述射频三极管静态工作点受到影响，提高了电路的稳定性。
上述仅为本申请的较佳实施例及所运用的技术原理。本申请不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行的各种明显变化、重新调整及替代均不会脱离本申请的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本申请进行了较为详细的说明，但是本申请不仅仅限于以上实施例，在不脱离本申请构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本申请的范围由权利要求的范围决定。
Claims (10)
1.一种数据采集卡电路，其特征在于，所述数据采集卡电路包括：
信号输入端，用于接收信号；电阻R1，一端与所述信号输入端连接，另一端接地，用于进行阻抗匹配；信号输出端，用于输出信号；偏置电压端，用于接入偏置电压；
所述信号输入端与所述信号输出端之间设置有：
低频通路，包括低频衰减单元，放大单元，第一缓冲单元，源随器以及第二缓冲单元；所述低频衰减单元的输入端与所述信号输入端连接，所述低频衰减单元的输出端与所述放大单元的第一输入端连接，所述放大单元的输出端与所述第一缓冲单元的输入端连接，所述第一缓冲单元的输出端与所述源随器的输入端连接，所述源随器的输出端与所述第二缓冲单元的输入端连接，所述第二缓冲单元的输出端与所述信号输出端和负载连接；其中，所述第一缓冲单元，用于对所述输入信号的低频分量进行暂时缓存，以协调所述输入信号中的高频分量、中频分量以及低频分量的数据处理速率；所述第二缓冲单元，用于隔离前级电路与后级电路，避免由于后级电路的阻抗变化对前级电路的增益以及静态工作点等方面产生的影响；
中频通路，包括中频衰减单元，中频选通单元，源随器以及第二缓冲单元；所述中频衰减单元的输入端与所述信号输入端连接，所述中频衰减单元的输出端与所述中频选通单元的输入端连接，所述中频选通单元的输出端与所述源随器的输入端连接，所述源随器的输出端与所述第二缓冲单元的输入端连接，所述第二缓冲单元的输出端与所述信号输出端和负载连接；
高频通路，包括高频选通单元，三极管Q1，隔直单元，中频选通单元，源随器以及第二缓冲单元；所述高频选通单元的输入端与所述信号输入端连接；所述高频选通单元的输出端与所述三极管Q1的控制端连接，所述三极管Q1的第一端与所述隔直单元的输入端连接，所述隔直单元的输出端与所述中频选通单元的输入端连接，所述中频选通单元的输出端与所述源随器的输入端连接，所述源随器的输出端与所述第二缓冲单元的输入端连接，所述第二缓冲单元的输出端与所述信号输出端和负载连接。
2.根据权利要求1所述的数据采集卡电路，其特征在于，所述放大单元包括运算放大器；
所述放大单元的第一输入端为同向输入端；
所述放大单元的第二输入端为反向输入端；
所述反向输入端与所述运算放大器的输出端之间通过电容C2连接，以形成负反馈。
3.根据权利要求2所述的数据采集卡电路，其特征在于，所述第二缓冲单元的输出端通过负反馈电阻与所述运算放大器的反向输入端连接，以形成负反馈。
4.根据权利要求1所述的数据采集卡电路，其特征在于，所述源随器包括场效应管Q3；
所述场效应管Q3的控制端为源随器的输入端；
所述场效应管Q3的第一端连接电源VCC，第二端连接配置电阻的一端，配置电阻的另一端通过恒流源I1连接电源VEE；
其中，所述配置电阻的另一端为源随器的输出端。
5.根据权利要求4所述的数据采集卡电路，其特征在于，所述配置电阻的另一端通过一增益匹配电阻与所述场效应管Q3的控制端连接；
所述配置电阻和所述增益匹配电阻用于对所述三极管Q1的增益进行匹配。
6.根据权利要求5所述的数据采集卡电路，其特征在于，增益匹配电阻的阻值大于或者等于1kΩ。
7.根据权利要求1所述的数据采集卡电路，其特征在于，所述高频选通单元包括电容C1；
所述隔直单元包括电容C3；
所述中频选通单元包括电容C4。
8.根据权利要求1所述的数据采集卡电路，其特征在于，所述三极管Q1的控制端与电压控制单元连接；
所述电压控制单元包括电压Vbias和上拉电阻；
所述上拉电阻的取值范围为大于或者等于1kΩ。
9.根据权利要求1所述的数据采集卡电路，其特征在于，所述三极管Q1的第一端还与三极管Q2的集电极通过一附加电阻连接，以三极管Q2及其附属器件作为等效恒流源电路，以提高输入阻抗和降低输出阻抗。
10.根据权利要求1所述的数据采集卡电路，其特征在于，所述低频衰减单元包括电阻R2和电阻R3；所述电阻R2和电阻R3串联，所述电阻R2和电阻R3的公共端为低频衰减单元的输出端，所述电阻R2的另一端为低频衰减单元的输入端，所述电阻R3的另一端接地；
所述低频衰减单元用于对低频信号进行衰减处理。
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