CN116314466A - 一种硅片自动化传输机构及硅片走位异常处理方法 - Google Patents

一种硅片自动化传输机构及硅片走位异常处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116314466A
CN116314466A CN202310376154.XA CN202310376154A CN116314466A CN 116314466 A CN116314466 A CN 116314466A CN 202310376154 A CN202310376154 A CN 202310376154A CN 116314466 A CN116314466 A CN 116314466A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon wafer
wafer
transport
adjusting
conveying
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310376154.XA
Other languages
English (en)
Inventor
王伟
黄纪德
张鹤佳
金浩
张昕宇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Jinko Solar Co Ltd
Jinko Solar Co Ltd
Original Assignee
Zhejiang Jinko Solar Co Ltd
Jinko Solar Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang Jinko Solar Co Ltd, Jinko Solar Co Ltd filed Critical Zhejiang Jinko Solar Co Ltd
Priority to CN202310376154.XA priority Critical patent/CN116314466A/zh
Publication of CN116314466A publication Critical patent/CN116314466A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供了一种硅片自动化传输机构及硅片走位异常处理方法，涉及太阳能电池技术领域，其硅片自动化传输机构包括：传输装置，用于输送硅片；托片装置，设置在传输装置的外侧并用于将硅片从传输装置上托起；检测装置，设置在传输装置的内侧并用于检测硅片在传输装置上的姿态；调节装置，设置在传输装置的一侧并用于调整硅片在传输装置上的姿态；控制器，控制器分别与传输装置、托片装置、检测装置以及调节装置电连接。本发明中的硅片自动化传输机构能够降低硅片在湿化学及板式镀膜工序中的隐裂风险，同时提高成品质量。

Description

一种硅片自动化传输机构及硅片走位异常处理方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及一种硅片自动化传输机构及硅片走位异常处理方法。
背景技术
电池片是太阳能光伏组件的重要组成部件，通常是将硅片采用湿化学及板式镀膜等工序加工而成。随着新能源行业的迅猛发展，降低硅片成本已成为相关光伏企业的重要目标，硅片减薄则是实现这一目标的第一选择，硅片极限减薄带来的硅片成本快速下降的同时，减薄硅片对电池制程自动化的兼容型也越来越高，因此，减薄硅片得到了广泛的应用。
在湿化学及板式镀膜工序中，硅片通常采用传输皮带输送，硅片在传输皮带与硅片之间通过摩擦力带动向前移动，进入花篮或者到达某个位置停止后，先由定位托块将其从传输皮带上托起，再由摆放吸盘将硅片吸起后摆放至模具框内。但是受硅片减薄的影响，硅片在传输过程中容易出现打滑现象，导致硅片走位异常甚至追尾堵片，当定位托块将硅片从传输皮带上托起后，摆放吸盘再从定位托块上将硅片吸起时，不仅硅片隐裂风险极大，而且后续硅片无法完全放入模具框内，导致硅片在模具框上的部分无法正常镀膜，影响成品质量。
发明内容
本发明解决的技术问题是如何降低硅片在湿化学及板式镀膜工序中的隐裂风险，同时提高成品质量。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供一种硅片自动化传输机构，包括：
传输装置，用于输送硅片；
托片装置，设置在所述传输装置的外侧并用于将所述硅片从所述传输装置上托起；
检测装置，设置在所述传输装置的内侧并用于检测所述硅片在所述传输装置上的姿态；
调节装置，设置在所述传输装置的一侧并用于调整所述硅片在所述传输装置上的姿态；
控制器，所述控制器分别与所述传输装置、所述托片装置、所述检测装置以及所述调节装置电连接。
可选地，所述托片装置包括多个托片单元，多个所述托片单元沿所述传输装置的输送方向间隔设置。
可选地，每个所述托片单元包括两个定位托块，两个所述定位托块相对设置，且于垂直于所述传输装置的输送方向上，一个所述定位托块设置在所述传输装置的一侧，另一个所述定位托块设置在所述传输装置的相对的另一侧。
可选地，所述检测装置包括多个纵向检测传感器，多个所述纵向检测传感器沿所述传输装置的输送方向间隔设置。
可选地，一个所述托片单元匹配N个所述纵向检测传感器，且N＝(L/d)+1,其中，L为相邻所述托片单元之间的间距，d为所述托片单元的兼容公差精度。
可选地，所述调节装置包括顶升结构，所述顶升结构设置在所述传输装置的外侧并用于调整所述硅片在所述传输装置上的姿态。
可选地，一个所述定位托块对应至少一个所述顶升结构，每个所述顶升结构用于单独完成升降、纵移以及横移中的一个或多个动作。
可选地，所述纵向检测传感器包括堵片传感器，于所述传输装置的传输方向上，所述堵片传感器设置在所述硅片的标准姿态后侧的预设距离处并用于检测所述硅片是否堵片。
可选地，所述预设距离等于相邻所述托片单元之间的间距。
可选地，所述调节装置还包括收集盒，所述收集盒设置在所述传输装置的一侧并用于收集从所述传输装置上滑落的所述硅片。
本发明与现有技术相比，具有以下有益效果：
通过设置与控制器电连接的传输装置用于输送硅片，在传输装置的内侧设置与控制器电连接的检测装置，在传输装置的一侧设置与控制器电连接的调节装置，当硅片在传输装置上传输时，检测装置用于检测硅片在传输装置上的姿态并反馈至控制器，若检测到硅片在传输装置上的姿态异常，控制器则下达指令使得调节装置对硅片的姿态进行调整，再通过设置在传输装置外侧与控制器电连接的托片装置将硅片从传输装置上托起，由于调节装置在此之前已完成了硅片姿态的调整，因此，托片装置将硅片托起后，硅片在托片装置上的位置处于正常状态，后续摆放吸盘再从托片装置上吸起硅片时，硅片处于正常的受力状态，硅片各处受力均衡，从而不易造成隐裂，同时，由于硅片的姿态正常，后续能够完全放入模具框内完成正常的镀膜，从而能够提高成品质量。
为解决上述技术问题，本发明还提供一种硅片走位异常处理方法，采用如上所述的硅片自动化传输机构，包括：
所述硅片自动化传输机构的检测装置检测所述硅片在所述硅片自动化传输机构的传输装置上的即时姿态信息，并发送至所述硅片自动化传输机构的控制器；
所述控制器将所述即时姿态信息与所述硅片的标准姿态信息进行比对获取调整指令，并将所述调整指令发送至所述硅片自动化传输机构的调节装置；
所述调节装置根据所述调整指令将所述硅片调整至标准姿态。
可选地，所述即时姿态信息包括所述硅片相对于标准停片位置的距离L1，且L1＝n×d1，其中，n为检测到所述硅片即时停片位置异常的所述检测装置的纵向检测传感器的数量，d1为相邻所述纵向检测传感器之间的间距。
可选地，所述调整指令包括顶升指令，当所述纵向检测传感器的堵片传感器检测到所述硅片发生堵片时，所述调节装置的至少一个顶升结构接受所述顶升指令并将发生堵片的所述硅片向所述传输装置的一侧顶升至倾斜状态直至滑入所述调节装置的收集盒内。
所述硅片走位异常处理方法对于现有技术所具有的优势与上述的硅片自动化传输机构相同，在此不再赘述。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1为本发明实施例中硅片自动化传输机构的结构示意图；
图2为本发明实施例图1中A处的放大图；
图3为本发明实施例图1中B处的放大图；
图4为本发明实施例中定位托块以及硅片的放置示意图；
图5为本发明实施例中调整装置的局部结构示意图；
图6为本发明实施例中硅片走位异常处理方法的流程图；
图7为本发明实施例中硅片走位异常处理方法步骤300的流程图；
图8为本发明实施例中硅片调节过程的流程图。
附图标记说明：
1、传输装置；2、托片装置；21、定位托块；211、承载平台；3、检测装置；31、纵向检测传感器；32、横向检测传感器；4、调节装置；41、顶升结构；411、纵移底座；412、纵移气缸；413、横移底座；414、横移气缸；415、升降底座；416、升降气缸；42、收集盒；43、调节滑轨；44、吸盘；100、硅片。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“中”、“竖直”、“水平”、“横向”、“纵向”等指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本发明及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。
并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本发明中的具体含义。
此外，术语“安装”、“设置”、“设有”、“开设”、“连接”、“相连”应做广义理解。例如，可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，术语“第一”、“第二”等主要是用于区分不同的装置、元件或组成部分(具体的种类和构造可能相同也可能不同)，并非用于表明或暗示所指示装置、元件或组成部分的相对重要性和数量。除非另有说明，“多个”的含义为两个或两个以上。
硅片通常为具有微米级厚度的薄片，现有的传输装置针对薄片传输打滑如果采用更换加宽皮带和大摩擦力皮带的方案仅能对130μm厚度以上的硅片有一定效果，对于130μm厚度以下的硅片效果较差，硅片打滑或堵片后需要打开安全门进行人工处理，不但存在安全隐患，对正常生产有严重影响，而且还降低了传输速度，直接影响20％以上的产量。
为解决上述问题，本发明的实施例提供一种硅片自动化传输机构，包括：传输装置1，用于输送硅片100；托片装置2，设置在传输装置1的外侧并用于将硅片100从传输装置1上托起；检测装置3，设置在传输装置1的内侧并用于检测硅片100在传输装置1上的姿态；调节装置4，设置在传输装置1的一侧并用于调整硅片100在传输装置1上的姿态；控制器(图未示)，控制器分别与传输装置1、托片装置2、检测装置3以及调节装置4电连接。
如图1所示，本实施例中，为了使硅片100传输更加平稳，传输装置1采用包括相互平行设置的两套传输皮带，两套传输皮带之间间隔一定距离且同步传送，硅片100放置在传输皮带上并且两侧的部分别伸出传输皮带之外，在一些情况下，例如硅片100尺寸较小时，传输皮带也可只设置一套，这样不仅可以节约设备成本，并且还可降低因传输皮带同步问题带来的传输误差，具体可根据需要进行设置，在此不做限制。
为了在将硅片100从传输装置1上托起时更加平稳，托片装置2通常设置在传输装置1的外侧，即两套传输皮带相互远离的一侧，当硅片100输送至停止位置时，托片装置2能够沿垂直于硅片100所在平面的方向升降，从而将硅片100从传输皮带上托起。
检测装置3是用于检测硅片100在传输装置1上姿态的结构，为了提高检测的成功率和准确性，通常可将检测装置3设置在两套传输皮带之间的间隙处，即传输装置1的内侧，在一些情况下，例如传输装置1内侧空间较小时，也可将检测装置3设置在传输装置1的外侧，具体可根据需要进行设置，在此不做限制。
调节装置4是指在硅片100输送至停止位置后，能够对其姿态进行调整的结构，通常可根据传输装置1以及托片装置2的结构形式设置在传输装置1的内侧或外侧，示例性地，当传输装置1的两套传输皮带之间的间距较小，而传输皮带与托片装置2之间的间距较大时，则可将调节装置4设置在传输装置1与托片装置2之间，即传输装置1的外侧，当传输装置1的两套传输皮带之间的间距较大，而传输皮带与托片装置2之间的间距较小时，则可将调节装置4设置在两套传输皮带之间，即传输装置1的内侧；控制器为硅片自动化传输机构的控制元件，通常可采用内置有控制程序的PLC模块及电脑等现有设备，在此不做赘述。
需要说明的是，硅片100的截面形状通常为矩形，在传输装置1上输送时，根据产线的不同设计方式，硅片100既可以采用长边与输送方向一致的方式放置，也可以采用长边与输送方向垂直的方式输送，由此，可根据硅片100的不同放置方式设置传输装置1的两套传输皮带之间的间距，从而设置检测装置3以及调节装置4与传输装置1之间的位置关系，具体可根据需要进行设置，在此不做限制。
这样，通过设置与控制器电连接的传输装置1用于输送硅片100，在传输装置1的内侧设置与控制器电连接的检测装置3，在传输装置1的一侧设置与控制器电连接的调节装置4，如图8所示，当硅片100在传输装置1上传输时，检测装置3用于检测硅片100在传输装置1上的姿态并反馈至控制器，若检测到硅片100在传输装置1上的姿态异常，控制器则下达指令使得调节装置4对硅片100的姿态进行调整，再通过设置在传输装置1外侧与控制器电连接的托片装置2将硅片100从传输装置1上托起，由于调节装置4在此之前已完成了硅片100姿态的调整，因此，托片装置2将硅片100托起后，硅片100在托片装置2上的位置处于正常状态，后续摆放吸盘再从托片装置2上吸起硅片100时，硅片100处于正常的受力状态，硅片100各处受力均衡，从而不易造成隐裂，同时，由于硅片100的姿态正常，后续能够完全放入模具框内完成正常的镀膜，从而能够提高成品质量。
可选地，托片装置包括多个托片单元，多个托片单元沿传输装置的输送方向间隔设置，每个托片单元包括两个定位托块，两个定位托块相对设置，且于垂直于传输装置的输送方向上，一个定位托块设置在传输装置的一侧，另一个定位托块设置在传输装置的相对的另一侧。
如图1所示，托片装置2对应有多个托片单元，多个托片单元沿传输装置1的输送方向间隔设置，每个托片单元均能够单独升降并对应一个硅片100，因此，每个托片单元均能将输送至该托片单元位置处的相应硅片100托起。
本实施例中，为了使硅片100在被托起时更加平稳，每个托片单元均横跨在传输装置1的外侧，具体地，如图1所示，每个托片单元均由两个定位托块21组成，在Y轴方向上，两个定位托块相对设置，并且一个定位托块21设置在一个传输皮带的外侧，另一个定位托块21设置在另一个传输皮带的外侧。
示例性地，定位托块21可采用截面形状为U形的结构，每个托片单元的两个定位托块21其U形结构的开口相对设置，且每个U形结构的内壁上还设有承载平台211或台阶结构从而对硅片100进行支撑，当每个托片单元上升时，与之相应的硅片100可容纳在两个U形结构之间的空间内并被托起。
这样，通过沿传输装置1的输送方向间隔设置多个定位托块21从而形成多个托片单元，方便将多个不同位置处的硅片100单独托起，每个托片单元可独立动作，减少相互干扰。
可选地，检测装置3包括多个纵向检测传感器31，多个纵向检测传感器31沿传输装置1的输送方向间隔设置。
如图1所示，本实施例中，检测装置3采用多个沿传输装置1的输送方向间隔设置的纵向检测传感器31，纵向检测传感器31通常为光电传感器，光电传感器可以检测硅片100在传输装置1上的位置，通过对多个光电传感器检测到的位置信息进行综合分析，从而可确定硅片100的姿态是否正常。
可选地，一个托片单元匹配N个纵向检测传感器31，且N＝(L/d)+1,其中，L为相邻托片单元之间的间距，d为托片单元的兼容公差精度。
如图1和图4所示，本实施例中，每个托片单元沿输送方向对应设置多个纵向检测传感器31，为了方便描述，可将每个托片单元对应纵向检测传感器31的个数记为N，其中，N为大于1的正整数，通常情况下，N的取值可由相邻托片单元之间的间距L以及托片单元的兼容公差精度d计算得出，即N＝(L/d)+1，L/d取正整数。
需要说明的是，如图4所示，托片单元的兼容公差精度d是指硅片100放入定位托块21的容纳槽内之后，硅片100的前后侧壁与定位托块21容纳槽前后内壁之间的间距，通常情况下，兼容公差精度d可根据需要自行设置，优选地，0.01mm≤d≤1.5mm。
可选地，检测装置还包括多个横向检测传感器32，多个横向检测传感器32沿传输装置1的输送方向间隔设置且位于托片装置2的外侧。
如图1所示，当硅片在传输装置1上输送时，由于传输皮带的振动等原因，硅片100通常会存在一定的横向偏移，为了方便检测硅片100在横向上偏离标准姿态的距离，本实施例中，在托片装置2的外侧还设有横向检测传感器32，如图1和图3所示，沿Y轴方向上，横向检测传感器32与定位托块21的外侧端面之间的间距为W，其中，W≥0.1mm，示例性地，W取值2mm为佳。
需要说明的是，横向检测传感器32通常为测距传感器，通过检测硅片100平行于传输皮带的边到测距传感器的距离，并将检测结果与硅片100位于标准姿态时与测距传感器之间的距离进行比较从而确定硅片100传输异常时的横向偏移距离。
需要说明的是，为了提高硅片100横向偏移距离的检测精度，每个硅片100对应的托片单元的同一侧可设置多个测距传感器，并且每个托片单元的左右两侧可同时设置多个沿输送方向间隔设置的测距传感器，其中，如图1所示，托片单元的左右两侧是指沿Y轴方向相对的两侧。
可选地，调节装置4包括顶升结构41，顶升结构41设置在传输装置1的外侧并用于调整硅片100在传输装置1上的姿态，一个定位托块21对应至少一个顶升结构41，每个顶升结构41用于单独完成升降、纵移以及横移中的一个或多个动作。
如图1和图5所示，本实施例中，调节装置4包括调节滑轨43和顶升结构41，调节滑轨43设置在传输皮带的外侧，并且调节滑轨43的设置方向与传输装置1的输送方向一致，顶升结构41设有多个，多个顶升结构41间隔设置在调节滑轨43上，并且一个定位托块21对应至少一个顶升结构41，每个顶升结构41不仅能够沿垂直于硅片100所在平面的方向上升降，并且还能够沿垂直于调节滑轨43的方向横向移动以及在调节滑轨43上沿输送方向纵向移动，从而使得每个顶升结构41均能单独完成升降、纵移以及横移中的一个或多个动作。
示例性地，如图5所示，顶升结构41包括纵移底座411、纵移气缸412、横移底座413、横移气缸414、升降底座415以及升降气缸416等部件，其中，纵移底座411与调节滑轨43滑动连接，纵移气缸412一端与纵移底座411连接，纵移气缸412的另一端与调节滑轨43连接，通过纵移气缸412的纵向伸缩从而实现顶升结构41的纵向移动，横移底座413设置在纵移底座411上并与纵移底座411滑动连接，横移气缸414的一端与横移底座413连接，横移气缸414的另一端与纵移底座411连接，通过横移气缸414的横向伸缩从而实现顶升结构41的横向移动，升降底座415设置在横移底座413上并与横移底座413滑动连接，升降气缸416的一端与横移底座413连接，升降气缸416的另一端与升降底座415连接，通过升降气缸416沿垂直于硅片100所在平面的方向伸缩从而实现顶升结构41的升降。
需要说明的是，上述顶升结构41中的横移底座413与升降底座415的位置可以根据需要进行互换，在此不做限制，另外，顶升结构41并不仅限于从硅片100底部对硅片100进行托举，也可以是从硅片100上方吸起硅片100从而调整硅片100在传输装置1上的姿态，示例性地，调节装置4的调节滑轨43以及顶升结构41均设置在传输装置1的上方，顶升结构41吊挂在调节滑轨43上并且顶升结构41与硅片100接触的部分设置有吸盘44，顶升结构41通过吸盘44将硅片100吸起后再对其姿态进行调整。
优选地，在硅片100姿态调整完成后，为了避免调节装置4对摆放吸盘的动作造成干扰，方便后续摆放吸盘将硅片100移送至模具内，调节装置4的调节滑轨以及顶升结构41均设置在传输皮带所在平面以下，这样不仅可以避免妨碍传输装置1以及摆放吸盘的动作，并且还可以充分利用传输装置1底部的空间，节约该硅片自动化传输机构占用的厂房空间，从而节省安装成本。
可选地，纵向检测传感器31包括堵片传感器，于传输装置1的传输方向上，堵片传感器设置在硅片100的标准姿态后侧的预设距离处并用于检测硅片100是否堵片，预设距离等于相邻托片单元之间的间距。
如图1所示，X轴的方向为传输装置1的传输方向，其正向表示向前，反向表示向后，本实施例中，在每个托片单元对应的多个纵向检测传感器31中，沿传输方向从前向后位于最后的一个纵向检测传感器31为堵片传感器，该堵片传感器用于检测硅片100是否产生堵片，通常情况下，堵片传感器设置在硅片100的标准姿态后侧一个预设距离处，其中，预设距离为相邻两个托片单元之间的间距。
示例性地，如图1和图2所示，X轴的正向为传输装置1的传输方向，每个托片单元对应3个纵向检测传感器，相邻两个托片单元沿X轴方向的间距L即为预设距离，硅片的标准姿态是指正常停片时其后侧边应与图2中的虚线α平齐，且在Y轴方向上无横向偏移，即横向检测传感器32检测到硅片的横向偏移距离为零，堵片传感器是指每个托片单元所对应的3个纵向检测传感器中设置在虚线β上的一个，其中，虚线β与虚线α在X轴方向上的间距为预设距离L。
这样，当堵片传感器检测到其对应的位置处有硅片100时，即意味着前一个定位托块21对应的硅片100的一部分已经落入了后一个定位托块21的调整范围内，也就是说，前后两个硅片100存在叠片的可能，此时，即可判定为硅片100发生了堵片，通过设置堵片传感器，可为调节装置4如何做出调节动作提供依据，避免无效调节，从而节省时间，提高效率。
可选地，调节装置4还包括收集盒42，收集盒42设置在传输装置1的一侧并用于收集从传输装置1上滑落的硅片100。
如图1所示，当堵片传感器检测到发生堵片时，此时如果采取将堵片调节至正常状态需花费较长时间，为了避免无效调节，提高效率，调节装置4通常采用向一侧顶升硅片100，使其倾斜呈一定角度后从定位托块21上掉落。
为了方便回收堵片并避免堵片损坏，本实施例中，在传输装置1的一侧还设有收集盒42，收集盒42通常采用具有防硅片100磕碰受损功能的结构，示例性地，可以采用由PVC(聚氯乙烯，Polyvinyl Chloride)材质或其他具有弱弹性的材质包裹的金属结构，具体可根据需要进行设置，在此不做限制。
为解决上述技术问题，如图6所示，本发明还提供一种硅片走位异常处理方法，采用如上的硅片自动化传输机构，包括：
S100、硅片自动化传输机构的检测装置3检测硅片100在硅片自动化传输机构的传输装置1上的即时姿态信息，并发送至硅片自动化传输机构的控制器；
其中，硅片100的即时姿态信息包括硅片100在纵向上偏离其位于标准姿态时的纵移距离以及硅片100在横向上偏离其位于标准姿态时的横移距离。
需要说明的是，通常情况下，由于传输皮带为纵向传输，在未发生堵片以及无外力作用等常规情况下，硅片100与传输皮带之间的作用力主要为沿纵向的摩擦力，因此，硅片100的即时姿态信息以其纵移距离为主，但是，由于机器振动等一些外部因素的影响，硅片100在传输皮带上输送时也会产生一定的横向偏移从而形成一定的横移距离。
S200、控制器将即时姿态信息与硅片100的标准姿态信息进行比对获取调整指令，并将调整指令发送至硅片自动化传输机构的调节装置4；
其中，调整指令包括纵向调整指令以及横向调整指令。
S300、调节装置4根据调整指令将硅片100调整至标准姿态，如图7所示，具体包括：
S301、调节装置4根据纵向调整指令将硅片100的即时纵向位置调整至标准纵向位置；
S302、调节装置4根据横向调整指令将硅片100的即时横向位置调整至标准横向位置；
需要说明的是，调节装置4可以先进行纵向调整，再进行横向调整，也可以先进行横向调整，再进行纵向调整，具体可根据需要进行设置，在此不做限制。
可选地，即时姿态信息包括硅片100相对于标准停片位置的距离L1，且L1＝n×d1，其中，n为检测到硅片100即时停片位置异常的检测装置3的纵向检测传感器31的数量，d1为相邻纵向检测传感器31之间的间距。
如图1所示，本实施例中，将即时姿态信息中的纵移距离记为L1，则根据检测到硅片100即时停片位置异常的纵向检测传感器31数量n以及相邻传感器之间的间距d1即可获知L1，即L1＝n×d1，其中，相邻纵向检测传感器31之间的间距d1可根据托片单元沿传输方向的宽度D与每个托片单元配备的纵向检测传感器31的数量N计算获知，即d1＝D/N。
需要说明的是，标准停片位置是指硅片在正常停片时其后侧边应与图2中的虚线α平齐，与标准姿态有所不同的是标准停片位置仅对硅片在X轴方向上的位置做出限定，而标准姿态同时对硅片在X轴以及Y轴方向上的位置做出限定；另外，在上述公式d1＝D/N中，应当理解为直接根据纵向检测传感器31的数量代入进行计算，即相邻两个纵向检测传感器31之间的间距就是一个单位误差，有一个纵向检测传感器31检测到了停片位置异常，那么该硅片100就偏移了一个单位误差，有两个纵向检测传感器31检测到了停片位置异常，那么该硅片100就偏移了两个单位误差，依次类推，而不应理解为以第一个纵向检测传感器31为基准，后面的纵向检测传感器31检测到了停片位置异常才算一个单位误差。
可选地，调整指令包括顶升指令，当纵向检测传感器31的堵片传感器检测到硅片100发生堵片时，调节装置4的至少一个顶升结构41接受顶升指令并将发生堵片的硅片100向传输装置1的一侧顶升至倾斜状态直至滑入调节装置4的收集盒42内。
如图6所示，当检测装置3检测到硅片100发生堵片时，为了节省时间，提高效率，本实施例中，该硅片走位异常处理方法还包括：
S400、调节装置4的至少一个顶升结构41接受顶升指令并将发生堵片的硅片100向传输装置1的一侧顶升至倾斜状态直至滑入调节装置4的收集盒42内；
需要说明的是，由于每个托片单元沿横向的两侧均分布有等量的顶升结构41，为了将发生堵片的硅片100从托片单元上顶落进入收集盒42内，可对位于收集盒42相反一侧的顶升结构41下达顶升指令使其上升，从而将硅片100相应的一侧太高从而滑入收集盒42内。
需要说明的是，上述至少一个顶升结构41是指位于传送皮带同一侧的顶升结构41，当然，若有需要，例如由于定位托块21沿横向的边缘宽度过大而影响发生堵片的硅片100掉落，也可采用位于两侧的多个顶升结构41同时将硅片100顶升一定高度后，再由远离收集盒42的一侧顶升结构41继续顶升，从而使硅片100滑入收集盒42内。
虽然本公开披露如上，但本公开的保护范围并非仅限于此。本领域技术人员在不脱离本公开的精神和范围的前提下，可进行各种变更与修改，这些变更与修改均将落入本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种硅片自动化传输机构，其特征在于，包括：
传输装置，用于输送硅片；
托片装置，设置在所述传输装置的外侧并用于将所述硅片从所述传输装置上托起；
检测装置，设置在所述传输装置的内侧并用于检测所述硅片在所述传输装置上的姿态；
调节装置，设置在所述传输装置的一侧并用于调整所述硅片在所述传输装置上的姿态；
控制器，所述控制器分别与所述传输装置、所述托片装置、所述检测装置以及所述调节装置电连接。
2.根据权利要求1所述的硅片自动化传输机构，其特征在于，所述托片装置包括多个托片单元，多个所述托片单元沿所述传输装置的输送方向间隔设置。
3.根据权利要求2所述的硅片自动化传输机构，其特征在于，每个所述托片单元包括两个定位托块，两个所述定位托块相对设置，且于垂直于所述传输装置的输送方向上，一个所述定位托块设置在所述传输装置的一侧，另一个所述定位托块设置在所述传输装置的相对的另一侧。
4.根据权利要求3所述的硅片自动化传输机构，其特征在于，所述检测装置包括多个纵向检测传感器，多个所述纵向检测传感器沿所述传输装置的输送方向间隔设置。
5.根据权利要求4所述的硅片自动化传输机构，其特征在于，一个所述托片单元匹配N个所述纵向检测传感器，且N＝(L/d)+1,其中，L为相邻所述托片单元之间的间距，d为所述托片单元的兼容公差精度。
6.根据权利要求5所述的硅片自动化传输机构，其特征在于，所述调节装置包括顶升结构，所述顶升结构设置在所述传输装置的外侧并用于调整所述硅片在所述传输装置上的姿态。
7.根据权利要求6所述的硅片自动化传输机构，其特征在于，一个所述定位托块对应至少一个所述顶升结构，每个所述顶升结构用于单独完成升降、纵移以及横移中的一个或多个动作。
8.根据权利要求6所述的硅片自动化传输机构，其特征在于，所述纵向检测传感器包括堵片传感器，于所述传输装置的传输方向上，所述堵片传感器设置在所述硅片的标准姿态后侧的预设距离处并用于检测所述硅片是否堵片。
9.根据权利要求8所述的硅片自动化传输机构，其特征在于，所述预设距离等于相邻所述托片单元之间的间距。
10.根据权利要求6所述的硅片自动化传输机构，其特征在于，所述调节装置还包括收集盒，所述收集盒设置在所述传输装置的一侧并用于收集从所述传输装置上滑落的所述硅片。
11.一种硅片走位异常处理方法，其特征在于，采用如权利要求1至10中任一项所述的硅片自动化传输机构，包括：
所述硅片自动化传输机构的检测装置检测所述硅片在所述硅片自动化传输机构的传输装置上的即时姿态信息，并发送至所述硅片自动化传输机构的控制器；
所述控制器将所述即时姿态信息与所述硅片的标准姿态信息进行比对获取调整指令，并将所述调整指令发送至所述硅片自动化传输机构的调节装置；
所述调节装置根据所述调整指令将所述硅片调整至标准姿态。
12.根据权利要求11所述的硅片走位异常处理方法，其特征在于，所述即时姿态信息包括所述硅片相对于标准停片位置的距离L1，且L1＝n×d1，其中，n为检测到所述硅片即时停片位置异常的所述检测装置的纵向检测传感器的数量，d1为相邻所述纵向检测传感器之间的间距。
13.根据权利要求12所述的硅片走位异常处理方法，其特征在于，所述调整指令包括顶升指令，当所述纵向检测传感器的堵片传感器检测到所述硅片发生堵片时，所述调节装置的至少一个顶升结构接受所述顶升指令并将发生堵片的所述硅片向所述传输装置的一侧顶升至倾斜状态直至滑入所述调节装置的收集盒内。
CN202310376154.XA 2023-03-31 2023-03-31 一种硅片自动化传输机构及硅片走位异常处理方法 Pending CN116314466A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310376154.XA CN116314466A (zh) 2023-03-31 2023-03-31 一种硅片自动化传输机构及硅片走位异常处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310376154.XA CN116314466A (zh) 2023-03-31 2023-03-31 一种硅片自动化传输机构及硅片走位异常处理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116314466A true CN116314466A (zh) 2023-06-23

Family

ID=86778126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310376154.XA Pending CN116314466A (zh) 2023-03-31 2023-03-31 一种硅片自动化传输机构及硅片走位异常处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116314466A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI385746B (zh) 基板傳送裝置、基板傳送方法、及儲存媒體
JP2004134765A (ja) 移動中のコンベヤから直接的に基板キャリアをアンロードする基板キャリアハンドラー
US20190148201A1 (en) Wafer positioning and loading system
CN104512723A (zh) 起吊装置及自动化搬运系统
JP5689096B2 (ja) 基板搬送装置及び基板搬送方法並びに基板搬送用記憶媒体
CN108545468A (zh) 一种具有重量检测功能的硅片自动堆叠式上料机
CN116314466A (zh) 一种硅片自动化传输机构及硅片走位异常处理方法
CN102569490B (zh) 传输控制方法和装置、及传输装置和电池片加工设备
CN219979531U (zh) 一种转接装置及光伏电池片制造设备
KR101824571B1 (ko) 기판 이송 장치
CN102544190A (zh) 控制传送的方法和装置、以及传送装置和加工设备
KR100965512B1 (ko) 평판표시소자 제조장치
KR100934761B1 (ko) 평판표시소자 제조장치
KR20070019421A (ko) 평판표시소자 제조장치
KR101690229B1 (ko) 기판 반송 방법, 기판 반송 장치 및 기억 매체
CN115410967A (zh) 一种固晶设备、倾斜导向式框架存料装置及上料方法
KR20100062294A (ko) 웨이퍼카세트의 높낮이 보정장치 및 그 방법
CN111129232A (zh) 离线式电池串敷设系统及方法
CN220456373U (zh) 一种防晶圆斜插的晶圆推片器治具
KR20090070387A (ko) 카세트 이송 장치 및 이를 이용한 카세트 이송방법
KR101603926B1 (ko) 물류 이송 시스템
CN218498021U (zh) 一种适用于晶圆承载台上晶圆盒内晶圆的检测装置
KR102162092B1 (ko) 메쉬망 정렬장치 및 이를 구비한 메쉬망 이송로봇
CN219455977U (zh) 一种用于晶圆盒内晶圆的检测装置
CN220033008U (zh) 竖挺下料装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination