CN116314063A - 半导体装置及电力变换装置 - Google Patents

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Abstract

得到能够小型化的半导体装置及电力变换装置。多个主端子(3)从封装树脂(1)的第2侧面(1b)引出。多个主端子(3)的每一者在封装树脂(1)的内部具有与多个半导体芯片(5HU、5HV、5HW)中的一者进行导线连接的键合部(9HU、9HV、9HW)、与键合部(9HU、9HV、9HW)相邻的导热部(6HU、6HV、6HW)、安装有多个半导体芯片(5LU、5LV、5LW)中的一者的安装部(8HU、8HV、8HW)。在相邻的主端子(3)之间，在第2侧面1b设置有凹部(10)。导热部(6HU、6HV、6HW)的侧面与凹部(10)相对，键合部(9HU、9HV、9HW)的侧面不与凹部(10)相对。

Description

半导体装置及电力变换装置
技术领域
本发明涉及半导体装置及电力变换装置。
背景技术
半导体装置的封装树脂具有彼此相对的第1侧面和第2侧面。信号端子等施加微电压的多个控制端子从第1侧面引出，输出端子等施加高电压的多个主端子从第2侧面引出(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2019-114640号公报
在相邻的主端子之间，在封装树脂的第2侧面设置凹部，从而能够确保相邻的主端子间的沿面距离。但是，半导体芯片与被导线键合的主端子的键合部以在相邻的主端子之间与第2侧面相对的方式存在于封装树脂的内部。由于无法将进行导线键合的键合部设得小，因此在端子间区域无法确保设置凹部的空间。
发明内容
本发明就是为了解决上述那样的课题而提出的，其目的在于，得到能够小型化的半导体装置及电力变换装置。
本发明涉及的半导体装置的特征在于具有：多个半导体芯片；多个控制端子，它们与所述多个半导体芯片连接；多个主端子，它们与所述多个半导体芯片连接，具有比所述控制端子宽的宽度；以及封装树脂，其对所述多个半导体芯片、所述多个控制端子的一部分及所述多个主端子的一部分进行封装，所述封装树脂在俯视观察时呈矩形，具有彼此相对的第1侧面和第2侧面，所述多个控制端子从所述封装树脂的所述第1侧面引出，所述多个主端子从所述封装树脂的所述第2侧面引出，所述多个主端子的每一者在所述封装树脂的内部具有与所述多个半导体芯片中的一者进行导线连接的键合部、与所述键合部相邻的导热部、安装有所述多个半导体芯片中的另一者的安装部，在相邻的所述主端子之间，在所述第2侧面设置凹部，所述导热部的侧面与所述凹部相对，所述键合部的侧面不与所述凹部相对。
发明的效果
在本发明中，在相邻的主端子之间在与第2侧面相对的区域没有配置键合部而是配置导热部。由于能够将没有进行导线键合的导热部的宽度设得窄，因此在相邻的主端子之间能够确保设置凹部的空间。即使在第2面以凹部的深度的量缩小相邻的主端子的间隔，也能够确保沿面距离。因此，能够通过窄间距化而将产品小型化。
附图说明
图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的俯视图。
图2是表示实施方式1涉及的半导体装置的内部的俯视图。
图3是表示对比例涉及的半导体装置的内部的俯视图。
图4是将P端子放大的图。
图5是表示实施方式2涉及的半导体装置的内部的俯视图。
图6是表示电力变换系统的结构的框图，该电力变换系统应用了实施方式3涉及的电力变换装置。
具体实施方式
参照附图，对实施方式涉及的半导体装置及电力变换装置进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同标号，有时省略重复说明。
实施方式1
图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的俯视图。该半导体装置为三相逆变器。封装树脂1在俯视观察时呈矩形，具有彼此相对的第1侧面1a和第2侧面1b。多个控制端子2从封装树脂1的第1侧面1a引出。多个主端子3从封装树脂1的第2侧面1b引出。主端子3具有比控制端子2宽的宽度。具体而言，优选在从封装树脂1凸出的根部，控制端子2的宽度为0.65±0.2mm，主端子3的宽度为2±0.2mm。
多个控制端子2具有多个高电位侧控制端子2H、多个低电位侧控制端子2L。在高电位侧控制端子2H施加比低电位侧控制端子2L高的电位。多个主端子3具有P主端子3P、3个高电位侧主端子3HU、3HV、3HW、3个低电位侧主端子3LU、3LV、3LW。在高电位侧主端子3HU、3HV、3HW施加比低电位侧主端子3LU、3LV、3LW高的电位。P主端子3P、高电位侧主端子3HU、3HV、3HW、低电位侧主端子3LU、3LV、3LW在第2侧面1b依次排列地配置。
高电位侧主端子3HU、3HV、3HW各自与三相逆变器的U相、V相、W相对应。低电位侧主端子3LU、3LV、3LW各自与U相、V相、W相对应。上述3相的端子的排列顺序是自由的，例如，可以是UVW相的排列顺序，可以是UWV相的排列顺序，也可以是WVU相的排列顺序。优选以相同的排列顺序配置高电位侧主端子3HU、3HV、3HW和低电位侧主端子3LU、3LV、3LW，但并非必须以相同的排列顺序配置。
图2是表示实施方式1涉及的半导体装置的内部的俯视图。控制芯片4H与多个高电位侧控制端子2H进行导线连接。半导体芯片5HU、5HV、5HW的栅极电极各自与控制芯片4H进行导线连接。控制芯片4H与从高电位侧控制端子2H输入的信号对应地，对半导体芯片5HU、5HV、5HW分别进行控制。控制芯片4L与多个低电位侧控制端子2L进行导线连接。半导体芯片5LU、5LV、5LW的栅极电极各自与控制芯片4L连接。控制芯片4L与从低电位侧控制端子2L输入的信号对应地，对半导体芯片5LU、5LV、5LW分别进行控制。此外，也能够将控制芯片4H、4L构成为一个控制芯片。也可以将控制芯片4H、4L接合于与多个控制端子2一体地形成的引线框的安装部。
封装树脂1对控制芯片4H、4L、半导体芯片5HU、5HV、5HW、5LU、5LV、5LW、多个控制端子2的一部分及多个主端子3的一部分进行封装。P主端子3P在封装树脂1的内部具有导热部6P、经由连接部7P与导热部6P连接的安装部8P。
高电位侧主端子3HU在封装树脂1的内部具有键合部9HU、与键合部9HU相邻的导热部6HU、经由连接部7HU与导热部6HU连接的安装部8HU。高电位侧主端子3HU的引出到封装树脂1外部的部分、键合部9HU、导热部6HU、连接部7HU、安装部8HU由一体化的称为引线框的配线构成。它们形成供主电流流通的路径。引线框例如由铜材构成。
相同地，高电位侧主端子3HV在封装树脂1的内部具有键合部9HV、与键合部9HV相邻的导热部6HV、经由连接部7HV与导热部6HV连接的安装部8HV。高电位侧主端子3HW在封装树脂1的内部具有键合部9HW、与键合部9HW相邻的导热部6HW、经由连接部7HW与导热部6HW连接的安装部8HW。
半导体芯片5HU、5HV、5HW的下表面电极通过焊料等接合于P主端子3P的安装部8P。半导体芯片5LU、5LV、5LW的下表面电极各自通过焊料等接合于高电位侧主端子3HU、3HV、3HW的安装部8HU、8HV、8HW。半导体芯片5HU、5HV、5HW的上表面电极各自与高电位侧主端子3HU、3HV、3HW的键合部9HU、9HV、9HW进行导线连接。半导体芯片5LU、5LV、5LW的上表面电极各自与低电位侧主端子3LU、3LV、3LW进行导线连接。
在相邻的主端子3之间，在封装树脂1的第2侧面1b设置至少4个凹部10。具体而言，凹部10在相邻的P主端子3P与高电位侧主端子3HU之间设置一个，在相邻的高电位侧主端子3HU、3HV、3HW彼此之间设置两个，在相邻的高电位侧主端子3HW与低电位侧主端子3LU之间设置一个。此外，由于在不施加高压的低电位侧主端子3LU、3LV、3LW之间需要的沿面距离小，因此为了装置的小型化，在低电位侧主端子3LU、3LV、3LW彼此之间没有设置凹部10。
导热部6P、6HU、6HV、6HW的侧面与凹部10的底面相对。即，导热部6P、6HU、6HV、6HW与封装树脂1的凹部10相邻。通过通电而由半导体芯片5HU、5HV、5HW、5LU、5LV、5LW产生的热量分别经由安装部8P、8HU、8HV、8HW及连接部7P、7HU、7HV、7HW传导至导热部6P、6HU、6HV、6HW。由于通过凹部10而使得导热面积扩大，因此能够利用空气冷却使传导至导热部6P、6HU、6HV、6HW的热量从凹部10释放到外部。因此，散热性提高。此外，连接部7HU、7HV、7HW的侧面不与凹部10相对。
键合部9HU、9HV、9HW各自配置于高电位侧主端子3HU、3HV、3HW从封装树脂1的外部延伸至内部的延长线之上，键合部9HU、9HV、9HW的侧面不与凹部10相对。键合部9HU与导热部6HU以L字型连接，基本上是一体型的。在与第2侧面1b垂直的方向上，键合部9HU的宽度比导热部6HU的宽度宽。由此，即使在来自半导体芯片5HU的导线与键合部9HU大致垂直地连接的情况下，也能够充分地进行导线键合。键合部9HV、9HW和导热部6HV、6HW也同样如此。
接着，与对比例进行比较而说明本实施方式的效果。图3是表示对比例涉及的半导体装置的内部的俯视图。在对比例中，在相邻的主端子3之间以与第2侧面1b相对的方式设置有键合部9HU、9HV、9HW。由于无法将进行导线键合的键合部9HU、9HV、9HW设得小，因此在相邻的主端子3之间的区域无法确保设置凹部10的空间。因此，无法确保相邻的主端子3之间的沿面距离，需要扩大相邻的主端子3的间隔，因此装置变大。
相对于此，在本实施方式中，在相邻的主端子3之间在与第2侧面1b相对的区域没有配置键合部9HU、9HV、9HW而是配置导热部6P、6HU、6HV、6HW。由于能够将没有进行导线键合的导热部6P、6HU、6HV、6HW的宽度设得窄，因此在相邻的主端子3之间的区域能够确保设置凹部10的空间。即使在第2侧面1b以凹部10的深度的量缩小相邻的主端子3的间隔，也能够确保沿面距离。因此，能够通过窄间距化而将产品小型化。另外，通过将导热部6P、6HU、6HV、6HW的宽度设得窄，从而不仅能够使封装树脂1的长边小型化，也能够使短边小型化。
在图1中，相邻的P主端子3P与高电位侧主端子3HU的间隔D1为4±0.2mm。相邻的高电位侧主端子3HU、3HV、3HW彼此的间隔D2为6.1±0.2mm。相邻的高电位侧主端子3HW与低电位侧主端子3LU的间隔D3为6.1±0.2mm。相邻的低电位侧主端子3LU、3LV、3LW彼此的间隔D4为3.5±0.2mm。由于在P主端子3P及高电位侧主端子3HU、3HV、3HW的相邻的端子间产生高的电位差，因此使高电位侧的间隔D1、D2、D3比低电位侧的间隔D4宽。这里，相邻的端子的间隔是指相邻的端子的俯视观察时的中心线彼此之间的间隔。
如图1所示，在第2侧面1b以P主端子3P、高电位侧主端子3HU、3HV、3HW、低电位侧主端子3LU、3LV、3LW的顺序进行配置。并不限于此，也可以在第2侧面1b以P主端子3P、低电位侧主端子3LU、3LV、3LW、高电位侧主端子3HU、3HV、3HW的顺序进行配置。在该情况下，凹部10在相邻的P主端子3P与低电位侧主端子3LU之间设置一个，在相邻的高电位侧主端子3HU、3HV、3HW彼此之间设置两个，在相邻的低电位侧主端子3LW与高电位侧主端子3HU之间设置一个。但是，由于在高电位的P主端子3P旁边配置低电位的低电位侧主端子3LU、3LV、3LW，因此与以图1的顺序配置了主端子的情况相比，绝缘稍微变得困难。
在半导体装置的工作电压为560～630V的情况下，需要确保相邻的高电位侧主端子3HU、3HV、3HW彼此的沿面距离大于或等于4mm。因此，通过将深度大于或等于0.5mm的凹部10设置于高电位侧主端子3HU、3HV、3HW之间，能够使相邻的高电位侧主端子3HU、3HV、3HW彼此的间隔小于4mm。由此，能够充分地实施半导体装置的小型化。
施加于端子的电压越高，越需要扩大端子的间隔，增大端子宽度。在施加电压相同的情况下，端子宽度越大则使间隔越大。具体而言，相邻的低电位侧控制端子2L彼此的间隔D5比相邻的低电位侧主端子3LU、3LV、3L彼此的間隔D4窄。相邻的高电位侧控制端子2H彼此的间隔D6比相邻的P主端子3P与高电位侧主端子3HU的间隔D1及相邻的高电位侧主端子3HU、3HV、3HW彼此的间隔D2窄，比相邻的低电位侧主端子3LU、3LV、3L彼此的间隔D4宽。即，D5<D4<D6<D1、D2。通过这样的端子间隔的优化和凹部10的组合，能够实现半导体装置整体的小型化。
相邻的P主端子3P与高电位侧主端子3HU的间隔大于或等于其它相邻的主端子3彼此的间隔及相邻的控制端子2彼此的间隔。通过这样使相邻的P主端子3P与高电位侧主端子3HU的间隔最宽，即使加粗P主端子3P也能够确保绝缘距离。即，由于能够使P主端子3P加粗，因此设计自由度变高。
图4是将P端子放大的图。与其它主端子3相比，有时P主端子3P流过1.4倍的电流。因此，将P主端子3P的宽度设得比P主端子3P之外的主端子3的宽度及控制端子2的宽度宽。优选P主端子3P的宽度大于或等于其它主端子3的宽度w的1.3倍。由于P主端子3P没有经由导线的导热，因此通过该宽度具有充分的温度降低效果。具体而言，在从封装树脂1凸出的根部，将P主端子3P的宽度设为2.6±0.2mm，将P主端子3P之外的主端子3的宽度设为2±0.2mm，将控制端子2的宽度设为0.65±0.2mm。由此，能够对流过最多通电电流的P主端子3P的自发热进行抑制，进一步减少端子温度上升。
实施方式2
图5是表示实施方式2涉及的半导体装置的内部的俯视图。在实施方式1中，在相邻的主端子3之间在第2侧面1b设置凹部10，但在本实施方式中替代凹部10而设置凸部11。即使在第2侧面1b以凸部11的高度的量缩小相邻的主端子3的间隔，也能够确保沿面距离。因此，能够通过窄间距化而将产品小型化。
即使宽度宽的键合部9HU、9HV、9HW配置于相邻的主端子3之间，也不会对凸部11的形成造成障碍。因此，能够省略导热部6HU、6HV、6HW，使键合部9HU、9HV、9HW与凸部11相邻。通过通电而由半导体芯片5LU、5LV、5LW产生的热量经由安装部8HU、8HV、8HW及连接部7HU、7HV、7HW传导至键合部9HU、9HV、9HW。由于通过凸部11而使得导热面积扩大，因此能够利用空气冷却使传导至键合部9HU、9HV、9HW的热量从凸部11释放到外部。此外，也可以如实施方式1那样设置导热部6HU、6HV、6HW，使导热部6HU、6HV、6HW与凸部11相邻。
在半导体装置的工作电压为560～630V的情况下，需要确保相邻的高电位侧主端子3HU、3HV、3HW彼此的沿面距离大于或等于4mm。因此，通过将凸起高度大于或等于0.5mm的凸部11设置于高电位侧主端子3HU、3HV、3HW之间，能够使相邻的高电位侧主端子3HU、3HV、3HW彼此的间隔小于4mm。由此，能够充分地实施半导体装置的小型化。其它的结构及效果与实施方式1相同。
此外，在实施方式1或2中，也可以在相邻的控制端子2之间，在第1侧面1a设置凹部或凸部。另外，在引线框安装了半导体芯片5HU、5HV、5HW、5LU、5LV、5LW，但也可以在绝缘基板安装半导体芯片5HU、5HV、5HW、5LU、5LV、5LW。绝缘基板是在绝缘层的两面粘贴有金属板的构造。在该金属板安装半导体芯片5HU、5HV、5HW、5LU、5LV、5LW，与引线框相同地从导热部伸出配线，通过焊料或超声波振动将该配线接合于金属板。
半导体芯片5HU、5HV、5HW、5LU、5LV、5LW是将IGBT和二极管集成于1个芯片的RC-IGBT。因此，与单独地安装IGBT和二极管的情况相比能够将半导体装置小型化。此外，也可以单独地安装IGBT和二极管。在该情况下，在P主端子3P的安装部8P安装3个IGBT和3个二极管，在高电位侧主端子3HU、3HV、3HW的安装部8HU、8HV、8HW分别安装1个IGBT和1个二极管。
此外，半导体芯片5HU、5HV、5HW、5LU、5LV、5LW并不限于由硅形成，也可以由与硅相比带隙大的宽带隙半导体形成。宽带隙半导体例如是碳化硅、氮化镓类材料或金刚石。由于由这样的宽带隙半导体形成的半导体芯片的耐压性及允许电流密度高，因此能够小型化。通过使用该被小型化后的半导体芯片，组装有该半导体芯片的半导体装置也能够小型化、高集成化。另外，由于半导体芯片的耐热性高，因此能够将散热器的散热鳍片小型化，能够将水冷部空冷化，因此能够进一步将半导体装置小型化。另外，由于半导体芯片的功率损耗低且高效，因此能够使半导体装置高效化。
实施方式3
本实施方式是将上述实施方式1或2涉及的半导体装置应用于电力变换装置。电力变换装置例如为逆变器装置、转换器装置、伺服放大器、电源单元等。本发明并不限于特定的电力变换装置，以下，对将本发明应用于三相逆变器的情况进行说明。
图6是表示电力变换系统的结构的框图，该电力变换系统应用了实施方式3涉及的电力变换装置。该电力变换系统具有电源100、电力变换装置200、负载300。电源100为直流电源，将直流电供给至电力变换装置200。电源100可以由各种电源构成，例如，能够由直流系统、太阳能电池、蓄电池构成，也可以由与交流系统连接的整流电路或AC/DC转换器构成。另外，也可以由将从直流系统输出的直流电力变换为规定电力的DC/DC转换器构成电源100。
电力变换装置200为连接于电源100和负载300之间的三相逆变器，将从电源100供给来的直流电力变换为交流电力，将交流电力供给至负载300。电力变换装置200具有：主变换电路201，其将直流电力变换为交流电力而输出；以及控制电路203，其将对主变换电路201进行控制的控制信号输出至主变换电路201。
负载300为由从电力变换装置200供给的交流电力驱动的三相电动机。此外，负载300并不限于特定的用途，为安装于各种电气设备的电动机，例如，用作面向混合动力汽车、电动汽车、铁路车辆、电梯、或空调设备的电动机。
以下，对电力变换装置200详细地进行说明。主变换电路201具有开关元件和续流二极管(未图示)，通过开关元件的通断，从而将从电源100供给来的直流电力变换为交流电力而供给至负载300。主变换电路201的具体的电路结构是多种多样的，但本实施方式涉及的主变换电路201为2电平的三相全桥电路，能够由6个开关元件和分别与开关元件反并联的6个续流二极管构成。主变换电路201的各开关元件和各续流二极管由与上述实施方式1～4中的任意者相当的半导体装置202构成。6个开关元件两个两个地串联连接而构成上下桥臂，各上下桥臂构成全桥电路的各相(U相、V相、W相)。而且，各上下桥臂的输出端子即主变换电路201的3个输出端子与负载300连接。
另外，主变换电路201具有对各开关元件进行驱动的驱动电路(未图示)，但驱动电路可以内置于半导体装置202，也可以为具有与半导体装置202分体的驱动电路的结构。驱动电路生成对主变换电路201的开关元件进行驱动的驱动信号，供给至主变换电路201的开关元件的控制电极。具体而言，按照来自后述的控制电路203的控制信号，将使开关元件成为接通状态的驱动信号、和使开关元件成为断开状态的驱动信号输出至各开关元件的控制电极。在将开关元件维持为接通状态的情况下，驱动信号为大于或等于开关元件的阈值电压的电压信号(接通信号)，在将开关元件维持为断开状态的情况下，驱动信号为小于或等于开关元件的阈值电压的电压信号(断开信号)。
控制电路203对主变换电路201的开关元件进行控制以将所期望的电力供给至负载300。具体而言，基于应该供给至负载300的电力对主变换电路201的各开关元件应该成为接通状态的时间(接通时间)进行计算。例如，能够通过与应该输出的电压对应地对开关元件的接通时间进行调制的PWM控制而对主变换电路201进行控制。而且，将控制指令(控制信号)输出至主变换电路201所具有的驱动电路，以使得在各时间点将接通信号输出至应该成为接通状态的开关元件，将断开信号输出至应该成为断开状态的开关元件。驱动电路按照该控制信号，将接通信号或断开信号作为驱动信号输出至各开关元件的控制电极。
在本实施方式涉及的电力变换装置中，由于应用实施方式1或2涉及的半导体装置作为半导体装置202，因此能够实现电力变换装置的小型化。
在本实施方式中，对将本发明应用于2电平的三相逆变器的例子进行了说明，但本发明并不限于此，能够应用于各种电力变换装置。在本实施方式中，设为2电平的电力变换装置，但也可以是3电平或多电平的电力变换装置，在将电力供给至单相负载的情况下也可以将本发明应用于单相逆变器。另外，在将电力供给至直流负载等的情况下，也可以将本发明应用于DC/DC转换器或AC/DC转换器。
另外，应用了本发明的电力变换装置并不限于上述负载为电动机的情况，例如，也能够用作放电加工机、激光加工机、或感应加热烹调器或非接触器供电系统的电源装置，并且也能够用作太阳能发电系统或蓄电系统等的功率调节器。
标号的说明
1封装树脂，1a第1侧面，1b第2侧面，2控制端子，2H高电位侧控制端子，2L低电位侧控制端子，3主端子，3HU、3HV、3HW高电位侧主端子，3LU、3LV、3LW低电位侧主端子，3P P主端子，4H、4L控制芯片，5HU、5HV、5HW、5LU、5LV、5LW半导体芯片，6P、6HU、6HV、6HW导热部，7P、7HU、7HV、7HW连接部，8P、8HU、8HV、8HW安装部，9HU、9HV、9HW键合部，10凹部，11凸部，200电力变换装置，201主变换电路，202半导体装置，203控制电路

Claims (18)

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
多个半导体芯片；
多个控制端子，它们与所述多个半导体芯片连接；
多个主端子，它们与所述多个半导体芯片连接，具有比所述控制端子宽的宽度；以及
封装树脂，其对所述多个半导体芯片、所述多个控制端子的一部分及所述多个主端子的一部分进行封装，
所述封装树脂在俯视观察时呈矩形，具有彼此相对的第1侧面和第2侧面，
所述多个控制端子从所述封装树脂的所述第1侧面引出，
所述多个主端子从所述封装树脂的所述第2侧面引出，
所述多个主端子的每一者在所述封装树脂的内部具有与所述多个半导体芯片中的一者进行导线连接的键合部、与所述键合部相邻的导热部、安装有所述多个半导体芯片中的另一者的安装部，
在相邻的所述主端子之间，在所述第2侧面设置凹部，
所述导热部的侧面与所述凹部相对，所述键合部的侧面不与所述凹部相对。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述导热部没有进行导线键合。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
在与所述第2侧面垂直的方向上，所述键合部的宽度比所述导热部的宽度宽。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述键合部配置于所述主端子从所述封装树脂的外部延伸至内部的延长线之上。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个主端子具有P主端子、多个高电位侧主端子、多个低电位侧主端子，
相邻的所述P主端子与所述高电位侧主端子的间隔及相邻的所述高电位侧主端子的间隔比相邻的所述低电位侧主端子的间隔宽，
所述凹部设置于相邻的所述P主端子与所述高电位侧主端子之间及相邻的所述高电位侧主端子之间。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置的工作电压为560～630V，
所述凹部的深度大于或等于0.5mm，
相邻的所述高电位侧主端子的间隔小于4mm。
7.一种半导体装置，其特征在于，具有：
多个半导体芯片；
多个控制端子，它们与所述多个半导体芯片连接；
多个主端子，它们与所述多个半导体芯片连接，具有比所述控制端子宽的宽度；以及
封装树脂，其对所述多个半导体芯片、所述多个控制端子的一部分及所述多个主端子的一部分进行封装，
所述封装树脂在俯视观察时呈矩形，具有彼此相对的第1侧面和第2侧面，
所述多个控制端子从所述封装树脂的所述第1侧面引出，
所述多个主端子从所述封装树脂的所述第2侧面引出，
在相邻的所述主端子之间，在所述第2侧面设置有凸部。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个主端子的每一者在所述封装树脂的内部具有与所述多个半导体芯片中的一者进行导线连接的键合部、安装有所述多个半导体芯片中的另一者的安装部，
所述键合部的侧面与所述凸部相对。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个主端子的每一者在所述封装树脂的内部具有与所述多个半导体芯片中的一者进行导线连接的键合部、与所述键合部相邻的导热部、安装有所述多个半导体芯片中的另一者的安装部，
所述导热部的侧面与所述凸部相对。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个主端子具有P主端子、多个高电位侧主端子、多个低电位侧主端子，
相邻的所述P主端子与所述高电位侧主端子的间隔及相邻的所述高电位侧主端子的间隔比相邻的所述低电位侧主端子的间隔宽，
所述凸部设置于相邻的所述P主端子与所述高电位侧主端子之间及相邻的所述高电位侧主端子之间。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置的工作电压为560～630V，
所述凸部的凸起高度大于或等于0.5mm，
相邻的所述高电位侧主端子的间隔小于4mm。
12.根据权利要求5、6、10、11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个控制端子具有多个高电位侧控制端子、多个低电位侧控制端子，
相邻的所述低电位侧控制端子的间隔比相邻的所述低电位侧主端子的间隔窄，
相邻的所述高电位侧控制端子的间隔比相邻的所述P主端子与所述高电位侧主端子的间隔及相邻的所述高电位侧主端子的间隔窄，比相邻的所述低电位侧主端子的间隔宽。
13.根据权利要求5、6、10～12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
相邻的所述P主端子与所述高电位侧主端子的间隔大于或等于其它相邻的所述主端子的间隔及相邻的所述控制端子的间隔，
所述P主端子的宽度比所述P主端子之外的所述主端子的宽度及所述控制端子的宽度宽。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
所述P主端子的宽度大于或等于其它所述主端子的宽度的1.3倍。
15.根据权利要求5、6、10～14中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第2侧面，以所述P主端子、所述多个高电位侧主端子、所述多个低电位侧主端子的顺序进行配置。
16.根据权利要求1～15中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体芯片是将IGBT和二极管集成于1个芯片的RC-IGBT。
17.根据权利要求1～16中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体芯片由宽带隙半导体形成。
18.一种电力变换装置，其特征在于，具有：
主变换电路，其具有权利要求1至17中任一项所述的半导体装置，该主变换电路将输入进来的电力变换而输出；以及
控制电路，其将对所述主变换电路进行控制的控制信号输出至所述主变换电路。
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