CN116288686A - 外延片波长良率提升方法、系统、可读存储介质及计算机 - Google Patents

外延片波长良率提升方法、系统、可读存储介质及计算机 Download PDF

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CN116288686A CN202310330903.5A CN202310330903A CN116288686A CN 116288686 A CN116288686 A CN 116288686A CN 202310330903 A CN202310330903 A CN 202310330903A CN 116288686 A CN116288686 A CN 116288686A
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程海林
焦二斌
张铭信
陈铭胜
文国昇
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Abstract

本发明公开了一种外延波长良率提升方法、系统、可读存储介质及计算机，该方法包括：将石墨承载盘的加热丝划分为多个加热丝区域；将所述石墨承载盘上所有外延片划分为多个点集，得到多个目标区域，计算出各所述目标区域的温度斜率；添加波长系数，计算出各所述目标区域的波长斜率；根据各所述目标区域的下一炉次的平均波长与目标波长计算出下一炉次各所述目标区域的波长差；根据各所述下一炉次各所述目标区域的波长差、各所述目标区域的面积占比，采用规划求解的方法得到各温度探测器的最优设定温度变化量，以提升各所述目标区域所产出的外延片的波长良率。

Description

外延片波长良率提升方法、系统、可读存储介质及计算机
技术领域
本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种外延片波长良率提升方法、系统、可读存储介质及计算机。
背景技术
在目前的MOCVD(etal-organicChemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备中，使用高纯度的石墨载盘作为外延衬底与加热系统的热传导介质，在MOCVD设备的反应腔中，通过加热系统对石墨盘进行辐射加热，进而使得衬底的温度达到外延片中各化学薄膜的合成温度。
通常石墨载盘盘面设置两圈或两圈以上用于放置外延晶片的Pocket(口袋)，加热系统通常使用铼和钨作为加热丝，加热丝也会分成两个或者两个以上区域，每个加热区域可单独调整且相互不接触，加热丝位于石墨载盘底部，每个加热丝区域上方分别有一个温度探测器探测控制石墨载盘温度，温度探测器数量与加热丝区域数量相同。
现有技术中，分析石墨载盘Pocket(口袋)上每圈(圈数>＝2)外延片产出之后的波长，通过对比不同加热丝区域上方外延片的平均波长与目标波长的差异，分别调整对应位于石墨载盘底部的每个区域加热丝的设定温度，使生长出的各圈外延片的波长更趋近于目标波长。
现有技术中，由温度探测器(温度探测器)通过一个点探测控制石墨载盘表面的温度；各温度探测器之间距离较长，石墨载盘所在各温度探测器投影之间的实际温度与温度探测器设定温度有差异，且当温度探测器设定温度变化时，这种差异也会随之变化，现有技术不能分析石墨载盘所在各温度探测器投影之间的实际温度随着温度探测器设定温度变化导致的变化量多少，这样会导致产出外延片波长均匀性变差，间接影响Pocket(口袋)上外延片产出波长与目标波长的差异，波长均匀性偏差，造成波长良率损失。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种外延片波长良率提升方法，其能够解决受主杂质Mg原子电离困难、离化率低的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种外延片波长良率提升方法，包括一些步骤：
将石墨承载盘的加热丝划分为多个加热丝区域，每个所述加热丝区域相互隔离，且每个所述加热丝区域上方分别有一个温度探测器用于探测控制所述加热丝区域的温度；
将所述石墨承载盘上所有外延片划分为多个点集，得到多个目标区域，将所述各温度探测器设置为第一设定温度，测量各目标区域的第一测量温度，再将所述各温度探测器设置为第二设定温度，测量各目标区域的第二测量温度，并根据所述第一设定温度、第一测量温度、第二设定温度以及第二测量温度计算出各所述目标区域的温度斜率；
添加波长系数，计算出各所述目标区域的波长斜率；
计算出各所述目标区域的下一炉次的平均波长，并根据各所述目标区域的下一炉次的平均波长与目标波长计算出下一炉次各所述目标区域的波长差；
根据各所述下一炉次各所述目标区域的波长差、各所述目标区域的面积占比，采用规划求解的方法得到各温度探测器的最优设定温度变化量，以提升各所述目标区域所产出的外延片的波长良率。
在一种实施方式中，所述将所述石墨承载盘上所有外延片划分为多个点集，得到多个目标区域的步骤包括：
将所述石墨承载盘根据距离所述石墨承载盘中心距离的远近划分为不同大小的同心圆，分割形成的多个圆环，所述圆环与外延片区域的共有区域即为所述目标区域。
在一种实施方式中，各所述目标区域的温度斜率的计算公式为：
F＝(D2-D1)/(T2-T1)
式中，F表示目标区域的温度斜率，T1表示第一设定温度、D1表示第一测量温度、T2表示第二设定温度以及D2表示第二测量温度。
在一种实施方式中，所述波长斜率＝W×F，
式中，F表示目标区域的温度斜率，W表示波长系数；
所述波长系数为定值。
在一种实施方式中，所述各所述目标区域的下一炉次的平均波长的计算公式为：
NWD＝WD-V×W×F
式中，NWD表示各所述目标区域的下一炉次的平均波长，WD表示各所述目标区域的本炉次的平均波长，V表示各温度探测器的设定温度变化量。
在一种实施方式中，各所述目标区域的本炉次的平均波长的步骤包括：
获取各所述目标区域中的所有点集的独立波长，并根据各所述目标区域中的所有点集的独立波长计算出各所述目标区域的均值波长。
在一种实施方式中，所述根据各所述下一炉次各所述目标区域的波长差、各所述目标区域的面积占比，采用规划求解的方法得到各温度探测器的设定温度变化量的步骤包括：
将所述目标区域的面积占比与所述下一炉次各所述目标区域的波长差相乘，并取绝对值得到第一数值；
将各所述目标区域的第一数值相加，得到第二数值；
随机改变各温度探测器的设定温度变化量，使得所述第二数值最小，得到各温度探测器的最优设定温度变化量。
本发明还提出一种外延波长良率提升系统，包括：
加热丝划分模块，用于将石墨承载盘的加热丝划分为多个加热丝区域，每个所述加热丝区域相互隔离，且每个所述加热丝区域上方分别有一个温度探测器用于探测控制所述加热丝区域的温度；
外延片划分模块，用于所述石墨承载盘上所有外延片划分为多个点集，得到多个目标区域；
温度斜率计算模块，用于将所述各温度探测器设置为第一设定温度，测量各目标区域的第一测量温度，再将所述各温度探测器设置为第二设定温度，测量各目标区域的第二测量温度，并根据所述第一设定温度、第一测量温度、第二设定温度以及第二测量温度计算出各所述目标区域的温度斜率；
波长斜率计算模块，用于添加波长系数，计算出各所述目标区域的波长斜率；
波长差计算模块，计算出各所述目标区域的下一炉次的平均波长，并根据各所述目标区域的下一炉次的平均波长与目标波长计算出下一炉次各所述目标区域的波长差；
波长良率提升模块，用于根据各所述下一炉次各所述目标区域的波长差、各所述目标区域的面积占比，采用规划求解的方法得到各温度探测器的最优设定温度变化量，以提升各所述目标区域所产出的外延片的波长良率。
本发明还提出了一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现所述的外延片波长良率提升方法。
本发明还提出了一种计算机，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现所述的外延片波长良率提升方法。
实施本发明，具有如下有益效果：
本发明提出一种外延片波长良率提升方法，精确的计算石墨载盘所在各温度探测器投影之间的实际温度与温度探测器的设定温度差异，当温度探测器设定温度变化，也能精确计算石墨载盘所在各温度探测器投影之间的实际温度变化量，间接计算出温度探测器投影之间Pocket(口袋)上外延片的产出波长分布，通过调整温度探测器的设定温度，使产出外延片的波长更趋近于目标波长，波长稳定性与均匀性更好，提高芯片产品良率。
附图说明
图1为本发明第一实施例中外延波长良率提升方法的流程图；
图2为本发明第一实施例中加热丝区域和载盘圆槽的分布示意图；
图3为本发明第一实施例中各点集Xi的区域分布和外延片分布图；
图4为本发明第一实施例中调整前后各点集Xi的波长变化；
图5为本发明第二实施例中外延波长良率提升系统的结构框图；
图6为本发明第三实施例中计算机的结构框图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本发明作进一步地详细描述。
需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
实施例一
请参阅图1，所示为本发明第一实施例中的外延波长良率提升方法，所述方法具体包括步骤S101至S105：
S101，将石墨承载盘的加热丝划分为多个加热丝区域，每个所述加热丝区域相互隔离，且每个所述加热丝区域上方分别有一个温度探测器用于探测控制所述加热丝区域的温度；
需要说明的是，请参阅图2，由图2可以看出，现有的石墨承载盘存在三个加热丝区域，每个加热丝区域都设有一个温度探测器，每个温度探测器通过一个点探测控制石墨载盘表面的温度。而且，各温度探测器之间距离较长，石墨载盘所在各温度探测器投影之间的实际温度与温度探测器的设定温度有差异，且当温度探测器设定温度变化时，这种差异也会随之变化，现有技术不能分析石墨载盘所在各温度探测器投影之间的实际温度随着温度探测器设定温度变化导致的变化量多少，这样会导致产出外延片波长均匀性变差，间接影响Pocket(口袋)上外延片产出波长与目标波长的差异，波长均匀性偏差，造成波长良率损失。
在具体实施时，将石墨承载盘上的加热丝划分成多个加热丝区域，在本实施例中，该加热丝区域的数量为3，可以理解的是，加热丝区域的数量不限于3。
所述温度探测器包括温度探测器，温度探测器是指RTD温度传感器，即电阻温度传感器。可以理解的是，所述温度探测器不限于温度探测器，能够实现温度探测控制的器件都可以应用到本申请中用作温度探测器。
S102，将所述石墨承载盘上所有外延片划分为多个点集，得到多个目标区域，将所述各温度探测器设置为第一设定温度，测量各目标区域的第一测量温度，再将所述各温度探测器设置为第二设定温度，测量各目标区域的第二测量温度，并根据所述第一设定温度、第一测量温度、第二设定温度以及第二测量温度计算出各所述目标区域的温度斜率。
进一步的，将所述石墨承载盘根据距离所述石墨承载盘中心距离的远近划分为不同大小的同心圆，分割形成的多个圆环，所述圆环与外延片区域的共有区域即为所述目标区域。具体请参阅图3，由图3可以看出，将所述石墨承载盘根据距离所述石墨承载盘中心距离的远近划分为不同大小的个同心圆，分割形成的多个圆环，所述圆环与外延片区域的共有区域被划分成i个区域，得到i个所述目标区域，i≥2，即图3中的点集X1～点集Xi。
然后，各所述目标区域的温度斜率的计算公式为：
F＝(D2-D1)/(T2-T1)
式中，F表示目标区域的温度斜率，T1表示第一设定温度、D1表示第一测量温度、T2表示第二设定温度以及D2表示第二测量温度。
在本实施方式中，设定三个温度探测器的第一设定温度分别为T11，T12，T13，加热丝区域数量或温度探测器数量不限于3个；
通过辅助仪器利用控制变量法在各温度探测器之间横向移动测量出i个点位的实际温度，得到D11～D1i：
分别改变每一个温度探测器设定温度为T21，T22，T23，通过辅助仪器在各温度探测器之间横向移动分别测量出每一个温度探测器设定温度变化时，i个点位的实际温度，得到D21～D2i；
根据上述公式计算出各温度探测器温度变化时i个点位的温度斜率，得到第一温度探测器的温度斜率为F11，F12，F13…F1i，第二温度探测器的温度斜率：F21，F22，F23…F2i，第三温度探测器的探头RT3温度斜率：F31，F32，F33…F3i。
S103，添加波长系数，计算出各所述目标区域的波长斜率。
在一种实施方式中，所述波长斜率＝W×F，
式中，F表示目标区域的温度斜率，W表示波长系数；所述波长系数为定值，即单位温度变化对应的波长变化。
在本实施方式中，各温度探测器温度变化时各点位所在外延片的波长斜率如下：
第一温度探测器的波长斜率为W×F11，W×F12，W×F13…W×F1i；
第二温度探测器的波长斜率为W×F21，W×F22，W×F23…W×F2i；
第三温度探测器的波长斜率为W×F31，W×F32，W×F33…W×F3i。
S104，计算出各所述目标区域的下一炉次的平均波长，并根据各所述目标区域的下一炉次的平均波长与目标波长计算出下一炉次各所述目标区域的波长差。
所述计算出各所述目标区域的下一炉次的平均波长的计算公式为：
NWD＝WD-V×W×F
式中，NWD表示各所述目标区域的下一炉次的平均波长，WD表示各所述目标区域的本炉次的平均波长，V表示各温度探测器的设定温度变化量。
其中，各温度探测器的设定温度变化量为未知，也是本实施例需规划求解得到的答案。
各所述目标区域的本炉次的平均波长的步骤包括：获取各所述目标区域中的所有点集的独立波长，并根据各所述目标区域中的所有点集的独立波长计算出各所述目标区域的均值波长。
在本实施方式中，下一炉次的各目标区域平均波长如下：
第一目标区域平均波长：NWD1＝WD1-V1*W*F11-V2*W*F21-V3*W*F31；
第二目标区域平均波长：NWD2＝WD2-V1*W*F12-V2*W*F22-V3*W*F32；
第三目标区域平均波长：NWD3＝WD3-V1*W*F13-V2*W*F23-V3*W*F33；
……
第i目标区域平均波长：NWDi＝WDi-V1*W*F1i-V2*W*F2i-V3*W*F3i。
此处，V1表示第一温度探测器的设定温度变化量，V2表示第一温度探测器的设定温度变化量，V3表示第一温度探测器的设定温度变化量，上述变化量为未知，也是本实施例需规划求解得到的答案。
下一炉次的各目标区域波长差如下：
第一目标区域波长差：NWD1-AWD；
第二目标区域波长差：NWD2-AWD；
第三目标区域波长差：NWD3-AWD；
……
第i目标区域波长差：NWDi-AWD；
此处，AWD为目标波长。
S105，根据各所述下一炉次各所述目标区域的波长差、各所述目标区域的面积占比，采用规划求解的方法得到各温度探测器的最优设定温度变化量，以提升各所述目标区域所产出的外延片的波长良率。
进一步地，将所述目标区域的面积占比与所述下一炉次各所述目标区域的波长差相乘，并取绝对值得到第一数值；
将各所述目标区域的第一数值相加，得到第二数值；
随机改变各温度探测器的设定温度变化量，使得所述第二数值最小，得到各温度探测器的最优设定温度变化量。
本实施方式中，上述公式如下：
|b1*(NWD1-AWD)|+|b2*(NWD2-AWD)|+|b3*(NWD3-AWD)|+……+|bi*(NWDi-AWD)|＝X
随机改变V1、V2、V3，使得X数值最小，得到V1、V2、V3的最优设定温度变化量。
按照上述得到的最优设定温度变化量进行调整，图4为调整前后各点集Xi的波长变化。
综上，本发明提出一种外延片波长良率提升方法，精确的计算石墨载盘所在各温度探测器投影之间的实际温度与温度探测器的设定温度差异，当温度探测器设定温度变化，也能精确计算石墨载盘所在各温度探测器投影之间的实际温度变化量，间接计算出温度探测器投影之间Pocket(口袋)上外延片的产出波长分布，通过调整温度探测器的设定温度，使产出外延片的波长更趋近于目标波长，波长稳定性与均匀性更好，提高芯片产品良率。
实施例二
本发明另一方面还提出一种外延波长良率提升系统，请查阅图5，所示为本发明第二实施例中的外延波长良率提升系统，包括：
加热丝划分模块11，用于将石墨承载盘的加热丝划分为多个加热丝区域，每个所述加热丝区域相互隔离，且每个所述加热丝区域上方分别有一个温度探测器用于探测控制所述加热丝区域的温度；
外延片划分模块12，用于所述石墨承载盘上所有外延片划分为多个点集，得到多个目标区域；
温度斜率计算模块13，用于将所述各温度探测器设置为第一设定温度，测量各目标区域的第一测量温度，再将所述各温度探测器设置为第二设定温度，测量各目标区域的第二测量温度，并根据所述第一设定温度、第一测量温度、第二设定温度以及第二测量温度计算出各所述目标区域的温度斜率；
波长斜率计算模块14，用于添加波长系数，计算出各所述目标区域的波长斜率；
波长差计算模块15，计算出各所述目标区域的下一炉次的平均波长，并根据各所述目标区域的下一炉次的平均波长与目标波长计算出下一炉次各所述目标区域的波长差；
波长良率提升模块16，用于根据各所述下一炉次各所述目标区域的波长差、各所述目标区域的面积占比，采用规划求解的方法得到各温度探测器的最优设定温度变化量，以提升各所述目标区域所产出的外延片的波长良率。
上述各模块、单元被执行时所实现的功能或操作步骤与上述方法实施例大体相同，在此不再赘述。
本发明实施例所提供的外延波长良率提升系统，其实现原理及产生的技术效果和前述方法实施例相同，为简要描述，装置实施例部分未提及之处，可参考前述方法实施例中相应内容。
实施例三
本发明还提出一种计算机，请参阅图6，所示为本发明第三实施例中的计算机，包括存储器10、处理器20以及存储在所述存储器10上并可在所述处理器20上运行的计算机程序30，所述处理器20执行所述计算机程序30时实现上述的外延波长良率提升方法。
其中，存储器10至少包括一种类型的可读存储介质，所述可读存储介质包括闪存、硬盘、多媒体卡、卡型存储器(例如，SD或DX存储器等)、磁性存储器、磁盘、光盘等。存储器10在一些实施例中可以是计算机的内部存储单元，例如该计算机的硬盘。存储器10在另一些实施例中也可以是外部存储装置，例如插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card,SMC)，安全数字(Secure Digital,SD)卡，闪存卡(Flash Card)等。进一步地，存储器10还可以既包括计算机的内部存储单元也包括外部存储装置。存储器10不仅可以用于存储安装于计算机的应用软件及各类数据，还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。
其中，处理器20在一些实施例中可以是电子控制单元(Electronic ControlUnit，简称ECU，又称行车电脑)、中央处理器(Central Processing Unit,CPU)、控制器、微控制器、微处理器或其他数据处理芯片，用于运行存储器10中存储的程序代码或处理数据，例如执行访问限制程序等。
需要指出的是，图6示出的结构并不构成对计算机的限定，在其它实施例当中，该计算机可以包括比图示更少或者更多的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
本发明实施例还提出一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上述的外延波长良率提升方法。
本领域技术人员可以理解，在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读存储介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，“计算机可读存储介质”可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。
计算机可读存储介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读存储介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的可读存储介质，因为可以例如通过对纸或其他可读存储介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。
应当理解，本发明的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或它们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种外延片波长良率提升方法，其特征在于，包括以下步骤：
将石墨承载盘的加热丝划分为多个加热丝区域，每个所述加热丝区域相互隔离，且每个所述加热丝区域上方分别有一个温度探测器用于探测控制所述加热丝区域的温度；
将所述石墨承载盘上所有外延片划分为多个点集，得到多个目标区域，将所述各温度探测器设置为第一设定温度，测量各目标区域的第一测量温度，再将所述各温度探测器设置为第二设定温度，测量各目标区域的第二测量温度，并根据所述第一设定温度、第一测量温度、第二设定温度以及第二测量温度计算出各所述目标区域的温度斜率；
添加波长系数，计算出各所述目标区域的波长斜率；
计算出各所述目标区域的下一炉次的平均波长，并根据各所述目标区域的下一炉次的平均波长与目标波长计算出下一炉次各所述目标区域的波长差；
根据各所述下一炉次各所述目标区域的波长差、各所述目标区域的面积占比，采用规划求解的方法得到各温度探测器的最优设定温度变化量，以提升各所述目标区域所产出的外延片的波长良率。
2.根据权利要求1所述的外延片波长良率提升方法，其特征在于，所述将所述石墨承载盘上所有外延片划分为多个点集，得到多个目标区域的步骤包括：
将所述石墨承载盘根据距离所述石墨承载盘中心距离的远近划分为不同大小的同心圆，分割形成的多个圆环，所述圆环与外延片区域的共有区域即为所述目标区域。
3.根据权利要求1所述的外延片波长良率提升方法，其特征在于，各所述目标区域的温度斜率的计算公式为：
F＝(D2-D1)/(T2-T1)
式中，F表示目标区域的温度斜率，T1表示第一设定温度、D1表示第一测量温度、T2表示第二设定温度以及D2表示第二测量温度。
4.根据权利要求3所述的外延片波长良率提升方法，其特征在于，所述波长斜率＝W×F，
式中，F表示目标区域的温度斜率，W表示波长系数；
所述波长系数为定值。
5.根据权利要求4所述的外延片波长良率提升方法，其特征在于，所述各所述目标区域的下一炉次的平均波长的计算公式为：
NWD＝WD-V×W×F
式中，NWD表示各所述目标区域的下一炉次的平均波长，WD表示各所述目标区域的本炉次的平均波长，V表示各温度探测器的设定温度变化量。
6.根据权利要求5所述的外延片波长良率提升方法，其特征在于，各所述目标区域的本炉次的平均波长的步骤包括：
获取各所述目标区域中的所有点集的独立波长，并根据各所述目标区域中的所有点集的独立波长计算出各所述目标区域的均值波长。
7.根据权利要求5所述的外延片波长良率提升方法，其特征在于，所述根据各所述下一炉次各所述目标区域的波长差、各所述目标区域的面积占比，采用规划求解的方法得到各温度探测器的设定温度变化量的步骤包括：
将所述目标区域的面积占比与所述下一炉次各所述目标区域的波长差相乘，并取绝对值得到第一数值；
将各所述目标区域的第一数值相加，得到第二数值；
随机改变各温度探测器的设定温度变化量，使得所述第二数值最小，得到各温度探测器的最优设定温度变化量。
8.一种外延波长良率提升系统，其特征在于，包括：
加热丝划分模块，用于将石墨承载盘的加热丝划分为多个加热丝区域，每个所述加热丝区域相互隔离，且每个所述加热丝区域上方分别有一个温度探测器用于探测控制所述加热丝区域的温度；
外延片划分模块，用于所述石墨承载盘上所有外延片划分为多个点集，得到多个目标区域；
温度斜率计算模块，用于将所述各温度探测器设置为第一设定温度，测量各目标区域的第一测量温度，再将所述各温度探测器设置为第二设定温度，测量各目标区域的第二测量温度，并根据所述第一设定温度、第一测量温度、第二设定温度以及第二测量温度计算出各所述目标区域的温度斜率；
波长斜率计算模块，用于添加波长系数，计算出各所述目标区域的波长斜率；
波长差计算模块，计算出各所述目标区域的下一炉次的平均波长，并根据各所述目标区域的下一炉次的平均波长与目标波长计算出下一炉次各所述目标区域的波长差；
波长良率提升模块，用于根据各所述下一炉次各所述目标区域的波长差、各所述目标区域的面积占比，采用规划求解的方法得到各温度探测器的最优设定温度变化量，以提升各所述目标区域所产出的外延片的波长良率。
9.一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一所述的外延片波长良率提升方法。
10.一种计算机，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一所述的外延片波长良率提升方法。
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