CN116288272A - 一种原子层沉积设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种原子层沉积设备，涉及半导体领域。该原子层沉积设备包括进气装置、预热装置、反应炉及加热装置；进气装置设置在反应炉上并与反应炉内部连通，用于将反应气体引入反应炉；预热装置设置于进气装置上，用于对反应气体进行预热；加热装置围成加热空间，反应炉容置于加热空间内，加热装置用于从多个方向上对反应炉进行加热。本发明提供的原子层沉积设备能够快速提升反应气体的温度，提升镀膜效率，并能够保证炉内温度均衡，提升镀膜质量。

Description

一种原子层沉积设备

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种原子层沉积设备。

背景技术

原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应炉并在沉积基底上化学吸附，并发生表面反应而形成沉积膜的一种方法，可以将物质以单原子膜的形式一层一层的镀在基底表面。

目前，市面上的原子层沉积设备在工作过程中，常采用对反应炉底部进行加热的方式加速化学吸附与反应，这种方式对反应炉内的气相温度提升较慢，影响镀膜效率，且常导致炉内温度不均衡，影响镀膜品质。

发明内容

本发明的目的在于提供一种原子层沉积设备，其能够提升镀膜效率，并能够提升镀膜品质。

本发明提供一种技术方案：

一种原子层沉积设备，包括进气装置、预热装置、反应炉及加热装置；

所述进气装置设置在所述反应炉上并与所述反应炉内部连通，用于将反应气体引入所述反应炉；

所述预热装置设置于所述进气装置上，用于对反应气体进行预热；

所述加热装置围成加热空间，所述反应炉容置于所述加热空间内，所述加热装置用于从多个方向上对所述反应炉进行加热。

进一步地，所述加热装置包括加热件及反射件，所述加热件围成所述加热空间，所述反射件围成反射空间，所述加热件容置于所述反射空间内。

进一步地，所述加热件与所述反应炉的外壁之间具有间隙，所述反射件与所述加热件之间具有间隙。

进一步地，所述进气装置包括多个进气支管及进气主管，多个所述进气支管分别与所述进气主管连通，所述进气主管与所述反应炉连通，所述预热装置设置于所述进气主管上。

进一步地，所述反应炉的底壁上开设有进气孔，所述进气主管的一端嵌入所述进气孔内，所述进气主管远离所述反应炉的一端封闭。

进一步地，多个所述进气支管上分别设置有进气阀，所述进气支管与所述进气主管的侧壁连接，所述进气支管的延伸方向与所述进气主管的延伸方向呈夹角。

进一步地，所述预热装置包括预热件及温控件，所述预热件与所述温控件均设置于所述进气主管的侧壁内。

进一步地，所述反应炉内分别设置有进气腔、反应腔及出气腔，所述进气腔与所述反应腔通过第一隔板分隔，所述反应腔与所述出气腔通过第二隔板分隔，所述第一隔板上贯穿设置有多个第一匀气孔，所述第二隔板上贯穿设置有多个第二匀气孔，所述进气装置与所述进气腔直接连通。

进一步地，所述原子层沉积设备还包括晶圆托架，所述晶圆托架包括相对且间隔设置的顶板与底板，所述顶板与底板之间设置有多个放置区域，多个所述放置区域均用于叠放多个晶圆。

进一步地，所述晶圆托架还包括立设于所述顶板与所述底板之间的多个支撑柱，所述支撑柱在竖直方向上依次设置有多个卡槽，处于同一所述放置区域的多个所述支撑柱上设置的处于同一水平面的多个所述卡槽用于卡持同一晶圆。

进一步地，所述晶圆托架还包括立设于所述顶板与所述底板之间的多个限位柱，每个所述放置区域由一个所述限位柱与多个所述支撑柱围成，所述限位柱与所述顶板及所述底板可拆卸连接，所述限位柱用于拆离所述顶板与所述底板，以供所述晶圆进入所述放置区域。

进一步地，所述反应炉包括炉身及顶盖，所述顶盖的内壁设置有挂持件，所述顶板上设置有挂持部，所述挂持件用于挂持所述挂持部。

进一步地，所述加热装置包括加热件及反射件，所述加热件包括第一加热部与第二加热部，所述反射件包括第一反射部与第二反射部，所述第一加热部与所述第一反射部依次套设于所述炉身的外部并将所述炉身包裹，所述第二加热部与所述第二反射部依次层叠设置于所述顶盖的外壁，在所述顶盖遮盖所述炉身的情况下，所述第一加热部与所述第二加热部围成所述加热空间。

进一步地，所述原子层沉积设备还包括第一送料装置，所述第一送料装置与所述顶盖连接，用于带动所述顶盖相对所述炉身运动，以打开或关闭所述反应炉。

进一步地，所述原子层沉积设备还包括真空炉，所述加热装置与所述反应炉均容置于所述真空炉内，所述第一送料装置设置于所述真空炉上，所述真空炉的侧壁上设置有进料闸门，用于供所述晶圆托架进入所述真空炉。

进一步地，所述原子层沉积设备还包括第二送料装置，所述第二送料装置用于承载所述晶圆托架，并用于在所述反应炉打开的状态下带动所述晶圆托架进入所述真空炉与所述挂持件挂持。

相比现有技术，本发明提供的原子层沉积设备在进气装置上增设预热装置，在气相进入反应炉前对其进行预热，并且，加热装置包裹反应炉，实现从多个方向上对反应炉进行加热，能够快速提升反应炉内的温度，并保证反应炉内的各处的温度均衡。因此，本发明提供的原子层沉积设备的有益效果包括：能够快速提升反应气体的温度，提升镀膜效率，并能够保证炉内温度均衡，提升镀膜质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定。对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明的实施例提供的原子层沉积设备在第一视角下的结构示意图；

图2为图1的部分剖视图；

图3为图2中A区域的放大示意图；

图4为图2中顶盖的结构示意图；

图5为图2中炉身的剖视图；

图6为图2中进气装置的剖视图；

图7为本发明的实施例提供的原子层沉积设备在第二视角下的结构示意图；

图8为图2中晶圆托架的结构示意图。

图标：100-原子层沉积设备；110-真空炉；111-进料闸门；120-反应炉；121-炉身；122-顶盖；123-卡块；124-挂持件；125-进气腔；1251-进气孔；126-反应腔；127-出气腔；128-第一隔板；1281-第一匀气孔；129-第二隔板；1291-第二匀气孔；130-加热装置；131-第一加热部；132-第二加热部；1321-同步运动装置；133-第一反射部；134-第二反射部；140-进气装置；141-进气支管；142-进气主管；1421-安装孔；143-进气阀；160-第一送料装置；161-第一驱动件；162-转接件；163-卡爪；170-第二送料装置；171-底座；1711-导轨；172-承载件；173-第二驱动件；180-晶圆托架；181-顶板；1811-挂持部；182-底板；183-放置区域；184-支撑柱；1841-卡槽；185-限位柱。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的装置可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，“设置”、“连接”等术语应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细说明。

实施例

请参照图1及图2，图1所示为本实施例提供的原子层沉积设备100在第一视角下的结构示意图，图2所示为本实施例提供的原子层沉积设备100的剖视图。

本实施例提供的原子层沉积设备100包括真空炉110、反应炉120、加热装置130、进气装置140、预热装置(图中未示出)、第一送料装置160、第二送料装置170及晶圆托架180。反应炉120与加热装置130均容置于真空炉110内，加热装置130用于对反应炉120进行加热，进气装置140从外部插入真空炉110与反应炉120连接，并与反应炉120内部连通，用于向反应炉120内部输送反应气体，预热装置设置于进气装置140上，用于对反应气体进行预热，第一送料装置160与第二送料装置170协同动作，用于开启反应炉120，并将装载有晶圆的晶圆托架180送入反应炉120内进行反应。

本实施例中，加热装置130围成加热空间，反应炉120容置于加热空间内，即加热装置130将反应炉120包括在内，实现从多个方向上对反应炉120进行加热。

加热装置130包括加热件及反射件，加热件围成加热空间，反射件围成反射空间，加热件容置于反射空间内。相当于，反射件将加热件包裹在内，实现从多个方向上反射加热件发出的热辐射，防止热量损失，实现对真空炉110的降温保护。

为了提升热辐射的均匀性，本实施例中，加热件与反应炉120的外壁之间具有间隙，反射件与加热件之间具有间隙，并且，反射件与真空炉110的内壁之间同样具有间隙，防止热量通过接触传递。

反应炉120包括炉身121及顶盖122，顶盖122与第一送料装置160连接，第一送料装置160安装在真空炉110上，能够带动顶盖122于真空炉110内在竖直方向上运动，以打开或遮盖炉身121。

加热件与反射件的结构均与反应炉120的结构相对应，加热件包括第一加热部131与第二加热部132，反射件包括第一反射部133与第二反射部134。第一加热部131与第一反射部133依次套设于炉身121的外部，即第一加热部131将炉身121包裹，第一反射部133将第一加热部131包裹。

第二加热部132与第二反射部134依次层叠设置于顶盖122的外壁，在顶盖122遮盖炉身121的情况下，第一加热部131与第二加热部132围成加热空间，第一反射部133与第二反射部134围成反射空间。可以理解的是，在第一送料装置160带动顶盖122开启或遮盖炉身121的过程中，同步带动第二加热部132与第二反射部134运动。

需要说明的是，本实施例中，第一加热部131与第二加热部132均采用外接电源的电热丝编织而成，第一反射部133与第二反射部134均由层叠设置的多个反射板组成。第一加热部131实际上包括由电热丝编织成的筒状结构以及底板结构，筒状结构与底板结构可以为分别外接两个电源的两个分体结构，也可以为外接一个电源的整体结构。

第二加热部132为由电热丝编织成的板状结构，在顶盖122遮盖炉身121的状态下，第二加热部132与第一加热部131的底板结构分别封堵筒状结构的两端，将反应炉120包裹在内，实现对反应炉120空间全方位的加热。

对应的，考虑到在随顶盖122运动的过程中，第二加热部132外接电源的电源线与真空炉110之间会发生相对运动，而实际上第二加热部132在真空炉110内上下运动，为了避免电源线的活动受到干扰，本实施例中，由真空炉110的顶壁引出第二加热部132的电源线。

并且，在真空炉110的顶壁上设置同步运动装置1321，同步运动装置1321在竖直方向上具有一定行程，电源线由该同步运动装置1321引出真空炉110并固定在该同步运动装置1321上，在第一送料装置160运动的过程中，同步运动装置1321在竖直方向上作同步动作，即带动电源线在竖直方向上运动，防止第二加热部132的电源线发生卡滞或缠绕。

请结合参阅图3及图4，图3所示为图2中A区域的放大示意图，图4所示为顶盖122的结构示意图。

第一送料装置160包括第一驱动件161及转接件162，第一驱动件161的输出端与转接件162连接，转接件162与顶盖122连接，第一驱动件161用于驱动转接件162带动顶盖122打开或遮盖炉身121。

本实施例中，第一送料装置160为气缸，在其他实施例中，第一送料装置160还可以采用油缸或电机等其他装置。

转接件162的底壁设置有卡爪163，顶盖122的顶壁设置有T形的卡块123，卡爪163卡持卡块123，实现第一送料装置160对顶盖122的连接。在其他实施例中，第一送料装置160与顶盖122也可以采用如螺栓连接等的其他连接方式。第二加热部132与第二反射部134均固定于转接件162上，在转接件162的带动下与顶盖122同步动作。

并且，顶盖122的内壁上还凸设有挂持件124，用于挂持晶圆托架180。在实际应用中，第一送料装置160带动顶盖122打开炉身121后，第二送料装置170将装载有晶圆的晶圆托架180输送至挂持在挂持件124上，之后第一送料装置160带动顶盖122遮盖炉身121，同步带动晶圆托架180进入反应炉120内，以待对晶圆进行镀膜。

请结合参阅图5及图6，图5所示炉身121的剖视图，图6所示为进气装置140的剖视图。

炉身121内部分别设置有进气腔125、反应腔126及出气腔127，进气腔125与反应腔126通过第一隔板128分隔，反应腔126与出气腔127通过第二隔板129分隔，第一隔板128上贯穿设置有多个第一匀气孔1281，第二隔板129上贯穿设置有多个第二匀气孔1291。

本实施例中，进气腔125与出气腔127均凹设于炉身121的底壁两端，第一隔板128与第二隔板129与炉身121的底壁平齐。进气腔125的底壁贯穿设置有进气孔1251，进气装置140通过该进气孔1251与进气腔125直接连通。

实际上，本实施例中，进气装置140包括多个进气支管141及进气主管142，多个进气支管141分别与进气主管142连通，进气主管142的一端嵌入进气孔1251内，实现与进气腔125的连通。并且，为了进一步提升进气装置140的连接稳固性，进气主管142的外壁上还设置有法兰，通过法兰与真空炉110的外底壁连接固定，多个进气支管141处于真空炉110的外部。

在实际应用中，多个进气支管141分别外接多种气源，用于将多种反应气体依次输入进气主管142，进而输入反应炉120内。由于不同反应气体的输送具有先后顺序，因此，本实施例中，多个进气支管141上分别设置有进气阀143，通过控制多个进气阀143的开启顺序，实现对不同反应气体的输入顺序的控制。

考虑到在实际镀膜过程中，可能发生化学反应产生粉尘等杂质，杂质落入进气支管141易导致进气阀143损坏失效。因此，本实施例中，进气主管142远离炉身121的一端封闭，多个进气支管141均与进气主管142的侧壁连接，进气支管141的延伸方向与进气主管142的延伸方向呈夹角。本实施例中，优选进气支管141与进气主管142之间的夹角为90°。

本实施例中，预热装置设置于进气主管142上，实际上，进气主管142上设置有多个由底壁延伸至侧壁内部的安装孔1421，预热装置包括预热件及温控件，预热件与温控件均设置于不同的安装孔1421内。本实施例中预热件采用加热棒，加热板伸入安装孔1421内，并沿安装孔延伸至进气主管142嵌入进气孔1251的一端。

预热件实现对进入进气主管142内的反应气体进行加热，温控件用于监控温度，并将监控数据反馈至控制主机，以便控制主机对预热件的温度进行调控，防止温度过高或过低。

在实际应用中，反应气体经进气主管142进入反应炉120的进气腔125内后，通过第一隔板128上设置的多个第一匀气孔1281进入反应腔126内，多个第一匀气孔1281起到均匀分散反应气体的作用，保证反应气体能够在反应腔126内均匀分布。

反应气体在反应腔126内晶圆托架180上的晶圆表面完成原子层沉积，之后再经第二隔板129上的多个第二匀气孔1291进入出气腔127，最后输送至外部。实际上，本实施例提供的原子层沉积设备100还包括出气装置，出气装置与出气腔127连通，用于将反应炉120内的气体抽出。

请参阅图7，图7所示为本实施例提供的原子层沉积设备100在第一视角下的结构示意图。

真空炉110的侧壁上设置有进料闸门111，第二送料装置170对应进料闸门111设置，第二送料装置170用于装载有晶圆的晶圆托架180经进料闸门111送入真空炉110内与反应炉120的顶盖122上设置的挂持件124挂持。

本实施例中，第二送料装置170包括底座171、承载件172及第二驱动件173，底座171上设置有导轨1711，承载件172与导轨1711滑动配合，承载件172用于承载晶圆托架180，第二驱动件173设置于底座171上并与承载件172连接，用于驱动承载件172沿导轨1711滑入或滑出真空炉110。

在实际应用中，晶圆托架180放置于承载件172上，进料闸门111开启的状态下，第二驱动件173驱动承载件172沿导轨1711滑动，带动晶圆托架180经进料闸门111进入真空炉110内，直至晶圆托架180完成在挂持件124上的挂持。在此过程中，导轨1711起到对承载件172的压持作用，承载件172伸入真空炉110内形成悬臂梁结构，保证晶圆托架180始终处于同一水平高度。

在其他实施例中，还可以采用多组上下间隔设置的两排滚轮代替导轨1711结构，承载件172由两排滚轮之间穿过，在第二驱动件173驱动承载件172伸入或退出真空炉110的过程中，两排滚轮支撑承载件172并发生相对滚动。在承载件172伸入真空炉110内时，两排滚轮夹持承载件172形成悬臂梁结构，保证晶圆托架180始终处于同一水平高度。

请参阅图8，图8所示为晶圆托架180的结构示意图。

晶圆托架180包括相对且间隔设置的顶板181与底板182，顶板181与底板182之间设置有多个放置区域183，多个放置区域183均用于叠放多个晶圆。本实施例中，顶板181与底板182之间设置有4个放置区域183，每个放置区域183均能够叠放25片晶圆。

晶圆托架180还包括立设于顶板181与底板182之间的多个支撑柱184，支撑柱184在竖直方向上依次设置有多个卡槽1841，处于同一放置区域183的多个支撑柱184上设置的处于同一水平面的多个卡槽1841用于卡持同一晶圆。本实施例中，每个支撑柱184上处于同一放置区域183的卡槽1841数量均为25个，可以理解的是，同一支撑柱184能够参与围成多个放置区域183。

并且，晶圆托架180还包括立设于顶板181与底板182之间的多个限位柱185，每个放置区域183由一个限位柱185与多个支撑柱184围成，限位柱185与顶板181及底板182可拆卸连接，限位柱185用于拆离顶板181与底板182，以供晶圆进入放置区域183。

在实际应用中，当需要对某一个放置区域183装填晶圆时，只需将该放置区域183对应的限位柱185拆卸即可，当完成对该放置区域183的晶圆装填时，重新安装上限位柱185，限位柱185起到对该放置区域183内的多个晶圆的限位作用，能够防止晶圆掉出。

另外，晶圆托架180的顶板181上设置有挂持部1811，挂持件124用于挂持挂持部1811。该挂持部1811呈T形，可以理解的是，通过预设程序，保证第一送料装置160带动顶盖122上升至固定位置停止，当顶盖122处于该固定位置时，顶盖122上设置的挂持件124与放置于承载件172上的晶圆托架180上设置的挂持部1811在同一高度上对齐。

在第二驱动件173驱动承载件172沿导轨1711伸入真空炉110的过程中，挂持部1811逐渐靠近挂持件124，直至完成在挂持件124上的挂持。之后，第一驱动件161带动顶盖122与第二加热部132、第二反射部134及晶圆托架180再次上升至某一位置，使得晶圆托架180脱离承载件172。之后，第二驱动件173驱动承载件172退出真空炉110，完成复位，进料闸门111关闭，第一驱动件161驱动顶盖122向下运动至遮盖炉身121，在此状态下，晶圆托架180容置于反应腔126内，反应炉120容置于加热空间内，后续通过进气装置140依次通过反应气体，进行对晶圆的镀膜。

综上，本实施例提供的原子层沉积设备100，在实际应用中，通过第一送料装置160与第二送料装置170能够实现自动送料，加快镀膜效率。通过预热装置对反应气体进行预热，保证镀膜反应的快速进行，通过加热装置130提升加热效率，避免热量外泄，进一步提升镀膜效率，并保证炉内温度均衡，提升镀膜成品率。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种原子层沉积设备，其特征在于，包括进气装置、预热装置、反应炉及加热装置；

所述进气装置设置在所述反应炉上并与所述反应炉内部连通，用于将反应气体引入所述反应炉；

所述预热装置设置于所述进气装置上，用于对反应气体进行预热；

所述加热装置围成加热空间，所述反应炉容置于所述加热空间内，所述加热装置用于从多个方向上对所述反应炉进行加热。

2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述加热装置包括加热件及反射件，所述加热件围成所述加热空间，所述反射件围成反射空间，所述加热件容置于所述反射空间内。

3.根据权利要求2所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述加热件与所述反应炉的外壁之间具有间隙，所述反射件与所述加热件之间具有间隙。

4.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述进气装置包括多个进气支管及进气主管，多个所述进气支管分别与所述进气主管连通，所述进气主管与所述反应炉连通，所述预热装置设置于所述进气主管上。

5.根据权利要求4所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述反应炉的底壁上开设有进气孔，所述进气主管的一端嵌入所述进气孔内，所述进气主管远离所述反应炉的一端封闭。

6.根据权利要求4所述的原子层沉积设备，其特征在于，多个所述进气支管上分别设置有进气阀，所述进气支管与所述进气主管的侧壁连接，所述进气支管的延伸方向与所述进气主管的延伸方向呈夹角。

7.根据权利要求4所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述预热装置包括预热件及温控件，所述预热件与所述温控件均设置于所述进气主管的侧壁内。

8.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述反应炉内分别设置有进气腔、反应腔及出气腔，所述进气腔与所述反应腔通过第一隔板分隔，所述反应腔与所述出气腔通过第二隔板分隔，所述第一隔板上贯穿设置有多个第一匀气孔，所述第二隔板上贯穿设置有多个第二匀气孔，所述进气装置与所述进气腔直接连通。

9.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备还包括晶圆托架，所述晶圆托架包括相对且间隔设置的顶板与底板，所述顶板与底板之间设置有多个放置区域，多个所述放置区域均用于叠放多个晶圆。

10.根据权利要求9所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述晶圆托架还包括立设于所述顶板与所述底板之间的多个支撑柱，所述支撑柱在竖直方向上依次设置有多个卡槽，处于同一所述放置区域的多个所述支撑柱上设置的处于同一水平面的多个所述卡槽用于卡持同一晶圆。

11.根据权利要求10所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述晶圆托架还包括立设于所述顶板与所述底板之间的多个限位柱，每个所述放置区域由一个所述限位柱与多个所述支撑柱围成，所述限位柱与所述顶板及所述底板可拆卸连接，所述限位柱用于拆离所述顶板与所述底板，以供所述晶圆进入所述放置区域。

12.根据权利要求9所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述反应炉包括炉身及顶盖，所述顶盖的内壁设置有挂持件，所述顶板上设置有挂持部，所述挂持件用于挂持所述挂持部。

13.根据权利要求12所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述加热装置包括加热件及反射件，所述加热件包括第一加热部与第二加热部，所述反射件包括第一反射部与第二反射部，所述第一加热部与所述第一反射部依次套设于所述炉身的外部并将所述炉身包裹，所述第二加热部与所述第二反射部依次层叠设置于所述顶盖的外壁，在所述顶盖遮盖所述炉身的情况下，所述第一加热部与所述第二加热部围成所述加热空间。

14.根据权利要求12所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备还包括第一送料装置，所述第一送料装置与所述顶盖连接，用于带动所述顶盖相对所述炉身运动，以打开或关闭所述反应炉。

15.根据权利要求14所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备还包括真空炉，所述加热装置与所述反应炉均容置于所述真空炉内，所述第一送料装置设置于所述真空炉上，所述真空炉的侧壁上设置有进料闸门，用于供所述晶圆托架进入所述真空炉。

16.根据权利要求15所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备还包括第二送料装置，所述第二送料装置用于承载所述晶圆托架，并用于在所述反应炉打开的状态下带动所述晶圆托架进入所述真空炉与所述挂持件挂持。

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