CN116282971B - 一种单模单晶光纤能量场约束微结构制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种单模单晶光纤能量场约束微结构制备方法,包括以下步骤布置飞秒激光器和烧蚀探头‑打开飞秒激光器,使得飞秒激光器发出的激光经烧蚀探头后,形成的光斑位于待加工样品光纤的内部,且激光传播方向与待加工样品光纤垂直,光斑中心与待加工样品光纤的圆心之间存在设定距离‑在高NA物镜下,利用光斑在待加工样品光纤的表面诱导改性,形成损伤轨迹,未被激光扫描的纤芯区域被折射率降低的改性晶体材料区包围,构成包层,从而得到Ⅱ类应力诱导形成的凹陷包层波导。本发明采用上述单模单晶光纤能量场约束微结构制备方法,制备出高光学质量的单模单晶光纤,具有结构均匀、稳定性高、散热良好、无污染、无需额外引入其他材料的包层结构等优点。

Description

一种单模单晶光纤能量场约束微结构制备方法
技术领域
本发明涉及光纤技术领域,尤其涉及一种单模单晶光纤能量场约束微结构制备方法。
背景技术
一维晶体,又称为单晶光纤,同时兼具单晶以及纤维的特性,属于传统固态激光和光纤激光的前沿交叉领域。其材质多为高增益、高热导率、高稳定性、光学性能优越的单晶材料,综合光纤材料高长径比的尺寸及光波导转换效率优势。
与传统玻璃光纤相比,晶体光纤具有的高热导率、高激光损伤阈值、较小的非线性效应等优点,使得单晶光纤有望产生更高功率的输出及传输更高能量的激光,这些优点使其在光纤激光器方面具有巨大的应用潜力,从而使其在光纤探测、传感及光纤激光领域受到了国内外越来越多研究者的重视。
对于激光单晶光纤而言,上述单晶光纤一般作为光纤纤芯,为进一步提高激光输出质量和效率,在单晶光纤还设置有包层结构。利用纤芯与包层之间的折射率差实现激光在纤芯内的全反射。
目前,主流的实施方法为利用低熔点的玻璃材料制备单晶光纤的包层,形成非晶包层/单晶纤芯结构。然而,由于单晶光纤晶格参数与热学性能与石英玻璃相差较大,易导致激光增益介质在高功率激光输出过程中,包层与纤芯接触界面发生剥离甚至炸裂;同时石英玻璃热传导率较低,极大地约束了单晶光纤热管理优势的发挥;此外,石英玻璃包层与单晶纤芯之间存在较大的折射率差,易引起多模传输。
为此,近年来,磁控溅射技术、气相沉积法、液相外延法和高温高压水热法等技术相继被用于在单晶光纤表面沉积一层单晶或多晶包层,以此提高单晶光纤的散热能力和热稳定性。但上述方法制备的光纤存在涂层较薄或厚度不均匀、引入多孔结构、晶体生长难以控制、偏心生长甚至纤芯回溶等问题;且生长单晶包层时通常选用的铅基助溶剂会造成污染,高温环境下氧化铅的挥发也会导致设备腐蚀。
同时,飞秒激光直写是一种高效灵活的三维精密材料加工技术,在许多领域得到了广泛的应用。用经过显微物镜会聚后的飞秒激光加工晶体材料时,激光在聚焦区域会对晶格结构造成破坏,这一现象称为飞秒激光对晶体材料的改性。根据飞秒激光对晶格结构损伤程度的大小,可将材料改性分为Ⅰ类改性和Ⅱ类改性,其中Ⅰ类改性区域块体材料折射率略微增大,而Ⅱ类改性区域块体原有晶格结构被严重破坏,故激光辐照区域折射率减小。
目前,已有一些由一系列Ⅱ类改性区域围城的包层光波导的报道,其对光束有很好的约束能力,但是还存在:包层厚度不均匀、扫描次数较多、制备时间较长等问题。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种单模单晶光纤能量场约束微结构制备方法,制备出高光学质量的单模单晶光纤,具有结构均匀、稳定性高、散热良好、无污染、无需额外引入其他材料的包层结构等优点。
为实现上述目的,本发明提供了一种单模单晶光纤能量场约束微结构制备方法,包括以下步骤:
S1、布置飞秒激光器和烧蚀探头;
S2、打开飞秒激光器,使得飞秒激光器发出的激光经烧蚀探头后,形成的光斑位于待加工样品光纤的内部,且激光传播方向与待加工样品光纤垂直,此时,光斑中心与待加工样品光纤的圆心之间存在设定距离;
S3、在高NA物镜下,利用光斑在待加工样品光纤的表面诱导改性,形成损伤轨迹,未被激光扫描的纤芯区域被折射率降低的改性晶体材料区包围,构成包层,从而得到Ⅱ类应力诱导形成的凹陷包层波导。
优选的,在步骤S2中,待加工样品光纤材料包括激光晶体和闪烁晶体。
优选的,激光晶体包括Nd:YAG,Yb:YAG,Ho:YAG;
闪烁晶体包括Ce:LuAG,Ce:YAG,Ce:LYSO。
优选的,在步骤S1中,飞秒激光器发出激光的波长为1.03μm,得到的光斑为椭球型光斑,椭球型光斑的长轴60μm、短轴4μm;
在步骤S2中,待加工样品光纤为直径为80μm的钇铝石榴石光纤,光斑中心与待加工样品光纤的圆心之间的距离为39μm。
优选的,步骤S3具体包括以下步骤:
S31、横向匀速移动待加工样品光纤,使得椭球形光斑由待加工样品光纤的一端相对移动至待加工样品光纤的另一端,形成一条横截面为半椭圆形的改性晶体材料区;
S32、转动待加工样品光纤设定角度,重复步骤S31,形成另一条横截面为半椭圆形的改性晶体材料区;
S33、重复步骤S31和步骤S32,直至形成围绕纤芯区域的圆心均匀分布的多个横截面为半椭圆形的改性晶体材料区,即凹陷包层。
优选的,在步骤S1中,飞秒激光器和烧蚀探头之间还依次布置有由反射光栅组和聚光透镜组成的焦场整形透镜组,用于对发射激光进行正啁啾补偿后整形成球形的光斑;
反射光栅组包括两个呈45°相对布置的反射光栅。
优选的,在步骤S1中,飞秒激光器发出激光的波长为1.03μm,整形得到的半径为21μm的球形光斑;
在步骤S2中,待加工样品光纤为直径为80μm的钇铝石榴石光纤,光斑中心与待加工样品光纤的圆心之间的距离为25μm。
优选的,步骤S3具体包括以下步骤:
S31、横向匀速移动待加工样品光纤,使得球形光斑由待加工样品光纤的一端相对移动至待加工样品光纤的另一端,形成一条横截面为半圆形的改性晶体材料区;
S32、转动待加工样品光纤设定角度,重复步骤S31,形成另一条横截面为半圆形的改性晶体材料区;
S33、重复步骤S31和步骤S32,直至形成围绕纤芯区域的圆心均匀分布的多个横截面为半圆形的改性晶体材料区,即凹陷包层。
优选的,步骤S3具体包括以下步骤:
横向匀速移动待加工样品光纤,同时,绕待加工样品光纤的圆心转动待加工样品光纤,使得球形光斑由待加工样品光纤的一端相对移动至待加工样品光纤的另一端,形成一条螺旋前进的改性晶体材料区,即凹陷包层。
优选的,凹陷包层相比于纤芯区域折射率降低0.003。
本发明具有以下有益效果:
1、热稳定性好,能够充分发挥晶体光纤热管理的优势,有效传导光纤中产生的废热;
2、包层厚度均匀,纤芯直径与包层厚度大小均可灵活调控,支持从可见光到近红外甚至中红外波段光的传输,导模也可从单模变化至多模;
3、包层形成过程发生在透明、开放的空气中,能够精确、及时地控制包层的制备过程,且不损伤纤芯;
4、单晶包层制备过程中无需引入其他材料,也无需使用助溶剂,避免了使用铅基助溶剂导致的氧化铅挥发,及其引起的晶体不均匀生长、环境污染及设备腐蚀的问题。
下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明的实施例一的加工示意图;
图2为本发明的实施例一的波导光纤结构示意图;
图3为本发明的实施例二的加工示意图;
图4为本发明的实施例二的波导光纤结构示意图;
图5为本发明的实施例三的加工示意图;
图6为本发明的实施例三的损波导光纤结构示意图;
图7为本发明的焦场整形透镜组的结构示意图。
其中:1、飞秒激光器;2、焦场整形透镜组;21、反射光栅组;22、聚光透镜;3、烧蚀探头;4、光斑;5、损伤轨迹;6、待加工样品光纤;7、纤芯区域;8、改性晶体材料区。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明作进一步的描述,需要说明的是,本实施例以本技术方案为前提,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本发明的保护范围并不限于本实施例。
一种单模单晶光纤能量场约束微结构制备方法,包括以下步骤:
S1、布置飞秒激光器1和烧蚀探头3;
S2、打开飞秒激光器1,使得飞秒激光器1发出的激光经烧蚀探头3后,形成的光斑4位于待加工样品光纤6的内部,且激光传播方向与待加工样品光纤6垂直,此时,光斑4中心与待加工样品光纤6的圆心之间存在设定距离;
优选的,在步骤S2中,待加工样品光纤6材料包括激光晶体和闪烁晶体。优选的,激光晶体包括Nd:YAG,Yb:YAG,Ho:YAG;闪烁晶体包括Ce:LuAG,Ce:YAG,Ce:LYSO。
S3、在高NA物镜下,利用光斑4在待加工样品光纤6的表面诱导改性,形成损伤轨迹5,未被激光扫描的纤芯区域7被折射率降低的改性晶体材料区8包围,构成包层,从而得到Ⅱ类应力诱导形成的凹陷包层波导。优选的,凹陷包层相比于纤芯区域7折射率降低0.003。
如图1和图2所示,实施例一,在步骤S1中,飞秒激光器1发出激光的波长为1.03μm,得到的光斑4为椭球型光斑4,椭球型光斑4的长轴60μm、短轴4μm;
在步骤S2中,待加工样品光纤6为直径为80μm的钇铝石榴石光纤,光斑4中心与待加工样品光纤6的圆心之间的距离为39μm。
步骤S3具体包括以下步骤:
S31、横向匀速移动待加工样品光纤6,使得椭球形光斑4由待加工样品光纤6的一端相对移动至待加工样品光纤6的另一端,形成一条横截面为半椭圆形的改性晶体材料区8;
S32、转动待加工样品光纤6设定角度,重复步骤S31,形成另一条横截面为半椭圆形的改性晶体材料区8;
S33、重复步骤S31和步骤S32,直至形成围绕纤芯区域7的圆心均匀分布的多个横截面为半椭圆形的改性晶体材料区8,即凹陷包层。
如图3和图4所示,实施例二,在步骤S1中,飞秒激光器1和烧蚀探头3之间还依次布置有由反射光栅组21和聚光透镜22组成的焦场整形透镜组2,用于对发射激光进行正啁啾补偿后整形成球形的光斑4;相比传统聚焦技术形成的狭长焦斑,椭球型或者球形的焦斑形成的损伤轨迹5对光场的束缚能力更好,从而能够在较少次数的扫描下达到单模传输的效果。
反射光栅组21包括两个呈45°相对布置的反射光栅。
优选的,在步骤S1中,飞秒激光器1发出激光的波长为1.03μm,整形得到的半径为21μm的球形光斑4;
在步骤S2中,待加工样品光纤6为直径为80μm的钇铝石榴石光纤,光斑4中心与待加工样品光纤6的圆心之间的距离为25μm。
步骤S3具体包括以下步骤:
S31、横向匀速移动待加工样品光纤6,使得球形光斑4由待加工样品光纤6的一端相对移动至待加工样品光纤6的另一端,形成一条横截面为半圆形的改性晶体材料区8;
S32、转动待加工样品光纤6设定角度,重复步骤S31,形成另一条横截面为半圆形的改性晶体材料区8;
S33、重复步骤S31和步骤S32,直至形成围绕纤芯区域7的圆心均匀分布的多个横截面为半圆形的改性晶体材料区8,即凹陷包层。
如图5和图6所示,实施例三,在步骤S1中,飞秒激光器1和烧蚀探头3之间还依次布置有反射光栅组21和聚光透镜22,用于对发射激光进行正啁啾补偿后整形成球形的光斑4;
反射光栅组21包括两个呈45°相对布置的反射光栅。
优选的,在步骤S1中,飞秒激光器1发出激光的波长为1.03μm,整形得到的半径为21μm的球形光斑4;相比传统聚焦技术形成的狭长焦斑,椭球型或者球形的焦斑形成的损伤轨迹5对光场的束缚能力更好,从而能够在较少次数的扫描下达到单模传输的效果。
在步骤S2中,待加工样品光纤6为直径为80μm的钇铝石榴石光纤,光斑4中心与待加工样品光纤6的圆心之间的距离为25μm。
步骤S3具体包括以下步骤:
横向匀速移动待加工样品光纤6,同时,绕待加工样品光纤6的圆心转动待加工样品光纤6,使得球形光斑4由待加工样品光纤6的一端相对移动至待加工样品光纤6的另一端,形成一条螺旋前进的改性晶体材料区8,即凹陷包层。
在实施例三种,能够在单次扫描的情况下实现低损耗的单模传输,缩短制备所需时间;同时连续的螺旋损伤轨迹5,避免了在离散损伤轨迹5中,光场从相邻损伤轨迹5之间的缝隙泄露,且弥补了纵向扫描机制受限于物镜工作距离且需要能量补偿的缺陷。
在实施例二和实施例三中,飞秒激光器1的发出激光为水平方向,飞秒激光脉冲通过光栅后形成具有空间色散的光束,并带来副啁啾,为此经由两个呈45°相对布置的反射光栅组21成的反射光栅组21后,对入射的飞秒激光进行正啁啾补偿,再经会聚透镜聚焦,得到水平传播的激光。此外,焦场整形技术能够操控焦点附近的脉冲宽度和峰值功率变化,大幅度提升了纵向分辨率,降低了非线性效应,避免了球差引起的包层形变。同时,球形光斑4可实现3D各向同性,提升纵向分辨率,降低非线性效应和球差。
因此,本发明采用上述单模单晶光纤能量场约束微结构制备方法,制备出高光学质量的单模单晶光纤,具有结构均匀、稳定性高、散热良好、无污染、无需额外引入其他材料的包层结构等优点。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (4)

1.一种单模单晶光纤能量场约束微结构制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1、布置飞秒激光器和烧蚀探头;
在步骤S1中,飞秒激光器和烧蚀探头之间还依次布置有由反射光栅组和聚光透镜组成的焦场整形透镜组,用于对发射激光进行正啁啾补偿后整形成球形的光斑;
反射光栅组包括两个呈45°相对布置的反射光栅;
在步骤S1中,飞秒激光器发出激光的波长为1.03μm,整形得到的半径为21μm的球形光斑;
在步骤S2中,待加工样品光纤为直径为80μm的钇铝石榴石光纤,光斑中心与待加工样品光纤的圆心之间的距离为25μm;
S2、打开飞秒激光器,使得飞秒激光器发出的激光经烧蚀探头后,形成的光斑位于待加工样品光纤的内部,且激光传播方向与待加工样品光纤垂直,此时,光斑中心与待加工样品光纤的圆心之间存在设定距离;
S3、在高NA物镜下,利用光斑在待加工样品光纤的表面诱导改性,形成损伤轨迹,未被激光扫描的纤芯区域被折射率降低的改性晶体材料区包围,构成包层,从而得到Ⅱ类应力诱导形成的凹陷包层波导;
步骤S3具体包括以下步骤:
横向匀速移动待加工样品光纤,同时,绕待加工样品光纤的圆心转动待加工样品光纤,使得球形光斑由待加工样品光纤的一端相对移动至待加工样品光纤的另一端,形成一条螺旋前进的改性晶体材料区,即凹陷包层。
2.根据权利要求1所述的一种单模单晶光纤能量场约束微结构制备方法,其特征在于:在步骤S2中,待加工样品光纤材料包括激光晶体和闪烁晶体。
3.根据权利要求2所述的一种单模单晶光纤能量场约束微结构制备方法,其特征在于:激光晶体包括Nd:YAG,Yb:YAG,Ho:YAG;
闪烁晶体包括Ce:LuAG,Ce:YAG,Ce:LYSO。
4.根据权利要求1任一项所述的一种单模单晶光纤能量场约束微结构制备方法,其特征在于:凹陷包层相比于纤芯区域折射率降低0.003。
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