CN116266755A - 射频开关 - Google Patents

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Abstract

一种射频开关，包含有信号端、参考电压端、及分流开关路径。分流开关路径耦接于信号端及参考电压端，及包含有第一分流子电路及第二分流子电路。第二分流子电路，包含有并联之第一晶体管及第二晶体管。当射频开关切换至第一状态时，其具有第一阻抗，当射频开关切换至第二状态时，其具有第二阻抗，当射频开关切换至第三状态时，其具有第三阻抗。第一阻抗、第二阻抗、及第三阻抗相异。

Description

射频开关
技术领域
本发明关于射频电路，特别是一种射频电路中的射频开关。
背景技术
射频(Radio Frequency，RF)开关能引导射频信号通过一或多条传送路径，且广泛应用于电视、移动电话、无线通信装置无线网络(Wi-Fi)、蓝芽及全球定位系统(globalpositioning system,GPS)。
然而，在相关技术中，当射频开关截止时，射频信号会产生反射而使射频开关无法正常运作。
发明内容
本发明实施例提供一种射频开关，包含有信号端、参考电压端、及分流开关路径、分流开关路径耦接于信号端及参考电压端。分流开关路径包含有第一分流子电路及第二分流子电路。第二分流子电路，包含有并联之第一晶体管及第二晶体管。当射频开关切换至第一状态时，其具有第一阻抗，当射频开关切换至第二状态时，其具有第二阻抗，当射频开关切换至第三状态时，其具有第三阻抗。第一阻抗、第二阻抗、及第三阻抗相异。
附图说明
图1为本发明实施例中的一种射频开关的电路示意图。
图2为本发明实施例中的另一种射频开关的电路示意图。
图3为本发明实施例中的另一种射频开关的电路示意图。
图4为本发明实施例中的另一种射频开关的电路示意图。
图5为本发明实施例中的另一种射频开关的电路示意图。
图6为本发明实施例中的另一种射频开关的电路示意图。
图7为本发明实施例中的另一种射频开关的电路示意图。
符号说明
1至7:射频开关
10,18,181,182:信号端
12,22,32,221,222:分流开关路径
14,16,26,261,141,262,142:分流子电路
40,401,402:串联开关路径
42:天线
44:射频电路
GND:参考电压端
Srf:射频信号
Tsh,T1,T2,Tsr:晶体管
Rsh,Rsr,R1,R2:电阻
Vcsh,Vc1,Vc2,Vsr,Vc11,Vc21,Vcsh1,Vcsr1,Vc12,Vc22,Vcsh2,Vcsr2:控制电压
具体实施方式
图1为本发明实施例中的一种射频开关1的电路示意图。射频开关1可传送或接收射频信号Srf。
射频开关1包含有信号端10、参考电压端GND、分流(shunt)开关路径12、及信号端18。分流开关路径12耦接于信号端10及参考电压端GND。信号端10可耦接于天线及射频电路中之一者，信号端18可耦接于天线及射频电路中之另一者。参考电压端GND可提供参考电压，例如0V。当射频开关1导通，此时分流开关路径12截止，分流开关路径12可切断信号端10及参考电压端GND之间的耦接以将射频信号Srf在信号端10及信号端18之间传送；当射频开关1截止，此时分流开关路径12导通，分流开关路径12可建立信号端10及参考电压端GND之间的耦接以将射频信号Srf引导至参考电压端GND。本发明的射频开关1可在对应的状态选择性地提供实质上等于负载电阻的等效电阻。负载电阻可为天线及射频电路的等效电阻，例如50欧姆或75欧姆。
分流开关路径12包含有分流子电路14及分流子电路16。分流子电路14包含第一端，耦接于信号端10及信号端18、第二端、及控制端，用以接收控制电压Vcsh，藉以控制分流子电路14。分流子电路16包含第一端，耦接于分流子电路14的第二端、第二端，耦接于参考电压端GND。分流子电路14可包含有N个迭接的晶体管Tsh，N为正整数。每个晶体管Tsh的尺寸可相等，及可由控制电压Vcsh控制其导通状态。分流子电路14中晶体管Tsh的数量N可由射频信号Srf的功率决定。举例来说，射频信号Srf的功率越大，则分流子电路14需要配置越多个晶体管Tsh，以在传送或接收射频信号Srf时提供足够的隔绝能力。在一些实施例中，晶体管Tsh的数量N可为24。分流子电路14可另包含有N个电阻Rsh，每个电阻Rsh耦接于相应迭接晶体管Tsh的第一端及第二端，且每个电阻Rsh的电阻值可相等。分流开关路径12截止时，N个迭接的晶体管Tsh皆截止，此时每个晶体管Tsh可等效为一电容。分流开关路径12导通时，N个迭接的晶体管Tsh皆导通，此时每个晶体管Tsh在导通时电性可等效为一电阻，此电阻的值很小趋近于0欧姆，24个晶体管Tsh导通时可等于48欧姆，此时分流开关路径12可以等效为50殴姆的电阻。举例来说，电阻Rsh可于分流开关路径12导通时作为偏压电阻用来固定晶体管Tsh第一端与第二端的电位，电阻Rsh其电阻值可介于10K欧姆至50K欧姆之间。在一些实施例中，可选藉由选定电阻Rsh使得分流子电路14晶体管Tsh截止时其等效电容的阻抗远小于电阻Rsh的阻抗。
分流子电路16包含有并联的晶体管T1及晶体管T2。晶体管T1可包含第一端，其是耦接于分流子电路16的第一端、第二端，其是耦接于分流子电路16的第二端、以及及控制端，其用以接收控制电压Vc1，藉以控制晶体管T1的导通状态。晶体管T2可包含第一端，其是耦接于分流子电路16的第一端、第二端，其是耦接于分流子电路16的第二端、以及控制端，其用以接收控制电压Vc2，藉以控制晶体管T2的导通状态。晶体管T1的尺寸、晶体管T2的尺寸及晶体管Tsh的尺寸可相异。例如，在一些实施例中，晶体管Tsh的尺寸可大于晶体管T1的尺寸，而晶体管T1的尺寸可大于晶体管T2的尺寸。在一些实施例中，晶体管Tsh的尺寸可等于晶体管T1的尺寸及晶体管T2的尺寸的总和。在一些实施例中，晶体管T2的尺寸可被选定，以于晶体管T2导通时，使得分流开关路径12此时的等效电阻趋近于负载电阻的导通电阻。例如，可选定晶体管T2的导通电阻在30欧姆到48欧姆之间，使得分流开关路径12此时的等效电阻约等于50欧姆。在一些实施例中，晶体管T1及晶体管T2的尺寸比可介于70:30至99:1之间。例如，晶体管Tsh、晶体管T1的及晶体管T2的尺寸比可为100:99:1。由于此时晶体管Tsh的尺寸及晶体管T1的尺寸皆远大于晶体管T2的尺寸，当晶体管Tsh或晶体管T1导通时可视为短路。在一些实施例中，于分流开关路径12导通时，射频信号Srf可经由24个晶体管Tsh(0欧姆)及晶体管T2(50欧姆)而被引导至参考电压端GND，因此不会产生信号反射而降低信号质量。在另一些实施例中，于分流开关路径12导通时，射频信号Srf可经由24个晶体管Tsh(0欧姆)及晶体管T1(0欧姆)而被引导至参考电压端GND。晶体管Tsh、晶体管T1及晶体管T2皆可为N型金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor，MOSFET)。
在一些实施例中，晶体管Tsh、T1、及T2的尺寸可分别正相关于每个晶体管Tsh、T1、及T2的指节(finger)宽度。例如，在晶体管Tsh、晶体管T1的及晶体管T2的尺寸比为100:99:1的实施例中，晶体管Tsh的指节宽度可为10微米，指节数量为100，晶体管T1的指节宽度可为9.9微米，指节数量为100，且晶体管T2的指节宽度可为0.1微米，指节数量为100。因此，晶体管Tsh的尺寸可为10微米*100指节，晶体管T1的尺寸可为9.9微米*100指节，且晶体管T2的尺寸可为0.1微米*100指节。在另一些实施例中，晶体管Tsh、T1、及T2的尺寸可分别正相关于每个晶体管Tsh、T1、及T2的指节数量，藉以提供简洁的电路布局及较佳的静电放电(electrostatic discharge，ESD)特性。例如，晶体管Tsh的指节宽度为10微米，指节数量为100指节，晶体管T1的指节宽度为10微米，指节数量为99指节，且晶体管T2的指节宽度为10微米，指节数量为1指节。因此晶体管Tsh的尺寸可为10微米*100指节，晶体管T1的尺寸可为10微米*99指节，且晶体管T2的尺寸可为10微米*1指节。
射频开关1可切换至状态S0至S3中之一者，如表1所示：
表1
状态 Vcsh(V) Vc1(V) Vc2(V) 阻抗(欧姆)
S0 -2.5 2.5 2.5 1/jw(Coff/N)
S1 -2.5 -2.5 -2.5 1/jw(Coff/(N+1))
S2 2.5 2.5 2.5 0
S3 2.5 -2.5 2.5 50
如表1所示，当射频开关1切换至状态S0时，分流子电路14接收-2.5V以被截止，且晶体管T1及晶体管T2亦接收2.5V以被导通，以使射频开关1具有阻抗Z0，其可等于1/jw(Coff/N)，Coff为每个晶体管Tsh截止时的等效电容值，N为晶体管Tsh的数量。当射频开关1切换至状态S1时，分流子电路14接收-2.5V以被截止，且晶体管T1及晶体管T2亦接收-2.5V以被截止，以使射频开关1具有阻抗Z1，其可等于1/jw(Coff/(N+1))。当射频开关1切换至状态S2时，分流子电路14接收2.5V以被导通，且晶体管T1及晶体管T2接收2.5V以被导通，以使射频开关1具有阻抗Z2，其可等于0欧姆。当射频开关1切换至状态S3时，分流子电路14接收2.5V以被导通，晶体管T1接收-2.5V以被截止，且晶体管T2接收2.5V以被导通，以使射频开关1具有阻抗Z3，其可等于50欧姆，即阻抗Z0至Z3皆相异，且其中之一者可等于50欧姆。阻抗Z3可和负载电阻匹配。例如，阻抗Z3可趋近于50欧姆或75欧姆。阻抗Z1可大于阻抗Z3，且阻抗Z3可大于阻抗Z2。状态S0，S1可适用于射频开关1导通时，状态S2，S3可适用于射频开关1截止时。当射频开关1切换至状态S3以截止时，由于射频信号Srf会经由与负载电阻匹配的阻抗Z3而被引导至参考电压端GND，因此不会产生信号反射而降低信号质量。
虽然表1显示-2.5V用于截止分流子电路14、晶体管T1、及/或晶体管T2，熟习此技艺者可知可使用其他小于-2.5V的电压来截止分流子电路14、晶体管T1、及/或晶体管T2。此外，虽然表1显示2.5V用于导通分流子电路14、晶体管T1、及/或晶体管T2，熟习此技艺者可知可使用其他超过晶体管Tsh、晶体管T1、及/或晶体管T2之相应临界电压的电压来导通分流子电路14、晶体管T1、及/或晶体管T2。在一些实施例中，亦可藉由改变控制电压Vc1，Vc2而使晶体管T1，T2产生状态S0至S3的阻抗。
射频开关1可于导通或截止时皆提供实质上等于负载电阻的等效电阻，藉以提升信号质量同时不增加电路面积。
图2为本发明实施例中的另一种射频开关2的电路示意图。射频开关2及射频开关1的差异在于分流开关路径22的分流子电路26的晶体管T1及晶体管T2各自并联电阻R1及电阻R2。于分流开关路径22截止时，电阻1可作为偏压电阻用来固定晶体管T1第一端与第二端的电位，且电阻2可作为偏压电阻用来固定晶体管T2第一端与第二端的电位。射频开关2的运作方式和射频开关1相似，在此不再赘述。
图3为本发明实施例中的另一种射频开关3的电路示意图。射频开关3及射频开关1的差异在于分流开关路径32的分流子电路14及分流子电路16互换位置。分流子电路16的第一端耦接于信号端10及信号端18。分流子电路14的第一端耦接于分流子电路16的第二端，且分流子电路14的第二端耦接于参考电压端GND。射频开关3的运作方式和射频开关1相似，在此不再赘述。
图4为本发明实施例中的另一种射频开关4的电路示意图。射频开关4及射频开关2的差异在于射频开关4另包含串联开关路径40。串联开关路径40包含第一端，耦接于信号端10，及第二端，耦接于信号端18。信号端10耦接于天线42，且信号端18耦接于射频电路44。射频电路44可为匹配电路、功率放大器、或其他电路。当串联开关路径40导通时，串联开关路径40可建立信号端10及信号端18之间的耦接以将射频信号Srf在信号端10及信号端18之间传送；当串联开关路径40截止时，串联开关路径40可切断信号端10及信号端18之间的耦接以禁止将射频信号Srf在信号端10及信号端18之间传送。天线42的等效电阻及射频电路44的等效电阻可为实质上相等。串联开关路径40可包含并联的晶体管Tsr及电阻Rsr。晶体管Tsr包含第一端，耦接于信号端10、第二端，耦接于分流开关路径22及信号端18、及控制端，用以接收控制电压Vcsr，藉以控制晶体管Tsr。电阻Rsh包含第一端，耦接于晶体管Tsr的第一端、及第二端，耦接于晶体管Tsr的第二端。晶体管Tsr可为N型MOSFET。虽然图4显示串联开关路径40仅包含1个晶体管Tsr及1个电阻Rsr，在其他实施例中，串联开关路径40亦可包含M个晶体管Tsr及M个电阻Rsr，M个晶体管Tsr依序迭接，且每个电阻Rsr耦接于相应迭接晶体管Tsr的第一端及第二端，M为正整数。射频开关4的运作方式和射频开关2相似，在此不再赘述。
图5为本发明实施例中的另一种射频开关5的电路示意图。射频开关5及射频开关4的差异在于串联开关路径40的第一端耦接于信号端18，且串联开关路径40的第二端耦接于信号端10。射频开关5的运作方式和射频开关4相似，在此不再赘述。
图6为本发明实施例中的另一种射频开关6的电路示意图。射频开关6为单轴双切(single-pole double-throw，SPDT)开关。射频开关6及射频开关4的差异在于射频开关6包含串联开关路径401及402、分流开关路径221及222、及信号端181及182。串联开关路径401及402的电路设置及运作方式和串联开关路径40相似，分流开关路径221及222的电路设置及运作方式和分流开关路径22相似，在此不再赘述。射频开关6可接收控制电压Vc11、Vc21、Vcsh1、Vcsr1、Vc12、Vc22、Vcsh2、Vcsr2以于信号端10与信号端181及182中之一者之间形成通路以传送或接收射频信号Srf。当射频开关6于信号端10与信号端181之间形成通路时，串联开关路径401导通，分流开关路径221截止，串联开关路径402截止，及分流开关路径222导通。当射频开关6于信号端10与信号端182之间形成通路时，串联开关路径401截止，分流开关路径221导通，串联开关路径402导通，及分流开关路径222截止。
图7为本发明实施例中的另一种射频开关7的电路示意图。射频开关7及射频开关5的差异在于射频开关7包含串联开关路径401及402、及信号端181及182。串联开关路径401及402的电路设置及运作方式和串联开关路径40相似，在此不再赘述。射频开关7可接收控制电压Vc1、Vc2、Vcsh、Vcsr1、Vcsr2以于信号端10与信号端181及182中之一者之间形成通路以传送或接收射频信号Srf，或失能射频开关7以中断信号端10与信号端181，及中断信号端10与信号端182之间的耦接。当射频开关7于信号端10与信号端181之间形成通路时，串联开关路径401导通，串联开关路径402截止，且分流开关路径22截止。当射频开关7于信号端10与信号端182之间形成通路时，串联开关路径401截止，串联开关路径402导通，且分流开关路径22截止。当射频开关7被失能时，串联开关路径401截止，串联开关路径402截止，且分流开关路径22导通。
射频开关1至7可于导通或截止时皆提供实质上等于负载电阻的等效电阻，藉以提升信号质量同时不增加电路面积。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的等同变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (20)

1.一种射频开关，其特征在于，其包含有：
一信号端；
一参考电压端；及
一分流开关路径，耦接于该信号端及该参考电压端，该分流开关路径包含有:
一第一分流子电路；及
一第二分流子电路，包含有并联的一第一晶体管及一第二晶体管；
其中当该射频开关切换至一第一状态时，其具有一第一阻抗，当该射频开关切换至一第二状态时，其具有一第二阻抗，当该射频开关切换至一第三状态时，其具有一第三阻抗；及
该第一阻抗、该第二阻抗、及该第三阻抗相异。
2.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，其中该第一分流子电路包含有复数个迭接晶体管。
3.如权利要求2所述的射频开关，其特征在于，其中该复数个迭接晶体管的一尺寸、该第一晶体管的一尺寸及该第二晶体管的一尺寸相异。
4.如权利要求3所述的射频开关，其特征在于，其中该复数个迭接晶体管的该尺寸大于该第一晶体管的该尺寸，及该第一晶体管的该尺寸大于该第二晶体管的该尺寸。
5.如权利要求3所述的射频开关，其特征在于，其中该复数个迭接晶体管的该尺寸等于该第一晶体管的该尺寸及该第二晶体管的该尺寸的一总和。
6.如权利要求2所述的射频开关，其特征在于，其中该第一分流子电路另包含有复数个电阻，每个电阻耦接于该复数个迭接晶体管中的一相应迭接晶体管的一第一端及一第二端。
7.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，其中该第一晶体管的一尺寸及该第二晶体管的一尺寸相异。
8.如权利要求7所述的射频开关，其特征在于，其中该第一晶体管的该尺寸大于该第二晶体管的该尺寸。
9.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，其中该第一晶体管的及该第二晶体管的一尺寸比为99:1。
10.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，其中当该第二晶体管导通时，其具有一导通电阻，该导通电阻趋近于一负载电阻。
11.如权利要求10所述的射频开关，其特征在于，其中导通电阻等于50欧姆。
12.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，其中该第一阻抗、该第二阻抗、及该第三阻抗中之一者等于50欧姆。
13.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，其中该第三阻抗和一负载电阻匹配。
14.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，其中该第三阻抗趋近于50欧姆或75欧姆。
15.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，另包含有一串联开关路径，耦接于该信号端及一射频电路。
16.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，其中该信号端耦接于一天线。
17.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，其中当该射频开关切换至该第一状态时，该第一分流子电路截止，且该第一晶体管及该第二晶体管截止。
18.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，其中当该射频开关切换至该第二状态时，该第一分流子电路导通，且该第一晶体管及该第二晶体管导通。
19.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，其中当该射频开关切换至该第三状态时，该第一分流子电路导通，该第一晶体管截止，且该第二晶体管导通。
20.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，其中该第一阻抗大于该第三阻抗，及该第三阻抗大于该第二阻抗。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM355469U (en) * 2008-11-26 2009-04-21 Bcom Electronics Inc Multi-band-integrated vehicle antenna module in flexible-printed type
TWI693742B (zh) * 2018-11-05 2020-05-11 財團法人工業技術研究院 天線模組及包含此天線模組之環場偵測雷達
US10673412B1 (en) * 2019-05-08 2020-06-02 Semiconductor Components Industries, Llc Radio frequency switch

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