CN116264081A - 盘装置 - Google Patents

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大久保智和
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Toshiba Corp
Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
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Abstract

提供能够提高记录于盘的信息的可靠性的盘装置。根据一个实施方式，提供具有盘、头、前置放大器以及控制器的盘装置。头根据写入电流来向盘写入信息。前置放大器向头流动写入电流。控制器能够使前置放大器进行电流零控制。电流零控制是将写入电流的振幅维持为零的控制。控制器能够根据写入数据的模式来对将写入电流的振幅维持为零的时间进行变更。

Description

盘装置
本申请享受以日本特许申请2021－203755号(申请日：2021年12月15日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本实施方式涉及盘装置。
背景技术
在具有前置放大器、头以及盘的盘装置中，前置放大器向头流动写入电流，头根据写入电流来向盘记录信息。此时，希望提高记录于盘的信息的可靠性。
发明内容
一个实施方式在于提供能够提高记录于盘的信息的可靠性的盘装置。
根据一个实施方式，提供具有盘、头、前置放大器以及控制器的盘装置。头根据写入电流来向盘写入信息。前置放大器向头流动写入电流。控制器能够使前置放大器进行电流零控制。电流零控制是将写入电流的振幅维持为零的控制。控制器能够根据写入数据的模式来对将写入电流的振幅维持为零的时间进行变更。
附图说明
图1是表示实施方式涉及的盘装置的构成的图。
图2是表示实施方式中的盘的构成的图。
图3的(a)和(b)是表示实施方式中的MPRZ(Main Pole Relaxation Zone，主极松弛区域)方式的动作的波形图。
图4是表示各数据模式的电流零时间与位错误率的关系(外周区域)的图。
图5是表示各数据模式的电流零时间与位错误率的关系(中周区域)的图。
图6是表示各数据模式的电流零时间与位错误率的关系(内周区域)的图。
图7是表示实施方式中的RWC和前置放大器的构成的图。
图8的(a)～(c)是表示实施方式中的电流零控制的波形图。
图9是表示实施方式的变形例中的电流零控制的切换信息的图。
图10的(a)～(f)是表示实施方式的变形例中的电流零控制的切换的波形图。
标号说明
1盘装置、10盘、15头、30前置放大器、130控制器。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式涉及的盘装置进行详细的说明。此外，并不是通过该实施方式限定本发明。
(实施方式)
实施方式涉及的盘装置具有前置放大器、头以及盘，前置放大器向头流动写入电流，头根据写入电流来向盘记录信息，但下功夫来提高记录于盘的信息的可靠性。
例如如图1所示，盘装置1与主机100以能够通信的方式相连接，作为主机100的外部存储介质发挥功能。图1是表示盘装置1的构成的图。主机100例如为计算机等的信息终端。盘装置1例如为HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)、光磁盘驱动器等的盘型存储介质。
盘装置1具有头盘组件(HDA)2、驱动器20、前置放大器30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器90、控制器130。驱动器20可以作为IC(集成电路)来构成。前置放大器30可以作为IC(集成电路)来构成。控制器130可以作为SoC(片上系统)来构成。控制器130电连接于驱动器20、前置放大器30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器90。
HDA2具有盘10、主轴马达(SPM)12、头15、臂13、音圈马达(VCM)14。
如图2所示，盘10是用于记录信息的大致圆盘状的介质。图2是表示盘10的构成的俯视图。盘10经由主轴被以能够旋转的方式支持于框体(未图示)。盘10既可以是磁盘，也可以是光磁盘。在以下中，主要对盘10为磁盘的情况进行例示。盘10在各记录面中由预先写入到了放射状的伺服区域的伺服信息在半径方向上规定有同心圆的多个磁道TR。盘10的各记录面中的伺服区域之间的区域是能够写入数据的数据区域。各磁道TR在圆周方向上包含一个以上的伺服区域和数据区域的组。
多个磁道TR可以根据半径方向上的位置(半径位置)而被区分为多个区域。多个区域可以包括内周区域IR、中周区域MR、外周区域OR。内周区域IR包括半径位置为半径方向内侧的磁道TR。中周区域MR包括半径位置为半径方向内侧与外侧的中间的磁道TR。外周区域OR包括半径位置为半径方向外侧的磁道TR。
返回图1，头15搭载于臂13的一端侧。臂13的另一端被以能够旋转的方式支持于轴17。SPM12能够以主轴为旋转中心来对盘10进行旋转驱动。VCM14能够以轴17为旋转中心来对臂13进行旋转驱动。臂13和VCM14作为致动器3发挥功能。致动器3能够使头15相对于盘10的面而沿着半径方向进行移动。
头15具有写入头15W和读取头15R。写入头15W根据从前置放大器30供给的写入电流来向盘10写入信息。读取头15R读取在盘10中所写入了的信息，并提供给前置放大器30。
控制器130按照预先存储于非易失性存储器80或者盘10的固件，进行该盘装置1的整体控制。固件是初始固件和在通常动作中使用的控制用固件。启动时最初执行的初始固件例如存储于非易失性存储器80，在通常动作中使用的控制用固件被记录于盘10。通过按照了初始固件的控制，从盘10暂且被读出到缓冲存储器90，然后被保存于易失性存储器70。
控制器130与主机100以能够通信的方式相连接，能够在通常动作中，当从主机100接收到命令时，进行与命令相应的控制。控制器130包括读写通道(RWC)60、微处理器(MPU)40、硬盘控制器(HDC)50。RWC60、MPU40和HDC50相互电连接。
驱动器20按照MPU40的控制，分别对SPM12和VCM14的驱动进行控制。
前置放大器30具有读取放大器31和写入驱动器32。读取放大器31对从盘10经由头15读取到的读取信号进行放大并提供给RWC60。写入驱动器32向头15流动与从RWC60接受的数据信号相应的写入电流。前置放大器30分别经由布线等而电连接于头15和RWC60。
MPU40对盘装置1的各部进行控制。MPU40经由HDC50从主机100接受包含读取地址的读取命令，对从与读取地址相应的盘10内的位置读取信息的读取处理进行控制。在读取处理的控制中，MPU40根据读取地址，经由VCM14而相对于盘10的面进行头15的定位控制，进行控制以使得在头15被定位于目标磁道TR的状态下经由前置放大器30和RWC60从盘10读取信息。
MPU40对写入处理进行控制，该写入处理为：经由HDC50从主机100接受包含写入地址的写入命令，向与写入地址相应的盘10内的位置写入与写入数据相应的信息。在写入处理的控制中，MPU40根据写入地址，经由VCM14而相对于盘10的面进行头15的定位控制，进行控制以使得在头15被定位于目标磁道TR的状态下经由RWC60和前置放大器30向盘10写入与写入数据相应的信息。
HDC50对数据的传送进行控制。例如，HDC50根据来自MPU40的指示，对主机100与RWC60之间的数据传送进行控制。HDC50向MPU40提供从主机100接收到的命令，从MPU40接受对于命令的响应并发送给主机100。
RWC60从前置放大器30接受读取信号，根据来自MPU40的指示，从读取信号复原读取数据，经由HDC50向主机100提供读取数据。RWC60经由HDC50从主机100接受写入数据，根据来自MPU40的指示，生成与写入数据相应的数据信号并提供给前置放大器30。
在写入处理中，根据写入数据的值(例如0或者1)，数据信号的电平(例如L或者H)变化，根据数据信号的电平，在头15中流动的写入电流的极性反转，根据写入电流的极性，作为信息来被写入到盘10的磁化的方向反转。
例如在图3的(a)所示的t0～t2的期间中，与写入数据的值“1”对应地，写入电流的值被维持为Iw＝IH(＞0)。在t2～t3的期间中，与写入数据的值“0”对应地，写入电流的值被维持为Iw＝IL(＜0)。定时t2与写入数据的位反转位置对应，与写入电流的极性反转位置对应。
在此，由头15中的主极(Main Pole)根据写入电流而产生的磁场相对于能够对盘10进行磁化的区域(即能够瞬间地写入的区域)而具有空间上的扩展。该空间上的扩展被称为MPRZ(Main Pole Relaxation Zone)，预想为会占据如图2所示那样的头15的圆周方向上的长度L的一部分。
因此，如图3的(b)所示，MPRZ(Main Pole Relaxation Zone)方式中的写入电流的波形包括写入电流Iw在即将与位的反转位置对应的电流波形的极性反转位置(定时t2)之前成为零的区间(电流零时间)ΔTMPRZ。把使得将写入电流Iw维持为零的控制称为电流零控制。
电流零控制的目的在于避免写入电流的极性反转位置处的磁化响应的延迟。在即将极性反转位置之前的写入电流的振幅大的情况下，使头15内部的磁化反转的磁动势大，作为结果，极性反转位置处的磁化响应有可能延迟。若即将极性反转位置之前的写入电流为零，则能够减小使头15内部的磁化反转的磁动势，作为结果，能够避免极性反转位置处的磁化响应的延迟。
作为前提，电流零控制基于如下想法：即使使写入电流Iw在电流零时间中为零，也能够向盘10瞬间地记录信息。在该想法中认为：即使使写入电流Iw在电流零时间中为零，由于头15具有一定的物理尺寸，因此，该长度量(占用区(footprint)长)也会瞬间地向盘10记录信息，其记录状态不会被损害。将与写入数据的1位对应的数据信号的单位期间称为1T。当设为主极的长度L完全与占用区长度相等时，电流零时间ΔTMPRZ被预想为2T～3T左右。MPRZ方式中，多以使得在极性反转的1T以上之前使写入电流Iw为零的结构来进行安装。图3是表示MPRZ方式的动作的波形图。
例如，将原始的写入数据中的相同的位值持续nT区间(即模式长度为nT)的数据模式称为nT模式。在MPRZ方式中，生成在原始的写入数据中的4T以上的模式中在位反转位置的2～3位前插入了虚设位的虚设数据信号，并生成表示虚设位的位置的屏蔽(mask)信号。并且设为：在虚设数据信号的边沿定时(例如下降沿定时)开始电流零控制，并且，用屏蔽信号进行屏蔽，由此，不进行虚设位位置处的写入电流的极性反转。由此，能够实现MPRZ方式的写入电流波形。
在该MPRZ方式的情况下，将虚设反转位置使用于设为写入电流Iw＝0的定时的控制，因此，在原理上，分辨能力成为1T单位。另外，必须联动地调制虚设数据信号和MPRZ信号，因此，难以自由地对电流零时间ΔTMPRZ进行变更，电流零时间ΔTMPRZ的适当化(例如优化)困难。
另一方面，占用区长度也有可能与预想相反地还不到1T。这是由于：头15的前导沿侧的磁场强度弱，能够通过足够的重叠写入(OW)进行记录的部位限于拖尾沿的间隙附近。其结果，实际的占用区长度有可能相对于头15的物理尺寸变短。因此，为了理想的MPRZ方式，希望能够通过比1T小的分辨能力调整电流零时间ΔTMPRZ。
例如，将用BER(位错误率)对使电流零时间ΔTMPRZ可变的情况下的磁化响应的改善效果进行评价的结果表示于图4～图6。图4、图5、图6是分别关于外周区域OR、中周区域MR、内周区域IR(图2参照)示出各数据模式的电流零时间与位错误率的关系的图。
在图4所示的外周区域OR的评价结果中，1T模式的位错误率成为最小的电流零时间ΔTMPRZ为ΔT1。2T模式的位错误率成为最小的电流零时间ΔTMPRZ为ΔT2。3T模式的位错误率成为最小的电流零时间ΔTMPRZ为ΔT3。4T模式的位错误率成为最小的电流零时间ΔTMPRZ为ΔT4。5T模式的位错误率成为最小的电流零时间ΔTMPRZ为ΔT5。当表示大小关系时，成为如下的式1。
ΔT1＜ΔT2＜ΔT4＜ΔT5＜ΔT3 ···式1
在图5所示的中周区域MR的评价结果中，1T模式的位错误率成为最小的电流零时间ΔTMPRZ为ΔT11。2T模式的位错误率成为最小的电流零时间ΔTMPRZ为ΔT12。4T模式的位错误率成为最小的电流零时间ΔTMPRZ为ΔT14。5T模式的位错误率成为最小的电流零时间ΔTMPRZ为ΔT15。此外，在能够评价的范围中未检测到3T模式的位错误率成为最小的电流零时间ΔTMPRZ，因此，也可以近似地使用与外周区域OR相同的ΔT3。当表示大小关系时，成为如下的式2。
ΔT11＜ΔT12＜ΔT15＜ΔT14＜ΔT3 ···式2
在图6所示的内周区域IR的评价结果中，1T模式的位错误率成为最小的电流零时间ΔTMPRZ为ΔT21。此外，在能够评价的范围中未检测到2T模式的位错误率成为最小的电流零时间ΔTMPRZ，因此，也可以近似地使用与中周区域MR相同的ΔT12。在能够评价的范围中未检测到3T模式的位错误率成为最小的电流零时间ΔTMPRZ，因此，也可以近似地使用与外周区域OR相同的ΔT3。在能够评价的范围中未检测到4T模式的位错误率成为最小的电流零时间ΔTMPRZ，因此，也可以近似地使用与中周区域MR相同的ΔT14。在能够评价的范围中未检测到5T模式的位错误率成为最小的电流零时间ΔTMPRZ，因此，也可以近似地使用与中周区域MR相同的ΔT15。当表示大小关系时，成为如下的式3。
ΔT21＜ΔT12＜ΔT15＜ΔT14＜ΔT3 ···式3
如图4～图6所示，位错误率的改善效果被适当化(例如成为最大)的电流零时间ΔTMPRZ具有按模式长度(nT)而不同的倾向。此外，在图4～图6中，1T相当于分别由单点划线的直线表示的电流零时间的值，位错误率的改善效果被适当化(例如成为最大)的电流零时间ΔTMPRZ大致处于1T附近或者具有比1T小的倾向。为了使通过MPRZ方式获得的改善效果适当化(例如最大化)，希望能够个别地调整对于各数据模式(例如1T模式～5T模式)的电流零时间ΔTMPRZ。
与此相对，盘装置1的控制器130能够使前置放大器30进行电流零控制，能够根据写入数据的模式对电流零时间进行变更。
控制器130根据写入数据生成电流零控制用的MPRZ信号，按各模式而对指定MPRZ信号的极性反转位置的边沿定时进行调整。控制器130对写入数据附加延迟量DL1来生成数据信号。控制器130根据数据模式(例如1T模式～5T模式)，对写入数据附加延迟量DL2来生成MPRZ信号。即，控制器130选择与多个数据模式对应的多个候选延迟量中的、与接下来的数据模式对应的一个候选延迟量来作为延迟量DL2。多个候选延迟量均比延迟量DL1小。控制器130对该所被选择了的延迟量DL2附加写入数据来生成MPRZ信号。前置放大器根据数据信号来生成写入电流，但在MPRZ信号的边沿定时开始电流零控制而使写入电流的振幅为零，在数据信号的极性反转位置解除电流零控制。
由此，能够根据各数据模式(例如1T模式～5T模式)来个别地调整电流零时间ΔTMPRZ，能够使通过MPRZ方式获得的位错误率改善效果适当化(例如最大化)。另外，能够用两个延迟量DL1、DL2之差对电流零时间进行控制，因此，能够以比1T小的分辨能力对电流零时间ΔTMPRZ进行调整。
例如在盘装置1中，RWC60和前置放大器30可以关于写入处理构成为如图7所示。图7是表示RWC60和前置放大器30的构成的图。在图7中，为了简化，省略与读取处理有关的构成的图示。
RWC60具有写入数据生成电路61、WPC(Write Precompensation，写入预补偿)电路62、延迟(Delay)电路63、驱动器64、WPC电路65、驱动器66、寄存器67。前置放大器30具有写入驱动器32、电流零控制电路33、驱动器34。
写入数据生成电路61对经由HDC50从主机100接受到的信号进行处理来生成写入数据，向WPC电路62提供生成后的写入数据。
WPC电路62按数据模式而对写入数据的边沿定时附加个别的延迟量。WPC电路62当从写入数据生成电路61接受到写入数据时，对其数据模式(例如1T模式～5T模式)进行分析。控制器130对保存有多个第1设定值的装置存储器进行访问，取得多个第1设定值中的与分析出的数据模式对应的第1设置值WPC＿XXXX，并设定于寄存器67。
装置存储器例如既可以是盘10中的保存管理信息的区域，也可以是非易失性存储器80。装置存储器保存关于多个数据模式关联了数据模式和第1设定值的第1设定信息。第1设定值WPC＿XXXX表示NLTS(Non Linear Transition Shift，非线性变换漂移)的补偿量的值。NLTS是如下现象：记录于盘10的信息位受到其紧接着之前和/或数位前的信息位的磁场的影响，位反转位置会相对于时间而非线性地漂移。因此，NLTS的补偿量的值可能依赖于数据模式而不同。对于哪个数据模式与哪个NLTS的补偿量的值对应，预先实验性地加以决定，并被包含于第1设定信息。“WPC＿XXXX”中的“XXXX”表示应该赋予数据模式的补偿量的值。第1设定值WPC＿XXXX能够保存于RWC60内部的寄存器67，在写入动作时被从装置存储器设定到RWC60内的寄存器67。
WPC电路62对于写入数据，以与第1设定值WPC＿XXXX相应的补偿量进行位反转位置的修正。WPC电路62向延迟电路63提供修正后的写入数据，并且，复制修正后的写入数据并提供给WPC电路65。
延迟电路63以延迟量DL1使修正后的写入数据进行延迟，生成数据信号。延迟量DL1比通常NLTS的补偿量大。延迟电路63向驱动器64提供数据信号。驱动器64向前置放大器30传送数据信号。
WPC电路65使修正后的写入数据的位反转位置延迟与保存于RWC60内部的寄存器67的第2设定值WPC2＿XXXX相应的延迟量DL2来生成MPRZ信号。控制器130对保存有多个第2设定值的装置存储器进行访问，取得多个第2设定值中的与在WPC电路62中分析出的数据模式对应的第2设置值WPC2＿XXXX，并设定于寄存器67。
装置存储器保存关于多个数据模式关联了数据模式和第2设定值的第2设定信息。第2设定信息也可以是关于多个数据模式和多个区域(例如外周区域OR、中周区域MR、内周区域IR)的组合关联了数据模式和第2设定值的信息。第2设定值WPC2＿XXXX表示用于对电流零时间的开始定时进行调整的延迟量的值。对于哪个数据模式(或者哪个数据模式和区域的组合)与哪个NLTS的补偿量的值对应，预先实验性地加以决定，并被包含于第2设定信息(参照图4～图6)。“WPC2＿XXXX”中的“XXXX”表示应该赋予数据模式的延迟量的值。第2设定值WPC2＿XXXX能够保存于RWC60内部的寄存器67，在写入动作时被从装置存储器设定到RWC60内的寄存器67。
WPC电路65能够与通过WPC电路62进行的NLTS的补偿量(WPC＿XXXX)的附加独立地进行向修正后的写入数据的延迟量DL2(WPC2＿XXXX)的附加。MPRZ信号以其边沿定时表示电流零时间的开始定时。由此，WPC电路65能够按nT模式而个别地调整电流零时间。
此时，希望WPC电路65至少确保1T以上的调整宽度。因此，对于被附加了NLTS的补偿量的、修正后的写入数据，为了与MPRZ信号的整体的相位调整而在延迟电路63中附加延迟量DL1。
WPC电路65向驱动器66提供MPRZ信号。驱动器66向前置放大器30传送MPRZ信号。
前置放大器30的驱动器34从WPC电路65接受MPRZ信号。驱动器34向电流零控制电路33传送MPRZ信号。电流零控制电路33根据MPRZ信号对写入驱动器32进行控制。电流零控制电路33对写入驱动器32开始电流零控制的定时进行控制。
写入驱动器32从RWC60的驱动器64接受数据信号，根据数据信号来生成写入电流，但当由电流零控制电路33进行指定时，开始电流零控制，使写入电流为零。并且，写入驱动器32当成为数据信号的边沿定时、即应该使写入电流的极性反转的定时时，自主地解除电流零控制。
作为电流零控制的最简单的安装为MPRZ信号的状态转变，换言之在极性反转位置(L电平→H电平或者H电平→L电平)，前置放大器30进行动作以使写入电流Iw为零。通过延迟电路63，各nT模式的MPRZ信号的极性反转位置在时间上被设定在数据信号的极性反转位置之前。通过对由WPC电路65对该MPRZ信号附加的延迟量DL2进行调整，能够个别地指定各nT模式的电流零时间的开始定时。
例如，电流零控制如图8所示那样进行。图8是表示电流零控制的波形图。图8的(a)示出由写入数据生成电路61生成的写入数据的位序列、其模式识别结果(1T模式～6T模式)以及从延迟电路63输出的数据信号。图8的(b)示出从WPC电路65输出的MPRZ信号。图8的(c)示出由写入驱动器32生成的写入电流Iw。
在图8的(a)～图8的(c)的例子中例示外周区域OR的磁道TR为目标磁道TR的情况。RWC60的WPC电路65以之前3位的状态分支进行动作，能够以1T模式/2T模式/3T模式/nT模式(n≥4)的4个模式进行独立的电流零时间的控制。此外，也能够根据需要来增减WPC电路65的状态分支，对独立地控制的nT模式数量进行调整。
在即将定时t9之前，根据数据信号为高电平VH1，成为写入电流Iw＝IH。数据信号成为对通过WPC电路62修正后的写入数据附加了延迟量DL1的信号。
此时，MPRZ信号成为高电平VH2。WPC电路62根据与接下来的数据模式为1T模式“1”这一识别结果对应的第2设定值WPC2＿xx11，对通过WPC电路62修正后的写入数据附加了延迟量DL2(＝DL1－ΔT1)。由此，RWC60将MPRZ信号的下降沿定时调整为与1T模式相应的定时t9。
在定时t9，MPRZ信号从高电平VH2转变为低电平VL2。与此相应，前置放大器30开始电流零控制，设为写入电流Iw＝0。
在定时t10，数据信号从高电平VH1转变为低电平VL1。与此相应，前置放大器30解除电流零控制。由此，电流零时间被控制为与1T模式相应的ΔT1。
前置放大器30使写入电流Iw从0向电平IUS转变。
此时，MPRZ信号成为低电平VL2。WPC电路62根据与接下来的数据模式为1T模式“0”这一识别结果对应的第2设定值WPC2＿xx11，对通过WPC电路62修正后的写入数据附加了延迟量DL2(＝DL1－ΔT1)。由此，RWC60将MPRZ信号的上升沿定时调整为与1T模式相应的定时t11。
在定时t11，MPRZ信号从低电平VL2转变为高电平VH2。与此相应，前置放大器30开始电流零控制，设为写入电流Iw＝0。
在定时t12，数据信号从低电平VL1转变为高电平VH1。与此相应，前置放大器30解除电流零控制。由此，电流零时间被控制为与1T模式相应的ΔT1。
前置放大器30使写入电流Iw从0向电平IOS转变。
此时，MPRZ信号成为高电平VH2。WPC电路62根据与接下来的数据模式为2T模式“11”这一识别结果对应的第2设定值WPC2＿x101，对通过WPC电路62修正后的写入数据附加了延迟量DL2(＝DL1－ΔT2)。由此，RWC60将MPRZ信号的下降沿定时调整为与2T模式相应的定时t14。
当成为定时t13时，前置放大器30作为经过了应该维持为电平IOS的期间，使写入电流Iw从电平IOS向高电平IH转变。
在定时t14，MPRZ信号从高电平VH2转变为低电平VL2。与此相应，前置放大器30开始电流零控制，设为写入电流Iw＝0。
在定时t15，数据信号从高电平VH1转变为低电平VL1。与此相应，前置放大器30解除电流零控制。由此，电流零时间被控制为与2T模式相应的ΔT2。
前置放大器30使写入电流Iw从0向电平IUS转变。
此时，MPRZ信号成为低电平VL2。WPC电路62根据与接下来的数据模式为3T模式“000”这一识别结果对应的第2设定值WPC2＿1001，对通过WPC电路62修正后的写入数据附加了延迟量DL2(＝DL1－ΔT3)。由此，RWC60将MPRZ信号的上升沿定时调整为与3T模式相应的定时t17。
当成为定时t16时，前置放大器30作为经过了应该维持为电平IUS的期间，使写入电流Iw从电平IUS向低电平IL转变。
在定时t17，MPRZ信号从低电平VL2转变为高电平VH2。与此相应，前置放大器30开始电流零控制，设为写入电流Iw＝0。
在定时t18，数据信号从低电平VL1转变为高电平VH1。与此相应，前置放大器30解除电流零控制。由此，电流零时间被控制为与3T模式相应的ΔT3。
前置放大器30使写入电流Iw从0向电平IOS转变。
此时，MPRZ信号成为高电平VH2。WPC电路62根据与接下来的数据模式为4T模式“1111”这一识别结果对应的第2设定值WPC2＿0001，对通过WPC电路62修正后的写入数据附加了延迟量DL2(＝DL1－ΔT4)。由此，RWC60将MPRZ信号的下降沿定时调整为与4T模式相应的定时t20。
当成为定时t19时，前置放大器30作为经过了应该维持为电平IOS的期间，使写入电流Iw从电平IOS向高电平IH转变。
在定时t20，MPRZ信号从高电平VH2转变为低电平VL2。与此相应，前置放大器30开始电流零控制，设为写入电流Iw＝0。
在定时t21，数据信号从高电平VH1转变为低电平VL1。与此相应，前置放大器30解除电流零控制。由此，电流零时间被控制为与4T模式相应的ΔT4。
前置放大器30使写入电流Iw从0向电平IUS转变。
此时，MPRZ信号成为低电平VL2。WPC电路62根据与接下来的数据模式为5T模式“00000”这一识别结果对应的第2设定值WPC2＿0001，对通过WPC电路62修正后的写入数据附加了延迟量DL2(＝DL1－ΔT4)。由此，RWC60将MPRZ信号的上升沿定时调整为与5T模式相应的定时t23。
当成为定时t22时，前置放大器30作为经过了应该维持为电平IUS的期间，使写入电流Iw从电平IUS向低电平IL转变。
在定时t23，MPRZ信号从低电平VL2转变为高电平VH2。与此相应，前置放大器30开始电流零控制，设为写入电流Iw＝0。
在定时t24，数据信号从低电平VL1转变为高电平VH1。与此相应，前置放大器30解除电流零控制。由此，电流零时间被控制为与5T模式相应的ΔT4。
前置放大器30使写入电流Iw从0向电平IOS转变。
此时，MPRZ信号成为高电平VH2。WPC电路62根据与接下来的数据模式为6T模式“111111”这一识别结果对应的第2设定值WPC2＿0001，对通过WPC电路62修正后的写入数据附加了延迟量DL2(＝DL1－ΔT4)。由此，RWC60将MPRZ信号的下降沿定时调整为与6T模式相应的定时t26。
当成为定时t25时，前置放大器30作为经过了应该维持为电平IOS的期间，使写入电流Iw从电平IOS向高电平IH转变。
在定时t26，MPRZ信号从高电平VH2转变为低电平VL2。与此相应，前置放大器30开始电流零控制，设为写入电流Iw＝0。
在定时t27，数据信号从高电平VH1转变为低电平VL1。与此相应，前置放大器30解除电流零控制。由此，电流零时间被控制为与4T模式相应的ΔT4。
如上所述，在实施方式中，在盘装置1中，RWC60进行电流零控制时，根据数据模式对电流零时间进行变更，前置放大器30根据该变更来设定电流零时间。由此，能够根据各数据模式(例如1T模式～5T模式)来个别地对电流零时间ΔTMPRZ进行调整，能够使通过MPRZ方式获得的位错误率改善效果适当化(例如最大化)。即，能够提高记录于盘10的信息的可靠性。
另外，在实施方式中，在盘装置1中，RWC60对写入数据附加延迟量DL1来生成数据信号，根据数据模式对写入数据附加延迟量DL2来生成MPRZ信号。前置放大器30在MPRZ信号的边沿定时开始电流零控制，使写入电流的振幅为零，在数据信号的极性反转位置解除电流零控制。由此，能够用两个延迟量DL1、DL2之差调整电流零时间，因此，能够以比1T小的分辨能力调整电流零时间ΔTMPRZ。
此外，作为实施方式的变形例，盘装置1也可以构成为能够对有无执行电流零控制进行切换。例如也可以在前置放大器30中的电流零控制电路33设定有如图9所示那样的电流零控制的切换信息331。图9是表示实施方式的变形例中的电流零控制的切换信息331的图。
如图9所示，前置放大器30中的电流零控制电路33根据数据信号的电平(L电平或者H电平)和MPRZ信号的状态转变(L电平→H电平的转变或者H电平→L电平的转变)的组合，决定是否进行电流零控制。
在图9的情况下，电流零控制电路33在数据信号为低电平VL1且MPRZ信号的状态转变为低电平VL2→高电平VH2的情况下、或者在数据信号为高电平VH1且MPRZ信号的状态转变为高电平VH2→低电平VL2的情况下，选择性地进行电流零控制。这是基于如下考虑：MPRZ信号根据写入数据而被进行复制，因此，在正常的动作中期待该组合。
在除此之外的组合的情况下，可以视为因抖动噪声、调整错误等而在设想外的定时引起了MPRZ信号的状态转变。电流零控制电路33在数据信号为低电平VL1且MPRZ信号的状态转变为高电平VH2→低电平VL2的情况下、或者在数据信号为高电平VH1且MPRZ信号的状态转变为低电平VL2→高电平VH2的情况下，不进行电流零控制。
例如如图4、图5所示，在外周区域OR、中周区域MR中，在1T模式中位错误率成为最小的电流零时间ΔTMPRZ比在其他数据模式中位错误率成为最小的电流零时间ΔTMPRZ小。因此，对于1T模式，电流零时间被控制为比较小的值。
即使电流零时间被控制为比较小的值，若数据信号的相位和MPRZ信号的相位是适当的，则如图10的(a)～图10的(c)所示，电流零时间也能够被适当地进行设定。MPRZ信号中的与1T模式对应的边沿定时t11位于与1T模式的数据信号对应的t10～t12的期间内。此外，图10的(a)～图10的(c)为表示实施方式的变形例中的电流零控制的切换的波形图，与图8的(a)～图8的(c)的定时t9～t21的部分对应。
在MPRZ信号中的与1T模式对应的边沿定时t11，数据信号为低电平VL1，MRPZ信号的状态转变为低电平VL2→高电平VH2，因此，按照切换信息(参照图9)，电流零控制开始，成为写入电流Iw＝0。在之后的定时t12，根据数据信号的低电平VL1→高电平VH1的转变，电流零控制被解除。由此，能够在即将与1T模式对应的写入电流的极性反转位置之前，适当地设定电流零时间。
另一方面，通过电流零时间被控制为比较小的值，由于抖动等的影响，如图10的(d)～图10的(f)所示，数据信号的相位和MPRZ信号的相位有可能一前一后。MPRZ信号中的与1T模式对应的边沿定时t11a位于与1T模式的数据信号对应的t10a～t12a的期间经过后、即与2T模式的数据信号对应的t12a～t15a的期间内。此外，图10的(d)～图10的(f)是表示实施方式的变形例中的电流零控制的切换的波形图，与图8的(a)～图8的(c)的定时t9～t21的部分对应。
当假如在边沿定时t11a开始电流零控制时，有可能在与2T模式对应的期间t12a～t15a的大部分中写入电流Iw成为零、原本应该记录的2T模式“11”不被记录于盘10。
与此相对，在实施方式的变形例中，在MPRZ信号中的与1T模式对应的边沿定时t11a，数据信号为高电平VH1，MRPZ信号的状态转变为低电平VL2→高电平VH2，因此，按照切换信息(参照图9)，电流零控制不被开始。写入电流Iw从低电平IL向电平IOS转变。由此，能够避免在无意的定时进行电流零控制。
或者，也可以在RWC60中设定为延迟电路63的延迟量DL1比1T模式用的WPC电路65的延迟量DL2小、且比其他模式(2T以上的模式)用的WPC电路65的延迟量DL2大。在该情况下，通过并用图9的切换信息331，能够使得对于1T模式选择性地不进行电流零控制，而对于其他模式(2T以上的模式)进行电流零控制。由此，能够在避免抖动等的影响的同时，对于根据写入电流来写入到盘10的信息使位错误率改善效果适当化(例如最大化)。
以上对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且，包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围内。

Claims (8)

1.一种盘装置，具备：
盘；
头，其根据写入电流来向所述盘写入信息；
前置放大器，其向所述头流动所述写入电流；以及
控制器，其能够使所述前置放大器进行将所述写入电流的振幅维持为零的电流零控制，能够根据写入数据的模式来对将所述写入电流的振幅维持为零的时间进行变更。
2.根据权利要求1所述的盘装置，
所述控制器对所述写入数据附加第1延迟量来生成第1信号，根据所述写入数据的模式，对所述写入数据附加第2延迟量来生成第2信号。
3.根据权利要求2所述的盘装置，
所述第2延迟量比所述第1延迟量小。
4.根据权利要求2所述的盘装置，
所述控制器将与多个模式对应的多个候选延迟量中的与所述写入数据的模式对应的候选延迟量选择为所述第2延迟量，对所述写入数据附加所述选择的第2延迟量来生成所述第2信号。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的盘装置，
所述前置放大器根据所述第1信号来生成所述写入电流，从所述第2信号的边沿定时到所述第1信号的极性反转定时为止将所述生成的写入电流的振幅维持为零。
6.根据权利要求5所述的盘装置，
所述前置放大器具有：
第1电路，其根据所述第1信号来生成所述写入电流；和
第2电路，其对所述第1电路进行控制以使得从所述第2信号的边沿定时开始所述电流零控制，
当成为所述第1信号的极性反转定时时，所述第1电路解除所述电流零控制。
7.根据权利要求5所述的盘装置，
所述前置放大器具有：
第1电路，其根据所述第1信号来生成所述写入电流；和
第2电路，其在所述第1信号的电平与所述第2信号的状态转变的组合为第1组合的情况下，对所述第1电路进行控制以使得从所述第2信号的边沿定时开始所述电流零控制，在所述第1信号的电平与所述第2信号的状态转变的组合为第2组合的情况下，对所述第1电路进行控制以使得不进行所述电流零控制，
在正在进行所述电流零控制的情况下，当成为所述第1信号的极性反转定时时，所述第1电路解除所述电流零控制。
8.一种盘装置，具备：
盘；
头，其根据写入电流来对所述盘进行写入数据的写入；
前置放大器，其能够向所述头供给所述写入电流，在预定期间的期间中将所述写入电流的振幅维持为零；以及
控制器，其能够在所述写入数据的模式为第1模式的情况下，将所述预定期间设定为第1期间，在所述写入数据的模式为与所述第1模式不同的第2模式的情况下，将所述预定期间设定为与所述第1期间不同的第2期间。
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