CN116248069A - 体声波谐振器及其制备方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 4
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 12
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 98
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000272525 Anas platyrhynchos Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
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- H—ELECTRICITY
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
- Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks
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Abstract
本发明提出一种体声波谐振器及其制备方法，体声波谐振器包括第一电极、第二电极，以及夹在第一电极及第二电极之间的压电薄膜，其中压电薄膜由n层相邻两层极性相反的极性压电薄膜构成，第一电极与第二衬底被腔体结构隔开，腔体结构被嵌入第二衬底上，第二电极上方也由空气包围；本发明的体声波谐振器的制备方法利用分层制备极性相反的极性压电薄膜，在不降低压电薄膜总厚度或引入过渡电极的条件下提高谐振器谐振频率，简化工艺，降低对工艺及设备要求的同时提高滤波器工作频率，为高频体声波谐振器提供了一种新的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及微电子器件技术领域，特别是涉及一种体声波谐振器及其制备方法。
背景技术
随着无线通信技术的发展，电子技术向5G迈进并朝向更小、更轻、更薄的方向发展。压电射频(RF)微机电系统(MEMS)谐振器已经被用来作为射频系统前端以实现选频和抑制干扰功能，其工作原理是利用压电薄膜实现机械能和电能的转换。
现代通讯行业对信号质量的要求越来越高，对通信频谱资源的争夺也越演越烈，低损耗、宽带宽、可调谐以及温度稳定性已经成为通讯行业的普遍追求目标。声学谐振器包括声表面波(Surface Acoustic Wave，SAW)谐振器和体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)谐振器，BAW谐振器因体积小、带宽大、Q值高目前已经广泛应用于通信领域，而且由于其谐振频率与压电薄膜的厚度成反比，通过对压电薄膜减薄可以轻松实现较高的频率。
由于传统单层体声波谐振器的谐振频率与纵向声速和薄膜厚度的比值正相关，这意味着在5G的更高频频段所应用的滤波器压电薄膜的厚度将更小，对薄膜晶体质量和工艺精度要求更高。在现有的一些其他解决方案包括采用铁电材料堆叠，利用施加偏压调控材料极性调谐，但此方法要求不同层铁电材料间生长用于施加偏压的过渡电极，晶体质量的下降或过渡电极的引入都会导致薄膜谐振器的功率处理能力、机电耦合系数和Q值下降，因此急需寻找其他调控手段提高谐振器的频率。
鉴于以上，有必要提供一种体声波谐振器及其制备方法，以解决现有技术中薄膜谐振器的功率处理能力、机电耦合系数和Q值下降的问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种体声波谐振器及其制备方法，用于解决现有技术中薄膜谐振器的功率处理能力、机电耦合系数和Q值下降的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种体声波谐振器的制备方法，所述体声波谐振器的制备方法包括：
S11：提供第一衬底；
S12：于所述第一衬底上形成压电薄膜，所述压电薄膜依次包括n层极性压电薄膜，任意相邻两层的所述极性压电薄膜的极性相反，其中，n≥2；
S13：于所述压电薄膜上形成图形化的第一电极；
S14：于所述第一电极及所述压电薄膜上形成介质层，并图形化所述介质层，以在所述介质层中形成暴露所述第一电极的开口；
S15：提供第二衬底，将所述介质层与所述第二衬底键合固定，并去除所述第一衬底，所述第二衬底覆盖所述开口，所述开口形成空腔结构；
S16：于所述压电薄膜上形成图形化的第二电极，并制备所述第一电极及所述第二电极的电极引出结构。
可选地，所述极性压电薄膜的材料为AlN、AlxGa(1-x)N、ScxAl(1-x)N、LiNbO3、PZT、PbTiO3及ZnO中的任意一种；所述极性压电薄膜的单层厚度不小于0.05μm；所述压电薄膜的总厚度范围为0.1μm～4μm。
可选地，不同极性的所述极性压电薄膜的生长方法可以不相同，也可以相同。
可选地，所述第一衬底的材料为Si、SiN、Ge、SiO2、SiC及蓝宝石中的一种；所述第二衬底的材料为Si、SiN、Ge、SiO2、SiC及蓝宝石中的一种。
可选地，所述第一电极的材料为Au、Ag、Ru、W、Mo、Ir、Al、Pt、Nb及Hf中的任意一种或两种及以上的组合，所述第一电极的材料的厚度范围为0.1μm～0.3μm；所述第二电极的材料为Au、Ag、Ru、W、Mo、Ir、Al、Pt、Nb及Hf中的任意一种或两种及以上的组合；所述第二电极的材料的厚度范围为0.1μm～0.3μm。
可选地，所述开口仅暴露出所述第一电极的非电极引出区域，所述第一电极的电极引出区域由所述介质层覆盖。
可选地，制备所述第一电极及所述第二电极的电极引出结构的步骤包括：S21：形成贯通所述压电薄膜且暴露出所述第一电极表面的通孔，在所述通孔中沉积与所述第一电极连通的第一电极引出结构；S22：形成与所述第二电极连通的第二电极引出结构。
本发明还提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：
第二衬底；
压电薄膜，位于所述第二衬底上方，所述压电薄膜依次包括n层极性压电薄膜，任意相邻两层的所述极性压电薄膜的极性相反，其中，n≥2；
具有开口的介质层，位于所述第二衬底与所述压电薄膜之间，所述第二衬底、所述介质层及所述压电薄膜包围所述开口形成空腔结构；
第一电极，所述第一电极位于靠近所述空腔结构的所述压电薄膜的表面；
第二电极，所述第二电极位于远离所述空腔结构的所述压电薄膜的表面；
电极引出结构，用于分别引出所述第一电极及所述第二电极。
可选地，所述第一电极一部分位于所述空腔结构中的所述压电薄膜表面，另一部分位于所述压电薄膜与所述介质层之间以使所述电极引出结构引出所述第一电极。
可选地，所述电极引出结构包括：通孔，所述通孔贯穿所述压电薄膜，以暴露出位于所述压电薄膜与所述介质层之间的所述第一电极表面；第一电极引出结构，位于所述通孔中且与所述第一电极连通；第二电极引出结构，与所述第二电极连通。
如上所述，本发明的体声波谐振器及其制备方法，具有以下有益效果：
本发明提出一种体声波谐振器及其制备方法，所述体声波谐振器包括第一电极、第二电极，以及夹在所述第一电极及所述第二电极之间的所述压电薄膜，其中所述压电薄膜由n层相邻两层极性相反的极性压电薄膜构成，所述第一电极与所述第二衬底被所述腔体结构隔开，所述腔体结构被嵌入所述第二衬底上，所述第二电极上方也由空气包围；体声波谐振器的制备方法利用分层制备极性相反的所述极性压电薄膜，在不降低所述压电薄膜总厚度或引入过渡电极的条件下提高谐振器谐振频率，简化工艺，降低对工艺及设备要求的同时提高滤波器工作频率，为高频体声波谐振器提供了一种新的制备方法。
附图说明
图1显示为本发明的体声波谐振器的制备方法的流程示意图。
图2显示为本发明的电极引出结构的制备方法的流程示意图。
图3至图15显示为本发明的体声波谐振器的制备方法各步骤的结构示意图。
元件标号说明
11 第一衬底
12 第二衬底
21 第一极性压电薄膜
22 第二极性压电薄膜
31 第一电极
32 第二电极
40 介质层
51 第一电极引出结构
52 第二电极引出结构
60 开口
70 空腔结构
80 通孔
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。
为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个结构或特征与其他结构或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。本文使用的“介于……之间”表示包括两端点值。
在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
请参阅图1至图15。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
本实施例提供一种声波谐振器的制备方法，下面结合附图，如图1至图15所示，详细描述本实施的体声波谐振器的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
如图1及图3所示，首先进行步骤S11，提供第一衬底11。
如图3所示，作为示例，所述第一衬底11的材料为Si、SiN、Ge、SiO2、SiC及蓝宝石中的一种，但是所述第一衬底11的材料包括并不限于以上材料，可根据实际需要进行选择。本实施例优先采用Si衬底，具体所述第一衬底11的形状和大小可根据实际需要进行选择，在此不做限制。
如图1及图4至图5所示，接着进行步骤S12，于所述第一衬底11上形成压电薄膜，所述压电薄膜依次包括n层极性压电薄膜，任意相邻两层的所述极性压电薄膜的极性相反，其中，n≥2，例如，n可以为2、3、4、5、6。所述极性压电薄膜的层数越多，越能激发更高阶谐振模式，谐振频率越大。
作为示例，所述极性压电薄膜的材料为AlN、AlxGa(1-x)N、ScxAl(1-x)N、LiNbO3、PZT、PbTiO3及ZnO中的任意一种；所述极性压电薄膜的单层厚度不小于0.05μm，例如，可以为0.05μm、0.1μm、0.15μm、0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm；所述压电薄膜的总厚度范围为0.1μm～4μm，例如，可以为1μm、1.5μm、2μm、2.5μm、3μm、3.5μm、4μm。
如图4至图5所示，本实施例中，n优先采用为2，也即所述压电薄膜依次包括第一极性压电薄膜21及第二极性压电薄膜22，所述第一极性压电薄膜21与所述第二极性压电薄膜22的极性相反。
这里需要说明的是，所述极性压电薄膜的数量n可以在满足所述压电薄膜的总厚度的情况下的任意数，每层所述极性压电薄膜的材料可以呈规则性循环堆叠，也可以呈任意材料堆叠，只要保证任意相邻两层的极性相反即可。
作为示例，不同极性的所述极性压电薄膜的生长方法可以不相同，也可以相同，所述生长方法为化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)、金属有机化合物化学气相沉积法(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)、分子束外延法(Molecular Beam Epitaxy，MBE)、单原子层沉积法(atomic layer deposition，ALD)、脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition,PLD)、物理气相沉积法(Physical VaporDeposition，PVD)及旋涂法中的任意一种。
当不同极性的所述第一极性压电薄膜21与所述第二极性压电薄膜22的生长方法不相同时，可以采用CVD+PVD或者PVD+旋涂法；当不同极性的所述第一极性压电薄膜21与所述第二极性压电薄膜22的制备方法相同时，可以利用同一种生长方法，通过改变生长工艺参数(例如溅射功率)或利用掺杂技术实现不同极性的调节。
在本实施例的一个示例中，所述第一极性压电薄膜21与所述第二极性压电薄膜22的材料均为AlN，可采用MOCVD或MBE生长所述第一极性压电薄膜21，采用PVD生长所述第二极性压电薄膜22，也可以采用对AlN进行掺杂，生长成不同极性的所述第一极性压电薄膜21与所述第二极性压电薄膜22，掺杂AlN包括但不限于Sc、Mg、Hf、Ti、Zn、Ca、Ba等元素的单一掺杂和多元掺杂。以上生长方法均是针对材料AlN而进行的设置，这样可以得到更好的晶体质量的AlN，以使获得性能更好的体声波谐振器。
在本实施例的另一个示例中，所述第一极性压电薄膜21与所述第二极性压电薄膜22的材料为以上除AlN以外的材料，可采用PVD生长所述第一极性压电薄膜21，采用PVD、旋涂法、PVD掺杂或调节工艺参数中的任意一种方法生长所述第二极性压电薄膜22。
如图1及图6所示，接着进行步骤S13，于所述压电薄膜上形成图形化的第一电极31。
作为示例，所述第一电极31的材料为Au、Ag、Ru、W、Mo、Ir、Al、Pt、Nb及Hf中的任意一种或两种及以上的组合，所述第一电极31的材料的厚度范围为0.1μm～0.3μm，例如可以为0.1μm、0.2μm、0.3μm。本实施例中，所述第一电极31的材料优先采用为Mo，厚度为0.2μm。
所述第一电极31的形状包括但不限于圆、椭圆、方形、多边形、鸭蛋型等的规则或不规则形状，具体所述第一电极31的形状及大小可根据实际需要进行设置，在此不做限制。
如图1及图7至图9所示，接着进行步骤S14，于所述第一电极31及所述压电薄膜上形成介质层40，并图形化所述介质层40，以在所述介质层40中形成暴露所述第一电极31的开口60。
作为示例，所述介质层40的材料为SiO2、SiN及Al2O3中的一种或两种及以上的的组合，本实施例中优先采用为SiO2。
如图7所示，于所述第一电极31及所述压电薄膜上形成所述介质层40时，很容易造成表面不平整，本实施例中优选采用旋涂工艺，如图8所示，可以直接达到所需的平坦化表面的要求，无需进行表面抛光减薄的步骤，简化工艺，降低成本。
作为示例，形成所述开口60的方法为干法刻蚀及湿法刻蚀中的任意一种。
如图9所示，作为示例，所述开口60仅暴露出所述第一电极31的非电极引出区域，所述第一电极31的电极引出区域由所述介质层40覆盖。
如图1及图10至图12所示，接着进行步骤S15，提供第二衬底12，将所述介质层40与所述第二衬底12键合固定，并去除所述第一衬底11，所述第二衬底12覆盖所述开口60，所述开口60形成空腔结构70。
这里需要说明的是，如图11所示，需要将步骤S14中获得的结构倒置，才能使所述介质层40与所述第二衬底12键合固定。
如图10所示，作为示例，所述第二衬底12的材料为Si、SiN、Ge、SiO2、SiC及蓝宝石中的一种，但是所述第二衬底12的材料包括并不限于以上材料，可根据实际需要进行选择。本实施例优先采用Si衬底，具体所述第二衬底12的形状和大小可根据所述第一衬底11的实际情况进行配合设置，在此不做限制。
如图12所示，作为示例，去除所述第一衬底11的方法为离子注入剥离、机械研磨、抛光、湿法腐蚀及干法刻蚀中的任意一种或两种及以上的组合，可根据实际需要进行选择，在此不做限制。
如图1至图2及图13至图15所示，最后进行步骤S16，于所述压电薄膜上形成图形化的第二电极32，并制备所述第一电极31及所述第二电极32的电极引出结构。
如图14所示，作为示例，所述第二电极32的材料为Au、Ag、Ru、W、Mo、Ir、Al、Pt、Nb及Hf中的任意一种或两种及以上的组合，所述第二电极32的材料的厚度范围为0.1μm～0.3μm，例如可以为0.1μm、0.2μm、0.3μm。本实施例中，所述第二电极32的材料选择与所述第一电极31相同，均为Mo，厚度为0.2μm。所述第二电极32与所述压电薄膜以及所述第一电极31形成谐振器核心区域。
如图2、图13及图15所示，作为示例，制备所述第一电极31及所述第二电极32的电极引出结构的步骤包括：
如图13所示，先进行步骤S21，形成贯通所述压电薄膜且暴露出所述第一电极31表面的通孔80，在所述通孔80中沉积与所述第一电极31连通的第一电极引出结构51；再进行步骤S22，形成与所述第二电极32连通的第二电极引出结构52。
这里需要说明的是，所述第二电极32的形成可以在所述通孔80制备之前也可以在所述通孔80制作之后，在此不做限。在本实施例中，先制备所述通孔80再形成所述第二电极32，可以简化一步工艺，最后在制备所述第一电极引出结构51及所述第二电极引出结构52。另外，在形成所述第二电极32时，电极材料会同时沉积于所述通孔80的内壁，最后，所述第一电极引出结构51形成在所述电极材料表面，所述第二电极引出结构52可直接形成于所述所述第二电极32表面。
作为示例，所述通孔80的制备方法包括干法刻蚀及湿法刻蚀中的任意一种，本实施例中优选采用ICP干法刻蚀形成所述通孔80。
作为示例，所述第一电极引出结构51及所述第二电极引出结构52的材料为Ti、Al、Au、Cu及TiN中的一种或两种及以上的组合，本实施例中，优选采用Ti和Au的组合。所述第一电极引出结构51及所述第二电极引出结构52的制备工艺为薄膜沉积和图形化工艺中的任意一种。
本实施例中体声波谐振器的制备方法利用分层制备极性相反的所述极性压电薄膜，此前相关极性反转工作大都基于材料的铁电性，需要在压电层之间生长电极，利用偏压的方法调控材料极性改变，本实施例不要求压电材料具备铁电性，利用不同生长方式调节材料极性，且层与层间不需要生长电极，去除电极金属可以减小谐振器的声波损耗，提高器件品质因子。本实施例在不降低所述压电薄膜总厚度或引入过渡电极的条件下提高谐振器谐振频率，简化工艺，降低对工艺及设备要求的同时提高滤波器工作频率，为高频体声波谐振器提供了一种新的制备方法。
实施例二
如图15所示，本实施例还提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器是由实施例一中的制备方法所制备得到，所述体声波谐振器包括：
第二衬底12；
压电薄膜，位于所述第二衬底12上方，所述压电薄膜依次包括n层极性压电薄膜，任意相邻两层的所述极性压电薄膜的极性相反，其中，n≥2；
具有开口60的介质层40，位于所述第二衬底12与所述压电薄膜之间，所述第二衬底12、所述介质层40及所述压电薄膜包围所述开口60形成空腔结构70；
第一电极31，所述第一电极31位于靠近所述空腔结构70的所述压电薄膜的表面；
第二电极32，所述第二电极32位于远离所述空腔结构70的所述压电薄膜的表面；
电极引出结构，用于分别引出所述第一电极及所述第二电极。
在本实施例中，所述压电薄膜依次包括2层极性压电薄膜，为第一极性压电薄膜21和第二极性压电薄膜22，所述第一极性压电薄膜21和所述二极性压电薄膜22的极性相反。
作为示例，所述第一电极31一部分位于所述空腔结构70中的所述压电薄膜表面，另一部分位于所述压电薄膜与所述介质层40之间以使所述电极引出结构引出所述第一电极31。
作为示例，所述电极引出结构包括：通孔80，所述通孔80贯穿所述压电薄膜，以暴露出位于所述压电薄膜与所述介质层40之间的所述第一电极31表面；第一电极引出结构51，位于所述通孔80中且与所述第一电极31连通；第二电极引出结构52，与所述第二电极32连通。
综上所述，本发明提出一种体声波谐振器及其制备方法，所述制备方法包括：S11：提供第一衬底；S12：于所述第一衬底上形成压电薄膜，所述压电薄膜依次包括n层极性压电薄膜，任意相邻两层的所述极性压电薄膜的极性相反，其中，n≥2；S13：于所述压电薄膜上形成图形化的第一电极；S14：于所述第一电极及所述压电薄膜上形成介质层，并图形化所述介质层，以在所述介质层中形成暴露所述第一电极的开口；S15：提供第二衬底，将所述介质层与所述第二衬底键合固定，并去除所述第一衬底，所述第二衬底覆盖所述开口，所述开口形成空腔结构；S16：于所述压电薄膜上形成图形化的第二电极，并制备所述第一电极及所述第二电极的电极引出结构。本发明的体声波谐振器包括第一电极、第二电极，以及夹在所述第一电极及所述第二电极之间的所述压电薄膜，其中所述压电薄膜由n层相邻两层极性相反的极性压电薄膜构成，所述第一电极与所述第二衬底被所述腔体结构隔开，所述腔体结构被嵌入所述第二衬底上，所述第二电极上方也由空气包围；本发明的体声波谐振器的制备方法利用分层制备极性相反的所述极性压电薄膜，在不降低所述压电薄膜总厚度或引入过渡电极的条件下提高谐振器谐振频率，简化工艺，降低对工艺及设备要求的同时提高滤波器工作频率，为高频体声波谐振器提供了一种新的制备方法。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述体声波谐振器的制备方法包括：
S11：提供第一衬底；
S12：于所述第一衬底上形成压电薄膜，所述压电薄膜依次包括n层极性压电薄膜，任意相邻两层的所述极性压电薄膜的极性相反，其中，n≥2；
S13：于所述压电薄膜上形成图形化的第一电极；
S14：于所述第一电极及所述压电薄膜上形成介质层，并图形化所述介质层，以在所述介质层中形成暴露所述第一电极的开口；
S15：提供第二衬底，将所述介质层与所述第二衬底键合固定，并去除所述第一衬底，所述第二衬底覆盖所述开口，所述开口形成空腔结构；
S16：于所述压电薄膜上形成图形化的第二电极，并制备所述第一电极及所述第二电极的电极引出结构。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述极性压电薄膜的材料为AlN、AlxGa(1-x)N、ScxAl(1-x)N、LiNbO3、PZT、PbTiO3及ZnO中的任意一种；所述极性压电薄膜的单层厚度不小于0.05μm；所述压电薄膜的总厚度范围为0.1μm～4μm。
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于：不同极性的所述极性压电薄膜的生长方法可以不相同，也可以相同。
4.根据权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述第一衬底的材料为Si、SiN、Ge、SiO2、SiC及蓝宝石中的一种；所述第二衬底的材料为Si、SiN、Ge、SiO2、SiC及蓝宝石中的一种。
5.根据权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述第一电极的材料为Au、Ag、Ru、W、Mo、Ir、Al、Pt、Nb及Hf中的任意一种或两种及以上的组合，所述第一电极的材料的厚度范围为0.1μm～0.3μm；所述第二电极的材料为Au、Ag、Ru、W、Mo、Ir、Al、Pt、Nb及Hf中的任意一种或两种及以上的组合；所述第二电极的材料的厚度范围为0.1μm～0.3μm。
6.根据权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述开口仅暴露出所述第一电极的非电极引出区域，所述第一电极的电极引出区域由所述介质层覆盖。
7.根据权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，制备所述第一电极及所述第二电极的电极引出结构的步骤包括：
S21：形成贯通所述压电薄膜且暴露出所述第一电极表面的通孔，在所述通孔中沉积与所述第一电极连通的第一电极引出结构；
S22：形成与所述第二电极连通的第二电极引出结构。
8.一种体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器包括：
第二衬底；
压电薄膜，位于所述第二衬底上方，所述压电薄膜依次包括n层极性压电薄膜，任意相邻两层的所述极性压电薄膜的极性相反，其中，n≥2；
具有开口的介质层，位于所述第二衬底与所述压电薄膜之间，所述第二衬底、所述介质层及所述压电薄膜包围所述开口形成空腔结构；
第一电极，所述第一电极位于靠近所述空腔结构的所述压电薄膜的表面；
第二电极，所述第二电极位于远离所述空腔结构的所述压电薄膜的表面；
电极引出结构，用于分别引出所述第一电极及所述第二电极。
9.根据权利要求8所述的体声波谐振器，其特征在于：所述第一电极一部分位于所述空腔结构中的所述压电薄膜表面，另一部分位于所述压电薄膜与所述介质层之间以使所述电极引出结构引出所述第一电极。
10.根据权利要求8所述的体声波谐振器，其特征在于，所述电极引出结构包括：
通孔，所述通孔贯穿所述压电薄膜，以暴露出位于所述压电薄膜与所述介质层之间的所述第一电极表面；
第一电极引出结构，位于所述通孔中且与所述第一电极连通；
第二电极引出结构，与所述第二电极连通。
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