CN116247126B - 太阳电池回刻残金属的改善方法 - Google Patents
太阳电池回刻残金属的改善方法Info
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- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 99
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 79
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 75
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 74
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000006872 improvement Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 36
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 24
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 18
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 22
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 21
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
Abstract
本发明提供了一种太阳电池回刻残金属的改善方法，包括以下步骤：在太阳电池前驱体中的透明导电氧化物薄膜上制备金属种子层；在所述金属种子层上制备光刻胶层；对所述光刻胶层依次进行曝光、显影，得到图形化光刻胶层，其中，所述光刻胶层具有开槽，且部分所述金属种子层暴露于所述开槽，将暴露于所述开槽的所述金属种子层定义为第一金属种子部，并将未暴露于所述开槽的所述金属种子层定义为第二金属种子部；采用电镀工艺在所述第一金属种子部上制备镀铜层，得到太阳电池中间体；采用电镀工艺在所述镀铜层上制备镀锡层；使用碱性溶液去除所述图形化光刻胶；以及使用回刻液去除所述第二金属种子部。本发明能够提高太阳电池的外观和转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳电池技术领域，特别是涉及一种太阳电池回刻残金属的改善方法。
背景技术
在太阳电池，如异质结太阳电池的制备过程中，通常需要在透明导电氧化物薄膜(TCO)上制备金属种子层，如铜种子层、并通过图形化感光胶在铜种子层上依次制备镀铜层和镀锡层，后续再使用回刻液去除未被镀铜层覆盖的铜种子层，从而制备得到电极。
然而，在使用回刻液去除未被镀铜层覆盖的铜种子层后，有时会残留铜种子层(简称残铜)，即回刻液未完全去除未被镀铜层覆盖的铜种子层，这不仅会影响后续制备的异质结太阳电池的外观，同时也会降低后续制备的异质结太阳电池的转换效率。
发明内容
基于此，有必要提供一种太阳电池回刻残金属的改善方法，以提高后续制备的太阳电池的外观和转换效率。
本发明提供了一种太阳电池回刻残金属的改善方法，包括以下步骤：
在太阳电池前驱体中的透明导电氧化物薄膜上制备金属种子层；
在所述金属种子层上制备光刻胶层；
对所述光刻胶层依次进行曝光、显影，得到图形化光刻胶层，其中，所述光刻胶层具有开槽，且部分所述金属种子层暴露于所述开槽，将暴露于所述开槽的所述金属种子层定义为第一金属种子部，并将未暴露于所述开槽的所述金属种子层定义为第二金属种子部；
采用电镀工艺在所述第一金属种子部上制备镀铜层，得到太阳电池中间体；
采用电镀工艺在所述镀铜层上制备镀锡层；
使用碱性溶液去除所述图形化光刻胶；以及
使用回刻液去除所述第二金属种子部；
其中，采用电镀工艺在所述镀铜层上制备镀锡层具体包括以下步骤：
对所述太阳电池中间体进行第一步电镀，并控制所述第一步电镀时的电流密度为9～11A/dm2；
对第一步电镀后的所述太阳电池中间体进行第二步电镀，并控制所述第二步电镀时的电流密度为6～8A/dm2；以及
对第二步电镀后的所述太阳电池中间体进行第三步电镀，并控制所述第三步电镀时的电流密度为1～2A/dm2。
在其中一些实施例中，所述改善方法包括以下(1)～(3)中的至少一项：
(1)所述第一步电镀的时间为20～30s；
(2)所述第二步电镀的时间为70～80s；
(3)所述第三步电镀的时间为100～120s。
在其中一些实施例中，在制备所述镀锡层之后，且在去除所述图形化光刻胶之前，所述改善方法还包括以下步骤：
对所述镀锡层进行热处理。
在其中一些实施例中，所述改善方法包括以下(4)～(5)中的至少一项：
(4)所述热处理的温度为100℃～110℃；
(5)所述热处理的时间为50～55s。
在其中一些实施例中，在去除所述图形化光刻胶之后，且在去除所述第二金属种子部之前，所述改善方法还包括以下步骤：
水洗所述太阳电池中间体，并控制所述水洗的水流量为12～20L/mim。
在其中一些实施例中，所述碱性溶液包括碱性试剂，所述碱性试剂在所述碱性溶液中的浓度为20g/L～30g/L，所述碱性溶液的温度为22℃～27℃。
在其中一些实施例中，所述碱性试剂包括氢氧化钠。
在其中一些实施例中，所述回刻液包括硫酸和双氧水。
在其中一些实施例中，所述改善方法包括以下(6)～(8)中的至少一项：
(6)所述金属种子层的厚度为150nm～250nm；
(7)所述镀铜层的厚度为8μm～10μm；
(8)所述镀锡层的厚度为2μm～5μm；
(9)所述金属种子层为铜种子层。
在其中一些实施例中，在所述透明导电氧化物薄膜上制备金属种子层具体包括：
采用物理气相沉积工艺在所述透明导电氧化物薄膜上制备金属种子层。
本发明改变制备镀锡层的电镀工艺参数，即在第二步电镀时增加电流密度，以使在电镀过程中生成更多的锡金属晶核，从而增加所述镀锡层的均匀性和致密性，增强所述镀锡层的耐腐蚀性，避免当使用碱性溶液去除所述图形化光刻胶时，所述镀锡层与所述碱性溶液反应而造成的脱落以及产生副产物，从而避免了影响所述图形化光刻胶的去除进程，使得所述图形化光刻胶能够被完全去除干净，进而避免了所述第二金属种子层由于被残留的所述图形化光刻胶阻挡而导致回刻液和所述第二金属种子层的反应时间不足，而不足的反应时间即导致了所述第二金属种子层没有被完全去除干净，从而导致了回刻残金属的异常发生。因此，本发明改善了回刻残金属，从而提高了后续制备的太阳电池的外观和转换效率。
附图说明
图1为本发明提供的太阳电池回刻残金属的改善流程图；
图2为本发明提供的太阳电池前驱体的剖视图；
图3为在图2中的透明导电氧化物薄膜上制备金属种子层后的剖视图；
图4为在图3中的金属种子层制备光刻胶层后的剖视图；
图5为对图4中的光刻胶层进行曝光、显影后的剖视图；
图6为在图5中的第一金属种子部上制备镀铜层后的剖视图；
图7为在图6中的镀铜层上制备镀锡层后的剖视图；
图8为将图7中的图形化光刻胶去除后的剖视图；
图9为将图8中的第二金属种子部去除后得到的太阳电池的剖视图；
图10为本发明实施例1制备的镀锡层的扫描电镜图；
图11为本发明对比例1制备的镀锡层的扫描电镜图；
图12为本发明实施例1制备的镀锡层的金相显微镜图；
图13为本发明对比例1制备的镀锡层的金相显微镜图。
附图标记：100-太阳电池；10-太阳电池前驱体；11-基底；12-非晶硅层；13-透明导电氧化物薄膜；20-金属种子层；201-第一金属种子部；202-第二金属种子部；30-光刻胶层；40-图形化光刻胶层；41-开槽；50-镀铜层；51-太阳电池中间体；60-镀锡层；70-电极。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参阅图1，本发明提供一种太阳电池回刻残金属的改善方法，包括以下步骤：
步骤S11、请参阅图2，提供太阳电池前驱体10。
在一实施例中，所述太阳电池前驱体10包括基底11、依次层叠于所述基底11上的非晶硅层12以及透明导电氧化物薄膜13。在一实施例中，所述基底11可为硅片。具体地，所述硅片可为制绒硅片。
步骤S12、请参阅图3，在所述透明导电氧化物薄膜13上制备金属种子层20。
具体地，可采用物理气相沉积工艺在所述透明导电氧化物薄膜13上制备金属种子层20。
在一实施例中，所述金属种子层20可为铜种子层。
在一实施例中，所述金属种子层20的厚度为150nm～250nm。
步骤S13、请参阅图4，在所述金属种子层20上制备光刻胶层30。
具体地，在所述金属种子层20上涂布光刻胶溶液，得到光刻胶湿膜，然后干燥所述光刻胶湿膜以使所述光刻胶湿膜固化，从而得到所述光刻胶层30。
在一实施例中，所述光刻胶层30的厚度为10μm～14μm。
步骤S14、请参阅图5，对所述光刻胶层30依次进行曝光、显影，得到图形化光刻胶层40。
其中，所述图形化光刻胶层40具有开槽41，且部分所述金属种子层20暴露于所述开槽41。
将暴露于所述开槽41的所述金属种子层20定义为第一金属种子部201，并将未暴露于所述开槽41的所述金属种子层20定义为第二金属种子部202。
步骤S15、请参阅图6，采用电镀工艺在所述第一金属种子部201上制备镀铜层50，得到太阳电池中间体51。
具体地，将铜电解液放置在电解反应槽中，并将步骤S14制得的产品放置在所述铜电解液中，并进行电镀，以在所述第一金属种子部201上制备所述镀铜层50，并使所述镀铜层50位于所述开槽41内，得到所述太阳电池中间体51。
在一实施例中，所述铜电解液中含有铜离子、硫酸以及添加剂。
在一实施例中，所述镀铜层50的厚度为8μm～10μm。
步骤S16、请参阅图7，采用电镀工艺在所述镀铜层50上制备镀锡层60。
具体地，将锡电解液放置在电解反应槽中，并将所述太阳电池中间体51放置在所述锡电解液中，以对所述太阳电池中间体51进行第一步电镀，并控制所述第一步电镀时的电流密度为9～11A/dm2，电镀20～30s后对第一步电镀后的所述太阳电池中间体51进行第二步电镀，并控制所述第二步电镀时的电流密度为6～8A/dm2；电镀70～80s后对第二步电镀后的所述太阳电池中间体51进行第三步电镀，并控制所述第三步电镀时的电流密度为1～2A/dm2，电镀100～120s后得到所述镀锡层60。其中，所述镀锡层60位于所述开槽41内。
需要说明，在完成所述第一步电镀之后立即进行所述第二步电镀，在所述第二步电镀之后立即进行所述第三步电镀，即所述第一步电镀、所述第二步电镀和所述第三步电镀之间无时间间隔，且所述太阳电池中间体51在进行所述第一步电镀、所述第二步电镀和所述第三步电镀时也不需要取出。
相比恒定单步电镀，步骤S16采用三步电镀法在所述镀铜层50上制备所述镀锡层60，其目的是在电镀的初始阶段采用大电流密度冲击改善添加剂在所述镀锡层60底部的分布，以提升后续制备的太阳电池的填充因子(FF)。
相比原工艺，本发明在制备所述镀锡层60时在第二步电镀时增加了电流密度，以使在电镀过程中生成更多的锡金属晶核，从而增加所述镀锡层60的致密性，增强所述镀锡层60的耐腐蚀性。
在一实施例中，所述镀锡层60的厚度为2μm～5μm。
步骤S17、对所述镀锡层60进行热处理。
具体地，可将所述镀锡层60放置在烘箱中，以对所述镀锡层60进行热处理，以使所述镀锡层60中的晶格重排，从而提升所述镀锡层60的耐碱咬蚀能力。
在一实施例中，所述热处理的温度为100℃～110℃。
在一实施例中，所述热处理的时间为50～55s。
步骤S18、请参阅图8，使用碱性溶液去除所述图形化光刻胶40。
在一实施例中，所述碱性溶液包括碱性试剂。在一实施例中，所述碱性试剂在所述碱性溶液中的浓度为20g/L～30g/L，所述碱性溶液的温度为22℃～27℃。
可以理解，所述碱性溶液的温度即为去除所述图形化光刻胶40的温度。
在一实施例中，所述碱性试剂包括氢氧化钠。即所述碱性溶液可为氢氧化钠溶液。
步骤S19、水洗，并控制所述水洗的水流量为12～20L/mim。
可以理解，水洗步骤S18得到的产品。
步骤S20、请参阅图9，使用回刻液去除所述第二金属种子部202，得到电极70，从而得到太阳电池100。
在一实施例中，所述回刻液包括硫酸和双氧水。在一实施例中，在所述回刻液中，硫酸的浓度为2.5g/L，双氧水的浓度为10g/L。
其中，所述第一金属种子部201、所述电镀铜和所述镀锡层60共同组成所述电极70。
在一实施例中，所述太阳电池100可为异质结太阳电池。
残金属的发生机理：当使用碱性溶液去除图形化光刻胶时，由于镀锡层为两性金属，会与碱性溶液中的氢氧化钠发生化学反应，反应化学式为：Sn+2NaOH＝Na2SnO2+H2↑。因此，在使用碱性溶液去除图形化光刻胶时，镀锡层也会发生腐蚀。由于现有技术制备的镀锡层的结构不是非常致密，导致镀锡层部分表面会脱落，且镀锡层和氢氧化钠反应而产生的副产物会粘到图形化光刻胶和辊轮设备上，进而影响图形化光刻胶的去除，导致图形化光刻胶不能被完全去除。即会存在残留的图形化光刻胶。在使用回刻液去除第二金属种子部时，由于部分第二金属种子层被脱落的锡、生成的副产物以及残留的图形化光刻胶等异物阻挡，导致回刻液和第二金属种子层的反应时间不足，进而导致在一定的时间内第二金属种子层不能被完全去除，进而产生残金属。
本发明是根据上述残金属的发生机理来实施改善的，本发明采用了以下四种方法：
方法一：相比原工艺，本发明在制备所述镀锡层60时增加了在第二步电镀时的电流密度，以使在第二步电镀过程中生成更多的锡金属晶核，从而增加所述镀锡层60的均匀性和致密性，增强所述镀锡层60的耐腐蚀性，减少了所述镀锡层60的脱落以及副产物的生成，从而能够完全去除所述图形化光刻胶40，使所述回刻液和所述第二金属种子层20有足够的反应时间，从而能够在一定的时间内完全去除所述第二金属种子层20，改善了回刻残金属的产生。
具体地，原工艺在制备镀锡层60时的第二步电镀的电流密度为4A/dm2，本发明可将第二步电镀时的电流密度增加至6A/dm2。
方法二：本发明在制备完所述镀锡层60之后，增加了对所述镀锡层60热处理的步骤，以使所述镀锡层60中的晶格重排，从而提升所述镀锡层60的耐碱咬蚀能力，减少了所述镀锡层60的脱落以及副产物的生成，从而能够完全去除所述图形化光刻胶40，使所述回刻液和所述第二金属种子层20有足够的反应时间，从而能够在一定的时间内完全去除所述第二金属种子层20，改善了回刻残金属的产生。
方法三：本发明在去除所述图形化光刻胶40之后加大了所述水洗的水流量，以尽可能的清洗掉从所述镀锡层60表面脱落的锡以及生成的副产物，从而能够完全去除所述图形化光刻胶40，使所述回刻液和所述第二金属种子层20有足够的反应时间，从而能够在一定的时间内完全去除所述第二金属种子层20，改善了回刻残金属的产生。
具体地，本发明在去除所述图形化光刻胶40之后可将所述水洗的水流量由原先的为6L/mim增加至12L/mim。
方法四：本案发明人经测试对比发现在所述碱性溶液与所述镀锡层60反应的过程中，温度是影响所述碱性溶液与所述镀锡层60反应速率的主要因子，即所述碱性溶液与所述镀锡层60的反应速率主要受温度控制。因此，本发明通过采用低温高浓度的所述碱性溶液去除所述图形化光刻胶40，能够降低所述碱性溶液与所述镀锡层60的反应速率，平衡去除所述图形化光刻胶40的能力和所述镀锡层60的腐蚀。即本发明通过降低所述碱性溶液与所述镀锡层60的反应温度来减少所述碱性溶液与所述镀锡层60的反应速率，并增加所述碱性溶液的浓度以补偿由于温度降低而对去除所述图形化光刻胶40速率的负面影响。
具体地，本发明将使用的所述碱性溶液的温度(即所述碱性溶液与所述镀锡层60的反应温度)由原先的35℃～40℃降低至22℃～27℃，并将使用的所述碱性溶液的浓度由原先的10g/L～20g/L增加至20g/L～30g/L。
以下通过具体实施例和对比例对本发明作进一步说明。
实施例1
(1)提供太阳电池前驱体，太阳电池前驱体包括制绒硅片、依次层叠于制绒硅片上的非晶硅层以及透明导电氧化物薄膜。
(2)采用物理气相沉积工艺在透明导电氧化物薄膜上制备铜种子层。
(3)在铜种子层上涂布光刻胶溶液，得到光刻胶湿膜，然后干燥光刻胶湿膜以使光刻胶湿膜固化，从而得到光刻胶层。
(4)对光刻胶层依次进行曝光、显影，得到图形化光刻胶层。其中，图形化光刻胶层具有开槽，且部分铜种子层暴露于开槽。将暴露于开槽的铜种子层定义为第一铜种子部，并将未暴露于开槽的铜种子层定义为第二铜种子部。
(5)采用电镀工艺在第一铜种子部上制备镀铜层，得到太阳电池中间体。
(6)将锡电解液放置在电解反应槽中，并将太阳电池中间体放置在锡电解液中，以对太阳电池中间体进行第一步电镀，并控制第一步电镀时的电流密度为9A/dm2，电镀30s后对第一步电镀后的太阳电池中间体进行第二步电镀，并控制第二步电镀时的电流密度为6A/dm2；电镀80s后对第二步电镀后的太阳电池中间体进行第三步电镀，并控制第三步电镀时的电流密度为1A/dm2，电镀120s后得到镀锡层。
(7)将镀锡层放置在烘箱中，以对镀锡层进行热处理，并控制热处理的温度为100℃，热处理的时间为50s。
(8)使用浓度为25g/L，温度为24℃的氢氧化钠溶液去除图形化光刻胶。
(9)水洗步骤(8)得到的产品，并控制水洗的水流量为12L/mim。
(10)使用回刻液去除第二铜种子部，得到电极，从而得到太阳电池。其中，回刻液包括硫酸和双氧水，且在回刻液中，硫酸的浓度为2.5g/L，双氧水的浓度为10g/L。
对比例1
(1)提供太阳电池前驱体，太阳电池前驱体包括制绒硅片、依次层叠于制绒硅片上的非晶硅层以及透明导电氧化物薄膜。
(2)采用物理气相沉积工艺在透明导电氧化物薄膜上制备铜种子层。
(3)在铜种子层上涂布光刻胶溶液，得到光刻胶湿膜，然后干燥光刻胶湿膜以使光刻胶湿膜固化，从而得到光刻胶层。
(4)对光刻胶层依次进行曝光、显影，得到图形化光刻胶层。其中，图形化光刻胶层具有开槽，且部分铜种子层暴露于开槽。将暴露于开槽的铜种子层定义为第一铜种子部，并将未暴露于开槽的铜种子层定义为第二铜种子部。
(5)采用电镀工艺在第一铜种子部上制备镀铜层，得到太阳电池中间体。
(6)将锡电解液放置在电解反应槽中，并将太阳电池中间体放置在锡电解液中，以对太阳电池中间体进行第一步电镀，并控制第一步电镀时的电流密度为9A/dm2，电镀30s后调节第一步电镀时的电流密度以进行第二步电镀，并控制第二步电镀时的电流密度为4A/dm2；电镀60s后调节第二步电镀时的电流密度以进行第三步电镀，并控制第三步电镀时的电流密度为4A/dm2，电镀120s后得到镀锡层。
(7)使用浓度为15g/L，温度为38℃的氢氧化钠溶液去除图形化光刻胶。
(8)水洗步骤(7)得到的产品，并控制水洗的水流量为6L/mim。
(9)使用回刻液去除第二铜种子部，得到电极，从而得到太阳电池。其中，回刻液包括硫酸和双氧水，且在回刻液中，硫酸的浓度为2.5g/L，双氧水的浓度为10g/L。
(一)分别对实施例1和对比例1制备的镀锡层进行透射电镜测试和金相显微镜测试。
请参阅图10和图11，可知，实施例1制备的镀锡层具有紧密的结构，而对比例1制备的镀锡层的结构则较为松散，不致密。
请参阅图12和图13，可知，实施例1制备的镀锡层未出现残铜，且镀锡层的形貌良好，而对比例1制备的镀锡层具有一定的残铜出现，且镀锡层的形貌不良。
(二)分别测试实施例1和对比例1制备的太阳电池的转换效率(Eta)。
测试结果显示，相比对比例1制备的太阳电池的转换效率，实施例1制备的太阳电池的转换效率提高了0.002％。这说明对比例1制备的太阳电池由于残铜(残铜不透光)的影响，增加了太阳电池的遮光面积，导致对比例1制备的太阳电池的有效收集光面积减少，转换效率偏低；而实施例1制备的太阳电池由于不受残铜(残铜不透光)的影响，因此相比对比例1能够增加太阳电池的有效收集光面积，进而有较高的转换效率。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种太阳电池回刻残金属的改善方法，其特征在于，包括以下步骤：
在太阳电池前驱体中的透明导电氧化物薄膜上制备金属种子层；
在所述金属种子层上制备光刻胶层；
对所述光刻胶层依次进行曝光、显影，得到图形化光刻胶层，其中，所述光刻胶层具有开槽，且部分所述金属种子层暴露于所述开槽，将暴露于所述开槽的所述金属种子层定义为第一金属种子部，并将未暴露于所述开槽的所述金属种子层定义为第二金属种子部；
采用电镀工艺在所述第一金属种子部上制备镀铜层，得到太阳电池中间体；
采用电镀工艺在所述镀铜层上制备镀锡层；
使用碱性溶液去除所述图形化光刻胶；以及
使用回刻液去除所述第二金属种子部；
其中，采用电镀工艺在所述镀铜层上制备镀锡层具体包括以下步骤：
对所述太阳电池中间体进行第一步电镀，并控制所述第一步电镀时的电流密度为9～11A/dm2；
对第一步电镀后的所述太阳电池中间体进行第二步电镀，并控制所述第二步电镀时的电流密度为6～8A/dm2；以及
对第二步电镀后的所述太阳电池中间体进行第三步电镀，并控制所述第三步电镀时的电流密度为1～2A/dm2。
2.如权利要求1所述的太阳电池回刻残金属的改善方法，其特征在于，所述改善方法包括以下(1)～(3)中的至少一项：
(1)所述第一步电镀的时间为20～30s；
(2)所述第二步电镀的时间为70～80s；
(3)所述第三步电镀的时间为100～120s。
3.如权利要求1所述的太阳电池回刻残金属的改善方法，其特征在于，在制备所述镀锡层之后，且在去除所述图形化光刻胶之前，所述改善方法还包括以下步骤：
对所述镀锡层进行热处理。
4.如权利要求3所述的太阳电池回刻残金属的改善方法，其特征在于，所述改善方法包括以下(4)～(5)中的至少一项：
(4)所述热处理的温度为100℃～110℃；
(5)所述热处理的时间为50～55s。
5.如权利要求1所述的太阳电池回刻残金属的改善方法，其特征在于，在去除所述图形化光刻胶之后，且在去除所述第二金属种子部之前，所述改善方法还包括以下步骤：
水洗所述太阳电池中间体，并控制所述水洗的水流量为12～20L/mim。
6.如权利要求1所述的太阳电池回刻残金属的改善方法，其特征在于，所述碱性溶液包括碱性试剂，所述碱性试剂在所述碱性溶液中的浓度为20g/L～30g/L，所述碱性溶液的温度为22℃～27℃。
7.如权利要求6所述的太阳电池回刻残金属的改善方法，其特征在于，所述碱性试剂包括氢氧化钠。
8.如权利要求1至7中任一项所述的太阳电池回刻残金属的改善方法，其特征在于，所述回刻液包括硫酸和双氧水。
9.如权利要求1所述的太阳电池回刻残金属的改善方法，其特征在于，所述改善方法包括以下(6)～(9)中的至少一项：
(6)所述金属种子层的厚度为150nm～250nm；
(7)所述镀铜层的厚度为8μm～10μm；
(8)所述镀锡层的厚度为2μm～5μm；
(9)所述金属种子层为铜种子层。
10.如权利要求1所述的太阳电池回刻残金属的改善方法，其特征在于，在所述透明导电氧化物薄膜上制备金属种子层具体包括：
采用物理气相沉积工艺在所述透明导电氧化物薄膜上制备金属种子层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310173968.3A CN116247126B (zh) | 2023-02-27 | 太阳电池回刻残金属的改善方法 |
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|---|---|---|---|
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| CN116247126A CN116247126A (zh) | 2023-06-09 |
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106653935A (zh) * | 2015-11-02 | 2017-05-10 | 钧石(中国)能源有限公司 | 一种制备太阳能电池金属栅线中锡层的保护方法 |
| CN106816498A (zh) * | 2015-12-02 | 2017-06-09 | 钧石(中国)能源有限公司 | 一种太阳能电池金属栅线制备过程中去除掩膜层的方法 |
Patent Citations (2)
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| CN106653935A (zh) * | 2015-11-02 | 2017-05-10 | 钧石(中国)能源有限公司 | 一种制备太阳能电池金属栅线中锡层的保护方法 |
| CN106816498A (zh) * | 2015-12-02 | 2017-06-09 | 钧石(中国)能源有限公司 | 一种太阳能电池金属栅线制备过程中去除掩膜层的方法 |
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