CN116227610B - 离子阱系统及其电场补偿方法、离子阱量子计算机 - Google Patents
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- 238000005040 ion trap Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 230000005684 electric field Effects 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N10/00—Quantum computing, i.e. information processing based on quantum-mechanical phenomena
- G06N10/40—Physical realisations or architectures of quantum processors or components for manipulating qubits, e.g. qubit coupling or qubit control
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N10/00—Quantum computing, i.e. information processing based on quantum-mechanical phenomena
- G06N10/20—Models of quantum computing, e.g. quantum circuits or universal quantum computers
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06Q—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES; SYSTEMS OR METHODS SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- G06Q50/06—Energy or water supply
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
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- Business, Economics & Management (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Economics (AREA)
- Data Mining & Analysis (AREA)
- Mathematical Analysis (AREA)
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- Pure & Applied Mathematics (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Water Supply & Treatment (AREA)
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- Human Resources & Organizations (AREA)
- Marketing (AREA)
- Primary Health Care (AREA)
- Strategic Management (AREA)
- Tourism & Hospitality (AREA)
- General Business, Economics & Management (AREA)
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- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种离子阱系统及其电场补偿方法、离子阱量子计算机。其中，系统包括射频电极和直流电极，方法包括：分别给射频电极和直流电极施加第一电压和第二电压，记录得到第一数据；根据第一数据调整并更新第一电压和第二电压，记录得到第二数据；减小第一电压，记录得到第三数据；判断第二数据和第三数据是否满足第一预设条件；若满足，则将第一、二电压作为最终电压，利用最终电压实现离子阱系统的电场补偿；若不满足，则将第三数据作为新的第一数据，并返回根据第一数据调整并更新第一电压和第二电压的步骤；数据包括多个不同的射频频率及其对应的光子数，光子数为在对应的射频频率对离子进行冷却激光照射后，通过荧光计数得到。
Description
技术领域
本发明涉及离子阱系统技术领域，尤其涉及一种离子阱系统及其电场补偿方法、离子阱量子计算机。
背景技术
离子阱量子计算机在执行量子计算之前，需要进行一系列的准备工作，电场补偿即为其中的一部分。在利用射频电场囚禁离子的离子阱系统中，离子会感受到射频加热，使离子处于不易被冷却的状态，不利于长相干时间和态操控，需要进行电场补偿。相关技术中的电场补偿需要不断地调整电压，并寻找可能的规律，补偿过程枯燥且耗时，这浪费了大量的人力成本。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的第一个目的在于提出一种离子阱系统电场补偿方法，以实现自动化电场补偿。
本发明第二个目的在于提出一种离子阱系统。
本发明第三个目的在于提出一种离子阱量子计算机。
为达到上述目的，本发明第一方面实施例提出了一种离子阱系统电场补偿方法，所述离子阱系统包括射频电极和直流电极，所述方法包括：分别给所述射频电极和所述直流电极施加第一电压和第二电压，记录得到第一数据；根据所述第一数据调整并更新所述第一电压和所述第二电压，记录得到第二数据；减小所述第一电压，记录得到第三数据；判断所述第二数据和所述第三数据是否满足第一预设条件；若满足，则将所述第一电压和所述第二电压作为最终电压，并利用所述最终电压实现所述离子阱系统的电场补偿；若不满足，则将所述第三数据作为新的第一数据，并返回所述根据所述第一数据调整并更新所述第一电压和所述第二电压，记录得到第二数据的步骤；其中，所述第一数据、所述第二数据和所述第三数据均包括多个不同的射频频率及其对应的光子数，针对每个射频频率，对所述离子阱系统中的离子进行冷却激光照射第一预设时间，之后在第二预设时间内进行荧光计数，得到该射频频率对应的光子数，所述第一预设时间大于所述第二预设时间。
为达到上述目的，本发明第二方面实施例提出了一种离子阱系统，包括存储器、处理器和存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时，实现上述的离子阱系统电场补偿方法。
为达到上述目的，本发明第三方面实施例提出了一种离子阱量子计算机，包括上述的离子阱系统。
本发明实施例的离子阱系统及其电场补偿方法、离子阱量子计算机，通过分别给射频电极和直流电极施加第一电压和第二电压，记录得到第一数据；根据第一数据调整并更新第一电压和第二电压，记录得到第二数据；减小第一电压，记录得到第三数据；判断第二数据和第三数据是否满足第一预设条件；若满足，则将第一电压和第二电压作为最终电压，并利用最终电压实现离子阱系统的电场补偿；若不满足，则将第三数据作为新的第一数据，并返回根据第一数据调整并更新第一电压和第二电压，记录得到第二数据的步骤。从而通过循环迭代，不断对射频电极进行调整，从而获取得到最佳的射频电极电压，实现自动化电场补偿。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
图1是本发明一个或多个实施例的离子阱系统电场补偿方法的流程图；
图2是本发明一个示例的离子阱系统电场补偿方法的示意图；
图3是本发明一个示例的离子阱系统电场补偿方法的流程图；
图4是本发明另一个示例的离子阱系统电场补偿方法的流程图；
图5是本发明又一个示例的离子阱系统电场补偿方法的流程图；
图6是本发明实施例的离子阱量子计算机的结构框图。
具体实施方式
下面参考附图描述本发明实施例的离子阱系统及其电场补偿方法、离子阱量子计算机，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。参考附图描述的实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制。
图1是本发明一个或多个实施例的离子阱系统电场补偿方法的流程图。
其中，离子阱系统中含有多个电极，参见图2，离子阱系统中包括n个电极，还包括离子，离子阱系统受激光控制系统和电压控制系统的控制，而激光控制系统和电压控制系统又受同步控制系统控制，荧光采集系统可采集离子发出的荧光，具体时序控制可参见图3。上述多个电极包括射频电极和直流电极，射频电极例如可以为RF（Radio Frequency，射频）芯片电极，直流电极例如可以为DC（Direct Current，直流）芯片电极，参见图4。上述离子阱系统例如可以为四极杆阱、环帽阱、刀片阱、芯片阱等各类用于实现量子计算的离子阱系统。上述方法可以适用于Ca+、Mg+、Ba+、Yb+、Sr+、Hg+、Al+、In+、Lu+等各类离子阱体系。
如图1所示，离子阱系统电场补偿方法，包括：
S11，分别给射频电极和直流电极施加第一电压和第二电压，记录得到第一数据。
其中，上述第一电压为稳定束缚离子的最大可能值，即第一电压可确保离子可以被稳定束缚，但有可能超出实际需求。上述第二电压为任意值。
上述第一数据包括多个不同的射频频率及其对应的光子数，针对每个射频频率，对离子阱系统中的离子进行冷却激光照射第一预设时间，之后在第二预设时间内进行荧光计数，得到该射频频率对应的光子数，第一预设时间大于第二预设时间。
具体的，在给射频电极和直流电极施加第一电压和第二电压后，对离子进行激光照射，收集在第二预设时间内离子发出的光子数。通过扫频调整射频电极的射频频率，并在每次频率调整后，均进行激光照射，得到光子数，从而得到第一数据。在得到第一数据后，还需要根据第一数据得到预设参数，预设参数包括峰宽、半峰宽等参数，以峰宽举例，在得到第一数据后，还得到第一数据中的射频频率与光子数之间的关系曲线，根据关系曲线得到峰宽。
作为一个示例，通过Doppler（多普勒）冷却激光（以Ca+离子阱系统为例，Doppler冷却激光的波长为397 nm）照射被囚禁的离子（持续时间可以是1ms），随后停止照射，并收集一段时间内（可以是500 us）的荧光计数（离子发出的光子数）。
通过扫频调整射频电极的射频频率，并在每次频率调整后，重复上一段所述过程，由此获得以射频频率为横坐标，以荧光计数为纵坐标的曲线L，获取曲线L的峰宽（或半峰宽）。峰宽越小则离子越接近射频零点。
S12，根据第一数据调整并更新第一电压和第二电压，记录得到第二数据。
具体地，在将射频电极的电压调整为第一电压，并将直流电极的电压调整为第二电压后，首先记录得到对应的第一数据，并根据该第一数据对射频电极电压和直流电极电压进行调整，根据调整后的射频电极电压和直流电极电压得到更新后的第一电压和第二电压，将射频电极电压和直流电极电压调整为更新后的第一电压和第二电压。记录得到第二数据。
需要说明的是，第二数据的获取方式与第一数据的获取方式相同。
S13，减小第一电压，记录得到第三数据。
具体地，在得到新的射频电极电压和直流电极电压后，首先将射频电极电压减小一次，记录得到第三数据。
需要说明的是，第三数据的获取方式与第一数据的获取方式相同。
S14，判断第二数据和第三数据是否满足第一预设条件。
其中，上述第一预设条件满足时，即可认为离子处于射频零点，对应的第一电压和第二电压能够满足电场补偿要求。作为一个示例，上述第一预设条件为第二数据对应的峰宽、半峰宽等参数小于或等于第三数据对应的参数，若以上述峰宽进行说明，则意味着射频电极的电压第一次减小，就会使得峰宽不再减小或增大。
S15，若满足，则将第一电压和第二电压作为最终电压，并利用最终电压实现离子阱系统的电场补偿。
S16，若不满足，则将第三数据作为新的第一数据，并返回根据第一数据调整并更新第一电压和第二电压，记录得到第二数据的步骤。
具体地，若根据调整后的第一电压和第二电压得到的第二数据和第三数据不满足第一预设条件，则将第三数据作为新的第一数据，再次对第一电压和第二电压进行调整，从而通过不断迭代，得到满足要求的第一电压和第二电压。
由此，通过分别给射频电极和直流电极施加第一电压和第二电压，记录得到第一数据；根据第一数据调整并更新第一电压和第二电压，记录得到第二数据；减小第一电压，记录得到第三数据；判断第二数据和第三数据是否满足第一预设条件；若满足，则将第一电压和第二电压作为最终电压，并利用最终电压实现离子阱系统的电场补偿；若不满足，则将第三数据作为新的第一数据，并返回根据第一数据调整并更新第一电压和第二电压，记录得到第二数据的步骤。从而通过循环迭代，如图5所示，不断对射频电极进行调整，从而获取得到最佳的射频电极电压，从而实现电场补偿。
在本发明一个或多个实施例中，判断第二数据和第三数据是否满足第一预设条件，包括：根据多个不同的射频频率及其对应的光子数拟合得到对应关系曲线，获取对应关系曲线的峰宽；若第二数据对应的峰宽小于或等于第三数据对应的峰宽，则确定第二数据和第三数据满足第一预设条件。
在本发明一个或多个实施例中，根据第一数据调整并更新第一电压，包括：继续减小第一电压，记录得到下一个第一数据，直至相邻两次记录得到的第一数据满足第二预设条件，并更新第一电压。
具体的，在需要根据第一数据调整并更新第一电压时，不断减小射频电极的电压，每减小一次，均需要记录得到对应的第一数据，并将相邻两次记录得到的第一数据进行比较，直至相邻两次记录得到的第一数据满足第二预设条件。
作为一个示例，上述第二预设条件可以为前一次记录得到的第一数据对应的峰宽、半峰宽等参数小于后一次记录得到的第一数据对应的参数，若以上述峰宽进行说明，则将射频电极电压减小至峰宽增大，出于实际应用考虑，也可设置为将射频电极电压减小至峰宽增大至预设阈值。
在第一数据满足第二预设条件后，即可根据满足第二预设条件的第一数据对应的第一电压作为后续调整过程中的射频电极电压。
由此，可以实现对射频电极电压进行调整，以得到最佳的射频电极电压。
在本发明一个或多个实施例中，更新第一电压，包括：获取相邻两次记录得到的第一数据中前一次记录得到的第一数据，将对应的第一电压作为更新后的第一电压。
具体的，在相邻两次记录得到的第一数据满足第二预设条件时，获取前一次记录得到的第一数据对应的第一电压，将其作为射频电极电压更新结果。
在本发明一个或多个实施例中，调整并更新第二电压，包括：在更新第一电压之后，调整第二电压，记录得到下一个第一数据，直至相邻两次记录得到的第一数据满足第三预设条件，更新第二电压。
具体的，在对射频电极电压进行调整之后，还需要对直流电极电压进行调整。对第二电压进行调整，记录得到第一数据，根据调整后的第二电压对应的第一数据确定第二电压调整方式，根据确定的第二电压调整方式对第二电压进行调整，并在每次调整后均记录得到第一数据，直至相邻两次记录得到的第一数据满足第三预设条件。根据相邻两次记录得到的第一数据对应的第二电压对直流电极电压进行更新。
作为一个示例，上述第三预设条件可以为前一次记录得到的第一数据对应的峰宽、半峰宽等参数小于或等于后一次记录得到的第一数据对应的参数，若以上述峰宽进行说明，即在直流电极电压发生变化后，峰宽不再减小或者增大。
需要说明的是，若存在N对直流电极，则在对射频电极电压进行调整之后，首先对第一对直流电极电压进行调整，再对第二对直流电极电压进行调整，再对第三对直流电极电压进行调整，不断重复，直至对第N对直流电极电压进行调整。
由此，可以实现在对射频电极电压进行调整后对直流电极的电压进行调整。
在本发明一个或多个实施例中，调整第二电压，包括：增大第二电压，记录得到对应的第一数据；根据增大前的第二电压对应的第一数据和增大后的第二电压对应的第一数据对第二电压进行调整。
具体的，在对直流电极电压进行调整时，首先增大直流电极电压，记录得到第一数据，根据增大前的第二电压对应的第一数据和增大后的第二电压对应的第一数据确定第二电压调整方式。
在本发明一个或多个实施例中，根据增大前的第二电压对应的第一数据和增大后的第二电压对应的第一数据对第二电压进行调整，包括：
若增大前的第二电压对应的第一数据与增大后的第二电压对应的第一数据之间满足第四预设条件，则继续增大第二电压，记录得到对应的下一个第一数据，直至相邻两次记录得到的第一数据满足第三预设条件。
若增大前的第二电压对应的第一数据与增大后的第二电压对应的第一数据之间不满足第四预设条件，则减小第二电压，记录得到对应的下一个第一数据，直至相邻两次记录得到的第一数据满足第三预设条件。
上述第四预设条件可以为增大前的第二电压对应的峰宽、半峰宽等参数大于增大后的第二电压对应的参数，若以峰宽进行举例，则在直流电极电压增大，峰宽减小时，确定满足第四预设条件。
在本发明一个或多个实施例中，更新第二电压，包括：获取相邻两次记录得到的第一数据中前一次记录得到的第一数据，将对应的第二电压作为更新后的第二电压。
具体的，在相邻两次记录得到的第一数据满足第三预设条件时，获取前一次记录得到的第一数据对应的第二电压，将其作为直流电极电压更新结果。
作为一个示例，在对直流电极电压进行增大后，若峰宽减小，则继续增大电压，直至电压增大，峰宽不再减小或者增大，将倒数第二次调节后的电压值作为直流电极的电压调节终点值。
若直流电极电压增大，而峰宽增大，则减小电压，直至电压减小，峰宽不再减小或者增大，将倒数第二次调节后的电压值作为第一对电极的电压调节终点值。
下面结合一个具体示例对上述方法进行说明。
在该示例中，包括5对DC芯片电极和1对RF芯片电极。
步骤1：当各电极的电压维持某一固定值不变时，通过Doppler冷却激光（以Ca+离子阱系统为例，Doppler冷却激光的波长为397nm）照射被囚禁的离子（可以是1ms），随后停止照射，并收集一段时间内（可以是500 us）的荧光计数（离子发出的光子数）。
通过扫频调节射频电极的射频频率，并在每次频率调节后，重复上一段所述过程，由此获得以射频频率为横坐标，以荧光计数为纵坐标的曲线L，获取曲线L的峰宽（或半峰宽）d。
步骤2.1、将射频电极电压设定为稳定束缚离子的最大可能值（即该值确保离子可以被稳定束缚，但有可能超出了实际需要）。
步骤2.2、逐渐减小射频电极的电压，每减小一次，重复上述步骤1的操作，获得曲线L的峰宽（或半峰宽）d。
射频电极电压减小至d增大或增大至目标阈值，将倒数第二次调节后的电压值作为射频电极的电压调节终点值。
步骤2.3、调节第一对直流电极，每次调节后重复上述步骤1的操作，获得d。
若电极电压增大，而d减小，则继续增大电压，直至电压增大，d不再减小或者增大，将倒数第二次调节后的电压值作为第一对电极的电压调节终点值。
若电极电压增大，而d增大，则减小电压，直至电压减小，d不再减小或者增大，将倒数第二次调节后的电压值作为第一对电极的电压调节终点值。
同理，按照上述过程，对第二、第三直至第5对直流电极的电压进行调节，找到每对直流电极的电压调节终点值。
不断重复上述步骤2.2和步骤2.3，直至射频电极电压第一次减小，就会使得d不再减小或者增大。
综上，本发明实施例的离子阱系统电场补偿方法，通过分别给射频电极和直流电极施加第一电压和第二电压，记录得到第一数据；根据第一数据调整并更新第一电压和第二电压，记录得到第二数据；减小第一电压，记录得到第三数据；判断第二数据和第三数据是否满足第一预设条件；若满足，则将第一电压和第二电压作为最终电压，并利用最终电压实现离子阱系统的电场补偿；若不满足，则将第三数据作为新的第一数据，并返回根据第一数据调整并更新第一电压和第二电压，记录得到第二数据的步骤。从而通过循环迭代，不断对射频电极进行调整，从而获取得到最佳的射频电极电压，从而实现自动化电场补偿。
进一步的，本发明提出一种离子阱系统。
在本发明实施例中，离子阱系统，包括存储器、处理器和存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，计算机程序被处理器执行时，实现上述的离子阱系统电场补偿方法。
本发明实施例的离子阱系统，通过实现上述的离子阱系统电场补偿方法，分别给射频电极和直流电极施加第一电压和第二电压，记录得到第一数据；根据第一数据调整并更新第一电压和第二电压，记录得到第二数据；减小第一电压，记录得到第三数据；判断第二数据和第三数据是否满足第一预设条件；若满足，则将第一电压和第二电压作为最终电压，并利用最终电压实现离子阱系统的电场补偿；若不满足，则将第三数据作为新的第一数据，并返回根据第一数据调整并更新第一电压和第二电压，记录得到第二数据的步骤。从而通过循环迭代，不断对射频电极进行调整，从而获取得到最佳的射频电极电压，从而实现自动化电场补偿。
进一步的，本发明提出一种离子阱量子计算机。
图6是本发明实施例的离子阱量子计算机的结构框图。
如图6所示，离子阱量子计算机10，包括上述的离子阱系统100。
本发明实施例的离子阱量子计算机，通过上述的离子阱系统，分别给射频电极和直流电极施加第一电压和第二电压，记录得到第一数据；根据第一数据调整并更新第一电压和第二电压，记录得到第二数据；减小第一电压，记录得到第三数据；判断第二数据和第三数据是否满足第一预设条件；若满足，则将第一电压和第二电压作为最终电压，并利用最终电压实现离子阱系统的电场补偿；若不满足，则将第三数据作为新的第一数据，并返回根据第一数据调整并更新第一电压和第二电压，记录得到第二数据的步骤。从而通过循环迭代，不断对射频电极进行调整，从而获取得到最佳的射频电极电压，从而实现自动化电场补偿。
需要说明的是，在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备（如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统）使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，“计算机可读介质”可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例（非穷尽性列表）包括以下：具有一个或多个布线的电连接部（电子装置），便携式计算机盘盒（磁装置），随机存取存储器（RAM），只读存储器（ROM），可擦除可编辑只读存储器（EPROM或闪速存储器），光纤装置，以及便携式光盘只读存储器（CDROM）。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。
应当理解，本发明的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列（PGA），现场可编程门阵列（FPGA）等。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
在本说明书的描述中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本说明书的描述中，除非另有说明，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (9)
1.一种离子阱系统电场补偿方法，其特征在于，所述离子阱系统包括射频电极和直流电极，所述方法包括：
分别给所述射频电极和所述直流电极施加第一电压和第二电压，记录得到第一数据；
根据所述第一数据调整并更新所述第一电压和所述第二电压，记录得到第二数据；
减小所述第一电压，记录得到第三数据；
判断所述第二数据和所述第三数据是否满足第一预设条件；
若满足，则将所述第一电压和所述第二电压作为最终电压，并利用所述最终电压实现所述离子阱系统的电场补偿；
若不满足，则将所述第三数据作为新的第一数据，并返回所述根据所述第一数据调整并更新所述第一电压和所述第二电压，记录得到第二数据的步骤；
其中，所述第一数据、所述第二数据和所述第三数据均包括多个不同的射频频率及其对应的光子数，针对每个射频频率，对所述离子阱系统中的离子进行冷却激光照射第一预设时间，之后在第二预设时间内进行荧光计数，得到该射频频率对应的光子数，所述第一预设时间大于所述第二预设时间；
所述判断所述第二数据和所述第三数据是否满足第一预设条件，包括：
根据所述多个不同的射频频率及其对应的光子数拟合得到对应关系曲线，获取所述对应关系曲线的峰宽；
若所述第二数据对应的峰宽小于或等于所述第三数据对应的峰宽，则确定所述第二数据和所述第三数据满足第一预设条件。
2.根据权利要求1所述的离子阱系统电场补偿方法，其特征在于，根据所述第一数据调整并更新所述第一电压，包括：
减小所述第一电压，记录得到下一个第一数据，直至相邻两次记录得到的第一数据满足第二预设条件，并更新所述第一电压；
其中，所述第二预设条件，包括：
前一次记录得到的第一数据对应的峰宽小于后一次记录得到的第一数据对应的峰宽。
3.根据权利要求2所述的离子阱系统电场补偿方法，其特征在于，调整并更新所述第二电压，包括：
在更新所述第一电压之后，调整所述第二电压，记录得到下一个第一数据，直至相邻两次记录得到的第一数据满足第三预设条件，更新所述第二电压；
其中，所述第三预设条件，包括：
前一次记录得到的第一数据对应的峰宽小于或等于后一次记录得到的第一数据对应的峰宽。
4.根据权利要求3所述的离子阱系统电场补偿方法，其特征在于，更新所述第一电压，包括：
获取所述相邻两次记录得到的第一数据中前一次记录得到的第一数据，将对应的第一电压作为更新后的第一电压；
更新所述第二电压，包括：
获取所述相邻两次记录得到的第一数据中前一次记录得到的第一数据，将对应的第二电压作为更新后的第二电压。
5.根据权利要求3所述的离子阱系统电场补偿方法，其特征在于，调整所述第二电压，包括：
增大所述第二电压，记录得到对应的第一数据；
根据增大前的第二电压对应的第一数据和增大后的第二电压对应的第一数据对所述第二电压进行调整。
6.根据权利要求5所述的离子阱系统电场补偿方法，其特征在于，所述根据增大前的第二电压对应的第一数据和增大后的第二电压对应的第一数据对所述第二电压进行调整，包括：
若所述增大前的第二电压对应的第一数据与增大后的第二电压对应的第一数据之间满足第四预设条件，则继续增大所述第二电压，记录得到对应的下一个第一数据，直至相邻两次记录得到的第一数据满足所述第三预设条件。
7.根据权利要求6所述的离子阱系统电场补偿方法，其特征在于，所述根据增大前的第二电压对应的第一数据和增大后的第二电压对应的第一数据对所述第二电压进行调整，还包括：
若所述增大前的第二电压对应的第一数据与增大后的第二电压对应的第一数据之间不满足所述第四预设条件，则减小所述第二电压，记录得到对应的下一个第一数据，直至相邻两次记录得到的第一数据满足所述第三预设条件。
8.一种离子阱系统，其特征在于，包括存储器、处理器和存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时，实现如权利要求1-7中任一项所述的离子阱系统电场补偿方法。
9.一种离子阱量子计算机，其特征在于，包括如权利要求8所述的离子阱系统。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310507360.XA CN116227610B (zh) | 2023-05-08 | 2023-05-08 | 离子阱系统及其电场补偿方法、离子阱量子计算机 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310507360.XA CN116227610B (zh) | 2023-05-08 | 2023-05-08 | 离子阱系统及其电场补偿方法、离子阱量子计算机 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116227610A CN116227610A (zh) | 2023-06-06 |
| CN116227610B true CN116227610B (zh) | 2023-07-25 |
Family
ID=86580958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310507360.XA Active CN116227610B (zh) | 2023-05-08 | 2023-05-08 | 离子阱系统及其电场补偿方法、离子阱量子计算机 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116227610B (zh) |
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2023
- 2023-05-08 CN CN202310507360.XA patent/CN116227610B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116227610A (zh) | 2023-06-06 |
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