CN116207209A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
显示面板及其制备方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116207209A CN116207209A CN202310318581.2A CN202310318581A CN116207209A CN 116207209 A CN116207209 A CN 116207209A CN 202310318581 A CN202310318581 A CN 202310318581A CN 116207209 A CN116207209 A CN 116207209A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- wire grid
- emitting element
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 182
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 112
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 8
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 8
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000003464 asthenopia Diseases 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001486 SU-8 photoresist Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- XEOCKQIQXJNTER-UHFFFAOYSA-N gold palladium platinum Chemical group [Pd].[Pd].[Pd].[Pd].[Pd].[Pt].[Pt].[Pt].[Pt].[Pt].[Pt].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au].[Au] XEOCKQIQXJNTER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/30—Polarising elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。该显示面板包括显示背板，发光元件层以及线栅层。发光元件层中的发光元件发出的光线可以经过线栅层中线栅结构调制为线偏光。并且，沿第一方向相邻的相邻两组发光元件组中发光元件发出的光线可以被线栅层的线栅结构调制为相垂直的两个方向的线偏光，进而可以通过为相邻两组发光元件组中的发光元件提供不同的发光信号，并通过佩戴3D眼镜来实现观看3D显示的效果。通过本申请实施例提供的显示面板，无需采用两个放映设备播放两种不同偏振方向的图像信息，灵活性较高。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，视差3维度(dimension，D)显示技术的应用越来越广泛，例如应用于3D电影的显示领域。
相关技术中，采用两个不同的放映设备在显示面板中同时播放两种不同偏振方向的图像信息，并且通过佩戴两个不同偏振方向镜片的3D眼镜实现的3D显示效果。
但是，相关技术中的方案实现3D显示的灵活性较差。
发明内容
本申请提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，可以解决相关技术中显示灵活性较差的问题。所述技术方案如下：
一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：
显示背板；
位于所述显示背板的一侧的发光元件层，所述发光元件层包括沿第一方向交错排布的多个第一发光元件组和多个第二发光元件组；每个所述第一发光元件组包括沿第二方向排布的多个第一发光元件，每个所述第二发光元件组包括沿所述第二方向排布的多个第二发光元件，所述第二方向和所述第一方向垂直，所述第一发光元件和所述第二发光元件均为微型发光二极管；
以及，位于所述发光元件层远离所述显示背板的一侧的线栅层，所述线栅层包括沿所述第一方向交错排布的多个第一线栅组和多个第二线栅组；所述第一线栅组包括沿所述第二方向排布且偏振方向为所述第一方向的多个第一线栅结构，所述第二线栅组包括沿所述第二方向排布且偏振方向为所述第二方向的多个第二线栅结构；
其中，每个第一发光元件在所述显示背板上的正投影位于一个所述第一线栅结构在所述显示背板上的正投影内，且所述第一线栅结构用于将所述第一发光元件发出的光线调制为偏振方向为所述第一方向的线偏光；每个所述第二发光元件在所述显示背板上的正投影位于一个所述第二线栅结构在所述显示背板上的正投影内，且所述第二线栅结构用于将所述第二发光元件发出的光线调制为偏振方向为所述第二方向的线偏光。
可选的，所述多个第一发光元件中的每个所述第一发光元件包括层叠的第一发光结构和第二发光结构；
其中，所述第一发光结构和所述第二发光结构通过键合的方式连接，所述第二发光元件的结构与所述第一发光元件的结构相同。
可选的，每个所述第一发光元件还包括：位于所述第一发光结构和所述第二发光结构之间具有多个微键合结构和键合胶；
其中，所述第一发光结构和所述第二发光结构之前通过所述微键合结构和键合胶键合连接。
可选的，每个所述第一发光元件还包括：位于所述第一发光结构和所述第二发光结构之间的第一金属键合结构和第二金属键合结构；
其中，所述第一发光结构和所述第二发光结构通过所述第一金属键合结构和所述第二金属键合结构键合连接。
可选的，所述第一发光结构靠近所述第二发光结构的表面具有第一传输层，所述第二发光结构靠近所述第二发光结构的表面具有第二传输层；
其中，所述第一发光结构和所述第二发光结构通过所述第一传输层的表面和所述第二传输层的表面键合连接。
可选的，所述第一发光结构包括：依次层叠的第一N型层，第一多量子阱，第一P型层以及第一传输层，所述第一N型层的目标部分在所述显示背板上的正投影，与所述第一多量子阱在所述显示背板上的正投影，所述第一P型层在所述显示背板上的正投影以及所述第一传输层在所述显示背板上的正投影均不重叠；
所述第二发光结构包括：依次层叠的第二传输层，第二N型层，第二多量子阱，第二P型层以及第三传输层；
其中，所述第一发光元件还包括：第一信号电极和第二信号电极，所述第一信号电极和所述第一N型层电连接，所述第二信号电极和所述第三传输层电连接；所述发光元件用于在所述第一信号电极接收到的第一信号以及所述第二信号电极接收到的第二信号的驱动下发出光线。
可选的，所述发光元件还包括：钝化层，所述钝化层具有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔用于露出所述第一信号电极，所述第二过孔用于露出所述第三传输层，所述第二信号电极和所述第三传输层通过所述第二过孔电连接；
所述发光元件还包括：垫高电极，所述垫高电极位于所述第一过孔内，且和所述第一信号电极电连接。
可选的，所述第一线栅结构包括：沿所述第二方向排布且沿所述第一方向延伸的多个第一条状部，相邻的两个所述第一条状部之间具有间隙；
所述第二线栅结构包括：沿所述第一方向排布且沿所述第二方向延伸的多个第二条状部，相邻的两个所述第二条状部之间具有间隙。
可选的，所述显示面板还包括：位于所述线栅层和所述发光元件层之间的多个衬底单元；
所述多个第一发光元件和所述多个第二发光元件中的一个发光元件位于一个所述衬底单元靠近所述显示背板的一侧，所述多个第一线栅结构和所述多个第二线栅结构中的一个线栅结构位于一个所述衬底单元远离所述显示背板的一侧；或者，
沿所述第一方向相邻的一个第一发光元件和一个第二发光元件位于一个所述衬底单元靠近所述显示背板的一侧，沿所述第一方向相邻的一个第一线栅结构和一个第二线栅结构位于一个所述衬底单元远离所述显示背板的一侧。
可选的，所述显示面板还包括：1/4波片；
所述1/4波片位于所述线栅层远离所述发光元件层的一侧，所述1/4波片用于将通过所述线栅层调制后的线偏光调制为圆偏光。
另一方面，提供了一种显示面板的制备方法，所述方法包括：
获取线栅层以及发光元件层；所述线栅层包括沿第一方向交错排布的多个第一线栅组和多个第二线栅组；所述第一线栅组包括沿所述第二方向排布且偏振方向为所述第一方向的多个第一线栅结构，所述第二线栅组包括沿所述第二方向排布且偏振方向为所述第二方向的多个第二线栅结构，所述第二方向和所述第一方向垂直；所述发光元件层包括沿所述第一方向交错排布的多个第一发光元件组和多个第二发光元件组；每个所述第一发光元件组包括沿所述第二方向排布的多个第一发光元件，每个所述第二发光元件组包括沿所述第二方向排布的多个第二发光元件，所述第一发光元件和所述第二发光元件均为微型发光二极管；
将所述线栅层以及所述发光元件层固定于显示背板上；所述发光元件层位于所述显示背板的一侧，所述线栅层位于所述发光元件层远离所述显示背板的一侧；
其中，每个第一发光元件在所述显示背板上的正投影位于一个所述第一线栅结构在所述显示背板上的正投影内，且所述第一线栅结构用于将所述第一发光元件发出的光线调制为偏振方向为所述第一方向的线偏光；每个所述第二发光元件在所述显示背板上的正投影位于一个所述第二线栅结构在所述显示背板上的正投影内，且所述第二线栅结构用于将所述第二发光元件发出的光线调制为偏振方向为所述第二方向的线偏光。
可选的，获取线栅层和发光元件层包括：
在衬底单元的第一侧形成所述发光元件层中的至少一个发光元件；
在所述衬底单元的第二侧形成所述线栅层中的至少一个线栅结构。
可选的，所述在衬底单元的第一侧形成所述发光元件层中的至少一个发光元件，包括：
获取第一目标结构，所述第一目标结构包括衬底单元，以及位于衬底单元的一侧依次层叠的第一缓冲层，第一N型层，第一多量子阱，第一P型层以及第一传输层，所述第一N型层的目标部分在所述显示背板上的正投影，与所述第一多量子阱在所述显示背板上的正投影，所述第一P型层在所述显示背板上的正投影以及所述第一传输层在所述显示背板上的正投影均不重叠，所述第一目标结构还包括位于所述目标部分远离所述衬底单元的一侧的第一信号电极，所述第一信号电极和所述目标表部分电连接；
获取第二目标结构，所述第二目标结构包括第一临时衬底，以及位于所述第一临时衬底的一侧依次层叠的第三传输层，第二P型层，第二多量子阱，第一N型层以及第二传输层；
采用键合的方式将所述第一传输层远离所述衬底单元的一侧和所述第二传输层远离所述第一临时衬底的一侧连接；
将所述第一临时衬底从所述第三传输层上剥离；
在所述第三传输层远离所述衬底单元的一侧形成钝化层，所述钝化层具有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔用于露出所述第一信号电极，所述第二过孔用于露出所述第三传输电极；
在所述钝化层远离所述衬底单元的一侧形成垫高电极和第二信号电极，所述垫高电极位于所述第一过孔内，且和所述第一信号电极电连接，所述第二信号电极位于所述第二过孔内，且和所述第三传输层电连接。
可选的，所述获取第一目标结构，包括：
在衬底单元的一侧依次形成第一缓冲层，第一N型层，第一多量子阱以及第一P型层；
对所述第一多量子阱以及所述第一P型层进行刻蚀，以露出所述第一N型层的目标部分；
在所述第一P型层远离所述衬底单元的一侧形成第一传输层，所述第一传输层在所述衬底单元上的正投影和所述目标部分在所述衬底单元上的正投影不重叠；
在所述目标部分远离所述衬底单元的一侧形成第一信号电极，所述第一信号电极和所述目标部分电连接；
所述获取第二目标结构，包括：
在第二临时衬底的一侧依次形成第二缓冲层，第二N型层，第二多量子阱，第二P型层以及第三传输层；
将所述第三传输层远离所述第二临时衬底的一侧与第一临时衬底键合连接；
将所述第二临时衬底从所述第二缓冲层上剥离，并刻蚀去除所述第二缓冲层；
在所述第二N型层远离所述第一临时衬底的一侧形成第二传输层。
又一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：供电组件以及如上述方面所述的显示面板；
其中，所述供电组件用于为所述显示面板供电。
本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
本申请提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，该显示面板包括显示背板，发光元件层以及线栅层。发光元件层中的发光元件发出的光线可以经过线栅层中线栅结构调制为线偏光。并且，沿第一方向相邻的相邻两组发光元件组中发光元件发出的光线可以被线栅层的线栅结构调制为相垂直的两个方向的线偏光，进而可以通过为相邻两组发光元件组中的发光元件提供不同的发光信号，并通过佩戴3D眼镜来实现观看3D显示的效果。通过本申请实施例提供的显示面板，无需采用两个放映设备播放两种不同偏振方向的图像信息，灵活性较高。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2是图1所示的显示面板中发光元件层的俯视图；
图3是图1所示的显示面板中线栅层的俯视图；
图4是图1所示的显示面板的俯视图；
图5是本申请实施例提供的一种第一线栅结构和第二线栅结构的俯视图；
图6是本申请实施例提供的一种显示面板的俯视图；
图7是本申请实施例提供的另一种显示面板的俯视图；
图8是本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图9是本申请实施例提供的一种衬底单元和第一发光元件的示意图；
图10是本申请实施例提供的一种线栅结构的结构示意图；
图11是本申请实施例提供的另一种线栅结构的结构示意图；
图12是本申请实施例提供的一种波长和透过率的关系曲线图；
图13是本申请实施例提供的另一种衬底单元和第一发光元件的示意图；
图14是本申请实施例提供的又一种衬底单元和第一发光元件的示意图；
图15是本申请实施例提供的再一种衬底单元和第一发光元件的示意图；
图16是本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图；
图17是本申请实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程图；
图18是本申请实施例提供的一种第一发光元件的制备方法的流程图；
图19是本申请实施例提供的一种第一目标结构的制备方法的流程图；
图20是本申请实施例提供的一种在衬底单元上形成第一缓冲层，第一N型层，第一多量子阱以及第一P型层的示意图；
图21是本申请实施例提供的一种刻蚀第一多量子阱和第一P型层的示意图；
图22是本申请实施例提供的一种在第一P型层远离衬底单元的一侧形成第一传输层的示意图；
图23是本申请实施例提供的一种形成第一信号电极的示意图；
图24是本申请实施例提供的一种形成微键合结构的示意图；
图25是本申请实施例提供的一种第二目标结构的制备方法的流程图；
图26是本申请实施例提供的一种在第二临时衬底上形成第二缓冲层，第二N型层，第二量子阱，第二P型层以及第三传输层的示意图；
图27是本申请实施例提供的一种将第一临时衬底和第三传输层键合连接的示意图；
图28是本申请实施例提供的一种将第二临时衬底从第二缓冲层上剥离的示意图；
图29是本申请实施例提供的一种刻蚀第二缓冲层的示意图；
图30是本申请实施例提供的一种形成第二传输层的示意图；
图31是本申请实施例提供的一种将第一目标结构和第二目标结构键合连接的示意图；
图32是本申请实施例提供的一种将第一临时衬底从第三传输层上剥离的示意图；
图33是本申请实施例提供的一种形成钝化层的示意图；
图34是本申请实施例提供的一种形成线栅结构的示意图；
图35是本申请实施例提供的一种形成1/4波片的示意图；
图36是本申请实施例提供的另一种形成1/4波片的示意图；
图37是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
图1是本申请实施例提供的一种显示面板1的结构示意图。参考图1，该显示面板1包括显示背板101，位于显示背板101的一侧的发光元件层102，以及位于发光元件层102远离显示背板101的一侧的线栅层103。
图2是图1所示的显示面板中发光元件层的俯视图。参考图2，发光元件层102包括沿第一方向X交错排布的多个第一发光元件组1021和多个第二发光元件组1022。每个第一发光元件组1021包括沿第二方向Y排布的多个第一发光元件M，每个第二发光元件组1022包括沿第二方向Y排布的多个第二发光元件N。其中，第二方向Y和第一方向X垂直。例如，第一方向X可以为显示面板1的像素行方向，第二方向Y可以为显示面板1的像素列方向。
另外，显示背板101可以与发光元件层102连接，用于为发光元件层102中的发光元件提供驱动信号。发光元件在显示背板101提供的驱动信号的控制下发出光线。可选的，显示面板1中第一发光元件M和第二发光元件N可以为微型发光二极管(Micro light-emitting diode，Micro LED)。
图3是图1所示的显示面板中线栅层的俯视图。参考图3，线栅层103包括沿第一方向X交错排布的多个第一线栅组1031和多个第二线栅组1032。第一线栅组1031包括沿第二方向Y排布且偏振方向为第一方向X的多个第一线栅结构R。第二线栅组1032包括沿第二方向Y排布且偏振方向为第二方向Y的多个第二线栅结构S。其中，线栅结构还可以称为线栅偏光片(wire grating polarizer，WGP)。
其中，偏振方向为第一方向X的第一线栅结构R可以用于透过第一方向X的光线，且吸收第二方向Y的光线。偏振方向为第二方向Y的第二线栅结构S可以用于透过第二方向Y的光线，且吸收第一方向X的光线。
图4是图1所示的显示面板的俯视图。结合图2至图4，每个第一发光元件M在显示背板101上的正投影位于一个第一线栅结构R在显示背板101上的正投影内。由此，第一发光元件M发出的光线可以经过第一线栅结构R射出，进而该第一线栅结构R可以将第一发光元件M发出的光线调制为偏振方向为第一方向X的线偏光。每个第二发光元件N在显示背板101上的正投影位于一个第二线栅结构S在显示背板101上的正投影内。由此，第二发光元件N发出的光线可以经过第二线栅结构S射出，进而该第二线栅结构S可以将第二发光元件N发出的光线调制为偏振方向为第二方向Y的线偏光。图4所示的发光元件层102仅用于示意发光元件的设置位置，并不用于表示发光元件发光区域的形状和大小。
在本申请实施例中，通过上述设计可以使得沿第一方向X相邻的两组发光元件组发出的光线为偏振方向相互垂直的两种线偏光，进而可以通过为沿第一方向X相邻的两组发光元件组中的发光元件提供不同的发光信号，即可实现采用两个放映设备播放两种不同偏振方向的图像信息的效果。进一步的，用户通过佩戴3D眼镜观看该显示面板1时，即可观看到3D显示的效果。也即是，本申请实施例提供的显示面板1可以直接通过为相邻的两组发光元件组中的发光元件提供不同的发光信号来实现3D显示，灵活性较高。
其中，3D眼镜包括镜架以及两个镜片，该两个镜片均为偏光镜片，其中一个镜片的偏光方向为第一方向X，另一个镜片的偏光方向为第二方向Y。偏光方向为第一方向X的镜片可以透过偏振方向为第一方向X的线偏光，即能够透过第一发光元件M发出的光线经由第一线栅结构R调制后的线偏光。偏光方向为第二方向Y的镜片可以透过偏振方向为第二方向Y的线偏光，即能够透过第二发光元件N发出的光线经由第二线栅结构S调制后的线偏光。
并且，偏振方向相互垂直的两种线偏光是由交错排布的发光元件组经过线栅层103出射的，因此能够使得两个发光元件组中的发光元件获取的图像信息差异较小，进而能够提高3D显示的效果。
综上所述，本申请实施例提供的一种显示面板，该显示面板包括显示背板，发光元件层以及线栅层。发光元件层中的发光元件发出的光线可以经过线栅层中线栅结构调制为线偏光。并且，沿第一方向相邻的相邻两组发光元件组中发光元件发出的光线可以被线栅层的线栅结构调制为相垂直的两个方向的线偏光，进而可以通过为相邻两组发光元件组中的发光元件提供不同的发光信号，并通过佩戴3D眼镜来实现观看3D显示的效果。通过本申请实施例提供的显示面板，无需采用两个放映设备播放两种不同偏振方向的图像信息，灵活性较高。
可选的，若显示背板101为沿第一方向X相邻的两组发光元件组中的发光元件提供相同的发光信号，则在用户未佩戴3D眼镜的情况下，也可以实现2D显示的效果。由此，本申请实施例提供的显示面板1可以实现3D显示和2D显示的切换。并且在实现2D显示的情况下，由于显示面板中发光元件的数量较多，因此其显示灰阶数较高。
在本申请实施例中，发光元件层102中的发光元件可以包括：第一颜色的发光元件a1，第二颜色的发光元件a2以及第三颜色的发光元件a3。第一颜色的发光元件a1发出的光线的颜色为红色(red，R)，即第一颜色的发光元件a1为红色发光元件a1；第二颜色的发光元件a2发出的光线的颜色为绿色(green，G)，即第二颜色的发光元件a2为绿色发光元件a2；第三颜色的发光元件a3发出的光线的颜色为蓝色(blue，B)，第三颜色的发光元件a3为蓝色发光元件a3。
每个第一发光元件组1021和每个第二发光元件组1022均包括红色发光元件a1，绿色发光元件a2以及蓝色发光元件a3。并且，沿第一方向X排布的一行发光元件发出的光线的颜色可以相同。可选的，参考图2，第一行发光元件和第四行发光元件发出的光线的颜色为蓝色；第二行发光元件和第五行发光元件发出的光线的颜色为红色；第三行发光元件和第六行发光元件发出的光线的颜色为绿色。另外，显示面板1中不同颜色的发光元件也可以按照其他的方式进行排布，本申请实施例对此不做限定。其中，图2中以不同填充图案来区分不同颜色的发光元件。
参考图5，第一线栅结构R包括：沿第二方向Y排布且沿第一方向X延伸的多个第一条状部R1，相邻的两个第一条状部R1之间具有间隙。该多个第一条状部R1的延伸方向即可为第一线栅结构R的偏振方向。通过设计第一条状部R1沿第二方向Y的长度(即第一条状部R1的宽度)，以及相邻的两个第一条状部R1之间的间隙宽度来实现将第一发光元件M发出的光线调制为第一方向X的线偏光。
第二线栅结构S包括：沿第一方向X排布且沿第二方向Y延伸的多个第二条状部S1，相邻的两个第二条状部S1之间具有间隙。该多个第二条状部S1的延伸方向即可为第二线栅结构S的偏振方向。通过设计第二条状部S1沿第一方向X的长度(即第二条状部S1的宽度)，以及相邻的两个第二条状部S1之间的间隙宽度来实现将第二发光元件N发出的光线调制为第二方向Y的线偏光。
可选的，第一线栅结构R和第二线栅结构S中条状部的宽度以及相邻条状部之间的间隙宽度可以基于对应的发光元件发出的光线的波长来确定。其中，线栅结构和发光元件对应可以用于表示：发光元件在显示背板101上的正投影位于对应线栅结构在显示背板101上的正投影内，且发光元件发出的光线经由对应的线栅结构进行调制。
示例的，参考下述表1，假设发光元件发出的光线的波长为460nm(纳米)，则对应的线栅结构的周期可以为120nm(周期可以等于一个条状部的宽度和相邻两个条状部之间的间隙宽度之和)。条状部的宽度为60nm±10nm。条状部的材料为(铝)Al，折射率n为1.5，吸收率k为0。另外，线栅结构对光线的透过率Tr为44.1％，偏振度PE为99.9％。其中，发光元件发出的光线的波长为460nm的情况下，该发光元件发出的光线的颜色为蓝色。
表1
在本申请实施例中，参考图6，显示面板1还包括：位于线栅层103和发光元件层102之间的多个衬底单元104。该衬底单元104可以为硅基(Si)衬底单元104，或者可以为蓝宝石(sapphire)衬底单元104。
作为一种可选的实现方式，参考图6，每个衬底单元104对应于一个发光元件，且对应于一个线栅结构。也即是，多个第一发光元件M和多个第二发光元件N中的一个发光元件位于一个衬底单元104靠近显示背板101的一侧，多个第一线栅结构R和多个第二线栅结构S中的一个线栅结构位于一个衬底单元104远离显示背板101的一侧。图6中未示出发光元件层102。
作为另一种可选的实现方式，参考图7，每个衬底单元104对应于两个发光元件，且对应于两个线栅结构。也即是，沿第一方向X相邻的一个第一发光元件M和一个第二发光元件N位于一个衬底单元104靠近显示背板101的一侧，沿第一方向X相邻的一个第一线栅结构R和一个第二线栅结构S位于一个衬底单元104远离显示背板101的一侧。
在本申请实施例中，发光元件层102，衬底单元104以及线栅层103可以通过转印的方式转印至显示背板101的一侧。通过使得每个衬底单元104对应于一个发光元件和一个线栅结构，可以提高转印的灵活性和可靠性；通过使得每个衬底单元104对应于两个发光元件和两个线栅结构，可以降低转印时的固晶数量，简化制备工艺。由此，在设计衬底单元104和几个发光元件以及几个线栅结构对应时，可以综合考虑对灵活性，可靠性以及制备难度的需求来确定。
可选的，衬底单元104的尺寸可以与其对应的发光元件的数量有关。例如，衬底单元104的尺寸可以为4寸。
参考图8，该显示面板1还包括：1/4波片106。该1/4波片106可以位于线栅层103远离发光元件层102的一侧，且该1/4波片106可以用于将通过线栅层103调制后的线偏光调制为圆偏光。其中圆偏光相对于线偏光而言更接近自然光，显示效果较好，并且可以有效减轻用户的视觉疲劳，用户体验较好。
在本申请实施例中，第一发光元件M的结构和第二发光元件N的结构可以相同，例如均为两个发光结构的叠层结构。本申请实施例以第一发光元件M为例，对发光元件的结构进行介绍。参考图9，第一发光元件M包括层叠的第一发光结构M1和第二发光结构M2，且该第一发光结构M1和第二发光结构M2通过键合的方式连接。
参考图9，第一发光元件M还包括位于第一发光结构M1和第二发光结构M2之间具有多个微键合结构M3a和键合胶M4a。第一发光结构M1和第二发光结构M2之间通过微键合结构M3a和键合胶M4a键合连接。
可选的，微键合结构M3a可以为图形阵列或分立阵列。图形阵列可以为图10所示的条状结构或图11所示的网格状结构。分立阵列可以为金属透镜(metal lens)。金属透镜可以为按照一定规律和一定尺寸阵列排布的多个柱状金属结构组成。柱状金属结构在衬底单元上的正投影的形状可以为圆形，矩形以及三角形等。
其中，微键合结构M3a的尺寸可以小于5μm(微米)。条状结构的尺寸可以是指条状结构的宽度，网格状结构的尺寸可以是指网格状结构中每个条形的宽度，金属透镜的尺寸可以为金属透镜的宽度。
可选的，键合胶M4a可以为苯并环丁烯(benzo cyclo butene，BCB)、环氧树脂类、紫外固化类。或者也可是光刻胶(如型号为Su8的光刻胶)。
在本申请实施例中，该微键合结构M3a可以起到光线的透过和汇聚的作用。参考图12可以看出，条状结构以及网格状结构的微键合结构M3a在可见光区域(例如450nm(纳米)至630nm)的透过率均较大，能够保证光线的透过，进而保证发光元件的发光效率。
参考图13，第一发光元件M还包括位于第一发光结构M1和第二发光结构M2之间具有第一金属键合结构M3b和第二金属键合结构M4b。第一发光结构M1和第二发光结构M2通过第一金属键合结构M3b和第二金属键合结构M4b连接。
其中，金属键合结构的键合连接方式需使得第一金属键合结构M3b和第二金属键合结构M4b相匹配。示例的，第一金属键合结构M3b和第二金属键合结构M4b的材料均为金(Au)，即键合类型为Au-Au键合。或者，第一金属键合结构M3b和第二金属键合结构M4b的材料均为铜(Cu)，即键合类型为Cu-Cu键合。又或者，第一金属键合结构M3b和第二金属键合结构M4b中其中一个材料为Cu，另一个材料为锡(Sn)，即键合类型为Cu-Sn键合。再或者，第一金属键合结构M3b和第二金属键合结构M4b中其中一个材料为Cu，另一个材料为铟(In)，即键合类型为Cu-In键合。再或者，第一金属键合结构M3b和第二金属键合结构M4b中其中一个材料为Sn，另一个材料为In，即键合类型为Sn-In键合。再或者，第一金属键合结构M3b和第二金属键合结构M4b中其中一个材料为Au，另一个材料为In，即键合类型为Au-In键合。
参考图14，第一发光结构M1靠近第二发光结构M2的表面具有第一传输层M11，第二发光结构M2靠近第一发光结构M1的表面具有第二传输层M21。第一发光结构M1和第二发光结构M2通过第一传输层M11的表面和第二传输层M21的表面键合连接。
可选的，第一传输层M11和第二传输层M21的材料可以为氧化铟锡(indium tinoxide，ITO)。
在本申请实施例中，参考图15，第一发光结构M1包括：依次层叠的第一N型层M12，第一多量子阱M13，第一P型层M14以及第一传输层M11。第一N型层M12的目标部分M12a在显示背板101上的正投影，与第一多量子阱M13在显示背板101上的正投影，第一P型层M14在显示背板101上的正投影以及第一传输层M11在显示背板101上的正投影均不重叠。也即是，第一多量子阱M13，第一P型层M14以及第一传输层M11可以露出第一N型层M12的目标部分M12a。
参考图15，第二发光结构M2包括：依次层叠的第二传输层M21，第二N型层M22，第二多量子阱M23，第二P型层M24以及第三传输层M25。
参考图15，第一发光元件M还包括：第一信号电极M5和第二信号电极M6。第一N型层M12的目标部分M12a远离衬底单元104的表面可以为用于设置第一信号电极M5的电极台面(mesa)。第一信号电极M5位于第一N型层M12的目标部分M12a远离衬底单元104的一侧，且该第一信号电极M5和第一N型层M12的目标部分M12a电连接。第二信号电极M6和第三传输层M25电连接。第一发光元件M用于在第一信号电极M5接收到的第一信号以及第二信号电极M6接收到的第二信号的驱动下发出光线。
其中，第一信号电极M5可以为N型电极，第二信号电极M6可以为P型电极。第一N型层M12和第二N型层M22可以均为N型氮化镓(GaN)，记为N-GaN。第一P型层M14和第二P型层M24可以均为P型GaN，记为P-GaN。第三传输层M25的材料可以为ITO。
参考图15还可以看出，第一发光元件M还包括：钝化层(passivation layer，PVX)M7。钝化层M7可以具有第一过孔(N型过孔)和第二过孔(P型过孔)。该第一过孔用于露出第一信号电极M5，第二过孔用于露出第三传输层M25，第二信号电极M6和第三传输层M25通过第二过孔电连接。并且，第一发光元件M还包括：垫高电极M8。该垫高电极M8位于第一过孔内，且和第一信号电极M5电连接。该垫高电极M8的主要作用是连接第一信号电极M5和显示背板101。
参考图15，第一发光元件M还包括第一缓冲层M9，第一缓冲层M9可以为U型GaN，记为U-GaN。该第一缓冲层M9的作用为便于后续第一N型层M12的形成。
可选的，钝化层M7远离衬底单元101的一侧还可以具有介质滤光膜(distributedbragg reflector，DBR)。其中，该介质滤光膜可以用于反射发光元件发出的光线，以提高从线栅层103出射的光线的总量，提高发光元件的发光效率。
综上所述，本申请实施例提供的一种显示面板，该显示面板包括显示背板，发光元件层以及线栅层。发光元件层中的发光元件发出的光线可以经过线栅层中线栅结构调制为线偏光。并且，沿第一方向相邻的相邻两组发光元件组中发光元件发出的光线可以被线栅层的线栅结构调制为相垂直的两个方向的线偏光，进而可以通过为相邻两组发光元件组中的发光元件提供不同的发光信号，并通过佩戴3D眼镜来实现观看3D显示的效果。通过本申请实施例提供的显示面板，无需采用两个放映设备播放两种不同偏振方向的图像信息，灵活性较高。
图16是本申请实施例提供了一种显示面板的制备方法的流程图。参考图16，该方法包括：
步骤S101、获取发光元件层以及线栅层。
在本申请实施例中，获取的发光元件层102包括沿第一方向X交错排布的多个第一发光元件组1021和多个第二发光元件组1022。每个第一发光元件组1021包括沿第二方向Y排布的多个第二发光元件N。该第二方向Y和第一方向X垂直。例如，第一方向X可以为显示面板1的像素行方向，第二方向Y可以为显示面板1的像素列方向。
另外，获取的线栅层103包括沿第一方向X排布的多个第一线栅组1031和多个第二线栅组1032。第一线栅组1031包括沿第二方向Y排布且偏振方向为第一方向X的多个第一线栅结构R。第二线栅组1032包括沿第二方向Y排布且偏振方向为第二方向Y的多个第二线栅结构S。
步骤S102、将发光元件层以及线栅层固定于显示背板上。
在本申请实施例中，发光元件层102可以位于显示背板101的一侧，发光元件层102与显示背板101连接。显示背板101用于为发光元件层102中的发光元件提供驱动信号。发光元件在显示背板101提供的驱动信号的控制下发出光线。并且，线栅层103位于发光元件层102远离显示背板101的一侧。
发光元件层102中的每个第一发光元件M在显示背板101上的正投影位于一个第一线栅结构R在显示背板101上的正投影内。由此，第一发光元件M发出的光线可以经过第一线栅结构R射出，进而该第一线栅结构R可以将第一发光元件M发出的光线调制为偏振方向为的第一方向X的线偏光。发光元件层102中的每个第二发光元件N在显示背板101上的正投影位于一个第二线栅结构S在显示背板101上的正投影内。由此，第二发光元件N发出的光线可以经过第二线栅结构S射出，进而该第二线栅结构S可以将第二发光元件N发出的光线调制为偏振方向为第二方向Y的线偏光。
在本申请实施例中，通过上述设计可以使得沿第一方向X相邻的两组发光元件组发出的光线为偏振方向相互垂直的两种线偏光，进而可以通过为沿第一方向X相邻的两组发光元件组中的发光元件提供不同的发光信号，即可实现采用两个放映设备播放两种不同偏振方向的图像信息的效果。进一步的，用户通过佩戴3D眼镜观看该显示面板1时，即可观看到3D显示的效果。也即是，本申请实施例提供制备得到的显示面板1可以直接通过为相邻的两组发光元件组中的发光元件提供不同的发光信号来实现3D显示，灵活性较高。
其中，3D眼镜包括镜架以及两个镜片，该两个镜片均为偏光镜片，其中一个镜片的偏光方向为第一方向X，另一个镜片的偏光方向为第二方向Y。偏光方向为第一方向X的镜片可以透过偏振方向为第一方向X的线偏光，即能够透过第一发光元件M发出的光线经由第一线栅结构R调制后的线偏光。偏光方向为第二方向Y的镜片可以透过偏振方向为第二方向Y的线偏光，即能够透过第二发光元件N发出的光线经由第二线栅结构S调制后的线偏光。
并且，偏振方向相互垂直的两种线偏光是由交错排布的发光元件组经过线栅层103出射的，因此能够使得两个发光元件组中的发光元件获取的图像信息差异较小，进而能够提高3D显示的效果。
综上所述，本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法，该方法制备得到的显示面板包括显示背板，发光元件层以及线栅层。发光元件层中的发光元件发出的光线可以经过线栅层中线栅结构调制为线偏光。并且，沿第一方向相邻的相邻两组发光元件组中发光元件发出的光线可以被线栅层的线栅结构调制为相垂直的两个方向的线偏光，进而可以通过为相邻两组发光元件组中的发光元件提供不同的发光信号，并通过佩戴3D眼镜来实现观看3D显示的效果。通过本申请实施例提供的显示面板，无需采用两个放映设备播放两种不同偏振方向的图像信息，灵活性较高。
图17是本申请实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程图。参考图17，该方法包括：
步骤S201、在衬底单元的第一侧形成发光元件层中的至少一个发光元件。
在本申请实施例中，发光元件的结构可以为两个发光结构的叠层结构。可选的，参考图18，形成该发光元件的过程可以包括：
步骤S2011、获取第一目标结构。
在本申请实施例中，第一目标结构可以用于构成发光元件的第一发光结构M1。参考图19，获取第一目标结构的过程包括：
步骤S11、在衬底单元的一侧依次形成第一缓冲层，第一N型层，第一多量子阱以及第一P型层。
参考图20，第一缓冲层M9，第一N型层M12，第一多量子阱M13以及第一P型层M14位于衬底单元104的一侧，且沿远离衬底单元104的方向依次层叠。
可选的，多个第一目标结构的目标膜层(第一缓冲层M9，第一N型层M12，第一多量子阱M13以及第一P型层M14)可以形成在一个衬底单元104上。形成多个第一目标结构的目标膜层的过程包括：依次形成第一缓冲薄膜，第一N型薄膜，第一多量子阱M13薄膜以及第一P型薄膜；对第一缓冲薄膜，第一N型薄膜，第一多量子阱M13薄膜以及第一P型薄膜进行图案化(Pattern)处理，以得到多个第一目标结构的第一缓冲层M9，第一N型层M12，第一多量子阱M13以及第一P型层M14。
其中，图案化处理的过程可以包括：光刻胶涂覆，曝光，显影，刻蚀以及去除光刻胶。光刻胶可以作为图案化的掩膜手段之一，刻蚀方式可以为干法刻蚀，且直接刻蚀至衬底单元104的表面。
衬底单元104可以为硅基(Si)衬底单元104，或者可以为蓝宝石(sapphire)衬底单元104。第一缓冲层M9可以为U型GaN，记为U-GaN。该第一缓冲层M9的作用为便于后续第一N型层M12的形成。第一N型层M12可以为N型GaN，记为N-GaN。第一P型层M14可以为P型GaN，记为P-GaN。
步骤S12、对第一多量子阱以及第一P型层进行刻蚀，以露出第一N型层的目标部分。
参考图21，采用干法刻蚀的方式对第一多量子阱M13以及第一P型层M14进行刻蚀，以露出第一N型层M12的目标部分M12a。其中，第一N型层M12的目标部分M12a远离衬底单元104的表面可以为用于设置第一信号电极M5的电极台面(mesa)。
步骤S13、在第一P型层远离衬底单元的一侧形成第一传输层。
参考图22，在第一传输层M11在衬底单元104上的正投影和目标部分M12a在衬底单元104上的正投影不重叠。也即是，第一传输层M11的形成不会影响后续第一信号电极M5的制备。
可选的，该第一传输层M11的材料可以为ITO，该第一传输层M11可以作为电流传输层。该第一传输层M11的厚度范围可以为10A(埃)至50000A。
另外，形成第一传输层M11的过程可以包括：在第一P型层M14远离衬底单元104的一侧形成第一传输薄膜；对第一传输薄膜进行图案化处理得到第一传输层M11。其中，对第一传输薄膜进行图案化处理时的刻蚀工艺可以为湿法刻蚀或干法刻蚀。
步骤S14、在目标部分远离衬底单元的一侧形成第一信号电极，第一信号电极和目标部分电连接。
参考图23，目标部分M12a远离衬底单元104的一侧形成第一信号电极M5，以使得第一信号电极M5和目标部分M12a电连接，进而通过该第一信号电极M5为第一N型层M12提供第一信号。
可选的，第一信号电极M5远离衬底单元104的表面和衬底单元104之间的距离，可以大于第一传输层M11远离衬底单元104的表面和衬底单元104之间的距离。或者，第一信号电极M5远离衬底单元104的表面和衬底单元104之间的距离，小于第一传输层M11远离衬底单元104的表面和衬底单元104之间的距离。又或者，第一信号电极M5远离衬底单元104的表面和衬底单元104之间的距离，等于第一传输层M11远离衬底单元104的表面和衬底单元104之间的距离。本申请实施例对此不做限定。
可选的，第一信号电极M5可以为多种金属的叠层结构。示例的，第一信号电极M5可以为沿远离衬底单元104的方向依次层叠的钛(Ti)层，铝(Al)层，镍(Ni)层以及金(Au)层，即第一信号电极M5为Ti/Al/Ni/Au的叠层。或者，第一信号电极M5可以为沿远离衬底单元104的方向依次层叠的铬(Cr)层，铂(Pt)层以及金(Au)层，即第一信号电极M5为Cr/Pt/Au的叠层。
步骤S15、在第一传输层远离衬底单元的一侧形成微键合结构。
参考图24，微键合结构M3a位于第一传输层M11远离衬底单元104的一侧。该微键合结构M3a可以为图形阵列或分立阵列。图形阵列可以为图10所示的条状结构或图11所示的网格状结构。分立阵列可以为金属透镜。其中，微键合结构M3a的尺寸可以小于5μm。条状结构的尺寸可以是指条状结构的宽度，网格状结构的尺寸可以是指网格状结构中每个条形的宽度，金属透镜的尺寸可以为金属透镜的宽度。
步骤S2012、获取第二目标结构。
参考图25，获取第二目标结构的过程包括：
步骤S21、在第二临时衬底的一侧依次形成第二缓冲层，第二N型层，第二多量子阱，第二P型层以及第三传输层。
参考图26，第二缓冲层，第二N型层M22，第二多量子阱M23，第二P型层M24以及第三传输层M25位于第二临时衬底的一侧，且沿远离第二临时衬底的方向依次层叠。
可选的，多个第二目标结构的目标膜层(第二缓冲层，第二N型层M22，第二多量子阱M23以及第二P型层M24)可以形成在一个第二临时衬底上。形成多个第二目标结构的目标膜层的过程包括：依次形成第二缓冲薄膜，第二N型薄膜，第二多量子阱M23薄膜以及第二P型薄膜；对第二缓冲薄膜，第二N型薄膜，第二多量子阱M23薄膜以及第二P型薄膜进行图案化(Pattern)处理，以得到多个第二目标结构的第二缓冲层，第二N型层M22，第二多量子阱M23以及第二P型层M24。
其中，图案化处理的过程可以包括：光刻胶涂覆，曝光，显影，刻蚀以及去除光刻胶。光刻胶可以作为图案化的掩膜手段之一，刻蚀方式可以为干法刻蚀，且直接刻蚀至衬底单元104的表面。
第二临时衬底可以为硅基(Si)衬底，或者可以为蓝宝石(sapphire)衬底。第二缓冲层可以为U型GaN，记为U-GaN。该第二缓冲层的作用为便于后续第二N型层M22的形成。第二N型层M22可以为N型GaN，记为N-GaN。第二P型层M24可以为P型GaN，记为P-GaN。另外，位于第二P型层M24远离第二临时衬底的一侧的第三传输层M25可以作为电流传输层，其厚度范围可以为10A至50000A。
步骤S22、将第三传输层远离第二临时衬底的一侧与第一临时衬底键合连接。
在本申请实施例中，参考图27，可以采用临时键合材料将第三传输层M25远离第二临时衬底的一侧与第一临时衬底键合连接。其中，临时键合材料可以为容易解键合的键合材料。例如，临时键合材料为激光解离类临时键合材料、热解离临时键合材料或者机械解离临时键合材料。若临时键合材料为激光解离类临时键合材料，则后续将第一临时衬底剥离时，可以采用激光方式进行解离；若临时键合材料为热解离临时键合材料，则后续将第一临时衬底剥离时，可以采用热解离的方式进行解离；若临时键合材料为机械解离临时键合材料，则厚度将第一临时衬底剥离时，可以采用机械剥离的方式进行解离。
可选的，第一临时衬底可以为蓝宝石(sapphire)衬底，又或者可以为石英衬底，或者为玻璃(glass)衬底。
步骤S23、将第二临时衬底从第二缓冲层上剥离，并刻蚀去除第二缓冲层。
在本申请实施例中，参考图28，可以将第二临时衬底从第二缓冲层上剥离。若第二临时衬底为蓝宝石衬底，则可以采用激光剥离(laser liftoff，LLO)的方法剥离；若第二临时衬底为于硅基衬底，则可以采用湿法腐蚀的方法剥离。
参考图29，将第二临时衬底从第二缓冲层上剥离之后，可以采用干法刻蚀的方式去除第二缓冲层。
步骤S24、在第二N型层远离第一临时衬底的一侧形成第二传输层。
在本申请实施例中，参考图30，可以在第二N型层M22远离第一临时衬底的一侧形成第二传输层M21。该第二传输层M21的材料可以为ITO。
可选的，制备该第二传输层M21的过程包括：在第二N型层M22远离第一临时衬底的一侧形成第二传输薄膜；对该第二传输薄膜进行图案化处理以得到第二传输层M21。
步骤S2013、采用键合的方式将第一目标结构中第一传输层远离衬底单元的一侧和第二目标结构中第二传输层远离第一临时衬底的一侧连接。
在本申请实施例中，参考图31，键合连接时，可以通过第一目标结构中的微键合结构M3a，并结合键合胶M4a进行键合连接。
可选的，键合胶M4a可以为BCB、环氧树脂类、紫外固化类。或者也可是光刻胶(如Su8等)。键合条件为：键合压力大于0.1MPa(兆帕)，键合温度大于200℃(摄氏度)以及时间大于10min(分钟)。
步骤S2014、将第一临时衬底从第二目标结构的第三传输层上剥离。
在本申请实施例中，参考图32，采用解键合工艺对第一临时衬底进行解键合。其中，解键合工艺包括激光解离，热解离或者机械剥离。当然解键合工艺还可以为采用溶剂对键合胶M4a进行腐蚀实现解离。
步骤S2015、在第三传输层远离衬底单元的一侧形成钝化层。
参考图33，可以在第三传输层M25远离衬底单元104的一侧形成钝化层M7，且钝化层M7可以覆盖第三传输层M25的表面。其中，该钝化层M7具有第一过孔M7a和第二过孔M7b。该第一过孔M7a用于露出第一目标结构中的第一信号电极M5，第二过孔M7b用于露出第二目标结构中的第三传输层M25。
步骤S2016、在钝化层远离衬底单元的一侧形成垫高电极和第二信号电极。
参考图15，为了使得显示背板101能够和发光元件层102连接，以为发光元件层102中的发光元件提供信号，因此可以采用剥离(liftoff)工艺在钝化层M7远离衬底单元104的一侧形成垫高电极M8和第二信号电极M6。垫高电极M8位于第一过孔内，且和第一信号电极M5电连接，显示背板101通过垫高电极M8和第一信号电极M5为第一N型层M12提供第一信号。第二信号电极M6位于第二过孔内，且和第三传输层M25电连接，显示背板101通过第二信号电极M6和第三传输层M25为第二P型层M24提供第二信号。由此，发光元件可以在第一信号和第二信号的驱动下发出光线。
步骤S202、在衬底单元的第二侧形成线栅层中的至少一个线栅结构。
在本申请实施例中，在衬底单元104的第二侧形成线栅层103之前，可以将衬底单元104的厚度进行减薄。可选的，减薄后的衬底单元104的厚度可以小于150μm，例如减薄后的衬底单元104的厚度可以为100μm。
可选的，参考图34，在对衬底单元104的厚度进行减薄之后，可以在衬底单元104的第二侧形成线栅层103中的至少一个线栅结构。
示例的，可以在一个衬底单元104的第二侧形成一个线栅结构，该线栅结构(第一偏振结构)的偏振方向为第一方向X，或者该线栅结构(第二偏振结构)的偏振方向为第二方向Y。在该方式中，一个衬底单元104对应于一个发光元件和一个线栅结构。
或者，可以在一个衬底单元104的第二侧形成一个第一线栅结构R和一个第二线栅结构S。在该方式中，一个衬底单元104对应于两个发光元件和两个线栅结构。
在本申请实施例中，上述步骤201和步骤202可以为：先在一大的衬底的一侧形成多个发光元件；在该大的衬底的另一侧形成多个线栅结构，该多个线栅结构中可以包括第一线栅结构，也可以包括第二线栅结构；之后对该大的衬底进行切割，得到多个衬底单元。通过该方法可以便于发光元件以及线栅结构的制备。并且，衬底单元在形成线栅结构之前进行了减薄处理，因此可以使得发光元件和线栅结构之间的距离较近，避免将发光元件和线栅结构形成在玻璃上而导致发光元件和线栅结构之间的距离较远，进而避免对发光元件的发光效率造成影响。
步骤S203、在线栅层远离衬底单元的一侧形成至少一个1/4波片。
参考图35和图36，每个衬底单元104可以对应于一个1/4波片106。也即是，在图35所示的方案中，该1/4波片106对应于一个发光元件和一个线栅结构。在图36所示的方案中，该1/4波片106对应于两个发光元件和两个线栅结构。
其中，1/4波片106可以用于将线栅层103调制后的线偏光调制为圆偏光。圆偏光相对于线偏光而言更接近自然光，显示效果较好。并且可以有效减轻用户的视觉疲劳，用户体验较好。
步骤S204、将发光元件层，线栅层以及1/4波片固定于显示背板上。
在本申请实施例中，可以将发光元件层102，线栅层103以及1/4波片106固定设置于显示背板101上，并使得发光元件层102的发光元件中垫高电极M8和第二信号电极M6与显示背板101连接。
可选的，发光元件层102，线栅层103以及1/4波片106沿远离显示背板101的方向依次层叠。
需要说明的是，本申请的上述实施例是以第一目标结构和第二目标结构的键合方式为微键合结构M3a和键合胶M4a进行说明的，且微键合结构M3a形成于第一目标结构中第一传输层M11远离衬底单元104的一侧)。或者，微键合结构M3a也可以形成于第二目标结构中第二传输层M21远离衬底单元104的一侧。
若键合方式为第一传输层M11远离衬底单元104的表面和第二传输层M21远离第一临时衬底的表面直接键合连接，则可以删除上述步骤S15。该键合方式的键合条件为：键合压力大于0.1MPa，键合温度大于200℃以及时间大于10min。
若键合方式为金属键合，则可以将上述步骤S15更改为：在第一传输层M11远离衬底单元104的一侧形成第一金属键合结构M3b。并且，可以在上述步骤S24之后新增步骤S25：在第二传输层M21远离衬底单元104的一侧形成第二金属键合结构M4b。该键合方式的键合条件为：键合压力大于0.01Mpa以及键合温度大于150℃。
其中，金属键合结构的键合连接方式需使得第一金属键合结构M3b和第二金属键合结构M4b相匹配。示例的，第一金属键合结构M3b和第二金属键合结构M4b的材料均为金(Au)，即键合类型为Au-Au键合。或者，第一金属键合结构M3b和第二金属键合结构M4b的材料均为铜(Cu)，即键合类型为Cu-Cu键合。又或者，第一金属键合结构M3b和第二金属键合结构M4b中其中一个材料为Cu，另一个材料为锡(Sn)，即键合类型为Cu-Sn键合。再或者，第一金属键合结构M3b和第二金属键合结构M4b中其中一个材料为Cu，另一个材料为铟(In)，即键合类型为Cu-In键合。再或者，第一金属键合结构M3b和第二金属键合结构M4b中其中一个材料为Sn，另一个材料为In，即键合类型为Sn-In键合。再或者，第一金属键合结构M3b和第二金属键合结构M4b中其中一个材料为Au，另一个材料为In，即键合类型为Au-In键合。
可选的，针对不同的键合方式，可以对第一目标结构和第二目标结构进行前处理。其中，前处理可以包括：清洗处理，活化处理以及化学机械抛光(chemical mechanicalpolishing，CMP)处理。
综上所述，本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法，该方法制备得到的显示面板包括显示背板，发光元件层以及线栅层。发光元件层中的发光元件发出的光线可以经过线栅层中线栅结构调制为线偏光。并且，沿第一方向相邻的相邻两组发光元件组中发光元件发出的光线可以被线栅层的线栅结构调制为相垂直的两个方向的线偏光，进而可以通过为相邻两组发光元件组中的发光元件提供不同的发光信号，并通过佩戴3D眼镜来实现观看3D显示的效果。通过本申请实施例提供的显示面板，无需采用两个放映设备播放两种不同偏振方向的图像信息，灵活性较高。
图37是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参考图37，该显示装置可以包括：供电组件2以及如上述实施例所提供的显示面板1。其中，供电组件2可以用于为显示面板1供电。
可选的，该显示装置可以为：液晶显示装置(liquid crystal display，LCD)、有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)显示装置、电子纸、低温多晶硅(lowtemperature poly-silicon，LTPS)显示装置、低温多晶氧化物(low temperature poly-silicon oxide，LTPO)显示装置、氧化物(oxide)显示装置、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
由于显示装置可以与前面实施例描述的显示面板1具有基本相同的技术效果，因此，出于简洁的目的，此处不再重复描述显示面板1的技术效果。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (15)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板(1)包括：
显示背板(101)；
位于所述显示背板(101)的一侧的发光元件层(102)，所述发光元件层(102)包括沿第一方向(X)交错排布的多个第一发光元件组(1021)和多个第二发光元件组(1022)；每个所述第一发光元件组(1021)包括沿第二方向(Y)排布的多个第一发光元件(M)，每个所述第二发光元件组(1022)包括沿所述第二方向(Y)排布的多个第二发光元件(N)，所述第二方向(Y)和所述第一方向(X)垂直，所述第一发光元件(M)和所述第二发光元件(N)均为微型发光二极管；
以及，位于所述发光元件层(102)远离所述显示背板(101)的一侧的线栅层(103)，所述线栅层(103)包括沿所述第一方向(X)交错排布的多个第一线栅组(1031)和多个第二线栅组(1032)；所述第一线栅组(1031)包括沿所述第二方向(Y)排布且偏振方向为所述第一方向(X)的多个第一线栅结构(R)，所述第二线栅组(1032)包括沿所述第二方向(Y)排布且偏振方向为所述第二方向(Y)的多个第二线栅结构(S)；
其中，每个第一发光元件(M)在所述显示背板(101)上的正投影位于一个所述第一线栅结构(R)在所述显示背板(101)上的正投影内，且所述第一线栅结构(R)用于将所述第一发光元件(M)发出的光线调制为偏振方向为所述第一方向(X)的线偏光；每个所述第二发光元件(N)在所述显示背板(101)上的正投影位于一个所述第二线栅结构(S)在所述显示背板(101)上的正投影内，且所述第二线栅结构(S)用于将所述第二发光元件(N)发出的光线调制为偏振方向为所述第二方向(Y)的线偏光。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述多个第一发光元件(M)中的每个所述第一发光元件(M)包括层叠的第一发光结构(M1)和第二发光结构(M2)；
其中，所述第一发光结构(M1)和所述第二发光结构(M2)通过键合的方式连接，所述第二发光元件(N)的结构与所述第一发光元件(M)的结构相同。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，每个所述第一发光元件(M)还包括：位于所述第一发光结构(M1)和所述第二发光结构(M2)之间具有多个微键合结构(M3a)和键合胶(M4a)；
其中，所述第一发光结构(M1)和所述第二发光结构(M2)之间通过所述微键合结构(M3a)和键合胶(M4a)键合连接。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，每个所述第一发光元件(M)还包括：位于所述第一发光结构(M1)和所述第二发光结构(M2)之间的第一金属键合结构(M3b)和第二金属键合结构(M4b)；
其中，所述第一发光结构(M1)和所述第二发光结构(M2)通过所述第一金属键合结构(M3b)和所述第二金属键合结构(M4b)键合连接。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光结构(M1)靠近所述第二发光结构(M2)的表面具有第一传输层(M11)，所述第二发光结构(M2)靠近所述第一发光结构(M1)的表面具有第二传输层(M21)；
其中，所述第一发光结构(M1)和所述第二发光结构(M2)通过所述第一传输层(M11)的表面和所述第二传输层(M21)的表面键合连接。
6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光结构(M1)包括：依次层叠的第一N型层(M12)，第一多量子阱(M13)，第一P型层(M14)以及第一传输层(M11)，所述第一N型层(M12)的目标部分(M12a)在所述显示背板(101)上的正投影，与所述第一多量子阱(M13)在所述显示背板(101)上的正投影，所述第一P型层(M14)在所述显示背板(101)上的正投影以及所述第一传输层(M11)在所述显示背板(101)上的正投影均不重叠；
所述第二发光结构(M2)包括：依次层叠的第二传输层(M21)，第二N型层(M22)，第二多量子阱(M23)，第二P型层(M24)以及第三传输层(M25)；
其中，所述发光元件还包括：第一信号电极(M5)和第二信号电极(M6)，所述第一信号电极(M5)和所述第一N型层(M12)的目标部分(M12a)电连接，所述第二信号电极(M6)和所述第三传输层(M25)电连接；所述发光元件用于在所述第一信号电极(M5)接收到的第一信号以及所述第二信号电极(M6)接收到的第二信号的驱动下发出光线。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光元件(M)还包括：钝化层(M7)，所述钝化层(M7)具有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔用于露出所述第一信号电极(M5)，所述第二过孔用于露出所述第三传输层(M25)，所述第二信号电极(M6)和所述第三传输层(M25)通过所述第二过孔电连接；
所述发光元件还包括：垫高电极(M8)，所述垫高电极(M8)位于所述第一过孔内，且和所述第一信号电极(M5)电连接。
8.根据权利要求1至7任一所述的显示面板，其特征在于，所述第一线栅结构(R)包括：沿所述第二方向(Y)排布且沿所述第一方向(X)延伸的多个第一条状部(R1)，相邻的两个所述第一条状部(R1)之间具有间隙；
所述第二线栅结构(S)包括：沿所述第一方向(X)排布且沿所述第二方向(Y)延伸的多个第二条状部(S1)，相邻的两个所述第二条状部(S1)之间具有间隙。
9.根据权利要求1至7任一所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板(1)还包括：位于所述线栅层(103)和所述发光元件层(102)之间的多个衬底单元(104)；
所述多个第一发光元件(M)和所述多个第二发光元件(N)中的一个发光元件位于一个所述衬底单元(104)靠近所述显示背板(101)的一侧，所述多个第一线栅结构(R)和所述多个第二线栅结构(S)中的一个线栅结构位于一个所述衬底单元(104)远离所述显示背板(101)的一侧；或者，
沿所述第一方向(X)相邻的一个第一发光元件(M)和一个第二发光元件(N)位于一个所述衬底单元(104)靠近所述显示背板(101)的一侧，沿所述第一方向(X)相邻的一个第一线栅结构(R)和一个第二线栅结构(S)位于一个所述衬底单元(104)远离所述显示背板(101)的一侧。
10.根据权利要求1至7任一所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板(1)还包括：1/4波片(106)；
所述1/4波片(106)位于所述线栅层(103)远离所述发光元件层(102)的一侧，所述1/4波片(106)用于将通过所述线栅层(103)调制后的线偏光调制为圆偏光。
11.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
获取线栅层(103)以及发光元件层(102)；所述线栅层(103)包括沿第一方向(X)交错排布的多个第一线栅组(1031)和多个第二线栅组(1032)；所述第一线栅组(1031)包括沿所述第二方向(Y)排布且偏振方向为所述第一方向(X)的多个第一线栅结构(R)，所述第二线栅组(1032)包括沿所述第二方向(Y)排布且偏振方向为所述第二方向(Y)的多个第二线栅结构(S)，所述第二方向(Y)和所述第一方向(X)垂直；所述发光元件层(102)包括沿所述第一方向(X)交错排布的多个第一发光元件组(1021)和多个第二发光元件组(1022)；每个所述第一发光元件组(1021)包括沿所述第二方向(Y)排布的多个第一发光元件(M)，每个所述第二发光元件组(1022)包括沿所述第二方向(Y)排布的多个第二发光元件(N)，所述第一发光元件(M)和所述第二发光元件(N)均为微型发光二极管；
将所述线栅层(103)以及所述发光元件层(102)固定于显示背板(101)上；所述发光元件层(102)位于所述显示背板(101)的一侧，所述线栅层(103)位于所述发光元件层(102)远离所述显示背板(101)的一侧；
其中，每个第一发光元件(M)在所述显示背板(101)上的正投影位于一个所述第一线栅结构(R)在所述显示背板(101)上的正投影内，且所述第一线栅结构(R)用于将所述第一发光元件(M)发出的光线调制为偏振方向为所述第一方向(X)的线偏光；每个所述第二发光元件(N)在所述显示背板(101)上的正投影位于一个所述第二线栅结构(S)在所述显示背板(101)上的正投影内，且所述第二线栅结构(S)用于将所述第二发光元件(N)发出的光线调制为偏振方向为所述第二方向(Y)的线偏光。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，获取线栅层(103)和发光元件层(102)包括：
在衬底单元(104)的第一侧形成所述发光元件层(102)中的至少一个发光元件；
在所述衬底单元(104)的第二侧形成所述线栅层(103)中的至少一个线栅结构。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述在衬底单元(104)的第一侧形成所述发光元件层(102)中的至少一个发光元件，包括：
获取第一目标结构，所述第一目标结构包括衬底单元(104)，以及位于衬底单元(104)的一侧依次层叠的第一缓冲层(M9)，第一N型层(M12)，第一多量子阱(M13)，第一P型层(M14)以及第一传输层(M11)，所述第一N型层(M12)的目标部分(M12a)在所述显示背板(101)上的正投影，与所述第一多量子阱(M13)在所述显示背板(101)上的正投影，所述第一P型层(M14)在所述显示背板(101)上的正投影以及所述第一传输层(M11)在所述显示背板(101)上的正投影均不重叠，所述第一目标结构还包括位于所述目标部分远离所述衬底单元(104)的一侧的第一信号电极(M5)，所述第一信号电极(M5)和所述目标表部分电连接；
获取第二目标结构，所述第二目标结构包括第一临时衬底，以及位于所述第一临时衬底的一侧依次层叠的第三传输层(M25)，第二P型层(M24)，第二多量子阱(M23)，第一N型层(M12)以及第二传输层(M21)；
采用键合的方式将所述第一传输层(M11)远离所述衬底单元(104)的一侧和所述第二传输层(M21)远离所述第一临时衬底的一侧连接；
将所述第一临时衬底从所述第三传输层(M25)上剥离；
在所述第三传输层(M25)远离所述衬底单元(104)的一侧形成钝化层(M7)，所述钝化层(M7)具有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔用于露出所述第一信号电极(M5)，所述第二过孔用于露出所述第三传输电极；
在所述钝化层(M7)远离所述衬底单元(104)的一侧形成垫高电极(M8)和第二信号电极(M6)，所述垫高电极(M8)位于所述第一过孔内，且和所述第一信号电极(M5)电连接，所述第二信号电极(M6)位于所述第二过孔内，且和所述第三传输层(M25)电连接。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述获取第一目标结构，包括：
在衬底单元(104)的一侧依次形成第一缓冲层(M9)，第一N型层(M12)，第一多量子阱(M13)以及第一P型层(M14)；
对所述第一多量子阱(M13)以及所述第一P型层(M14)进行刻蚀，以露出所述第一N型层(M12)的目标部分(M12a)；
在所述第一P型层(M14)远离所述衬底单元(104)的一侧形成第一传输层(M11)，所述第一传输层(M11)在所述衬底单元(104)上的正投影和所述目标部分在所述衬底单元(104)上的正投影不重叠；
在所述目标部分远离所述衬底单元(104)的一侧形成第一信号电极(M5)，所述第一信号电极(M5)和所述目标部分电连接；
所述获取第二目标结构，包括：
在第二临时衬底的一侧依次形成第二缓冲层，第二N型层(M22)，第二多量子阱(M23)，第二P型层(M24)以及第三传输层(M25)；
将所述第三传输层(M25)远离所述第二临时衬底的一侧与第一临时衬底键合连接；
将所述第二临时衬底从所述第二缓冲层上剥离，并刻蚀去除所述第二缓冲层；
在所述第二N型层(M22)远离所述第一临时衬底的一侧形成第二传输层(M21)。
15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：供电组件(2)以及如权利要求1至10任一所述的显示面板(1)；
其中，所述供电组件(2)用于为所述显示面板(1)供电。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310318581.2A CN116207209A (zh) | 2023-03-28 | 2023-03-28 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310318581.2A CN116207209A (zh) | 2023-03-28 | 2023-03-28 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116207209A true CN116207209A (zh) | 2023-06-02 |
Family
ID=86514834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310318581.2A Pending CN116207209A (zh) | 2023-03-28 | 2023-03-28 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116207209A (zh) |
-
2023
- 2023-03-28 CN CN202310318581.2A patent/CN116207209A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10862010B2 (en) | Integrated colour LED micro-display | |
| US11715816B2 (en) | Display apparatus and manufacturing method thereof | |
| US11804511B2 (en) | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same | |
| US11837155B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| EP3996139A1 (en) | Display device using micro led, and manufacturing method therefor | |
| CN109791939B (zh) | 微发光二极管显示面板、微发光二极管显示装置和制造微发光二极管显示面板的方法 | |
| CN111213248A (zh) | 发光堆叠结构和具有该发光堆叠结构的显示装置 | |
| US11302842B2 (en) | Micro light emitting diode device and manufacturing method thereof | |
| JP2021010029A (ja) | 発光ダイオード構造 | |
| KR20220020936A (ko) | 디스플레이 패널, 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널의 제조 방법 | |
| EP4002469A1 (en) | Display device using micro led, and manufacturing method therefor | |
| US20230014515A1 (en) | Display device using micro led and manufacturing method thereof | |
| CN108803135B (zh) | 显示设备 | |
| US10663794B2 (en) | Display devices | |
| US20230105156A1 (en) | Display panel, display apparatus, and preparation method for display panel | |
| WO2016015174A1 (zh) | 一种红色无机发光二极管显示器件及其制作方法 | |
| CN116207209A (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| KR20230092671A (ko) | 마이크로 발광 소자 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 | |
| US20240313036A1 (en) | Light-emitting chip and preparation method thereof, light-emitting substrate, display device | |
| EP4318584A1 (en) | Unit pixel for led display and display device having same | |
| TWI810696B (zh) | 微型發光二極體顯示面板及其形成方法 | |
| US20240096856A1 (en) | Method forming a micro led display device | |
| US20230197693A1 (en) | Micro led display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US12125830B2 (en) | Display device using micro LED, and manufacturing method therefor | |
| KR20230048740A (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |