CN116207088A - 半导体封装件 - Google Patents

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CN116207088A
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CN
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substrate
disposed
semiconductor package
heat dissipation
region
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李文熙
李承恩
金容勳
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Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
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Abstract

本公开提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一基板；第一电子组件，设置在所述第一基板上；第二基板，设置在所述第一基板上并且设置有腔，所述腔设置在所述第二基板的一个表面中；第一连接构件，使所述第一基板与所述第二基板彼此连接；散热结构，设置在所述第二基板上，并且与所述第一连接构件间隔开；第二连接构件，设置在所述第二基板上；以及过孔，设置在所述第二基板上，与所述散热结构间隔开，并且连接到所述第一连接构件。所述第二基板包括其中设置所述腔的第一区域和连接到所述第一基板的第二区域，并且所述散热结构设置在所述第二基板的所述第一区域和所述第二区域中的每个中。

Description

半导体封装件
本申请要求于2021年11月30日向韩国知识产权局提交的第10-2021-0168597号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种半导体封装件。
背景技术
为了响应近来移动装置的轻量化和小型化的趋势，在安装在移动装置中的半导体封装件中实现轻量化、纤薄化和紧凑性的需求也日益增加。
另一方面，随着移动装置变得更轻、更薄和更小，响应于这样的技术需求，在缩短电子组件之间的连接路径和降低噪声方面，需要将电子组件(诸如，集成电路(IC)、有源器件或无源器件)插入板中的技术。近年来，对用于以各种方式将组件嵌入基板中的技术的研究一直在继续。
详细地，随着半导体封装件的厚度减小，持续讨论用于有效地散发由半导体芯片产生的热的方法。
发明内容
提供本发明内容以按照简化的形式对选择的构思进行介绍，下面在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
本公开的一方面在于提供一种包括微电路和/或微过孔的半导体封装件。
本公开的一方面在于提供一种可有效地散发由半导体芯片产生的热的半导体封装件。
根据本公开的一方面，一种半导体封装件包括：第一基板，第一电子组件设置在所述第一基板的一个表面上；第二基板，设置在所述第一基板上并且设置有腔，所述腔设置在所述第二基板的一个表面中；以及过孔，贯穿所述第二基板。所述第二基板包括其中设置所述腔的第一区域和连接到所述第一基板的第二区域。所述过孔设置在所述第二基板的所述第一区域和所述第二区域中的每个中。
根据本公开的另一方面，一种半导体封装件，包括：第一基板，在所述第一基板的一个表面上设置有第一电子组件；第二基板，设置在所述第一基板上；以及散热结构，设置在所述第二基板上，其中，所述第二基板的一个表面设置有台阶，并且所述散热结构在其中设置所述台阶的区域中包括多个金属层。
附图说明
通过结合附图以及以下具体实施方式，本发明构思的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图；
图2是示出电子装置的示例的示意性立体图；
图3是示意性地示出根据实施例的半导体封装件的示例的示图；
图4A和图4B是示意性地示出根据实施例的半导体封装件的示例的示图；图5是示意性地示出根据实施例的半导体封装件的示例的示图；以及
图6A和图6B是示意性地示出根据实施例的半导体封装件的示例的示图。
具体实施方式
提供下面的具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、变型和等同方案对于本领域普通技术人员而言将是易于理解的。在此描述的操作的顺序仅是示例，并且不局限于在此阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出对于本领域普通技术人员而言将是易于理解的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略对于本领域普通技术人员而言公知的功能和构造的描述。
在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域普通技术人员充分传达本公开的范围。
在此，注意的是，关于实施例或示例的术语“可”的使用(例如，关于实施例或示例可包括或实现什么)意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个实施例或示例，并不限于所有实施例或示例包括或实现这样的特征。
在整个说明书中，当要素(诸如，层、区域或基板)被描述为“在”另一要素“上”、“连接到”另一要素或“结合到”另一要素时，该要素可直接“在”所述另一要素“上”、直接“连接到”所述另一要素或直接“结合到”所述另一要素，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他要素。相比之下，当要素被描述为“直接在”另一要素“上”、“直接连接到”另一要素或“直接结合到”另一要素时，不存在介于它们之间的其他要素。
如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一项或者任意两项或更多项的任意组合。
尽管可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语的限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中提及的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称作第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了易于描述，在此可使用诸如“上方”、“上面”、“下方”和“下面”的空间相对术语来描述如附图中示出的一个要素与另一要素的关系。这样的空间相对术语意在除了包含附图中描绘的方位之外还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为相对于另一要素位于“上方”或“上面”的要素于是将相对于另一要素位于“下方”或“下面”。因此，术语“上方”根据装置的空间方位包括“上方”和“下方”两种方位。装置还可以以其他方式被定位(例如，旋转90度或者处于其他方位)，并且将相应地解释在此使用的空间相对术语。
在此使用的术语仅用于描述各种示例且不用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意在包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、要素和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、要素和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差，附图中所示的形状可能会发生改变。因此，在此描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是可包括制造期间发生的形状的改变。
在此描述的示例的特征可以以在获得对本申请的公开内容的理解之后将易于理解的各种方式进行组合。此外，尽管在此描述的示例具有各种构造，但在获得对本申请的公开内容的理解之后易于理解的其他构造是可行的。
附图可不按照比例绘制，并且为了清楚、说明及便利起见，可夸大附图中的要素的相对尺寸、比例和描绘。
电子装置
图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图。
参照图1，电子装置1000可将主板1010容纳在其中。芯片相关组件1020、网络相关组件1030、其他组件1040等可物理连接和/或电连接到主板1010。这些组件可通过各种信号线1090连接到下面将描述的其他电子组件。
芯片相关组件1020可包括：存储器芯片，诸如，易失性存储器(例如，动态随机存取存储器(DRAM))、非易失性存储器(例如，只读存储器(ROM))、闪存等；应用处理器芯片，诸如，中央处理器(例如，中央处理单元(CPU))、图形处理器(例如，图形处理单元(GPU))、数字信号处理器、密码处理器、微处理器、微控制器等；以及逻辑芯片，诸如，模数转换器(ADC)、专用集成电路(ASIC)等。然而，芯片相关组件1020不限于此，而是还可包括其他类型的芯片相关组件。此外，芯片相关组件1020可彼此组合。芯片相关组件1020可呈包括上面描述的芯片的封装件的形式。
网络相关组件1030可包括与诸如以下协议兼容或者利用诸如以下协议通信的组件：无线保真(Wi-Fi)(电气与电子工程师协会(IEEE)802.11族等)、全球微波接入互操作性(WiMAX)(IEEE 802.16族等)、IEEE 802.20、长期演进(LTE)、Ev-DO(evolution-data only，CDMA 2000 1x的一种演进)、高速分组接入+(HSPA+)、高速下行链路分组接入+(HSDPA+)、高速上行链路分组接入+(HSUPA+)、增强型数据速率全球演进(EDGE)、全球移动通信系统(GSM)、全球定位系统(GPS)、通用分组无线业务(GPRS)、码分多址(CDMA)、时分多址(TDMA)、数字增强型无绳电信(DECT)、无线局域网(WLAN)、蓝牙、3G协议、4G协议和5G协议以及在上述协议之后指定的任意其他无线协议和有线协议。然而，网络相关组件1030不限于此，而是还可包括与各种其他无线标准或协议或者有线标准或协议兼容或者利用各种其他无线标准或协议或者有线标准或协议通信的组件。此外，网络相关组件1030可与上面描述的芯片相关组件1020一起彼此组合。
其他组件1040可包括高频率电感器、铁氧体电感器、功率电感器、铁氧体磁珠、低温共烧陶瓷(LTCC)组件、电磁干扰(EMI)滤波器、多层陶瓷电容器(MLCC)等。然而，其他组件1040不限于此，而是还可包括用于各种其他目的的无源组件等。此外，其他组件1040可与上面描述的芯片相关组件1020或网络相关组件1030一起彼此组合。
根据电子装置1000的类型，电子装置1000可包括物理连接和/或电连接到主板1010或者不物理连接和/或不电连接到主板1010的其他电子组件。其他电子组件可包括例如相机1050、天线1060、显示器1070、电池1080等，但不限于此。例如，其他电子组件还可包括音频编解码器、视频编解码器、功率放大器、指南针、加速度计、陀螺仪、扬声器、大容量存储单元(例如，硬盘驱动器)、光盘(CD)驱动器、数字通用光盘(DVD)驱动器等。此外，其他电子组件还可包括根据电子装置1000的类型等而用于各种目的的其他电子组件。
电子装置1000可以是智能电话、个人数字助理(PDA)、数字摄像机、数码相机、网络系统、计算机、监视器、平板PC、膝上型PC、上网本PC、电视机、视频游戏机、智能手表、汽车组件等。然而，电子装置1000不限于此，并且可以是用于处理数据的任意其他电子装置。
图2是示出电子装置的示例的示意性立体图。
参照图2，电子装置可以是例如智能电话1100。主板1110容纳在智能电话1100中，并且各种电子组件1120物理连接和/或电连接到主板1110。此外，物理连接和/或电连接或者不物理连接和/或电连接到主板1110的其他电子组件(诸如，相机模块1130和/或扬声器1140)可容纳在电子装置中。电子组件1120中的一些电子组件可以是上面描述的芯片相关组件(例如，天线模块1121)，但不限于此。天线模块1121可呈其中电子组件表面安装在半导体封装件上的形式，但本公开不限于此。另一方面，电子装置不必局限于智能电话1100，并且还可以是如上所述的另外的电子装置。
半导体封装件
图3是示意性地示出根据实施例的半导体封装件10A的示例的示图。
参照图3，根据实施例的半导体封装件10A可包括：第一基板100，第一电子组件D1设置在第一基板100的一个表面上；第二基板IS，设置在第一基板100上，并且在第二基板IS的一个表面中形成有腔C；以及散热结构500，贯穿第二基板IS。散热结构500的至少一部分可设置在第二基板IS中。在这种情况下，第一基板100和第二基板IS可通过包括金属(诸如，焊料)的第一连接构件410而彼此连接，第一连接构件410与散热结构500间隔开。此外，根据实施例的半导体封装件10A还可包括：第二连接构件420，包括金属(诸如，焊料)，设置在第二基板IS上；以及过孔V，设置在第二基板IS中，与散热结构500间隔开并且连接到第一连接构件410。
此外，第二基板IS可包括其中形成腔C的第一区域R1以及连接到第一基板100的第二区域R2，并且散热结构500可设置在第二基板IS的第一区域R1和第二区域R2中的每个中。例如，贯穿第二基板IS的散热结构500可包括其中形成腔C的区域，并且可形成为延伸到其外周。此外，过孔V可设置在第二区域R2中，并且可贯穿第二区域R2中的散热结构500的开口。在这种情况下，可看出，设置在第二基板IS中的散热结构500和过孔V彼此绝缘，使得散热结构500具有与连接信号图案的过孔V的结构和功能不同的结构和功能。
穿入或贯穿第二基板IS的散热结构500可用作将由电子组件产生的热散发出去的散热过孔，并且可通过加宽在第一电子组件D1周围形成散热结构500(如上所述)的区域来进一步改善散热效果。在一个示例中，当在第一基板100和第二基板IS的堆叠方向上观察时，散热结构500可设置在第一电子组件D1上方或与第一电子组件D1叠置。
根据实施例的半导体封装件10A的第一电子组件D1的至少一部分可设置在第二基板IS的腔C中，并且第一电子组件D1可以是无源电子组件、有源电子组件、半导体裸片、芯片电子组件等，但不限于此。例如，第一电子组件D1可表示已知组件，只要其是可安装在印刷电路板上的类型的电子组件即可。
此外，根据实施例的半导体封装件10A还可包括：模制材料300，设置在第二基板IS的腔C内部，并且密封或包埋第一电子组件D1；以及第三基板200，连接到第二基板IS。在这种情况下，第二电子组件D2可设置在第三基板200的一个表面上。
第二电子组件D2可以是无源电子组件、有源电子组件、半导体裸片、芯片电子组件等，但不限于此。例如，第二电子组件D2可表示已知组件，只要其是可安装在印刷电路板上的类型的电子组件即可。
根据实施例的半导体封装件10A的第一基板100、第二基板IS和第三基板200均可包括至少一个绝缘层、电路层和过孔。在这种情况下，绝缘层可包括已知的绝缘材料，但是其材料不限于此。更详细地，可使用热固性树脂(诸如，环氧树脂)、热塑性树脂(诸如，聚酰亚胺)或通过将无机填料与芯材料(诸如，玻璃纤维(玻璃布、玻璃织物))一起浸渍在热固性树脂或热塑性树脂中而制备的材料(例如，半固化片、味之素堆积膜(ABF，AjinomotoBuild-up Film)、FR-4或双马来酰亚胺三嗪(BT))作为绝缘层的材料。
此外，可使用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)、钯(Pd)或它们的合金的导电材料作为电路层、散热结构500和过孔V中的每者的材料，但不限于此。在这种情况下，过孔V可对应于贯穿第一基板100、第二基板IS和第三基板200中的每个的绝缘层的至少一部分的过孔。
此外，根据实施例的半导体封装件10A的电路层、散热结构500和过孔V可分别通过镀覆工艺形成，并且在这种情况下，可包括无电镀层和电解镀层。无电镀层可用作电解镀层的种子层，但本公开不限于此。
在这种情况下，填充电路层、散热结构500和过孔V的无电镀层和电解镀层还可包括铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)、钯(Pd)或它们的合金。
在根据实施例的半导体封装件10A中，在设置于其最外层上的绝缘层的一个表面上形成有电路层，该电路层的至少一部分可包括表面处理层，并且表面处理层可包括与电路层中的每个电路层的成分不同的成分。例如，电路层中的每个电路层可包括铜(Cu)，并且表面处理层可包括镍(Ni)或锡(Sn)，但构造不限于此。
此外，在根据实施例的半导体封装件10A中，还可设置阻焊层，以覆盖形成在最外层上的电路层(包括表面处理层)的至少一部分。在这种情况下，阻焊层可利用感光材料形成。此外，阻焊层可具有热固性和/或光固化特性，但本公开不限于此。
此外，连接根据实施例的半导体封装件10A的第一基板100和第二基板IS的第一连接构件410可对应于已知的焊料凸块。例如，第一连接构件410可包括但不限于铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铟(In)、铋(Bi)或其他非反应性金属。
设置在第一基板100上的第一电子组件D1和设置在第三基板200上的第二电子组件D2可分别被模制材料300包埋。在这种情况下，模制材料300可包括已知材料，例如，可包括环氧树脂模塑料(EMC)，但本公开不限于此。
图4A和图4B是示意性地示出根据实施例的半导体封装件10B和10C的示例的示图。
参照图4A和图4B，在根据实施例的半导体封装件10B中，贯穿第二基板IS的设置在第二区域R2中的散热结构500的至少一部分可暴露于第二基板IS的腔C的侧壁(为了清楚示出散热结构的变型，在图4A和图4B中未示出过孔V)。例如，设置在第二基板IS的第二区域R2中的散热结构500可设置在第二基板IS的腔C的侧壁上，但构造不限于此。此外，电路层在散热结构500的下表面上在横向方向上延伸，并且可用作热传递路径，从而改善散热功能。
如上所述，由于具有散热功能的散热结构500通过腔C的侧壁暴露，因此由第一电子组件D1产生的热更有效地向外传递，从而可改善半导体封装件10B的散热功能。
此外，参照图4B，在根据实施例的半导体封装件10C中，贯穿第二基板IS的设置在第二区域R2中的散热结构500的至少一部分可通过第二基板IS的腔C的侧壁暴露。在这种情况下，设置在腔C的侧壁上的散热结构500可具有在朝向第三基板200(稍后将描述)的方向上逐渐变细的形状。例如，通过腔C的侧壁暴露的散热结构500的截面或尺寸可在最靠近第一基板100的区域中最大。这对应于在第二基板IS中形成腔C的工艺中通过执行诸如激光钻孔、数控机床(CNC)钻孔或喷砂的工艺使得侧壁贯穿散热结构500而获得的结构。可选地，腔C也可通过镀覆和蚀刻方法形成，但形成方法不限于此。
此外，电路层在散热结构500的下表面上在横向方向上延伸，以用作热传递路径，从而改善散热功能。
如上所述，由于具有散热功能的散热结构500通过腔C的侧壁暴露，因此由第一电子组件D1产生的热更有效地向外传递，从而可改善半导体封装件10B的散热功能。
其他组件的描述与上述那些大体上相同，并且将省略其详细描述。
图5是示意性地示出根据实施例的半导体封装件10D的示例的示图。
参照图5，在根据实施例的半导体封装件10D中，可包括模制材料300，其中，第一电子组件D1嵌在模制材料300中，并且在这种情况下，设置在第二基板IS上的散热结构500可包括金属部M，金属部M贯穿模制材料300的一部分并且与第一电子组件D1间隔开。
例如，贯穿第二基板IS的上表面和下表面的散热结构500可包括从腔C的底表面突出的金属部M，并且第一电子组件D1与具有散热功能的散热结构500之间的距离可因金属部M而减小，因此，热可更有效地向外散发。
然而，第一电子组件D1与金属部M不接触，并且可在它们之间形成约20μm至30μm的空间，但构造不限于此。
其他组件的描述与上述那些大体上相同，并且将省略其详细描述。
图6A和图6B是示意性地示出根据实施例的半导体封装件10E和10F的示例的示图。为了简洁，在图6A和图6B中没有示出过孔V。
参照图6A和图6B，根据实施例的半导体封装件10E可包括：第一基板100，在其一个表面上设置有第一电子组件D1；第二基板IS，设置在第一基板100上；以及散热结构500，贯穿第二基板IS的上表面和下表面。在这种情况下，根据实施例的半导体封装件10E还可包括连接第一基板100和第二基板IS的第一连接构件410。在这种情况下，可在第二基板IS的一个表面上形成台阶，并且散热结构500在形成台阶的区域中可设置为多个金属层。
详细地，根据实施例的半导体封装件10E还可包括：第三基板200，第二电子组件D2设置在第三基板200的一个表面上；以及第二连接构件420，连接第三基板200和第二基板IS。在这种情况下，第二连接构件420可与形成第二基板IS的台阶的区域间隔开。例如，第二基板IS可包括其中设置与第三基板200连接的第二连接构件420的区域和其中形成台阶的区域。在这种情况下，其中形成台阶的区域的高度可高于其中设置第二连接构件420的区域的高度。例如，可在第二基板IS的其中形成台阶的区域中设置绝缘层和电路层，使得第二基板IS的其中形成台阶的区域可比外部区域(例如，其中设置第二连接构件420的区域)靠近第三基板200。
散热结构500可设置在形成为高于外周部分的区域中的多个层中。贯穿第二基板IS的散热结构500可用于散发由电子组件产生的热，并且如上所述，散热结构500的与其中设置第一电子组件D1的区域相邻的部分可扩展，从而进一步改善散热效果。
根据实施例的半导体封装件10E的第一电子组件D1可以是无源电子组件、有源电子组件、半导体裸片、芯片电子组件等，但不限于此。例如，第一电子组件D1可表示已知组件，只要其是可安装在印刷电路板上的类型的电子组件即可。
此外，在根据实施例的半导体封装件10E中，第二电子组件D2可设置在第三基板200的一个表面上。第二电子组件D2可以是无源电子组件、有源电子组件、半导体裸片、芯片电子组件等，但不限于此。例如，第二电子组件D2可表示已知组件，只要其是可安装在印刷电路板上的类型的电子组件即可。
根据实施例的半导体封装件10E的第一基板100、第二基板IS和第三基板200均可包括至少一个绝缘层、电路层和过孔。在这种情况下，绝缘层可包括已知的绝缘材料，但是该材料不限于此。详细地，可使用热固性树脂(诸如，环氧树脂)、热塑性树脂(诸如，聚酰亚胺)或通过将无机填料与芯材料(诸如，玻璃纤维(玻璃布、玻璃织物))一起浸渍在热固性树脂或热塑性树脂中而制备的材料(例如，半固化片、味之素堆积膜(ABF，Ajinomoto Build-up Film)、FR-4或双马来酰亚胺三嗪(BT))作为绝缘层的材料。
此外，可使用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)、钯(Pd)或它们的合金的导电材料作为电路层、散热结构500和过孔V中的每者的材料，但不限于此。在这种情况下，过孔V可对应于贯穿第一基板100、第二基板IS和第三基板200中的每个的绝缘层的至少一部分的过孔。
此外，根据实施例的半导体封装件10E的电路层、散热结构500和过孔V中的每者可通过镀覆工艺形成，并且在这种情况下，可包括无电镀层和电解镀层。无电镀层可用作电解镀层的种子层，但构造不限于此。
在这种情况下，填充电路层、散热结构500和过孔V的无电镀层和电解镀层还可包括铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)、钯(Pd)或它们的合金。
在根据实施例的半导体封装件10E中，在设置于其最外层上的绝缘层的一个表面上形成有电路层，该电路层的至少一部分可包括表面处理层，并且表面处理层可包括与电路层中的每个电路层的成分不同的成分。例如，电路层中的每个电路层可包括铜(Cu)，并且表面处理层可包括镍(Ni)或锡(Sn)，但本公开不限于此。
此外，在根据实施例的半导体封装件10E中，还可设置阻焊层，该阻焊层覆盖形成在最外层上的电路层(包括表面处理层)的至少一部分。在这种情况下，阻焊层可利用感光材料形成。此外，阻焊层可具有热固性和/或光固化特性，但本公开不限于此。
此外，连接根据实施例的半导体封装件10E的第一基板100和第二基板IS的第一连接构件410可对应于已知的焊料凸块，并且例如可包括但不限于铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铟(In)、铋(Bi)或其他非反应性金属。
设置在第一基板100上的第一电子组件D1和设置在第三基板200上的第二电子组件D2可分别被模制材料300包埋。在这种情况下，模制材料300可包括已知材料，例如，可包括环氧树脂模塑料(EMC)，但本公开不限于此。
此外，参照图6B，在根据实施例的半导体封装件10F中，腔C可形成在第二基板IS中。在这种情况下，腔C可通过已知的方法形成，并且例如可对应于通过执行诸如激光钻孔、CNC钻孔或喷砂的工艺而获得的结构。可选地，腔C还可通过镀覆和蚀刻方法形成，但形成方法不限于此。
根据实施例的半导体封装件10F的第一电子组件D1可设置在第二基板IS的腔C中，并且第一电子组件D1可表示已知的组件，只要其是可安装在印刷电路板上的类型的电子组件即可。
此外，根据实施例的半导体封装件10F还可包括：模制材料300，设置在第二基板IS的腔C内部，并且密封或包埋第一电子组件D1；以及第三基板200，连接到第二基板IS。在这种情况下，第二电子组件D2可设置在第三基板200的一个表面上。
其他组件的描述与上述那些大体上相同，并且将省略其详细描述。
根据实施例的半导体封装件10F的绝缘层可包括已知的堆积绝缘层的成分。详细地，可使用热固性树脂(诸如，环氧树脂)、热塑性树脂(诸如，聚酰亚胺)或通过将无机填料与芯材料(诸如，玻璃纤维(玻璃布、玻璃织物))一起浸渍在热固性树脂或热塑性树脂中而制备的材料(例如，半固化片、味之素堆积膜(ABF，Ajinomoto Build-up Film)、FR-4或双马来酰亚胺三嗪(BT))作为绝缘层的材料。
其他组件的描述与上述那些大体上相同，并且将省略其详细描述。
如以上所阐述的，根据实施例，可提供包括微电路和/或微过孔的半导体封装件。
根据实施例，可提供可有效地散发由半导体芯片产生的热的半导体封装件。
虽然本公开包括具体示例，但是对于本领域普通技术人员而言将易于理解的是，在不脱离权利要求及其等同方案的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式上和细节上的各种改变。在此描述的示例将仅被认为是描述性的意义，而不是出于限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其他示例中的类似的特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的系统、架构、装置或电路中的组件和/或用其他组件或它们的等同组件替换或补充描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同方案来限定，并且在权利要求及其等同方案的范围内的所有变型将被解释为包括在本公开中。

Claims (19)

1.一种半导体封装件，包括：
第一基板；
第一电子组件，设置在所述第一基板上；
第二基板，设置在所述第一基板上并且设置有腔，所述腔设置在所述第二基板的一个表面中；
第一连接构件，使所述第一基板与所述第二基板彼此连接；
散热结构，设置在所述第二基板上，并且与所述第一连接构件间隔开；
第二连接构件，设置在所述第二基板上；以及
过孔，设置在所述第二基板上，与所述散热结构间隔开，并且连接到所述第一连接构件，
其中，所述第二基板包括其中设置所述腔的第一区域和连接到所述第一基板的第二区域，并且
所述散热结构设置在所述第二基板的所述第一区域和所述第二区域中的每个中。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一电子组件的至少一部分设置在所述第二基板的所述腔中。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，在所述散热结构之中，设置在所述第二基板的所述第二区域中的散热结构设置在所述第二基板的所述腔的侧壁上。
4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，设置在所述第二基板的所述腔的所述侧壁上的所述散热结构在与所述第一基板相邻的区域中具有最大截面。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括模制材料，所述模制材料设置在所述第二基板的所述腔的内部并且密封所述第一电子组件。
6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，设置在所述第二基板的所述第一区域中的所述散热结构包括金属部，所述金属部贯穿所述模制材料的一部分并且与所述第一电子组件间隔开。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：第三基板，连接到所述第二连接构件；以及第二电子组件，设置在所述第三基板的一个表面上。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一连接构件和所述第二连接构件中的每个包括焊料。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述散热结构与所述过孔和所述第一连接构件绝缘。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述过孔设置在所述第二区域中，并且贯穿所述第二区域中的所述散热结构的开口。
11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二基板的与所述一个表面相对的另一表面设置有台阶，并且
所述散热结构在其中设置所述台阶的区域中包括多个金属层。
12.一种半导体封装件，包括：
第一基板，在所述第一基板的一个表面上设置有第一电子组件；
第二基板，设置在所述第一基板上；以及
散热结构，设置在所述第二基板上，
其中，所述第二基板的一个表面设置有台阶，并且
所述散热结构在其中设置所述台阶的区域中包括多个金属层。
13.根据权利要求12所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括第一连接构件，所述第一连接构件连接所述第一基板和所述第二基板。
14.根据权利要求13所述的半导体封装件，其中，所述第一连接构件包括焊料。
15.根据权利要求12所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括密封所述第一电子组件的模制材料。
16.根据权利要求12所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括第三基板，所述第三基板具有第二电子组件，所述第二电子组件设置在所述第三基板的一个表面上。
17.根据权利要求16所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括第二连接构件，所述第二连接构件连接所述第二基板和所述第三基板，
其中，所述第二连接构件与其中设置所述台阶的所述区域间隔开。
18.根据权利要求17所述的半导体封装件，其中，所述第二连接构件包括焊料。
19.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中，所述第二基板包括腔，其中，所述第一电子组件的至少一部分设置在所述第二基板的所述腔中。
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