CN116203304B - 一种低温漂的电流检测电路 - Google Patents

Abstract

本申请涉及电流检测技术领域，具体涉及一种低温漂的电流检测电路，其中电源电压VCC通过第二电阻、第一三极管及第一电流镜结构接地；电源电压VCC通过第一电阻、第四三极管、第二三极管连接至第一电流镜结构；电源电压VCC通过第五三极管、第三三极管及第一可控电流源接地；第二三极管的控制端通过第五开关管及第四电阻接地；电源电压VCC通过第二开关管连接至采样信号节点；电流检测电路根据采样信号节点处的电压对第一开关管和第二开关管进行控制。上述电路可以降低温度对电流检测电路的影响，大大提高电路的安全可靠性。

Description

一种低温漂的电流检测电路

技术领域

本申请涉及电流检测技术领域，具体涉及一种低温漂的电流检测电路。

背景技术

为了实现对电路的保护，通常需要设置电流检测电路对电路中的电流进行检测，从而根据电流检测电路输出的采样信号产生控制信号对电路进行控制，以实现电路的电流保护。

现有技术中的电流检测电路如图1所示，该电流检测电路包括运算放大器A1、第六开关管M6、第七开关管M7和第五电阻R5；其中第六开关管M6中流过功率电流，第七开关管M7中流过检测电流，此时通过第五电阻R5将该检测电流转换为检测电压，并利用运算放大器A1将检测电压与基准电压VREF进行比较，从而得到是否过流的采样信号。

然而，由于运算放大器A1和基准电压VREF都受温度影响，因此，当电路工作温度不同时，运算放大器A1的输出和基准电压VREF的电压值均会出现偏移，从而导致电流检测电路输出的采样信号出现较大误差，大大降低电路的安全可靠性。

发明内容

本申请提供了一种低温漂的电流检测电路，可以降低温度对电流检测电路的影响，大大提高电路的安全可靠性，该技术方案如下：

电源电压VCC依次通过第二电阻R2及第一三极管Q1连接至第四节点E，所述第四节点E通过第一电流镜结构的第一支路连接至接地端GND；

所述电源电压VCC还依次通过第一电阻R1、第四三极管Q4连接至第一节点B，所述第一节点B通过第二三极管Q2连接至所述第四节点E；

所述电源电压VCC还依次通过第五三极管Q5连接至第二节点C，所

述第二节点C依次通过第三三极管Q3、第一可控电流源G1连接至所述接地端GND；所述第一节点B还连接至第五三极管Q5的控制端；所述第二节点C还连接至第四三极管Q4的控制端；

所述第一三极管Q1、所述第二三极管Q2的控制端及所述第三三极管Q3的控制端相连；所述第二三极管Q2的控制端还通过第五开关管M5以及第四电阻R4连接至所述接地端GND；所述第二三极管Q2的控制端还通过第一可控电流源G1连接至所述接地端GND；

所述电源电压VCC还通过第二开关管M2连接至采样信号节点，所述采样信号节点通过第一电流镜结构的第二支路连接至所述接地端GND；

所述电源电压VCC还依次通过第一开关管M1连接至输出端VOUT；

所述电流检测电路根据所述采样信号节点处的电压对所述第一开关管M1和所述第二开关管M2进行控制。

在一种可能的实施方式中，所述第一可控电流源G1的正控制端连接至所述第一节点B，负控制端连接至第三节点D。

在一种可能的实施方式中，所述电流检测电路中还包括采样电路与控制电路；所述采样电路用于对所述采样信号节点处的电压进行检测，并向所述控制电路发送对应的信号；所述控制电路的第一控制端分别与所述第一开关管M1以及第二开关管M2的控制端相连；所述控制电路的第二控制端与所述第五开关管M5的控制端相连。

在一种可能的实施方式中，所述采样电路用于当所述采样电路检测到所述采样信号节点处的电压为高电平时，向所述控制电路发送过流信号；

所述控制电路用于当接收到所述过流信号时，通过所述第一控制端输出第一关断信号。

在一种可能的实施方式中，所述控制电路，用于当所述电流检测电路上电时，通过第二控制端输出导通信号；

所述控制电路，还用于当检测到所述第一三极管Q1的集电极电流大小及所述第二三极管Q2的集电极电流大小满足第一电流条件时，通过第二控制端输出第二关断信号。

在一种可能的实施方式中，所述电流检测电路中还包括第三电阻R3及第一电容C1；

所述输出端VOUT分别通过所述第三电阻R3及所述第一电容C1连接至所述接地端GND；

所述输出端VOUT还连接至所述采样电路。

在一种可能的实施方式中，所述第一可控电流源G1的跨导为所述第二电阻R2的阻值的倒数。

在一种可能的实施方式中，所述第二电阻R2为低温漂电阻或者零温漂电阻。

在一种可能的实施方式中，所述第一电流镜结构的第一支路包括第四开关管M4；所述第一电流镜结构的第二支路包括第三开关管M3；所述第四开关管M4的控制端与所述第三开关管M3的控制端连接；

所述第四节点E通过所述第四开关管M4连接至接地端GND；所述第四节点E还连接至所述第四开关管M4的控制端；

所述采样信号节点通过所述第三开关管M3连接至所述接地端GND。

在一种可能的实施方式中，所述第三开关管M3及所述第四开关管M4为NMOS管；

或者，所述第三开关管M3及所述第四开关管M4为NPN三极管。

在一种可能的实施方式中，所述第二开关管M2与所述第一开关管M1的宽长比为1:N。

在一种可能的实施方式中，所述第一开关管M1及所述第二开关管M2为PMOS管；

或者，所述第一开关管M1及所述第二开关管M2为PNP三极管。

在一种可能的实施方式中，所述第四三极管Q4及所述第五三极管Q5为PNP三极管。

在一种可能的实施方式中，所述第四三极管Q4由X个目标三极管并联构成；所述目标三极管为PNP三极管；所述第五三极管Q5由Y个目标三极管构成；X与Y的比值为A。

在一种可能的实施方式中，所述第五开关管M5为NMOS管或NPN三极管。

本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本申请在未使用运算放大器的基础上，通过各个元器件构建出电流检测电路，因此，在本申请提供的电流检测电路中，避免了由于温度变化导致运算放大器的输出电压和输入的基准电压的电压值出现偏移，从而导致电流检测电路输出的采样信号出现较大误差的情况发生，降低了温度对电流检测电路的影响，从而大大提高电路的安全可靠性；

并且，本申请将第二电阻R2设计为低温漂电阻或者零温漂电阻，此时，第三开关管M3中产生的镜像电流Id即为低温漂电流或者零温漂电流，从而确保该电流检测电路的过流点不受温度影响，大大降低了温度对电流检测电路的影响。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据一示例性实施例示出的现有的电流检测电路的结构示意图。

图2是根据一示例性实施例示出的一种低温漂的电流检测电路的电路结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本申请的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应理解，在本申请的实施例中提到的“指示”可以是直接指示，也可以是间接指示，还可以是表示具有关联关系。举例说明，A指示B，可以表示A直接指示B，例如B可以通过A获取；也可以表示A间接指示B，例如A指示C，B可以通过C获取；还可以表示A和B之间具有关联关系。

在本申请实施例的描述中，术语“对应”可表示两者之间具有直接对应或间接对应的关系，也可以表示两者之间具有关联关系，也可以是指示与被指示、配置与被配置等关系。

图2是根据一示例性实施例示出的一种低温漂的电流检测电路的电路结构示意图。如图2所示，在该电流检测电路中，电源电压VCC依次通过第二电阻R2及第一三极管Q1连接至第四节点E，该第四节点E通过第一电流镜结构的第一支路连接至接地端GND；

该电源电压VCC还依次通过第一电阻R1、第四三极管Q4连接至第一节点B，该第一节点B通过第二三极管Q2连接至该第四节点E；

该电源电压VCC还依次通过第五三极管Q5连接至第二节点C，该第二节点C依次通过第三三极管Q3、第一可控电流源G1连接至该接地端GND；该第一节点B还连接至第五三极管Q5的控制端；该第二节点C还连接至第四三极管Q4的控制端；

该第二三极管Q2的控制端与该第三三极管Q3的控制端相连；该第二三极管Q2的控制端还通过第五开关管M5以及第四电阻R4连接至该接地端GND；该第二三极管Q2的控制端还通过第一可控电流源G1连接至该接地端GND；

该电源电压VCC还通过第二开关管M2连接至采样信号节点，该采样信号节点通过第一电流镜结构的第二支路连接至该接地端GND；

该电源电压VCC还依次通过第一开关管M1连接至输出端VOUT；

该电流检测电路根据该采样信号节点处的电压对该第一开关管M1和该第二开关管M2进行控制。

在一种可能的实施方式中，该第一可控电流源G1的正控制端连接至该第一节点B，负控制端连接至该第三节点D。

在一种可能的实施方式中，该电流检测电路中还包括采样电路与控制电路；该采样电路用于对该采样信号节点处的电压进行检测，并向该控制电路发送对应的信号；该控制电路的第一控制端与该第一开关管M1以及第二开关管M2的控制端相连；该控制电路的第二控制端与该第五开关管M5的控制端相连。

进一步的，该第二三极管Q2的控制端连接至第三节点D，该第三节点D连接至该第三三极管Q3的控制端；该第三节点D还通过第五开关管M5以及第四电阻R4连接至该接地端GND；该第三节点D还通过第一可控电流源G1连接至该接地端GND。

在一种可能的实施方式中，该采样电路用于当该采样电路检测到该采样信号节点处的电压为高电平时，向该控制电路发送过流信号；

该控制电路用于当接收到该过流信号时，通过该控制电路的第一控制端向第一开关管M1输出第一关断信号（该第一关断信号为图2中的控制信号），使得该第一开关管M1关断，从而对电路进行保护。

在一种可能的实施方式中，该控制电路，用于当该电流检测电路上电时，通过该控制电路的第二控制端向第五开关管M5输出导通信号（该控制电路的第二控制端为图2中控制电路的START端口，控制电路此时通过该START端口发出该导通信号），使得该第五开关管M5导通；

该控制电路，还用于当检测到该第一三极管Q1的集电极电流大小及该第二三极管Q2的集电极电流大小满足第一电流条件（该第一电流条件可以为IC1=VEB2/R2，且IC2=VT*lnA/R1，其中，IC1表示流过该第一三极管Q1集电极的电流，IC2表示流过第二三极管Q2集电极的电流，VEB2表示该第二三极管Q2的发射极和基极之间的电压差，R2表示第二电阻的电阻值，VT表示温度的电压当量，R1表示第一电阻的电阻值，A表示该第四三极管Q4中并联的目标三极管的个数与该第五三极管Q5中并联的目标三极管的个数之间的比值）时，通过该控制电路的第二控制端向第五开关管M5输出第二关断信号（该第二关断信号为该控制电路此时通过该START端口发出的使第五开关管M5关断的信号）。

在一种可能的实施方式中，该电流检测电路中还包括第三电阻R3及第一电容C1；

该输出端VOUT分别通过该第三电阻R3及该第一电容C1连接至该接地端GND；

该输出端VOUT还连接至该采样电路。

进一步的，该第三电阻R3为负载电阻，该第一电容C1为滤波电容；该采样电路的电压端依次通过该输出端VOUT及第三电阻R3连接至接地端GND，该采样电路的电压端还依次通过该输出端VOUT及第一电容C1连接至接地端GND。

在一种可能的实施方式中，该第一可控电流源G1的跨导为该第二电阻R2的阻值的倒数。

在一种可能的实施方式中，该第二电阻R2为低温漂电阻或者零温漂电阻。

在一种可能的实施方式中，该第一电流镜结构的第一支路包括第四开关管M4；该第一电流镜结构的第二支路包括第三开关管M3；该第四开关管M4的控制端与该第三开关管M3的控制端连接；

该第四节点E通过该第四开关管M4连接至接地端GND；该第四节点E还连接至该第四开关管M4的控制端；

该采样信号节点通过该第三开关管M3连接至该接地端GND。

在一种可能的实施方式中，该第三开关管M3及该第四开关管M4为NMOS管；

或者，该第三开关管M3及该第四开关管M4为NPN三极管。

进一步的，该第三开关管M3和该第四开关管M4构成1：1的第一电流镜结构，当该第三开关管M3及该第四开关管M4为NMOS管时，该第三开关管M3的控制端及该第四开关管M4的控制端分别为各自的栅极；当该第三开关管M3及该第四开关管M4为NPN三极管时，该第三开关管M3的控制端及该第四开关管M4的控制端分别为各自的基极。

在一种可能的实施方式中，该第二开关管M2与该第一开关管M1的宽长比为1:N。

进一步的，如图2所示，该第一开关管M1为功率开关管，流过功率电流Io；该第二开关管M2为检测开关管，流过检测电流Is；由于该第二开关管M2与该第一开关管M1的宽长比为1:N，因此，Io=N*Is。

在一种可能的实施方式中，该第一开关管M1及该第二开关管M2为PMOS管；

或者，该第一开关管M1及该第二开关管M2为PNP三极管。

进一步的，当该第一开关管M1及该第二开关管M2为PMOS管时，该第一开关管M1的控制端及该第二开关管M2的控制端分别为各自的栅极；当该第一开关管M1及该第二开关管M2为PNP三极管时，该第一开关管M1的控制端及该第二开关管M2的控制端分别为各自的基极。

在一种可能的实施方式中，该第四三极管Q4及该第五三极管Q5为PNP三极管。

进一步的，当该第四三极管Q4及该第五三极管Q5为PNP三极管时，该第四三极管Q4的控制端及该第五三极管Q5的控制端分别为各自的基极。

在一种可能的实施方式中，该第四三极管Q4由X个目标三极管并联构成；该目标三极管为PNP三极管；该第五三极管Q5由Y个目标三极管并联构成；X与Y的比值为A。优选的，该X=A，Y=1，即该第四三极管Q4中并联的目标三极管的个数为A，该第五三极管Q5中并联的目标三极管的个数为1，设流过单个目标三极管集电极的电流为I1，此时，流过第四三极管集电极的电流即为A*I1。

在一种可能的实施方式中，该第五开关管M5为NMOS管或NPN三极管。

进一步的，该第五开关管M5为启动控制开关管，当该第五开关管M5为NMOS管时，该第五开关管M5的控制端为其栅极；当该第五开关管M5为NPN三极管时，该第五开关管M5的控制端为其基极。

基于图2的一种低温漂的电流检测电路的电路结构，其工作原理可以如下所示：

该电流检测电路上电后，控制电路通过第二控制端向第五开关管M5输出导通信号，使得第五开关管M5导通，故此时，第一三极管Q1、第二三极管Q2和第三三极管Q3的基极通过第五开关管M5和第四电阻R4接地，因此，第一三极管Q1、第二三极管Q2和第三三极管Q3导通；此时，由于第二三极管Q2导通，第一节点B处的电压与第三节点D处的电压之间即产生电压差，因此，该第一可控电流源G1中产生第一可控电流IG1，而此时，由于该第四电阻R4被设计较大的阻值，可选为20MΩ-30MΩ，故当该第一可控电流源G1导通产生第一可控电流IG1后，该第四电阻R4中不再流过电流，即第四电阻R4仅作为启动电阻使用；同时，该电源电压VCC通过第二电阻R2和第一三极管Q1将该第三开关管M3和第四开关管M4的控制端拉高，使得该第三开关管M3和该第四开关管M4导通；并且，该第四三极管Q4的基极通过该第三三极管Q3和第一可控电流源G1被拉低，该第四三极管Q4导通，而第五三极管Q5的基极通过第二三极管Q2和第四开关管M4被拉低，因此，该第五三极管Q5导通，故此时，在第四开关管M4中流过电流，在第三开关管M3中产生大小相同的镜像电流Id。

此时，由图2中的低温漂的电流检测电路的结构可知，VD+VEB3=VC，VD+VEB2=VB，其中VD表示第三节点D处的电压，VC表示第二节点C处的电压，VB表示第一节点B处的电压，VEB3表示该第三三极管Q3的发射极和基极之间的电压差，VEB2表示该第二三极管Q2的发射极和基极之间的电压差，因此，VC-VEB3=VB-VEB2；而第一节点B与该第五三极管Q5的基极相连，第二节点C与第四三极管Q4的基极相连，因此，VB=VCC-VEB5，VEB5表示第五三极管Q5的发射极和基极之间的电压差，VC=VCC-IC4*R1-VEB4，R1表示第一电阻R1的阻值，VEB4表示第四三极管Q4的发射极和基极之间的电压差，IC4表示流过该第四三极管Q4集电极中的电流，且由前述记载可知，IC4= A*I1（该第四三极管Q4中并联的目标三极管的个数为A，该五三极管Q5中并联的目标三极管的个数为1）。

综上可得，VCC-IC4*R1-VEB4-VEB3= VCC-VEB5-VEB2，对该式进行处理，可得A*I1*R1+VEB4+VEB3= VEB5+VEB2。

同时，在本领域中，PNP三极管的发射极和基极之间的电压差满足以下公式：VEB=VT*ln(IC/IS)，其中，VEB表示PNP三极管的发射极和基极之间的电压差，IC表示流过三极管集电极的电流，IS表示发射结的反向饱和电流，VT表示温度的电压当量，且VT=0.086mV*K，K表示开尔文温度。

故此时，可得：A*I1*R1+VT*ln(I1/IS)+VT*ln(IC3/IS)=VT*ln(IC5/IS)+ VT*ln(IC2/IS)；其中IC2表示流过该第二三极管Q2集电极的电流，IC3表示流过该第三三极管Q3集电极的电流，IC5表示流过第五三极管Q5集电极的电流。

此时，根据图2的结构可知，第五三极管Q5和第三三极管Q3串联，第四三极管Q4和第二三极管Q2串联，因此，IC2=IC4=A*I1，IC5=IC3，将上述电流关系带入上式可得：A*I1*R1+ VT*ln(I1/IS) = VT*ln(A*I1/IS)，即VT*lnA=A*I1*R1=IC2*R1，此时可得，该第二三极管Q2流入第四节点E处的电流为IC2=(VT*lnA)/R1。

再次回到图2的结构，流入该第四节点E处的电流除了包括第二三极管Q2流出的电流外，还包括第一三极管Q1流出的电流，同时，由上述记载可知，VD=VB-VEB2=VCC-VEB5-VEB2，且由第二电阻R2和第一三极管Q1组成的支路可知，VD=VCC-VEB1-VR2，其中VEB1表示第一三极管Q1发射极和基极之间的电压差，VR2表示第二电阻R2上的压降，因此，VR2=VEB2+VEB5-VBE1。

此时，通过对第一可控电流源G1的参数进行设计，使得流过该第一三极管Q1集电极的电流等于流过该第五三极管Q5集电极的电流，故此时，VEB5=VBE1，VR2=VEB2，因此，流过该第一三极管Q1集电极的电流IC1为VEB2/R2；而根据图2中的电路结构可知，当将第一可控电流源G1的GM（GM即上述跨导）设计为1/R2时，该第一可控电流IG1的大小即为(VB-VD)/R2= VEB2/R2，故当将第一可控电流源G1的正控制端设计为连接该第一节点B，负控制端设计为连接第三节点D，跨导GM设计为1/R2时，流过该第一三极管Q1集电极的电流IC1与流过该第五三极管Q5集电极的电流IC5均等于VEB2/R2。

此时，控制电路对流过该第一三极管Q1集电极的电流IC1和流过该第二三极管Q2集电极的电流IC2进行检测（图中未示出该检测电路），当检测到IC1=VEB2/R2，且IC2=VT*lnA/R1时（即满足上述第一电流条件时），控制电路通过该控制电路的第二控制端（即图2中控制电路的START端口）输出第二关断信号给第五开关管M5，使得第五开关管M5关断，从而将第四电阻R4从该电流检测电路中断开，确保第四电阻R4不影响电流检测电路的正常工作。

在本领域中，当PNP三极管正常导通工作时，其发射极和基极之间的电压差是一个以1.2V为基准的负温度系数电压，该负温度系数为-1.9mv/℃，即VEB2=1.2V-1.9mv*K，K为开尔文温度，即此时，IC1=(1.2V-1.9mv*K)/R2。

由此可知，流入第四节点E的电流大小为(1.2V-1.9mv*K)/R2+ VT*lnA/R1，而又已知温度的电压当量VT=0.086mV*K，因此，流入第四节点E的电流大小可变换为1.2V/R2-(1.9mv*K /R2) + (0.086mv*K*lnA/R1)。

最终，通过选取合适的A值、第一电阻R1的电阻值和第二电阻R2的电阻值，使得1.9/R2=0.086*lnA/R1，从而得到流入第四节点E的电流大小为1.2/R2。故此时，流入第四开关管M4中的电流即为1.2/R2，因此，在第三开关管M3中产生的镜像电流Id=1.2/R2。

同时，该电流检测电路上电之后，在第一开关管M1中产生功率电流Io，在第二开关管M2中产生相应的检测电流Is，此时，当检测电流Is小于镜像电流Id时，采样信号节点处采样的电压为低电平，采样电路不产生过流信号，而当检测电流Is大于镜像电流Id时，采样信号节点处采样的电压为高电平，采样电路产生过流信号，该过流信号输入至该控制电路中，该控制电路的第一控制端向第一开关管M1输出第一关断信号（该第一关断信号为图2中的控制信号），使得该第一开关管M1关断，从而对该电流检测电路进行保护；

此时，当将第二电阻R2设计为低温漂或者零温漂电阻时，镜像电流Id即为低温漂电流或者零温漂电流，从而该确保电流检测电路的过流点不受温度影响，大大降低了温度对电流检测电路的影响；并且，图2的电路结构中未使用运算放大器，因此，可以进一步降低温度对电流检测电路的影响，大大提高该电流检测电路的安全可靠性。

综上所述，本申请在未使用运算放大器的基础上，通过各个元器件构建出电流检测电路，因此，在本申请提供的电流检测电路中，避免了由于温度变化导致运算放大器的输出电压和输入的基准电压的电压值出现偏移，从而导致电流检测电路输出的采样信号出现较大误差的情况发生，降低了温度对电流检测电路的影响，从而大大提高电路的安全可靠性；

并且，本申请将第二电阻R2设计为低温漂电阻或者零温漂电阻，此时，第三开关管M3中产生的镜像电流Id即为低温漂电流或者零温漂电流，从而确保该电流检测电路的过流点不受温度影响，大大降低了温度对电流检测电路的影响。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (15)

1.一种低温漂的电流检测电路，其特征在于，电源电压VCC依次通过第二电阻R2及第一三极管Q1连接至第四节点E，所述第四节点E通过第一电流镜结构的第一支路连接至接地端GND；

所述电源电压VCC还依次通过第一电阻R1、第四三极管Q4连接至第一节点B，所述第一节点B通过第二三极管Q2连接至所述第四节点E；

所述电源电压VCC还依次通过第五三极管Q5连接至第二节点C，所述第二节点C依次通过第三三极管Q3、第一可控电流源G1连接至所述接地端GND；所述第一节点B还连接至第五三极管Q5的控制端；所述第二节点C还连接至第四三极管Q4的控制端；

所述第一三极管Q1、所述第二三极管Q2的控制端及所述第三三极管Q3的控制端相连；所述第二三极管Q2的控制端还通过第五开关管M5以及第四电阻R4连接至所述接地端GND；所述第二三极管Q2的控制端还通过第一可控电流源G1连接至所述接地端GND；

所述电源电压VCC还通过第二开关管M2连接至采样信号节点，所述采样信号节点通过第一电流镜结构的第二支路连接至所述接地端GND；

所述电源电压VCC还依次通过第一开关管M1连接至输出端VOUT；

所述电流检测电路用于根据所述采样信号节点处的电压对所述第一开关管M1和所述第二开关管M2进行控制。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一可控电流源G1的正控制端连接至所述第一节点B，负控制端连接至第三节点D。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电流检测电路中还包括采样电路与控制电路；所述采样电路用于对所述采样信号节点处的电压进行检测，并向所述控制电路发送对应的信号；所述控制电路的第一控制端分别与所述第一开关管M1以及第二开关管M2的控制端相连；所述控制电路的第二控制端与所述第五开关管M5的控制端相连。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述采样电路用于当所述采样电路检测到所述采样信号节点处的电压为高电平时，向所述控制电路发送过流信号；

所述控制电路用于当接收到所述过流信号时，通过所述第一控制端输出第一关断信号。

5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述控制电路，用于当所述电流检测电路上电时，通过第二控制端输出导通信号；

所述控制电路，还用于当检测到所述第一三极管Q1的集电极电流大小及所述第二三极管Q2的集电极电流大小满足第一电流条件时，通过第二控制端输出第二关断信号。

6.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电流检测电路中还包括第三电阻R3及第一电容C1；

所述输出端VOUT分别通过所述第三电阻R3及所述第一电容C1连接至所述接地端GND；

所述输出端VOUT还连接至所述采样电路。

7.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一可控电流源G1的跨导为所述第二电阻R2的阻值的倒数。

8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述第二电阻R2为低温漂电阻或者零温漂电阻。

9.根据权利要求1至8任一所述的电路，其特征在于，所述第一电流镜结构的第一支路包括第四开关管M4；所述第一电流镜结构的第二支路包括第三开关管M3；所述第四开关管M4的控制端与所述第三开关管M3的控制端连接；

所述第四节点E通过所述第四开关管M4连接至接地端GND；所述第四节点E还连接至所述第四开关管M4的控制端；

所述采样信号节点通过所述第三开关管M3连接至所述接地端GND。

10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，所述第三开关管M3及所述第四开关管M4为NMOS管；

或者，所述第三开关管M3及所述第四开关管M4为NPN三极管。

11.根据权利要求1至8任一所述的电路，其特征在于，所述第二开关管M2与所述第一开关管M1的宽长比为1:N。

12.根据权利要求11所述的电路，其特征在于，所述第一开关管M1及所述第二开关管M2为PMOS管；

或者，所述第一开关管M1及所述第二开关管M2为PNP三极管。

13.根据权利要求1至8任一所述的电路，其特征在于，所述第四三极管Q4及所述第五三极管Q5为PNP三极管。

14.根据权利要求1至8任一所述的电路，其特征在于，所述第四三极管Q4由X个目标三极管并联构成；所述目标三极管为PNP三极管；所述第五三极管Q5由Y个目标三极管构成；X与Y的比值为A；X与Y的比值A满足如下公式：

1.9/R2=0.086*lnA/R1；

其中，R1表示第一电阻R1的电阻值、R2表示第二电阻R2的电阻值。

15.根据权利要求1至8任一所述的电路，其特征在于，所述第五开关管M5为NMOS管或NPN三极管。