CN116156985A

CN116156985A - 有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光器件

Info

Publication number: CN116156985A
Application number: CN202211450759.0A
Authority: CN
Inventors: 裵淑英; 李烔仑; 金鐘旭; 安汉镇; 金捘演
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2021-11-19
Filing date: 2022-11-18
Publication date: 2023-05-23
Also published as: GB2614386A; GB202215793D0; US20230165132A1; KR20230073741A; DE102022130534A1

Abstract

公开了一种有机发光二极管(OLED)，其包括设置在两个电极之间的至少一个发光材料(EML)，并且包括第一化合物和第二化合物，所述第一化合物包括具有硼和氧且被至少两个稠合杂芳基取代的稠环，所述第二化合物包括具有硼和氮的稠环；以及一种包括该OLED的有机发光器件。所述第一化合物和所述第二化合物可以是相同的发光材料层或相邻设置的发光材料层。OLED的发光效率和发光寿命可通过应用所述第一化合物和所述第二化合物并调整它们的光致发光波长、吸收波长和能级而得以提高。

Description

有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光器件

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年11月19日在韩国提交的韩国专利申请第10-2021-0160442号的优先权，其全部内容通过引用并入本申请。

技术领域

本公开内容涉及一种有机发光二极管，更具体地，涉及一种具有优异发光特性的有机发光二极管和具有该二极管的有机发光器件。

背景技术

随着显示器件尺寸的增大，需要一种占用空间较小的平面显示器件。在平板显示装置中，利用有机发光二极管(OLED)的显示器而受到关注。

OLED可以形成为厚度小于2000埃的薄膜，并且在电极配置上，可以实现单向或双向图像。此外，OLED可以形成在诸如塑料基板的柔性透明基板上，从而OLED可以轻松实现柔性或可折叠显示。此外，OLED与LCD(液晶显示装置)相比具有优势，例如，OLED可以在较低的10V或更低的电压下驱动，并且具有非常高的色纯度。

在OLED中，当电荷注入到电子注入电极(即阴极)和空穴注入电极(即阳极)之间的发光材料层时，电荷重新结合形成激子，然后随着重新组合的激子转移到稳定的基态而发光。

现有技术的荧光材料因为其发光过程中仅涉及单重态激子，所以发光效率较低。与荧光材料相比，其中三重态激子以及单重态激子参与发光过程的磷光材料具有较高的发光效率。然而，作为代表性磷光材料的金属络合物的发光寿命太短，无法应用于商业设备。

发明内容

因此，本公开内容的实施方式涉及一种OLED和一种包括该OLED的有机发光器件，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。

本公开内容的一个方面是提供一种可以提高发光效率、色纯度和发光寿命的OLED以及包括该二极管的有机发光器件。

随后的说明书中将阐述附加特征和方面，并且部分地从描述中显而易见，或者可以通过实践本文提供的发明构思而获知。本公开内容构思的其他特征和方面可以通过在书面描述中特别强调的或从其得出的结构以及本公开内容的权利要求以及附图来实现和获得。

为了实现本公开内容构思的这些和其他方面，如所体现并广泛描述的，一种有机发光二极管，包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及设置在第一和第二电极之间并且包括至少一个发光材料层的发光层，其中至少一个发光材料层包括第一化合物和第二化合物，并且其中第一化合物具有以下式1的结构，第二化合物具有以下式7的结构：

[式1]

其中，在式1中，

R¹至R⁹各自独立地为氢、氘、氚、卤素、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基氨基、未取代或取代的C₆-C₃₀芳基、或未取代或取代的C₃-C₃₀杂芳基，其中R¹至R⁹中的2至4个是具有以下式2结构的部分，

[式2]

其中，在式2中，

R¹¹至R¹⁸各自独立地为氢、氘、氚、卤素、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基甲硅烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基氨基、未取代或取代的C₆-C₃₀芳基、或未取代或取代的C₃-C₃₀杂芳基、或者

至少R¹¹至R¹⁸中的相邻两个形成具有以下式3结构的未取代或取代的杂芳环，以及

星号表示链接位置，

[式3]

其中，在式3中，

X是NR²⁵、O或S；

R²¹至R²⁵各自独立地为氢、氘、氚、卤素、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基甲硅烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基氨基、未取代或取代的C₆-C₃₀芳基、或未取代或取代的C₃-C₃₀杂芳基；以及

虚线表示稠合部分，

[式7]

其中，在式7中，

R³¹至R³⁴各自独立地为氢、氘、氚、卤素、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基甲硅烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基氨基、未取代或取代的C₆-C₃₀芳基、或未取代或取代的C₃-C₃₀杂芳基，

任选地，

R³¹至R³⁴中的相邻两个基团形成具有硼或氮的未取代或取代的稠环；

R³⁵至R³⁸各自独立地为氘、氚、卤素、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基甲硅烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基氨基、未取代或取代的C₆-C₃₀芳基、或未取代或取代的C₃-C₃₀杂芳基，其中当q为2或更大的整数时每个R³⁵彼此相同或不同，当r为2或更大的整数时每个R³⁶彼此相同或不同，当s为2以上的整数时每个R³⁷彼此相同或不同，当t为2以上的整数时每个R³⁸彼此相同或不同；

q和s各自独立地为0至5的整数；

r为0至3的整数；以及

t是0至4的整数。

第一化合物的起始波长(onset wavelength)可以小于第二化合物的最大吸收波长。例如，第一化合物的起始波长可以在约430nm和约440nm之间。

第一化合物可以包括具有式4的以下结构的有机化合物：

[式4]

其中，在式4中,

R²⁵、R²⁶、R²⁷、R²⁸和R²⁹各自独立地为氢、氘、氚、卤素、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基氨基、未取代或取代的C₆-C₃₀芳基、或未取代或取代的C₃-C₃₀杂芳基；其中R²⁵、R²⁶、R²⁷、R²⁸和R²⁹的两个具有式2的结构。

作为示例，具有式2结构的部分可以选自以下部分：

第二化合物可以包括具有式8A至8C的以下结构的有机化合物：

[式8A]

[式8B]

[式8C]

其中，在式8A至8C中,

R⁴¹至R⁴⁴和R⁵¹至R⁵⁵各自独立地为氢、氘、氚、卤素、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基甲硅烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基氨基、未取代或取代的C₆-C₃₀芳基氨基、未取代或取代的C₆-C₃₀芳基、或未取代或取代的C₃-C₃₀杂芳基。

在一个示例性方面，至少一个发光材料层可以具有单层发光材料层。单层发光材料层还可以包括第三化合物。在这种情况下，基于100wt％的第一化合物、第二化合物、和第三化合物的总重量，单层发光材料层可以包括约10wt％至约40wt％的第一化合物、约0.1wt％至约5wt％的第二化合物和约55wt％至约85wt％的第三化合物。

或者，至少一个发光材料层包括第一发光材料层以及第二发光材料层，第一发光材料层设置在第一和第二电极之间，第二发光材料层设置在第一电极和第一发光材料层之间，或者设置在第一发光材料层和第二电极之间，并且，其中第一发光材料层包括第一化合物，并且第二发光材料层包括第二化合物。第一发光材料层还可以包括第三化合物，第二发光材料层还可以包括第四化合物。

作为示例，第三化合物和/或第四化合物的激发三重态激子能级可以高于第一化合物的激发三重态激子能级，并且第一化合物的激发三重态激子能级可以高于第二化合物的激发三重态激子能级。

或者，第三化合物和/或第四化合物的激发单重态激子能级可以高于第一化合物的激发单重态激子能级，并且第一化合物的激发单重态激子能级可以高于第二化合物的激发单重态激子能级。

或者，第四化合物的激发单重态能级可以高于第二化合物的激发单重态能级。

任选地，当至少一个发光材料层包括第一和第二发光材料层时，至少一个发光材料层还可以包括相对于第一发光材料层与第二发光材料层反向设置的第三发光材料层。

第三发光材料层可以包括第五化合物和第六化合物，并且第五化合物可以包括具有式7结构的有机化合物。

在一个示例性方面，发光层可以包括设置在第一和第二电极之间的第一发光部、设置在第一发光部和第二电极之间的第二发光部以及设置在第一和第二电极之间的电荷产生层。并且其中第一发光部和第二发光部中的至少一个可以包括至少一个发光材料层。

作为示例，第一发光部可以包括至少一个发光材料层，第二发光部可以发出红光和绿光中的至少一种。

或者，发光层还可以包括设置在第二发光部和第二电极之间的第三发光部和设置在第二和第三发光部之间的第二电荷产生层，并且其中第一发光部和第三发光部中的至少一个可以包括至少一个发光材料层。

另一方面，一种有机发光装置，例如有机发光显示装置或有机发光发光装置，包括基板和设置在基板上方的如上的OLED。

应当理解，前述一般描述和以下详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的发明概念的进一步解释。

附图说明

附图包括为提供对本公开内容的进一步理解，并被并入本申请并构成本申请的一部分，说明本公开内容的实施方式并且与说明书一起用于解释本公开内容的原理。

图1是根据本公开内容的有机发光显示器件的示意性电路图。

图2是说明根据本公开内容示例性方面的有机发光显示器件的示意性截面图。

图3是说明根据本公开内容示例性方面的有机发光二极管(OLED)的示意性截面图。

图4是说明根据本公开内容示例性方面的通过控制第一化合物的起始波长和第二化合物的最大吸收波长可以提高OLED的发光效率和色纯度的示意图。

图5是说明根据本公开内容示例性方面的EML中发光材料的单重态和三重态能级的发光机制的示意图。图5是说明在第一化合物的起始波长不具有特定波长范围的情况下OLED的发光效率劣化的示意图。

图6是说明在第一化合物的起始波长大于第二化合物的最大吸收波长的情况下，OLED的发光效率和色纯度劣化的示意图。

图7是说明根据本公开内容示例性方面的EML中的发光材料中的单重态和三重态能级的发光机制的示意图。

图8是说明根据本公开内容的另一个示例性方面的OLED的示意性截面图。

图9是说明根据本公开内容的另一个示例性方面的EML中发光材料的单重态和三重态能级的发光机制的示意图。

图10是说明根据本公开内容的另一个示例性方面的OLED的示意性截面图。

图11是说明根据本公开内容的又一个示例性方面的EML中发光材料中的单重态和三重态能级发光机制的示意图。

图12是说明根据本公开内容的又一个示例性方面的OLED的示意性截面图。

图13是说明根据本公开内容的另一个示例性方面的有机发光显示器件的示意性截面图。

图14是说明根据本公开内容的又一个示例性方面的OLED的示意性截面图。

图15是说明根据本公开内容的另一个示例性方面的有机发光显示器件的示意性截面图。

图16是说明根据本公开内容的又一个示例性方面的OLED的示意性截面图。

图17是说明根据本公开内容的又一个示例性方面的OLED的示意性截面图。

具体实施方式

下面将对本公开内容的各方面、实施方式和示例进行详细的参考和讨论，其中一些示例在附图中示出。

本公开内容涉及一种有机发光二极管(OLED)，其中在相同的EML或相邻设置的EML中应用了具有调整的能级的第一和第二化合物，以及具有该OLED的有机发光器件。OLED可应用于有机发光器件，例如有机发光显示器件和有机发光的发光装置。例如，将描述应用OLED的显示器件。

图1是根据本公开内容的有机发光显示器件的示意性电路图。如图1所示，在有机发光显示器件100中，有栅极线GL、数据线DL和电源线PL，彼此交叉以限定像素区域P。开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td、存储电容器Cst和有机发光二极管D形成在像素区域P内。像素区域P可以包括第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3(图13)。

开关薄膜晶体管Ts连接在栅极线GL和数据线DL，并且驱动薄膜晶体管Td和存储电容器Cst连接在开关薄膜晶体管Ts和电源线PL之间。有机发光二极管D与驱动薄膜晶体管Td连接。当开关薄膜晶体管Ts被施加到栅极线GL的栅极信号导通时，施加到数据线DL的数据信号通过开关薄膜晶体管Ts施加到驱动薄膜晶体管Td的栅极和存储电容器Cst的一个电极。

驱动薄膜晶体管Td由施加到栅极的数据信号导通，使得与数据信号成比例的电流通过驱动薄膜晶体管Td从电源线PL提供给有机发光二极管D。然后，有机发光二极管D发出与流过驱动薄膜晶体管Td的电流成比例的光。在这种情况下，存储电容器Cst被充以与数据信号成比例的电压，使得驱动薄膜晶体管Td中的栅极的电压在一帧期间保持恒定。因此，有机发光显示器件100可以显示期望的图像。

图2是根据本公开内容示例性方面的有机发光显示器件100的示意性截面图。根据本公开内容的所有方面的有机发光器件的所有组件被操作地耦合和配置。如图2所示，有机发光显示器件100包括基板110、基板110上的薄膜晶体管Tr、以及基板110上方并与薄膜晶体管Tr的有机发光二极管(OLED)D连接。

基板110可以包括但不限于玻璃、薄的柔性材料和/或聚合物塑料。例如，柔性材料可以包括但不限于聚酰亚胺(PI)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)及其组合。其上布置有薄膜晶体管Tr和OLED D的基板110形成阵列基板。

缓冲层122可以设置在基板110之上，并且薄膜晶体管Tr设置在缓冲层122之上。可以省略缓冲层122。

半导体层120设置在缓冲层122上方。在一个示例性方面中，半导体层120可以包括但不限于氧化物半导体材料。在这种情况下，可以在半导体层120下方设置遮光图案，并且遮光图案可以防止光入射到半导体层120，从而防止半导体层120被光劣化。或者，半导体层120可以包括但不限于多晶硅。在这种情况下，半导体层120的相对边缘可以掺杂有杂质。

由绝缘材料制成的栅极绝缘层124设置在半导体层120上。栅极绝缘层124可以包括但不限于无机绝缘材料，例如氧化硅(SiO_x)或氮化硅(SiN_x)。

由诸如金属的导电材料制成的栅极130设置在栅极绝缘层124上以对应于半导体层120的中心。而在图2中栅极绝缘层124设置在基板110的整个区域上，栅极绝缘层124可以与栅极130相同地图案化。

由绝缘材料制成的层间绝缘层132设置在栅极130上，覆盖基板110的整个表面。层间绝缘层132可以包括但不限于例如氧化硅(SiO_x)或氮化硅(SiN_x)的无机绝缘材料，或例如苯并环丁烯或光-丙烯的有机绝缘材料。

层间绝缘层132具有暴露于半导体层120两侧的第一半导体层接触孔134和第二半导体层接触孔136。第一半导体层接触孔134和第二半导体层接触孔136设置在栅极130的相对两侧之上，第一和第二半导体层接触孔134和136形成在图2中的栅极绝缘层124内。或者，当栅极绝缘层124与栅极130相同地图案化时，第一和第二半导体层接触孔134和136仅形成在层间绝缘层132内。

由诸如金属的导电材料制成的源极144和漏极146设置在层间绝缘层132上。源极144和漏极146相对于栅极130彼此间隔开，并且分别通过第一和第二半导体层接触孔134和136接触半导体层120的两侧。

半导体层120、栅极130、源极144和漏极146构成用作驱动元件的薄膜晶体管Tr。图2中的薄膜晶体管Tr具有栅极130、源极144和漏极146设置在半导体层120上方的共面结构。或者，薄膜晶体管Tr可以具有栅极设置在半导体层下方并且源极和漏极设置在半导体层上方的倒交错结构。在这种情况下，半导体层可以包括非晶硅。

彼此交叉以限定像素区域P的栅极线GL和数据线DL，以及连接到栅极线GL和数据线DL的开关元件Ts可以进一步形成在图1的像素区域P中。开关元件Ts与作为驱动元件的薄膜晶体管Tr连接。此外，电源线PL与栅极线GL或数据线DL平行地间隔开，并且薄膜晶体管Tr还可以包括存储电容器Cst，存储电容器Cst被配置为在一帧期间恒定地保持栅极130的电压。

此外，有机发光显示装置100可以包括滤色器层，滤色器层包括用于透射从OLED D发射的光的特定波长的光的染料或颜料。例如，滤色器层可以透射特定波长的光例如红色(R)、绿色(G)和/或蓝色(B)。红色、绿色和蓝色滤色器图案中的每一个可以分别设置在每个像素区域P中。在这种情况下，有机发光显示装置100可以通过滤色器层实现全色。

例如，当有机发光显示装置100为底部发射型时，滤色器层可以设置在与OLED D对应的层间绝缘层132上。或者，当有机发光显示装置100为顶部发射型时，滤色器层可以设置在OLED D之上，即，第二电极230。

钝化层150设置在整个基板110上方的源极144和漏极146上。钝化层150具有平坦的顶表面和暴露薄膜晶体管Tr的漏极146的漏极接触孔152。当漏极接触孔152设置在第二半导体层接触孔136上时，它可以与第二半导体层接触孔136间隔开。

OLED D包括设置在钝化层150上并与薄膜晶体管Tr的漏极146连接的第一电极210。OLED D还包括各自依次设置在第一电极210上的发光层220和第二电极230。

第一电极210设置在每个像素区域中。第一电极210可以是阳极并且包括具有相对高功函数值的导电材料。例如，第一电极210可以包括但不限于透明导电氧化物(TCO)。更具体地，第一电极210可以包括但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO))、铈掺杂的氧化铟(ICO)、铝掺杂的氧化锌(Al：ZnO、AZO)等。

在一个示例性方面，当有机发光显示器件100是底部发射型时，第一电极210可以具有透明导电材料的单层结构。或者，当有机发光显示器件100为顶部发射型时，反射电极或反射层可设置在第一电极210下方。例如，反射电极或反射层可包括但不限于银(Ag)或铝钯铜(APC)合金。在顶部发射型OLED D中，第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。此外，堤岸层(bank layer)设置在钝化层150上以覆盖第一电极210的边缘。堤岸层160暴露于对应于像素区域P的第一电极210的中心。

发光层220设置在第一电极210上。在一个示例性方面，发光层220可以具有发光材料层(EML)的单层结构。或者，发光层220可以具有空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、EML、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)(见图3、8、10和12)。一方面，发光层220可以具有单个发光部。或者，发光层220可以具有多个发光部以形成串联结构。

第二电极230设置在其上设置有发光层220的基板110上方。第二电极230可以设置在整个显示区域上并且可以包括相比第一电极210具有相对低的功函数值的导电材料。第二电极230可以是阴极。例如，第二电极230可以包括，但不限于铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)、银(Ag)、它们的合金或其组合，例如铝镁合金(Al-Mg)。当有机发光显示装置100为顶部发射型时，第二电极230较薄以具有透光(半透)特性。

此外，封装膜170可以设置在第二电极230上方，以防止外部湿气渗入OLED D。封装膜170可以具有但不限于无机绝缘膜172、有机绝缘膜174和第二无机绝缘膜176的层压结构。

此外，有机发光显示器件100可以具有偏光器以减少外部光反射。例如，偏光器可以是圆偏光器。当有机发光显示器件100为底部发射型时，偏光器可设置在基板110下方。或者，当有机发光显示器件100为顶部发射型时，偏光器可设置在封装膜170上方。此外，可以将覆盖窗口附接到封装膜170或偏光器。在这种情况下，基板110和覆盖窗可以具有柔性，因此有机发光显示器件100可以是柔性显示器件。

现在，我们将更详细地描述OLED。图3是根据本公开内容示例性方面的OLED的示意性截面图。如图3所示，OLED D1包括彼此面对的第一电极210和第二电极230，以及设置在第一电极210和第二电极230之间的具有单个发光部的发光层220。有机发光显示器件100包括红色像素区域，绿色像素区域和蓝色像素区域，OLED D1可以设置在蓝色像素区域中。

发光层220包括设置在第一电极210和第二电极230之间的EML 240。此外，发光层220可以包括设置在第一电极210和EML 240之间的HTL 260和设置在第二电极230和EML240之间的ETL 270中的至少一个。此外，发光层220还可以包括设置在第一电极210和HTL260之间的HIL 250和设置在第二电极230和ETL 270之间的EIL 280中的至少一个。或者，发光层220还可以包括设置在HTL 260和EML 240之间的EBL 265和/或设置在EML 240和ETL270之间的HBL 275。

第一电极210可以是向EML 240提供空穴的阳极。第一电极210可以包括但不限于具有相对高功函数值的导电材料，例如透明导电氧化物(TCO)。在一个示例性方面，第一电极210可以包括但不限于ITO、IZO、ITZO、SnO、ZnO、ICO、AZO等。

第二电极230可以是向EML 240提供电子的阴极。第二电极230可以包括但不限于具有相对低功函数值的导电材料，例如Al、Mg、Ca、Ag的高反射材料，其合金、其组合等。

EML 240可以包括第一化合物(化合物1)DF1、第二化合物化合物(化合物2)FD和任选的第三化合物(化合物3)H。例如，第一化合物DF可以是延迟荧光材料，第二化合物FD可以是荧光材料，以及第三化合物H可以是主体。

当空穴和电子在EML 240中相遇形成激子时，通过自旋排列以1：3的比例生成具有成对自旋态的单重态激子和具有不成对自旋态的三重态激子。由于传统的荧光材料只能利用单重态激子，因此它们的发光效率很低。磷光材料可以利用三重态激子以及单重态激子，但它们的发光寿命太短而无法应用于商业设备。

第一化合物DF可以是具有热激活延迟荧光(TADF)特性的延迟荧光材料，其可以解决现有技术的荧光和/或磷光材料引发的问题。延迟荧光材料在单重态能级S₁ ^DF与三重态能级T₁ ^DF之间具有非常窄的能级带隙ΔE_ST(图7)。因此，延迟荧光材料的第一化合物DF中的单重态能级S₁ ^DF的激子以及三重态能级T₁ ^DF的激子可以转移到中间能级状态，即ICT(分子内电荷转移)态(S₁ ^DF→ICT←T₁ ^DF)，然后中间态激子可以转移到基态(ICT→S₀)。

延迟荧光材料在单重态能级S₁ ^DF与三重态能级T₁ ^DF之间必须具有等于或小于约0.3eV，例如约0.05至约0.3eV的能级带隙ΔE_ST(图7)，以便单重态能级S₁ ^DF与三重态能级T₁ ^DF之间的激子能量可以转移到ICT态。在单重态能级S₁ ^DF和三重态能级T₁之间具有小的能级带隙ΔE_ST的材料可以表现出具有系间窜越(ISC)的共同荧光，其中单重态能级S₁的激子可以转移到其基态S₀ ^DF，以及具有反向系间窜越(RISC)的延迟荧光，其中三重态能级T₁ ^DF的激子可以向上转换为单重态能级S₁ ^DF的激子，然后单重态能级S₁ ^DF的激子从三重态能级T₁ ^DF转移可以转移到基态S₀ ^DF。

第一化合物DF可以是延迟荧光材料，包括具有硼和氧原子的电子受体基团的第一部分和多个电子供体基团(EDGs)的第二部分。具有延迟荧光特性的第一化合物DF可以具有以下式1的结构：

[式1]

其中，在式1中，

[式2]

其中，在式2中，

R¹¹至R¹⁸中的相邻两个形成具有以下式3结构的未取代或取代的杂芳环，

其中至少R¹¹至R¹⁸中的相邻两个形成具有以下式3结构的未取代或取代的杂芳环，以及

星号表示链接位置，

[式3]

其中，在式3中，

X是NR²⁵、O或S；

虚线表示稠合部分。

如本文所用，术语“取代”的取代基包括但不限于氘、氚、未取代或氘代或卤素取代的C₁-C₂₀烷基、未取代或氘代或卤素取代的C₁-C₂₀烷氧基、卤素、氰基、-CF₃、羟基、羧基、羰基、氨基、C₁-C₁₀烷基氨基、C₆-C₃₀芳基氨基、C₃-C₃₀杂芳基氨基、C₆-C₃₀芳基、C₃-C₃₀杂芳基、硝基、肼基、磺酸酯基、C₁-C₂₀烷基甲硅烷基、C₆-C₃₀芳基甲硅烷基和C₃-C₃₀杂芳基甲硅烷基。

例如，式1中的R¹至R⁹、式2中的R¹¹至R¹⁸和/或式3中的R²¹至R²⁵的C₆-C₃₀芳基、C₃-C₃₀杂芳基、C₆-C₂₀芳环、C₃-C₃₀杂芳环、C₆-C₃₀亚芳基和C₃-C₃₀杂亚芳基可以各自独立地未被取代或被取代，取代基包括，但不限于氘、氚、C₁-C₂₀烷基、C₆-C₃₀芳基和C₃-C₃₀杂芳基C₆-C₃₀芳基氨基和C₃-C₃₀杂芳基氨基中的至少一种。

如本文所用，诸如“杂芳香基”、“杂芳基”、“杂芳基烷基”、“杂芳氧基”、“杂芳基氨基”和“杂亚芳基”等中的术语“杂”是指在构成芳族基团或环的至少一个碳原子，例如1-5个碳原子被至少一个选自N、O、S、P及其组合的杂原子取代。

如本文所用，术语“芳族”或“芳基”是本领域众所周知的。术语包括共价连接的单环或稠环多环基团。芳族基团或芳基可以是未取代的或取代的。例如，可构成式1中的R¹至R⁹、式2中的R¹¹至R¹⁸和/或式3中的R²¹至R²⁵的C₆-C₃₀芳基可以独立地包括但不限于C₆-C₃₀芳基、C₇-C₃₀芳烷基、C₆-C₃₀芳氧基和C₆-C₃₀芳氨基。例如，可构成式1中的R¹至R⁹、式2中的R¹¹至R¹⁸和/或式3中的R²¹至R²⁵的C₆-C₃₀芳基可以独立地包括但不限于非稠合或稠合芳基，例如苯基、联苯基、三联苯基(terphenyl)、萘基、蒽基、戊搭烯基(pentalenyl)、茚基(indenyl)、茚并-茚基(indeno-indenyl)、庚搭烯基(heptalenyl)、联苯烯基(biphenylenyl)、引达省基(indacenyl)、非那烯基(phenalenyl)、菲基(phenanthrenyl)、苯并菲基(benzo-phenanthrenyl)、二苯并菲基(dibenzo-phenanthrenyl)、薁基(azulenyl)、芘基(pyrenyl)、荧蒽基(fluoranthenyl)、三苯烯基(triphenylenyl)、

基(chrysenyl)、四苯烯基(tetraphenylenyl)、并四苯基(tetracenyl)、七曜烯基(pleiadenyl)、起基(picenyl)、五苯烯基(pentaphenylenyl)、并五苯基(pentacenyl)、芴基(fluorenyl)、茚并芴基(indeno-fluorenyl)、和螺芴基。

如本文所用，术语“杂芳族”或“杂芳基”是指在环中包括选自N、O和S的杂原子的杂环，其中环系是芳环。术语包括共价连接的单环或稠环多环基团。杂芳基可以是未取代的或取代的。例如，可构成式1中的R¹至R⁹、式2中的R¹¹至R¹⁸和/或式3中的R²¹至R²⁵的C₃-C₃₀杂芳基可以独立地包括但不限于C₃-C₃₀杂芳基、C₄-C₃₀杂芳基烷基、C₃-C₃₀杂芳氧基、C₃-C₃₀杂芳基氨基。

作为示例，可构成式1中的R¹至R⁹、式2中的R¹¹至R¹⁸和/或式3中的R²¹至R²⁵的C₃-C₃₀杂芳族基和/或C₃-C₃₀杂芳基可以独立地包括但不限于未稠合的或稠合杂芳基，例如吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、咪唑基、吡唑基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、中氮茚基(indolizinyl)、吡咯嗪基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚咔唑基，茚并-咔唑基、苯并呋喃-咔唑基、苯并噻吩基咔唑基、咔啉基、喹啉基、异喹啉基、酞嗪基、喹喔啉基、肉桂基、喹唑啉基、喹啉基、嘌呤基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基，苯并喹喔啉基、吖啶基、吩嗪基、吩恶嗪基、吩噻嗪基、菲咯啉基、哌啶基、菲啶基、蝶啶基、萘啶基、呋喃基、吡喃基、恶嗪基、恶唑基、恶二唑基、三唑基、二恶烷基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻喃基(thiopyranyl)、氧杂蒽基、色烯基、噻嗪基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、二呋喃-吡嗪基、苯并呋喃-二苯并呋喃基、苯并噻吩基-苯并噻吩基、苯并噻吩基-二苯并噻吩基、苯并噻吩基-苯并呋喃基、苯并噻吩基-二苯并呋喃基、N-取代螺-芴基、螺-芴-吖啶基和螺-芴-氧杂蒽基。

此外，式2中R¹¹至R¹⁸中的两个相邻基团形成的C₆-C₂₀芳环和C₃-C₂₀杂芳环，但不限于苯环、萘环、茚环、菲环、茚环、芴环、吡啶环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、吲哚环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环和/或它们的组合，其各自可以未被取代或被氘、氚、C₁-C₂₀烷基、C₆-C₃₀芳基、C₃-C₃₀杂芳基、C₆-C₃₀芳基氨基、C₃-C₃₀杂芳基氨基中的至少一种取代。

例如，可构成式1中的R¹至R⁹、式2中的R¹¹至R¹⁸和/或式3中的R²¹至R²⁵的C₆-C₂₀芳基、C₃-C₃₀杂芳基、稠合芳环和稠合杂芳环可以是未取代的或被C₁-C₁₀烷基(例如C₁-C₅烷基，例如叔丁基)、C₆-C₃₀芳基(例如C₆-C₁₅芳基例如苯基)、C₃-C₃₀杂芳基(例如C₃-C₁₅杂芳基如吡啶基)和/或C₆-C₃₀芳基氨基(例如C₆-C₁₅芳基如二苯基氨基)中的至少一种取代。

在式1中，具有硼和氧原子的稠合杂芳环充当电子受体基团部分，具有至少一个氮原子的具有式2结构的稠合杂芳环充当电子供体基团(EDG)部分。因此，具有式1结构的有机化合物可以具有延迟荧光特性。

由于具有式2结构的电子供体基团部分包括在侧苯环之间具有氮原子的5元环，因此该部分显示改进的热稳定性作为电子供体基团部分和电子受体基团之间的键强度部分最大化。具有延迟荧光特性的第一化合物DF具有优异的发光效率，使得激子能量可以有效地从第一化合物DF传递到第二化合物FD，从而EML 240可以实现超荧光。

具有式1结构的第一化合物DF包括具有稠环的第一部分和多个(例如，二至四个、二或三、或二个)第二部分，其中第一部分具有作为电子受体基团的硼和氧原子作为稠环的核原子，以及，第二部分的每个都具有式2的结构作为电子供体基团。由于各自包括多个稠环的电子受体基团和电子供体基团的体积大，可以在这些部分中诱导空间位阻。此外，由于在分子内相邻排列有多个大体积的电子供体部分，因此可以在这些电子供体部分之间诱导空间位阻。因此，第一化合物DF的延迟荧光特性变强。

第一化合物DF具有分子构象，其中多个电子供体部分在具有硼和氧原子的中心稠合杂环的电子受体部分的外侧相邻地排列。虽然部分HOMO(最高占据分子轨道)函数与第一化合物DF的分子中的部分LUMO(最低未占据分子轨道)函数重叠，但可以最小化HOMO以向中心电子供体延伸部分。因此，具有式1结构的第一化合物DF可以实现高分子内电荷迁移率效率并实现非常高的量子效率。

诱导多个电子供体部分的第一化合物DF被设计成使其分子空间位阻最大化并且在HOMO函数和LUMO函数之间部分重叠。作为第一化合物DF的分子内电荷迁移率，第一化合物具有增强的延迟荧光特性。激发单重态能级S1^DF和激发三重态能级T1^DF之间的能级带隙ΔE_ST非常窄(图7)，随着自旋轨道耦合(SOC)变强，RISC可以快速实现。

具有式1至3的第一化合物DF具有延迟荧光特性，以及适当的单重态和三重态能级、HOMO和LUMO能级以及用于将激子能量有效转移到第二化合物FD的优异发光特性。

作为示例，第一化合物DF可以具有两个电子供体基团部分，每个电子供体基团部分独立地具有式2的结构。在一个示例性方面中，两个电子供体基团部分可以连接苯环中的每一个，苯环通过在构成第一化合物DF中的电子受体基团部分的稠合杂环中稠合硼原子和氧原子而形成。在另一个示例性方面，两个电子供体基团部分可以连接到苯环中的一个，两个苯环一个通过稠合构成电子受体基团部分的稠合杂环中的硼原子和氧原子形成，另一个苯环通过稠合第一化合物DF中的两个氧原子而形成。在又一个示例性方面，两个电子供体基团部分可以连接至通过稠合构成第一化合物DF中的电子受体基团部分的两个氧原子而形成的苯环。例如，第一化合物DF可以具有式4的以下结构：

[式4]

其中，在式4中,

作为示例，式4中的R²⁵、R²⁶、R²⁷、R²⁸和R²⁹的C₆-C₃₀芳基和C₃-C₃₀杂芳基中的每一个可以独立地未被取代或被氘、氚、C₁-C₂₀烷基、C₆-C₃₀芳基、C₃-C₃₀杂芳基、C₆-C3₀芳基氨基和C₃-C₃₀杂芳基氨基中的至少一种取代。

式2中相邻的R¹¹至R¹⁸中的至少两个可以形成具有式3结构的稠合杂芳环。例如，式2中相邻的R¹¹至R¹⁸中的至少两个可以形成未取代或取代的茚环、未取代的或取代的吲哚环或未取代或取代的苯并呋喃环或未取代或取代的苯并噻吩环。因此，作为电子供体基团部分的具有式2结构的杂芳基部分可包括但不限于未取代或取代的茚并咔唑基部分、未取代或取代的吲哚-咔唑基部分、未取代或取代的苯并呋喃-咔唑基部分和未取代或取代的苯并噻吩并-咔唑基部分。作为示例，具有式2结构的电子供体基团部分可以选自但不限于以下式5部分：

[式5]

/>

更具体地，第一化合物DF可以选自但不限于具有以下式6结构的有机化合物：

[式6]

/>

/>

/>

/>

延迟荧光材料的第一化合物DF在激发单重态能级S₁ ^DF和激发三重态能级T₁ ^DF之间的能带隙ΔE_ST很小，等于或小于约0.3eV(图7)，并因为第一化合物DF的激发三重态激子能量通过RISC转换为其激发的单重态激子，显示出优异的量子效率。然而，由于电子供体基团部分和电子受体基团部分之间的结合结构，第一化合物DF具有扭曲的化学构象。由于第一化合物DF利用三重态激子，在第一化合物DF中诱导了附加电荷迁移跃迁(CT跃迁)。具有式1至6结构的第一化合物DF具有宽的半峰全宽(FWHM)，因此由于CT发光机制引起的发光特性，使得在色纯度上受到限制。

当EML 240仅包括第一化合物DF作为发光体时，第一化合物DF的三重态激子能量不能有效地促进发光，并且由于例如如TTA(三重态-三重态湮灭)和/或TPA(三重态-极化子湮灭)猝灭机制，可能会缩短OLED D1的发光寿命。

EML 240包括荧光材料的第二化合物FD，以最大化延迟荧光材料的第一化合物DF的发光特性并实现超荧光。如上，延迟荧光材料的第一化合物DF可以利用单重态激子能量和三重态激子能量。当EML 240包括与延迟荧光材料的第一化合物DF相比，具有适当能级的荧光材料的第二化合物FD时，第二化合物FD可以吸收从第一化合物DF1释放的激子能量，然后第二化合物FD可以利用吸收的激子能量产生100％的单重态激子，并最大化其发光效率。

第一化合物DF的单重态激子能量，包括第一化合物DF从其自身的三重态激子能量转换的单重态激子能量和第一化合物DF在EML 240中的初始单重态激子能量，第一化合物DF的单重态激子能量，通过Forster共振能量转移(FRET)机制转移到同一EML 240中荧光材料的第二化合物FD，并最终发光发生在第三化合物FD。具有与第一化合物DF的光致发光光谱广泛重叠的吸收光谱的有机材料可以用作第二化合物FD，使得在第一化合物DF处产生的激子能量可以有效地转移到第二化合物FD。由于最终发光的第二化合物FD具有窄的FWHM和优异的发光寿命，因此可以提高从OLED D1发出的色纯度和OLED D1的发光寿命。

EML 240中的第二化合物FD可以是蓝色荧光材料。例如，被引入EML 240的第二化合物FD可以是具有等于或小于约35nm FWHM的硼基荧光材料。

作为示例，硼基荧光材料的第二化合物FD可以具有以下式7的结构：

[式7]

其中，在式7中，

R³¹至R³⁴各自独立地为氢、氘、氚、卤素、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基甲硅烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基氨基、未取代或取代的C₆-C₃₀芳基、或未取代或取代的C₃-C₃₀杂芳基；

任选地，

R³¹至R³⁴的两个相邻基团形成具有硼和氮的未取代或取代的稠环；

R³⁵至R³⁸各自独立地为氘、氚、卤素、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基甲硅烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基氨基、未取代或取代的C₆-C₃₀芳基、或未取代或取代的C₃-C₃₀杂芳基，其中当q为2或更大的整数时各R³⁵彼此相同或不同，当r为2或更大的整数时各R³⁶彼此相同或不同，当s为2以上的整数时各R³⁷彼此相同或不同，当t为2以上的整数时各R³⁸彼此相同或不同；

q和s各自独立地为0至5的整数；

r为0至3的整数；以及

t是0至4的整数。

例如，构成R³¹至R³⁸的C₆-C₃₀芳基、C₃-C₃₀杂芳基和具有硼和氮的稠环中的每一个可以独立地未取代或被氘、氚、C₁-C₂₀烷基、C₆-C₃₀芳基、C₃-C₃₀杂芳基、C₆-C₃₀芳基氨基和/或C₃-C₃₀杂芳基氨基中的至少一种取代。

与式1至3类似，式7中每个构成R³¹至R³⁸中的的C₆-C₃₀芳基可以独立地包括但不限于C₆-C₃₀芳基、C₇-C₃₀芳烷基、C₆-C₃₀芳氧基和C₆-C₃₀芳基氨基。式7中每个构成R³¹至R³⁸的C₃-C₃₀杂芳基可以独立地包括但不限于C₃-C₃₀杂芳基、C₄-C₃₀杂芳基烷基、C₃-C₃₀杂芳氧基和C₃-C₃₀杂芳基氨基。

具有式7结构的硼基化合物的第二化合物FD具有优异的发光特性。由于具有式7结构的硼基化合物的第二化合物FD包括宽板状分子构象，因此第二化合物FD可以有效地接受从第一化合物DF释放的激子能量并最大化EML240中的发光效率。

在一个示例性方面，式7中的R³¹至R³⁴可以相互结合。或者，式7中的R³²和R³³可以与硼和氮原子形成稠环。作为示例，第二化合物FD可以包括具有式8A至8C的结构的硼基有机化合物。

[式8A]

[式8B]

[式8C]

其中，在式8A至8C中，

作为示例，R⁴¹至R⁴⁴和R⁵¹至R⁵⁵中的C₆-C₃₀芳基和C₃-C₃₀杂芳基中的每一个可以独立地未被取代或被氘、氚、C₁-C₂₀烷基、C₆-C₃₀芳基、C₃-C₃₀杂芳基、C₆-C₃₀芳基氨基和/或C₃-C₃₀杂芳基氨基中的至少一种取代。

更具体地，硼基有机化合物的第二化合物FD可以选自但不限于具有以下式9结构的有机化合物：

[式9]

/>

/>

/>

EML 240中的第三化合物H可以包括与第一化合物DF和/或第二化合物FD相比，在HOMO能级和LUMO能级之间具有更宽的能级带隙的任何有机化合物。作为示例，当EML 240包括主体的第三化合物H时，第一化合物DF可以是第一掺杂剂，第二化合物FD可以是第二掺杂剂。

在一个示例性方面，可引入在EML 240中的第三化合物H可包括但不限于4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、3,3'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(mCBP)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、9-(3-(9H-咔唑-9)-基)苯基)-9H-咔唑-3-腈(mCP-CN)、二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚(DPEPO)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并噻吩(PPT)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯(TmPyPB),2,6-二(9H-咔唑-9-基)吡啶(PYD-2Cz)、2,8-二(9H-咔唑-9-基)二苯并噻吩(DCzDBT),3',5'-二(咔唑-9-基)-[1,1'-联苯]-3,5-二甲腈(DCzTPA)、4'-(9H-咔唑-9-基)联苯-3,5-二甲腈(4'-(9H-咔唑-9-基)联苯-3,5-二甲腈(pCzB-2CN)、3'-(9H-咔唑-9-基)联苯-3,5-二甲腈(mCzB-2CN)、二苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基-氧化膦(TSPO1)、9-(9-苯基-9H-咔唑-6-基)-9H-咔唑(CCP)、4-(3-(三亚苯基-2-基)苯基)二苯并[b,d]噻吩、9-(4-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-3,9'-联咔唑、9-(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-3,9'-联咔唑、9-(6-(9H-咔唑-9-基)吡啶)-9H-3,9'-联咔唑及其组合。

在一个示例性方面，当EML 240包括第一化合物DF、第二化合物FD和第三化合物H时，EML 240中第三化合物H的含量可以大于第一化合物的含量。EML 240中的第一化合物DF的含量可以大于EML 240中的第二化合物FD的含量。当第一化合物DF的含量大于第二化合物FD的含量时，激子能量可以通过FRET机制有效地从第一化合物DF传递到第二化合物FD。例如，EML 240中的第三化合物H含量可以是大约55wt％到大约85wt％，EML 240中的第一化合物DF的含量可以为约10wt％至约40wt％，例如约10wt％至约30wt％，并且EML 240中的第二化合物FD的含量可以为约0.1wt％至约5wt％，例如约0.1wt％至约2wt％，但不限于此。

需要控制第一化合物DF和第二化合物FD之间的光致发光波长和吸收波长，以提高OLED D1的发光效率和色纯度。图4是说明根据本公开内容的示例性方面，通过控制第一化合物的起始波长和第二化合物的最大吸收波长可以提高OLED的发光效率和色纯度的示意图。

如图4所示，当第一化合物DF的光致发光(PL)光谱PL^DF和第二化合物FD的吸收光谱Abs^FD之间的重叠程度变大时，可以改善激子能量从第一化合物DF到第二化合物FD的传递效率。作为示例，第一化合物DF的最大光致发光波长λ_PL.max ^DF与第二化合物FD的最大吸光度波长λ_Abs.max ^FD之间的距离可以等于或小于大约30nm，例如大约20nm。第一化合物DF的最大PL波长λ_PL.max ^DF可以在大约460nm和大约480nm之间，例如大约470nm和大约480nm。

在一个示例性方面，第一化合物DF的起始波长λ_onset ^DF可以在大约430nm和大约440nm之间。如本文所用，术语“起始波长”表示在有机化合物的PL光谱中的短波长区域的线性区域中外推线和X轴(波长)相交的点处的波长值。更具体地，起始波长可以定义为对应于具有对应于PL光谱中最大值的1/10的发射强度的两个波长中的较短波长的波长。第一化合物DF的起始波长λ_onset ^DF可以与第二化合物FD的最大吸收波长λ_Abs.max ^FD相同或更短。作为示例，第二化合物FD的最大吸光度波长λ_Abs.max ^FD可以等于或大于约440nm，例如在约440nm和约470nm之间或在约450nm和约460nm之间。

当第一化合物DF的起始波长λ_onset ^DF介于约430nm和约440nm之间并且等于或小于第二化合物FD的最大吸收波长λ_Abs.max ^FD时，初始单重态激子能量和通过第一化合物DF的RISC机制转换的单重态激子能量可以有效地转移到第二化合物FD。

由于第一化合物DF包括多个电子供体基团部分，第一化合物DF显示出非常大的空间位阻。因此，控制第一化合物DF分子中的HOMO和LUMO可以使其分子内电荷迁移效率最大化，从而可以迅速发生第一化合物DF从三重态向单重态的转变。因此，在第一化合物DF中产生的三重激子可以通过RISC机制向上转换其自身的单重激子，而不会转移到第二化合物FD。第一个化合物DF中产生的单重态激子能量通过FRET机制转移到第二化合物FD，此过程非常迅速。

因此，当在第一化合物DF中产生的三重态激子向上转换其自身的单重态激子时，第一化合物DF转换的单重态激子可以迅速转移到第二化合物FD的单重态激子。因此，激子能量可以从第一化合物DF有效地传递到第二化合物FD，从而可以最大化OLED D1的发光效率。

相反，如图5所示，当第一化合物DF的起始波长λ_onset ^DF小于430nm时，第一化合物DF可能表现出较低的延迟荧光性质和/或作为主体的第二化合物H向第一化合物DF转移激子能量必须具有非常高的激发的三重态能级T₁ ^H。在这种情况下，在第一化合物DF中产生的三重态激子不会通过RISC转换其自身的单重态激子，而是转移到第二化合物FD的三重态激子上。由于转移到第二化合物FD的三重激子在不涉及发光过程的情况下被猝灭，所以OLED的发光效率会劣化。

另外，当第一化合物的起始波长λ_onset ^DF长于440nm时，第一化合物DF的最大PL波长λ_PL.max ^DF与第二化合物FD的最大吸收波长λ_Abs.max ^FD过度间隔开。随着第一化合物DF的PL光谱PL^DF和第二化合物FD的吸收光谱Abs^FD之间的重叠程度降低，从第一化合物DF到第二化合物FD的激子能量转移效率降低。由于未转移到第二化合物FD的激子保留在第一化合物FD中，保留在第一化合物DF中的激子猝灭为不发光，因此OLED D1的发光效率降低。此外，当第一化合物DF和第二化合物FD同时发光时，OLED D1的色纯度会劣化。

类似地，如图6所示，当第一化合物DF的起始波长λ_onset ^DF长于第二化合物FD的最大吸收波长λ_Abs.max ^FD时，作为第一化合物DF的PL光谱PL^DF与第二化合物FD的吸收光谱AbsFD的重叠程度降低，从第一化合物DF到第二化合物FD的激子能量转移效率降低。由于未转移到第二化合物FD的激子保留在第一化合物FD中，保留在第一化合物DF中的激子猝灭为不发光，因此OLED D1的发光效率降低。此外，当第一化合物DF和第二化合物FD同时发光时，OLEDD1的色纯度会劣化。

换言之，当第一化合物DF的起始波长λ_onset ^DF超过440nm和/或第一化合物DF的起始波长λ_onset ^DF大于第二化合物FD的最大吸收波长λ_Abs.max ^FD时，第一化合物DF的激发单重态能级S₁ ^DF状态的一部分激子通过系间窜越(ISC)转换为激发三重态能级T₁ ^DF。第一化合物中处于三重态能级T₁ ^DF的激子没有通过RISC向上转换其激发的单重态能级S₁ ^DF，因此产生了保持在激发三重态能级T₁ ^DF的三重态激子。由于这种三重态激子与外围三重态激子或极化子相互作用，它们被TTA和/或TPA淬灭。

此外，应适当调整EML 240中主体的第三化合物H、延迟荧光材料的第一化合物DF和荧光材料的第二化合物FD之间的HOMO能级和/或LUMO能级。例如，为了实现超荧光，主体必须诱导在延迟荧光材料处产生的三重态激子参与发光过程，而不会像非辐射重组那样猝灭。为此，应调整主体的第三化合物H、延迟荧光材料的第一化合物DF和荧光材料的第二化合物FD之间的能级。

例如，主体的第三化合物H的HOMO能级HOMO^H可以比延迟荧光材料的第一化合物DF的HOMO能级HOMO^DF更深，并且第三化合物H的LUMO能级LUMO^H可以比第一化合物DF的LUMO能级LUMO^DF浅。换言之，第三化合物H的HOMO能级HOMO^H和LUMO能级LUMO^H之间的能级带隙可以比第一化合物DF的HOMO能级HOMO^DF和LUMO能级LUMO^DF之间的能级带隙宽。

作为示例，第三化合物H的HOMO能级(HOMO^H)和第一化合物DF的HOMO能级(HOMO^DF)之间的能级带隙(|HOMO^H-HOMO^DF|)，或第三化合物H的LUMO能级(LUMO^H)与第一化合物DF的LUMO能级(LUMO^DF)之间的能级带隙(|LUMO^H-LUMO^DF|)可以等于或小于约0.5eV，例如，在约0.1eV至约0.5eV之间。在这种情况下，电荷可以有效地从第三化合物H传输到第一化合物DF，从而提高OLED D1的最终发光效率。

此外，第一化合物DF的HOMO能级HOMO^DF和第二化合物的HOMO能级HOMO^FD之间的能级带隙(|HOMO^DF-HOMO^FD|)可以小于约0.3eV，例如，等于或小于约0.2eV。在这种情况下，注入到EML 240中的空穴可以迅速转移到第一化合物DF。因此，第一化合物DF可以利用初始单重态激子能量和通过RISC机制从三重态激子能量转换的单重态激子能量实现100％的内量子效率，并且第一化合物DF可以有效地将激子能量转移到第二化合物FD。

在另一个示例性方面，第一化合物DF的LUMO能级LUMO^DF可以与第二化合物FD的LUMO能级LUMO^FD相同或更浅。作为示例，第一化合物DF的LUMO能级LUMO^DF和第二化合物的LUMO能级LUMO^FD之间的能级带隙可以等于或小于约0.5eV，例如约0.2eV。在这种情况下，注入到EML 240中的电子可以快速转移到第一化合物DF。

相反，当第一化合物DF的HOMO能级HOMO^DF和第二化合物FD的HOMO能级HOMO^FD之间的能级带隙(|HOMO^DF-HOMO^FD|)等于或大于0.3eV时，注入到EML 240中的空穴不会从主体的第三化合物H转移到第一化合物DF，而是被捕获第二化合物FD中。在第二化合物FD处捕获的空穴直接重组以形成能够发光的激子。由于第一化合物DF的三重态激子能量被猝灭而不有助于发光，因此EML 240的发光效率降低。

此外，当第一化合物DF的LUMO能级LUMO^DF比第二化合物FD的LUMO能级LUMO^FD深时，在第二化合物FD中捕获的空穴与转移到第一化合物FD的电子之间形成激基复合物。由于第一化合物DF的三重态激子能量在不发光的情况下被猝灭，因此EML 240中的发光效率会劣化。另外，由于形成激基复合物的LUMO能级和HOMO能级之间的能带隙过窄，所以发射波长更长的光。由于第一化合物DF和第二化合物FD同时发光，因此EML 240发出的光由于更宽的FWHM而具有劣化的色纯度。

作为示例，第一化合物DF可以具有但不限于在约-5.5eV和约-5.7eV之间的HOMO能级HOMO^DF和在约-2.5eV和约2.8eV之间的LUMO能级LUMO^DF。第二化合物FD可以具有但不限于在约-5.3eV和约-5.6eV之间的HOMO能级HOMO^FD和在约-2.7eV和约-2.9eV之间的LUMO能级LUMO^FD。

第一化合物DF的HOMO能级HOMO^DF和LUMO能级LUMO^DF之间的能级带隙可以比第二化合物FD的HOMO能级HOMO^FD和LUMO能级LUMO^FD之间的能级带隙更宽。在一个示例性方面，第一化合物DF的HOMO能级HOMO^DF和LUMO能级LUMO^DF之间的能级带隙可以在约2.6eV和约3.1eV之间，例如，约2.7eV和约3.0eV。第二化合物FD的HOMO能级HOMO^FD和LUMO能级LUMO^FD之间的能级带隙可以在约2.4eV和约2.9eV之间，例如约2.5eV和约2.8eV。在这种情况下，在第一化合物DF中产生的激子能量可以有效地传递到第二化合物FD中，其中发生了足够的光发射。

在调整第一化合物DF的光致发光波长范围和第二化合物FD的吸收波长范围以及这些化合物之间的HOMO和LUMO能级的情况下，激子可以在延迟荧光材料的第一化合物DF中重新结合，因此，利用RISC机制可以实现100％的内量子效率。通过RISC将第一化合物DF中产生的激发单重态激子能量通过FRET传递给荧光材料的第二化合物FD，从而在第二化合物FD中发生有效的发光。因此，可以实现具有优异色纯度的OLED D1。

现在，我们将描述EML 240中的发光机制。图7是说明根据本公开内容的一个示例性方面的EML中发光材料中的单重态和三重态能级的发光机制的示意图。如图7示意性所示，在EML 240中可作为主体的第三化合物H的单重态能级S₁ ^H高于具有延迟荧光特性的第一化合物DF的单重态能级S₁ ^DF。此外，第三化合物H的三重态能级T₁ ^H可以高于第一化合物DF的三重态能级T₁ ^DF。作为示例，第三化合物H的三重态能级T₁ ^H可以比第一化合物DF的三重态能级T₁ ^DF高至少约0.2eV，例如至少约0.3eV，例如至少约0.5eV.

当第三化合物H的三重态能级T₁ ^H和/或单重态能级S₁ ^H没有足够高于第一化合物DF的三重态能级T₁ ^DF和/或单重态能级S₁ ^DF时，处于第一化合物DF的三重态能级的激子T₁ ^DF可以反向转移到第三化合物H的三重态能级T₁ ^H。在这种情况下，三重态激子反向转移到不能发射三重态激子的第三化合物H上而被淬灭为不发射，因此具有延迟荧光特性的第一化合物DF的三重态激子能量对发光没有贡献。作为示例，具有延迟荧光特性的第一化合物DF可以具有在单重态能级S₁ ^DF和三重态能级T₁ ^DF之间的能级带隙ΔEST等于或小于约0.3eV，例如在约0.05eV和约0.3eV之间。

此外，在EML 240中通过RISC转化为ICT复合物的延迟荧光材料的第一化合物DF中产生的单重态激子能量应有效地转移到荧光材料的第二化合物FD中以便实现具有高发光效率和高色纯度的OLED D1该单线态激子能量。为此，延迟荧光材料的第一化合物DF的单重态能级S₁ ^DF高于荧光材料的第二化合物FD的单重态能级S₁ ^FD。可选地，第一化合物DF的三重态能级T₁ ^DF可以高于第二化合物FD的三重态能级T₁ ^FD。

由于第二化合物FD可以同时利用第一化合物DF的单重态激子能量和三重态激子能量，因此可以最大化OLED D1的发光效率。此外，由于减少了诸如TTA和/或TPA的猝灭现象，OLED D1的发光寿命可以大大提高。

返回图3，HIL 250设置在第一电极210和HTL 260之间，并改善无机第一电极210和有机HTL 260之间的界面特性。在一个示例性方面，HIL 250可以包括但不限于，4,4'4”-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、4,4',4”-三(N,N-二苯基-氨基)三苯胺(NATA)、4,4',4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(1T-NATA)、4,4',4”-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(2T-NATA)、铜酞菁(CuPc)、三(4-咔唑-9-基-苯基)胺(TCTA)、N,N'-二苯基-N,N'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4”-二胺(NPB；NPD)、1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯六甲腈(二吡嗪[2,3-f：2'3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈；HAT-CN)、1,3,5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺及其组合。根据OLED D1的结构，可以省略HIL 250。

HTL 260设置在HIL 250和EML 240之间。在一个示例性方面，HTL 260可以包括但不限于N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、NPB、CBP、聚[N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺](聚-TPD)、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4′-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)](TFB)、二-[4-(N,N-二-对甲苯基-氨基)-苯基]环己烷(TAPC)、5-二(9H-咔唑-9-基)-N,N-二苯基苯胺(DCDPA)、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、N-(联苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯-4-胺及其组合。

ETL 270和EIL 280可以依次地层压在EML 240和第二电极230之间。ETL 270包括具有高电子迁移率的材料，以便通过快速电子转移向EML 240稳定地提供电子。在一个示例性方面，ETL 270可以包括但不限于基于恶二唑的化合物、基于三唑的化合物、基于菲咯啉的化合物、基于苯并恶唑的化合物、基于苯并噻唑的化合物、基于苯并咪唑的化合物、三嗪类化合物等。

作为示例，ETL 270可包括但不限于三-(8-羟基喹啉铝(Alq₃)、2-联苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1、3,4-恶二唑(PBD)、螺-PBD、喹啉锂(Liq)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen),2,9-二(萘-2-基)4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(NBphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、1,3,5-三(p-吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)1,3,5-三嗪(TmPPPyTz)、聚[9,9-双(3'-(N,N-二甲基)-N-乙基铵)-丙基)-2,7-芴]-alt-2,7-(9,9-二辛基芴)](PFNBr)、三(苯基喹喔啉)(TPQ)、TSPO1及其组合。

EIL 280设置在第二电极230和ETL 270之间，可以改善第二电极230的物理特性，因此可以提高OLED D1的发光寿命。在一个示例性方面，EIL 280可以包括但不限于碱金属卤化物或碱土金属卤化物，例如LiF、CsF、NaF、BaF₂等，和/或有机金属化合物，例如喹啉锂、苯甲酸锂、硬脂酸钠等。

当空穴通过EML 240转移到第二电极230和/或电子通过EML 240转移到第一电极210时，OLED D1可能具有较短的寿命和降低的发光效率。为了防止这些现象，根据本公开内容的该方面的OLED D1可以具有与EML 240相邻的至少一个激子阻挡层。

例如，示例性方面的OLED D1包括在HTL 260和EML 240之间的EBL 265，以控制和防止电子转移。在一个示例性方面，EBL 265可以包括但不限于TCTA、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、MTDATA、mCP、mCBP、CuPc、N,N'-二[4-(二(3-甲基苯基))氨基)苯基]-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(DNTPD)、TDAPB、3,6-双(N-咔唑基)-N-苯基-咔唑及其组合。

此外，OLED D1还可以包括HBL 275作为EML 240和ETL 270之间的第二激子阻挡层，使得空穴不能从EML 240转移到ETL 270。在一个示例性方面，HBL 275可以包括但不限于基于恶二唑的化合物、基于三唑的化合物、基于菲咯啉的化合物、基于苯并恶唑的化合物、基于苯并噻唑的化合物、基于苯并咪唑的化合物和基于三嗪的化合物中的任一种可用于ETL 270的化合物。

例如，HBL 275可以包括与EML 240中的发光材料的HOMO能级相比，具有相对低的HOMO能级的化合物。HBL 275可以包括但不限于BCP、BAlq、Alq₃、PBD、螺-PBD、Liq、二-4,5-(3,5-二-3-吡啶基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)、DPEPO、9-(6-(9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9'-联咔唑及其组合。

在上述方面，具有延迟荧光材料的第一化合物DF和具有荧光材料的第二化合物FD包括在同一EML内。不同于方面，第一化合物和第二化合物包括在单独的EML中。

图8是说明根据本公开内容的另一个示例性方面的OLED的示意性截面图。图9是根据本公开内容的另一个示例性方面的EML中发光材料中的单重态和三重态能级发光机制的示意图。

如图8所示，OLED D2包括彼此面对的第一电极210和第二电极230以及具有设置在第一电极210和第二电极230之间的单个发光部的发光层220A。有机发光显示器件100(图2)包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，OLED D2可以设置在蓝色像素区域中。

在一个示例性方面，发光层220包括EML 240A。此外，发光层220A可以包括至少一个设置在第一电极210和EML 240之间的HTL360，和设置在第二电极230和EML 240A之间的ETL 270。此外，发光层220A还可以包括至少一个设置在第一电极210和HTL 260之间的HIL250，和设置在第二电极230和ETL 270之间的EIL 280。或者，发光层220A还可以包括设置在HTL 260和EML 240A之间的EBL 265和/或设置在EML 240A和ETL 270之间的HBL 275。第一和第二电极210和230的配置以及发光层220A中除了EML 240A之外的其他层，可以与OLEDD1中的对应电极和层基本相同。

EML 240A包括设置在EBL 265和HBL 275之间的第一EML(EML1，下EML，第一层)242和设置在EML1 242和HBL 275之间的第二EML(EML2，上EML，第二层)244。或者，EML2 244可以设置在EBL 265和EML1 242之间。

EML1 242和EML2 244中的一个包括延迟荧光材料的第一化合物(第一掺杂剂)DF，并且EML1 242和EML2 244中的另一个包括荧光材料的第二化合物(第二掺杂剂)FD。此外，EML1 242和EML2 244中的每一个包括第一主体的第三化合物(化合物3)H1和第二主体的第四化合物(化合物4)H2。作为示例，EML1 242可以包括第一化合物DF和第三化合物H1，并且EML2 244可以包括第二化合物FD和第四化合物H2。

EML1 242中的第一化合物DF可以包括具有式1至6结构的任何延迟荧光材料。具有延迟荧光特性的第一化合物DF的三重态激子能量可以通过RISC机制向上转换为其自身的单重态激子能量。虽然第一化合物DF具有较高的内量子效率，但由于其宽FWHM，其色纯度较差。

EML2 244包括荧光材料的第二化合物FD。第二化合物FD包括具有式7至9结构的任何有机化合物。而具有式7至9结构的荧光材料的第二化合物FD由于其窄的FWHM(例如，等于或小于约35nm)而在色纯度方面具有优势。

在该示例性方面，EML1 242中具有延迟荧光特性的第一化合物DF的单重态激子能量和三重态激子能量可以通过FRE机制转移到与EML1 242相邻设置的EML2 244中的第二化合物FD，最终的发光发生在EML2 244内的第二化合物FD中。

换言之，第一化合物DF的三重态激子能量通过RISC机制在EML1 242中向上转换为其自身的单重态激子能量。然后，第一化合物DF的初始单重态激子能量和转换的单重态激子能量都被转移到EML2 244中的第二化合物FD的单重态激子能量。EML2 244中的第二化合物FD可以使用三重态激子能量以及单重态激子能量发光。

由于在EML1 242中的第一化合物DF中产生的单重态激子能量被有效地转移到EML2 244中的第二化合物FD，因此OLED D2可以实现超荧光。在这种情况下，虽然具有延迟荧光特性的第一化合物DF仅用作将激子能量传递给第二化合物FD，但是在包括第二化合物FD的EML2 244中发生了大量的发光。由于窄的FWHM，可以提高OLED D2的量子效率和色纯度。

EML1 242和EML2 244中的每一个分别包括第三化合物H1和第四化合物H2。第三化合物H1可以与第四化合物H2相同或不同。例如，第三化合物H1和第四化合物H2中的每一个可以包括但不限于如上的第三化合物H。

如上，第一化合物DF的起始波长λ_onset ^DF可以等于或短于第二化合物FD的最大吸收波长λ_Abs.max ^FD，例如，可以在约430nm和约440nm之间。此外，第一化合物DF和第二化合物FD可以具有如上的HOMO和LUMO能级。

此外，第三和第四化合物H1和H2的HOMO能级(HOMO^H1 and HOMO^H2)与第一化合物DF的HOMO能级(HOMO^DF)之间的能级带隙(|HOMO^H-HOMO^DF|)，或第三和第四化合物H1和H2的LUMO能级(LUMO^H1 and LUMO^H2)与第一化合物DF的LUMO能级(LUMO^DF)之间的能级带隙(|LUMO^H-LUMO^DF|)可以等于或小于约0.5eV。当第三和第四化合物H1和H2与第一化合物DF之间的HOMO或LUMO能级带隙不满足该条件时，第一化合物DF中的激子能量可以作为非辐射复合被猝灭，或者激子能量可能不能从第三和第四化合物H1和H2有效地转移到第一化合物DF和/或第二化合物FD，因此OLED D2中的内量子效率可能降低。

此外，在EML1 242中的第三化合物H1和EML2 244中的第四化合物H2中产生的每个激子能量应该首先转移到延迟荧光材料的第一化合物DF，然后再转移到荧光材料的第二化合物FD以实现高效发光。如图9所示，第三和第四化合物H1和H2的单重态能级S₁ ^H1和S₁ ^H2中的每一个都高于具有延迟荧光特性的第一化合物DF的单重态能级S₁ ^DF。此外，第三和第四化合物H1和H2的三重态能级T₁ ^H1和T₁ ^H2中的每一个可以高于第一化合物DF的三重态能级T₁ ^DF。例如，第三和第四化合物H1和H2的三重态能级T₁ ^H1和T₁ ^H2可以比第一化合物DF的三重态能级T₁ ^DF高至少约0.2eV，例如至少0.3eV，例如至少0.5eV。

此外，第二主体的第四化合物H2的单重态能级S₁ ^H2高于荧光材料的第二化合物FD的单重态能级S₁ ^FD。任选地，第四化合物H2的三重态能级T₁ ^H2可以高于第二化合物FD的三重态能级T₁ ^FD。在这种情况下，在第四化合物H2处产生的单重态激子能量可以转移到第二化合物FD的单重态能量。

此外，在EML1 242中通过RISC转换为ICT复合物的具有延迟荧光特性的第一化合物DF中产生的单重态激子能量应该有效地转移到EML2 244中荧光材料的第二化合物FD。为此，EML1 242中延迟荧光材料的第一化合物DF的单重态能级S₁ ^DF高于EML2 244中荧光材料的第二化合物FD的单重态能级S₁ ^FD。任选地，EML1 242中的第一化合物DF的三重态能级T₁ ^DF可以高于EML2244中的第二化合物FD的三重态能级T₁ ^FD。

EML1 242和EML2 244中的第三和第四化合物H1和H2各自的含量可以分别大于或等于同一层中第一和第二化合物DF和FD各自的含量。此外，EML1 242中第一化合物DF的含量可能大于EML2 244中第二化合物FD的含量。在这种情况下，激子能量通过FRET机制从第一化合物DF有效地传递到第二化合物FD。作为示例，EML1 242可包括约1wt％至约50wt％，例如约10wt％至约40wt％，例如约20wt％至约40wt％的第一化合物DF。EML2 244可包括约1wt％至约10wt％，例如约1wt％至5wt％的第二化合物FD。

在一个示例性方面，当EML2 244与HBL 275相邻设置时，EML2 244中的第四化合物H2可以是与HBL 275相同的材料。在这种情况下，EML2 244也可以具有空穴阻挡功能和发光功能。换言之，EML2 244可用作阻挡空穴的缓冲层。在一方面，可以省略HBL 275，其中EML2244可以是空穴阻挡层以及发光材料层。

在又一个示例性方面，当EML2 244与EBL 265相邻设置时，EML2 244中的第四化合物H2可以是与在EBL 265中相同的材料。在这种情况下，EML2 244可以具有电子阻挡功能以及发光功能。换言之，EML2 244可用作阻挡电子的缓冲层。在一方面，EBL 265可以被省略，其中EML2 244可以是电子阻挡层以及发光材料层。

将解释具有三层EML的OLED。图10是说明根据本公开内容的又一示例性方面的OLED的示意性截面图。图11是说明根据本公开内容的又一个示例性方面的EML中发光材料中的单重态和三重态能级发光机制的示意图。

如图10所示，OLED D3包括彼此面对的第一电极210和第二电极230以及设置在第一电极210和第二电极230之间的发光层220B。有机发光显示器件100(图2)包括红色像素区域，绿色像素区域和蓝色像素区域，OLED D3可以设置在蓝色像素区域中。

在一个示例性方面，具有单个发光部的发光层220B包括三层的EML 240B。发光层220B可以包括设置在第一电极210和EML 240B之间的HTL 260和设置在第二电极230和EML240B之间的ETL 270中的至少一个。此外，发光层220B还可以包括设置在第一电极210和HTL260之间的HIL 250和设置在第二电极230和ETL 270之间的EIL 280中的至少一个。或者，发光层220B还可以包括设置在HTL 260和EML 240B之间的EBL 265和/或设置在EML240B和ETL270之间的HBL 275。第一和第二电极210和230以及发光层220B中除了EML 240B之外的其他层的配置与OLED D1和D2中的对应电极和层的配置基本相同。

EML 240B包括第一EML(EML1，中间EML，第一层)242，第二EML(EML2，下EML，第二层)244和第三EML(EML3，上EML，第三层)246。EML1 242设置在EBL 265和HBL 275之间，EML2244设置在EBL 265和EML1 242之间，EML3 246设置在EML1 242和HBL 275之间。

EML1 242包括延迟荧光材料的第一化合物(第一掺杂剂)DF。EML2 244和EML3 246各自分别包括作为荧光材料的第二化合物(第二掺杂剂)FD1和第五化合物(化合物5，第三掺杂剂)FD2。此外，EML1 242、EML2 244和EML3 246各自分别包括第一主体的第三化合物H1、第二主体的第四化合物H2和第三主体的第六化合物(化合物6)H3。

根据该方面，EML1 242中延迟荧光材料的第一化合物DF的单线态能量和三线态能量都可以转移到荧光材料的第二和第五化合物FD1和FD2，第二和第五化合物FD1和FD2各自都是包括在通过FRET机制与EML1 242相邻设置的EML2 244和EML3 246中。因此，最终发光发生在EML2 244和EML3 246中的第二和第五化合物FD1和FD2中。

换言之，EML1 242中具有延迟荧光特性的第一化合物DF的三重态激子能量通过RISC机制向上转换为其自身的单重态激子能量，然后含有第一化合物DF的初始和转换后的单重态激子能量的单重态激子能量被转移到EML2 244和EML3 246中的第二和第五化合物FD1和FD2的单重态激子能量，因为第一化合物DF的单重态能级S₁ ^DF高于第二和第五化合物FD1和FD2的单线态能级S₁ ^FD1和S₁ ^FD2中的每一个。EML1 242中的第一化合物DF的单重态激子能量通过FRET机制转移到与EML1 242相邻设置的EML2 244和EML3 246中的第二和第五化合物FD和FD2。

EML2 244和EML3 246中的第二和第五化合物FD1和FD2都可以使用单重态激子能量以及源自第一化合物DF的三重态激子能量而发光。与第一化合物DF相比，第二和第五化合物FD1和FD2中的每一个具有窄的FWHM(例如，等于或小于约35nm)。由于窄的FWHM，可以提高OLED D3的量子效率和色纯度。最终发光发生在各自分别包括第二化合物FD1和第五化合物FD2的EML2 244和EML3 246中。

延迟荧光材料的第一化合物DF包括具有式1至6结构的任何有机化合物。荧光材料的第二和第五化合物FD1和FD2各自独立地包括具有式7至9结构的任何有机化合物.第三化合物H1、第四化合物H2和第六化合物H3可以相同或不同。例如，第三化合物H1、第四化合物H2和第六化合物H3各自独立地包括但不限于如上的第三化合物H。

类似于第一和第二方面，第一化合物DF的起始波长λ_onset ^DF可以与第二和第五化合物FD1和FD2的最大吸收波长λ_Abs.max ^FD中的每一个相同或较短，例如，可以在约430nm和约440nm之间。此外，第一化合物DF1以及第二和第五化合物FD1和FD2可以具有如上的HOMO和LUMO能级。

此外，第三、第四和第六化合物H1、H2和H3的HOMO能级(HOMO^H1,HOMO^H2 and HOMO^H3)与第一化合物DF的HOMO能级(HOMO^DF)之间的能级带隙(|HOMO^H-HOMO^DF|)，或第三、第四和第六化合物H1、H2和H3的LUMO能级(LUMO^H1,LUMO^H2 and LUMO^H3)与第一化合物DF的LUMO能级(LUMO^DF)之间的能级带隙(|LUMO^H-LUMO^DF|)可以等于或小于约0.5eV。

发光材料之间的单重态和三重态能级应适当调整以实现高效发光。如图11所示，第一至第三主体的第三、第四和第六化合物H1、H2和H3各自的单重态能级S₁ ^H1、S₁ ^H2和S₁ ^H3都高于具有延迟荧光特性的第一化合物DF的单重态能级S₁ ^DF。此外，第三、第四和第六化合物H1、H2和H3各自的三重态能级T₁ ^H1、T₁ ^H2和T₁ ^H3都可以高于第一化合物DF的三重态能级T₁ ^DF。

此外，在EML1 242中通过RISC转换为ICT复合物的具有延迟荧光特性的第一化合物DF中产生的单重态激子能量应该有效地转移到EML2 244和EML3 246中的荧光材料的第二和第五化合物FD1和FD2中的每一个。为此，EML1 242中延迟荧光材料的第一化合物DF的三重态能级S₁ ^DF高于EML2 244和EML3 246中的荧光材料的第二和第五化合物FD1和FD2的单重态能级S₁ ^FD1和S₁ ^FD2中的每一个。任选地，EML1 242中的第一化合物DF的三重态能级T₁ ^DF可以高于EML2 244和EML3 246中的第二和第五化合物FD1和FD2的三重态能级T₁ ^FD1和T₁ ^FD2中的每一个

此外，从第一化合物DF转移到第二和第五化合物FD1和FD2中的每一个的激子能量不应转移到第四和第六化合物H2和H3中的每一个，以便实现有效发光。为此，可作为第二主体和第三主体的第四和第六化合物H2和H3各自的单重态能级S₁ ^H2和S₁ ^H3分别高于荧光材料的第三和第六化合物FD1和FD2各自的单重态能级S₁ ^FD1和S₁ ^FD2。任选地，第五和第六化合物H2和H3各自的三重态能级T₁ ^H2和T₁ ^H3分别高于第三和第六化合物FD1和FD2各自的三重态能级T₁ ^FD1和T₁ ^FD2。

作为示例，EML1 242可包括约1wt％至约50wt％，例如约10wt％至约40wt％或约20wt％至约40wt％的第一化合物DF。EML2 244和EML3 246各自可以包括在约1wt％和约10wt％之间，例如约1wt％和5wt％之间的第二和第五化合物FD1和FD2。

在一个示例性方面，当EML2 244与EBL 265相邻设置时，EML2 244中的第四化合物H2可以是与EBL 265中相同的材料。在这种情况下，EML2 244也可以具有电子阻挡功能以及发光功能。换言之，EML2 244可用作阻挡电子的缓冲层。在一方面，EBL 265可以被省略，其中EML2 244可以是电子阻挡层以及发光材料层。

当EML3 246与HBL 275相邻设置时，EML3 246中的第六化合物H3可以是与HBL 275相同的材料。在这种情况下，EML3 246可以具有空穴阻挡功能以及发光功能。换言之，EML3246可用作阻挡空穴的缓冲层。在一方面，可以省略HBL 275，其中EML3 246可以是空穴阻挡层以及发光材料层。

在又一个示例性方面，EML2 244中的第四化合物H2可以是与EBL 265中相同的材料，并且EML3 246中的第六化合物H3可以是与HBL 275中相同的材料。在这个方面，EML2244可以具有电子阻挡功能以及发光功能，并且EML3 246可以具有空穴阻挡功能以及发光功能。换言之，EML2 244和EML3 246各自分别用于阻挡电子或空穴的缓冲层。在一方面，EBL265和HBL 275可以省略，其中EML2 244可以是电子阻挡层以及发光材料层，并且EML3 246可以是空穴阻挡层以及发光材料层。

在一个替代方面，OLED可以包括多个发光部。图12是说明根据本公开内容的又一示例性方面的OLED的示意性截面图。

如图12所示，OLED D4包括彼此面对的第一和第二电极210和230，以及具有设置在第一和第二电极210和230之间的具有两个发光部的发光层220C。有机发光显示器件100(图2)包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，OLED D4可以设置在蓝色像素区域中。第一电极210可以是阳极，第二电极230可以是阴极。

发光层220C包括包括第一EML(下EML，EML1)340的第一发光部320和包括第二EML(上EML，EML2)440的第二发光部420。此外，发光层220C还可以包括电荷产生层(CGL)380，其设置在第一发光部320和第二发光部420之间。

CGL 380设置在第一和第二发光部320和420之间，使得第一发光部320、CGL 380和第二发光部420依次设置在第一电极210上。换言之，第一发光部320设置在第一电极210和CGL 380之间，并且第二发光部420设置在第二电极230和CGL 380之间。

第一发光部320包括EML1 340。第一发光部320还可以包括设置在第一电极210和EML1 340之间的HIL 350、设置在HIL 350和EML1 340之间的第一HTL(HTL1)360以及设置在EML1 340和CGL 380之间的第一ETL(ETL1)370中的至少一个。或者，第一发光部320还可以包括设置在HTL1 360和EML1 340之间的第一EBL(EBL1)365和/或设置在EML1 340和ETL1370之间的第一HBL(HBL1)375。

第二发光部420包括EML2 440。第二发光部420还可以包括设置在CGL 380和EML2440之间的第二HTL(HTL2)460、设置在EML2 440和第二电极230之间的第二ETL(ETL2)470以及设置在ETL2 470和第二电极230之间的EIL 480中的至少一个。或者，第二发光部420还可以包括设置在HTL2 460和EML2 440之间的第二EBL(EBL2)465和/或设置在EML2 440和ETL2470之间第二HBL(HBL2)475。

CGL 380设置在第一发光部320和第二发光部420之间。第一发光部320和第二发光部420通过CGL 380连接。CGL 380可以是PN连接CGL，其将N型CGL(N-CGL)382与P型CGL(P-CGL)384连接。

N-CGL 382设置在ETL1 370和HTL2 460之间，并且P-CGL 384设置在N-CGL 382和HTL2 460之间。N-CGL 382将电子传输到第一发光部320的EML1 340，并且P-CGL 384将空穴传输到第二发光部420的EML2 440。

在这个方面，EML1 340和EML2 440各自可以是蓝色发光材料层。例如，EML1 340和EML2 440中的至少一个可以包括延迟荧光材料的第一化合物DF、荧光材料的第二化合物FD，以及任选的主体的第三化合物H。

作为示例，当EML1 340和/或EML2 440包括第一至第三化合物DF、FD和H时，EML1340和/或EML2 440中的第三化合物H的含量可以大于或者等于第一化合物DF的含量，并且第一化合物DF的含量可以大于第二化合物FD的含量。在这种情况下，激子能量可以从第一化合物DF有效地转移到第二化合物FD。

在一个示例性方面，EML2 440可以包括与EML1 340相同的第一和第二化合物DF和FD，以及任选的第三化合物H。或者，EML2 440可以包括不同于EML1 340中第一化合物DF和第二化合物FD中的至少一个的其它化合物，因此EML2 440可以发出不同于从EML1 340发出的光，或者可以具有不同于EML1 340的不同的发光效率。

在图12中，EML1 340和EML2 440各自都具有单层结构。或者，各自可以包括第一至第三化合物DF、FD和H的EML1 340和EML2 440可以分别具有双层结构(图8)或三层结构(图10)。

在OLED D4中，延迟荧光材料的第一化合物DF的单重态激子能量被转移到荧光材料的第二化合物FD，最终发光发生在第二化合物FD处。因此，可以提高OLED D4的发光效率和色纯度。具体地，EML1 340至少包括具有式1至6结构的第一化合物DF和具有式7至9结构的第二化合物FD，因此OLED D4的发光效率和色纯度可以进一步增强。此外，由于OLED D4具有蓝色发光材料层的双叠层结构，因此可以进一步提高OLED D4的色感，并进一步优化OLEDD4的发光效率。

图13是说明根据本公开内容的另一个示例性方面的有机发光显示器件的示意性截面图。如图13所示，有机发光显示器件500包括限定在第一至第三像素区域P1、P2和P3的基板510、设置在基板510上方的薄膜晶体管Tr和设置在薄膜晶体管Tr上方并连接至薄膜晶体管Tr的OLED D。作为示例，第一像素区域P1可以是蓝色像素区域，第二像素区域P2可以是绿色像素区域，第三像素区域P3可以是红色像素区域。

基板510可以是玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以是PI基板、PES基板、PEN基板、PET基板和PC基板中的任一种。缓冲层512设置在基板510上方，并且薄膜晶体管Tr设置在缓冲层512上方。可以省略缓冲层512。如图2所示，薄膜晶体管Tr包括半导体层、栅极、源极和漏极并且用作驱动元件。

钝化层550设置在薄膜晶体管Tr上方。钝化层550具有平坦的顶表面并且包括暴露薄膜晶体管Tr的漏极的漏极接触孔552。

OLED D设置在钝化层550上方，并且包括连接到薄膜晶体管Tr的漏极的第一电极610，以及依次设置在第一电极610上的发光层620和第二电极630。OLED D设置在第一至第三像素区域P1、P2和P3中的每一个中，并且在每个像素区域中发出不同的光。例如，第一像素区域P1中的OLED D可以发出蓝光，第二像素区域P2中的OLED D可以发出绿光，第三像素区域P3中的OLED D可以发出红光。

第一电极610由第一至第三像素区域P1、P2和P3中各自单独地形成，并且第二电极630对应于第一至第三像素区P1、P2和P3并且一体地形成。

第一电极610可以是阳极和阴极之一，第二电极630可以是阳极和阴极中的另一个。此外，第一电极610和第二电极630中的一个可以是透射(或半透射)电极，而第一电极610和第二电极630中的另一个可以是反射电极。

例如，第一电极610可以是阳极并且可以包括具有相对高功函数值的导电材料，即透明导电氧化物(TCO)的透明导电氧化物层。第二电极630可以是阴极并且可以包括具有相对低功函数值的导电材料，即低电阻金属的金属材料层。例如，第一电极610可以包括ITO、IZO、ITZO、SnO、ZnO、ICO和AZO中的任一种，第二电极630可以包括Al、Mg、Ca、Ag、其合金(例如Mg-Ag)或其组合。

当有机发光显示器件500是底部发射型时，第一电极610可以具有透明导电氧化物层的单层结构。或者，当有机发光显示器件500为顶部发射型时，反射电极或反射层可设置在第一电极610下方。例如，反射电极或反射层可包括但不限于，Ag或APC合金。在顶部发射型OLED D中，第一电极610可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。此外，第二电极630较薄以具有透光(或半透)特性。

堤层560设置在钝化层550之上以覆盖第一电极610的边缘。堤层560对应于第一至第三像素区域P1、P2和P3中的每一个并且暴露第一电极610的中心.

发光层620设置在第一电极610上。在一个示例性方面，发光层620可以具有EML的单层结构。或者，发光层620可以包括依次设置在第一电极610和EML之间的HIL、HTL和EBL中的至少一个，和/或以及设置在EML和第二电极630之间的HBL、ETL和EIL。

在一个示例性方面，蓝色像素区域的第一像素区域P1中的发光层630的EML可以包括具有式1至6的结构的延迟荧光材料的第一化合物DF，具有式7至9结构的荧光材料的第二化合物FD，以及任选的第三化合物H。

封装膜570设置在第二电极630上方以防止外部湿气渗透到OLED D中。封装膜570可以具有但不限于第一无机绝缘膜的三层结构、有机绝缘膜和第二无机绝缘膜。

有机发光显示器件500可以具有偏光器以减少外部光反射。例如，偏光器可以是圆偏光器。当有机发光显示器件500是底部发射型时，偏光器可设置在基板510下方。或者，当有机发光显示器件500是顶部发射型时，偏光器可设置在封装膜570上方。

图14是说明根据本公开内容的又一示例性方面的OLED的示意性截面图。如图14所示，OLED D5包括第一电极610、面对第一电极610的第二电极630以及设置在第一电极610和第二电极630之间的发光层620。

第一电极610可以是阳极，第二电极630可以是阴极。作为示例，第一电极610可以是反射电极并且第二电极630可以是透射(或半透射)电极。

发光层620包括EML 640。发光层620可以包括设置在第一电极610和EML 640之间的HTL 660和设置在EML 640和第二电极630之间的ETL 670中的至少一个。发光层620还可以包括设置在第一电极610和HTL 660之间的HIL 650和设置在ETL 670和第二电极630之间的EIL 680中的至少一个。此外，发光层620还可以包括设置在HTL 660和EML 640之间的EBL665和设置在EML 640和ETL 670之间的HBL 675中的至少一个。

此外，发光层620还可以包括设置在HTL 660和EBL 665之间的辅助空穴传输层(辅助HTL)662。辅助HTL 662可以包括位于第一像素区域P1中的第一辅助HTL 662a、位于第二像素区域P2中的第二辅助HTL 662b，位于第三像素区域P3中的第三辅助HTL 662c。

第一辅助HTL 662a具有第一厚度，第二辅助HTL 662b具有第二厚度，第三辅助HTL662c具有第三厚度。第一厚度小于第二厚度并且第二厚度小于第三厚度。因此，OLED D5具有微腔结构。

由于第一至第三辅助HTL 662a、662b和662c具有彼此不同的厚度，发出第一波长范围(蓝光)的第一像素区域P1中的第一电极610和第二电极630之间的距离小于发出第二波长范围(绿光)的光的第二像素区域P2中的第一电极610和第二电极630之间的距离，第二波长范围长于第一波长范围。此外，第二像素区域P2中的第一电极610与第二电极630之间的距离小于发出第三波长范围的光(红光)的第三像素区域P3中的第一电极610与第二电极630之间的距离，第三波长范围比第二波长范围更长。因此，提高了OLED D5的发光效率。

在图14中，第一辅助HTL 662a位于第一像素区域P1中。或者，OLED D5可以在没有第一辅助HTL 662a的情况下实现微腔结构。此外，可以在第二电极630上方设置覆盖层，以改善从OLED D5发出的光的外耦合。

EML 640包括位于第一像素区域P1中的第一EML(EML1)642、位于第二像素区域P2中的第二EML(EML2)644和位于第三像素区域P3中的第三EML(EML3)646。EML1 642、EML2644和EML3 646中的每一个可以分别是蓝色EML、绿色EML和红色EML。

在一个示例性方面，位于第一像素区域P1中的EML1 642可以包括具有式1至6结构的延迟荧光材料的第一化合物、具有式7至9结构的荧光材料的第二化合物FD，以及任选的主体的第三化合物H。EML1 642可以具有单层结构、双层结构(图8)或三层结构(图10)。

在EML1 642中，第三化合物H的含量可以大于或等于第一化合物DF的含量，第一化合物DF的含量可以大于第二化合物FD的含量。在这种情况下，激子能量可以从第一化合物DF有效地转移到第二化合物FD。

位于第二像素区域P2中的EML2 644可以包括主体和绿色掺杂剂，并且位于第三像素区域P3中的EML3 646可以包括主体和红色掺杂剂。例如，EML2 644和EML3 646中的主体可以包括第三化合物H，并且绿色掺杂剂和红色掺杂剂各自独立地包括绿色或红色磷光材料、绿色或红色荧光材料和绿色或红色延迟荧光材料中的至少一种。

OLED D5在第一至第三像素区域P1、P2和P3中各自发出蓝光、绿光和红光，使得有机发光显示器件500(图13)可以实现全色图像。

有机发光显示器件500还可以包括与第一至第三像素区域P1、P2和P3对应的滤色器层，用于提高从OLED D发出的光的色纯度。作为示例，滤色器层可以包括对应于第一像素区域P1的第一滤色器层(蓝色滤色器层)，对应于第二像素区域P2的第二滤色器层(绿色滤色器层)和对应于第三像素区域P3的第三彩色滤光层(红色滤色器层)。

当有机发光显示器件500是底部发射型时，滤色器层可以设置在OLED D和基板510之间。或者，当有机发光显示器件500是顶部发射型时，滤色器层可以设置在OLED D之上。

图15是说明根据本公开内容的又一示例性方面的有机发光显示器件的示意性截面图。如图15所示，有机发光显示器件1000包括限定于第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的基板1010、设置在基板1010上方的薄膜晶体管Tr、设置在薄膜晶体管Tr上并连接到薄膜晶体管Tr的的OLED D，以及对应于第一至第三像素区域P1、P2和P3的滤色器层1020。作为示例，第一像素区域P1可以是蓝色像素区域，第二像素区域P2可以是绿色像素区域，第三像素区域P3可以是红色像素区域。

基板1010可以是玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以是PI基板、PES基板、PEN基板、PET基板和PC基板中的任一种。薄膜晶体管Tr位于基板1010上方。或者，缓冲层可以设置在基板1010上方并且薄膜晶体管Tr可以设置在缓冲层上方。如图2所示，薄膜晶体管Tr包括半导体层、栅极、源极和漏极并且用作驱动元件。

滤色器层1020位于基板1010上方。作为示例，滤色器层1020可以包括对应于第一像素区域Pl的第一滤色器图案1022、对应于第二像素区域P2的第二滤色器图案1024和对应于第三像素区P3的第三滤色器图案1026。第一滤色器图案1022可以是蓝色滤色器图案，第二滤色器图案1024可以是绿色滤色器图案，第三滤色器图案1026可以是红色滤色器图案。例如，第一滤色器图案1022可以包括蓝色染料或蓝色颜料中的至少一种，第二滤色器图案1024可以包括绿色染料或绿色颜料中的至少一种，并且第三滤色器图案1026可以包括红色染料或红色颜料中的至少一种。

钝化层1050设置在薄膜晶体管Tr和滤色器层1020上方。钝化层1050具有平坦的顶表面并且包括暴露薄膜晶体管Tr的漏极的漏极接触孔1052。

OLED D设置在钝化层1050上方并且对应于滤色器层1020。OLED D包括连接到薄膜晶体管Tr的漏极的第一电极1110，以及依次设置在第一电极1110上的发光层1120和第二电极1130。OLED D在第一至第三像素区域P1、P2和P3中发出白光。

第一电极1110由第一至第三像素区域P1、P2和P3各自独立地形成，并且第二电极1130对应于第一至第三像素区域P1、P2和P3并且一体形成。第一电极1110可以是阳极和阴极中的一个，第二电极1130可以是阳极和阴极中的另一个。此外，第一电极1110可以是透射(或半透射)电极，第二电极1130可以是反射电极。

例如，第一电极1110可以是阳极并且可以包括具有相对高功函数值的导电材料，即透明导电氧化物(TCO)的透明导电氧化物层。第二电极1130可以是阴极并且可以包括具有相对低功函数值的导电材料，即低电阻金属的金属材料层。例如，第一电极1110的透明导电氧化物层可以包括ITO、IZO、ITZO、SnO、ZnO、ICO和AZO中的任何一种，并且第二电极1130可以包括Al、Mg、Ca、Ag、其合金(例如，Mg-Ag)或其组合。

发光层1120设置在第一电极1110上。发光层1120包括至少两个发出不同颜色的发光部。每个发光部可以具有EML的单层结构。或者，每个发光部可以包括HIL、HTL、EBL、HBL、ETL和EIL中的至少一个。此外，发光层1120还可以包括设置在发光部之间的CGL。

至少两个发光部中的至少一个可以包括具有式1至6结构的延迟荧光材料的第一化合物DF、具有式7至9结构的硼基荧光材料的第二化合物FD9，以及任选的主体的第三化合物H。

堤层1060设置在钝化层1050上以覆盖第一电极1110的边缘。堤层1060对应于第一至第三像素区域P1、P2和P3中的每一个并且暴露第一电极1110的中心。如上，由于OLED D在第一至第三像素区域P1、P2和P3中发出白光，因此发光层1120可以形成为通用层，而不在第一至第三像素区域P1，P2和P3中分开。形成堤层1060以防止电流从第一电极1110的边缘泄漏，并且堤层1060可以省略。

此外，有机发光显示器件1000还可以包括设置在第二电极1130上的封装膜，以防止外部湿气渗入OLED D。此外，有机发光显示器件1000还可以包括设置在基板1010下方的偏光器以减少外部光反射。

在图15的有机发光显示器件1000中，第一电极1110为透射电极，第二电极1130为反射电极，滤色器层1020设置在基板1010与OLED D之间。即，有机发光显示器件1000为底部-发光型。或者，第一电极1110可以是反射电极，第二电极1120可以是透射电极(或半透射电极)，并且滤色器层1020可以设置在具有顶部发射型结构的有机发光显示器件1000中的OLED D上方。

在有机发光显示器件1000中，位于第一至第三像素区域P1、P2和P3中的OLED D发出白光，白光穿过第一至第三像素区域P1、P2和P3中的每一个，使得在第一至第三像素区域P1、P2和P3中各自分别显示蓝色、绿色和红色。

颜色转换膜可以设置在OLED D和滤色器层1020之间。颜色转换膜对应于第一至第三像素区域P1、P2和P3，并且包括绿色转换膜、红色转换膜和蓝色转换膜，可将OLED D发出的白光分别转换为绿光、红光和蓝光。例如，颜色转换膜可以包括量子点。因此，有机发光显示器件1000可以进一步提高其色纯度。或者，颜色转换膜可以置换滤色器层1020。

图16是示出根据本公开内容的又一示例性方面的OLED的示意性截面图。如图16所示，OLED D6包括彼此面对的第一电极1110和第二电极1130，以及设置在第一电极1110和第二电极1130之间的发光层1120。第一电极1110可以是阳极，第二电极1130可以是阴极。例如，第一电极1100可以是透射电极，第二电极1130可以是反射电极。

发光层1120包括第一EML(下EML，EML1)1240的第一发光部1220、包括第二EML(中间EML，EML2)1340的第二发光部1320和包括第三EML(上EML，EML3)1440的第三发光部1420。此外，发光层1120还可以包括设置在第一发光部1220和第二发光部1320之间的第一电荷产生层(CGL1)1280和设置在第二发光部1320和第三发光部1420之间的第二电荷产生层(CGL2)1380。因此，第一发光部1220、CGL1 1280、第二发光部1320、CGL2 1380和第三发光部1420依次设置在第一电极1110上。

第一发光部1220还可以包括设置在第一电极1110和EML1 1240之间的HIL 1250、设置在EML1 1240和HIL 1250之间的第一HTL(HTL1)1260和设置在EML1 1240和CGL1 1280之间第一ETL(ETL1)1270中的至少一个。或者，第一发光部1220还可以包括设置在HTL11260和EML1 1240之间的第一EBL(EBL1)1265和设置在EML1 1240和ETL1 1270之间的第一HBL(HBL1)1275中的至少一个。

第二发光部1320还可以包括设置在CGL1 1280和EML2 1340之间的第二HTL(HTL2)1360、设置在EML2 1340和CGL2 1380之间的第二ETL(ETL2)1370中的至少一个。或者，第二发光部1320还可以包括设置在HTL21360和EML2 1340之间的第二EBL(EBL2)1365和/或设置在EML2 1340和ETL21370之间的第二HBL(HBL2)1375。

第三发光部1420还可以包括设置在CGL2 1380和EML3 1440之间的第三HTL(HTL3)1460、设置在EML3 1440和第二电极1130之间的第三ETL(ETL3)1470和设置在ETL31470和第二电极1130之间的EIL 1480中的至少一个。或者，第三发光部1420还可以包括设置在HTL31460和EML3 1440之间的第三EBL(EBL3)1465和/或设置在EML3 1440和ETL31470之间的第三HBL(HBL3)1475。

CGL1 1280设置在第一发光部1220和第二发光部1320之间。也就是说，第一发光部1220和第二发光部1320通过CGL1 1280连接。CGL1 1280可以是PN连接CGL，其将第一N型CGL(N-CGL1)1282与第一P型CGL(P-CGL1)1284连接。

N-CGL1 1282设置在ETL1 1270和HTL21360之间，并且P-CGL1 1284设置在N-CGL11282和HTL21360之间。N-CGL1 1282将电子传输到第一发光部1220的EML1 1240，以及P-CGL1 1284将空穴传输到第二发光部1320的EML2 1340。

CGL2 1380设置在第二发光部1320和第三发光部1420之间。也就是说，第二发光部1320和第三发光部1420通过CGL2 1380连接。CGL2 1380可以是PN-连接CGL，将第二N型CGL(N-CGL2)1382与第二P型CGL(P-CGL2)1384连接。

N-CGL2 1382设置在ETL21370和HTL3 1460之间，并且P-CGL2 1384设置在N-CGL21382和HTL3 1460之间。N-CGL2 1382将电子传输到第二发光部1320的EML2 1340，以及P-CGL2 1384将空穴传输到第三发光部1420的EML3 1440。

在这个方面，第一到第三EML1240、1340和1440中的一个可以是蓝色EML，第一到第三EML1240、1340和1440中的另一个可以是绿色EML，并且第一到第三EML1240、1340和1440中的第三个可以是红色EML。

作为一个示例，EML1 1240可以是蓝色EML，EML2 1340可以是绿色EML并且EML31440可以是红色EML。或者，EML1 1240可以是红色EML，EML2 1340可以是绿色EML，EML31440可以是蓝色EML。在下文中，将更详细地描述其中EML1 1240是蓝色EML、EML2 1340是绿色EML并且EML3 1440是红色EML的OLED D6

EML1 1240可以包括具有式1至6结构的延迟荧光材料的第一化合物DF、具有式7至9结构的荧光材料的第二化合物FD，以及可选地，第三主体的化合物H。包括第一至第三化合物DF、FD和H的EML1 1240可以具有单层结构、双层结构(图8)或三层结构(图10)。

在EML1 1240中，第三化合物H的含量可以等于或大于第一化合物DF的含量，并且第一化合物DF的含量可以大于第二化合物FD的含量。当第一化合物DF的含量大于第二化合物FD的含量时，激子能量可以从第一化合物DF充分地传递到第二化合物FD。

EML2 1340可以包括主体和绿色掺杂剂，并且EML3 1440可以包括主体和红色掺杂剂。作为示例，主体可以包括第三化合物H，并且绿色和红色掺杂剂中的每一个可以分别在EML2 1340和EML3 1440中包括绿色和红色磷光材料、绿色和红色荧光材料以及绿色和红色延迟荧光材料中的至少一种。

OLED D6在第一至第三像素区域P1、P2和P3中的每一个中发出白光，并且白光穿过对应地设置在第一至第三像素区域P1、P2和P3中的滤色器层1020(图15)。因此，有机发光显示器件1000(图15)可以实现全色图像。

图17是说明根据本公开内容的又一示例性方面的OLED的示意性截面图。如图所示。参照图17，OLED D7包括彼此面对的第一电极1110和第二电极1130以及设置在第一电极1110和第二电极1130之间的发射层1120A。第一电极1110可以是阳极，第二电极1130可以是阴极。例如，第一电极1100可以是透射电极，第二电极1130可以是反射电极。

发光层1120A包括包括EML1(下EML)1540的第一发光部1520、包括EML2(中间EML)1640的第二发光部1620和包括EML3(上EML)1740的第三发光部1720。另外，发光层1120A还可以包括设置在第一发光部1520和第二发光部1620之间的CGL1 1580和设置在第二发光部1620和第三发光部1720之间的CGL2 1680。因此，第一发光部1520、CGL1 1580、第二发光部1620、CGL2 1680和第三发光部1720依次设置在第一电极1110上。

第一发光部1520还可以包括设置在第一电极1110和EML1 1540之间的HIL 1550、设置在EML1 1540和HIL 1550之间的HTL1 1560以及设置在EML1 1540和CGL1 1580之间的ETL1 1570中的至少一个。或者，第一发光部1520还可以包括设置在HTL1 1560和EML1 1540之间的EBL1 1565和/或设置在EML1 1540和ETL1 1570之间的HBL1 1575。

第二发光部1620的EML2 1640包括中下EML(第一层)1642和中上EML(第二层)1644。中下EML1 642与第一电极1110相邻，并且中上EML1644与第二电极1130相邻。此外，第二发光部1620还可以包括设置在CGL1 1580和EML2 1640之间的HTL2 1660和设置在EML21640和CGL2 1680之间的ETL2 1670中的至少一个。或者，第二发光部1620还可以包括设置在HTL21660和EML2 1640之间的EBL2 1665和设置在EML2 1640和ETL2 1670之间的HBL21675中的至少一个。

第三发光部1720还可以包括设置在CGL2 1680和EML3 1740之间的HTL3 1760、设置在EML3 1740和第二电极1130之间的ETL3 1770以及设置在ETL3 1770和第二电极1130之间的EIL 1780中的至少一个。或者，第三发光部1720还可以包括设置在HTL3 1760和EML31740之间的EBL3 1765和/或设置在EML3 1740和ETL3 1770之间的HBL3 1775。

CGL1 1580设置在第一发光部1520和第二发光部1620之间。即，第一发光部1520和第二发光部1620通过CGL1 1580连接。CGL1 1580可以是PN-连接CGL，其将N-CGL1 1582与P-CGL1 1584连接。N-CGL1 1582设置在ETL1 1570和HTL2 1660之间，并且P-CGL1 1584设置在N-CGL1 1582和HTL21560之间。

CGL2 1680设置在第二发光部1620和第三发光部1720之间。即，第二发光部1620和第三发光部1720通过CGL2 1680连接。CGL2 1680可以是PN-连接CGL，其将N-CGL2 1682与P-CGL2 1684连接。N-CGL2 1682设置在ETL21570和HTL3 1760之间，P-CGL2 1684设置在N-CGL2 1682和HTL3 1760之间。

在这个方面，EML1 1540和EML3 1740中的每一个可以是蓝色EML。在一个示例性方面，EML1 1540和EML3 1740中的每一个可以包括具有式1至6结构的延迟荧光材料的第一化合物DF、具有式7至9结构的荧光材料的第二化合物FD，和任选的第三化合物H。

在一个示例性方面，EML3 1740可以包括与EML1 1540相同的第一和第二化合物DF和FD，以及任选的第三化合物H。或者，EML3 1740可以包括不同于EML1 1540中的第一化合物DF和第二化合物FD中的至少一个的其它化合物，因此EML3 1740可以发出不同于从EML11540发出的光，或者可以具有不同于EML1 1540的发光效率。

作为示例，EML1 1540和EML3 1740中的每一个都包括第一至第三化合物DF、FD和H，EML1 1540和EML3 1740中的第三化合物H的含量可以等于或大于第一化合物DF的含量，并且第一化合物DF的含量可以大于第二化合物FD的含量。在这种情况下，可以将能量从第一化合物DF充分地传递到第二化合物FD。

EML2 1640的中下EML1 642和中上EML1644中的一个可以是绿色EML，并且EML21640的中下EML1 642和中上EML1644中的另一个可以是红色EML。绿色EML和红色EML依次设置以形成EML2 1640。

作为示例，绿色EML的中下EML1 642可以包括主体和绿色掺杂剂，并且中上EML1644可以包括主体和红色掺杂剂。作为一个示例，中下EML1 642和中上EML1644中的主体可以包括第三化合物H，并且绿色和红色掺杂剂中的每一个可以分别包括绿色和红色磷光材料、绿色和红色荧光材料以及绿色和红色延迟荧光材料中的至少一个。

OLED D7在第一至第三像素区域P1、P2和P3中的每一个中发出白光，并且白光穿过对应地设置在第一至第三像素区域P1、P2和P3中的滤色器层1020(图15)。因此，有机发光显示器件1000(图16)可以实现全色图像。

在图17中，OLED D7具有包括第一至第三发光部1520、1620和1720的三叠层结构，其包括作为蓝色EML的EML1 1540和EML3 1740。或者，OLED D7可以具有双叠层结构，其中省略了第一发光部1520和第三发光部1720中的一个，其每个都包括作为蓝色EML的EML1 1540和EML3 1740。

实施例1(Ex.1)：OLED的制造

制造OLED，其中EML包括2,8-二(9H-咔唑-9-基)二苯并[b,d]噻吩(DCzDBT)作为主体以及式6化合物1-1(HOMO：-5.58eV，LUMO：-2.6eV，最大光致发光波长(PLλmax)：472nm，起始波长：433nm)作为第一化合物DF。ITO基板在使用前通过UV-Ozone处理进行清洗，并转移到真空室中用于沉积发光层。随后，在10^-7托真空条件下通过蒸发沉积阳极、发光层和阴极，设置沉积速率为

顺序如下：

阳极(ITO，50nm)；HIL(HAT-CN，7nm)；HTL(NPB，45nm)；EBL(TAPC，10nm)；EML(DCzDBT(70wt％)；化合物1-1(30wt％)，30nm)；HBL(B3PYMPM，10nm)；ETL(TPBi，25nm)、EIL(LiF)；和阴极(Al)。

在沉积发光层和阴极后，将OLED从沉积室转移到干燥箱中以形成薄膜，然后用UV固化环氧树脂和吸水剂封装OLED。发光层中应用的材料如下所示：

实施例2(Ex.2)：OLED的制造

使用与实施例1相同的材料制造OLED，不同之处在于将DczDBT(69wt％)作为主体，化合物1-1(30wt％)作为第一化合物以及式9的化合物2-20(HOMO：-5.4eV)，LUMO：-2.8eV，最大吸收波长：457nm，1wt％)作为第二化合物FD应用于EML。

实施例3(Ex.3)：OLED的制造

使用与实施例2相同的材料制造OLED，不同之处在于使用式9的化合物2-21(HOMO：-5.5eV，LUMO：-2.8eV，最大吸收波长(Absλmax)：459nm)作为EML中的第二化合物FD来代替化合物2-20。

实施例4(Ex.4)：OLED的制造

使用与实施例2相同的材料制造OLED，不同之处在于使用式9的化合物2-36(HOMO：-5.4eV，LUMO：-2.8eV，最大吸收波长(Absλmax)：457nm)作为EML中的第二化合物FD来代替化合物2-20。

实施例5(Ex.5)：OLED的制造

使用与实施例1相同的材料制造OLED，不同之处在于使用式6的化合物1-5(HOMO：-5.58eV，LUMO：-2.6eV，PLλmax：470nm，起始波长：435nm)作为EML中的第一化合物DF来代替化合物1-1。

实施例6(Ex.6)：OLED的制造

使用与实施例5相同的材料制造OLED，不同之处在于将DczDBT(69wt％)作为主体、化合物1-5(30wt％)作为第一化合物以及式9的化合物2-20(1wt％)作为第二化合物FD应用于EML。

实施例7(Ex.7)：OLED的制造

使用与实施例6相同的材料制造OLED，不同之处在于使用式9的化合物2-21作为EML中的第二化合物FD来代替化合物2-20。

实施例8(Ex.8)：OLED的制造

使用与实施例6相同的材料制造OLED，不同之处在于使用式9的化合物2-36作为EML中的第二化合物FD来代替化合物2-20。

实施例9(Ex.9)：OLED的制造

使用与实施例1相同的材料制造OLED，不同之处在于使用式6的化合物1-7(HOMO：-5.6eV，LUMO：-2.7eV，PLλmax：472nm，起始波长：434nm)作为EML中的第一化合物DF来代替化合物1-1。

实施例10(Ex.10)：OLED的制造

使用与实施例9相同的材料制造OLED，不同之处在于将DczDBT(69wt％)作为主体、化合物1-7(30wt％)作为第一化合物以及式9的化合物2-20(1wt％)作为第二化合物FD应用于EML。

实施例11(Ex.11)：OLED的制造

使用与实施例10相同的材料制造OLED，不同之处在于使用式9的化合物2-21作为EML中的第二化合物FD来代替化合物2-20。

实施例12(Ex.12)：OLED的制造

使用与实施例10相同的材料制造OLED，不同之处在于使用式9的化合物2-36作为EML中的第二化合物FD来代替化合物2-20。

实施例13(Ex.13)：OLED的制造

使用与实施例1相同的材料制造OLED，不同之处在于使用式6的化合物1-16(HOMO：-5.6eV，LUMO：-2.6eV，PLλmax：473nm，起始波长：434nm)作为EML中的第一化合物DF来代替化合物1-1。

实施例14(Ex.14)：OLED的制造

使用与实施例13相同的材料制造OLED，不同之处在于将DczDBT(69wt％)作为主体、化合物1-16(30wt％)作为第一化合物以及式9的化合物2-20(1wt％)作为第二化合物FD应用于EML。

实施例15(Ex.15)：OLED的制造

使用与实施例14相同的材料制造OLED，不同之处在于使用式9的化合物2-21作为EML中的第二化合物FD来代替化合物2-20。

实施例16(Ex.16)：OLED的制造

使用与实施例14相同的材料制造OLED，不同之处在于使用式9的化合物2-36作为EML中的第二化合物FD来代替化合物2-20。

比较例1(Com.1)：OLED的制造

使用与实施例1相同的材料制造OLED，不同之处在于使用化合物Ref.1(HOMO：-5.5eV，LUMO：-2.7eV，PLλmax：487nm，起始波长：449nm)作为EML中的第一化合物DF来代替化合物1-1。

比较例2(Com.2)：OLED的制造

使用与比较例1相同的材料制造OLED，不同之处在于将DczDBT(69wt％)作为主体、化合物Ref.1(30wt％)作为第一化合物以及式9的化合物2-20(1wt％)作为第二化合物FD应用于EML。

比较例3(Com.3)：OLED的制造

使用与实施例1相同的材料制造OLED，不同之处在于使用化合物Ref.2(HOMO：-5.6eV，LUMO：-2.6eV，PLλmax：460nm，起始波长：421nm)作为EML中的第一化合物DF来代替化合物1-1。

比较例4(Com.4)：OLED的制造

使用与比较例3相同的材料制造OLED，不同之处在于将DczDBT(69wt％)作为主体、化合物Ref.2(30wt％)作为第一化合物以及式9的化合物2-20(1wt％)作为第二化合物FD应用于EML。

比较例5(Com.5)：OLED的制造

使用与实施例1相同的材料制造OLED，不同之处在于使用化合物Ref.3(HOMO：-5.6eV，LUMO：-2.7eV，PLλmax：462nm，起始波长：426nm)作为EML中的第一化合物DF来代替化合物1-1。

比较例6(Com.6)：OLED的制造

使用与比较例6相同的材料制造OLED，不同之处在于将DczDBT(69wt％)作为主体、化合物Ref.3(30wt％)作为第一化合物以及式9的化合物2-20(1wt％)作为第二化合物FD应用于EML。

比较例7(Com.7)：OLED的制造

使用与实施例1相同的材料制造OLED，不同之处在于使用化合物Ref.4(HOMO：-5.7eV，LUMO：-2.7eV，PLλmax：458nm，起始波长：422nm)作为EML中的第一化合物DF来代替化合物1-1。

比较例8(Com.8)：OLED的制造

[参考化合物]

实验例1：OLED发光特性的测量

将Ex.1-16和Ref.1-8中制造的每个OLED连接到外部电源，然后在室温下使用恒流源(KEITHLEY)和光度计PR650评估所有二极管的发光特性。具体而言，测量了OLED在8.6mA/cm²电流密度下的驱动电压(V)、电流效率(cd/A)、外部量子效率(EQE，％)和最大电致发光(ELλmax,nm)。OLED的测量结果如下表1和表2所示：

表1：OLED的发光特性

表2：OLED的发光特性

如表1和表2所示，与在其中将第一化合物作为唯一的掺杂剂应用于EML中的实施例1、5、9和13中制造的OLED相比，在其中将具有多个电子供体部分且起始波长在430nm和440nm之间的第一化合物和第二化合物应用于EML中的实施例2-4、6-8、10-12和14-16中制造的OLED显示出显著提高的发光效率并发出深蓝色光。另一方面，与在其中将第一化合物作为唯一掺杂剂应用于EML中的比较例1、3、5、7制造的OLED相比，在其中将仅具有一个电子供体部分且起始波长小于430nm或大于440nm的第一化合物和第二化合物应用于EML中的比较例2、4、6和8制造的OLED显示出略有提高或大大降低的发光效率。

更具体地，与在其中将仅具有一个电子供体部分的第一化合物和第二化合物应用于EML中的比较例2、4、6和8制造的OLED相比，在其中将具有多个电子供体部分的第一化合物和第二化合物应用于EML的实施例2-4、6-8、10-12和14-16中制造的OLED的驱动电压最大降低了23.4％，且电流效率和功率效率分别最大提高了217.7％和174.4％。

对于本领域的技术人员来说显而易见的是，在不脱离本公开内容的技术构思或范围的情况下，可以对本公开内容的OLED和包括OLED的有机发光器件进行各种修改和变化。因此，本公开内容旨在覆盖本公开内容的修改和变化，只要其落入所附权利要求及其等价物的范围内。

Claims

1.一种有机发光二极管，包括：

第一电极；

面对所述第一电极的第二电极；和

设置在所述第一电极和所述第二电极之间且包括至少一个发光材料层的发光层，

其中所述至少一个发光材料层包括第一化合物和第二化合物，并且

其中所述第一化合物具有以下式1的结构，并且所述第二化合物具有以下式7的结构：

[式1]

其中，在式1中，

R¹至R⁹各自独立地为氢、氘、氚、卤素、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基氨基、未取代或取代的C₆-C₃₀芳基、或未取代或取代的C₃-C₃₀杂芳基，其中R¹至R⁹中的2至4个是具有以下式2结构的部分，[式2]

其中，在式2中，

至少R¹¹至R¹⁸中的相邻两个形成具有以下式3结构的未取代或取代的杂芳环，并且

星号表示链接位置，

[式3]

其中，在式3中，

X是NR²⁵、O或S；

R²¹至R²⁵各自独立地为氢、氘、氚、卤素、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基甲硅烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基氨基、未取代或取代的C₆-C₃₀芳基、或未取代或取代的C₃-C₃₀杂芳基；并且

虚线表示稠合部分，

[式7]

其中，在式7中，

R³¹至R³⁴各自独立地为氢、氘、氚、卤素、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基甲硅烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基氨基、未取代或取代的C₆-C₃₀芳基、或未取代或取代的C₃-C₃₀杂芳基；或者

R³¹至R³⁴中的两个相邻基团形成具有硼和氮的未取代或取代的稠环；

R³⁵至R³⁸各自独立地为氘、氚、卤素、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基甲硅烷基、未取代或取代的C₁-C₂₀烷基氨基、未取代或取代的C₆-C₃₀芳基、或未取代或取代的C₃-C₃₀杂芳基，其中当q为2或更大的整数时各R³⁵彼此相同或不同，当r为2或更大的整数时各R³⁶彼此相同或不同，当s为2或更大的整数时各R³⁷彼此相同或不同，当t为2或更大的整数时各R³⁸彼此相同或不同；

q和s各自独立地为0至5的整数；

r为0至3的整数；并且

t是0至4的整数。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物的起始波长小于所述第二化合物的最大吸收波长。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物的起始波长在约430nm和约440nm之间。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物包括具有以下式4的结构的有机化合物：

[式4]