CN116156939A - 有机发光显示设备 - Google Patents

Abstract

提供了一种有机发光显示设备，其包括：包括发光区域的子像素；与发光区域交叠的平坦化层，平坦化层包括具有多个凸部和多个凹部的多个光提取图案；光控制图案，其交替地设置在多个光提取图案的凹部中；以及发光元件，其设置在多个光提取图案和光控制图案上方。

Description

有机发光显示设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年11月16日提交的韩国专利申请第10-2021-0157767号的优先权，其通过引用并入本文，如在本文中完整阐述一样。

技术领域

本公开内容涉及有机发光显示设备，更具体地，涉及一种可以降低归因于外部光的反射率同时提高内部光提取效率的有机发光显示设备。

背景技术

随着信息时代的进步，对用于显示图像的显示设备的关注和需求已经以各种形式增加，因此显示领域迅速发展。因此，轻量且薄的各种类型的平板显示设备已被开发并受到关注。近来，已使用诸如液晶显示设备和有机发光显示设备的显示设备。

由于有机发光显示设备是自发光显示设备并且通过插入在两个电极之间的有机发光层的发光而在显示面板上显示图像，因此不同于液晶显示设备，不需要单独的光源(例如，背光单元)，从而能够被制造得轻且薄。此外，因为有机发光显示设备由于低电压驱动不仅在功耗方面具有优势，而且在色彩实现、响应速度、视角和对比度方面也很出色，因此它已作为下一代显示设备受到关注。

有机发光显示设备通过将内部光发射到显示设备的外部来显示图像，并且正在进行用于提高内部光的效率的研究。然而，由于外部光导致反射率增加，因此难以提高内部光的效率，由此也正在进行关于降低反射的可见性的研究。

发明内容

鉴于上述问题形成了本公开内容，并且本公开内容的目的是提供一种有机发光显示设备，其可以通过如下方式来提高光提取效率：当光从有机发光层发射到外部以显示图像时，将可能被困在内部而不被发射到外部的光发射到外部。

本公开内容的另一目的是提供一种有机发光显示设备，其可以解决由外部光反射引起的黑间隙或反射可见性，并且可以解决彩虹不匀(Rainbow Mura)，因为可以防止入射的外部光在内部反射后被发射，或者可以防止入射的外部光因由于反射电极造成反射率增加而被发射。

除了上述的本公开内容的目的之外，本领域技术人员通过以下对本公开内容的描述将清楚地理解本公开内容的其他目的和特征。

根据本公开内容的一个方面，上述和其他目的可以通过提供一种有机发光显示设备来实现，该有机发光显示设备包括：包括发光区域的子像素；与发光区域交叠的平坦化层，包括具有多个凸部和多个凹部的多个光提取图案；光控制图案，其交替地设置在多个光提取图案的凹部中；以及发光元件，其设置在多个光提取图案和光控制图案上方。

根据本公开内容的一个实施方式，光控制图案可以填充凹部以交替地使凹部的上表面平坦化。

根据本公开内容的一个实施方式，光控制图案的折射率可以大于平坦化层的折射率。

根据本公开内容的一个实施方式，在四个相邻的凹部的中心部分彼此连接的状态下，以线彼此连接的两个角可以具有不同的结构，并且不以线彼此连接的两个角可以具有相同的对称结构。

根据本公开内容的一个实施方式，发光元件跟随光提取图案和光控制图案的表面形状，设置在光提取图案的倾斜部分上方，同时在光提取图案的其中没有设置光控制图案的凹部中具有凹形状，以及在光提取图案的其中设置光控制图案的凹部中具有平坦的上表面。

根据本发明的一个实施方式，发光元件包括第一电极、发光元件层和第二电极，并且第二电极跟随光提取图案和光控制图案的表面形状，设置在光提取图案的倾斜部分上方，同时在光提取图案的其中没有设置光控制图案的凹部中具有凹形状，以及在光提取图案的其中设置光控制图案的凹部中具有平坦的上表面。

根据本公开内容的一个实施方式，从有机发光显示设备的外部进入有机发光显示设备的外部光被第二电极反射三次。

根据本公开内容的一个实施方式，有机发光显示设备还可以包括：基板，其设置在发光元件的光发射的方向上；相位膜，其在发射光的方向上附接到基板；以及偏振膜，其在发射光的方向上附接到相位膜。

附图说明

本公开内容的上述和其他目的、特征和其他优点将从以下结合附图的具体实施方式中得到更清楚的理解，其中：

图1是示出根据本公开内容的一个实施方式的有机发光显示设备的视图；

图2是示出根据本公开内容的一个实施方式的单位像素的平面结构的视图；

图3是示出图2的一个子像素的截面结构的截面图；

图4是示出根据图2的一个实施方式的部分A的放大平面图；

图5A是沿图4的线I-I'截取的截面图，图5B是沿图4的线II-II'截取的截面图，并且图5C是沿图4的线III-III'截取的截面图；

图6是示出图2的部分A的另一示例的放大平面图；

图7A是沿图6的线IV-IV'截取的截面图，并且图7B是沿图6的线V-V'截取的截面图；

图8是示出根据本公开内容的有机发光显示设备的效果的图；

图9A是示出比较例的照片，并且图9B示出了比较例的模拟数据；

图10示出了根据本公开内容的有机发光显示设备的模拟数据；以及

图11是示出根据本公开内容的有机发光显示设备的光效率的曲线图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述本公开内容的实施方式。提供以下实施方式作为示例，以便本公开内容的主旨可以充分地传达给本领域技术人员。因此，本公开内容不限于以下描述的实施方式并且可以以其他形式实施。在附图中，为了方便，设备的尺寸和厚度可能被夸大。在可能的情况下，将在整个附图中使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。此外，在以下描述中，当确定相关已知技术的详细描述不必要地模糊本公开内容的主题时，将省略详细描述。

在使用本公开内容中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅”，否则也可以存在另一部分。单数形式的术语可以包括复数形式，除非相反指出。

在描述位置关系时，例如，当位置关系被描述为‘在……上’、‘在……之上’、‘在……下’和‘靠近……’时，除非使用“仅”或“直接”，否则一个或更多个其他部分可以布置在两个其他部分之间。空间相对术语，例如，“在……下”、“在……下方”、“在……下部”、“在……上方”、“在……上部”等，可以在本文中用于容易地描述如附图中所示的一个或多个元件与另一个或多个元件的关系。应当理解的是，这些术语旨在除了附图中所示的方向之外还包括设备的不同方向。例如，如果附图中的设备被颠倒，则描述为“在其他设备下”或“在其他设备下方”的设备可以被布置“在其他设备上方”。因此，示例性术语“在……下面”或“在……下方”可以包括向下方向或下方方向和向上方向两者。同样，示例性术语“在……上方”或“在……上”可以包括向上方向和向下或下方方向。

在描述本公开内容的元件时，可以使用术语“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(a)”、“(b)”等。这些术语旨在将相应的元件与其他元件区分开，并且相应元件的基础、顺序、或数量不应受这些术语的限制。

本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合，并且可以如本领域技术人员能够充分理解的那样以各种方式彼此互操作并在技术上驱动。本公开内容的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。

在下文中，将参照附图和实施方式详细描述根据本公开内容的有机发光显示设备。图1是示出根据本公开内容的一个实施方式的有机发光显示设备的视图。

参照图1，根据本公开内容的一个实施方式的有机发光显示设备可以包括显示面板10，该显示面板10包括彼此接合的基板100和对向基板300。

基板100包括薄膜晶体管，并且可以是透明玻璃基板或透明塑料基板。基板100可以包括显示区域AA和非显示区域IA。

显示区域AA可以是显示图像的区域，并且可以是像素阵列区域、有源区域、像素阵列单元、显示单元或屏幕。显示区域AA可以包括多个像素P。多个像素P可以是实际发光的单位区域。

非显示区域IA可以是不显示图像的区域，并且可以是外围电路区域、信号供应区域、非有源区域或边框区域。非显示区域IA可以被配置成围绕显示区域AA。显示面板10或基板100还可以包括设置在非显示区域IA中的外围电路单元50。

对向基板300可以通过粘合剂构件(或透明粘合剂)附接到基板100，或者可以以有机或无机材料堆叠在基板100上方的方式设置在基板100上方。对向基板300可以是上基板、第二基板或封装基板，并且可以对应于用于封装基板100的元件。

图2是示出根据本公开内容的一个实施方式的单位像素的平面结构的图。图3是示出图2的一个子像素SP的截面结构的截面图，并且图4是示出根据图2的一个实施方式的部分A的放大平面图。

参照图2至图4，根据本公开内容的一个实施方式的有机发光显示设备可以包括多个单位像素P，每个单位像素P由显示区域AA中的多个子像素SP构成。

一个子像素SP可以包括像素区域和电路区域CA。像素区域可以包括发光区域EA。在子像素SP中电路区域CA可以与发光区域EA在空间上分开。发光区域EA是子像素SP中由通过堤190开口的像素区域限定的区域，并且电路区域CA可以是非发光区域或非开口区域。

一个单位像素P可以包括四个子像素SP。子像素SP可以包括红色像素、白色像素、蓝色像素和绿色像素。栅极线GL设置成跨子像素SP的发光区域EA和电路区域CA在发光区域EA和电路区域CA之间延伸。多条数据线DL或参考线RL被设置成跨相邻的发光区域EA或相邻的电路区域CA在相邻的发光区域EA之间或在相邻的电路区域CA之间延伸。在与数据线DL平行的方向上延伸的电力线VDD设置在一个单位像素P中。参考线RL可以用作用于在单位像素P的感测驱动模式期间从外部感测设置在电路区域CA中的驱动薄膜晶体管的特性变化和/或发光元件层的特性变化的感测线。

如图3所示，根据本公开内容的有机发光显示设备可以包括基板100、具有光提取图案180的平坦化层170、光控制图案175、发光元件EP和光学膜120。发光元件EP由设置在基板100和平坦化层170之间的驱动薄膜晶体管Tdr驱动。

缓冲层110、驱动薄膜晶体管Tdr、保护层130、平坦化层170和发光元件EP可以顺序地堆叠在基板100的第一表面100a上。光学膜120可以设置在基板100的第二表面100b上。图像在基板100的与光学膜120附接的第二表面100b的方向上显示。例如，基板100可以设置在发光元件EP的光发射的方向上，并且光学膜120可以在光发射的方向上附接到基板。

光学膜120包括相位膜123和偏振膜125，并且相位膜123设置在基板100和偏振膜125之间。光学膜120可以设置成通过粘合剂材料(未示出)附接到基板100的第二表面100b。

偏振膜125可以形成为多个层被堆叠并附接到相位膜123的形状，并且可以将光通过的方向变成一个方向。例如，偏振膜125可以将相位改变90°。相位膜123可以将通过的光的相位改变45°。

设置在基板100的第一表面100a上的缓冲层110可以设置在基板100的整个第一表面100a上方。缓冲层110可以用于防止包含在基板100中的材料在薄膜晶体管的制造过程中的高温过程中扩散到薄膜晶体管层中，或用于防止外部水或湿气渗透到发光元件中。可选地，视情况而定，缓冲层110可以由多个层构成或省略。

驱动薄膜晶体管Tdr设置在电路区域CA中，驱动薄膜晶体管Tdr可以包括有源层111、栅极绝缘层113、栅电极115、层间绝缘层117、漏极电极119d和源电极119s。根据驱动薄膜晶体管Tdr的类型，漏电极119d和源电极119s可以被限定为颠倒的。

构成驱动薄膜晶体管Tdr的有源层111可以由基于非晶硅、多晶硅、氧化物和有机材料中的任一种的半导体材料制成。

栅极绝缘层113可以以岛状仅设置在有源层111的沟道区域上，或者可以完全设置在基板100或包括有源层111的缓冲层110上方。

层间绝缘层117可以设置在栅电极115和有源层111上方。层间绝缘层117可以完全设置在电路区域CA和发光区域EA中。层间绝缘层117可以由无机材料、有机材料或其组合制成。

在电路区域CA中，还可以将开关薄膜晶体管和电容器与驱动薄膜晶体管Tdr一起设置。还可以在基板100上的驱动薄膜晶体管Tdr或开关薄膜晶体管中的至少一个的有源层111下方设置遮光层101。

保护层130可以设置在基板100上方以覆盖驱动薄膜晶体管Tdr。保护层130覆盖驱动薄膜晶体管Tdr的漏电极119d和源电极119s以及层间绝缘层117。保护层130可以完全设置在电路区域CA和发光区域EA中。保护层130可以表述为钝化层。

根据本公开内容的有机发光显示设备还可以包括位于基板100的第一表面100a上的波长转换层150。

波长转换层150可以设置在基板100和平坦化层170之间以与至少一个发光区域EA交叠。波长转换层150可以设置在保护层130和平坦化层170之间以与发光区域EA交叠。根据另一示例的波长转换层150可以设置在层间绝缘层117和保护层130之间或基板100和层间绝缘层117之间以与发光区域EA交叠。

波长转换层150可以具有比发光区域EA的尺寸更宽的尺寸。由于波长转换层150比发光区域EA宽，所以波长转换层150的尺寸可以比平坦化层170的光提取图案180的尺寸宽。当波长转换层150的尺寸比光提取图案180的尺寸宽时，可以减少内部光泄漏到相邻子像素SP。

波长转换层150包括滤色器，该滤色器仅透射从发光元件EP向基板100发射的光中的针对子像素SP设置的颜色的光的波长。波长转换层150可以透射红色、绿色或蓝色波长。在根据本公开内容的有机发光显示设备中，当一个单位像素P包括彼此相邻的第一至第四子像素SP时，设置在第一子像素中的波长转换层150可以包括红色滤色器，设置在第二子像素中的波长转换层150可以包括绿色滤色器，并且设置在第三子像素中的波长转换层150可以包括蓝色滤色器。因为波长转换层150没有设置在第四子像素中，所以第四子像素可以发射白光。

平坦化层170可以设置在基板100上方以上覆保护层130。当省略保护层130时，平坦化层170可以设置在基板100上方以上覆驱动薄膜晶体管Tdr、波长转换层150和各种线路。平坦化层170可以完全设置在电路区域CA和发光区域EA中。此外，平坦化层170可以设置在图1所示的整个显示区域AA上方。平坦化层170可以设置成到达尺寸相对比显示区域AA宽的非显示区域。

平坦化层170可以设置得相对较厚，从而在显示区域AA上提供平坦表面。平坦化层170可以由诸如光丙烯酸、苯并环丁烯、聚酰亚胺和氟树脂的有机材料制成。

平坦化层170可以包括设置在像素区域PA中的光提取图案180。光提取图案180的一部分可以设置在平坦化层170的上表面170a上方以与像素区域的发光区域EA交叠。光提取图案180形成在发光区域EA的平坦化层170上以具有弯曲(或不平坦)的形状，从而改变从发光元件EP发射的光的移动路径以提高光提取效率。

光提取图案180包括多个凹部181和位于多个凹部181之间的多个凸部183，并且凸部183和凹部181交替设置成连接的。光提取图案180的多个凹部181基于平坦化层170的上表面170a凹入，但是可以设置多个凸出表面以在朝向基板100的方向上以透镜的形式连接。多个凹部181可以基于平坦化层170的上表面170a具有相同的深度，但是多个凹部181中的一些可以具有不同的深度。如图3所示，凹部181被设置成穿过平坦化层170的厚度，但不穿过平坦化层170的整个厚度。

光提取图案180可以具有比子像素SP的发光区域EA的尺寸更宽的尺寸。当光提取图案180的尺寸比发光区域EA的尺寸宽时，可以进一步提高发光区域EA中的光效率。光提取图案180可以是不平坦图案、微透镜或光散射图案。

参照图4至图5C,根据一个实施方式(实施方式1)的有机发光显示设备的多个凹部181中的每一个可以沿着第一方向X平行地设置在光提取图案180的每个间隔处，并且可以沿第二方向Y设置在光提取图案180的每个间隔处。光提取图案180可以以预定间隔设置。多个凹部181中的每一个可以设置成具有预定间隔的网格形状。沿第一方向X设置的相邻的凹部181可以在直线上彼此连接，并且沿第二方向Y设置的相邻的凹部181可以在直线上彼此连接。

四个相邻的凹部181中的每一个的中心部分可以形成正方形形状SS。此外，多个凹部181中的每一个可以被设置在其周围的八个凹部181围绕，此时，四个相邻的凹部181的中心部分依次连接的形状可以形成平面正方形形状。尽管本公开内容中所示的凹部181具有圆形结构的平面外观，但是多个凹部181中的每一个的外周可以设置或布置成蜂窝结构或圆形结构。

分别设置在多个子像素SP中的凹部181之间的间距(或间隔)可以彼此相同或不同。在这种情况下，凹部181之间的间距可以是两个相邻的凹部181的中心部分之间的距离(或间隔)。

凸部183可以设置在与发光区域EA交叠的平坦化层170中，以具有可以基于发光元件EP的有效发光区域使子像素SP中产生的光的外部提取效率最大化(例如，增加)的形状。

凸部183可以改变从发光元件EP朝向发光表面发射的光的移动路径。根据本公开内容的一个实施方式，凸部183改变从发光元件EP朝向基板100发射的光的移动路径，以防止或至少减少从发光元件EP发射的光被困在其中，从而将光发射到外部，并且由此提高光提取效率。

凸部183可以实施为围绕多个凹部181中的每一个。围绕一个凹部181的多个凸部183可以连接成具有蜂窝形状。

凸部183可以形成为在多个凹部181之间彼此连接。凸部183的上部可以包括具有如图5A至图5C所示的凸截面形状的圆顶或钟形结构，但不限于此。凸部183和凹部181之间的倾斜部分可以具有弯曲形状。凸部183和凹部181之间的倾斜部分可以具有从凹部181的底部到凸部183的上部逐渐增大然后逐渐减小的切线斜率。

如图3所示，光控制图案175设置在平坦化层170的光提取图案180上方，并且设置在光提取图案180的凹部181中。光控制图案175设置成多个以通过交替地填充光提取图案180的凹部181而交替地使凹部181的上表面平坦化。因此，凹部181的子集填充有光控制图案175。光控制图案175由折射率高于平坦化层170的折射率的有机材料制成。光控制图案175的折射率可以是1.57或更大。光控制图案175可以由透明材料制成，并且可以具有90％或更高的透射率。光控制图案175可以包括颗粒。光控制图案175可以通过折射内部光来控制光的直线方向性。

如图4所示，光控制图案175可以交替地设置在光提取图案180的相邻的凹部181中，使得光控制图案175可以在至少一个方向上彼此间隔开。例如，两个光控制图案175在至少一个方向上彼此间隔开，其中光提取图案180的凸部183、凹部181和凸部183介于这两个光控制图案175之间。

四个相邻的凹部181的中心部分可以彼此连接以形成正方形形状SS，并且由正方形形状SS的线连接的两个角具有它们各自彼此不同的结构，并且不由线彼此连接的两个角具有相同的对称结构。

光控制图案175设置在在正方形SS中用直线连接并且彼此面对的两个角的凹部181中的一个中，但不设置在另一个凹部181中。光控制图案175设置在正方形SS中基于对角线方向彼此面对的两个角的两个凹部181上方，或者光控制图案175不设置在基于与该对角线方向相反的对角线方向彼此面对的两个角的两个凹部181上方。在这种情况下，光控制图案175可以交替地设置在光提取图案180的凹部181中。

如图5A至图5C所示，光控制图案175填充光提取图案180的在第一方向X上的两个凸部183之间的凹部181以使凹部181平坦化，但不设置在与由光控制图案175填充的凹部181紧邻的凹部181中。例如，设置在第一方向X上的一行的光控制图案175不与设置在第一方向X上的下一行或相邻行的光控制图案175交叠。在第一方向X上的一行中的填充有光控制图案175的凹部181被设置成与在第一方向X上的下一行或相邻行中的没有填充光控制图案175的凹部181交叠。

如图5A至5C所示，光控制图案175填充光提取图案180的在第二方向Y上的两个凸部183之间的凹部181以使凹部181平坦化，但不设置在与由光控制图案填充的凹部181紧邻的凹部181中。例如，设置在第二方向Y上的一列中的光控制图案175不与设置在第二方向Y上的下一列或相邻列中的光控制图案175交叠(例如，不重叠)。填充有光控制图案175的在第二方向Y上的一列凹部181被设置成与没有填充光控制图案175的在第二方向Y上的下一列或相邻列的凹部181交叠。

当四个相邻的光提取图案180的凹部181基于对角线方向彼此对称时，光控制图案175设置在一个对角线方向上的凹部181中，而不设置在另一对角线方向上的凹部181中。在这种情况下，光控制图案175可以交替地设置在光提取图案180的凹部181中。

图6是示出另一实施方式的平面图。参照图6至图7B，根据本公开内容的另一实施方式(实施方式2)的有机发光显示设备的平坦化层270可以包括设置在根据本公开内容的另一实施方式的像素区域中的光提取图案280。光提取图案280的一部分被设置成与像素区域的发光区域EA交叠，以改变从发光元件EP发射的光的移动路径，从而提高光提取效率。

光提取图案280包括多个凹部281和多个凹部281之间的多个凸部283。多个凸部283和多个凹部281交替设置以彼此连接。多个凹部281基于平坦化层270的上表面可以具有相同的深度，但是多个凹部281中的一些可以具有不同的深度。

光提取图案280可以具有比子像素SP的发光区域EA的尺寸更宽的尺寸。当光提取图案280的尺寸比发光区域EA的尺寸宽时，可以进一步提高发光区域EA中的光效率。光提取图案280可以是不平坦图案、微透镜或光散射图案。

多个凹部281可以沿着第一方向X彼此平行地间隔开以在它们之间具有预定间隙，并且可以沿着第二方向Y设置在光提取图案280的每个间隔处。光提取图案280可以以预定间隔设置。多个凹部281中的每一个可以设置成具有预定间隔的斜方形或菱形(DS)。沿第二方向Y设置的相邻的凹部281可以以之字形形状彼此连接，并且沿第一方向X设置的相邻的凹部281可以以直线彼此连接。

四个相邻的凹部281中的每一个的中心部分可以形成方形形状或斜方形或菱形形状DS。此外，多个凹部281中的每一个可以被设置在其周围的六个光提取图案280的凹部281围绕。此时，围绕一个凹部281的六个凹部281中的每一个的中心部分可以具有平面六边形形状。尽管在本公开内容中示出的凹部281的外观的光提取图案280以圆形结构示出，但是多个凹部281中的每一个的光提取图案280的外周可以设置或布置成蜂窝结构或圆形结构。

分别设置在多个子像素SP中的凹部281之间的间距(或间隔)可以彼此相同或不同。在这种情况下，凹部281之间的间距可以是两个相邻凹部281的中心部分之间的距离(或间隔)。

凸部283可以设置在与发光区域EA交叠的平坦化层270中，以具有可以基于发光元件EP的有效发光区域使子像素SP中产生的光的外部提取效率最大化的形状。

凸部283可以改变从发光元件EP朝向发光表面发射的光的移动路径。根据本公开内容的一个实施方式，凸部283改变从发光元件EP朝向基板100发射的光的移动路径，以防止从发光元件EP发射的光被困在其中，从而将光发射到外部，从而提高光提取效率。

多个凸部283可以实现为围绕多个凹部281中的每一个。围绕一个凹部281的多个凸部183可以被连接成具有蜂窝形状。

凸部283可以形成为在多个凹部281之间彼此连接。凸部283的上部可以包括具有如图7A和图7B所示的凸截面形状的圆顶或钟形结构，但不限于此。凸部283和凹部281之间的倾斜部分可以具有弯曲形状。凸部283和凹部281之间的倾斜部分可以具有从凹部281的底部到凸部283的上部逐渐增大然后逐渐减小的切线斜率。

光控制图案275设置在平坦化层270的光提取图案280上方，并且设置在光提取图案280的凹部281中。光控制图案275设置成多个以通过交替地填充光提取图案280的凹部281来交替地使凹部281平坦化。光控制图案275由折射率高于平坦化层270的折射率的有机材料制成。光控制图案275的折射率可以是1.57或更大。光控制图案275可以由透明材料制成，并且可以具有90％或更高的透射率。光控制图案275可以包括颗粒。光控制图案275可以通过折射内部光来控制光的直线方向性。

如图6所示，光控制图案275交替设置在光提取图案280的相邻的凹部281中，这些凹部281在至少一个方向上彼此相邻，使得光控制图案275在至少一个方向上彼此间隔开。例如，两个光控制图案275在至少一个方向上彼此间隔开，其中光提取图案280的凸部283、凹部281和凸部283介于这两个光控制图案275之间。

四个相邻的凹部281的中心部分可以彼此连接以形成斜方形形状或菱形形状DS，并且由斜方形形状DS的线连接的两个角具有各自彼此不同的结构，并且不由该线彼此连接的两个角具有相同的对称结构。

光控制图案275设置在用线连接成斜方形形状DS并且彼此面对的两个角的凹部281中的一个中，但不设置在另一个凹部281中。光控制图案275设置在基于斜方形形状DS中的对角线方向彼此面对的两个角的凹部281上方，并且光控制图案275不设置在基于与该对角线方向相反的对角线方向彼此面对的两个角的凹部281上方。在这种情况下，光控制图案275可以交替地设置在光提取图案280的凹部281中。

光控制图案275填充光提取图案280的在第一方向X上的两个凸部283之间的凹部281以使凹部281平坦化，但不被设置在与由光控制图案275填充的凹部281紧邻的凹部281中。此时，如图6所示，例如，设置在第一方向X上的一行中的光控制图案275与设置在第一方向X上的下一行或相邻行的光控制图案275至少部分地交叠。在第一方向X上的一行中的填充有光控制图案275的凹部281被设置成与在第一方向X上的下一行或相邻行中没有填充光控制图案275的凹部281至少部分地交叠。

如图7B所示，光控制图案275填充光提取图案280的在第二方向Y上的两个凸部283之间的凹部281以使凹部281平坦化，但不设置在与由光控制图案275填充的凹部281紧邻的凹部281中。此时，如图6所示，例如，设置在第二方向Y上的一列中的光控制图案275的至少一部分不与设置在第二方向Y上的下一列或相邻列中的光控制图案275交叠(例如，不重叠)。填充有光控制图案275的在第二方向Y上的一列的凹部281的至少一部分设置成与没有填充光控制图案275的在第二方向Y上的下一列或相邻列的凹部281交叠。

当四个相邻的光提取图案280的凹部281基于对角线方向彼此对称时，光控制图案275设置在一个对角线方向上的凹部281中，而不设置在另一对角线方向上的凹部281中。在这种情况下，光控制图案275可以交替地设置在光提取图案280的凹部281中。

如图3所示，发光元件EP可以设置在发光区域EA的光提取图案180上方，并且根据底部发光方法朝向基板100发光。发光元件EP沿着光提取图案180和光控制图案175的表面形状(或形态)设置，使得发光元件EP设置在光提取图案180的倾斜部分上方，同时在光提取图案180的没有设置光控制图案175的凹部181中具有凹形状，并且发光元件EP在其中光提取图案180的设置了光控制图案175的凹部181中具有平坦的上表面的截面结构。根据光控制图案175的布置结构，发光元件EP替选地具有凹形状或弯曲形状和平面形状。

根据一个示例的发光元件EP可以包括第一电极E1、发光元件层EDL和第二电极E2。发光元件EP同样适用于示出了另一实施方式的图6和图7B的实施方式，因此将省略其详细描述。将用以下描述代替发光元件EP。

第一电极E1可以设置在像素区域上的平坦化层170上方并且因此电连接到驱动薄膜晶体管Tdr的漏电极119d。第一电极E1的与电路区域CA相邻的一端可以通过设置在平坦化层170和保护层130中的电极接触孔CH电连接到驱动薄膜晶体管Tdr的漏电极119d。

由于第一电极E1与光提取图案180和光控制图案175直接接触，因此第一电极E1具有跟随光提取图案180和光控制图案175的形状的形状。也就是说，第一电极E1的表面形状基本上与光提取图案180和光控制图案175的形状匹配。由于第一电极E1设置(或沉积)在平坦化层170和光控制图案175上以具有相对薄的厚度，第一电极E1可以具有跟随光控制图案175和包括凸部183和多个凹部181的光提取图案180的形态(或第一形态)的形态(或第二形态)。

第一电极E1通过透明导电材料的沉积工艺设置成跟随光提取图案180和光控制图案175的表面形状(或形态)的形状，使得第一电极E1跟随在光提取图案180的没有设置光控制图案175的凹部181中的凹形状，并且第一电极E1在光提取图案180的设置光控制图案175的凹部181中具有平坦的截面结构。根据光控制图案175的布置结构，第一电极E1替选地具有凹形状和平坦形状。也就是说，第一电极包括设置在缺少光控制图案175的凹部181/281中的多个部分，以及没有设置在填充有光控制图案175的凹部181/281中的多个部分。

发光元件层EDL可以设置在第一电极E1上并因此与第一电极E1直接接触。发光元件层EDL可以设置(或沉积)在第一电极E1上以比第一电极E1相对厚，使得发光元件层EDL可以具有与凸部183和多个凹部181中的每一个的形态不同的形态，并且可以具有跟随第一电极E1的形态的形态。

发光元件层EDL可以通过沉积工艺设置以跟随第一电极E1的表面形状(或形态)，使得发光元件层EDL跟随光提取图案180的其中没有设置光控制图案175的凹部181中的凹形状，并且在光提取图案180的其中设置光控制图案175的凹部181中具有平坦形状的截面结构。也就是说，发光元件层EDL的表面形状基本上与光提取图案180和光控制图案175的形状匹配。根据光控制图案175的布置结构，发光元件层EDL交替地具有凹形状和平坦形状。发光元件层EDL可以通过沉积工艺设置以具有不跟随第一电极E1的表面形状(或形态)的非共形形状，从而具有不同于第一电极E1的截面结构。也就是说，发光元件层EDL包括设置在缺少光控制图案175的凹部181/281中的多个部分，以及没有设置在填充有光控制图案175的凹部181/281中的多个部分。

发光元件层EDL可以设置成具有朝向其中没有设置光控制图案175的凹部181的底表面逐渐变厚的厚度。发光元件层EDL可以以第一厚度设置在光提取图案180的没有设置光控制图案175的倾斜部分上，并且可以以比第一厚度厚的第二厚度设置在其中没有设置光控制图案175的凹部181的底表面上方。发光元件层EDL可以以第三厚度设置在光提取图案180的其中设置了光控制图案175的凹部181上方，并且没有设置光控制图案175的凹部181的底表面上的第二厚度与第三厚度可以彼此相同。设置在光提取图案180的其中没有设置光控制图案175的倾斜部分上方的发光元件层EDL的第一厚度可以小于光提取图案180的其中设置光控制图案175的凹部181上方的第三厚度。

发光元件层EDL包括两个或更多个用于发射白光的发光层。作为示例，发光元件层EDL可以包括用于通过将第一光与第二光混合来发射白光的第一发光层和第二发光层。第一发光层可以包括蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层、黄色发光层和黄绿色发光层中的任一种以发射第一光。第二发光层可以包括发射第二光的发光层，以通过在蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层、黄色发光层和黄绿色发光层中混合第一光而实现来自发光元件EP的白光。根据另一示例的发光元件层EDL可以包括蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层中的任一种。

第二电极E2可以设置在发光元件层EDL上并且因此与发光元件层EDL直接接触。第二电极E2可以具有跟随发光元件层EDL的表面形状的表面形状。第二电极E2可以通过沉积工艺设置成跟随发光元件层EDL的表面形状(或形态)的共形形状，以具有与发光元件层EDL的截面结构相同的截面结构。

第二电极E2在光提取图案180的其中没有设置光控制图案175的凹部181中具有跟随凹形状的形状，并且在光提取图案180的其中设置有光控制图案175的凹部181中具有平坦形状的截面结构。也就是说，第二电极E2的表面形状基本上与光提取图案180和光控制图案175的形状匹配。根据光控制图案175的布置结构，第二电极E2交替地具有凹形状和平坦形状。也就是说，第二电极E2包括设置在缺少光控制图案175的凹部181/281中的多个部分，以及没有设置在填充有光控制图案175的凹部181/281中的多个部分。

由于第二电极E2设置在光提取图案180的没有设置光控制图案175的倾斜部分上方，并且第二电极E2设置在填充在相邻的光提取图案180的凹部181中的光控制图案175的上表面上方，因此从发光元件层EDL发射的光可以被设置在光提取图案180的没有设置光控制图案175的倾斜部分上方的第二电极E2反射，而不会在移动到下一个光提取图案180之后消散，即使其被光控制图案175折射亦如此。

根据本公开内容的有机发光显示设备具有交替设置在光提取图案180的凹部181中的光控制图案175，使得第二电极E2设置在光提取图案180的倾斜部分上方以防止从内部发射的光在移动到下一个光提取图案180后消散或被困住，并使光在内部反射后向外部发射，从而提高聚光效率以提高光提取效率。

此外，根据本公开内容的有机发光显示设备具有交替设置在光提取图案180的凹部181中的光控制图案175，使得第二电极E2设置在光提取图案180的具有斜率的倾斜部分上方，并且设置在凹部181上方以交替地具有平坦表面。

由于第二电极E2依次设置在光提取图案180的倾斜部分、凹部181上的光控制图案175的上表面和相邻的光提取图案180的倾斜部分上方，因此入射的外部光可以从光提取图案180的倾斜部分、凹部181上的光控制图案175的上表面和相邻的光提取图案180的倾斜部分反射三次。

当由第二电极E2入射的外部光在内部反射三次时，由于可以防止该光再次发射到外部，因此根据本公开内容的有机发光显示设备可以解决由于外部光引起的反射可见性。因此，有机发光显示设备可以防止由于外部光的反射造成的黑间隙，从而可以在非驱动或关闭状态下实现纯黑。

由于根据本公开内容的有机发光显示设备可以防止外部光再次发射到外部，因此可以避免由于外部光在发射时折射而产生的彩虹不均。

第二电极E2可以包括具有高反射率的金属材料，以将从发光元件层EDL发射的入射光向基板100反射。例如，第二电极E2可以包括由选自铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)和钡(Ba)中的任一种材料或两种或更多种材料的合金制成的单层结构或多层结构。第二电极E2可以包括具有高反射率的不透明导电材料。

有机发光显示设备还包括用于限定发光区域EA的堤层190和用于保护发光元件EP的封装部分200。

堤层190可以设置在第一电极E1的边缘上方和平坦化层170上。堤层190的一部分可以与波长转换层150的边缘部分交叠。堤层190可以由诸如基于苯并环丁烯(BCB)的树脂、丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的有机材料制成。堤层190可以设置为包括黑色颜料的光致抗蚀剂，并且在这种情况下，堤层190可以用作相邻像素之间的遮光构件。

堤层190设置在平坦化层170的上表面170a上方以覆盖第一电极E1的延伸到电路区域CA上的边缘，并且可以设置成覆盖光提取图案180的边缘。由堤层190限定的发光区域EA可以设置成具有比平坦化层170的光提取图案180的区域窄的尺寸。

封装部分200可以设置在基板100上方以上覆发光元件EP。封装部分200可以围绕显示区域。封装部分200可用于保护薄膜晶体管和发光元件EP免受外部冲击，并防止氧气和/或湿气渗透到发光元件EP中。

封装部分200可以包括多个无机封装层。封装部分200还可以包括插入在多个无机封装层之间的至少一个有机封装层。有机封装层可以由颗粒覆盖层表示。

根据本公开内容的另一实施方式的封装部分可以变成围绕显示区域的填料，并且在这种情况下，对向基板300可以通过填料接合到基板100。填料可以包括吸收氧气和/或湿气的吸气剂材料。

对向基板300可以耦接到封装部分200。对向基板300可以由塑料材料、玻璃材料或金属材料制成。例如，当封装部分200包括多个无机封装层时，可以省略对向基板300。

可选地，当封装部200被改为填料时，对向基板300可以耦接到填料，并且在这种情况下，对向基板300可以由塑料材料、玻璃材料或金属材料制成。

图8是示出根据本公开内容的有机发光显示设备的效果的视图。

当外部光从有机发光显示设备的外部进入有机发光显示设备时，外部光通过光学膜120变成左旋圆偏振光或右旋圆偏振光。详细地，外部光在穿过偏振膜125时变成线偏振光，并且线偏振光通过相位膜123变成左旋圆偏振光或右旋圆偏振光。

首先，将描述左旋圆偏振光。第一左旋圆偏振光被设置在光提取图案180和280的没有设置光控制图案175和275的倾斜部分上方的第二电极E2反射，并变成第一右旋圆偏振光。第一右旋圆偏振光被设置在光提取图案180和280的凹部181和281中的光控制图案175和275折射，并再次被光控制图案175和275上的平坦的第二电极E2朝向发光元件EP反射，由此第一右旋圆偏振光变成第二左旋圆偏振光。

此时，由于光控制图案175和275的折射率大于具有光提取图案180和280的平坦化层170和270的折射率，因此发射角θ2小于入射角θ1。因此，第一右旋圆偏振光通过设置在光提取图案180和280的其中没有设置光控制图案175和275的倾斜部分上方的第二电极E2被引导到发光元件EP的方向中。第一右旋圆偏振光再次被光控制图案175和275上的平坦第二电极E2反射并变成第二左旋圆偏振光。

第二左旋圆偏振光再次被光控制图案175和275折射并被设置在相邻的光提取图案180和280的倾斜部分上方的第二电极E2反射，因为在相邻的光提取图案180和280中没有设置光控制图案175和275，从而第二左旋圆偏振光变成第二右旋圆偏振光并被引导朝向基板100。

此时，由于光控制图案175和275的折射率大于具有光提取图案180和280的平坦化层170和270的折射率，因此当光控制图案175和275中的光穿过相邻的光提取图案180和280时，发射角θ2'大于入射角θ1'，从而第二左旋圆偏振光可以被朝向相邻的光提取图案180和280的倾斜部分引导，并且因为在相邻的光提取图案180和280中没有设置光控制图案175和275而被第二电极E2反射。

第二左旋圆偏振光被第二电极E2反射并变成第二右旋圆偏振光，并且通过第二右旋圆偏振将朝向基板100引导的光的相位变成90°，使得可以通过偏振膜125防止光被发射到外部。

作为另一示例，将描述外部光在穿过偏振膜125的同时变成线偏振光并且线偏振光在穿过相位膜123的同时变成右旋圆偏振光的情况。第一右旋圆偏振光被设置在光提取图案180和280的其中没有设置光控制图案175和275的倾斜部分上方的第二电极E2反射，并变成第一左旋圆偏振光。第一左旋圆偏振光被设置在光提取图案180和280的凹部181和281上方的光控制图案175和275折射，再次被光控制图案175和275上的平坦第二电极E2朝向发光元件EP反射，然后变成第二右旋圆偏振光。

此时，由于光控制图案175和275的折射率大于具有光提取图案180和280的平坦化层170和270的折射率，因此发射角θ2小于入射角θ1，由此，第一左旋圆偏振光通过设置在光提取图案180和280的其中没有设置光控制图案175和275的倾斜部分上方的第二电极E2朝向发光元件EP引导。第一左旋圆偏振光再次被光控制图案175和275上的平坦第二电极E2反射并变成第二右旋圆偏振光。

因为在相邻的光提取图案180和280中没有设置光控制图案175和275，第二右旋圆偏振光再次被光控制图案175和275折射，再次被设置在相邻的光提取图案180的倾斜部分上方的第二电极E2反射，变成第二左旋圆偏振光，并朝向基板100引导。

此时，由于光控制图案175和275的折射率大于具有光提取图案180和280的平坦化层170和270的折射率，因此当光控制图案175和275中的光穿过相邻的光提取图案180和280时，发射角θ2'大于入射角θ1'，由此，第二右旋圆偏振光可以被朝向相邻的光提取图案180和280的倾斜部分引导，并且因为在相邻的光提取图案180和280中没有设置光控制图案175和275而被第二电极E2反射。

第二右旋圆偏振光再次被第二电极E2反射并变成第二左旋圆偏振光，并且通过第二左旋圆偏振朝向基板100引导的光的相位通过相位膜123变成0°，由此可以通过偏振膜125防止光发射到外部。

如上所述，在根据本公开内容的有机发光显示设备中，外部光的入射光和发射光具有彼此不同或相反的各自的相位，使得外部光通过具有偏振膜125的光学膜120不穿过显示设备，从而防止外部光被发射。

在根据本公开内容的有机发光显示设备中，光控制图案175和275交替设置在光提取图案180和280的凹部181和281中，使得入射的外部光通过第二电极E2在内部被反射三次并防止被发射，从而可以解决由于外部光引起的反射可见性。因此，有机发光显示设备可以防止出现由于外部光的反射而产生的黑间隙，从而在非驱动或关闭状态下实现纯黑。

从有机发光显示设备中的发光元件EP发射的光向基板100发射或被填充在光提取图案180和280的凹部181和281中的光控制图案175和275折射，并且朝向相邻的光提取图案180和280或基板100引导折射光。

当朝向相邻的光提取图案180和280引导折射光时，在相邻的光提取图案180和280的凹部181和281中没有设置光控制图案175和275，从而第二电极E2设置在相邻的光提取图案180和280的倾斜部分上方。由光控制图案175和275折射的光被设置在相邻的光提取图案180和280的倾斜部分上方的第二电极E2反射，朝向基板引导，然后发射到外部。在这种情况下，由于从发光元件EP发射的光不是偏振光，因此即使光被第二电极E2反射，其相位也不会改变，从而可以将光发射到外部而不会被光学膜120阻挡。

在根据本公开内容的有机发光显示设备中，光控制图案175和275交替地设置在光提取图案180和280的凹部181和281中，从而可以防止从发光元件EP发射的光通过移动到下一个光提取图案180和280而消散或被困住，并且可以在内部反射并发射到外部。如上所述，根据本公开内容的有机发光显示设备可以通过提高聚光效率来提高光提取效率。

如图9A所示，在根据比较例的有机发光显示设备中，外部光在显示设备内部被反射并且在被发射到显示设备外部的同时被折射，由此可能出现彩虹不匀。作为根据比较例的有机发光显示设备的模拟结果，红色的强亮度出现在中心并且以星形散布，如图9B所示。以这种方式，注意到图9B中的模拟结果类似于根据图9A中的比较例的有机发光显示设备的照片，其显示了强烈的反射可见性和彩虹不匀。

另一方面，在根据本公开内容的有机发光显示设备中，作为图10的模拟的结果，，出现宽同心圆形式的亮度分布，而中心没有红色。在根据本公开内容的有机发光显示设备中，注意即使外部光进入显示设备，也可以防止光被发射，同时在显示设备内部被反射三次，并且可以防止亮度仅强烈集中在中心，并且可以以同心圆的形式广泛分布以降低视觉感知强度。因此，在根据本公开内容的有机发光显示设备中，可以解决由于外部光引起的反射可见性，并且可以解决彩虹不匀。

如上所述，在根据本公开内容的有机发光显示设备中，可以防止在内部反射的外部光被发射，同时可以将从有机发光层发射并且被困在有机发光显示设备内部的光发射到外部。如图11所示，与根据比较例的有机发光显示设备比较，在根据本公开内容的一个实施方式(实施方式1)和另一实施方式(实施方式2)的有机发光显示设备中，注意到基于0°视角的光效率提高了29％。

根据本公开内容，可以获得以下有利效果。

在根据本公开内容的有机发光显示设备中，可以提高从有机发光元件发射的光的光提取效率。

根据本公开内容的有机发光显示设备可以解决由于外部光的反射引起的反射可见性，可以防止出现黑间隙，并且可以在非驱动或关闭状态下实现纯黑。

根据本公开内容的有机发光显示设备可以解决彩虹不匀的问题。

对于本领域的技术人员明显的是，上述本公开内容不受上述实施方式和附图的限制，并且在不背离本公开内容的主旨或范围的情况下可以在本公开内容中形成各种替换、修改和变化。因此，本公开内容的范围由所附权利要求限定，并且旨在从权利要求的含义、范围和等效构思得到的所有变化或修改都落入本公开内容的范围内。

Claims (24)

1.一种有机发光显示设备，包括：

包括发光区域的子像素；

与所述发光区域交叠的平坦化层，所述平坦化层包括具有多个凸部和多个凹部的多个光提取图案；

光控制图案，其交替地设置在所述多个光提取图案的凹部中；以及

发光元件，其设置在所述多个光提取图案和所述光控制图案上方。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述光控制图案填充所述凹部以交替地使所述凹部的上表面平坦化。

3.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述光控制图案的折射率大于所述平坦化层的折射率。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，四个相邻的凹部的中心部分以四个相邻的凹部的中心部分依次连接的状态形成正方形形状、斜方形形状或菱形形状。

5.根据权利要求4所述的有机发光显示设备，其中，在四个相邻的凹部的中心部分依次连接的状态下，以线彼此连接的两个角具有不同的结构，并且不以线彼此连接的两个角具有相同的对称结构。

6.根据权利要求4所述的有机发光显示设备，其中，在四个相邻的凹部的中心部分依次连接的状态下，所述光控制图案被设置在以线彼此连接的两个角的凹部的一个凹部中，但不设置在另一个凹部中。

7.根据权利要求4所述的有机发光显示设备，其中，在四个相邻的凹部的中心部分依次连接的状态下，所述光控制图案被设置在基于对角线方向彼此面对的两个角的两个凹部中，或者不设置在基于所述对角线方向的相对对角线方向彼此面对的两个角的两个凹部中。

8.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述光控制图案填充所述光提取图案的一个凹部以使该凹部平坦化，并且不设置在与所述一个凹部相邻的凹部中。

9.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述光控制图案不与设置在第一方向上的下一行或相邻行中的另一光控制图案交叠。

10.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述光控制图案不与设置在第二方向上的下一列或相邻列中的另一光控制图案交叠。

11.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述发光元件跟随所述光提取图案和所述光控制图案的表面形状，被设置在所述光提取图案的倾斜部分上方、同时在没有设置所述光控制图案的所述光提取图案的凹部中具有凹形状，并且在设置有所述光控制图案的所述光提取图案的凹部中具有平坦的上表面。

12.根据权利要求11所述的有机发光显示设备，其中，所述发光元件交替地具有所述凹形状和平坦形状。

13.根据权利要求11所述的有机发光显示设备，其中，所述发光元件包括第一电极、发光元件层和第二电极，并且

所述第二电极跟随所述光提取图案和所述光控制图案的表面形状，被设置在所述光提取图案的倾斜部分上方、同时在没有设置所述光控制图案的所述光提取图案的凹部中具有凹形状，并且在设置有所述光控制图案的所述光提取图案的凹部中具有平坦的上表面。

14.根据权利要求13所述的有机发光显示设备，其中，从所述有机发光显示设备的外部进入所述有机发光显示设备的外部光被所述第二电极反射三次。

15.根据权利要求14所述的有机发光显示设备，其中，所述外部光被设置在所述有机发光显示设备中的所述光提取图案的倾斜部分上方的第二电极反射，被在设置有所述光控制图案的光提取图案的凹部的平坦的上表面上设置的第二电极再次反射，并被设置在没有设置所述光控制图案的相邻的光提取图案的凹部的倾斜部分上方的第二电极反射。

16.根据权利要求13所述的有机发光显示设备，还包括：

基板，其设置在所述发光元件的光发射的方向上；

相位膜，其在所述光发射的方向上附接到所述基板；以及

偏振膜，其在所述光发射的方向上附接到所述相位膜。

17.根据权利要求16所述的有机发光显示设备，其中，从所述有机发光显示设备的外部进入所述有机发光显示设备的外部光通过所述相位膜首先被左旋圆偏振，

首先被左旋圆偏振的光被设置在没有设置光控制图案的所述光提取图案的倾斜部分上方的第二电极反射，并变成第一右旋圆偏振光，

所述第一右旋圆偏振光被设置在被设置于所述光提取图案的凹部上方的所述光控制图案的上表面上方的并且平坦的第二电极反射，并变成第二左旋圆偏振光，

所述第二左旋圆偏振光被设置在没有设置所述光控制图案的相邻的光提取图案的倾斜部分上方的第二电极反射，并变成第二右旋圆偏振光，以及

所述第二右旋圆偏振光通过所述偏振膜被防止发射。

18.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述发光元件包括第一电极、发光元件层和第二电极，并且所述发光元件层以第一厚度设置在没有设置所述光控制图案的所述光提取图案的倾斜部分上方，并且以比所述第一厚度厚的第二厚度设置在没有设置所述光控制图案的所述凹部的底表面上方。

19.根据权利要求18所述的有机发光显示设备，其中，所述发光元件层以第三厚度设置在设置有所述光控制图案的所述光提取图案的所述凹部上方，并且

所述第二厚度与所述第三厚度彼此相同。

20.一种显示设备，包括：

基板，其包含发光区域；

在所述基板上的子像素，所述子像素包括被配置成在所述发光区域中朝向所述基板发射光的发光元件；

在所述发光区域中的平坦化层，所述平坦化层包含朝向所述基板延伸且与所述发光元件交叠的多个凹部；以及

光控制图案，其设置在来自所述多个凹部的第一多个凹部中，但并未设置在来自所述多个凹部的第二多个凹部中。

21.根据权利要求20所述的显示设备，其中，所述光控制图案的折射率大于所述平坦化层的折射率。

22.根据权利要求21所述的显示设备，其中，来自填充有所述光控制图案的第一多个凹部的凹部被设置在来自未填充所述光控制图案的第二多个凹部的一对凹部之间。

23.根据权利要求22所述的显示设备，其中，来自所述第一多个凹部的凹部和来自所述第二多个凹部的一对凹部被布置在所述显示设备的平面视图中的相同的行或相同的列中。

24.根据权利要求20所述的显示设备，其中，所述平坦化层还包括远离所述基板延伸的多个凸部，每个凸部被设置在来自多个凹部的一对凹部之间。

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