CN116154443A - 介质谐振单元、介质滤波器及选频特性调试方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种介质谐振单元、介质滤波器及选频特性调试方法，该方法应用于一介质滤波器，该介质滤波器包括介质谐振单元，该介质谐振单元包括介质本体及包覆于所述介质本体的导电层，所述介质本体具有谐振腔；所述方法包括：获取所述介质滤波器中所述介质谐振单元的初始谐振频率；根据所述初始谐振频率和预设参考频率对所述谐振腔进行非导电的调频介质的填充处理，以调节介质谐振单元的谐振频率。本申请通过在谐振腔内填充调频介质以调节介质谐振单元的谐振频率，且调频介质的填充工艺简单，便于操作实现。
Description
技术领域
本申请涉及滤波器技术领域，尤其涉及一种介质谐振单元、介质滤波器及选频特性调试方法。
背景技术
介质滤波器因使用介质材料实现了小体积和轻量化，已替代传统金属腔滤波器，成为MIMO组网的5G模块首选滤波器。随着5G通信系统的发展，介质滤波器的应用会越来越大，对滤波器插损和驻波的指标要求也会越来越高。而介质波导滤波器生产制程中的调试工序，是通过打磨介质波导滤波器表面导电镀层来调试出所需求的滤波通带波形(例如，通过打磨介质波导滤波器的盲孔的底部实现升频、通过打磨介质波导滤波器的盲的孔侧壁实现降频)。因打磨镀层调试工艺存在不可逆特性(镀层打磨后无法返工维修)，因此调试工序良率和效率成为介质滤波器产能提升和成本改善瓶颈。
发明内容
本申请提供了一种介质谐振单元、介质滤波器及选频特性调试方法，通过向谐振腔进行非导电的调频介质的填充处理，以调节介质谐振单元的谐振频率。
本申请实施例的第一方面提供一种介质滤波器的选频特性调试方法，应用于一介质滤波器，所述介质滤波器包括介质谐振单元，所述介质谐振单元包括介质本体及包覆于所述介质本体的导电层，所述介质本体具有谐振腔；所述方法包括：
获取所述介质滤波器中所述介质谐振单元的初始谐振频率；
根据所述初始谐振频率和预设参考频率对所述谐振腔进行非导电的调频介质的填充处理，以调节介质谐振单元的谐振频率。
如此，通过向谐振腔进行非导电的调频介质的填充处理，以调节介质谐振单元的谐振频率，操作简单，便于实现。
基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述调频介质的介电常数c范围为：c＞5。通过控制该介电常数，以通过填充调频介质可调节10MHz内的谐振频率。基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述谐振腔为盲孔结构或盲槽结构，所述谐振腔具有底部和侧壁；
所述根据所述初始谐振频率和预设参考频率对所述谐振腔进行非导电的调频介质的填充包括：
将所述初始谐振频率与预设参考频率进行比较；
若所述初始谐振频率小于所述预设参考频率，则对所述侧壁进行调频介质填充处理；
若所述初始谐振频率大于所述预设参考频率，则对所述底部进行调频介质填充处理。
由于谐振腔为盲孔结构或盲槽结构，则可通过对谐振腔的侧壁或底部进行调频介质填充处理，以调节介质谐振单元的谐振频率，以使该谐振频率接近或等于参考频率。
基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述谐振腔为盲孔结构或盲槽结构，所述谐振腔具有底部和侧壁；
所述根据所述初始谐振频率和预设参考频率对所述谐振腔进行非导电的调频介质的填充包括：
将所述初始谐振频率与预设参考频率进行比较；
若所述初始谐振频率小于所述预设参考频率，则对所述谐振腔进行打磨处理，以在所述底部形成第一打磨部；
若打磨处理完成的所述介质谐振单元的当前谐振频率大于所述预设参考频率，对所述第一打磨部进行调频介质填充处理。
由于谐振腔为盲孔结构或盲槽结构，则可通过对谐振腔的侧壁或底部进行调频介质填充处理，以调节介质谐振单元的谐振频率，以使该谐振频率接近或等于参考频率。
特别是对于打磨调试后的不良品，例如打磨导电层过度，使得介质谐振单元的谐振频率与参考频率的差值过大，无法通过再次打磨使介质谐振单元的谐振频率接近或等于参考频率，通过对打磨后的介质谐振单元进行填充，以调节介质谐振单元的谐振频率，以使该谐振频率接近或等于参考频率。
基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述对所述谐振腔进行打磨处理还包括：
在所述侧壁形成第二打磨部。
其中，打磨处理可包括打磨侧壁和打磨底部，即通过打磨侧壁和打磨底部配合，以调节介质谐振单元的谐振频率。
基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述谐振腔为盲孔结构或盲槽结构，所述谐振腔具有底部和侧壁；
所述根据所述初始谐振频率和预设参考频率对所述谐振腔进行非导电的调频介质的填充包括：
将所述初始谐振频率与预设参考频率进行比较；
若所述初始谐振频率大于所述预设参考频率，则对所述谐振腔进行打磨处理，以在所述侧壁形成第二打磨部；
若打磨处理完成的所述介质谐振单元的当前谐振频率小于所述预设参考频率，对所述第二打磨部进行调频介质填充处理。
由于谐振腔为盲孔结构或盲槽结构，则可通过对谐振腔的侧壁或底部进行调频介质填充处理，以调节介质谐振单元的谐振频率，以使该谐振频率接近或等于参考频率。
特别是对于打磨调试后的不良品，例如打磨导电层过度，使得介质谐振单元的谐振频率与参考频率的差值过大，无法通过再次打磨使介质谐振单元的谐振频率接近或等于参考频率，通过对打磨后的介质谐振单元进行填充，以调节介质谐振单元的谐振频率，以使该谐振频率接近或等于参考频率。
基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述对所述谐振腔进行打磨处理还包括：
在所述底部形成第一打磨部。
基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述谐振腔为通孔结构或通槽结构，所述谐振腔具有侧壁；
所述根据所述初始谐振频率和预设参考频率对所述谐振腔进行非导电的调频介质的填充包括：
将所述初始谐振频率与预设参考频率进行比较；
若所述初始谐振频率小于所述预设参考频率，则对所述侧壁进行调频介质填充处理。
由于谐振腔为通孔结构或通槽结构，则可通过对谐振腔的侧壁进行调频介质填充处理，以调节介质谐振单元的谐振频率，以使该谐振频率接近或等于参考频率。
基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述方法还包括：
若所述初始谐振频率大于所述预设参考频率，则对所述侧壁进行打磨处理，以形成第二打磨部。
基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述谐振腔为通孔结构或通槽结构，所述谐振腔具有侧壁；
所述根据所述初始谐振频率和预设参考频率对所述谐振腔进行非导电的调频介质的填充包括：
将所述初始谐振频率与预设参考频率进行比较；
若所述初始谐振频率大于所述预设参考频率，则对所述侧壁进行打磨处理，以形成第二打磨部；
确定打磨处理完成的所述介质谐振单元的当前谐振频率小于所述预设参考频率，对所述第二打磨部进行调频介质填充处理。
由于谐振腔为通孔结构或通槽结构，则可通过对谐振腔的侧壁进行调频介质填充处理，以调节介质谐振单元的谐振频率，以使该谐振频率接近或等于参考频率。
特别是对于打磨调试后的不良品，例如打磨导电层过度，使得介质谐振单元的谐振频率与参考频率的差值过大，无法通过再次打磨使介质谐振单元的谐振频率接近或等于参考频率，通过对打磨后的介质谐振单元进行填充，以调节介质谐振单元的谐振频率，以使该谐振频率接近或等于参考频率。
基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述填充处理包括：
确定所述初始谐振频率与所述预设参考频率的差值；
依据所述差值确定填充面积；
依据所述填充面积对所述谐振腔进行调频介质填充。
基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述调频介质可为液态、胶状、膏状中任一种。
第二方面提供一种介质谐振单元，包括：
介质本体；
导电层，包覆于所述介质本体的外表面；
所述介质本体具有谐振腔，所述谐振腔填充有非导电的调频介质。
基于第二方面，一种可能的实现方式中，所述谐振腔为盲孔结构或盲槽结构，所述谐振腔具有底部和侧壁；所述底部或所述侧壁填充有非导电的调频介质。
基于第二方面，一种可能的实现方式中，所述底部具有第一打磨部，所述第一打磨部填充有非导电的调频介质。
基于第二方面，一种可能的实现方式中，所述谐振腔为通孔结构或通槽结构，所述谐振腔具有侧壁；所述侧壁填充有非导电的调频介质。
基于第二方面，一种可能的实现方式中，所述侧壁具有第二打磨部，所述第二打磨部填充有非导电的调频介质。
第三方面提供一种介质滤波器，包括至少一个如上述实施例所述的介质谐振单元。
附图说明
图1是本申请一实施方式提供的介质谐振单元的谐振腔为盲孔的结构示意图。
图2是本申请一实施方式提供的介质谐振单元的谐振腔为通孔的结构示意图。
图3是本申请一实施方式提供的介质谐振单元的谐振腔为盲槽的结构示意图。
图4是本申请一实施方式提供的介质谐振单元的谐振腔为通槽的结构示意图。
图5是本申请一实施方式提供的介质谐振单元被打磨产生毛刺的示意图。
图6是本申请一实施方式提供的介质滤波器的选频特性调试方法的流程图。
图7是本申请一实施方式提供的介质滤波器的填充处理后的结构示意图。
图8是本申请一实施方式提供的介质滤波器的填充处理方法的流程图。
图9是本申请一实施方式提供的介质滤波器的填充处理方法的流程图一。
图10是本申请一实施方式提供的介质滤波器的填充处理方法的流程图二。
图11是本申请一实施方式提供的介质滤波器的填充处理方法的流程图三。
图12是本申请一实施方式提供的介质滤波器的填充处理方法的流程图四。
图13是本申请一实施方式提供的介质谐振单元的状态变化示意图。
图14a，图14b及图14c为本申请提供的一种介质滤波器的调试效果示意图。
主要元件符号说明
介质谐振单元 10
介质本体 12
导电层 14
谐振腔 122
侧壁 1222
底部 1224
盲孔 13
通槽 15
调谐介质 16
打磨部 17
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本申请。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本申请的其他优点及功效。虽然本申请的描述将结合较佳实施例一起介绍，但这并不代表此申请的特征仅限于该实施方式。恰恰相反，结合实施方式作申请介绍的目的是为了覆盖基于本申请的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造。为了提供对本申请的深度了解，以下描述中将包含许多具体的细节。本申请也可以不使用这些细节实施。此外，为了避免混乱或模糊本申请的重点，有些具体细节将在描述中被省略。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
以下，如果有用到，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。“上”、“下”、“左”、“右”等方位术语是相对于附图中的部件示意置放的方位来定义的，应当理解到，这些方向性术语是相对的概念，它们用于相对于的描述和澄清，其可以根据附图中部件所放置的方位的变化而相应地发生变化。
在本申请中，如果有用到，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
在下述实施例结合示意图进行详细描述时，为便于说明，表示器件局部结构的图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本申请保护的范围。
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请的实施方式作进一步地详细描述。
图1示出了本申请一种实施方式提供的介质谐振单元10的结构示意图。
请参阅图1，介质谐振单元10包括介质本体12和包覆于介质本体外表面的导电层14。
其中，其中介质本体12上设置谐振腔122。
本实施例中，谐振腔122为盲孔结构，其中盲孔沿垂直于孔深方向的截面为圆形。
其中，谐振腔122具有侧壁1222和底部1224。
在一个实施例中，介质本体由电介质材料制成，该电介质材料可以为陶瓷等材料。
在一个实施例中，导电层的材料包括金、银、铜以及铝中的至少一种。
请参见图2，为本申请另一种实施方式提供的介质谐振单元10的结构示意图。与图1中介质谐振单元10相类似，介质谐振单元10包括介质本体12和导电层14，不同之处在于，谐振腔122为通孔结构，其中通孔沿垂直于孔深方向的截面为圆形。谐振腔122具有侧壁1222。
请参见图3，为本申请另一种实施方式提供的介质谐振单元10的结构示意图。与图1中介质谐振单元10相类似，介质谐振单元10包括介质本体12和导电层14，不同之处在于，谐振腔122为通槽结构，其中通槽沿垂直于槽深方向的截面为四边形。谐振腔122具有侧壁1222和底部1224。
可以理解，在其他实施例中，通槽沿垂直于槽深方向的截面为可为五边形、六边形等正多变形，也可为整齐不规则形状，例如五角形等。
请参见图4，为本申请另一种实施方式提供的介质谐振单元10的结构示意图。与图1中介质谐振单元10相类似，介质谐振单元10包括介质本体12和导电层14，不同之处在于，谐振腔122为盲槽结构，其中盲槽沿垂直于槽深方向的截面为圆形。谐振腔122具有侧壁1222。
可以理解，在其他实施例中，盲槽沿垂直于槽深方向的截面为可为五边形、六边形等正多变形，也可为整齐不规则形状，例如五角形等。
本申请实施例还提供了一种介质滤波器，包括至少一个如上述任一项所述的介质谐振单元10。
具体实施中，介质滤波器可以包括一个或多个介质谐振单元10。
在介质滤波器生产的过程中，需要对介质滤波器进行调试，以使该滤波器满足应用所需选频特性。传统的介质滤波器的调试手段是通过打磨头打磨导电层14，以调节频率和耦合。
图5为介质谐振单元的谐振腔被打磨产生毛刺的示意图，图5中上边图中谐振腔为盲孔结构，打磨处理谐振腔的底部和侧壁，且底部和侧壁均因打磨导电层产生毛刺，该毛刺导致介质滤波器打磨完成之后产生信号泄露且性能指标恶化明显。图5中下边图中谐振腔为盲孔结构，打磨处理谐振腔的侧壁，且侧壁因打磨导电层产生毛刺，该毛刺导致介质滤波器打磨完成之后产生信号泄露且性能指标恶化明显。
基于以上问题，本申请提供一种介质滤波器的选频特性调试方法，对于待调试的介质滤波器，获取该介质滤波器中的介质谐振单元的初始谐振频率，当初始谐振频率与预设参考频率不相等，则通过向介质谐振单元的盲孔内填充非导电调谐介质，以调节该介质谐振单元的谐振频率。
请参见图6，为本申请提供的一种介质滤波器的选频特性调试方法。该选频特性调试方法应用于上述任一项所述的介质滤波器，选频特性调试方法包括：
S601，获取介质滤波器中介质谐振单元的初始谐振频率。
具体实施中，可通过频率监测装置(例如矢量网络分析仪等)及辅助软件，对待调试的介质滤波器的选频特性进行检测，以获取介质滤波器中每个介质谐振单元的初始谐振频率，并进行显示。需要理解的是，初始谐振频率为介质滤波器未经调试前介质谐振单元的谐振频率。
S602，根据初始谐振频率和预设参考频率对谐振腔进行非导电的调频介质的填充，以调节介质谐振单元的谐振频率。
其中，预设参考频率为介质谐振单元的目标谐振频率，即为应用所需的介质滤波器中每个介质谐振单元的谐振频率。
如此，当初始谐振频率与预设参考频率不相等时或初始谐振频率不满足预设参考频率的要求时(例如，初始谐振频率与预设参考频率的差值大于0.5MHZ)，则判定介质滤波器为不合格。若谐振腔为盲孔或盲槽结构，则可通过在谐振腔的侧壁和底部进行非导电的调频介质的填充，以使介质谐振单元的谐振频率满足预设参考频率的要求；若谐振腔为通孔或通槽结构，则可通过在谐振腔的侧壁进行非导电的调频介质的填充，以使介质谐振单元的谐振频率满足预设参考频率的要求。
相较于打磨调试方式，通过填充调频介质调节介质谐振单元的谐振频率，避免因打磨导电层产生毛刺影响介质滤波器的性能。且调频介质可直接粘附于谐振腔的侧壁或底部，便于作业人员依据初始谐振频率和预设参考频率的差值添加或减少侧壁和底部上的调频介质。
在一实施例中，调频介质的介电常数c的范围为：c＞5。
在一实施例中，调频介质的介电常数c的范围为:100≥c＞5。通过限定介电常数的范围，以通过填充调频介质实现10MHZ频率的调节，满足产品应用的需求。
在一实施例中，调频介质具备一定的粘合力、硬度和固化特性，调谐介质可直接粘附于谐振腔的侧壁或底部。
请参见图7，为本申请提供的一介质谐振单元10的示意图，介质谐振单元10的谐振腔122为盲孔结构，通过在谐振腔122的底部1224填充调谐介质16以降低介质谐振单元10的谐振频率，以使得介质谐振单元的谐振频率接近或等于预设参考频率。
在一实施例中，调频介质可为液态、胶状、膏状中任一种。调频介质作为一种非导电的复合材料。便于作业人员手动或利用设备加工处理，以实现谐振腔内调频介质的增加或减少。
可选地，若谐振腔为盲孔或盲槽结构，可由点胶机在谐振腔的侧壁或底部进行点胶，以实现调频介质的填充。填充完成之后，获取介质滤波器中介质谐振单元的当前谐振频率，并依据当前谐振频率和预设参考频率继续通过点胶方式添加调频介质或通过镊子夹取以减少调频介质。如此，通过多次添加或减少调频介质，以使介质滤波器中介质谐振单元的谐振频率满足预设的参考频率的要求。
在其中一个实施例中，谐振腔为盲孔结构或盲槽结构，请参见图8，步骤S602包括：
S801，将初始谐振频率与预设参考频率进行比较；
S802，若初始谐振频率小于预设参考频率，则对谐振腔的侧壁进行调频介质的填充处理。
具体实施中，若介质谐振单元的初始谐振频率小于预设参考频率，则通过对谐振腔的侧壁进行调频介质的填充处理以调高介质谐振单元的谐振频率，使得介质谐振单元的谐振频率接近或等于预设参考频率。
S803，若初始谐振频率大于预设参考频率，则对谐振腔的底部进行调频介质的填充处理。
具体实施中，若介质谐振单元的初始谐振频率大于预设参考频率，则通过对谐振腔的底部进行调频介质的填充处理以调低介质谐振单元的谐振频率，使得介质谐振单元的谐振频率接近或等于预设参考频率。
本申请实施例通过向谐振腔内的侧壁或底部进行调频介质的填充处理以对介质滤波器的谐振频率进行调节从而对介质滤波器的选频特性进行的方法，能够有效避免机械打磨介质本体表面导电层以调节介质谐振单元的谐振频率导致产生打磨噪声和产生金属及介质粉尘等环境污染的问题，便于调试介质滤波器的选频特性。
进一步地，由于非导线的调频介质具有添加或减少的工艺较为简单，作业人员可通过手动添加或减少谐振腔内的调频介质，操作简单且易于实现。
在一些实施例中，对于待调试的介质滤波器，首先获取所述介质滤波器中所述介质谐振单元的初始谐振频率；并根据初始谐振频率和预设参考频率对所述谐振腔的侧壁或底部进行打磨处理，以调节介质谐振单元的谐振频率：当介质谐振单元的初始谐振频率小于预设参考频率，对谐振腔的底部进行打磨处理，以提升介质谐振单元的谐振频率；当介质谐振单元的初始谐振频率大于预设参考频率，对谐振腔的侧壁进行打磨处理，以降低介质谐振单元的谐振频率。即在打磨调试过程中，可通过交替打磨盲孔的侧壁和底部，以实现介质谐振单元的谐振频率的反复调节。
然而，在实际打磨调试过程中，由于盲孔或盲槽的底部中可打磨区域较大，而盲孔或盲槽的侧壁中可打磨的区域较小(例如侧壁中只有打磨中部区域可调节介质谐振单元的谐振频率)，如图5左图所示，底部存在打磨部且打磨部所占区域过大，使得介质谐振单元的初始谐振频率远远大于预设参考频率，例如，初始谐振频率和预设参考频率之间的频率差值大于15MHZ，则无法通过打磨盲孔的侧壁以使介质谐振单元的谐振频率接近或等于预设参考频率。
基于以上问题，本申请提供一种选频特性调试方法，当打磨调试之后的介质滤波器存在不可逆问题，例如图5中介质滤波器不能通过再次打磨使介质谐振单元的谐振频率接近或等于预设参考频率，通过对打磨部进行调频介质的填充处理，以使介质谐振单元的谐振频率接近或等于预设参考频率。
在其中一个实施例中，谐振腔为盲孔结构或盲槽结构，请参见图9，步骤S302包括：
S901，将初始谐振频率与预设参考频率进行比较；
S902，若初始谐振频率小于预设参考频率，则对谐振腔的底部进行打磨处理，以形成第一打磨部。
具体实施中，通过对盲孔的底部进行打磨处理以提升介质谐振单元的谐振频率，由于打磨形成的第一打磨部的深度或面积过大，导致打磨处理后的介质谐振单元的谐振频率大于预设参考频率。
进一步地，当前谐振频率与预设参考频率大于预设阈值，其中预设阈值可依据实际介质谐振单元设置，例如预设阈值可为15MHZ。
可选地，当初始频率小于预设参考频率，所述方法还包括：对盲孔的侧壁进行打磨处理，以形成第二打磨部，即打磨处理过程中，通过交替打磨盲孔的侧壁和底壁且最后形成的介质谐振单元的当前谐振频率大于预设参考频率。
S903，若打磨处理完成的介质谐振单元的当前谐振频率大于预设参考频率，对底部的第一打磨部进行调频介质的填充处理。
具体实施中，若介质谐振单元的初始谐振频率大于预设参考频率，则通过对谐振腔的底部的第一打磨部进行调频介质的填充处理以调低介质谐振单元的谐振频率，使得介质谐振单元的谐振频率接近或等于预设参考频率。
可选地，调频介质在第一打磨部上的覆盖面积可小于第一打磨部所占的区域，当然，在其他实施例，调频介质在第一打磨部上的覆盖面积可大于或等于第一打磨部所占的区域，本申请对此不作限定。
通过调频介质覆盖第一打磨部，以减少介质谐振单元上的第一打磨部的毛刺对介质滤波器的性能的影响。
对存在不可逆问题的介质谐振单元进行调频介质的填充处理，以提升该介质滤波器的良率。
在一些实施例中，通过对介质谐振单元的侧壁和底部交替打磨，获取的介质谐振单元的当前谐振频率不符合预设参考频率的要求，且此时的谐振腔的可打磨区域较小或对剩余的打磨区域进行打磨不足于使介质谐振单元的当前谐振频率不符合预设参考频率的要求，则可通过对盲孔的底部或侧壁进行调频介质的填充处理，以调整介质谐振单元的谐振频率。
在其中一个实施例中，谐振腔为盲孔结构或盲槽结构，请参见图10，步骤S302包括：
S1001，将初始谐振频率与预设参考频率进行比较。
S1002，若所述初始谐振频率大于所述预设参考频率，则对所述谐振腔进行打磨处理，以在所述侧壁形成第二打磨部。
具体实施中，通过对谐振腔的侧壁进行打磨处理以降低介质谐振单元的谐振频率，由于打磨形成的第二打磨部的深度或面积过大，导致打磨处理后的介质谐振单元的谐振频率小于预设参考频率。
进一步地，当前谐振频率与预设参考频率小于预设阈值，其中预设阈值可依据实际介质谐振单元设置，例如预设阈值可为15MHZ。
可选地，当初始频率小于预设参考频率，所述方法还包括：对谐振腔的底部进行打磨处理，以形成第一打磨部，即打磨处理过程中，通过交替打磨谐振腔的侧壁和底壁且最后形成的介质谐振单元的当前谐振频率小于预设参考频率。
S1003，对谐振腔的底部的第二打磨部进行调频介质的填充处理。
具体实施中，若介质谐振单元的初始谐振频率小于预设参考频率，则通过对谐振腔的侧壁的第二打磨部进行调频介质的填充处理以提升介质谐振单元的谐振频率，使得介质谐振单元的谐振频率接近或等于预设参考频率。
在其中一个实施例中，谐振腔为通孔结构或通槽结构，请参见图11，步骤S302包括：
S1101，将初始谐振频率与预设参考频率进行比较。
S1102，若所述初始谐振频率大于所述预设参考频率，则对所述谐振腔进行打磨处理，以在所述侧壁形成第二打磨部。
S1103，确定打磨处理完成的所述介质谐振单元的当前谐振频率小于所述预设参考频率，并对所述第二打磨部进行调频介质填充处理。
当谐振腔为通孔结构或通槽结构，则仅可对谐振腔进行打磨处理或填充处理；当所述初始谐振频率大于所述预设参考频率，对侧壁进行打磨处理，以降低介质谐振单元的谐振频率；当所述初始谐振频率小于所述预设参考频率，对侧壁进行非导电的调频介质的填充处理，以提升介质谐振单元的谐振频率。
在其中一个实施例中，谐振腔为通孔结构或通槽结构，请参见图12，步骤S302包括：
S1201，将初始谐振频率与预设参考频率进行比较。
S1202，若所述初始谐振频率小于所述预设参考频率，则对所述谐振腔进行处理调频介质填充处理。
S1203，确定填充处理完成的所述介质谐振单元的当前谐振频率大于所述预设参考频率，并对谐振腔的侧壁打磨处理。
当谐振腔为通孔结构或通槽结构，则仅可对谐振腔进行打磨处理或填充处理；当谐振腔的侧壁具有调频介质，则可对该导电层的调频介质所在区域进行打磨处理，也可对导电层其他区域进行打磨处理。
在一些实施例中，调频介质的填充处理包括：获取当前谐振频率和预设参考频率的频率差值，依据该频率差值及预设关系表确定填充面积，依据该填充面积填充该盲孔的侧壁或底部。
其中预设关系表包括频率差值与填充面积之间的对应关系，例如若频率差值为1MHZ，则填充面积为5mm2。
请参见图13，为本申请提供的一种介质谐振单元10的状态变化示意图，该介质谐振单元10与图1所示的介质谐振单元类似，介质本体12和包覆于介质本体外表面的导电层14。其中，其中介质本体12上设置有盲孔13，介质本体12上还设置有通槽15，其中盲孔的数量为四个，通槽15的数量为1个，可以理解，介质谐振单元10还包括通孔或盲槽，且本申请对盲孔、盲槽、通孔及通槽的数量不作限制。
其中，图13左图的多个盲孔13内均具有打磨部17，其中打磨部为打磨调试过程中通过打磨头打磨形成的，图13右图中，在打磨部内填充非导电的调频介质16，以降低介质谐振单元10的谐振频率。
可以理解，图13仅为本申请提供的一个示例，可以理解，在其他实施例中，可以在盲孔的底部的其他地方(例如非打磨部所在区域)，以降低介质谐振单元10的谐振频率，或是在盲孔的侧壁填充非导电的调频介质，以提升介质谐振单元10的谐振频率。
请参见图14a，图14b及图14c，为本申请提供的一种介质滤波器的调试效果示意图。其中，图14a是介质滤波器为合格的效果示意图，图14b是实际调试过程中介质滤波器的效果示意图，比较图14a和14b，确定实际调试的介质滤波器为不合格，通过上述实施例的方法调试介质滤波器的介质谐振单元，例如打磨处理或填充处理配合，以调节介质谐振单元的谐振频率，以得到图14c所示的介质滤波器的效果图，即通过以上方法可将打磨调试后的不良的介质滤波器或初始谐振频率不合格的介质滤波器调试为合格的介质滤波器。
通过在原有打磨调试的基础上，增加非导电的调频介质的填充处理，以提升介质滤波器调试后的良率，同时降低报废成本。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何在本申请揭露的技术范围内的变化或替换，都应涵盖在本申请的公开范围之内。
Claims (18)
1.一种介质滤波器的选频特性调试方法，其特征在于，应用于一介质滤波器，所述介质滤波器包括介质谐振单元，所述介质谐振单元包括介质本体及包覆于所述介质本体的导电层，所述介质本体具有谐振腔；所述方法包括：
获取所述介质滤波器中所述介质谐振单元的初始谐振频率；
根据所述初始谐振频率和预设参考频率对所述谐振腔进行非导电的调频介质的填充处理，以调节所述介质谐振单元的谐振频率。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调频介质的介电常数c范围为：c＞5。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述谐振腔为盲孔结构或盲槽结构，所述谐振腔具有底部和侧壁；
所述根据所述初始谐振频率和预设参考频率对所述谐振腔进行非导电的调频介质的填充包括：
将所述初始谐振频率与预设参考频率进行比较；
若所述初始谐振频率小于所述预设参考频率，则对所述侧壁进行调频介质填充处理；
若所述初始谐振频率大于所述预设参考频率，则对所述底部进行调频介质填充处理。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述谐振腔为盲孔结构或盲槽结构，所述谐振腔具有底部和侧壁；
所述根据所述初始谐振频率和预设参考频率对所述谐振腔进行非导电的调频介质的填充包括：
将所述初始谐振频率与预设参考频率进行比较；
若所述初始谐振频率小于所述预设参考频率，则对所述谐振腔进行打磨处理，以在所述底部形成第一打磨部；
若打磨处理完成的所述介质谐振单元的当前谐振频率大于所述预设参考频率，对所述第一打磨部进行调频介质填充处理。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述谐振腔进行打磨处理还包括：
在所述侧壁形成第二打磨部。
6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述谐振腔为盲孔结构或盲槽结构，所述谐振腔具有底部和侧壁；
所述根据所述初始谐振频率和预设参考频率对所述谐振腔进行非导电的调频介质的填充包括：
将所述初始谐振频率与预设参考频率进行比较；
若所述初始谐振频率大于所述预设参考频率，则对所述谐振腔进行打磨处理，以在所述侧壁形成第二打磨部；
若打磨处理完成的所述介质谐振单元的当前谐振频率小于所述预设参考频率，对所述第二打磨部进行调频介质填充处理。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对所述谐振腔进行打磨处理还包括：
在所述底部形成第一打磨部。
8.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述谐振腔为通孔结构或通槽结构，所述谐振腔具有侧壁；
所述根据所述初始谐振频率和预设参考频率对所述谐振腔进行非导电的调频介质的填充包括：
将所述初始谐振频率与预设参考频率进行比较；
若所述初始谐振频率小于所述预设参考频率，则对所述侧壁进行调频介质填充处理。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
若所述初始谐振频率大于所述预设参考频率，则对所述侧壁进行打磨处理，以形成第二打磨部。
10.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述谐振腔为通孔结构或通槽结构，所述谐振腔具有侧壁；
所述根据所述初始谐振频率和预设参考频率对所述谐振腔进行非导电的调频介质的填充包括：
将所述初始谐振频率与预设参考频率进行比较；
若所述初始谐振频率大于所述预设参考频率，则对所述侧壁进行打磨处理，以形成第二打磨部；
确定打磨处理完成的所述介质谐振单元的当前谐振频率小于所述预设参考频率，对所述第二打磨部进行调频介质填充处理。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充处理包括：
确定所述初始谐振频率与所述预设参考频率的差值；
依据所述差值确定填充面积；
依据所述填充面积对所述谐振腔进行调频介质填充。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调频介质为液态、胶状、膏状中任一种。
13.一种介质谐振单元，其特征在于，包括：
介质本体；
导电层，包覆于所述介质本体的外表面；
所述介质本体具有谐振腔，所述谐振腔填充有非导电的调频介质。
14.如权利要求13所述的介质谐振单元，其特征在于，所述谐振腔为盲孔结构或盲槽结构，所述谐振腔具有底部和侧壁；所述底部或所述侧壁填充有非导电的调频介质。
15.如权利要求14所述的介质谐振单元，其特征在于，所述底部具有第一打磨部，所述第一打磨部填充有非导电的调频介质。
16.如权利要求13所述的介质谐振单元，其特征在于，所述谐振腔为通孔结构或通槽结构，所述谐振腔具有侧壁；所述侧壁填充有非导电的调频介质。
17.如权利要求16所述的介质谐振单元，其特征在于，所述侧壁具有第二打磨部，所述第二打磨部填充有非导电的调频介质。
18.一种介质滤波器，其特征在于，包括至少一个如权利要求13至17任一项所述的介质谐振单元。
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