CN116141189A - 抛光台、抛光设备和抛光方法 - Google Patents

抛光台、抛光设备和抛光方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116141189A
CN116141189A CN202310430857.6A CN202310430857A CN116141189A CN 116141189 A CN116141189 A CN 116141189A CN 202310430857 A CN202310430857 A CN 202310430857A CN 116141189 A CN116141189 A CN 116141189A
Authority
CN
China
Prior art keywords
polishing
liquid supply
liquid
silicon wafer
zones
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310430857.6A
Other languages
English (en)
Inventor
贺云鹏
王贺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xian Eswin Material Technology Co Ltd
Original Assignee
Xian Eswin Material Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Eswin Material Technology Co Ltd filed Critical Xian Eswin Material Technology Co Ltd
Priority to CN202310430857.6A priority Critical patent/CN116141189A/zh
Publication of CN116141189A publication Critical patent/CN116141189A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B24B37/105—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
    • B24B37/107—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement in a rotary movement only, about an axis being stationary during lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本公开涉及抛光台、抛光设备和抛光方法，所述抛光台包括用于供给多种抛光液的多个供液通道和被所述多个供液通道分割而形成的多个抛光区，其中，所述抛光区与所述供液通道沿所述抛光台的径向方向交替地布置，以在抛光时借助于所述抛光台旋转产生的离心力使所述多种抛光液分布在所述多个抛光区上，从而在不同的抛光区提供不同的抛光去除量。

Description

抛光台、抛光设备和抛光方法
技术领域
本公开涉及半导体加工制造技术领域，具体地，涉及抛光台、抛光设备和抛光方法。
背景技术
随着半导体技术的不断发展，对硅片表面的平坦度的要求越来越高。在硅片制造过程中，可以通过抛光工艺来对硅片的平坦度进行改善。抛光过程通常包括对硅片的正反两面进行抛光的双面抛光步骤和仅对硅片的正面进行抛光的最终抛光步骤。
目前获得平坦表面的硅片所采用的最普遍的工艺就是利用化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）工艺，硅片的化学机械抛光工艺是一个复杂的多项反应过程，具体可以划分为两个动力学过程：首先使吸附在抛光垫上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与硅片表面的硅原子进行氧化还原的动力学过程，其次是硅片的抛光面上的反应物脱离硅片表面的解析过程，也就是使未反应的硅原子重新裸露出来的动力学过程。化学机械抛光工艺是机械摩擦和化学腐蚀相结合的工艺，兼顾了两者的优点，能够获得平坦的硅片表面。
但是，在硅片的抛光过程中，影响硅片平坦度的因素诸多，比如抛光液的配比、PH值、温度、供给流量、抛光液中磨料的浓度与粒径、抛光压力、抛光盘与抛光头转速、抛光垫的材质等等，因此采用不同的抛光工艺对硅片的平坦度有着很大的影响。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例期望提供抛光台、抛光设备和抛光方法，能够针对硅片的不同区域提供不同的抛光去除量，从而提升硅片平坦化的品质。
本发明的技术方案是这样实现的：
第一方面，本发明实施例提供了一种抛光台，所述抛光台包括用于供给多种抛光液的多个供液通道和被所述多个供液通道分割而形成的多个抛光区，
其中，所述抛光区与所述供液通道沿所述抛光台的径向方向交替地布置，以在抛光时借助于所述抛光台旋转产生的离心力使所述多种抛光液分布在所述多个抛光区上，从而在不同的抛光区提供不同的抛光去除量。
优选地，所述多个供液通道呈与所述抛光台同心并且彼此独立的多个环形形状，并且所述多个供液通道提供的所述多种抛光液，沿所述径向方向向外在所述多个抛光区上提供的抛光去除量逐渐减小。
优选地，每个供液通道经由至少部分地设置在所述抛光台内部的对应的供给管路提供对应的抛光液。
优选地，所述多种抛光液具有不同的浓度和/或温度。
优选地，沿每个供液通道分布有多个出液口。
优选地，所述供液通道由多孔陶瓷材料制成。
优选地，所述抛光台还包括振动器，所述振动器设置成使所述抛光台产生振动，以有助于调整所述抛光液的分布。
优选地，所述抛光台还包括用于驱动所述抛光台旋转的驱动轴，以及用于调节所述驱动轴的旋转速度的变速器，以控制所述抛光台的旋转速度。
第二方面，本发明实施例提供了一种抛光设备，所述抛光设备包括：
根据第一方面的抛光台；
抛光头，所述抛光头用于保持待抛光的硅片；以及
与所述抛光台上的多个抛光区相对应的多个抛光垫，每个抛光垫固定地设置在对应的抛光区上，
其中，所述抛光垫设置在所述抛光区的上表面上以用于通过由所述抛光台的供液通道提供至所述抛光垫的抛光液对通过所述抛光头而与所述抛光垫接触的所述硅片进行抛光。
第三方面，本发明实施例提供了一种抛光方法，所述抛光方法通过使用根据第二方面的抛光设备执行。
本发明实施例提供了抛光台、抛光设备和抛光方法，所述抛光台包括用于供给多种抛光液的多个供液通道，以向被供液通道分割而形成的多个抛光区提供不同的抛光液，通过所述抛光台，可以根据需要通过使用不同的抛光液以在不同的所述抛光区提供不同的抛光去除量，相比于使用单一抛光液，本发明实施例提供的抛光台可以补偿在抛光时因其他因素、例如离心力等造成硅片表面的不同部分之间的抛磨程度差异，表面平坦度不佳的问题，另外，相比于抛光液供给装置独立于抛光台设置的技术方案，根据本发明实施例，供液通道直接设置在抛光台上，因此抛光液可以充分与硅片的被抛光表面接触，提高了抛光液的利用率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种抛光设备的立体示意图；
图2为本发明实施例提供的一种抛光台的立体示意图；
图3为本发明实施例提供的一种抛光台的俯视图；
图4为本发明实施例提供的一种抛光台的截面示意图；
图5为本发明的另一实施例提供的一种抛光台的立体示意图；
图6为本发明的另一实施例提供的一种抛光设备的立体示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
硅片在经过双面抛光工艺流程后，通常会在表面遗留有细微损伤。为了去除损伤，并且将硅片制作成镜面并持续地改善平坦度，通常会进行FP作业。常规的FP作业是将装载有硅片的抛光头（Polishing Head）与粘贴在下定盘上的抛光垫表面相接触，硅片表面通过研磨液管道（Slurry Tube）供给的胶质研磨液（Colloidal slurry）和化学品（Chemical）发生化学反应并且因机械加压所引发的物理反应的影响进行抛光。
具体来说，完成DSP工艺的硅片会被放入清洗机，随后从清洗机出料后需再进行FP作业，完整的FP作业流程包括三次抛光操作，具体如下：首先，将从清洗机取出的硅片进行第一次FP步骤，也可被称之为粗抛光（Stock Polishing）步骤，该步骤用于将硅片在前序工艺引起的表面缺陷进行去除并制作成镜面状态；本步骤是用于调整作业过程中的研磨颗粒（Particle）以及整个硅片表面的平坦度。在粗抛步骤后进行第二次FP步骤，该步骤调整研磨颗粒，通过使用最小的研磨量以调整硅片表面的粗糙度。在完成第二次FP步骤，就接着进行第三次FP步骤，该步骤用于调整硅片表面的微观粗糙度（Micro Roughness）及细小颗粒（Fine Particle）并完成收尾工作。硅片在完成以上3个步骤的FP作业后，会在设备内进行简单的表面清洗，最后放置到下料片盒（Unloading Cassette）中，直到下料片盒内装满硅片后则进行等待的工序。
图1中示出了本发明实施例提出的用于执行FP操作的抛光设备10，该设备10可以包括：抛光台11、在抛光台11上表面通过粘接等方式设置的抛光垫12、设置于抛光台11下方的驱动轴13。抛光台11可以通过驱动轴13旋转，因此抛光垫12也可以对应于抛光台11的旋转而旋转。例如，当驱动轴13沿顺时针方向旋转时，抛光台11与抛光垫12一起沿顺时针方向旋转。此外，在抛光台11的上方空间设置有抛光头14，该抛光头14至少可以包括：头部主体（Head）141、定盘142、通过紧固件与头部主体（Head）141和定盘142连接的旋转驱动件143，定盘142下方为组装模具145，橡胶垫144和待抛光的硅片S被容纳在组装模具145形成的容纳腔内，其中，橡胶垫144连接至主体头部141，通过真空/空气管146用于向组装模具145的容纳腔内供给压缩的干燥空气（CDA）以形成工作压力，该工作压力作用在橡胶垫144上，并经由橡胶垫144传递至待抛光的硅片S。需要说明的是，旋转驱动件143可以通过带动头部主体141旋转，从而使得定盘142以及组装模具145的容纳腔内的待抛光硅片S也可以对应于头部主体141的旋转而旋转。例如，当旋转驱动件143沿逆时针方向旋转时，头部主体141与待抛光硅片S也随之一并沿逆时针方向旋转。可以理解地，驱动轴13与旋转驱动件143的旋转方向可以相同也可以不相同。此外，设备10还可以包括设置于抛光垫12上方空间且靠近抛光垫12中心位置的喷嘴15，该喷嘴15可以连接用于存储抛光液的存储罐（图1中未示出），通过阀门控制抛光液的滴落流量。
当执行抛光操作时，旋转的抛光头14以一定的压力压在旋转的抛光垫12上，由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液通过喷嘴15滴落在抛光垫12上，在硅片S的表面和抛光垫12之间流动，然后抛光液在抛光垫12的传输和离心力的作用下，均匀分布抛光垫12上，由此在硅片S与抛光垫12之间形成一层抛光液液体薄膜。抛光液中的化学成分与硅片表面材料产生化学反应，将不溶的物质转化为易溶物质，或者将硬度高的物质进行软化，然后通过磨粒的微机械摩擦作用将这些化学反应物从硅片表面去除，溶入流动的液体中带走，即在化学成膜和机械去膜的交替过程中实现平坦化的目的。
然而，在上述抛光过程中，尽管抛光液可以借助于抛光台的旋转产生的离心力分布在抛光垫上，但该离心力也会使抛光液趋于聚集在硅片的边缘处，导致硅片边缘的抛磨程度相比于硅片中央要大，而且，硅片的边缘部分会高频地出现在抛光垫的中心环形区域和边缘环形区域，而硅片的中央部分会高频地出现在抛光垫的位于中心环形区域与边缘环形区域之间的中间环形区域；除了上述因离心力导致的抛光液向抛光垫的边缘聚集的情况外，由于提供抛光液的喷口通常位于抛光垫的中心的上方，因此抛光垫的中心相对于抛光垫的位于中心与边缘之间的中间区域往往也会维持更多的抛光液，上述因素导致硅片边缘的抛磨程度相比于硅片中央要大，由此会使硅片表面的平坦度恶化。
为了解决上述问题，需要消除或至少降低硅片边缘的抛磨程度与硅片中央的抛磨程度之间的差异。
基于此，如图2所示，本发明实施例提出了一种抛光台110，所述抛光台110包括用于供给多种抛光液的多个供液通道111和被所述多个供液通道分割而形成的多个抛光区112，
其中，所述抛光区112与所述供液通道111沿所述抛光台的径向方向交替地布置，以在抛光时借助于所述抛光台110旋转产生的离心力使所述多种抛光液分布在所述多个抛光区上，从而在不同的抛光区112提供不同的抛光去除量。
如图2所示，抛光台110的上表面形成多个有供液通道111，供液通道111可以将抛光台110的上表面分割成多个区域，即抛光区112，供液通道111与抛光区112在抛光台110的径向方向上交替地布置，使得多个供液通道111可以向各个抛光区112提供多种抛光液，例如至少两种抛光液。
在抛光操作中，抛光台110旋转产生的离心力可以使各个供液通道111提供的抛光液分布在各个抛光区中，使得硅片能够被各个抛光区112中被抛光，由于使用了可以在不同的抛光区提供不同的抛光去除量的多种抛光液，可以利用多种抛光液提供的抛光去除量差异补偿其他因素造成的不均匀抛光，例如，可以经由供液通道111在使用单一抛光液时对硅片过度抛光的抛光区处提供抛光能力较弱的抛光液，以使抛光液在该抛光区提供较少的抛光去除量，由此使得抛光后的硅片的抛光程度差异被减少，更具体地，例如，可以由供液通道111在抛光台的靠近边缘的区域提供抛光能力较弱的抛光液，以补偿因抛光液聚集在边缘区域而造成对单个硅片的局部区域的过度抛磨。当然，可以设想的是，供液通道111的布置方式、抛光液的种类数量及分配方式例如供液次序、供液时间等均可以根据实际的操作情况设定，在此不做一一列举。
本发明实施例提出了一种抛光台110，所述抛光台包括用于供给多种抛光液的多个供液通道111，以向被供液通道111分割而形成的多个抛光区112提供不同的抛光液，其中，供液通道111与抛光区112在抛光头110的径向方向上交替地布置，通过所述抛光台110，可以根据应用需要由各个供液通道111供给不同的抛光液以在各个所述抛光区112提供不同的抛光去除量，相比于使用单一抛光液，本发明实施例提供的抛光台110可以补偿在抛光时因其他因素、例如离心力等造成抛光液分布不均导致硅片表面的不同部分之间的抛磨程度差异，表面平坦度不佳的问题，另外，相比于抛光液供给装置独立于抛光台设置的技术方案，根据本发明实施例，供液通道111直接设置在抛光台110上，因此抛光液可以充分与硅片的被抛光表面接触，提高了抛光液的利用率。
对于供液通道111的具体实现方式，根据本发明的一个优选实施例，参见图3，所述多个供液通道111呈与所述抛光台110同心并且彼此独立的多个环形形状，并且由所述多个供液通道111提供的所述多种抛光液沿所述径向方向向外在所述多个抛光区112上提供的抛光去除量逐渐减小。
如图3所示，抛光台110包括多个环形供液通道111，环形供液通道111将抛光台110分割成多个环形和圆形抛光区112，供液通道111和抛光区112与抛光台110同心地布置，在抛光过程中，通过抛光台110的旋转，供液通道111供给的抛光液将通过离心力沿抛光台110的径向方向向外分散，从而分布在供给该抛光液的供液通道111的径向外侧的抛光区112上。
根据该实施例，靠近抛光台的圆心布置的供液通道111提供抛光液的抛光能力大于靠近抛光台的外圆周布置的供液通道111提供的抛光液的抛光能力，也就是说，靠近抛光台的圆心布置的供液通道111提供的抛光液可以提供更大的抛光去除量，因此，仅仅针对抛光液而言，在靠近抛光台的圆心设置的抛光区的抛光去除量将大于靠近抛光台的外圆周设置的抛光区的抛光去除量，由此，因抛光液较多地聚集在靠近抛光台的外圆周设置的抛光区上而造成抛光程度差异可以被减小，进而提高抛光后的硅片的平坦度。可以理解的是，供液通道111和抛光区112的形状不限于圆环形，也可以设置成其他形状。
根据本发明的优选实施例，如图4所示，每个供液通道111经由至少部分地设置在所述抛光台110内部的对应的供给管路114提供对应的抛光液，抛光台110包括多个供给管路114，每个供给管路114可以与对应的一个供液通道111连通，以向对应的供液通道111提供抛光液，为了使抛光台110的整体结构更为紧凑，每个供给管路114可以至少部分地设置在抛光台110内部，如图4所示，每个供给管路114的一端可以与供液通道111连通，另一端则可以与相应的抛光液源（图中未示出）连通，以将来自抛光液源的抛光液供给至供液通道111，这也可以避免管路暴露于抛光台的抛光区附近，从而造成对抛光操作的干扰。
为了在不同的抛光区提供不同的抛光去除量，优选地，所述多种抛光液具有不同的浓度和/或温度，其中，具有较高的浓度和/或温度的抛光液能够提供较大的抛光去除量，相比之下，具有较低浓度和/或温度的抛光液则能够提供较小的抛光去除量，当然，可以理解的是，也可以采用在其他方面存在差异的多种抛光液来实现不同的抛光去除量，例如也可以使用具有不同主要成分的多种抛光液。
根据本发明的优选实施例，如图4所示，沿每个供液通道111分布有多个出液口115，例如，以环形供液通道111为例，沿环形供液通道111可以布置有多个出液口115，多个出液口115可以均匀地间隔开，以促进抛光液更为均匀地分布在抛光区上。
根据本发明的进一步优选实施例，所述供液通道111由多孔陶瓷材料制成，通过使用多孔陶瓷材料，在制造供液通道111时，不需要增设开孔操作，利用多孔陶瓷材料自身中存在的通孔就可以实现抛光液的供给，作为示例，制成所述供液通道111的多孔陶瓷材料的通孔率可以大于65%。
优选地，参见图5，所述抛光台110还包括振动器116，所述振动器116设置成使所述抛光台110产生振动，以有助于调整所述抛光液的分布。
为了能够根据需要及时调整抛光液的分布，根据本发明的进一步优选实施例，参见图5，所述抛光台110还包括用于驱动所述抛光台110旋转的驱动轴117，以及用于调节所述驱动轴117的旋转速度的变速器118，以控制所述抛光台110的旋转速度。
参见图6，本发明实施例还提供了一种抛光设备100，所述抛光设备100包括：
根据上文所描述的抛光台110；
抛光头14，所述抛光头14用于保持待抛光的硅片S；以及
与所述抛光台110上的多个抛光区112相对应的多个抛光垫120，每个抛光垫120固定地设置在对应的抛光区112上，
其中，所述抛光垫120设置在所述抛光区112的上表面上以用于通过由所述抛光台110的供液通道111提供至所述抛光垫120的抛光液对通过所述抛光头14而与所述抛光垫120接触的所述硅片S进行抛光。
例如，当供液通道111为环形时，由供液通道111分割成的抛光区112呈圆形和圆环形，抛光垫120则具有与对应的抛光区112相同的形状和尺寸，使得能够覆盖对应的抛光区112而不会遮挡供液通道111，使得供液通道111能够暴露于相邻的抛光区之间，由此，供液通道111提供的抛光液能够分布于其径向外侧的抛光区的抛光垫120上，抛光垫120例如可以粘附于抛光台的上表面。
本发明实施例还提供了一种抛光方法，所述抛光方法通过使用上述抛光设备执行。
需要说明的是：本发明实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种抛光台，其特征在于，所述抛光台包括用于供给多种抛光液的多个供液通道和被所述多个供液通道分割而形成的多个抛光区，
其中，所述抛光区与所述供液通道沿所述抛光台的径向方向交替地布置，以在抛光时借助于所述抛光台旋转产生的离心力使所述多种抛光液分布在所述多个抛光区上，从而在不同的抛光区提供不同的抛光去除量。
2.根据权利要求1所述的抛光台，其特征在于，所述多个供液通道呈与所述抛光台同心并且彼此独立的多个环形形状，并且所述多个供液通道提供的所述多种抛光液沿所述径向方向向外，在所述多个抛光区上提供的抛光去除量逐渐减小。
3.根据权利要求1所述的抛光台，其特征在于，每个供液通道经由至少部分地设置在所述抛光台内部的对应的供给管路提供对应的抛光液。
4.根据权利要求1所述的抛光台，其特征在于，所述多种抛光液具有不同的浓度和/或温度。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的抛光台，其特征在于，沿每个供液通道分布有多个出液口。
6.根据权利要求5所述的抛光台，其特征在于，所述供液通道由多孔陶瓷材料制成。
7.根据权利要求1至4中的任一项所述的抛光台，其特征在于，所述抛光台还包括振动器，所述振动器设置成使所述抛光台产生振动，以有助于调整所述抛光液的分布。
8.根据权利要求1至4中的任一项所述的抛光台，其特征在于，所述抛光台还包括用于驱动所述抛光台旋转的驱动轴，以及用于调节所述驱动轴的旋转速度的变速器，以控制所述抛光台的旋转速度。
9.一种抛光设备，其特征在于，所述抛光设备包括：
根据权利要求1至8中的任一项所述的抛光台；
抛光头，所述抛光头用于保持待抛光的硅片；以及
与所述抛光台上的多个抛光区相对应的多个抛光垫，每个抛光垫固定地设置在对应的抛光区上，
其中，所述抛光垫设置在所述抛光区的上表面上，以用于通过由所述抛光台的供液通道提供至所述抛光垫的抛光液，对通过所述抛光头而与所述抛光垫接触的所述硅片进行抛光。
10.一种抛光方法，其特征在于，所述抛光方法通过使用根据权利要求9所述的抛光设备执行。
CN202310430857.6A 2023-04-21 2023-04-21 抛光台、抛光设备和抛光方法 Pending CN116141189A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310430857.6A CN116141189A (zh) 2023-04-21 2023-04-21 抛光台、抛光设备和抛光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310430857.6A CN116141189A (zh) 2023-04-21 2023-04-21 抛光台、抛光设备和抛光方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116141189A true CN116141189A (zh) 2023-05-23

Family

ID=86362241

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310430857.6A Pending CN116141189A (zh) 2023-04-21 2023-04-21 抛光台、抛光设备和抛光方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116141189A (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001038605A (ja) * 1999-08-04 2001-02-13 Lapmaster Sft Corp 液供給機構を備えたポリッシュ盤
CN101223006A (zh) * 2005-07-19 2008-07-16 信越半导体股份有限公司 晶片的双面研磨方法
US20180161953A1 (en) * 2016-12-14 2018-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polishing pad and method of using
CN114290231A (zh) * 2021-12-30 2022-04-08 西安奕斯伟材料科技有限公司 抛光设备和抛光方法
CN114310627A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种用于对硅片进行抛光的抛光垫和抛光设备
CN114473856A (zh) * 2020-11-11 2022-05-13 中国科学院微电子研究所 一种cmp研磨垫及cmp研磨装置
CN114473855A (zh) * 2020-10-28 2022-05-13 中国科学院微电子研究所 一种研磨垫及化学机械抛光设备
CN216967411U (zh) * 2022-03-23 2022-07-15 芜湖晶纯科技有限公司 一种半导体部件研磨板结构
CN115890456A (zh) * 2022-12-29 2023-04-04 西安奕斯伟材料科技有限公司 抛光液提供装置、抛光设备和抛光方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001038605A (ja) * 1999-08-04 2001-02-13 Lapmaster Sft Corp 液供給機構を備えたポリッシュ盤
CN101223006A (zh) * 2005-07-19 2008-07-16 信越半导体股份有限公司 晶片的双面研磨方法
US20180161953A1 (en) * 2016-12-14 2018-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polishing pad and method of using
CN114473855A (zh) * 2020-10-28 2022-05-13 中国科学院微电子研究所 一种研磨垫及化学机械抛光设备
CN114473856A (zh) * 2020-11-11 2022-05-13 中国科学院微电子研究所 一种cmp研磨垫及cmp研磨装置
CN114290231A (zh) * 2021-12-30 2022-04-08 西安奕斯伟材料科技有限公司 抛光设备和抛光方法
CN114310627A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种用于对硅片进行抛光的抛光垫和抛光设备
CN216967411U (zh) * 2022-03-23 2022-07-15 芜湖晶纯科技有限公司 一种半导体部件研磨板结构
CN115890456A (zh) * 2022-12-29 2023-04-04 西安奕斯伟材料科技有限公司 抛光液提供装置、抛光设备和抛光方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
方景礼等: "《近代材料科学研究技术进展》", 武汉理工大学出版社, pages: 336 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6241585B1 (en) Apparatus and method for chemical mechanical polishing
US6261958B1 (en) Method for performing chemical-mechanical polishing
US6612903B2 (en) Workpiece carrier with adjustable pressure zones and barriers
JP4386897B2 (ja) キャリアヘッド
TW474848B (en) Workpiece carrier with segmented and floating retaining elements
JP5562370B2 (ja) 化学的機械研磨（ｃｍｐ）ヘッド、装置及び方法
US6143127A (en) Carrier head with a retaining ring for a chemical mechanical polishing system
TWI812450B (zh) 一種用於對矽片進行拋光的拋光墊和拋光設備
US6569771B2 (en) Carrier head for chemical mechanical polishing
US6939212B1 (en) Porous material air bearing platen for chemical mechanical planarization
TWI847229B (zh) 拋光設備和拋光方法
JP2001038604A (ja) 可撓膜及びエッジロードリングを有するキャリヤヘッド
US6746318B2 (en) Workpiece carrier with adjustable pressure zones and barriers
US6132295A (en) Apparatus and method for grinding a semiconductor wafer surface
JP2001298006A (ja) 研磨装置
KR100807046B1 (ko) 화학기계적 연마장치
CN116141189A (zh) 抛光台、抛光设备和抛光方法
US6336853B1 (en) Carrier having pistons for distributing a pressing force on the back surface of a workpiece
JP3856634B2 (ja) 基板保持装置及び該基板保持装置を備えたポリッシング装置
JP2004505456A (ja) 基板を化学機械研磨するための装置及び方法
US20030077986A1 (en) Front-reference carrier on orbital solid platen
US20020072307A1 (en) Apparatus and method for chemical mechanical planarization using a fixed-abrasive polishing pad
JPH11333677A (ja) 基板の研磨装置
CN218891681U (zh) 一种8英寸或更小尺寸的承载头和化学机械抛光设备
JP2003158104A (ja) 研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination