CN116134377A - 用于自母模复制可挠性印模的组合件 - Google Patents

用于自母模复制可挠性印模的组合件 Download PDF

Info

Publication number
CN116134377A
CN116134377A CN202180059519.5A CN202180059519A CN116134377A CN 116134377 A CN116134377 A CN 116134377A CN 202180059519 A CN202180059519 A CN 202180059519A CN 116134377 A CN116134377 A CN 116134377A
Authority
CN
China
Prior art keywords
master mold
master
frame member
frame
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180059519.5A
Other languages
English (en)
Inventor
L·W·威尔德森
J·M·特尔默伦
B·J·蒂图莱尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Morphotonics Holding BV
Original Assignee
Morphotonics Holding BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Morphotonics Holding BV filed Critical Morphotonics Holding BV
Publication of CN116134377A publication Critical patent/CN116134377A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41KSTAMPS; STAMPING OR NUMBERING APPARATUS OR DEVICES
    • B41K1/00Portable hand-operated devices without means for supporting or locating the articles to be stamped, i.e. hand stamps; Inking devices or other accessories therefor
    • B41K1/36Details
    • B41K1/38Inking devices; Stamping surfaces
    • B41K1/50Stamping surfaces impregnated with ink, or made of material leaving a mark after stamping contact
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

公开一种组合件,其包含用于微结构及纳米结构的压印的母模,该母模在其上表面上具有有效区域,该有效区域具有用于微结构及纳米结构的压印的浮凸结构,其中该母模具有厚度dmaster,该组合件还包含框架件,所述框架件环绕母模的外周边配置且沿着外周边齐平,使所述框架件具有厚度dframe,其中所述框架件的厚度dframe与母模的厚度dmaster偏差最多250μm。此外,本申请还涉及具有改进的对齐的可挠性印模。

Description

用于自母模复制可挠性印模的组合件
本发明涉及用于自母模压印微结构及纳米结构的可挠性印模的复制的组合件及方法。
微米及纳米结构用于增强产品的性能。例如,这可为使用抗反射结构来改进太阳能面板的效率,或通过使用微透镜为显示器创建光学3D效果。
通过使用紫外纳米压印微影(UV-NIL)技术,可将结构加至产品。此技术有不同类型,例如晶圆级UV-NIL、辊对辊压印UV-NIL或辊对板UV-NIL压印。在每种情况中,将具有如产品上所需的反向结构的母模结构压在产品上,其间具有紫外线或可热固化树脂。在固化之后,树脂凝固并由产品移除母模。在不同的方法中,使用具有用于压印微结构及纳米结构所需结构的母模,以由该母模复制可挠性印模。如有需要,可将防粘表面加至此可挠性印模,在这之后使用此印模制作多种多样的产品复制品。
大致上,母模具有相异的厚度。由此厚度,可导致自母模所复制的可挠性印模的质量方面的缺陷。当由此种母模复制时,其目标通常是复制母模的整个表面。因此,用于自母模制作可挠性印模的部分树脂可在母模的侧边及下方流动。这可污染母模的背面并在可挠性印模上创建不受控制的阶差高度和/或凸部,通常具有500μm或更大的厚度,有时候甚至高达约1mm。这可具有不利的影响,因为可挠性印模可由于厚树脂层而起皱和/或凸部将影响用于生产最终产品的下一复制步骤中的复制质量。为了解决源自树脂溢流的问题,通常仅只在母模的内部区域旋涂树脂,而外部区域则未涂覆。然而,在此情况中,并非母模的整个区域都利用于复制。
与母模相邻的不受控制且明显高度的阶差的另一负面影响可为例如由于使用经常使用的可压缩压印辊,靠近母模边缘的压力与远离边缘、也即在母模的内部区域的压力不相同。
母模通常具有小的表面积。然而,对于压印技术,有需要进行大面积压印。这是出于二理由:
1)有机会在大型产品(也即太阳能面板或大型显示器)上压印纹路。
2)在一个复制周期中复制多个产品。由此大大增加产量。
对于大面积复制,需要大面积的母模。母模的成本取决于制造时间,并由此取决于母模的尺寸。因此大面积母模是昂贵的。在辊对辊压印技术中,此问题可通过使用无缝圆筒来解决,例如在WO 2017/032758A1中所公开的。在此情况中,仔细选择滚筒的直径,以确保存在没有缝合线的连续区域。然而,并非所有纹路都可在可接受的价格下以此方式制作。
不同的解决方案是用小基底母模制作大型的按比例放大的母模。经由使用步进及重复方式,母模结构是在矩阵结构中多次复制。在复制区域之间中,有缝合线或接合线。通过优化方法,尝试使缝合或接合宽度尽可能小。步进及重复方法的例子例如描述在使用芯片步进器的US 2004/0124566A1、US 7077992 B2中、及使用辊轮的KR 1017807289 B1中。KR1017807289B1甚至瞄准避免任何可为显示器产品中可见边界的缝合线。根据此文件,应用拼接技术使得配置复制区域,以致复制区域在其相邻边缘重迭(也参见Jong G.Ok等人的非专利文献,“Astep toward next-generation nanoimprint lithography:extendingproductivity and applicability”;Appl.Phys.A(2015)121:343-356)。
放大母模单元的另一种方法是将多个母模单元物理地拼接在一起。这是例如在专利US 8027086 B2中作成。因此,可挠性塑料母模砖片被包裹并固定在不锈钢辊轮的直径上。在此情况中,与步进及重复方法相比,缝合区域通常将为较大。通过将不同的母模单元砖片压按在一起,母模单元之间的缝合区域或接缝保持尽可能小。对于某些纹路,所获得的较大缝合或接合宽度或接缝宽度能为可接受的。此外,它允许第二种可能性;在一按比例放大的母模上将多个产品拼接在一起。CN 105911815 A公开将复数个母模或模板单元接合在一起以形成砖片图案。模板单元沿着对齐标记配置于基板上。
将多个母模或复数个纳米压印模板单元拼接至一个按比例放大的母模,将仅只在良好控制缝合部的质量下起作用。在此拼接过程期间,应很好地控制位置精度。仅只在好地控制位置精度下,用按比例放大的母模所制作的压印样品能以直线切割。然而,拼接母模单元之间的接缝外观及拼接母模单元之间的接缝宽度通常为质量不足,其中宽度太大和/或拼接母模单元未对齐和/或旋转。
在撰写的时,未发表的欧洲专利申请案第EP 19202151.7号中描述改进的方法,其涉及用于微结构及纳米结构的压印的按比例放大的母模,该母模是由砖片形母模单元所组成。对于这些按比例放大的母模,相邻母模单元的毗邻边缘彼此平行,且其中形成该母模的母模单元配置成使得母模单元之间的接合线仅具有母模单元之间的接合处,在此相邻母模单元的最多三个转角聚集。此文件也公开自该按比例放大的母模复制的可挠性印模。
在当采用大尺寸的按比例放大的母模、例如拼接的按比例放大的母模时的情况中,与树脂溢流及在自母模复制的可挠性印模上创建不受控制的阶差高度和/或凸部相关的问题尤其明显。此外,当使用由多个拼接母模单元所组成的拼接的按比例放大的母模时,可引起错位问题,如上所概述。
因此,本发明解决的潜在挑战是提供用于自母模压印微结构及纳米结构的可挠性印模的复制的组合件,该组合件包含母模,其中该组合件允许将母模的整个区域使用于复制,而无通过树脂溢流和/或不均匀的压印压力作用的不利影响。本发明的另一目的是提供用于自母模压印微结构及纳米结构的可挠性印模的复制方法,其中母模的整个区域都可利用于复制而无通过树脂溢流和/或不均匀的压印压力作用的不利影响。此外,本发明的目的是提供用于复制高精度可挠性印模的组合件,用于自按比例放大的母模、尤其是自由多个拼接母模单元所制成的母模压印微结构及纳米结构。
此问题是通过包含用于压印微结构及纳米结构的母模的组合件所解决,该母模配置在基板载体上且在其上表面上具有用于压印微结构及纳米结构的浮凸结构的有效区域,其中母模具有厚度dmaster,该组合件还包含一组框架件,其安装在基板载体上并配置环绕母模并沿着母模的外周边齐平,其中框架件具有厚度dframe,其中框架件的厚度dframe与母模的厚度dmaster偏差最多250μm。
利用本发明的组合件,其可至少减少母模的侧边的不受控制的树脂流动。此外,其可至少减少在自母模所复制的可挠性印模的外边缘处产生不均匀的凸部及不受控制的阶差高度。与现有技术方法相对比,使用包含框架件的本组合件允许使用母模的整个表面积。另一方面,当与母模厚度相关地将框架件的厚度调整至所需预定值,以致框架件的厚度与母模的厚度偏差最多250μm时,其可控制纹路附近的高度阶差并将其调整至预定值,导致在母模及所复制的可挠性印模的边缘以及框架区域中的界定条件。
此装置可包括基板载体,母模及框架件是作为离散件安装在此基板载体上。基板载体可例如为坚硬的,并可为玻璃、陶瓷、或金属面板的形式。基板载体优选为由坚硬的或可挠性聚合材料、例如聚碳酸酯(PC)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET或PETP)、双轴定向聚对苯二甲酸乙二醇酯(BOPET)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)所制成。
在本申请案的框架内,表述“框架件”意指环绕母线配置并与基板载体或支撑件分开的离散材料件。因此,在本发明的组合件中,母模及框架件被安装并配置为基板载体上的离散件,且因此与基板载体不同且分开。母模和/或框架件优选为可移除地安装在基板载体上,但也可例如通过胶水粘附至基板载体。
将本发明的组合件与根据本发明的框架件组一起使用,其框架件是与基板载体分开的离散件,除了上述优点以外,还提供框架件的可挠性匹配的优点至用于压印微结构及纳米结构的方法的需求。框架件可例如轻易地适应于所使用的母模的形状或大小。此外,此组框架件的框架件可使得它们仅与母模的一个侧面边缘齐平,或它们可为与母模的更多侧面边缘齐平。此组框架件甚至可仅只由与母模的所有侧面边缘齐平的一个框架件所组成。此外,可相对于它们的厚度以可挠性方式选择此组框架件的框架件,以便在母模的厚度与框架件的厚度之间设置所限定的高度差、也即在母模与框架件之间所限定的高度阶差,如下面将讨论的。
在优选实施方案中,母模不是单件母模,而是可为由多个拼接的母模单元所组成的按比例放大的母模,所述母模单元在其上表面上具有有效区域,所述有效区域具有用于压印微结构及纳米结构的浮凸结构,其中拼接的母模单元的上表面总共形成按比例放大的母模单元的上表面。尤其是在此情况中,当母模是由数个拼接的母模单元所组成的按比例放大的母模时,通常难以在压印方法中达成母模单元的高度精确对齐。在许多情况中,可达成母模单元的位置精度是不够的,例如在使用四个母模单元或砖片的情况中,母模单元具有正方形或矩形的形状,并在中心点与它们的转角相会,因此形成十字接头,如在未公开的欧洲专利申请案第19202151.7号中所讨论。通过使用围绕由拼接母模单元所形成的按比例放大的母模单元的框架件,可促进砖片、也即拼接母模单元的对齐或(自)对齐。
在进一步优选的实施方案中,对齐标记可施加至框架件,且因此在母模的有效区域的外侧。例如,对齐标记可为呈施加至一个或多个的框架件的上表面的十字或点的形式、例如呈浮凸结构的形式。所述对齐标记在后面的方法步骤中、例如在切割步骤中可为有利的,因此允许精确切割出最终的压印产品。
因此,本发明还涉及包含框架件的本组合件的用途,以促进用于自从多数个拼接母模单元所制成的按比例放大的母模复制可挠性印模的方法中的拼接母模单元的对齐,其中拼接的母模单元及框架件被安装在基板载体上并与基板载体不同。
在本发明的实施方案中,当母模是由多数个拼接母模单元所组成的按比例放大的母模时,该组框架件可还包含安装在基板载体上的中间框架件,其与基板载体分开,配置于形成按比例放大的母模的拼接母模单元之间,并沿着毗邻中间框架件的拼接母模单元的侧面边缘齐平。中间框架件可存在于组合成按比例放大的母模的所有拼接的母模单元之间或仅存在于一部分母模单元之间。当使用此也具有中间框架件的组合件时,其可控制在按比例放大的母模外周边处的树脂溢流,且也可控制该按比例放大的母模的内部区域的局部树脂流动,及因此决定局部树脂流出。此外,在拼接的母模单元形成按比例放大的母模单元,例如在它们的上表面上具有不同的纹路或结构及因此导致不同的压印产品,而中间框架件配置于拼接的母模单元之间的情况,拼接的母模单元的各区域之间及因此不同的压印产品之间的清晰区分是可能的。
在一个实施方案中,框架件的厚度dframe大于母模的厚度dmaster。因此,故意在母模与框架件之间提供界定的高度阶差,使阶差高度至多为250μm。在此情况中,框架件可用作在用于自母模复制可挠性印模的方法中提供此可挠性印模的压印厚度控制的垂直间隔部。因此,本发明还涉及在用于自母模复制可挠性印模的方法中使用框架件来控制此可挠性印模的厚度,其中母模具有厚度dmaster且框架件具有厚度dframe,及其中框架件的厚度dframe是至少2μm,且比母模的厚度dmaster大至多250μm,在此方法中,框架件配置成环绕母模的外周边并沿着母模的外周边齐平。
在另一实施方案中,框架件的厚度dframe小于母模的厚度dmaster。故意在母模与框架件之间提供经界定且均匀的高度阶差,使阶差高度最多为250μm。在此情况中,以界定的方式,框架件比母模较薄。在压印方法中,控制树脂流入框架区域导致自在框架区域具有受控且均匀的阶差厚度中的增加的此优选实施方案的母模复制的可挠性印模。可挠性印模的厚度中的此阶差增加可稍后用作垂直间隔部,其在用于自可挠性印模复制最终压印产品的方法中提供最终压印产品的压印厚度控制。因此,本发明还涉及在用于自母模复制可挠性印模的方法中使用框架件来控制框架区域中的可挠性印模的厚度,其中母模具有厚度dmaster,且框架件具有厚度dframe,及其中框架件的厚度dframe是至少2μm,且比母模的厚度dmaster小至多250μm,在此方法中,框架件配置环绕母模的外周边并沿着母模的外周边齐平。
框架件的宽度、也即框架件垂直于它们沿着其齐平的母模边缘的延伸部大致上取决于母模的大小,也即母模越大,则框架件的宽度应该越大。为了具有框架件的正功能,也即在用于自母模复制可挠性印模的方法中具有本组合件的框架件的显著效果,例如相对于高度控制、树脂流出控制等,框架件优选应具有至少5mm的宽度。此外,框架件的宽度优选应小于约200mm。更优选地,框架件的宽度应至少为10mm,且同样更优选地,宽度应小于150mm。
在自母模复制可挠性印模的方法中,让树脂流过母模的边缘是有利的,以便利用母模的整个有效区域。这在当有效区域至少覆盖母模上表面的大部分时的情况中更具优点。在使用包含框架件的本组合件的情况中,可控制并轻易地决定树脂流动。在优选实施方案中,框架件由透明材料所制成,例如由玻璃、透明聚合材料或透明箔片所制成。在树脂溢流进入框架件的区域、也即框架区的情况中,由于与没有树脂的区域相比不同的光反射,以树脂覆盖的框架件的区域是可光学探测的。光反射中的差异可通过肉眼或优选为经由照相机系统来决定,其也将允许在压印方法期间进行自动质量控制。在非透明框架件的情况中,树脂流动探测可例如当印模本身是透明时,经过印模来完成。为了改善树脂流动的光学可探测性,在该组合件的另一优选实施方案中,框架件在其上表面上、也即在与母模的上表面指向相同的方向中的表面上具有可光学探测的浮凸结构。因此,不仅母模在其上表面上具有用于压印微结构及纳米结构的带有浮凸结构的有效区域,且框架件在其上表面上也具有浮凸结构,其中框架件的浮凸结构是可光学探测的。框架件的可光学探测的浮凸结构可为呈表面粗糙度的形式,其优选为可具有至少250nm及多达数十μm的粗糙度的深度。在进一步实施方案中,框架件的可光学探测的浮凸结构能为呈影线、交叉影线、点等的形式。它同时可用作对齐标记,以使在生产最终压印产品的方法中的进一步方法步骤,如之前所述。框架件的可光学探测的浮凸结构优选为与母模的浮凸结构不同。
在具有可光学探测的浮凸结构的框架件的优选情况中,不仅可有利地在自母模复制可挠性印模的方法期间光学地探测进入框架区域的树脂流动。框架件的上表面上的可光学探测的浮凸结构也可转移至可挠性印模,且因此在进一步处理期间、也即在自可挠性印模复制最终压印产品期间可为有用的。
因此,本发明还涉及框架件在制造可挠性印模的方法中的用途,其中可挠性印模是自母模复制,在其上表面上具有带有用于压印微结构及纳米结构的浮凸结构的有效区域,其中框架件环绕母模的外周边配置并沿着其齐平,且其中框架件在它们的上表面上具有浮凸结构,以便于在于压印方法期间控制树脂流动。
在该组合件的另一有利实施方案中,将环绕母模的外周边配置并沿着其齐平的至少一个框架件塑形及定向,使得至少一个框架件的两个相邻边缘形成母模的两个相邻边缘的外推部。在此情况中,至少一个框架件的长度不必精确地适应其毗邻的母模的边缘的长度,但是此至少一个框架件的长度可为更长。在更优选实施方案中,将环绕母模的外周边配置并沿着其齐平的所有框架件塑形及定向,使得每一个框架件的两个相邻边缘形成母模的两个相邻边缘的外推部。在此情况中,可避免框架件的长度与母模边缘的长度的不匹配。
通过本组合件所包含的母模的外轮廓或形状可具有各种几何形状。母模优选可具有正方形、矩形、三角形或六边形的形状,或可具有梯形的形状。在同样优选的实施方案中,母模可具有弯曲的边缘,在更优选的实施方案中,其可具有凹入、凸出或振荡曲线的形式,或可具有正弦形状或具有圆形或椭圆形的形状。
本组合件的外轮廓可顺着通过组合件所包含的母模的轮廓,也即可同样具有正方形、矩形、三角形等形状。然而,在母模具有与正方形或矩形的形状偏离的形状的情况中,也即在母模的外周边具有非正方形及非矩形轮廓时的情况中,如果框架件的配置在毗邻母模的框架件的内边缘处具有该母模的轮廓,则其可为有利的,而框架件配置的外轮廓具有正方形或矩形的形状。因为与具有非方形或非矩形的形状的组件相比,方形或矩形组件的处理更容易,这容许在压印方法中易于自这些类型的母模复制可挠性印模,尤其是如果母模是由多数个拼接母模单元所组成的拼接的按比例放大的母模。因此,在进一步优选的实施方案中,母模的外周边具有非正方形及非矩形的轮廓,并将环绕母模的外周边配置的框架件塑形及配置,使得它们毗邻母模的边缘在形状及尺寸中相适应,以顺着母模的外周边的轮廓,而框架件以其外边缘形成正方形或矩形。
在一个实施方案中,根据本发明的组合件也可使用作板对板压印方法中的坚硬的印模。
本发明还涉及自母模复制的可挠性印模,而在母模上表面上具有带有用于压印微结构及纳米结构的浮凸结构的有效区域,并通过本发明组合件提供给此可挠性印模。
拼接的框架具有额外的优点。典型地,可挠性印模的基底不具有防粘性能。如果它与树脂接触,可挠性印模将不会很好地分层。树脂在外拼接框架上的流出将放大可挠性印模上的树脂面积。在可挠性印模的制造方法中,将确保树脂具有防粘性能(直接或在防粘方法之后)。树脂将为来自拼接/按比例放大的母模的副本。这也意指拼接框架的压印可为在可挠性印模上至少部分可见的。
本质上,本发明涉及可挠性印模,由此可挠性印模含有部分框架区域的逆向纹路,而在自具有框架的按比例放大的母模制作可挠性印模的同时拷贝至可挠性印模上。
正如人们所理解的,可挠性印模具有能识别为框架件的侧面区域;具有额外的非有效区域表面(平坦或粗糙表面),中间有接缝、及非有效区域。
现在参考以下附图更详细地解释本发明,其中本发明的范围不受附图所限制:
图1是具有四个转角接合处的拼接母模单元的组合件(现有技术)。
图2是当输送至压印站时在一起移动之后的图1的具有四个转角接合处的拼接母模单元的组合件(现有技术)。
图3是沿着经过图1的放在基板载体上的组合件的剖线A-A的横截面(现有技术)。
图4是根据本发明的包含由四个拼接的母模单元所组成的按比例放大的母模单元、及此外包含外框架件的组合件。
图5是沿着经过图4的放在基板载体上的组合件的剖线B-B的横截面,使框架件具有与母模单元相同的厚度。
图6是沿着经过图4的放在带有框架件的基板载体上的组合件的剖线B-B的横截面,框架件的厚度比母模单元的厚度大。
图7是沿着经过图4的放在带有框架件的基板载体上的组合件的剖线B-B的横截面,框架件的厚度比母模单元的厚度小。
图8是根据本发明的组合件包含由四个母模单元所组成的按比例放大的母模,还包含外框架件及此外在母模单元之间的中间框架件。
图9是根据本发明的组合件包含由四个母模单元所组成的按比例放大的母模,此外包含经塑形及定向的外框架件,使得框架件的两个相邻边缘形成母模的两个相邻边缘的外推部。
图10是根据本发明的组合件包含三角形的按比例放大的母模,此外包含经塑形及配置的外框架件,使得它们以其内边缘一起形成适于按比例放大的母模的三角形,并与其外边缘一起形成矩形。
图1显示现有技术组合件1,其包含由四个母模单元3、4、5、6所组成的按比例放大的母模2。在此例子中,配置四个具有矩形形状的母模单元3、4、5、6,使得它们在中心点处与它们的转角相交,如此形成交叉接头或交叉接合处7。母模单元3、4、5、6可具有带浮凸结构的有效区域8,在当前情况中,有效区域8覆盖母模单元3、4、5、6的部分表面。最初,四个母模单元3、4、5、6配置有彼此平行的相邻母模单元的毗邻边缘,且形成于母模单元3、4、5、6的毗邻边缘之间的接合线(也称为缝合线或接缝)是均匀且良好控制的。
当一起推动或移动图1的现有技术组合件1的母模单元3、4、5、6时,当输送至压印站用于分别转移、也即压印此多数个母模单元3、4、5、6的浮凸结构及按比例放大的母模以复制可挠性印模时,所述最终的母模单元5及6可将其他母模单元3、4推至一边,导致未对齐与旋转的拼接。应该提及的是,用于形成如图2中所显示的按比例放大的母模的母模单元的该组合件,在拼接方法本身期间,也即当母模单元3、4、5、6彼此相邻配置时,可已经创建未对齐与旋转的拼接。这导致母模单元3、4、5、6之间的不均匀间隙9、10及在交叉接合处7在转角处的高应变位准,如图2中所显示。当由具有未对齐与旋转的拼接及不均匀之间隙的母模单元3、4、5、6的该组合件1制成大面积的可挠性印模时,此可挠性印模也将显示相同的缺陷。
图3显示图1的组合件1沿着剖线A-A的横截面,使母模单元5、6安装且并排地配置于基板载体12上,每一个母模单元5、6具有带有浮凸结构的有效区域8。母模单元5、6具有厚度dmaster,导致母模单元5、6的上表面14与基板载体12的上表面15之间的高度阶差13,此高度阶差等于厚度dmaster
图4显示根据本发明的组合件101,具有按比例放大的母模102,其是由具有浮凸结构的有效区域108的四个母模单元103、104、105、106所组成。除了图1中所显示的现有技术组合件1以外,图3的组合件101包含环绕母模102的外周边配置并沿着其齐平的框架件116、117、118、119。使框架件116、117、118、119环绕按比例放大的母模102的外周边配置并沿着其齐平,至少可在用于复制可挠性印模的处理期间减少母模单元103、104、105、106的未对齐与旋转。替代地,在用于自拼接母模单元103、104、105、106所制成的按比例放大的母模102复制可挠性印模的方法中,可促进所述拼接母模单元103、104、105、106的准确对齐。
图5是图4的组合件101'沿着剖线B-B的截面图,使图5中所显示的母模单元105、106并排地位于及配置在基板载体112上,每一个母模单元105、106具有带有浮凸结构的有效区域108。在母模单元105、106的外边缘120、121处,框架件117'、119'作为离散件安装在基板载体上并环绕母模单元配置。框架件117'、119'优选为可移除地安装于基板载体上,但也可例如通过粘胶固定至基板载体。在图5所示实施方案中,框架件117'、119'具有与母模单元105、106相同的厚度。
当由图4所示的按比例放大的母模102复制可挠性印模时,利用图5中的横截面所示的组合件101',树脂溢流将传送进入框架件117'、119'的区域,其中流入框架区域的树脂具有与所复制的可挠性印模的厚度相同的受控厚度。可避免于按比例放大的母模102的边缘处形成不受控制的高度阶差和/或隆起部,且在母模单元105、106的上表面114与框架件117'、119'的上表面123、分别与基板载体112的上表面115之间的高度阶差113'远离母模单元105、106。
在图6中,显示具有母模单元105、106的图4的组合件沿着剖线B-B的横截面的另一实施方案101”。在母模单元105、106的外边缘120、121处,框架件117”、119”安装于基板载体上并环绕母模单元配置,所述框架件的厚度比母模单元105、106的厚度大。在此情况中,在母模单元105、106的上表面114与框架件117”、119”的上表面123”之间创建所界定的高度阶差122”,通过此界定的高度阶差122”,可挠性印模的有效区域的厚度是预定的,其是自图6中所示的组合件101”所复制。由于框架件117”、119”,至基板载体112的上表面115的高度阶差113”远离母模单元105、106。如图4中所示,图6中的框架件117”、119”是与支撑载体分开的不同件。
在图7中显示图4的组合件沿着剖线B-B的横截面的另一实施方案101”'。在此实施方案中,显示具有母模单元105、106的组合件。在母模单元105、106的外边缘120、121处,框架件117”'、119”'安装于基板载体上并环绕母模单元配置,框架件的厚度分别小于母模单元105、106及按比例放大的母模102的厚度。在此情况中,在母模单元105、106的上表面114与较低的框架件117”'、119”'的上表面123”'之间创建所界定的高度阶差122”'。通过调整使用于自图7中所示组合件复制可挠性印模的树脂量,可控制进入框架区域的树脂溢流,使得在复制期间在框架区域中分配的可挠性印模的外侧区域中产生所界定的高度阶差。在母模单元的侧面处,可挠性印模的厚度中的此阶差增加能稍后用作垂直间隔部,其在用于自可挠性印模复制最终压印产品的方法中提供此最终压印产品的压印厚度控制。
对于图7中所示的实施方案,由于框架件117”'、119”',至基板载体112的上表面115的高度阶差113”'也远离母模单元105、106。
图8显示根据本发明的组合件201的实施方案,使按比例放大的母模202由四个具有像图4中所示组合件的有效区域208的母模单元203、204、205、206所建立。与图4的组合件相对比,除了外框架件216、217、218、219以外,本组合件201具有环绕母模202的外周边配置并沿着其齐平的中间框架件231、232、233。通过使用此也具有中间框架件231、232、233的组合件,其可控制在按比例放大的母模202的外周边的树脂溢流以及在按比例放大的母模202的内部区域中的局部树脂流动。在图8中,在自四个母模单元203、204、205、206复制可挠性印模期间,树脂流动的例子是通过深灰色区域243、244、245、246所指示。如在此例子中可见,树脂覆盖所有有效区域208,且也可覆盖母模单元203、204、205、206环绕有效区域208的区域。此外,树脂可流入外侧及中间框架件216、217、218、219、231、232、233的框架区域,由此框架区域中的树脂区域的厚度是通过框架件216、217、218、219、231、232、233的厚度关于母模单元203、204、205、206的厚度来控制。因此,母模单元203、204、205、206例如在它们的上表面上的有效区域208中可具有不同的纹路或结构,其最终将导致不同的压印产品。使中间框架件223、224、225配置于母模单元203、204、205、206之间,母模单元203、204、205、206的有效区域208之间、及因此不同的压印产品之间的明显区别是可能的。如先前实施方案中所述,在中间框架件的阶差高度可用作产品复制方法中的垂直间隔部。
在图9中,显示根据本发明的包含框架件的组合件301,其类似于图4的组合件101。与图4的组合件101相对比,本组合件301具有环绕由母模单元303、304、305、306所组成的母模302的外周边配置并沿着其齐平的框架件316、317、318、319,将框架件塑形及定向,使得框架件的两个相邻边缘形成母模302的两个相邻边缘的外推部。例如,框架件316的边缘331及332形成母模302的边缘341及342的外推部。
通过框架件316、317、318、319的此设计,框架件的长度不必精确地适应于毗邻框架件的母模302的边缘的长度,但是框架件的长度可为更长,如图9中所示。以此方式,可避免框架件的长度对母模边缘的长度的不匹配。
图10表示根据本发明的组合件401,其包含具有三角形的形状的母模402。母模402是由四个三角形母模单元403、404、405、406所组成,它们的上表面上具有带有浮凸结构的有效区域408。图10的组合件401还包含环绕母模402的外周边配置并沿着其齐平的框架件412、413、414。框架件412、413、414的形状、定向及配置使得它们与它们毗邻母模402的内部边缘形成在形状及尺寸上适应母模402的三角形。框架件412、413、414的配置的外周边具有矩形的轮廓。图10的组合件401的矩形外轮廓允许在用于自三角形母模402复制可挠性印模的压印方法中轻易地处理该组合件,即使母模402是由多数个拼接的母模单元403、404、405、406所建立,它们在本情况中也具有三角形的形式。此外,框架件412、413、414也促进在自按比例放大的母模402复制可挠性印模的方法期间对齐三角形的母模单元403、404、405、406。
应当注意,用于图10中所显示的组合件,也将框架件412、413、414塑形及定向,使得框架件的两个相邻边缘形成母模402的两个相邻边缘的外推部。像用于图9中所显示的组合件,此由于框架件的长度与母模边缘的长度的不匹配而导致的问题可减少。然而,对于图10中所显示的例子,框架件414的长度仍然必需精确地适应其毗邻的母模402的边缘的长度以及框架件412的宽度。

Claims (15)

1.一种包含用于压印微结构及纳米结构的母模的组合件,所述母模配置在基板载体上且在其上表面上具有有效区域,所述有效区域具有用于所述微结构及纳米结构的压印的浮凸结构,其中所述母模具有厚度dmaster,所述组合件进一步包含一组框架件,所述框架件安装在所述基板载体上并环绕所述母模的外周边配置且沿着所述外周边齐平,其中所述框架件具有厚度dframe,其中所述框架件的厚度dframe与所述母模的厚度dmaster偏差最多250μm。
2.根据权利要求1的组合件,其中所述母模是按比例放大的母模,所述按比例放大的母模由多数拼接的母模单元所组成,所述母模单元在它们的上表面上具有有效区域,所述有效区域具有用于所述微结构及纳米结构的压印的浮凸结构,其中所述拼接的母模单元的上表面总共形成所述按比例放大的母模的上表面。
3.根据权利要求2的组合件,其中所述组框架件另外包含中间框架件,所述中间框架件安装在所述基板载体上并配置于拼接的母模单元之间,且沿着毗邻所述中间框架件的拼接母模单元的侧面边缘齐平。
4.根据权利要求1至3中一项或多项的组合件,其中所述框架件的厚度dframe与所述母模的厚度dmaster不同。
5.根据权利要求1至5中一项或多项的组合件,其中所述框架件具有至少5mm的宽度。
6.根据权利要求1至6中一项或多项的组合件,其中所述框架件在它们的表面上具有光学可探测的浮凸结构,所述浮凸结构指向与所述母模的上表面相同的方向中。
7.根据权利要求1至7中一项或多项的组合件,其中环绕所述母模的外周边配置的框架件被塑形及定向,使得每一框架件的两相邻边缘形成所述母模的两相邻边缘的外推部。
8.根据权利要求1至8中一项或多项的组合件,其中所述母模的外周边具有非正方形及非矩形的轮廓,且塑形及配置环绕所述母模的外周边配置的框架件,使得它们与所述母模毗邻的边缘在形状及尺寸上相适应,以顺着所述母模的周边轮廓,而所述框架件使它们的外缘形成正方形或矩形。
9.根据权利要求2或3的组合件,其中所述按比例放大的母模由拼接形的母模单元所组成,其中相邻母模的毗邻边缘彼此平行,且其中形成所述母模的母模单元配置成使得所述母模单元之间的接合线仅具有母模单元之间的连接点,在此处聚集相邻母模单元的最多三个转角。
10.一种框架件在用于制造可挠性印模的压印方法中的用途,其中所述可挠性印模是由在其上表面具有有效区域的母模复制,所述有效区域具有用于微结构及纳米结构的压印的浮凸结构,其中所述母模具有厚度dmaster,其中所述框架件环绕所述母模的外周边配置且沿着所述外周边齐平,其中所述框架件具有厚度dframe,其中所述框架件的厚度dframe与所述母模的厚度dmaster偏差最多250μm,且其中所述母模及框架件安装在基板载体上并与所述基板载体相异。
11.根据权利要求10的框架件的用途,其中所述母模是按比例放大的母模,所述按比例放大的母模由多数拼接的母模单元所组成,所述母模单元在它们的上表面上具有有效区域,所述有效区域具有用于所述微结构及纳米结构的压印的浮凸结构,其中所述拼接的母模单元的上表面总共形成所述按比例放大的母模的上表面,且所述框架件至少环绕所述按比例放大的母模的外周边配置且沿着所述外周边齐平。
12.根据权利要求10或11的框架件的用途,用于控制所述可挠性印模的厚度,其中所述框架件的厚度dframe比所述母模的厚度dmaster大最多250μm。
13.根据权利要求10至12中一项或多项的框架件的用途,其中所述框架件在它们的上表面上具有浮凸结构,以便促进在压印方法期间树脂流动的控制。
14.根据权利要求11的框架件的用途,其中所述按比例放大的母模此平行,且其中所述拼接的母模单元配置在所述可挠性印模中,使得所述子单元之间的接合线仅具有子单元之间的连接点,在此处聚集相邻的子单元的最多三个转角。
15.一种来自母模的可挠性印模,在其上表面上具有有效区域,所述有效区域具有用于微结构及纳米结构的压印的浮凸结构,而通过根据权利要求2或3的组合件赋予给所述可挠性印模。
CN202180059519.5A 2020-07-31 2021-06-30 用于自母模复制可挠性印模的组合件 Pending CN116134377A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP20188862.5 2020-07-31
EP20188862 2020-07-31
PCT/EP2021/068071 WO2022022937A1 (en) 2020-07-31 2021-06-30 Assembly for replicating flexible stamps from a master

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116134377A true CN116134377A (zh) 2023-05-16

Family

ID=71899556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180059519.5A Pending CN116134377A (zh) 2020-07-31 2021-06-30 用于自母模复制可挠性印模的组合件

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20230294442A1 (zh)
EP (1) EP4189480B1 (zh)
JP (1) JP2023535572A (zh)
KR (1) KR20230043841A (zh)
CN (1) CN116134377A (zh)
IL (1) IL300041A (zh)
MX (1) MX2023000916A (zh)
TW (1) TW202221417A (zh)
WO (1) WO2022022937A1 (zh)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7077992B2 (en) 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
EP2005248A2 (en) * 2006-04-11 2008-12-24 Dow Corning Corporation Low thermal distortion silicone composite molds
US8027086B2 (en) 2007-04-10 2011-09-27 The Regents Of The University Of Michigan Roll to roll nanoimprint lithography
US9256915B2 (en) 2012-01-27 2016-02-09 Qualcomm Incorporated Graphics processing unit buffer management
KR20160024410A (ko) * 2014-08-25 2016-03-07 삼성전자주식회사 패턴 구조체 및 그 제조방법
WO2017032758A1 (en) 2015-08-27 2017-03-02 Basf Se Seamless roll-to-roll nano-imprinting
CN105911815B (zh) 2016-05-24 2019-07-05 京东方科技集团股份有限公司 纳米压印模板的制作系统及方法
KR20180044744A (ko) * 2016-10-24 2018-05-03 삼성전자주식회사 패턴 구조체 및 그 제조방법
CA3099947C (en) * 2018-06-06 2022-08-30 Leia Inc. Wafer tiling method to form large-area mold master having sub-micrometer features
CN108873607A (zh) * 2018-07-26 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种纳米压印模板及其制作方法
CN109116680A (zh) * 2018-09-27 2019-01-01 京东方科技集团股份有限公司 压印模板及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230043841A (ko) 2023-03-31
EP4189480C0 (en) 2024-02-14
EP4189480A1 (en) 2023-06-07
EP4189480B1 (en) 2024-02-14
IL300041A (en) 2023-03-01
TW202221417A (zh) 2022-06-01
MX2023000916A (es) 2023-04-19
US20230294442A1 (en) 2023-09-21
WO2022022937A1 (en) 2022-02-03
JP2023535572A (ja) 2023-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220317567A1 (en) Method for texturing discrete substrates
US20210086407A1 (en) Wafer tiling method to form large-area mold master having sub-micrometer features
CN103909757B (zh) 柔性印刷板及其制造方法以及液晶面板用基板的制造方法
CN104175580B (zh) 转印设备及导光膜片的制造方法
TWI574063B (zh) 導光板的製造方法
CN101482695B (zh) 曝光中使用的光掩膜
JP2015507355A (ja) Uv形成装置およびロールツーロール位置合わせのための方法
TW202113923A (zh) 微小構造轉印裝置及微小構造轉印方法
JP2011189610A (ja) 転写装置
CN116134377A (zh) 用于自母模复制可挠性印模的组合件
JP2013000961A (ja) ロール金型の製造方法と光学フィルムの製造方法、並びに、ロール金型と光学フィルム
EP4235301A2 (en) Tiled flexible stamp
KR20110089552A (ko) 패턴드 시트의 마이크로 임프린팅 장치 및 이를 이용한 패턴드 시트의 제조방법
CN114016090B (zh) 一种大尺寸纳米压印用镍模板的制备方法
CN216901320U (zh) 大面积纳米压印拼接模板
TW202212968A (zh) 用於創造尺度放大的母版的熔接方法
CN116277912A (zh) 压印产品的制造设备及其方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination