CN116129982A - Tlc固态硬盘的slc缓存性能测试验证方法和装置 - Google Patents

Tlc固态硬盘的slc缓存性能测试验证方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN116129982A
CN116129982A CN202310159066.4A CN202310159066A CN116129982A CN 116129982 A CN116129982 A CN 116129982A CN 202310159066 A CN202310159066 A CN 202310159066A CN 116129982 A CN116129982 A CN 116129982A
Authority
CN
China
Prior art keywords
performance
iometer
sequential
slc
slc cache
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310159066.4A
Other languages
English (en)
Inventor
杨汉力
钱海明
石骁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Yilian Information System Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Yilian Information System Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Yilian Information System Co Ltd filed Critical Suzhou Yilian Information System Co Ltd
Priority to CN202310159066.4A priority Critical patent/CN116129982A/zh
Publication of CN116129982A publication Critical patent/CN116129982A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)
  • Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)

Abstract

本申请涉及一种TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法、装置、计算机设备和存储介质，其中该方法包括：利用IOmeter对待测盘填盘90％；待填盘90％完成后在剩余10％的空间中创建1GB的文件空间；对所述1GB的文件空间进行大量随机读和少量顺序写操作，以使在SLC缓存区域产生大量的有效数据和无效数据；闲置一段时间，以使固件中的SLC缓存释放逻辑正常工作来释放SLC中大量占用的无效数据和有效数据空间；利用测试模型对SLC缓存进行性能测试验证。本发明能快速高效地检测出带有模拟SLC的固态硬盘在大量空间被使用且闲置一定后，SLC缓存不能按预期释放导致的性能问题。

Description

TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法和装置
技术领域
本发明涉及存储系统技术领域，特别是涉及一种TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法、装置、计算机设备和存储介质。
背景技术
SLC(Single Level Cache，单层存储单元)的速度快寿命长，但价格是MLC(Multi-Level Cell，两层存储单元)，TLC(Trinary-Level Cell，三层存储单元)NAND介质的好几倍。目前，主流的消费级固态硬盘均采用TLC介质，其带宽不到SLC的三分之一且寿命短，但优势是价格便宜、容量大。所以慢慢的成为了主流的固态硬盘。为了使基于TCL介质的固态硬盘能在CDM(Crystal Disk Mark，磁盘基准测试)等测试固态硬盘突发性能的测评软件中显示出SLC介质级别的性能及满足特定场景下的高带宽需求，各家策略基本都是在TLC上模拟一块SLC出来做SLC缓存。在用户使用过程中，盘中的数据量会不断的增加，从而导致可用的SLC缓存大小不断的减少。当数据写入量超过缓存容量的极限时，写入速度就会明显的下降；当主机停止向固态硬盘写入数据后，固态硬盘会开始将SLC缓存中的数据搬移到TLC中，SLC缓存的清理将使读写性能恢复到模拟SLC的性能。为了确保产品性能符合设计需求并满足客户对数据读写的高带宽需求。对模拟SLC的读写性能验证是非常重要的。若TLC介质的固态硬盘的SLC缓存存在读写性能异常，将大大影响用户对固态硬盘产品的体验和信任度。
目前，验证TLC固态硬盘SLC缓存性能的方法都是先用IOMETER工具对待测盘填盘50％-90％后再用CDM测多队列单线程的顺序读写性能，看是否在填盘后仍能跑出模拟SLC的性能。但是，上述方法不能模拟客户真实场景下对SLC缓存的使用，根据真实场景统计，客户使用场景中会有大量的随机读写和少量顺序读写操作的，且在该场景中会出现盘在停止写入数据一段时间后SLC缓存不能释放的情况，从而导致再次写入数据时的性非常的低。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法、装置、计算机设备和存储介质。
一种TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法，所述方法包括：
利用IOmeter对待测盘填盘90％；
待填盘90％完成后在剩余10％的空间中创建1GB的文件空间；
对所述1GB的文件空间进行大量随机读和少量顺序写操作，以使在SLC缓存区域产生大量的有效数据和无效数据；
闲置一段时间，以使固件中的SLC缓存释放逻辑正常工作来释放SLC中大量占用的无效数据和有效数据空间；
利用测试模型对SLC缓存进行性能测试验证。
在其中一个实施例中，在所述利用IOmeter对待测盘填盘90％的步骤之后还包括：
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、64KB的块大小顺序写5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、64KB的块大小顺序读5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、16KB的块大小、50％随机写5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、16KB的块大小、50％随机读5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、4KB的块大小、100％随机写5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、4KB的块大小、100％随机读5分钟。
在其中一个实施例中，在所述在待填盘90％完成后在剩余10％的空间中创建1GB的文件空间的步骤之后还包括：
准备顺序写数据并测试顺序写性能；
判断顺序写性能是否达到预期，若达到预期则闲置一定时间，若未达到预期则表示顺序写性能不良。
在其中一个实施例中，在所述判断顺序写性能是否达到预期，若达到预期则闲置一定时间的步骤之后还包括：
准备顺序读数据并测试顺序读性能；
判断顺序读性能是否达到预期，若达到预期则测试通过，若未达到预期则表示顺序读性能不良。
一种TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证装置，所述装置包括：
填盘模块，所述填盘模块用于利用IOmeter对待测盘填盘90％；
创建模块，所述创建模块用于待填盘90％完成后在剩余10％的空间中创建1GB的文件空间；
读写模块，所述读写模块用于对所述1GB的文件空间进行大量随机读和少量顺序写操作，以使在SLC缓存区域产生大量的有效数据和无效数据；
测试验证模块，所述测试验证模块用于闲置一段时间，以使固件中的SLC缓存释放逻辑正常工作来释放SLC中大量占用的无效数据和有效数据空间；利用测试模型对SLC缓存进行性能测试验证。
在其中一个实施例中，所述读写模块还用于：
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、64KB的块大小顺序写5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、64KB的块大小顺序读5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、16KB的块大小、50％随机写5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、16KB的块大小、50％随机读5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、4KB的块大小、100％随机写5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、4KB的块大小、100％随机读5分钟。
在其中一个实施例中，所述装置还包括写性能验证模块，所述写性能验证模块用于：
准备顺序写数据并测试顺序写性能；
判断顺序写性能是否达到预期，若达到预期则闲置一定时间，若未达到预期则表示顺序写性能不良。
在其中一个实施例中，所述装置还包括读性能验证模块，所述读性能验证模块用于：
准备顺序读数据并测试顺序读性能；
判断顺序读性能是否达到预期，若达到预期则测试通过，若未达到预期则表示顺序读性能不良。
一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任意一项方法的步骤。
一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任意一项方法的步骤。
上述TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法、装置、计算机设备和存储介质，针对TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试，利用IOmeter对待测盘填盘90％后加入大量随机读和少量顺序写操作，闲置一段时间后再释放SLC缓存中的数据，然后用固定的测试模型对SLC缓存进行性能测试验证。本发明能快速高效地检测出带有模拟SLC的固态硬盘在大量空间被使用且闲置一定后，SLC缓存不能按预期释放导致的性能问题。
附图说明
图1为一个实施例中TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法的流程示意图；
图2为另一个实施例中TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法的流程示意图；
图3为再一个实施例中TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法的流程示意图；
图4为又一个实施例中TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法的流程示意图；
图5为一个实施例中TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证装置的结构框图；
图6为另一个实施例中TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证装置的结构框图；
图7为再一个实施例中TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证装置的结构框图；
图8为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
目前，验证TLC固态硬盘SLC缓存性能的方法都是先用IOMETER工具对待测盘填盘50％-90％后再用CDM测多队列单线程的顺序读写性能，看是否在填盘后仍能跑出模拟SLC的性能。但是，上述方法不能模拟客户真实场景下对SLC缓存的使用，根据真实场景统计，客户使用场景中会有大量的随机读写和少量顺序读写操作的，且在该场景中会出现盘在停止写入数据一段时间后SLC缓存不能释放的情况，从而导致再次写入数据时的性非常的低。
基于此，本发明提出了一种TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法，旨在可以解决上述SLC缓存性能测试的缺点。
在一个实施例中，如图1所示，提供了一种TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法，该方法包括：
步骤102，利用IOmeter对待测盘填盘90％；
步骤104，待填盘90％完成后在剩余10％的空间中创建1GB的文件空间；
步骤106，对所述1GB的文件空间进行大量随机读和少量顺序写操作，以使在SLC缓存区域产生大量的有效数据和无效数据；
步骤108，闲置一段时间，以使固件中的SLC缓存释放逻辑正常工作来释放SLC中大量占用的无效数据和有效数据空间；
步骤110，利用测试模型对SLC缓存进行性能测试验证。
在本实施例中，提供了一种TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法，通过IOmeter对TLC固态硬盘填盘90％后再模拟客户使用场景进行大量随机读写和少量顺序读写，闲置一定时间后用diskspd对SLC缓存性能进行测试验证。
具体地，可结合参考图4，首先对从盘用NVME format命令对盘进行安全擦除，以此确保盘的初始状态的一致性。用IOmeter对待测试的从盘填盘90％。闲置5分钟后在剩余10％的空间中创建1GB的文件空间。
接着，对1GB的文件空间进行大量随机读和少量顺序写操作，以使在SLC缓存区域产生大量的有效数据和无效数据。闲置5分钟后，以使固件中的SLC缓存释放逻辑正常工作来释放SLC中大量占用的无效数据和有效数据空间。最后，利用diskspd对SLC缓存进行性能测试验证。
在本实施例中，针对TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试，利用IOmeter对待测盘填盘90％后加入大量随机读和少量顺序写操作，闲置一段时间后再释放SLC缓存中的数据，然后用固定的测试模型对SLC缓存进行性能测试验证。本方案能快速高效地检测出带有模拟SLC的固态硬盘在大量空间被使用且闲置一定后，SLC缓存不能按预期释放导致的性能问题。
在一个实施例中，如图2所示，提供了一种TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法，该方法在所述在待填盘90％完成后在剩余10％的空间中创建1GB的文件空间的步骤之后还包括：
步骤202，准备顺序写数据并测试顺序写性能；
步骤204，判断顺序写性能是否达到预期，若达到预期则闲置一定时间，若未达到预期则表示顺序写性能不良。
具体地，首先准备顺序写的数据，开启进程2，用diskspd.exe对上述1GB的空间用8个队列、1个线程、1MB的块大小写5秒钟。顺序写测试，开启进程3，用diskspd.exe对上述1GB的空间用8个队列、1个线程、1MB的块大小写5秒钟，且统计5秒内进程3写操作回应的总次数，每秒钟的顺序写带宽性能＝写总次数*每次写的块大小1MB。
重复顺序写测试共5次并取最大值为SLC缓存的顺序写性能。闲置5秒钟以便固件对SLC缓存进行释放，为下一个测试计划做准备。
在一个实施例中，如图3所示，提供了一种TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法，该方法在所述判断顺序写性能是否达到预期，若达到预期则闲置一定时间的步骤之后还包括：
步骤302，准备顺序读数据并测试顺序读性能；
步骤304，判断顺序读性能是否达到预期，若达到预期则测试通过，若未达到预期则表示顺序读性能不良。
具体地，准备顺序读的数据，开启进程4，用diskspd.exe对上述1GB的空间用8个队列、1个线程、1MB的块大小读5秒钟。顺序读测试，开启进程5，用diskspd.exe对上述1GB的空间用8个队列、1个线程、1MB的块大小读5秒钟，且统计5秒内进程5读操作回应的总次数，每秒钟的顺序读带宽性能＝读总次数*每次读的块大小1MB。
重复顺序读测试共5次并取最大值为SLC缓存的顺序读性能。若顺序读写性能达到预期的SLC缓存读写性能，则SLC缓存在填盘90％后的模拟客户场景下能正常释放无异常。
在一个实施例中，提供了一种TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法，该方法在利用IOmeter对待测盘填盘90％的步骤之后还包括：
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、64KB的块大小顺序写5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、64KB的块大小顺序读5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、16KB的块大小、50％随机写5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、16KB的块大小、50％随机读5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、4KB的块大小、100％随机写5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、4KB的块大小、100％随机读5分钟。
参考图4所示，在本实施例中提供了完整的测试验证方法，其具体的测试验证环境以及测试步骤如下：
硬件需求：待测计算机为ASUS Z690，对于待测计算机，本专利所述方法适用于支持2个或以上M.2PCIe接口的台式机、笔记本等计算机，而具体型号并不做强制要求。本专利优选ASUS Z690为待测计算机。待测固态硬盘为支持模拟SLC缓存的TLC M.2固态硬盘。
软件需求：操作系统为Windows 11，测试工具为IOmeter,diskspd，测试脚本为自编的批处理脚本。
步骤1、作从盘用NVME format命令对盘进行安全擦除，以此确保盘的初始状态的一致性。
步骤2、用IOmeter对待测试的从盘填盘90％。
步骤3、用IOmeter带参数4个队列、4个线程、64KB的块大小顺序写5分钟。
步骤4、用IOmeter带参数4个队列、4个线程、64KB的块大小顺序读5分钟。
步骤5、用IOmeter带参数4个队列、4个线程、16KB的块大小、50％随机写5分钟。
步骤6、用IOmeter带参数4个队列、4个线程、16KB的块大小、50％随机读5分钟
步骤7、用IOmeter带参数4个队列、4个线程、4KB的块大小、100％随机写5分钟。
步骤8、用IOmeter带参数4个队列、4个线程、4KB的块大小、100％随机读5分钟。
步骤9、闲置5分钟后在剩余10％的空间中创建1GB的文件空间。
步骤10、准备顺序写的数据，开启进程2，用diskspd.exe对上述1GB的空间用8个队列、1个线程、1MB的块大小写5秒钟。
步骤11、顺序写测试，开启进程3,用diskspd.exe对上述1GB的空间用8个队列、1个线程、1MB的块大小写5秒钟，且统计5秒内进程3写操作回应的总次数，每秒钟的顺序写带宽性能＝写总次数*每次写的块大小1MB。
步骤12、重复步骤11共5次并取最大值为SLC缓存的顺序写性能。
步骤13、闲置5秒钟以便固件对SLC缓存进行释放，为下一个测试计划做准备。
步骤14、准备顺序读的数据，开启进程4,用diskspd.exe对上述1GB的空间用8个队列、1个线程、1MB的块大小读5秒钟。
步骤15、顺序读测试，开启进程5,用diskspd.exe对上述1GB的空间用8个队列、1个线程、1MB的块大小读5秒钟，且统计5秒内进程5读操作回应的总次数，每秒钟的顺序读带宽性能＝读总次数*每次读的块大小1MB。
步骤16、重复步骤15共5次并取最大值为SLC缓存的顺序读性能。
步骤17、步骤12，16中的顺序读写性能达到预期的SLC缓存读写性能，则SLC缓存在填盘90％后的模拟客户场景下能正常释放无异常。
在本实施例中，能快速高效地通过Diskspd.exe检测出带有模拟SLC的固态硬盘在大量空间被使用且闲置一定后，SLC缓存不能按预期释放导致的性能问题。
应该理解的是，虽然图1-4的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1-4中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
在一个实施例中，如图5所示，提供了一种TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证装置500，该装置包括：
填盘模块501，所述填盘模块用于利用IOmeter对待测盘填盘90％；
创建模块502，所述创建模块用于待填盘90％完成后在剩余10％的空间中创建1GB的文件空间；
读写模块503，所述读写模块用于对所述1GB的文件空间进行大量随机读和少量顺序写操作，以使在SLC缓存区域产生大量的有效数据和无效数据；
测试验证模块504，所述测试验证模块用于闲置一段时间，以使固件中的SLC缓存释放逻辑正常工作来释放SLC中大量占用的无效数据和有效数据空间；利用测试模型对SLC缓存进行性能测试验证。
在一个实施例中，读写模块503还用于：
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、64KB的块大小顺序写5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、64KB的块大小顺序读5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、16KB的块大小、50％随机写5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、16KB的块大小、50％随机读5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、4KB的块大小、100％随机写5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、4KB的块大小、100％随机读5分钟。
在一个实施例中，如图6所示，提供了一种TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证装置500，该装置还包括写性能验证模块505，所述写性能验证模块用于：
准备顺序写数据并测试顺序写性能；
判断顺序写性能是否达到预期，若达到预期则闲置一定时间，若未达到预期则表示顺序写性能不良。
在一个实施例中，如图7所示，提供了一种TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证装置500，该装置还包括读性能验证模块506，所述读性能验证模块用于：
准备顺序读数据并测试顺序读性能；
判断顺序读性能是否达到预期，若达到预期则测试通过，若未达到预期则表示顺序读性能不良。
关于TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证装置的具体限定可以参见上文中对于TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法的限定，在此不再赘述。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，其内部结构图可以如图8所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器以及网络接口。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法。
本领域技术人员可以理解，图8中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现以上各个方法实施例中的步骤。
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以上各个方法实施例中的步骤。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一种非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM以多种形式可得，诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)、以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法，所述方法包括：
利用IOmeter对待测盘填盘90％；
待填盘90％完成后在剩余10％的空间中创建1GB的文件空间；
对所述1GB的文件空间进行大量随机读和少量顺序写操作，以使在SLC缓存区域产生大量的有效数据和无效数据；
闲置一段时间，以使固件中的SLC缓存释放逻辑正常工作来释放SLC中大量占用的无效数据和有效数据空间；
利用测试模型对SLC缓存进行性能测试验证。
2.根据权利要求1所述的TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法，其特征在于，在所述利用IOmeter对待测盘填盘90％的步骤之后还包括：
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、64KB的块大小顺序写5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、64KB的块大小顺序读5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、16KB的块大小、50％随机写5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、16KB的块大小、50％随机读5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、4KB的块大小、100％随机写5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、4KB的块大小、100％随机读5分钟。
3.根据权利要求1所述的TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法，其特征在于，在所述在待填盘90％完成后在剩余10％的空间中创建1GB的文件空间的步骤之后还包括：
准备顺序写数据并测试顺序写性能；
判断顺序写性能是否达到预期，若达到预期则闲置一定时间，若未达到预期则表示顺序写性能不良。
4.根据权利要求3所述的TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证方法，其特征在于，在所述判断顺序写性能是否达到预期，若达到预期则闲置一定时间的步骤之后还包括：
准备顺序读数据并测试顺序读性能；
判断顺序读性能是否达到预期，若达到预期则测试通过，若未达到预期则表示顺序读性能不良。
5.一种TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证装置，其特征在于，所述装置包括：
填盘模块，所述填盘模块用于利用IOmeter对待测盘填盘90％；
创建模块，所述创建模块用于待填盘90％完成后在剩余10％的空间中创建1GB的文件空间；
读写模块，所述读写模块用于对所述1GB的文件空间进行大量随机读和少量顺序写操作，以使在SLC缓存区域产生大量的有效数据和无效数据；
测试验证模块，所述测试验证模块用于闲置一段时间，以使固件中的SLC缓存释放逻辑正常工作来释放SLC中大量占用的无效数据和有效数据空间；利用测试模型对SLC缓存进行性能测试验证。
6.根据权利要求5所述的TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证装置，其特征在于，所述读写模块还用于：
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、64KB的块大小顺序写5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、64KB的块大小顺序读5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、16KB的块大小、50％随机写5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、16KB的块大小、50％随机读5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、4KB的块大小、100％随机写5分钟；
用IOmeter带参数4个队列、4个线程、4KB的块大小、100％随机读5分钟。
7.根据权利要求5所述的TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证装置，其特征在于，所述装置还包括写性能验证模块，所述写性能验证模块用于：
准备顺序写数据并测试顺序写性能；
判断顺序写性能是否达到预期，若达到预期则闲置一定时间，若未达到预期则表示顺序写性能不良。
8.根据权利要求7所述的TLC固态硬盘的SLC缓存性能测试验证装置，其特征在于，所述装置还包括读性能验证模块，所述读性能验证模块用于：
准备顺序读数据并测试顺序读性能；
判断顺序读性能是否达到预期，若达到预期则测试通过，若未达到预期则表示顺序读性能不良。
9.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至4中任一项所述方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至4中任一项所述的方法的步骤。
CN202310159066.4A 2023-02-23 2023-02-23 Tlc固态硬盘的slc缓存性能测试验证方法和装置 Pending CN116129982A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310159066.4A CN116129982A (zh) 2023-02-23 2023-02-23 Tlc固态硬盘的slc缓存性能测试验证方法和装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310159066.4A CN116129982A (zh) 2023-02-23 2023-02-23 Tlc固态硬盘的slc缓存性能测试验证方法和装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116129982A true CN116129982A (zh) 2023-05-16

Family

ID=86309989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310159066.4A Pending CN116129982A (zh) 2023-02-23 2023-02-23 Tlc固态硬盘的slc缓存性能测试验证方法和装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116129982A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112331253B (zh) 一种芯片的测试方法、终端和存储介质
CN108133732B (zh) 闪存芯片的性能测试方法、装置、设备及存储介质
CN110956997B (zh) 一种固态硬盘ber的测试方法、测试装置及测试设备
CN113778822B (zh) 纠错能力测试方法、装置、可读存储介质及电子设备
CN112395146A (zh) Ssd固件仿真验证方法、系统、计算机设备及存储介质
CN116719675B (zh) 硬盘磨损测试方法、装置及介质
US11205496B2 (en) Apparatus and method for testing storage device in power interruptions
CN110727399B (zh) 存储阵列管理方法及装置
CN117234879A (zh) 基于固态硬盘的冷热数据识别测试方法和装置
CN114518981A (zh) eMMC测试方法、装置、可读存储介质及电子设备
CN115206405A (zh) 固态硬盘的测试方法、测试装置及计算机可读存储介质
CN110111836B (zh) 基于固态硬盘温升性能的标准化测试方法和系统
CN112732181A (zh) 一种ssd的数据迁移方法及相关装置
CN116129982A (zh) Tlc固态硬盘的slc缓存性能测试验证方法和装置
CN113470723B (zh) 读重试测试方法、装置、可读存储介质及电子设备
CN110275596B (zh) 基于固态硬盘的上电初始化加速方法、装置和计算机设备
CN109584943B (zh) 一种评估存储介质的方法及装置
CN112802530A (zh) Nand测试方法、装置、可读存储介质及电子设备
Liu et al. VST: A virtual stress testing framework for discovering bugs in SSD flash-translation layers
CN117234881A (zh) 固态硬盘slc可用大小和释放策略测试方法和装置
CN116882335B (zh) 操作时间仿真获取方法、装置、电子设备及存储介质
CN112464499B (zh) 非易失芯片擦写数据检查方法、装置、存储介质和终端
CN114005484A (zh) 机械磁盘自擦除机制测试方法、装置、终端及存储介质
CN112433892B (zh) 存储器验证方法及存储器验证系统
CN117234880A (zh) 固态硬盘slc搬移的启动和完成时间测试方法和装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination