CN116120076A - 一种芯片电容器陶瓷片的烧结方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种芯片电容器陶瓷片的烧结方法，采用的工具为两块氧化锆板和多块用于垫烧的陶瓷片，烧结方法包括以下步骤：步骤1：将需要烧结的芯片电容器陶瓷片放在两块氧化锆板之间；步骤2：在氧化锆板四个角分别垫放厚度较大的陶瓷片；步骤3：将氧化锆板和夹装的芯片电容器陶瓷片以及垫烧的陶瓷片放入烧结炉中，烧结过程如下：1)低速升温阶段：以0.4～0.8℃/min的升温速率升至700℃；2)快速升温阶段：以0.9～1.3℃/min的升温速率升至1100℃；3)恒温阶段：在最高温阶段恒温240min；4)降温阶段：从最高温阶段自然降温到室温；步骤4：从烧结炉中取出产品，进行检测。
Description
技术领域
本发明属于电容器制造技术领域，具体涉及一种芯片电容器陶瓷片的烧结方法。
背景技术
陶瓷材料的烧结，是通过高温加热使陶瓷粉体产生颗粒粘接，再通过微观粒子之间的迁移产生一定的强度并发生瓷体致密化和晶体再结晶的过程。芯片电容器陶瓷片烧结时，环境温度需要达到1000℃以上的高温，芯片电容器陶瓷片的尺寸较大，厚度较薄，高温烧结时，由于存在温度传导梯度，陶瓷片边缘及表层的收缩越快，中间位置和内部中心位置的收缩越慢，因此会发生瓷体体积收缩不一致的现象，陶瓷片自身收缩引起的形变不一致会导致陶瓷片发生翘曲现象。当陶瓷片发生翘曲之后，就无法对其继续进行加工处理，包括表面金属层涂覆和瓷体切割等，因此，为确保陶瓷片的后续加工性能，需要保证陶瓷片烧结后的瓷体平整度和一致性。
发明内容
为了解决上述问题，本发明旨在提供一种芯片电容器陶瓷片的烧结方法，
为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：一种芯片电容器陶瓷片的烧结方法，采用的工具为两块氧化锆板和多块用于垫烧的陶瓷片，烧结方法包括以下步骤：
步骤1：将需要烧结的芯片电容器陶瓷片放在两块氧化锆板之间；
步骤2：在氧化锆板四个角分别垫放厚度较大的陶瓷片；
步骤3：将氧化锆板和夹装的芯片电容器陶瓷片以及垫烧的陶瓷片放入烧结炉中，烧结过程如下：
1)低速升温阶段：以0.4～0.8℃/min的升温速率升至700℃；
2)快速升温阶段：以0.9～1.3℃/min的升温速率升至1100℃；
3)恒温阶段：在最高温阶段恒温240min；
4)降温阶段：从最高温阶段自然降温到室温；
步骤4：从烧结炉中取出产品，进行检测。
所述氧化锆板耐高温可达到1500℃。
所述垫烧的陶瓷片和芯片电容器陶瓷片材质一样。
所述步骤1中，芯片电容器陶瓷片放置于氧化锆板的中间位置，不能超出氧化锆板边缘位置。
所述步骤2中，用于垫烧的陶瓷片，要摆放在两块氧化锆板之间的四角处，不能超出氧化锆板边缘位置。
所述垫烧的陶瓷片厚度比芯片电容器陶瓷片厚0.02～0.04mm。
所述步骤4中，检测的产品无翘曲变形、碎裂则为合格。
与现有技术相比，本发明具有以下优势：将芯片电容器陶瓷片放置在氧化锆板之间，由于氧化锆板与陶瓷材料成分相近，高温状态下不会发生反应，同时，用于垫烧的陶瓷片厚度比需要烧结的芯片电容器陶瓷片稍厚，会给其留有一定的空间，不至于被氧化锆板压碎，而由于氧化锆板的覆盖作用，会避免芯片电容器陶瓷片在烧结过程中自身发生的形变导致翘曲，同时控制温度，保证了陶瓷片烧结后瓷体的平整度和一致性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明中芯片电容器陶瓷片的烧结夹装爆炸图；
图2为本发明中芯片电容器陶瓷片的烧结夹装示意图；
图3为图2的俯视图；
图中，1-第一氧化锆板；2-芯片电容器陶瓷片；3-陶瓷片；4-第二氧化锆板。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的说明，但不应就此理解为本发明所述主题的范围仅限于以下的实施例，在不脱离本发明上述技术思想情况下，凡根据本领域普通技术知识和惯用手段做出的各种修改、替换和变更，均包括在本发明的范围内。
实施例：参照图1-图3，,芯片电容器陶瓷片2的烧结方法，采用的工具为两块氧化锆板，氧化锆板的长、宽、厚尺寸为80×80×1mm，和多块用于垫烧的陶瓷片3，垫烧的陶瓷片3的长、宽、厚尺寸为80×80×1.2mm，烧结方法包括以下步骤：
步骤1：将尺寸为50×50mm的需芯片电容器陶瓷片3放在第一氧化锆板1和第二氧化锆板4之间，不能超出氧化锆板边缘位置；
步骤2：在氧化锆板四个角分别垫放陶瓷片3，不能超出氧化锆板边缘位置；
步骤3：将氧化锆板和夹装的芯片电容器陶瓷片2以及垫烧的陶瓷片4放入烧结炉中，烧结过程如下：
1)低速升温阶段：以0.4～0.8℃/min的升温速率升至700℃；
2)快速升温阶段：以0.9～1.3℃/min的升温速率升至1100℃；
3)恒温阶段：在最高温阶段恒温240min；
4)降温阶段：从最高温阶段自然降温到室温；
步骤4：从烧结炉中取出芯片电容器陶瓷片2，无翘曲变形、碎裂。
所述氧化锆板耐高温可达到1500℃。
所述垫烧的陶瓷片和芯片电容器陶瓷片材质一样。
原理：将芯片电容器陶瓷片2放置在两块氧化锆板之间，由于氧化锆板与陶瓷材料成分相近，高温状态下不会发生反应，同时，用于垫烧的陶瓷片3厚度比需要烧结的芯片电容器陶瓷片稍厚，会给其留有一定的空间，不至于被氧化锆板压碎，而由于氧化锆板的覆盖作用，会避免芯片电容器陶瓷片在烧结过程中自身发生的形变导致翘曲。
以上对本发明所提供的一种芯片电容器陶瓷片的烧结方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的结构及工作原理进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求保护的范围内。
Claims (7)
1.一种芯片电容器陶瓷片的烧结方法，其特征在于：采用的工具为两块氧化锆板和多块用于垫烧的陶瓷片，烧结方法包括以下步骤：
步骤1：将需要烧结的芯片电容器陶瓷片放在两块氧化锆板之间；
步骤2：在氧化锆板四个角分别垫放厚度较大的陶瓷片；
步骤3：将氧化锆板和夹装的芯片电容器陶瓷片以及垫烧的陶瓷片放入烧结炉中，烧结过程如下：
1)低速升温阶段：以0.4～0.8℃/min的升温速率升至700℃；
2)快速升温阶段：以0.9～1.3℃/min的升温速率升至1100℃；
3)恒温阶段：在最高温阶段恒温240min；
4)降温阶段：从最高温阶段自然降温到室温；
步骤4：从烧结炉中取出产品，进行检测。
2.根据权利要求1所述的芯片电容器陶瓷片的烧结方法，其特征在于：所述氧化锆板耐高温可达到1500℃。
3.根据权利要求1所述的芯片电容器陶瓷片的烧结方法，其特征在于：所述垫烧的陶瓷片和芯片电容器陶瓷片材质一样。
4.根据权利要求1所述的芯片电容器陶瓷片的烧结方法，其特征在于：所述步骤1中，芯片电容器陶瓷片放置于氧化锆板的中间位置，不能超出氧化锆板边缘位置。
5.根据权利要求1所述的芯片电容器陶瓷片的烧结方法，其特征在于：所述步骤2中，用于垫烧的陶瓷片，要摆放在两块氧化锆板之间的四角处，不能超出氧化锆板边缘位置。
6.根据权利要求1所述的芯片电容器陶瓷片的烧结方法，其特征在于：所述垫烧的陶瓷片厚度比芯片电容器陶瓷片厚0.02～0.04mm。
7.根据权利要求1所述的芯片电容器陶瓷片的烧结方法，其特征在于：所述步骤4中，检测的产品无翘曲变形、碎裂则为合格。
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