CN116108022B - 一种电能表数据存储方法、装置、终端及存储介质 - Google Patents

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CN116108022B CN202310382385.1A CN202310382385A CN116108022B CN 116108022 B CN116108022 B CN 116108022B CN 202310382385 A CN202310382385 A CN 202310382385A CN 116108022 B CN116108022 B CN 116108022B
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Abstract

本申请提供一种电能表数据存储方法、装置、终端及存储介质。该方法包括：获取当前电能表数据及对应的索引号；在可编程只读存储器中添加当前电能表数据对应的偏移地址，基于偏移地址在闪存存储器中确定当前电能表数据的索引号对应的存储位置，并将当前电能表数据存储至闪存存储器中索引号对应的存储位置；若索引号正常，当前电能表数据的存储位置存在异常，则将偏移地址向后偏移预设字节长度，得到新的偏移地址，并将当前电能表数据存储至新的偏移地址。本申请能够实现对存储失败或者错误的电能表数据的恢复和重新存储，提高电能表数据的存储有效率和准确率。

Description

一种电能表数据存储方法、装置、终端及存储介质
技术领域
本申请涉及电能表技术领域，尤其涉及一种电能表数据存储方法、装置、终端及存储介质。
背景技术
当前表计类的产品，存储数据要求严格，根据不同地方、国家的标准，需要存储多种冻结数据，实时记录数据，以及掉电存数，且数据均非常重要，一般利用可编程只读存储器EEPROM和闪存存储器Flash进行存储，其中，EEPROM存储小数据量，可以进行单字节操作或位操作而不影响其余位置数据，Flash存储大容量数据，存储时需清除当前页数据，才可写入新数据，若存储该页时遇到掉电情况，会导致整页数据丢失。
传统的存储方法中，EEPROM用来存储索引目录，Flash 用来存储实际数据值，根据EEPROM和Flash的存储方式，在保证索引目录正常情况下，Flash最多丢失依次数据，但是当索引目录出现问题后，会导致索引目录对应的Flash数据异常，对于Flash中存储的数据值正确与否无法判别，而且针对EEPROM和Flash的用量较大，难免在现场遇到数据存储错误或者数据因异常导致篡改的问题，且因部分存储的数据会影响当前表计运行，甚至会因为数据错误而导致设备运行错误，出现故障。
发明内容
本申请提供了一种电能表数据存储方法、装置、终端及存储介质，以解决现有技术中电能表数据存储异常的问题。
第一方面，本申请提供了一种电能表数据存储方法，包括：
获取当前电能表数据及对应的索引号；
在可编程只读存储器中添加所述当前电能表数据对应的偏移地址，基于所述偏移地址在闪存存储器中确定所述当前电能表数据的索引号对应的存储位置，并将所述当前电能表数据存储至所述闪存存储器中所述索引号对应的存储位置；
若所述索引号正常，所述当前电能表数据的存储位置存在异常，则将所述偏移地址向后偏移预设字节长度，得到新的偏移地址，并将所述当前电能表数据存储至新的偏移地址。
第二方面，本申请提供了一种电能表数据存储装置，包括：
获取模块，用于获取当前电能表数据及对应的索引号；
存储模块，用于在可编程只读存储器中添加所述当前电能表数据对应的偏移地址，基于所述偏移地址在闪存存储器中确定所述当前电能表数据的索引号对应的存储位置，并将所述当前电能表数据存储至所述闪存存储器中所述索引号对应的存储位置；
更新模块，用于若所述索引号正常，所述当前电能表数据的存储位置存在异常，则将所述偏移地址向后偏移预设字节长度，得到新的偏移地址，并将所述当前电能表数据存储至新的偏移地址。
第三方面，本申请提供了一种终端，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式所述方法的步骤。
第四方面，本申请提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式所述方法的步骤。
本申请提供一种电能表数据存储方法、装置、终端及存储介质，通过在可编程只读存储器中添加当前电能表数据对应的偏移地址，然后根据可编程只读存储器中的索引号与闪存存储器中存储的当前电能表数据，判断该索引号与当前电能表数据是否正常，若索引号正常，当前电能表数据的存储位置异常，即当前电能表数据存在异常，则更新偏移地址，重新存储当前电能表数据，实现了对存储失败或者错误的电能表数据的恢复和重新存储，提高了电能表数据的存储有效率和准确率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的电能表数据存储方法的实现流程图；
图2是本申请实施例提供的电能表数据的正常存储示意图；
图3是本申请实施例提供的预设存储格式的示意图；
图4是本申请实施例提供的电能表数据存储装置的结构示意图；
图5是本申请实施例提供的终端的示意图。
具体实施方式
以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图通过具体实施例来进行说明。
图1为本申请实施例提供的电能表数据存储方法的实现流程图，详述如下：
在步骤101中，获取当前电能表数据及对应的索引号。
根据实际情况可知，当对电能表数据进行存储时，一般会用到可编程只读存储器EEPROM和闪存存储器Flash，可以用可编程只读存储器EEPROM存储当前电能表数据对应的索引号，闪存存储器Flash存储当前电能表数据。
因此，在本申请实施例中，获取电能表的当前电能表数据和其对应的索引号。需要注意的是，本申请实施例规定，先确定可编程只读存储器EEPROM中的索引号后，再确定在闪存存储器Flash中的存储位置。
在步骤102中，在可编程只读存储器中添加当前电能表数据对应的偏移地址，基于偏移地址在闪存存储器中确定当前电能表数据的索引号对应的存储位置，并将当前电能表数据存储至闪存存储器中索引号对应的存储位置。
由于可编程只读存储器EEPROM和闪存存储器Flash的存储原理：可编程只读存储器EEPROM用于存储小数据量，且可编程只读存储器EEPROM可以进行单字节操作或位操作而不影响其余位置数据，闪存存储器Flash用于存储大容量数据，且其在存储时需要清除当前页数据，才可写入新数据，若存储该页数据时遇到掉电情况，会导致整页数据丢失，本领域的常规技术中，是利用可编程只读存储器EEPROM存储索引号，闪存存储器Flash存储实际数据值。
但是在上述技术中，在保证可编程只读存储器EEPROM中的索引号正常的情况下，闪存存储器Flash最多丢失一次数据，即闪存存储器Flash中存储数据时突然掉电；在可编程只读存储器EEPROM中的索引号出现问题时，就会导致索引号对应的闪存存储器Flash中的数据异常，参见图2，闪存存储器Flash遇到的错误有：
数据存储失败1：例如第4条存储的数据为：0010011101011，而实际存储的数据为0010111111111，可知存储数据的错误位置为：0010/111111111（“/”后为存储的错误数据）。
该错误为操作闪存存储器Flash期间，闪存存储器Flash掉电导致后续数据写入错误，此时闪存存储器Flash存储数据错误。
其中，闪存存储器Flash的工作原理是：在进行存储数据前，需要将整页数据擦除后写1，然后按照存储的数据进行写0，即闪存存储器Flash只能写0。
数据存储失败2：例如第4条存储为：可编程只读存储器EEPROM中的索引号为Page4，闪存存储器Flash中存储的数据为0010011101011，而实际中的可编程只读存储器EEPROM中的索引号为Page 1，闪存存储器Flash中存储的数据为1010111001101。
该错误为此时闪存存储器Flash中存储的数据无法对应程序存储，导致使用的数据错误。
数据存储失败3：例如第4条存储为：可编程只读存储器EEPROM中的索引号为Page4，闪存存储器Flash中存储的数据为0010011101011，而实际中的可编程只读存储器EEPROM中的索引号为空，闪存存储器Flash中存储的数据为01010010101110。
该错误为数据已经存储完成，但尚未更新索引号，导致使用的数据错误。
示例性的，当前电能表数据的存储方式为：
可编程只读存储器EEPROM中的索引号为0x40，闪存存储器Flash中的存储区为0x20000~0x40000，则当前电能表数据的实际存储位置为0x2040，故定掉电字节长度为10字节，若后续存在失压事件或者掉电事件，可编程只读存储器EEPROM中的索引号变为0x50（上述索引号+定义的字节长度），当前电能表数据存储的实际位置变为0x2050。
基于上述论述的错误，本申请实施例在可编程只读存储器EEPROM中添加当前电能表数据对应的偏移地址，并根据该偏移地址，在闪存存储器Flash中确定当前电能表数据的索引号对应的存储位置，并将当前电能表数据存储至闪存存储器Flash中的存储位置。
其中，在可编程只读存储器EEPROM中的索引号为当前存储的相对地址，偏移地址为实际存储地址。
在一种可能的实现方式中，偏移地址在闪存存储器中的当前电能表数据正常时，与当前电能表数据的索引号指向的存储位置一致。
在本申请实施例中，当可编程只读存储器EEPROM中的索引号正常，对应的闪存存储器Flash中存储的当前电能表数据正常时，偏移地址与可编程只读存储器EEPROM中的索引号的存储位置一致。
示例性的，当前电能表数据在可编程只读存储器EEPROM中的索引号为0x40，偏移地址为0x40，在闪存存储器Flash中的存储区为0x20000~0x40000之间，则当前电能表数据的实际存储位置为0x2040，若上述内容均为正常使用时，索引号0x40与偏移地址0x40一致且相同。
在一种可能的实现方式中，将当前电能表数据存储至闪存存储器中索引号对应的存储位置，可以包括：
根据当前电能表数据的索引号，确定当前电能表数据在闪存存储器中对应的存储位置；
按照预设存储格式将当前电能表数据转换为当前的电能表存储数据，并将当前的电能表存储数据存储至存储位置，预设存储格式为索引号位、序号位、数据长度位、时间标记位、数据起始位、数据区、数据结束位、数据有效位、数据校验位和帧校验位，当前电能表数据存储在数据区。
在本申请实施例中，根据步骤101中获取的当前电能表数据以及对应的索引号，确定当前电能表数据在闪存存储器Flash中对应的存储位置，然后按照预设存储格式将当前电能表数据转换为当前的电能表存储数据，并将当前的电能表存储数据存储至闪存存储器Flash中对应的存储位置。
其中，预设存储格式具体可参见图3，存储至闪存存储器Flash中的当前的电能表存储数据包括如下内容：索引号位、序号位、数据长度位、时间标记位、数据起始位、数据区位、数据结束位、数据有效位、数据校验位和帧校验位。
具体的，索引号位用于更新存储至闪存存储器Flash中的当前电能表数据的索引号，与可编程只读存储器EEPROM中的索引号的存储地址一致；序号位用于表示存储至闪存存储器Flash中的当前的电能表存储数据的序号；数据长度位用于表示存储至闪存存储器Flash中的当前电能表数据的实际长度；时间标记位用于表示当前的电能表存储数据在闪存存储器Flash中的存储时间；数据起始位用于指示存储至闪存存储器Flash中的当前电能表数据的起始指定位置；数据区用于存储当前电能表数据；数据结束位用于指示存储至闪存存储器Flash中的当前电能表数据的结束指定位置；数据有效位用于确定存储至闪存存储器Flash中的当前电能表数据是否完整；数据校验位用于对存储至闪存存储器Flash中的当前电能表数据的CRC校验值进行判断，数据区若某位出现错位，可由数据校验位确定；帧校验位用于判断存储至闪存存储器Flash中的当前的电能表存储数据是否正确。
在本申请实施例中，存储至闪存存储器Flash中的当前电能表数据按照预设存储格式进行存储，实现了闪存存储器Flash中的存储结构的优化。
在一种可能的实现方式中，将当前电能表数据存储至闪存存储器中索引号对应的存储位置之后，该方法还可以包括：
若可编程只读存储器中的索引号正常，根据数据有效位判断数据区中的当前电能表数据是否完整；
若数据区中的当前电能表数据不完整，则将偏移地址向后偏移预设字节长度，得到更新后的偏移地址，重新按照更新后的偏移地址将当前电能表数据以预设存储格式存储至闪存存储器对应的存储位置，并更新当前电能表数据在可编程只读存储器中的偏移地址。
其中，存在数据区中的当前电能表数据不完整，可能存在的原因为：在当前电能表数据存储过程中出现掉电事件，或者，有比当前电能表数据优先级高的事件需要存储，导致当前电能表数据在存储过程中未存储完全，或者当前的电能表存储数据的偏移地址比原索引区的偏移地址大1，存在一条新数据导致存储失败，即判断当前电能表数据存储的偏移地址已被占用，本申请实施例对于出现当前电能表数据存储不完整的原因不进行限制。
将步骤101中获取的当前电能表数据按照预设存储格式以当前的电能表存储数据存储至闪存存储器Flash中，若当前可编程只读存储器EEPROM中的索引号正常，由当前的电能表存储数据中的数据有效位判断当前电能表数据是否完整，若当前电能表数据不完整，则将可编程只读存储器EEPROM中的偏移地址按照预设字节长度后移，得到更新后的偏移地址，再重新按照更新后的偏移地址将当前电能表数据以预设存储格式存储至闪存存储器Flash中对应的存储位置，并且更新在可编程只读存储器EEPROM中的偏移地址，可编程只读存储器EEPROM中的索引号不变。
本申请实施例中，若可编程只读存储器EEPROM中的索引号正常，闪存存储器Flash中的数据区中的当前电能表数据不完整，可以根据偏移地址重新选择当前电能表数据的存储位置，使得当前电能表数据存储准确。
示例性的，可编程只读存储器EEPROM中的索引号为0x40，偏移地址为0x40，闪存存储器Flash中的存储区为0x20000~0x40000，实际存储位置为0x2040，设置预设字节长度为10字节，若后续出现掉电事件，根据数据有效位判断数据区的当前电能表数据不完整，则将可编程只读存储器EEPROM中的偏移地址向后移10字节，偏移地址变为0x50，可编程只读存储器EEPROM中的索引号不变，仍为0x40，当前电能表数据以预设存储格式存储至闪存存储器Flash中的存储位置变为0x2050。
在一种可能的实现方式中，将当前电能表数据存储至闪存存储器中索引号对应的存储位置之后，该方法还可以包括：
若可编程只读存储器中的索引号正常，根据数据有效位判断数据区中的当前电能表数据是否完整；
若数据区中的当前电能表数据不完整，则采用闪存存储器中当前的电能表存储数据的前一条电能表存储数据中的电能表数据更新当前的电能表存储数据中的当前电能表数据；
按照偏移地址将更新后的电能表存储数据存储至闪存存储器中对应的存储位置。
将步骤101中获取的当前电能表数据按照预设存储格式以当前的电能表存储数据存储至闪存存储器Flash中，若可编程只读存储器EEPROM中的索引号正常，由当前的电能表存储数据中的数据有效位判断当前电能表数据是否完整，若当前电能表数据不完整，则将闪存存储器Flash中当前的电能表存储数据的前一条电能表存储数据中的电能表数据更新为当前的电能表存储数据中的当前电能表数据，然后按照可编程只读存储器EEPROM中的偏移地址，将更新后的电能表存储数据存储至闪存存储器Flash中对应的存储位置。
需要注意的是，该情况下，可编程只读存储器中的索引号和偏移地址均不发生变化，变化的是闪存存储器Flash中的数据区位的当前电能表数据，且将闪存存储器Flash中当前的电能表存储数据的前一条电能表存储数据中的电能表数据更新为当前的电能表存储数据中的当前电能表数据，并不影响当前电能表数据的准确，也对后一条电能表存储数据不存在影响。
本申请实施例中，若可编程只读存储器EEPROM中的索引号正常，闪存存储器Flash中的数据区中的当前电能表数据的不完整，可以根据闪存存储器Flash中的当前的电能表存储数据的前一条电能表存储数据中的电能表数据更新为当前的电能表存储数据中的当前电能表数据，并根据偏移地址重新存储更新后的当前电能表数据，可以解决当前电能表数据存储异常的问题，并且提高了当前的电能表存储数据的准确性。
在一种可能的实现方式中，将当前电能表数据存储至闪存存储器中索引号对应的存储位置之后，该方法还可以包括：
若可编程只读存储器中的索引号异常，当前的电能表存储数据正确，则根据索引号位，反推可编程只读存储器中的索引号，并更新可编程只读存储器中的索引号。
其中，可编程只读存储器EEPROM中的索引号出现异常，原因可能是在当前的电能表存储数据在存储至闪存存储器Flash后，并没有即使更新可编程只读存储器EEPROM中的索引号，也可能是可编程只读存储器EEPROM中的索引号与闪存存储器Flash中的当前的电能表存储数据不对等。
将步骤101中获取的当前电能表数据按照预设存储格式以当前的电能表存储数据存储至闪存存储器Flash中，若当前的电能表存储数据正确，可编程只读存储器EEPROM中的索引号存在异常，则根据当前的电能表存储数据中的索引号位的存储地址，反推可编程只读存储器中的索引号，并更新可编程只读存储器中的索引号。
在本申请实施例中，该情况下，由于当前的电能表存储数据正确，则可编程只读存储器EEPROM中的偏移地址是不变的。
本申请实施例中，若可编程只读存储器EEPROM中的索引号异常，闪存存储器Flash中的当前的电能表存储数据正确，可以根据当前的电能表存储数据中的索引号位的存储地址，反推可编程只读存储器EEPROM中的索引号，可以解决可编程只读存储器EEPROM中的索引号与闪存存储器Flash中的当前的电能表存储数据不对等的问题，提高电能表数据的存储准确性。
在一种可能的实现方式中，若根据数据有效位判断当前的电能表存储数据不完整，还可以通过时间标记位中指示的出现闪存存储器Flash写入失败的时间，方便判断出现写入故障的时间点。
在一种可能的实现方式中，将当前电能表数据存储至闪存存储器中索引号对应的存储位置之后，该方法还可以包括：
若可编程只读存储器中的索引号异常，且闪存存储器中对应的当前的电能表存储数据存在异常，则将偏移地址向后偏移预设字节长度，得到新的偏移地址，并将当前的电能表存储数据按照新的偏移地址存储至的闪存存储器；电能表存储数据的异常包括电能表存储数据不正确，和数据区中的当前电能表数据不完整；
根据当前的电能表存储数据中的索引号位，反推可编程只读存储器中的索引号，并更新可编程只读存储器中的索引号和偏移地址。
将步骤101中获取的当前电能表数据按照预设存储格式以当前的电能表存储数据存储至闪存存储器Flash中，若可编程只读存储器EEPROM中的索引号异常，且闪存存储器Flash中的当前的电能表存储数据存在异常，则将偏移地址按照预设字节长度后移，得到新的偏移地址，根据新的偏移地址，将当前的电能表存储数据存储至闪存存储器Flash对应的存储位置，然后根据更新后的当前的电能表存储数据中的索引号位，反推可编程只读存储器中的索引号，并更新可编程只读存储器EEPROM中的索引号和偏移地址。
其中，电能表存储数据存在的异常，可以为存储至闪存存储器Flash中的当前的电能表存储数据不正确，比如，闪存存储器Flash中的部分存储位置无法存储，还可以为当前的电能表存储数据中的数据区中的当前电能表数据不完整，比如，存储当前电能表数据过程中，由于掉电事件发生或者有优先级更高的事件需要存储时，导致数据区中的当前电能表数据存储不完整或者存储失败。
在一种可能的实现方式中，本申请实施例还可通过将存储的电能表数据进行多重处理后存储，并将存储后的电能表数据按照一定方式求和求乘存储，根据不同纠错方式存储的电能表数据，可能会占用更多的存储空间用于防止闪存存储器Flash中某一位或者某几位出现错误存储，根据校验错误的情况，根据当前的电能表存储数据中的索引号位进行反推实际真实存储的数据。
其中，通过存储协议比较，可以得出根据不同纠错方式存储电能表数据占用的空间会高于原始空间使用，且每条协议预计会多出固定字节数据，因此，在闪存存储器Flash的存储区多一定的空余空间，原因是闪存存储器Flash比可编程只读存储器EEPROM的空间成本更低。
针对表计的运行，为保证数据的可靠稳定，闪存存储器Flash存储的电能表数据额外占用了＜50bit/条，但提高了整体的稳定性，认为本申请是合理的，一般闪存存储器Flash存储的电能表数据均＞200bit/条，仅占用不到额外1/4的数据。
若假设存储每条数据存在0.0001的几率出错，即存储10000条出错1次，则对应成本增加远小于人工干预成本增加，则认为该部分成本符合表计类可靠性的需求。
针对闪存存储器Flash，容量一般为1Mbyte，2Mbyte，4Mbyte，8Mbyte，16 Mbyte，不会出现中间容量，而表计数据为不可确定容量，一般会选择相对较大一级的存储，例如，若存储数据为3 Mbyte，则会选择4Mbyte的闪存存储器Flash，若存储数据为3.9Mbyte，则会选择8Mbyte的闪存存储器Flash。
根据上述选取要求，闪存存储器Flash可能会出现多余空间，采用该方式存储后，会提高空间利用率，例如，存储10000条数据，占用3 Mbyte（3072Kbyte）空间容量，每条额外增加50bit，则(3072/10000+50/1024)*10000=3559.28125Kbyte
Figure SMS_1
3.476Mbyte，可见，并未增加过多的存储占用。
根据本申请实施例中的合理的占用空间的选择方式，可以提高数据有效性，且闪存存储器Flash随着空间加大，每部分占用的成本便会降低，也降低了存储成本。
本申请实施例中，若可编程只读存储器EEPROM中的索引号异常，闪存存储器Flash中的当前的电能表存储数据异常，可以将偏移地址按照预设字节长度后移得到新的偏移地址，使得当前的电能表存储数据正确存储，并根据更新后的当前的电能表存储数据中的索引号位，反推可编程只读存储器EEPROM中的索引号，不仅对存储失败后的电能表数据可以尝试进行数据恢复，还提高了当前电能表数据的存储准确率。
在步骤103中，若索引号正常，当前电能表数据的存储位置存在异常，则将偏移地址向后偏移预设字节长度，得到新的偏移地址，并将当前电能表数据存储至新的偏移地址。
在本申请实施例中，若可编程只读存储器EEPROM中的索引号正常，闪存存储器Flash中的当前电能表数据的存储位置存在异常，则按照预设字节长度，将可编程只读存储器EEPROM中的偏移地址向后移预设字节长度，得到新的偏移地址，并将当前电能表数据存储至新的偏移地址对应的闪存存储器Flash中的存储位置。其中，当前电能表数据的存储位置存在异常，可能是当前存储地址无法写入，可能是因上次存储数据失败。
若闪存存储器Flash中的存储区部分无法存储，即存储错误，需要进行修正，在原方式基础上，为保证存储的连续性，可编程只读存储器EEPROM中的索引号不能随意修改，位置比较固定，而偏移地址可进行修改。原方式会进行数据报错，并无其他解决方式，且若数据错误区为系统参数区域，会影响表计的正常工作，如校表参数区，该部分数据错误将影响表计计量精度。
示例性的，按照原方式，可编程只读存储器EEPROM中的索引号为0x40，闪存存储器Flash中的存储区为0x20000~0x40000，则当前电能表数据的实际存储位置为0x2040，故定掉电字节长度为10字节，若后续存在失压事件或者掉电事件，可编程只读存储器EEPROM中的索引号变为0x50（上述索引号+定义的字节长度），当前电能表数据存储的实际位置变为0x2050；而在本申请实施例中，在可编程只读存储器EEPROM中添加一个偏移地址0x40，预设字节长度为10字节，若后续出现掉电事件后，将偏移地址向后移10字节，变为0x50，按照偏移地址0x50，将当前电能表数据重新存储至闪存存储器Flash中的存储位置，即存储的实际位置为0x2050，当前的索引号的存储地址不变。
在一种可能的实现方式中，本申请还可以在删除或者覆盖当前电能表数据时，可以通过更新可编程只读存储器EEPROM中的偏移地址按照预设字节长度重新指定闪存存储器Flash中的存储位置，实现对当前电能表数据的准确存储。
本申请实施例中，若可编程只读存储器EEPROM中的索引号正常，闪存存储器Flash中的当前电能表数据的存储位置异常，可以根据偏移地址重新选择当前电能表数据的存储位置，使得当前电能表数据存储准确。
在一种可能的实现方式中，若可编程只读存储器EEPROM中的索引号与偏移地址不一致，认为当前电能表数据的存储位置存在错误或者当前电能表数据存储不对，读取时采用偏移地址位置，而程序索引依然可参考可编程只读存储器EEPROM中的索引号，读出正确位置，且无需修改原有程序，并在错误的数据区的有效位或校验位置错误标记，标明该存储位置存在错误，且不要再次调用或存储重要数据。此时错误可按照原有程序进行记录上报，但不再影响表计的正常工作，数据也可正常记录。
示例性的，可编程只读存储器EEPROM中的索引号为0x40，偏移地址为0x200，闪存存储器Flash中的存储区为0x20000~0x40000，则当前电能表数据的实际存储位置为0x2200，若后续出现掉电事件，可编程只读存储器EEPROM中的索引号不变，偏移地址更新为0x50，存储的实际位置更新为0x2050，且存储地址0x2040~0x2050不可使用。
本申请提供一种电能表数据存储方法，通过在可编程只读存储器中添加当前电能表数据对应的偏移地址，然后根据可编程只读存储器中的索引号与闪存存储器中存储的当前电能表数据，判断该索引号与当前电能表数据是否正常，若索引号正常，当前电能表数据的存储位置异常，即当前电能表数据存在异常，则更新偏移地址，重新存储当前电能表数据，实现了对存储失败或者错误的电能表数据的恢复和重新存储，提高了电能表数据的存储有效率和准确率。
下面通过一个实施示例对上述的电能表数据存储方法进行说明。
例如原始的电能表数据为：
07 E6 0A 10 07 17 0A 09 00 80 00 FF 01 00 3D 45 07 E6 0A 10 07 17 101A 00 80 00 FF 02 00 5F 53 07 E6 0A 10 07 17 11 1E 00 80 00 FF 01 00 19 80 07E6 0A 11 01 11 29 33 00 80 00 FF 02 00 CE F8 07 E6 0A 11 01 11 2F 25 00 80 00FF 01 00 08 BB 07 E6 0A 12 02 06 29 1A 00 80 00 FF 02 00 94 96 07 E6 0A 12 0206 2F 07 00 80 00 FF 01 00 7D 9E 07 E6 0A 12 02 09 2A 2D 00 80 00 FF 02 00 7C86 07 E6 0A 12 02 09 2D 18 00 80 00 FF 01 00 1D 34 07 E6 0A 12 02 0E 38 07 0080 00 FF 02 00 7D 18 07 E6 0A 12 02 10 25 0E 00 80 00 FF 01 00 BB 2D 07 E6 0A12 02 10 25 2C 00 80 00 FF 02 00 FD 76 07 E6 0A 12 02 10 26 30 00 80 00 FF 0100 CB 8E 07 E6 0A 17 07 12 13 32 00 80 00 FF 02 00 00 38 07 E6 0A 18 01 14 1426 00 80 00 FF 01 00 F2 FE 07 E6 0A 19 02 12 28 0C 00 80 00 FF 02 00 7C 52 07E6 0A 19 02 12 29 1D 00 80 00 FF 01 00 E6 CF 07 E6 0A 10 07 0F 29 2C 00 80 00FF 02 00 23 CE 07 E6 0A 10 07 0F 2B 1A 00 80 00 FF 01 00 7E EC 07 E6 0A 10 0716 0C 31 00 80 00 FF 02 00 A6 B1
根据本申请实施例中，将原始的电能表数据按照预设存储格式转换为电能表存储数据，即：
54 20 02 11 F7 03 10 28 07 E6 0A 10 07 17 0A 09 00 80 00 FF 01 00 3D45 07 E6 0A 10 07 17 10 1A 00 80 00 FF 02 00 5F 53 07 E6 0A 10 07 17 11 1E 0080 00 FF 01 00 19 80 07 E6 0A 11 01 11 29 33 00 80 00 FF 02 00 CE F8 07 E6 0A11 01 11 2F 25 00 80 00 FF 01 00 08 BB 07 E6 0A 12 02 06 29 1A 00 80 00 FF 0200 94 96 07 E6 0A 12 02 06 2F 07 00 80 00 FF 01 00 7D 9E 07 E6 0A 12 02 09 2A2D 00 80 00 FF 02 00 7C 86 07 E6 0A 12 02 09 2D 18 00 80 00 FF 01 00 1D 34 07E6 0A 12 02 0E 38 07 00 80 00 FF 02 00 7D 18 07 E6 0A 12 02 10 25 0E 00 80 00FF 01 00 BB 2D 07 E6 0A 12 02 10 25 2C 00 80 00 FF 02 00 FD 76 07 E6 0A 12 0210 26 30 00 80 00 FF 01 00 CB 8E 07 E6 0A 17 07 12 13 32 00 80 00 FF 02 00 0038 07 E6 0A 18 01 14 14 26 00 80 00 FF 01 00 F2 FE 07 E6 0A 19 02 12 28 0C 0080 00 FF 02 00 7C 52 07 E6 0A 19 02 12 29 1D 00 80 00 FF 01 00 E6 CF 07 E6 0A10 07 0F 29 2C 00 80 00 FF 02 00 23 CE 07 E6 0A 10 07 0F 2B 1A 00 80 00 FF 0100 7E EC 07 E6 0A 10 07 16 0C 31 00 80 00 FF 02 00 A6 B1 29 F6 87 29 57 01 4055 7D E6 2E 8C
根据上述电能表存储数据可知，索引号位的存储地址为：0x5420，序号位的存储地址为：0x0211，时间标记位为：F7 03 10，数据起始位的存储地址为：0x28，实际的电能表数据为：07 E6 0A 10 07 17 0A 09 00 80 00 FF 01 00 3D 45 07 E6 0A 10 07 17 10 1A00 80 00 FF 02 00 5F 53 07 E6 0A 10 07 17 11 1E 00 80 00 FF 01 00 19 80 07 E60A 11 01 11 29 33 00 80 00 FF 02 00 CE F8 07 E6 0A 11 01 11 2F 25 00 80 00 FF01 00 08 BB 07 E6 0A 12 02 06 29 1A 00 80 00 FF 02 00 94 96 07 E6 0A 12 02 062F 07 00 80 00 FF 01 00 7D 9E 07 E6 0A 12 02 09 2A 2D 00 80 00 FF 02 00 7C 8607 E6 0A 12 02 09 2D 18 00 80 00 FF 01 00 1D 34 07 E6 0A 12 02 0E 38 07 00 8000 FF 02 00 7D 18 07 E6 0A 12 02 10 25 0E 00 80 00 FF 01 00 BB 2D 07 E6 0A 1202 10 25 2C 00 80 00 FF 02 00 FD 76 07 E6 0A 12 02 10 26 30 00 80 00 FF 01 00CB 8E 07 E6 0A 17 07 12 13 32 00 80 00 FF 02 00 00 38 07 E6 0A 18 01 14 14 2600 80 00 FF 01 00 F2 FE 07 E6 0A 19 02 12 28 0C 00 80 00 FF 02 00 7C 52 07 E60A 19 02 12 29 1D 00 80 00 FF 01 00 E6 CF 07 E6 0A 10 07 0F 29 2C 00 80 00 FF02 00 23 CE 07 E6 0A 10 07 0F 2B 1A 00 80 00 FF 01 00 7E EC 07 E6 0A 10 07 160C 31 00 80 00 FF 02 00 A6 B1，数据结束位的存储地址为：0x29，数据CRC校验位的存储地址为：0xF6872957，数据长度的存储地址为：0x0140，数据有效位的存储地址为：0x55，帧校验位的存储地址为：0x7DE62E8C。若出现可编程只读存储器EEPROM中的索引号异常，当前的电能表存储数据正常，则可以根据索引号位的存储地址0x5420，反推可编程只读存储器EEPROM中的索引号为0x5420，实现可编程只读存储器EEPROM中的索引号和当前的电能表存储数据准确对应。
应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。
以下为本申请的装置实施例，对于其中未详尽描述的细节，可以参考上述对应的方法实施例。
图4示出了本申请实施例提供的电能表数据存储装置的结构示意图，为了便于说明，仅示出了与本申请实施例相关的部分，详述如下：
如图4所示，电能表数据存储装置4包括：
获取模块41，用于获取当前电能表数据及对应的索引号；
存储模块42，用于在可编程只读存储器中添加当前电能表数据对应的偏移地址，基于偏移地址在闪存存储器中确定当前电能表数据的索引号对应的存储位置，并将当前电能表数据存储至闪存存储器中索引号对应的存储位置；
更新模块43，用于若索引号正常，当前电能表数据的存储位置存在异常，则将偏移地址向后偏移预设字节长度，得到新的偏移地址，并将当前电能表数据存储至新的偏移地址。
本申请提供一种电能表数据存储装置，通过在可编程只读存储器中添加当前电能表数据对应的偏移地址，然后根据可编程只读存储器中的索引号与闪存存储器中存储的当前电能表数据，判断该索引号与当前电能表数据是否正常，若索引号正常，当前电能表数据的存储位置异常，即当前电能表数据存在异常，则更新偏移地址，重新存储当前电能表数据，实现了对存储失败或者错误的电能表数据的恢复和重新存储，提高了电能表数据的存储有效率和准确率。
在一种可能的实现方式中，偏移地址在闪存存储器中的当前电能表数据正常时，与当前电能表数据的索引号指向的存储位置一致。
在一种可能的实现方式中，存储模块可以用于：
根据当前电能表数据的索引号，确定当前电能表数据在闪存存储器中对应的存储位置；
按照预设存储格式将当前电能表数据转换为当前的电能表存储数据，并将当前的电能表存储数据存储至存储位置，预设存储格式为索引号位、序号位、数据长度位、时间标记位、数据起始位、数据区、数据结束位、数据有效位、数据校验位和帧校验位，当前电能表数据存储在数据区。
在一种可能的实现方式中，存储模块之后，该装置还可以包括：
第一判断模块，用于若可编程只读存储器中的索引号正常，根据数据有效位判断数据区中的当前电能表数据是否完整；
第一更新模块，用于若数据区中的当前电能表数据不完整，则将偏移地址向后偏移预设字节长度，得到更新后的偏移地址，重新按照更新后的偏移地址将当前电能表数据以预设存储格式存储至闪存存储器对应的存储位置，并更新当前电能表数据在可编程只读存储器中的偏移地址。
在一种可能的实现方式中，存储模块之后，该装置还可以包括：
第二判断模块，用于若可编程只读存储器中的索引号正常，根据数据有效位判断数据区中的当前电能表数据是否完整；
替换模块，用于若数据区中的当前电能表数据不完整，则采用闪存存储器中当前的电能表存储数据的前一条电能表存储数据中的电能表数据更新当前的电能表存储数据中的当前电能表数据；
第二更新模块，用于按照偏移地址将更新后的电能表存储数据存储至闪存存储器中对应的存储位置。
在一种可能的实现方式中，存储模块之后，该装置还可以包括：
反推模块，用于若可编程只读存储器中的索引号异常，当前的电能表存储数据正确，则根据索引号位，反推可编程只读存储器中的索引号，并更新可编程只读存储器中的索引号。
在一种可能的实现方式中，存储模块之后，该装置还可以包括：
第三判断模块，用于若可编程只读存储器中的索引号异常，且闪存存储器中对应的当前的电能表存储数据存在异常，则将偏移地址向后偏移预设字节长度，得到新的偏移地址，并将当前的电能表存储数据按照新的偏移地址存储至的闪存存储器；电能表存储数据的异常包括电能表存储数据不正确，和数据区中的当前电能表数据不完整；
第三更新模块，用于根据当前的电能表存储数据中的索引号位，反推可编程只读存储器中的索引号，并更新可编程只读存储器中的索引号和偏移地址。
图5是本申请实施例提供的终端的示意图。如图5所示，该实施例的终端5包括：处理器50、存储器51以及存储在所述存储器51中并可在所述处理器50上运行的计算机程序52。所述处理器50执行所述计算机程序52时实现上述各个电能表数据存储方法实施例中的步骤，例如图1所示的步骤101至步骤103。或者，所述处理器50执行所述计算机程序52时实现上述各装置实施例中各模块的功能，例如图4所示模块41至43的功能。
示例性的，所述计算机程序52可以被分割成一个或多个模块，所述一个或者多个模块被存储在所述存储器51中，并由所述处理器50执行，以完成本申请。所述一个或多个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，该指令段用于描述所述计算机程序52在所述终端5中的执行过程。例如，所述计算机程序52可以被分割成图4所示的模块41至43。
所述终端5可以是桌上型计算机、笔记本、掌上电脑及云端服务器等计算设备。所述终端5可包括，但不仅限于，处理器50、存储器51。本领域技术人员可以理解，图5仅仅是终端5的示例，并不构成对终端5的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件，例如所述终端还可以包括输入输出设备、网络接入设备、总线等。
所称处理器50可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
所述存储器51可以是所述终端5的内部存储单元，例如终端5的硬盘或内存。所述存储器51也可以是所述终端5的外部存储设备，例如所述终端5上配备的插接式硬盘，智能存储卡（Smart Media Card，SMC），安全数字（Secure Digital，SD）卡，闪存卡（Flash Card）等。进一步地，所述存储器51还可以既包括所述终端5的内部存储单元也包括外部存储设备。所述存储器51用于存储所述计算机程序以及所述终端所需的其他程序和数据。所述存储器51还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中，上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。另外，各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本申请的保护范围。上述系统中单元、模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/终端和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/终端实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
所述集成的模块/单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请实现上述实施例方法中的全部或部分流程，也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个电能表数据存储方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括：能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器（Read-Only Memory，ROM）、随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是，所述计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减，例如在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不包括是电载波信号和电信信号。
以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种电能表数据存储方法，其特征在于，包括：
获取当前电能表数据及对应的索引号；
在可编程只读存储器中添加所述当前电能表数据对应的偏移地址，基于所述偏移地址在闪存存储器中确定所述当前电能表数据的索引号对应的存储位置，并将所述当前电能表数据以预设存储格式存储至所述闪存存储器中对应的存储位置，所述预设存储格式为索引号位、序号位、数据长度位、时间标记位、数据起始位、数据区、数据结束位、数据有效位、数据校验位和帧校验位，所述索引号位用于更新存储至所述闪存存储器中的当前电能表数据的索引号，所述数据有效位用于确定存储至所述闪存存储器中的当前电能表数据是否完整；
若所述索引号正常，所述当前电能表数据的存储位置存在异常，则将所述偏移地址向后偏移预设字节长度，得到更新后的偏移地址，重新按照更新后的偏移地址将所述当前电能表数据以所述预设存储格式存储至所述闪存存储器对应的存储位置，并更新所述当前电能表数据在所述可编程只读存储器中的偏移地址；
若所述可编程只读存储器中的索引号异常，当前的电能表存储数据正确，则根据所述索引号位，反推所述可编程只读存储器中的索引号，并更新所述可编程只读存储器中的索引号。
2.根据权利要求1所述的电能表数据存储方法，其特征在于，所述偏移地址在所述闪存存储器中的当前电能表数据正常时，与所述当前电能表数据的索引号指向的存储位置一致。
3.根据权利要求1所述的电能表数据存储方法，其特征在于，所述将所述当前电能表数据以预设存储格式存储至所述闪存存储器中对应的存储位置之后，所述方法还包括：
若所述可编程只读存储器中的索引号正常，根据所述数据有效位判断所述数据区中的当前电能表数据是否完整；
若所述数据区中的当前电能表数据不完整，则将所述偏移地址向后偏移预设字节长度，得到更新后的偏移地址，重新按照更新后的偏移地址将所述当前电能表数据以预设存储格式存储至所述闪存存储器对应的存储位置，并更新所述当前电能表数据在所述可编程只读存储器中的偏移地址。
4.根据权利要求1所述的电能表数据存储方法，其特征在于，所述将所述当前电能表数据以预设存储格式存储至所述闪存存储器中对应的存储位置之后，所述方法还包括：
若所述可编程只读存储器中的索引号正常，根据所述数据有效位判断所述数据区中的当前电能表数据是否完整；
若所述数据区中的当前电能表数据不完整，则采用所述闪存存储器中当前的电能表存储数据的前一条电能表存储数据中的电能表数据更新当前的电能表存储数据中的当前电能表数据；
按照所述偏移地址将更新后的电能表存储数据存储至所述闪存存储器中对应的存储位置。
5.根据权利要求1所述的电能表数据存储方法，其特征在于，所述将所述当前电能表数据以预设存储格式存储至所述闪存存储器中对应的存储位置之后，所述方法还包括：
若所述可编程只读存储器中的索引号异常，且所述闪存存储器中对应的当前的电能表存储数据存在异常，则将所述偏移地址向后偏移预设字节长度，得到新的偏移地址，并将当前的电能表存储数据按照所述新的偏移地址存储至的所述闪存存储器；所述电能表存储数据的异常包括电能表存储数据不正确，和所述数据区中的当前电能表数据不完整；
根据当前的电能表存储数据中的索引号位，反推所述可编程只读存储器中的索引号，并更新所述可编程只读存储器中的索引号和偏移地址。
6.一种电能表数据存储装置，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取当前电能表数据及对应的索引号；
存储模块，用于在可编程只读存储器中添加所述当前电能表数据对应的偏移地址，基于所述偏移地址在闪存存储器中确定所述当前电能表数据的索引号对应的存储位置，并将所述当前电能表数据以预设存储格式存储至所述闪存存储器中对应的存储位置，所述预设存储格式为索引号位、序号位、数据长度位、时间标记位、数据起始位、数据区、数据结束位、数据有效位、数据校验位和帧校验位，所述索引号位用于更新存储至所述闪存存储器中的当前电能表数据的索引号，所述数据有效位用于确定存储至所述闪存存储器中的当前电能表数据是否完整；
更新模块，用于若所述索引号正常，所述当前电能表数据的存储位置存在异常，则将所述偏移地址向后偏移预设字节长度，得到更新后的偏移地址，重新按照更新后的偏移地址将所述当前电能表数据以所述预设存储格式存储至所述闪存存储器对应的存储位置，并更新所述当前电能表数据在所述可编程只读存储器中的偏移地址；
反推模块，用于若可编程只读存储器中的索引号异常，当前的电能表存储数据正确，则根据索引号位，反推可编程只读存储器中的索引号，并更新可编程只读存储器中的索引号。
7.一种终端，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上的权利要求1至5中任一项所述电能表数据存储方法的步骤。
8.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如上的权利要求1至5中任一项所述电能表数据存储方法的步骤。
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