CN116107379B

CN116107379B - 带隙基准电压源电路、集成电路及电子设备

Info

Publication number: CN116107379B
Application number: CN202310369023.9A
Authority: CN
Inventors: 陈杰
Original assignee: Chengdu Yichong Wireless Power Technology Co ltd
Current assignee: Chengdu Yichong Wireless Power Technology Co ltd
Priority date: 2023-04-10
Filing date: 2023-04-10
Publication date: 2023-06-23
Anticipated expiration: 2043-04-10
Also published as: CN116107379A

Abstract

本申请提供一种带隙基准电压源电路、集成电路及电子设备，涉及电路技术领域。该电路包括：第一组导通器件、第二组导通器件、第一反馈网络、第二反馈网络和运算放大器；第一组导通器件包括：多个第一导通器件，多个第一导通器件第一端连接第一反馈网络第一端，第一反馈网络第二端连接运算放大器负输入端，第一反馈网络第三端连接运算放大器输出端；第二组导通器件包括：多个第二导通器件，多个第二导通器件第一端连接第二反馈网络第一端，第二反馈网络第一端连接运算放大器正输入端，第二反馈网络第二端连接运算放大器输出端；多个第一导通器件和多个第二导通器件数量相等。本申请可以提高带隙基准电压源电路的温度特性。

Description

带隙基准电压源电路、集成电路及电子设备

技术领域

本发明涉及电路技术领域，具体而言，涉及一种带隙基准电压源电路、集成电路及电子设备。

背景技术

带隙基准电压源电路是模拟集成电路中不可或缺的基本电路模块。其广泛用于LED 驱动电路、开关电源变换器、数模转换器、模数转换器和线性稳压器中。

带隙基准电压源电路可以提供随电源电压和温度变化很小的基准电压，但是由于电路中存在漏电流，在低温时该漏电流非常小，可以忽略不计，但是在高温时，该漏电流非常大，导致带隙基准电压源电路输出的基准电压在高温时的温度特性十分差，随温度有较大的变化。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种带隙基准电压源电路、集成电路及电子设备，以便提高带隙基准电压源电路的温度特性，使基准电压随温度的变化较小。

为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供了一种带隙基准电压源电路，所述电路包括：第一组导通器件、第二组导通器件、第一反馈网络、第二反馈网络和运算放大器；

其中，所述第一组导通器件包括：多个第一导通器件，所述多个第一导通器件的第一端连接所述第一反馈网络的第一端，所述第一反馈网络的第二端连接所述运算放大器的负输入端，所述第一反馈网络的第三端连接所述运算放大器的输出端，所述多个第一导通器件的第二端接地；

所述第二组导通器件包括：多个第二导通器件，所述多个第二导通器件的第一端连接所述第二反馈网络的第一端，所述第二反馈网络的第一端还连接所述运算放大器的正输入端，所述第二反馈网络的第二端连接所述运算放大器的输出端，所述多个第二导通器件的第二端接地；

其中，所述多个第一导通器件和所述多个第二导通器件的数量相等。

在一种可能的实现方式中，所述多个第一导通器件为n个第一三极管，所述多个第二导通器件为一个第二三极管和n-1个第三三极管；

其中，所述n个第一三极管的集电极作为所述多个第一导通器件的第一端，所述n个第一三极管的发射极作为所述多个第一导通器件的第二端，所述n个第一三极管的基极分别连接所述n个第一三极管的集电极；

所述第二三极管的集电极和所述n-1个第三三极管的集电极作为所述多个第二导通器件的第一端，所述第二三极管的发射极和所述n-1个第三三极管的发射极作为所述多个第二导通器件的第二端，所述第二三极管的基极连接所述第二三极管的集电极，所述n-1个第三三极管的基极分别连接所述n-1个第三三极管的发射极。

在一种可能的实现方式中，所述第二组导通器件中还包括第四电阻，所述第四电阻连接在所述第二三极管的基极和所述第二三极管的发射极之间。

在一种可能的实现方式中，所述多个第一导通器件为n个第一三极管和一个第四三极管，所述多个第二导通器件为一个第二三极管和n个第三三极管；

其中，所述n个第一三极管的集电极和所述第四三极管的集电极作为所述多个第一导通器件的第一端，所述n个第一三极管的发射极和所述第四三极管的发射极作为所述多个第一导通器件的第二端，所述n个第一三极管的基极分别连接所述n个第一三极管的集电极，所述第四三极管的基极连接所述第四三极管的发射极；

所述第二三极管的集电极和所述n个第三三极管的集电极作为所述多个第二导通器件的第一端，所述第二三极管的发射极和所述n个第三三极管的发射极作为所述多个第二导通器件的第二端，所述第二三极管的基极连接所述第二三极管的集电极，所述n个第三三极管的基极分别连接所述n个第三三极管的发射极。

在一种可能的实现方式中，所述第二组导通器件中还包括第五电阻，所述第五电阻连接在所述第二三极管的基极和所述第二三极管的发射极之间。

在一种可能的实现方式中，所述多个第一导通器件为n个第一二极管，所述多个第二导通器件为n个第二二极管；

其中，所述n个第一二极管的阳极分别作为所述多个第一导通器件的第一端，所述n个第一二极管的阴极分别作为所述多个第一导通器件的第二端；

所述n个第二二极管的阳极分别作为所述多个第二导通器件的第一端，所述n个第二二极管的阴极分别作为所述多个第二导通器件的第二端。

在一种可能的实现方式中，所述第一反馈网络包括：第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的一端作为所述第一反馈网络的第一端，第一电阻的另一端连接所述第二电阻的一端作为所述第一反馈网络的第二端，第二电阻的另一端作为所述第一反馈网络的第三端。

在一种可能的实现方式中，所述第二反馈网络包括：第三电阻，所述第三电阻的一端作为所述第二反馈网络的第一端，所述第三电阻的另一端作为所述第二反馈网络的第二端。

第二方面，本申请实施例还提供一种集成电路，包括：功能电路和如第一方面任一项所述的带隙基准电压源电路，所述带隙基准电压源电路与所述功能电路连接。

第三方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括：电路板和如第二方面所述的集成电路，所述集成电路置于所述电路板上。

本申请的有益效果是：

本申请提供一种带隙基准电压源电路、集成电路及电子设备，通过设置第一组导通器件和第二组导通器件的数量，使第一组导通器件和第二组导通器件的数量之比为1：1，从而使第一组导通器件和第二组导通器件的漏电流相等，在此情况下，第一组导通器件和第二组导通器件的输入电流近似或者相等，在此情况下，消除因为漏电流对基准电压在高温情况下的影响，使得带隙基准电压源电路输出稳定的基准电压。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为现有的带隙基准电压源电路的电路示意图；

图2为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的电路原理图一；

图4为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的电路原理图二；

图5为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的电路原理图三；

图6为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的电路原理图四；

图7为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的电路原理图五；

图8为本申请实施例提供的效果对比图；

图9为本申请实施例提供的集成电路的结构示意图；

图10为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

此外，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的特征可以相互结合。

请参考图1，为现有的带隙基准电压源电路的电路示意图，如图1所示，Q1和Q2的个数比为n：1，电阻R2与电阻R3的阻值相等，Q1的be端电压为Vbe1，Q2的be端电压为Vbe2，由于负反馈的作用，运算放大器的输入端电压vp=vn，该带隙基准电压源电路的输出电压可以表示为：

Vbg=Vbe2+(Vbe2-Vbe1)*R3/R1=Vbe1+Vt*ln(n)*(R3/R1)公式(1)

由于Vbe2是负温度系数，Vt是正温度系数，通过调整R3/R1的比值，可以使得Vbg的电压随温度的变化很小，得到与温度无关的基准电压。

但是，传统的基准源电路存在一个不足，即导通器件Q1和Q2存在漏电流，低温时的漏电流比较小，可以忽略不计，但是在高温时，该漏电流非常大，导致带隙基准电压源电路输出的基准电压在高温时的温度特性十分差，随温度有较大的变化。

导通器件Q1的漏电流为I_leakge1，导通器件Q2的漏电流为I_leakge2，Q1的集电极电流为Ic1，Q2的集电极电流为Ic2，则带隙基准电压源电路的输出电压可以表示为：

公式(2)

其中，I_leakge1+Ic1=I_leakge2+Ic2，由于Q1和Q2大小不同，Ic1和Ic2不相等，使得公式(2)比公式(1)多了一个正温度系数项

，导致输出电压Vbg的温度系数在高温时变差。

基于上述现有技术存在的技术问题，本申请实施例拟提供一种带隙基准电压源电路，克服因为漏电流带来的输出电压Vbg的温度系数在高温时变差的问题。

请参考图2，为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的结构示意图，如图2所示，该带隙基准电压源电路包括：第一组导通器件10、第二组导通器件20、第一反馈网络30、第二反馈网络40和运算放大器50。

其中，第一组导通器件10包括：多个第一导通器件11，多个第一导通器件11的第一端连接第一反馈网络30的第一端，第一反馈网络30的第二端连接运算放大器50的负输入端，第一反馈网络30的第三端连接运算放大器50的输出端，多个第一导通器件10的第二端接地GND。

第二组导通器件20包括：多个第二导通器件21，多个第二导通器件21的第一端连接第二反馈网络40的第一端，第二反馈网络40的第一端还连接运算放大器50的正输入端，第二反馈网络40的第二端连接运算放大器50的输出端，多个第二导通器件21的第二端接地；其中，多个第一导通器件11和多个第二导通器件21的数量相等。

本实施例中，由于第一组导通器件10中多个第一导通器件11的数量和第二组导通器件20中多个第二导通器件12的数量相等，v1点和v2点的电压接近，多个第一导通器件11的漏电流之和与多个第二导通器件12的漏电流之和接近，根据I_leakge1+Ic1=I_leakge2+Ic2可知，Ic1与Ic2接近，因此，Ic2/Ic1≈1，则ln(Ic2/Ic1)≈0，则上述公式(2)近似等于公式(1)，在此情况下，即使在高温下存在漏电流，漏电流对基准电压的影响也比较小，基准电压受高温的影响较小。

在一种可能的实现方式中，请参考图3，为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的电路原理图一，如图3所示，多个第一导通器件11为n个第一三极管Q1，多个第二导通器件21为一个第二三极管Q2和n-1个第三三极管Q3。

其中，n个第一三极管Q1的集电极作为多个第一导通器件11的第一端，n个第一三极管Q1的发射极作为多个第一导通器件11的第二端，n个第一三极管Q1的基极分别连接n个第一三极管Q1的集电极。

第二三极管Q2的集电极和n-1个第三三极管Q3的集电极作为多个第二导通器件21的第一端，第二三极管Q2的发射极和n-1个第三三极管Q3的发射极作为多个第二导通器件21的第二端，第二三极管Q2的基极连接第二三极管Q2的集电极，n-1个第三三极管Q3的基极分别连接n-1个第三三极管Q3的发射极。

第一反馈网络30包括：第一电阻R1和第二电阻R2，第一电阻R1的一端作为第一反馈网络30的第一端，第一电阻R1的另一端连接第二电阻R2的一端作为第一反馈网络30的第二端，第二电阻R2的另一端作为第一反馈网络30的第三端。

第二反馈网络40包括：第三电阻R3，第三电阻R3的一端作为第二反馈网络40的第一端，第三电阻R3的另一端作为第二反馈网络40的第二端。

本实施例中，n个第一三极管Q1的基极和集电极与第一电阻R1的一端连接，第一电阻R1的另一端通过第二电阻R2连接运算放大器OP1的输出端，第一电阻R1和第二电阻R2的连接点连接运算放大器OP1的负输入端，n个第一三极管Q1的发射极接地GND。

第二三极管Q2的基极、第二三极管Q2的集电极以及n-1个第三三极管Q3的集电极连接第三电阻R3的一端，第三电阻R3的一端还连接运算放大器OP1的正输入端，第三电阻R3的另一端连接运算放大器OP1的输出端，第二三极管Q2的发射极、n-1个第三三极管Q3的基极和n-1个第三三极管Q3的发射极接地GND。

其中，第一三极管Q1和第二三极管Q2的数量之比为n：1，一个第二三极管Q2和n-1个第三三极管Q3的数量之和为n，则第一组导通器件10与第二组导通器件的数量之比为1：1，v1点和v2点的电压接近，n个第一三极管Q1的漏电流之和与一个第二三极管Q2和n-1个第三三极管Q3的漏电流之和接近，根据I_leakge1+Ic1=I_leakge2+Ic2可知，Ic1与Ic2接近，因此，Ic2/Ic1≈1，则ln(Ic2/Ic1)≈0，则上述公式(2)近似等于公式(1)，在此情况下，即使在高温下存在漏电流，漏电流对基准电压的影响也比较小，基准电压受高温的影响较小。

在另一种可能的实现方式中，请参考图4，为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的电路原理图二，如图4所示，第二组导通器件20中还包括第四电阻R4，第四电阻R4连接在第二三极管Q2的基极和第二三极管Q2的发射极之间。

本实施例中，第四电阻R4的阻值与第一电阻R1的阻值相等，由于R4=R1，使得第一晶体管Q1的集电极电压与第二晶体管Q2的集电极电压相等，第一晶体管Q1的漏电流I_leakge1=n*I_leakge2，第三晶体管Q3的漏电流I_leakge3=(n-1)*I_leakge2，在此情况下，v1端点的总漏电流为n*I_leakge2，v2端点的总漏电流为I_leakge2+I_leakge3=n*I_leakge2。

由于流过第二电阻R2和第三电阻R3的电流也相等，则I_leakge1+Ic1=I_leakge2+Ic2+ I_leakge3，在I_leakge1=n*I_leakge2，I_leakge2+I_leakge3=n*I_leakge2的情况下，Ic1=Ic2，因此，Ic2/Ic1=1，则ln(Ic2/Ic1)=0，则上述公式(2)等于公式(1)，在此情况下，即使在高温下存在漏电流，漏电流对基准电压基本没有影响，基准电压基本不受高温的影响。

需要说明的是，图3所示的带隙基准电压源电路和图4所示的带隙基准电压源电路的区别仅在于在第二三极管Q2的集电极和基极之间是否存在第四电阻R4，在第二三极管Q2的集电极和基极之间连接第四电阻R4，可以更好地消除高温情况下漏电流对基准电压的影响。

在一种可能的实现方式中，请参考图5，为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的电路原理图三，如图5所示，多个第一导通器件10为n个第一三极管Q1和一个第四三极管Q4，多个第二导通器件20为一个第二三极管Q2和n个第三三极管Q3。

其中，n个第一三极管Q1的集电极和第四三极管Q4的集电极作为多个第一导通器件10的第一端，n个第一三极管Q1的发射极和第四三极管Q4的发射极作为多个第一导通器件10的第二端，n个第一三极管Q1的基极分别连接n个第一三极管Q1的集电极，第四三极管Q4的基极连接第四三极管Q4的发射极。

第二三极管Q2的集电极和n个第三三极管Q3的集电极作为多个第二导通器件20的第一端，第二三极管Q2的发射极和n个第三三极管Q3的发射极作为多个第二导通器件20的第二端，第二三极管Q2的基极连接第二三极管Q2的集电极，n个第三三极管Q3的基极分别连接n个第三三极管Q3的发射极。

本实施例中，n个第一三极管Q1的基极、n个第一三极管Q1的集电极和第四三极管Q4的集电极与第一电阻R1的一端连接，第一电阻R1的另一端通过第二电阻R2连接运算放大器OP1的输出端，第一电阻R1和第二电阻R2的连接点连接运算放大器OP1的负输入端，n个第一三极管Q1的发射极、第四晶体管Q4的发射极和第四晶体管Q4的基极接地GND。

第二三极管Q2的基极、第二三极管Q2的集电极以及n个第三三极管Q3的集电极连接第三电阻R3的一端，第三电阻R3的一端还连接运算放大器OP1的正输入端，第三电阻R3的另一端连接运算放大器OP1的输出端，第二三极管Q2的发射极、n个第三三极管Q3的基极和n个第三三极管Q3的发射极接地GND。

其中，第一三极管Q1和第二三极管Q2的数量之比为n：1，第三三极管Q3和第四三极管Q4的数量之比为n：1，一个第二三极管Q2和n个第三三极管Q3的数量之和为n+1，一个第四三极管Q4和n个第一三极管Q1的数量之和为n+1，则第一组导通器件10与第二组导通器件的数量之比为1：1，v1点和v2点的电压接近，n个第一三极管Q1和一个第四三极管的漏电流之和与一个第二三极管Q2和n个第三三极管Q3的漏电流之和接近，根据I_leakge1+Ic1=I_leakge2+Ic2可知，Ic1与Ic2接近，因此，Ic2/Ic1≈1，则ln(Ic2/Ic1)≈0，则上述公式(2)近似等于公式(1)，在此情况下，即使在高温下存在漏电流，漏电流对基准电压的影响也比较小，基准电压受高温的影响较小。

在另一种可能的实现方式中，请参考图6，为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的电路原理图四，如图6所示，第二组导通器件20中还包括第五电阻R5，第五电阻R5连接在第二三极管Q2的基极和第二三极管Q2的发射极之间。

本实施例中，第五电阻R5的阻值与第一电阻R1的阻值相等，由于R5=R1，使得第一晶体管Q1的集电极电压与第二晶体管Q2的集电极电压相等，第一晶体管Q1的漏电流I_leakge1=n*I_leakge2，第三晶体管Q3的漏电流I_leakge3=n*I_leakge2，第四晶体管的漏电流I_leakge4=I_leakge2。在此情况下，v1端点的总漏电流为I_leakge1+I_leakge4=(n+1)*I_leakge2，v2端点的总漏电流为I_leakge2+I_leakge3=(n+1)*I_leakge2。

由于流过第二电阻R2和第三电阻R3的电流也相等，则I_leakge1+Ic1+I_leakge4=I_leakge2+Ic2+I_leakge3，根据上述漏电流关系I_leakge1+I_leakge4=(n+1)*I_leakge2，I_leakge2+I_leakge3=(n+1)*I_leakge2的情况下，Ic1=Ic2，因此，Ic2/Ic1=1，则ln(Ic2/Ic1)=0，则上述公式(2)等于公式(1)，在此情况下，即使在高温下存在漏电流，漏电流对基准电压基本没有影响，基准电压基本不受高温的影响。

需要说明的是，图5所示的带隙基准电压源电路和图6所示的带隙基准电压源电路的区别仅在于在第二三极管Q2的集电极和基极之间是否存在第五电阻R5，在第二三极管Q2的集电极和基极之间连接第五电阻R5，可以更好地消除高温情况下漏电流对基准电压的影响。

在一种可能的实现方式中，请参考图7，为本申请实施例提供的带隙基准电压源电路的电路原理图五，如图7所示，多个第一导通器件10为n个第一二极管D1，多个第二导通器件20为n个第二二极管D2。

其中，n个第一二极管D1的阳极分别作为多个第一导通器件10的第一端，n个第一二极管D1的阴极分别作为多个第一导通器件10的第二端；n个第二二极管D2的阳极分别作为多个第二导通器件20的第一端，n个第二二极管D2的阴极分别作为多个第二导通器件20的第二端。

本实施例中，n个第一二极管D1的阳极连接第一电阻R1的一端，第一电阻R1的另一端通过第二电阻R2连接运算放大器OP1的输出端，第一电阻R1和第二电阻R2的连接点连接运算放大器OP1的负输入端，n个第一二极管D1的阴极接地GND。

n个第二二极管D2的阳极连接第三电阻R3的一端，第三电阻R3的一端还连接运算放大器OP1的正输入端，第三电阻R3的另一端连接运算放大器OP1的输出端，n个第二二极管D2的阴极接地GND。

其中，第一二极管D1和第二二极管D2的数量之比为1：1，v1点和v2点的电压接近，n个第一二极管D1的漏电流之和与n个第二二极管D2的漏电流之和接近，根据I_leakge1+Ic1=I_leakge2+Ic2可知，Ic1与Ic2接近，因此，Ic2/Ic1≈1，则ln(Ic2/Ic1)≈0，则上述公式(2)近似等于公式(1)，在此情况下，即使在高温下存在漏电流，漏电流对基准电压的影响也比较小，基准电压受高温的影响较小。

请参考图8，为本申请实施例提供的效果对比图，如图8所示，Curve1为采用本实施例的带隙基准电压源电路后，基准电压的温度曲线，从图中可以看出，本实施例的带隙基准电压源电路输出的基准电压从-40°C到150°C的基准电压变化为9.1ppm；Curve2为采用图1所示的现有的带隙基准电压源电路后，基准电压的温度曲线，从图中可以看出，现有的带隙基准电压源电路输出的基准电压从-40°C到150°C的基准电压变化为15ppm。

本申请的实施例提供的带隙基准电压源电路，通过设置第一组导通器件和第二组导通器件的数量，使第一组导通器件和第二组导通器件的数量之比为1：1，从而使第一组导通器件和第二组导通器件的漏电流相等，在此情况下，第一组导通器件和第二组导通器件的输入电流近似或者相等，在此情况下，消除因为漏电流对基准电压在高温情况下的影响，使得带隙基准电压源电路输出稳定的基准电压。

请参考图9，为本申请实施例提供的集成电路的结构示意图，如图9所示，该集成电路200包括功能电路210和上述实施例中的带隙基准电压源电路100，带隙基准电压源电路100和功能电路210电连接。

具体的，带隙基准电压源电路100的输出端与功能电路210连接，用于为功能电路210提供稳定可靠的基准电压，功能电路210根据获得的基准电压，对电信号进行处理，使集成电路200实现不同的功能。

示例的，功能电路210可以为模数转换电路、直流交流转换电路或者比较电路等，功能电路210可以根据基准电压，对电信号进行数模转换处理、交直流转换处理或比较处理等，使集成电路200实现数模转换功能、交直流转换功能或比较功能等。

本申请的实施例提供的集成电路，采用上述实施例的带隙基准电压源电路提供的基准电压，可以使集成电路稳定可靠的实现对应的功能，提高集成电路的可靠性。

请参考图10，为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图，如图10所示，该电子设备300可以包括电路板310和集成电路200，集成电路200设置于电路板310上。

在一些实施方式中，电路板310可以为PCB板，集成电路200可以通过刻蚀的方式设置在PCB板上。

可以理解地，集成电路200能够对输入的电信号进行转换或者比较等处理，并将处理后的电信号输出。在一些实施方式中，集成电路200可以对直流电信号进行处理，也可以对交流电信号进行处理。

在一些实施方式中，集成电路200的数量可以为多个，多个集成电路200能够对电信号进行不同的处理，使得电子设备300实现不同的功能。

在一些实施方式中，多个集成电路200可以设置在同一个电路板310上。在另一些实施方式中，多个集成电路200也可设置在多个不同的电路板310上。

本申请的实施例提供的电子设备，采用上述实施例的带隙基准电压源电路提供的基准电压，可以使电子设备稳定可靠的实现对应的功能，提高电子设备的可靠性。

上仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims

1.一种带隙基准电压源电路，其特征在于，所述电路包括：第一组导通器件、第二组导通器件、第一反馈网络、第二反馈网络和运算放大器；

其中，所述多个第一导通器件和所述多个第二导通器件的数量相等；

所述多个第一导通器件为n个第一三极管，所述多个第二导通器件为一个第二三极管和n-1个第三三极管；

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二组导通器件中还包括第四电阻，所述第四电阻连接在所述第二三极管的基极和所述第二三极管的发射极之间。

3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述多个第一导通器件为n个第一三极管和一个第四三极管，所述多个第二导通器件为一个第二三极管和n个第三三极管；

4.如权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第二组导通器件中还包括第五电阻，所述第五电阻连接在所述第二三极管的基极和所述第二三极管的发射极之间。

5.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述多个第一导通器件为n个第一二极管，所述多个第二导通器件为n个第二二极管；

6.如权利要求1-5任一项所述的电路，其特征在于，所述第一反馈网络包括：第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的一端作为所述第一反馈网络的第一端，第一电阻的另一端连接所述第二电阻的一端作为所述第一反馈网络的第二端，第二电阻的另一端作为所述第一反馈网络的第三端。

7.如权利要求1-5任一项所述的电路，其特征在于，所述第二反馈网络包括：第三电阻，所述第三电阻的一端作为所述第二反馈网络的第一端，所述第三电阻的另一端作为所述第二反馈网络的第二端。

8.一种集成电路，其特征在于，包括：功能电路和如权利要求1至7中任一项所述的带隙基准电压源电路，所述带隙基准电压源电路与所述功能电路连接。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：电路板和如权利要求8所述的集成电路，所述集成电路置于所述电路板上。