CN116096141A

CN116096141A - 显示装置及制造显示装置的方法

Info

Publication number: CN116096141A
Application number: CN202211345322.0A
Authority: CN
Inventors: 申琇景; 裴俊和; 梁熙星; 曹雨辰
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2021-11-01
Filing date: 2022-10-31
Publication date: 2023-05-09
Also published as: KR20230064007A; US20230138392A1

Abstract

提供了显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括：衬底，具有其中布置有多个像素的显示区域；多个堤部层，布置在衬底上，并且限定分别与多个像素对应的开口区域；以及堤部保护层，在多个堤部层的外侧。

Description

显示装置及制造显示装置的方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年11月1日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0148261号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用引入本文。

技术领域

本公开的一个或多个实施方式涉及一种装置和方法，并且例如，涉及显示装置和制造该显示装置的方法。

背景技术

基于迁移率的电子装置被广泛使用。作为移动电子装置，除了诸如移动电话的小型电子装置，平板个人计算机(PC)等近年来已经被广泛使用。

这种移动电子装置包括显示单元，其支持一个或多个适当的功能并且向用户提供诸如图像或视频的可视信息。近来，随着用于驱动显示单元的其它部件的尺寸已被减小，电子装置中的显示单元的比例已逐渐增加，并且已经开发了可以相对于平坦状态弯曲到特定角度的结构。

发明内容

在本公开的一个或多个实施方式中，限定特定区域的堤部(或堤部层)可以布置在显示装置中，以在特定区域中布置量子点材料(或量子点层)。因为量子点以液滴的形式提供，所以由堤部形成的区域的中心可能比其它部分稍低。因此，有必要通过经由抛光装置研磨堤部的特定部分或通过本领域普通技术人员在阅读本公开时应对其显而易见的其它类似工艺来使堤部的上端和量子点层的上端尽可能平坦。当对堤部的上端进行抛光时，抛光装置的压力基本上不均匀。因此，在显示装置的边缘部分处的薄膜封装层可能被翘曲。本公开的实施方式的方面涉及一种显示装置以及一种制造该显示装置的方法，其中显示装置包括用于在通过使用抛光装置对堤部的上端进行抛光时减少堤部的下端处的薄膜封装层的翘曲现象的结构。

实施方式的其它方面将在随后的描述中部分地阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过本公开的所呈现的实施方式的实践而习得。

根据一个或多个实施方式，显示装置包括：衬底，包括显示区域，在显示区域中布置有多个像素；多个堤部层，布置在衬底上，并且限定分别与多个像素对应的开口区域；以及堤部保护层，在多个堤部层的外侧。

在本公开的实施方式中，堤部保护层可以在显示区域的边缘的外侧。

在本公开的实施方式中，从堤部保护层的第一部分的上端到衬底的一个表面的第一距离可以不同于从堤部保护层的第二部分的上端到衬底的一个表面的第二距离。

在本公开的实施方式中，第一距离可以大于第二距离。

在本公开的实施方式中，相比于第二部分到显示区域，第一部分可以更靠近显示区域。

在本公开的实施方式中，从堤部保护层的上端到衬底的一个表面的距离可以在第一方向上减小。

在本公开的实施方式中，第一方向可以是远离显示区域的方向。

在本公开的实施方式中，堤部保护层的上端可以被圆化。

在本公开的实施方式中，堤部保护层可以包括无机材料和/或有机材料。

在本公开的实施方式中，堤部保护层可以包括与多个堤部层的材料不同的材料。

在本公开的实施方式中，堤部保护层可以围绕显示区域的所有边缘。

在本公开的实施方式中，堤部保护层可以具有封闭的环形形状。

在本公开的实施方式中，堤部保护层可以设置成多个，以及多个堤部保护层可以在远离显示区域的边缘的方向上彼此间隔开。

在本公开的实施方式中，堤部保护层可以设置成多个，以及多个堤部保护层可以沿着显示区域的边缘彼此间隔开。

在本公开的实施方式中，显示装置还可以包括在多个堤部层中的相邻的堤部层之间的多个量子点层。

在本公开的实施方式中，显示装置还可以包括滤色器层，滤色器层布置在多个量子点层和多个堤部层上。

在本公开的实施方式中，显示装置还可以包括薄膜封装层，薄膜封装层布置在衬底和多个堤部层之间，并且配置成遮蔽显示区域。

在本公开的实施方式中，薄膜封装层可以包括：第一无机封装层，在衬底上；有机封装层，在第一无机封装层上；以及第二无机封装层，在有机封装层上。

在本公开的实施方式中，堤部保护层可以配置成遮蔽第一无机封装层的一端和第二无机封装层的一端。

在本公开的实施方式中，显示装置还可以包括在衬底上的坝单元。

在本公开的实施方式中，堤部保护层可以配置成遮蔽坝单元。

根据一个或多个实施方式，显示装置包括：衬底，包括显示区域，在显示区域中布置有多个像素；薄膜封装层，布置在衬底上以覆盖显示区域；多个堤部层，布置在薄膜封装层上，并且限定分别与多个像素对应的开口区域；以及堤部保护层，布置在多个堤部层的外侧，并且具有从衬底的一个表面到堤部保护层的上表面的可变距离。

在本公开的实施方式中，薄膜封装层的一端可以在堤部保护层下方。

在本公开的实施方式中，显示装置还可以包括在衬底上并且在堤部保护层下方的坝单元。

根据一个或多个实施方式，制造显示装置的方法包括：在衬底上在显示区域中形成彼此间隔开的多个像素；在衬底上形成薄膜封装层；以及在薄膜封装层上，形成多个堤部层和在多个堤部层的外侧的堤部保护层，其中多个堤部层限定分别与多个像素对应的多个开口区域。

在本公开的实施方式中，所述方法还可以包括对多个堤部层和堤部保护层进行抛光。

在本公开的实施方式中，对堤部保护层进行抛光可以包括：将堤部保护层抛光成使得从堤部保护层的第一部分的上端到衬底的一个表面的第一距离不同于从堤部保护层的第二部分的上端到衬底的一个表面的第二距离。

在本公开的实施方式中，第一距离可以大于第二距离。

在本公开的实施方式中，对堤部保护层进行抛光可以包括：将堤部保护层抛光成使得从堤部保护层的上端到衬底的一个表面的距离在第一方向上减小。

在本公开的实施方式中，将堤部保护层的上端可以抛光成基本上圆化的。

在本公开的实施方式中，形成堤部保护层可以包括：在显示区域的边缘的外侧形成第一堤部保护层；以及在第一堤部保护层的外侧形成第二堤部保护层。

在本公开的实施方式中，所述方法还可以包括在显示区域的外侧在衬底上形成坝单元。

在本公开的实施方式中，所述方法还可以包括将多个量子点层布置成分别对应于多个开口区域。

在本公开的实施方式中，所述方法还可以包括在多个堤部层和多个量子点层上布置滤色器层。

除了以上描述的方面和特征之外的其它方面和特征将根据所附附图、权利要求书和本公开的详细描述而变得显而易见。

这些概述性和特定方面可以利用系统、方法、计算机程序或任何系统、方法和计算机程序的组合来实现。

附图说明

本公开的特定实施方式的以上和其它方面以及特征将从以下结合附图的描述中更加显而易见，在附图中：

图1是根据实施方式的显示装置的示意性立体图；

图2是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图；

图3是根据实施方式的显示面板的示意性平面图；

图4是根据实施方式的像素的等效电路图；

图5是根据实施方式的堤部保护层和显示面板的一部分的示意性平面图；

图6A至图6C是沿着图3的线A-A'截取的显示面板的剖视图，其示意性地示出了制造显示装置的方法的一部分；

图7是沿着图3的线B-B'截取的显示面板的剖视图，其示意性地示出了显示装置的一部分；

图8是根据实施方式的堤部保护层和显示面板的一部分的示意性平面图；

图9A是沿着图8的线A-A'截取的显示面板的剖视图，其示出了包括显示面板的一部分的显示装置的一部分；

图9B是沿着图8的线B-B'截取的显示面板的剖视图，其示出了包括显示面板的一部分的显示装置的一部分；

图10A是根据实施方式的堤部保护层和显示面板的一部分的示意性平面图；

图10B和图10C各自是根据实施方式的图10A所示的部分或区域C中的堤部保护层的示意性平面图；

图11是根据实施方式的显示面板的有机发光二极管的示意图；以及

图12是根据实施方式的显示面板的有机发光二极管的示意图。

具体实施方式

现在将更详细地参考其示例在附图中示出的实施方式，其中相同的附图标记始终表示相同的元件，并且可以不提供其重复的描述。在这一点上，本公开的实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。因此，下面通过参考附图来描述实施方式，以说明本公开的实施方式的方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。在本公开全文中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者(例如，同时)、a和c两者(例如，同时)、b和c两者(例如，同时)、a、b和c中的全部、或其变形。

由于本公开允许一个或多个适当的改变和许多实施方式，因此将在附图中示出特定的实施方式并以书面描述对其进行更详细的描述。参考下面更详细描述的实施方式和附图，本公开以及实现本公开的方法的效果和特征将是显而易见的。然而，本公开可以以许多不同的形式来实现，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施方式。

现在将参考其中示出了本公开的实施方式的附图更全面地描述本公开。附图中相同的附图标记表示相同的元件，并且因此可以不重复它们的描述。

在下面的实施方式中，在诸如“第一”、“第二”等的术语可以用于描述一个或多个适当的元件时，这些元件不应限于以上术语。

在下面的实施方式中，除非在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数使用的表述涵盖复数的表述。

在下面的实施方式中，将理解的是，诸如“包括”和“具有”的术语旨在指示在本公开中公开的特征或元件的存在，并且不旨在排除一个或多个其它特征或元件可以存在或可以被添加的可能性。

将理解的是，当层、区域或部件被称为形成在另一层、区域或部件上时，其可以直接或间接地形成在另一层、区域或部件上。例如，可以存在中间的层、区域或部件。

为了便于说明，可以夸大附图中的部件的尺寸。例如，因为为了便于说明而任意地示出了附图中的部件的尺寸和厚度，所以下面的实施方式不限于此。

x轴、y轴和z轴不限于正交坐标系上的三个轴，并且可以以包括其的宽泛的含义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直或正交，或者可以表示彼此不垂直或正交的不同方向。

当特定实施方式可以不同地实现时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。

图1是根据实施方式的显示装置1的示意性立体图。图2是根据实施方式的沿着图1的线I-I'截取的显示装置1的示意性剖视图。

参考图1和图2，根据本公开的实施方式的显示装置1可以被实现为电子装置，诸如智能电话、移动电话、智能手表、导航装置、游戏机、电视(TV)、车载主机(head unit)、笔记本计算机、膝上型计算机、平板计算机、个人媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)等。在一些实施方式中，电子装置可以是柔性装置。

显示装置1可以包括其中显示图像的显示区域DA、以及在显示区域DA周围的外围区域PA。显示装置1可以通过利用从布置在显示区域DA中的多个像素发射的光来提供图像。

显示装置1可以具有一个或多个适当的形状，例如，具有分别彼此平行(基本上平行)的两对侧边的矩形板形状。当显示装置1具有矩形板形状时，其两对侧边中的一对侧边可以比另一对侧边长。在本公开的实施方式中，为了便于说明，示出了显示装置1呈具有一对长侧边和一对短侧边的矩形形状的实施方式，其中，所述一对短侧边的延伸方向被指示为第一方向(x方向或x轴方向)，所述一对长侧边的延伸方向被指示为第二方向(y方向或y轴方向)，并且垂直于或正交于所述一对长侧边和所述一对短侧边的方向被指示为第三方向(z方向或z轴方向)。在另一实施方式中，显示装置1可以具有非矩形形状。例如，非矩形形状可以包括圆形形状、椭圆形形状、部分圆形的多边形形状、或除了矩形形状之外的多边形形状。

在显示区域DA的平面图中，显示区域DA可以如图1中所示具有矩形形状。在另一实施方式中，显示区域DA可以具有诸如三角形形状、五边形形状、六边形形状等的多边形形状，或者可以具有圆形形状、椭圆形形状、不规则形状等。

外围区域PA是在显示区域DA周围的区域，并且可以是在其中不布置像素的一类或一种非显示区域。显示区域DA可以完全被外围区域PA围绕。配置成传递待施加到显示区域DA中的部件的电信号的各种线、以及与印刷电路板或驱动器集成电路(IC)芯片附接的焊盘可以在外围区域PA中。

在下文中，根据实施方式，将有机发光显示装置描述为显示装置1的示例。然而，本公开中的显示装置1不限于此。在另一实施方式中，本公开的显示装置1可以是诸如无机发光显示装置或无机电致发光(EL)显示装置、或量子点发光显示装置的显示装置。

参考图2，显示装置1可以包括显示面板10、显示面板10上的输入感测层40、以及光学功能层50。

显示面板10可以显示图像。显示面板10包括显示区域DA中的像素。像素可以包括显示元件。显示元件可以连接到像素电路。显示元件可以包括有机发光二极管，诸如量子点有机发光二极管等。

输入感测层40可以获取根据外部输入(例如，触摸事件)的坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极(或触摸电极)和连接到感测电极的迹线。输入感测层40可以在显示面板10上。输入感测层40可以以互封盖方法和/或自封盖方法来感测外部输入。

输入感测层40可以直接形成在显示面板10上，或者可以单独形成并且然后通过诸如光学透明粘合剂的粘合剂层结合到显示面板10上。例如，可以在形成显示面板10的操作之后连续地形成输入感测层40，并且在该实施方式中，输入感测层40可以是显示面板10的一部分，并且粘合剂层可以不在输入感测层40和显示面板10之间。图2示出了输入感测层40在显示面板10和光学功能层50之间，但是在另一实施方式中，输入感测层40可以在光学功能层50上。

光学功能层50可以包括颜色转换层和抗反射层。颜色转换层可以将从显示面板10发射的光转换成特定的波长带的光。颜色转换层可以包括量子点层、透明层和堤部层。堤部层是阻挡(减少)光的层，并且可以具有染料等被包括在树脂中的形式。抗反射层可以降低从外部朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。抗反射层可以包括黑色矩阵和/或滤色器。滤色器可以通过考虑从显示面板10的像素中的每个发射的光的颜色来布置。

图3是根据实施方式的显示面板10的示意性平面图。

参考图3，形成显示面板10的一个或多个适当的部件可以在衬底100上。衬底100包括显示区域DA和在显示区域DA周围(例如，围绕显示区域DA)的外围区域PA。

在显示区域DA中，可以布置多个像素P、以及可将电信号分别施加到多个像素P的信号线。多个像素P中的每个可以被实现为诸如有机发光二极管的显示元件。像素P可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。显示区域DA可以由封装构件覆盖，以保护其免受外部空气或水分的影响。

可将电信号分别施加到多个像素P的信号线可以包括多个扫描线SL和多个数据线DL。多个扫描线SL中的每个可以在第一方向(x方向)上延伸，并且多个数据线DL中的每个可以在第二方向(y方向)上延伸。例如，多个扫描线SL可以被布置在多个行中，并且配置成分别向多个像素P传输或提供扫描信号，并且例如，多个数据线DL可以被布置在多个列中，并且配置成分别向多个像素P传输数据信号。多个像素P中的每个可以被连接到多个扫描线SL中的至少一个相应的扫描线SL以及多个数据线DL中的至少一个相应的数据线DL。

信号线还可以包括多个驱动电压线PL、多个发射控制线EL等。多个发射控制线EL中的每个可以在x方向上延伸，并且多个驱动电压线PL中的每个可以在y方向上延伸。例如，多个发射控制线EL可以被布置在多个行中，并且被配置成分别向多个像素P传输或提供发射控制信号。例如，多个驱动电压线PL可以被布置在多个列中，并且被配置成分别向多个像素P传输或提供驱动电压信号(驱动电压)。

形成像素P的像素电路中的每个可以电连接到外围区域PA中的外部电路。外围区域PA是在其中不布置多个像素P的区域。在外围区域PA中，一个或多个适当的电子装置或印刷电路板可以电附接到其中的部件，并且可以定位有用于供应电力以驱动多个像素P的电压线。例如，第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、端子单元PAD和电力供应线可以布置在外围区域PA中。电力供应线可以包括驱动电压供应线11和公共电压供应线13。

第一扫描驱动电路SDRV1可以经由多个扫描线SL向驱动多个像素P的像素电路中的每个施加扫描信号。第二扫描驱动电路SDRV2可以经由多个发射控制线EL向每个像素电路施加发射控制信号。第二扫描驱动电路SDRV2可以定位在相对于显示区域DA的与第一扫描驱动电路SDRV1相对的侧上，并且可以基本上平行于第一扫描驱动电路SDRV1。

端子单元PAD可以在衬底100的一侧上。端子单元PAD在不被绝缘层覆盖的情况下被暴露，以连接到显示电路板30。显示驱动单元32可以在显示电路板30中。

显示驱动单元32可以生成待传输到第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的控制信号。显示驱动单元32可以生成数据信号，并且所生成的数据信号可以经由扇出线FW和连接到扇出线FW的多个数据线DL传输到多个像素P的像素电路。扇出线FW可以在y方向上延伸。

显示驱动单元32可以向驱动电压供应线11提供驱动电压ELVDD(参考图4)，并且向公共电压供应线13提供公共电压ELVSS(参考图4)。驱动电压ELVDD可以经由连接到驱动电压供应线11的驱动电压线PL施加到多个像素P的像素电路。公共电压ELVSS可以经由公共电压供应线13施加到显示元件的相对电极。

驱动电压供应线11可以连接到端子单元PAD，并且在显示区域DA下方在x方向上延伸。公共电压供应线13可以连接到端子单元PAD，呈具有一侧(例如，显示区域DA的下侧)开口的环形形状，并且部分地围绕显示区域DA(或在显示区域DA周围)。公共电压供应线13可以在显示区域DA的左侧和右侧上在y方向上延伸，并且可以在显示区域DA上方在x方向上延伸。

图4是根据实施方式的像素的等效电路图。

参考图4，像素电路PC可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7，并且根据晶体管类型或种类(P型或P类，或者N型或N类)和/或操作条件，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的每个的第一端子可以是源极端子或漏极端子，并且其第二端子可以是不同于第一端子的端子。例如，当第一端子是源极端子时，第二端子可以是漏极端子。

像素电路PC可以连接到配置成传输第一扫描信号Sn的第一扫描线SL、配置成传输第二扫描信号Sn-1的第二扫描线SL-1、配置成传输第三扫描信号Sn+1的第三扫描线SL+1、配置成传输发射控制信号En的发射控制线EL、配置成传输数据信号DATA的数据线DL、配置成传输驱动电压ELVDD的驱动电压线PL、以及配置成传输初始化电压Vint的初始化电压线VL。

第一晶体管T1包括连接到第二节点N2的栅极端子、连接到第一节点N1的第一端子、以及连接到第三节点N3的第二端子。第一晶体管T1用作驱动晶体管，并且根据第二晶体管T2的开关操作接收数据信号DATA，以向发光元件提供驱动电流。发光元件可以是有机发光二极管OLED。

第二晶体管T2(开关晶体管)包括连接到第一扫描线SL的栅极端子、连接到数据线DL的第一端子、以及连接到第一节点N1(或第一晶体管T1的第一端子)的第二端子。第二晶体管T2可以根据通过第一扫描线SL接收的第一扫描信号Sn导通，并且可以执行将传递到数据线DL的数据信号DATA传递到第一节点N1的开关操作。

第三晶体管T3(补偿晶体管)包括连接到第一扫描线SL的栅极端子、连接到第二节点N2(或第一晶体管T1的栅极端子)的第一端子、以及连接到第三节点N3(第一晶体管T1的第二端子)的第二端子。第三晶体管T3可以根据经由第一扫描线SL接收的第一扫描信号Sn导通，以使第一晶体管T1二极管式连接。第三晶体管T3可以具有两个或更多个晶体管串联连接的结构。

第四晶体管T4(第一初始化晶体管)包括连接到第二扫描线SL-1的栅极端子、连接到初始化电压线VL的第一端子、以及连接到第二节点N2的第二端子。第四晶体管T4可以根据通过第二扫描线SL-1接收的第二扫描信号Sn-1导通，并且配置成将初始化电压Vint传输到第一晶体管T1的栅极端子以初始化第一晶体管T1的栅极电压。第四晶体管T4可以具有两个或更多个晶体管串联连接的结构。

第五晶体管T5(第一发射控制晶体管)包括连接到发射控制线EL的栅极端子、连接到驱动电压线PL的第一端子、以及连接到第一节点N1的第二端子。第六晶体管T6(第二发射控制晶体管)包括连接到发射控制线EL的栅极端子、连接到第三节点N3的第一端子、以及连接到有机发光二极管OLED的像素电极的第二端子。第五晶体管T5和第六晶体管T6根据通过发射控制线EL接收的发射控制信号En同时(例如，同步地)导通，使得电流流向有机发光二极管OLED。

第七晶体管T7(第二初始化晶体管)包括与第三扫描线SL+1连接的栅极端子、与第六晶体管T6的第二端子和有机发光二极管OLED的像素电极连接的第一端子、以及与初始化电压线VL连接的第二端子。第七晶体管T7可以根据通过第三扫描线SL+1接收的第三扫描信号Sn+1导通，并且配置成将初始化电压Vint传输到有机发光二极管OLED的像素电极，以初始化有机发光二极管OLED的像素电极的电压。可以不设置第七晶体管T7。

电容器Cst包括连接到第二节点N2的第一电极和连接到驱动电压线PL的第二电极。

有机发光二极管OLED可以包括像素电极和面对像素电极的相对电极，并且相对电极可以接收公共电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以接收来自第一晶体管T1的驱动电流，并且发射具有特定颜色的光以显示图像。相对电极可以公共地设置在多个像素中，例如，一体地设置。

图4示出了第四晶体管T4和第七晶体管T7分别连接到第二扫描线SL-1和第三扫描线SL+1的实施方式，但本公开不限于此。在另一实施方式中，第四晶体管T4和第七晶体管T7两者(例如，同时)可以连接到第二扫描线SL-1，以根据第二扫描信号Sn-1进行驱动。

图5是根据实施方式的堤部保护层410和显示面板10的一部分的示意性平面图。

参考图5，堤部保护层410可以在显示面板10上。堤部保护层410可以布置成围绕显示面板10的显示区域DA的边缘(或在所述边缘周围)。当堤部保护层410形成封闭的环形时，在平面图中，显示区域DA可以在堤部保护层410内侧。在该实施方式中，在平面图中，从堤部保护层410的内边缘到显示区域DA的边缘的线性距离可以是恒定的。

如上所述的堤部保护层410可以防止或减少当对堤部层400(在图6A至图7中)进行抛光时由施加到堤部层400的不同压力导致的薄膜封装层的翘曲。

堤部保护层410的宽度(例如，堤部保护层410的外边缘和内边缘之间的、在图5中在x轴方向上或在y轴方向上测量的线性距离)在整个堤部保护层410中可以是相同的。在另一实施方式中，堤部保护层410的宽度在整个堤部保护层410中可以是不同的。例如，堤部保护层410的短侧边的宽度(所述短侧边与显示区域DA的短侧边间隔开)可以小于堤部保护层410的长侧边的宽度(所述长侧边与显示区域DA的长侧边间隔开)。因此，即使当抛光装置TOL(在图6A中)在抛光期间对显示区域DA的长侧边部分长时间施加力时，堤部保护层410也可以有效地支承和分散由抛光装置TOL施加的力。

堤部保护层410的平面形状可以是具有一种或多种适当的形式的环形。例如，堤部保护层410的平面形状可以是如图5所示的方形的圈(donut)形状。在另一实施方式中，尽管在图5中未示出，但堤部保护层410的平面形状可以是圆形的圈形状。在另一实施方式中，堤部保护层410的平面形状可以是多边形的圈形状或椭圆形的圈形状。

图6A至图6C是沿着图3的线A-A'截取的显示面板10的剖视图，其示意性地示出了制造显示装置的一部分的方法。图7是沿着图3的线B-B'截取的显示面板10的剖视图，其示意性地示出了显示装置的一部分。

参考图6A至图7，当制造显示面板10时，可以在衬底100上顺序地形成一个或多个适当的层。

具体地，像素电路PC和电连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED可以在衬底100上在显示区域DA中。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管TFT1和电容器Cst。

衬底100可以包括一种或多种适当的材料，诸如金属材料或塑料材料。根据实施方式，衬底100可以是柔性衬底，并且衬底100可以包括顺序地堆叠的第一基础层、第一阻挡层、第二基础层和第二阻挡层。第一基础层和第二基础层可以各自包括聚合物树脂。例如，第一基础层和第二基础层可以各自包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯、三乙酸纤维素(TAC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)等。聚合物树脂可以是透明的。第一阻挡层和第二阻挡层中的每个是防止(减少)外部异物的渗透的层，并且可以是单层或多层，其各自包括诸如氮化硅和/或氧化硅的无机材料。

缓冲层110可以在衬底100上。缓冲层110可以阻挡或减少穿过衬底100的异物和/或水分的渗透。缓冲层110可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料，并且可以包括单层或多层。

第一薄膜晶体管TFT1可以是参考图4描述的第一晶体管T1至第七晶体管T7中的一个，例如，可以是第一晶体管T1(其是驱动晶体管)。第一薄膜晶体管TFT1可以包括半导体层ACT和栅电极GE。

半导体层ACT可以包括非晶硅、多晶硅、氧化物半导体材料或有机半导体材料。半导体层ACT可以包括与栅电极GE重叠的沟道区CH、以及源区SE和漏区DE，所述源区SE和所述漏区DE分别在沟道区CH的两侧上并且包括杂质。这里，杂质可以包括N型或N类杂质、或者P型或P类杂质。源区SE和漏区DE可以分别是第一薄膜晶体管TFT1的源电极和漏电极。

考虑到待堆叠的层的与相邻层的粘附性、表面光滑度和可机加工性，栅电极GE可以包括单层或多层，其各自包括例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)的至少一种材料。第一栅极绝缘层111可以在半导体层ACT和栅电极GE之间。

电容器Cst包括彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2，且第二栅极绝缘层112在下电极CE1和上电极CE2之间。电容器Cst可以与第一薄膜晶体管TFT1重叠。图6A至图7示出了第一薄膜晶体管TFT1的栅电极GE是电容器Cst的下电极CE1。在另一实施方式中，电容器Cst可以不与第一薄膜晶体管TFT1重叠。

第一栅极绝缘层111和第二栅极绝缘层112可以各自包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等的无机绝缘材料。第一栅极绝缘层111和第二栅极绝缘层112可以各自是单层或多层，其各自包括以上描述的材料。

电容器Cst的上电极CE2可以由层间绝缘层113覆盖。层间绝缘层113可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等的无机绝缘材料。层间绝缘层113可以是单层或多层，其各自包括以上描述的材料。

驱动电压线PL和第一连接电极CM1可以在层间绝缘层113上。驱动电压线PL和第一连接电极CM1可以各自包括单层或多层，其各自包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种材料。在实施方式中，驱动电压线PL和第一连接电极CM1可以各自包括Ti/Al/Ti的多层。

第一绝缘层115可以在驱动电压线PL和第一连接电极CM1上。数据线DL和第二连接电极CM2可以在第一绝缘层115上。数据线DL和第二连接电极CM2可以各自包括与驱动电压线PL的材料相同的材料。例如，数据线DL和第二连接电极CM2可以各自包括单层或多层，其各自包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种材料。在实施方式中，数据线DL和第二连接电极CM2可以各自包括Ti/Al/Ti的多层。数据线DL和第二连接电极CM2可以被第二绝缘层116覆盖。数据线DL可以如图6A至图7所示至少部分地与驱动电压线PL重叠。在另一实施方式中，数据线DL可以不与驱动电压线PL重叠。

在图6A至图7的一些实施方式中，数据线DL在驱动电压线PL的上层上，但在其它实施方式中，数据线DL可以在层间绝缘层113上，驱动电压线PL可以在第一绝缘层115上，或者数据线DL和驱动电压线PL可以在相同的层上。在另一实施方式中，驱动电压线PL还可以具有两层结构，其包括在层间绝缘层113上的下驱动电压线和布置在第一绝缘层115上并且电连接到下驱动电压线的上驱动电压线。

第一绝缘层115和第二绝缘层116中的每个是平坦化的绝缘层，并且可以是有机绝缘层。例如，第一绝缘层115和第二绝缘层116可以各自包括诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的商业聚合物、具有酚基基团的聚合物衍生物、以及诸如丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、硅氧烷聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物、和/或其混合物的其它有机绝缘材料。在实施方式中，第一绝缘层115和/或第二绝缘层116可以是包括聚酰亚胺的有机绝缘层和/或包括硅氧烷的有机绝缘层。

显示元件(例如，有机发光二极管OLED)可以在第二绝缘层116上在显示区域DA中。有机发光二极管OLED可以布置成彼此间隔开，并且可以包括第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3，其各自可以发射彼此不同的颜色的光。第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可以发射不同颜色或相同颜色的光。第一有机发光二极管OLED1至第三有机发光二极管OLED3可以各自包括像素电极221、中间层222和/或相对电极223。

第一有机发光二极管OLED1至第三有机发光二极管OLED3中的每个的像素电极221可以布置在第二绝缘层116上并且通过层间绝缘层113上的第一连接电极CM1和第一绝缘层115上的第二连接电极CM2连接到第一薄膜晶体管TFT1。

像素电极221可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化锌铝(AZO)。在另一实施方式中，像素电极221可以包括反射膜，该反射膜包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或其一种或多种合金和/或化合物。在另一实施方式中，像素电极221还可以包括在以上提及的反射膜上方/下方的包括ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的膜。

第三绝缘层118可以在第二绝缘层116上。第三绝缘层118可以包括与显示区域DA中的多个像素中的相应一个对应的开口，例如，像素电极221的一部分通过其暴露的开口OP。第三绝缘层118是像素限定层，并且第三绝缘层118的开口OP可以限定像素的发射区域。发射区域可以是其中布置有发射层并发射光的区域。例如，第三绝缘层118可以布置成与除了发射区域之外的剩余区域(例如，非发射区域)对应。发射区域的尺寸可以根据由像素发射的光的颜色而不同。

在一些实施方式中，第三绝缘层118可以通过增加像素电极221的边缘与像素电极221上方的相对电极223之间的距离来防止或减少在像素电极221的边缘处生成电弧等。第三绝缘层118可以包括诸如聚酰亚胺(PI)和/或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。

中间层222包括发射层。发射层可以包括聚合物有机材料和/或低分子量有机材料，其发射特定颜色的光。在实施方式中，中间层222可以包括在发射层下方的第一功能层和/或在发射层上方的第二功能层。第一功能层和/或第二功能层可以包括遍及多个像素电极221的一体层，或者可以包括与多个像素电极221中的每个对应的图案化层。

第一功能层可以包括单层或多层。例如，当第一功能层包括聚合物材料时，第一功能层可以是具有单层结构的空穴传输层，并且可以包括聚-(3,4)-乙烯-二羟基噻吩(PEDOT)和/或聚苯胺(PANI)。当第一功能层包括低分子量材料时，第一功能层可以包括空穴注入层和空穴传输层。

可以不设置第二功能层。例如，当第一功能层和发射层包括聚合物材料时，形成第二功能层以改善有机发光二极管的特性。第二功能层可以包括单层或多层。第二功能层可以包括电子传输层和/或电子注入层。

相对电极223可以被布置成面对像素电极221，且中间层222在它们之间。相对电极223可以包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极223可以包括(半)透明层，所述(半)透明层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、其一种或多种合金等。在一些实施方式中，相对电极223还可以包括在包括以上提及的材料的(半)透明层上方的、诸如ITO、IZO、ZnO和/或In₂O₃的层。

相对电极223可以一体地形成在多个有机发光二极管OLED中，以面对多个像素电极221，并且可以在中间层222和第三绝缘层118上。

在显示区域DA的非发射区域中可以进一步布置多个间隔件SPC。多个间隔件SPC可以在多个像素电极221周围，例如在多个像素电极221之间。多个间隔件SPC中的每个可以在第三绝缘层118上。间隔件SPC可以包括岛状绝缘图案。间隔件SPC可以具有诸如基本上正方形形状或基本上三角形形状的多边形形状、基本上圆形形状或基本上椭圆形形状。间隔件SPC可以包括诸如PI的有机绝缘材料。在一些实施方式中，间隔件SPC可以包括诸如氮化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料，或可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。间隔件SPC可以包括与第三绝缘层118的材料不同的材料。在一些实施方式中，间隔件SPC可以包括与第一绝缘层115、第二绝缘层116和第三绝缘层118中的一个的材料相同的材料。相对电极223可以在间隔件SPC上。

薄膜封装层300可以在相对电极223上，从而可以保护显示面板10不受来自外部的异物、水分等的影响。薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。图6A至图7示出了薄膜封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330、以及它们之间的有机封装层320。在另一实施方式中，有机封装层的数量、无机封装层的数量及其堆叠顺序可以改变。

当需要时，包括封盖层230的多个层可以在第一无机封装层310和相对电极223之间。图6A至图7示出了包括封盖层230，但是在另一实施方式中，可以不设置封盖层230。

第一无机封装层310和第二无机封装层330可以各自包括至少一种无机绝缘材料，诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。有机封装层320可以包括PET、PEN、聚碳酸酯、PI、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、PAR、HMDSO、丙烯酸树脂(例如，PMMA、聚丙烯酸等)、或其一种或多种组合。因为第一无机封装层310沿着下方的结构形成，所以其上表面可能不是平坦的。有机封装层320可以具有足够的厚度来覆盖第一无机封装层310。有机封装层320的上表面可以是基本上平坦的。第二无机封装层330可以延伸到有机封装层320的外部以与第一无机封装层310接触，从而可以防止或减少有机封装层320暴露于外部。

下面描述外围区域PA。图6A至图6C的外围区域PA可以对应于图3所示的在显示区域DA下方的部分，并且图7的外围区域PA可以对应于图3所示的在显示区域DA的左侧或右侧上的部分。外围区域PA可以包括与显示区域DA相邻(例如，相对于其它区域与显示区域DA相邻)的第一子外围区域SPA1、以及在第一子外围区域SPA1外侧与衬底100的边缘相邻(例如，相对于其它区域与衬底100的边缘相邻)的第二子外围区域SPA2。第一绝缘层115、第二绝缘层116和第三绝缘层118可以从显示区域DA延伸到第一子外围区域SPA1。第二子外围区域SPA2可以是在其中布置有至少一个坝单元DAM的一类或一种坝区域。图6A至图7示出了两个坝单元DAM。

参考图6A至图6C，如图3所示，驱动电压供应线11可以布置于在显示区域DA下方的外围区域PA中。驱动电压供应线11可以在第一子外围区域SPA1和第二子外围区域SPA2中。驱动电压供应线11在第一子外围区域SPA1中可以在第一绝缘层115和第二绝缘层116之间，并且在第二子外围区域SPA2中可以在层间绝缘层113上。

多个孔11H可以在第一子外围区域SPA1中限定在驱动电压供应线11中。多个孔11H可以用作用于将由第一绝缘层115生成的气体排放到外部的除气通道，并且因此，可以防止、最小化或减少由第一绝缘层115生成的气体或水分渗透到显示区域DA中的部件中并且因此降低在显示装置中实现的图像的质量的问题。驱动电压供应线11可以包括与在显示区域DA中在第一绝缘层115和第二绝缘层116之间的线中的一个的材料相同的材料。例如，驱动电压供应线11可以包括与在显示区域DA中在第一绝缘层115上的数据线DL的材料相同的材料。

布置在层间绝缘层113和第一绝缘层115之间并且与驱动电压供应线11重叠的至少一个线可以进一步包括在第一子外围区域SPA1中。所述至少一个线可以包括与在显示区域DA中在层间绝缘层113和第一绝缘层115之间的线中的一个的材料相同的材料。例如，所述至少一个线可以包括与在显示区域DA中在层间绝缘层113上的驱动电压线PL的材料相同的材料。

如图3所示，多个扇出线FW可以在显示区域DA下方的外围区域PA中。在实施方式中，如图6A至图6C所示，多个扇出线FW可以布置在不同的层上，且至少一个绝缘层在它们之间。例如，第一栅极绝缘层111上的第一扇出线FW1和第二栅极绝缘层112上的第二扇出线FW2可以交替地布置。因此，可以减小相邻的扇出线FW之间的间隔。在另一实施方式中，多个扇出线FW可以布置在相同的层上。例如，多个扇出线FW可以在第一栅极绝缘层111上和/或在第二栅极绝缘层112上。多个扇出线FW可以在第一子外围区域SPA1和第二子外围区域SPA2中。

第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2可以在第一子外围区域SPA1中。参考图7，第一扫描驱动电路SDRV1包括第二薄膜晶体管TFT2，并且可以包括连接到第二薄膜晶体管TFT2的线。第二薄膜晶体管TFT2可以以与像素电路PC的第一薄膜晶体管TFT1的操作基本上相同的操作形成，并且因此，这里可以不重复对第二薄膜晶体管TFT2的详细描述。向第一扫描驱动电路SDRV1施加或提供控制信号的控制信号线可以进一步布置在第一子外围区域SPA1中。控制信号线可以包括分别施加时钟信号、反相时钟信号、进位信号等的信号线。控制信号线可以在与半导体层ACT、栅电极GE、电容器Cst的上电极CE2或驱动电压线PL相同的层上。

如图3所示，公共电压供应线13可以在显示区域DA的左侧、右侧和上侧上的外围区域PA中。公共电压供应线13可以在第一子外围区域SPA1和第二子外围区域SPA2中。公共电压供应线13在第一子外围区域SPA1中可以在第一绝缘层115和第二绝缘层116之间，并且在第二子外围区域SPA2中可以在层间绝缘层113上。

多个孔13H可以在第一子外围区域SPA1中限定在公共电压供应线13中。多个孔13H可以用作用于将由第一绝缘层115生成的气体排放到外部的除气通道，并且因此，可以防止、最小化或降低由第一绝缘层115生成的气体或水分渗透到显示区域DA中的部件中并且因此降低在显示装置中实现的图像的质量的问题。多个孔13H也可以在与显示区域DA相邻的区域中限定在衬底100上方的公共电压供应线13中。公共电压供应线13可以包括与在显示区域DA中在第一绝缘层115和第二绝缘层116之间的线中的一个的材料相同的材料。例如，公共电压供应线13可以包括与在显示区域DA中在第一绝缘层115上的数据线DL的材料相同的材料。公共电压供应线13可以在与驱动电压供应线11的层相同的层上，并且可以包括与驱动电压供应线11的材料相同的材料。驱动电压供应线11和公共电压供应线13可以在相同的层上设置成彼此间隔开。

公共电压供应线13和层间绝缘层113之间的电压线17可以进一步布置在第二子外围区域SPA2中。公共电压供应线13的一部分(在第二子外围区域SPA2中的部分)可以与电压线17重叠并且直接接触电压线17。电压线17可以包括与在显示区域DA中在层间绝缘层113和第一绝缘层115之间的线中的一个的材料相同的材料。例如，电压线17可以包括与在显示区域DA中在层间绝缘层113上的驱动电压线PL的材料相同的材料。公共电压供应线13可以配置成经由辅助线19向相对电极223传输或提供从电压线17施加的公共电压ELVSS。

辅助线19可以在第一子外围区域SPA1和第二子外围区域SPA2中。辅助线19在第一子外围区域SPA1中可以在第二绝缘层116上，并且在第二子外围区域SPA2中可以在公共电压供应线13上。辅助线19的一部分(在第一子外围区域SPA1中的部分)可以连接到相对电极223。例如，相对电极223可以直接接触由在第一子外围区域SPA1中在第三绝缘层118中限定的孔暴露的辅助线19。在第二子外围区域SPA2中，辅助线19的一部分可以与公共电压供应线13重叠并且直接接触公共电压供应线13。在第二子外围区域SPA2中，辅助线19的一部分可以在形成坝单元DAM的坝的多个层之间。在坝单元DAM中，在辅助线19中可以限定暴露辅助线19下方的层的上表面的一部分的孔19H。辅助线19可以包括与在显示区域DA中在第二绝缘层116和第三绝缘层118之间的线中的一个的材料相同的材料。例如，辅助线19可以包括与在显示区域DA中在第二绝缘层116上的像素电极221的材料相同的材料。

驱动电压供应线11和公共电压供应线13可以在无机层上方。例如，驱动电压供应线11和公共电压供应线13可以在包括缓冲层110、第一栅极绝缘层111、第二栅极绝缘层112和层间绝缘层113中的至少一个的无机绝缘层上方。

当形成有机封装层320时，有必要对用于形成有机封装层320的材料进行限制以使其定位在预设区域内。为了实现这一点，可以在外围区域PA中设置包括至少一个坝的坝单元DAM。类似于图5所示的堤部保护层410，坝单元DAM可以设置成在显示区域DA周围(例如，围绕显示区域DA)的线的形式。坝单元DAM可以在堤部保护层410下方。例如，当在平面图中观察时，坝单元DAM可以在图5所示的堤部保护层410的外边缘和显示区域DA的边缘之间。图6A至图7示出了包括第一坝DAM1和第二坝DAM2的两个坝。坝单元DAM的坝的数量可以变化。第一坝DAM1和第二坝DAM2可以在衬底100的显示区域DA和端子单元PAD(参考图3)之间。第一坝DAM1和第二坝DAM2可以在无机层上方。例如，第一坝DAM1和第二坝DAM2可以在包括缓冲层110、第一栅极绝缘层111、第二栅极绝缘层112和层间绝缘层113中的至少一个的无机绝缘层上方。

第一坝DAM1可以在第二子外围区域SPA2中。在第二子外围区域SPA2中，可以在第一坝DAM1和第一子外围区域SPA1之间进一步设置比第一坝DAM1更靠近(例如，相对更靠近)显示区域DA的第二坝DAM2。

第一无机封装层310和第二无机封装层330可以覆盖第一坝DAM1和第二坝DAM2，并且可以形成到第一坝DAM1和第二坝DAM2的外侧。有机封装层320的位置可以由第一坝DAM1和第二坝DAM2限制，从而可以防止或减少用于形成有机封装层320的材料溢出到第一坝DAM1和第二坝DAM2外侧。

第一坝DAM1和第二坝DAM2的至少一部分可以在电力供应线上，例如，驱动电压供应线11和/或公共电压供应线13上。第一坝DAM1和第二坝DAM2可以在x方向上在显示区域DA的下侧上在第二子外围区域SPA2中延伸。第一坝DAM1和第二坝DAM2可以在y方向上在显示区域DA的左侧和右侧上在第二子外围区域SPA2中延伸。第一坝DAM1和第二坝DAM2可以在x方向上在显示区域DA的上侧上在第二子外围区域SPA2中延伸。

多个坝单元DAM中的每个可以具有包括多个层的多层结构。在一个实施方式中，在最外侧处的第一坝DAM1的高度大于(例如，相对大于)第二坝DAM2的高度，使得坝单元DAM用于限制用于形成有机封装层320的材料的位置。在第一坝DAM1中可以包括更多的层，使得在从显示区域DA起的最外侧处的第一坝DAM1的高度大于第二坝DAM2的高度。例如，第二坝DAM2可以包括两个层，其包括作为最下层的第一层116D和在第一层116D上的第二层118D，其中第一层116D和第二层118D在远离衬底100的上表面的方向上(例如，在z方向上)堆叠。第一坝DAM1可以包括三个层，其包括作为最下层的第一层116D、在第一层116D上的第二层118D、以及在第二层118D上的第三层119D，它们在z方向上堆叠。

多个坝单元DAM中的每个可以包括多个有机绝缘层。例如，当在显示区域DA中形成第二绝缘层116时，可以同时(例如，同步地)形成第一层116D，并且第一层116D可以包括与第二绝缘层116相同的材料。当在显示区域DA中形成第三绝缘层118时，可以同时(例如，同步地)形成第二层118D，并且第二层118D可以包括与第三绝缘层118的材料相同的材料。当在显示区域DA中形成间隔件SPC时，可以同时(例如，同步地)形成第三层119D，并且第三层119D可以包括与间隔件SPC的材料相同的材料。

如图7所示，辅助线19可以在第一坝DAM1和第二坝DAM2中的每个的第一层116D和第二层118D之间，以覆盖第一层116D。暴露第一层116D的上表面的一部分的孔19H可以限定在辅助线19中。孔19H可以用作用于将由第一层116D生成的气体排放到外部的除气通道。

输入感测层(参见图2的40)可以在薄膜封装层300上。输入感测层40可以包括触摸感测层TSL。触摸感测层TSL可以具有第一触摸导电层TCL1、第一触摸绝缘层TNS1、第二触摸导电层TCL2和第二触摸绝缘层TNS2顺序地堆叠的结构。输入感测层40还可以包括触摸缓冲层TBF。

在一些实施方式中，第二触摸导电层TCL2可以作为感测是否发生接触的触摸电极进行操作，并且第一触摸导电层TCL1可以用作连接到在一个方向上图案化的第二触摸导电层TCL2的连接单元。

在一些实施方式中，第一触摸导电层TCL1和第二触摸导电层TCL2两者(例如，同时)可以作为触摸电极进行操作。例如，第一触摸绝缘层TNS1可以包括暴露第一触摸导电层TCL1的上表面的通孔(例如，过孔)，并且第一触摸导电层TCL1和第二触摸导电层TCL2可以通过通孔连接。如上所述，当使用第一触摸导电层TCL1和第二触摸导电层TCL2时，可以减小触摸电极的电阻，以改善触摸感测层TSL的响应速度。

在一些实施方式中，触摸电极可以形成为具有网状结构，以允许从有机发光二极管OLED发射的光穿过。因此，第一触摸导电层TCL1和第二触摸导电层TCL2可以不与有机发光二极管OLED的发射区域重叠。

第一触摸导电层TCL1和第二触摸导电层TCL2中的每个可以包括单个膜或多层膜，其各自包括具有良好或适当的导电性的导电材料。例如，第一触摸导电层TCL1和第二触摸导电层TCL2中的每个可以包括透明导电层，并且可以包括单个膜或多层膜，其各自包括包含Al、Cu、Mo、Ti等的导电材料。透明导电层可以包括诸如ITO、IZO、氧化铟锡锌(ITZO)等的透明导电氧化物。在一些实施方式中，透明导电层可以包括诸如PEDOT、金属纳米线、石墨烯等的导电聚合物。在一些实施方式中，第一触摸导电层TCL1可以包括Mo，并且第二触摸导电层TCL2可以具有Ti/Al/Ti的堆叠结构。

第一触摸导电层TCL1或第二触摸导电层TCL2可以连接到延伸到外围区域PA的触摸线。触摸线可以连接到图3所示的端子单元PAD。

第一触摸绝缘层TNS1和第二触摸绝缘层TNS2中的每个可以包括无机材料和/或有机材料。无机材料可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种。有机材料可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯树脂、环氧树脂、氨基甲酸酯树脂、纤维素树脂和二萘嵌苯树脂中的至少一种。

触摸缓冲层TBF可以进一步设置在薄膜封装层300和触摸感测层TSL之间。触摸缓冲层TBF可以直接形成在薄膜封装层300上。触摸缓冲层TBF可以配置成防止或减少对薄膜封装层300的损坏，并且阻止或减少当触摸感测层TSL被驱动时可能出现的干扰信号。触摸缓冲层TBF可以包括诸如氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)等的无机绝缘材料，并且可以包括单层或多层。

每个像素中的量子点层和透明层可以在如上所述的触摸感测层TSL上。例如，第二颜色量子点层520在第二像素PX2中的第二有机发光二极管OLED2上方。例如，第二颜色量子点层520在第二像素PX2中的第二有机发光二极管OLED2的第二像素电极(像素电极221)上方。因此，当从垂直于或正交于衬底100的方向(z轴方向)观察(例如，在平面图中观察)时，第二颜色量子点层520与第二像素电极(像素电极221)重叠。第二颜色量子点层520可以将由第二像素电极(像素电极221)上的中间层222生成的第一波长带中的光转换成第二波长带中的光。

第三颜色量子点层530在第三像素PX3中的第三有机发光二极管OLED3上方。例如，第三颜色量子点层530在第三像素PX3中的第三有机发光二极管OLED3的第三像素电极(像素电极221)上方。因此，当从垂直于或正交于衬底100的方向(z轴方向)观察(例如，在平面图中观察)时，第三颜色量子点层530与第三像素电极(像素电极221)重叠。第三颜色量子点层530可以将由第三像素电极(像素电极221)上的中间层222生成的第二波长带中的光转换成第三波长带中的光。第一波长带和第二波长带可以彼此不同或相同。

第二颜色量子点层520和第三颜色量子点层530中的每个可以具有量子点分散在树脂中的形状。在将在下面描述的一些实施方式及其修改中，量子点表示半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发射具有一个或多个适当的发射波长的光的任何材料。量子点的直径可以是例如约(或近似)1nm至约10nm。

量子点可以通过湿法化学操作、有机金属化学气相沉积操作、分子束外延操作、类似操作等合成。湿法化学操作是在混合有机溶剂和前体材料之后生长量子点颗粒晶体的方法。在湿法化学操作的实施方式中，当量子点颗粒晶体生长时，有机溶剂充当在量子点颗粒晶体的表面上自然协调的分散剂并调节量子点颗粒晶体的生长，并且因此，湿法化学操作比诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)的气相沉积方法或分子束外延(MBE)更容易。在一些实施方式中，湿法化学操作是低成本操作并且可以控制量子点颗粒晶体的生长。

这种量子点可以包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物、或其一种或多种组合。

II-VI族半导体化合物的示例可以包括诸如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS等的二元化合物、诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS等的三元化合物、诸如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe等的四元化合物、或其一种或多种组合。

III-V族半导体化合物的示例可以包括诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb等的二元化合物、诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb等的三元化合物、诸如GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、GaAlNP等的四元化合物、或其一种或多种组合。III-V族半导体化合物还可以包括II族元素。还包括II族元素的III-V族半导体化合物的示例可以包括InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。

III-VI族半导体化合物的示例可以包括诸如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂Se₃、InTe等的二元化合物、诸如InGaS₃、InGaSe₃等的三元化合物、或其一种或多种组合。

I-III-VI族半导体化合物的示例可以包括诸如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂、AgAlO₂等的三元化合物、或其一种或多种组合。

IV-VI族半导体化合物的示例可以包括诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe等的二元化合物、诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe等的三元化合物、诸如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe等的四元化合物、或其一种或多种组合。

IV族元素或化合物的示例可以包括诸如Si、Ge等的单元素、诸如SiC、SiGe等的二元化合物、或其一种或多种组合。

包括在诸如二元化合物、三元化合物和四元化合物的多元化合物中的每个元素可以以基本上均匀的浓度或以非基本上均匀的浓度存在于颗粒中。

在一些实施方式中，量子点可以具有单结构或核-壳双结构，其中量子点中包括的每个元素的浓度基本上是均匀的。例如，包括在核中的材料和包括在壳中的材料可以彼此不同。量子点的壳可以用作防止或减少核的化学改性以保持半导体特性的保护层，和/或可以用作用于向量子点赋予电泳特性的电荷层。壳可以包括单层或多层。核和壳之间的界面可以具有壳中的元素的浓度朝向界面的中心降低的浓度梯度。

量子点的壳的示例可以包括金属或非金属氧化物、半导体化合物、其组合等。金属或非金属氧化物的示例可以包括SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄或NiO等的二元化合物、诸如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄、CoMn₂O₄等的三元化合物、或其一种或多种组合。半导体化合物的示例可以包括如上所述的II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、或其一种或多种组合。例如，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb、或其一种或多种组合。

量子点可以具有约45nm或更小、约40nm或更小、或约30nm或更小的发射波长光谱的半高全宽(FWHM)。在以上范围内，颜色纯度和颜色再现性可以被改善。在一些实施方式中，当通过量子点发射的光在所有方向上发射时，可以改善光的视角。

在一些实施方式中，量子点的形式可以是纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米片的形式，其例如基本上是球形、金字塔形、多臂形或立方体形。

因为可以通过调节量子点的尺寸来调节能带隙，所以可以从量子点的发射层获得一个或多个适当的波长带中的光。因此，可以通过使用不同尺寸的量子点来实现发射具有不同波长的光的发光二极管。具体地，可以选择量子点的尺寸，从而发射红光、绿光和/或蓝光。在一些实施方式中，量子点的尺寸可以配置成通过组合一种或多种适当的颜色的光来发射白光。

第二颜色量子点层520和第三颜色量子点层530也可以包括散射体。此外，可以使用包括在第二颜色量子点层520和第三颜色量子点层530中的任何适当的树脂，只要它相对于散射体具有优异的或适当的色散特性并且透射光即可。例如，诸如丙烯酸树脂、酰亚胺树脂或环氧树脂的聚合物树脂可以用作包括在第二颜色量子点层520和第三颜色量子点层530中的树脂。

包括在第二颜色量子点层520和第三颜色量子点层530中的散射体可以是具有与包括在第二颜色量子点层520和第三颜色量子点层530中的透明树脂的折射率不同的折射率的颗粒，例如光散射体。散射体不受限制，只要其是能够通过在散射体和透明树脂之间形成光学界面来部分地散射透射光的材料即可，并且可以是例如金属氧化物颗粒或有机颗粒。用于散射的金属氧化物的示例可以包括氧化钛(TiO₂)、氧化锆(ZrO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化铟(In₂O₃)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO₂)等，并且用于散射的有机材料的示例可以包括丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂等。散射体可以与入射的角度无关地在多个方向上散射光，而基本上不转换入射光的波长。因此，散射体可以改善显示装置的侧面可视性。在一些实施方式中，包括在第二颜色量子点层520和第三颜色量子点层530中的散射体可以通过增加入射在第二颜色量子点层520和第三颜色量子点层530上的入射光与量子点相遇的概率来增加光转换效率。

第一像素PX1将由中间层222生成的具有第一波长的光发射到外部，而不进行波长转换。因此，第一像素PX1不具有量子点层。因此，包括透明树脂的透明层510定位在第一像素PX1中的第一有机发光二极管OLED1上。例如，透明层510定位在第一像素PX1中的第一有机发光二极管OLED1的第一像素电极(像素电极221)上。因此，当从垂直于或正交于衬底100的方向(z轴方向)观察(例如，在平面图中观察)时，透明层510与第一像素电极(像素电极221)重叠。

透明层510也可以包括散射体，并且可以使用包括在透明层510中的任何适当的树脂，只要其是相对于散射体具有优异或适当的色散特性的透明材料即可。例如，诸如丙烯酸树脂、酰亚胺树脂或环氧树脂的聚合物树脂可以用作包括在透明层510中的树脂。

包括在透明层510中的散射体可以是具有与包括在透明层510中的透明树脂的折射率不同的折射率的颗粒，例如光散射颗粒。散射体不受限制，只要其是能够通过在散射体和透明树脂之间形成光学界面来部分地散射透射光的材料即可，并且可以是例如金属氧化物颗粒或有机颗粒。用于散射的金属氧化物的示例可以包括氧化钛(TiO₂)、氧化锆(ZrO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化铟(In₂O₃)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO₂)等，并且用于散射的有机材料的示例可以包括丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂等。散射体可以与入射的角度无关地在多个方向上散射光，而基本上不转换入射光的波长(朗伯反射)。因此，散射体可以改善显示装置的侧面可视性。

透明层510、第二颜色量子点层520和第三颜色量子点层530定位成分别对应于如上所述的第一有机发光二极管OLED1的第一像素电极(像素电极221)、第二有机发光二极管OLED2的第二像素电极(像素电极221)和第三有机发光二极管OLED3的第三像素电极(像素电极221)。为了实现这一点，具有分别对应于第一有机发光二极管OLED1的第一像素电极(像素电极221)、第二有机发光二极管OLED2的第二像素电极(像素电极221)和第三有机发光二极管OLED3的第三像素电极(像素电极221)的开口区域(例如，在堤部层400a和400b之间限定的开口)的堤部层400可以在薄膜封装层300上方。堤部层400的与第一有机发光二极管OLED1的第一像素电极(像素电极221)、第二有机发光二极管OLED2的第二像素电极(像素电极221)和第三有机发光二极管OLED3的第三像素电极(像素电极221)中的每个对应的开口区域表示当从垂直于或正交于衬底100的方向(z轴方向)观察(例如，在平面图中观察)时，与第一有机发光二极管OLED1的第一像素电极(像素电极221)、第二有机发光二极管OLED2的第二像素电极(像素电极221)和第三有机发光二极管OLED3的第三像素电极(像素电极221)中的每个重叠的开口区域。堤部层400可以包括一种或多种适当的材料，例如，可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等的无机材料。在另一实施方式中，堤部层400还可以包括光致抗蚀剂材料，并且因此，堤部层400可以通过诸如曝光和显影等的操作容易地形成。

堤部保护层410可以包括无机材料和/或有机材料。堤部保护层410可以包括与堤部层400的材料相同或不同的材料。

堤部保护层410可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等的无机材料。在另一实施方式中，堤部保护层410可以包括光致抗蚀剂材料。在另一实施方式中，堤部层400可以包括诸如基于乙二醇醚的树脂和/或基于丙烯酸酯单体的树脂的有机材料。

当形成堤部层400时，可以同时(例如，同步地)形成如上所述的堤部保护层410，或者可以在形成堤部层400之后形成堤部保护层410。在下文中，为了便于说明，更详细地描述了堤部保护层410包括与堤部层400的材料相同的材料并且当形成堤部层400时同时(例如，同步地)形成堤部保护层410的实施方式。

低折射率层600在透明层510、第二颜色量子点层520和第三颜色量子点层530上。例如，低折射率层600在透明层510、第二颜色量子点层520和第三颜色量子点层530上，以对应于第一像素PX1的第一有机发光二极管OLED1、第二像素PX2的第二有机发光二极管OLED2和第三像素PX3的第三有机发光二极管OLED3中的每个。低折射率层600包括基体部分和基体部分中的多个颗粒。

黑色矩阵层710可以包括聚合物材料。黑色矩阵层710可以包括丙烯酸聚合物、硅酮聚合物、氨基甲酸酯聚合物和酰亚胺聚合物中的至少一种。例如，黑色矩阵层710可以包括选自丙烯酸聚合物、硅酮聚合物、氨基甲酸酯聚合物和酰亚胺聚合物中的任何一种聚合物材料，或选自以上提及的聚合物中的多种聚合物材料的组合。在一些实施方式中，黑色矩阵层710可以包括硅氧烷聚合物、倍半硅氧烷聚合物、由氟原子取代的丙烯酸聚合物、由氟原子取代的硅酮聚合物、由氟原子取代的氨基甲酸酯聚合物和由氟原子取代的酰亚胺聚合物中的至少一个。黑色矩阵层710可以包括硅氧烷、丙烯酸树脂、聚酰亚胺、氨基甲酸酯或环氧树脂。黑色矩阵层710可以通过在高温操作或紫外光处理操作中固化聚合物树脂(诸如，硅氧烷、丙烯酸树脂、聚酰亚胺、氨基甲酸酯或环氧树脂)来形成。

低折射率层600中的多个颗粒可以是硅石(silica)。当需要时，低折射率层600中的多个颗粒可以在其表面上具有包括无机材料的涂层。涂层可以包括氧化硅或四氧化三铁(Fe₃O₄)。在一些实施方式中，低折射率层600中的多个颗粒也可以是其内部部分填充有空气的基本上中空的颗粒。当低折射率层600中的多个颗粒是基本上中空的颗粒时，所述多个颗粒可以包括氧化硅、丙烯酸树脂、聚酰亚胺、氨基甲酸酯、苯乙烯和/或环氧树脂。低折射率层600中的多个颗粒的折射率可以是例如1.1或更大且1.3或更小。可以通过将包括在低折射率层600中的多个颗粒的平均直径设置为200nm或更大且150nm或更小来调节和优化低折射率层600的折射率，而使低折射率层600的多个颗粒的折射率为1.1或更大且1.3或更小。

在另一实施方式中，封盖层可以在低折射率层600和量子点层500之间以及在低折射率层600和透明层510之间。封盖层可以具有与第一像素PX1的第一有机发光二极管OLED1、第二像素PX2的第二有机发光二极管OLED2和第三像素PX3的第三有机发光二极管OLED3中的每个对应的一体形状。封盖层可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等的无机材料。然而，在下文中，为了便于说明，更详细地描述了封盖层不在低折射率层600和量子点层500之间以及低折射率层600和透明层510之间的实施方式。

第一颜色滤色器层720、第二颜色滤色器层730和第三颜色滤色器层740在低折射率层600上。例如，第一颜色滤色器层720在低折射率层600上以与第一像素PX1中的第一有机发光二极管OLED1对应，第二颜色滤色器层730在低折射率层600上以与第二像素PX2的第二有机发光二极管OLED2对应，并且第三颜色滤色器层740在低折射率层600上以与第三像素PX3的第三有机发光二极管OLED3对应。例如，第一颜色滤色器层720在第一像素PX1中的第一有机发光二极管OLED1的第一像素电极(像素电极221)上，第二颜色滤色器层730在第二像素PX2中的第二有机发光二极管OLED2的第二像素电极(像素电极221)上，并且第三颜色滤色器层740在第三像素PX3中的第三有机发光二极管OLED3的第三像素电极(像素电极221)上。因此，当从垂直于或正交于衬底100的方向(z轴方向)观察(例如，在平面图中观察)时，第一颜色滤色器层720与第一有机发光二极管OLED1的第一像素电极(像素电极221)重叠，第二颜色滤色器层730与第二有机发光二极管OLED2的第二像素电极(像素电极221)重叠，并且第三颜色滤色器层740与第三有机发光二极管OLED3的第三像素电极(像素电极221)重叠。

第一颜色滤色器层720可以仅允许具有在约450nm至约495nm中的波长的光穿过，第二颜色滤色器层730可以仅允许具有在约495nm至约570nm中的波长的光穿过，并且第三颜色滤色器层740可以仅允许具有在约630nm至约780nm中的波长的光穿过。第一颜色滤色器层720至第三颜色滤色器层740可以各自减少显示装置中的外部光反射。

例如，当外部光到达第一颜色滤色器层720时，只有如上所述的具有预设波长的光穿过第一颜色滤色器层720，并且具有其它波长的光被第一颜色滤色器层720吸收。因此，入射在显示装置上的外部光中，只有具有如上所述的预设波长的光穿过第一颜色滤色器层720，并且穿过第一颜色滤色器层720的光的一部分被在其下方的相对电极223或第一像素电极(像素电极221)反射并再次发射到外部。结果，因为入射在第一像素PX1所在位置上的外部光中的仅一部分被反射到外部，所以第一颜色滤色器层720可以减小外部光反射。以上描述也可以应用于第二颜色滤色器层730和/或第三颜色滤色器层740。

当需要时，包括炭黑等的黑色矩阵层710可以在第一颜色滤色器层720至第三颜色滤色器层740之间。在该实施方式中，与堤部层400类似，可以将黑色矩阵层710理解为具有分别对应于第一有机发光二极管OLED1的第一像素电极(像素电极221)、第二有机发光二极管OLED2的第二像素电极(像素电极221)和第三有机发光二极管OLED3的第三像素电极(像素电极221)的开口区域。在一些实施方式中，显示装置可以不包括(例如，可以排除)黑色矩阵层710。在该实施方式中，当从垂直于或正交于衬底100的方向(z轴方向)观察(例如，在平面图中观察)时，在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之间的部分中，第一颜色滤色器层720至第三颜色滤色器层740中的至少一部分可以彼此重叠。

还可以包括滤色器层700上的外涂层800，其中，滤色器层700包括黑色矩阵层710、第一颜色滤色器层720、第二颜色滤色器层730和第三颜色滤色器层740。

外涂层800可以是单层或多层，其各自包括诸如氮化硅(SiN_x)和/或氧化硅(SiO_x)的无机材料。在另一实施方式中，外涂层800可以包括诸如聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、抗蚀剂材料等的透明有机材料。外涂层800可以通过湿法操作(诸如，狭缝涂布方法或旋涂方法)或干法操作(诸如，化学气相沉积方法和/或真空沉积方法)形成。该实施方式不限于前述材料和形成方法。

在图4中，像素电路PC的第一晶体管T1至第七晶体管T7被示出为P型或P类晶体管，但本公开的实施方式不限于此。例如，一个或多个适当的实施方式可以是可能的，例如，像素电路PC的第一晶体管T1至第七晶体管T7可以是N型或N类晶体管，或者其中一些是P型或P类晶体管并且其中另一些是N型或N类晶体管。

从制造如上所述的显示装置的方法的角度，可以在衬底100上在显示区域DA中形成彼此间隔开的多个像素PX1、PX2和PX3。具体地，如图6A所示，可以将缓冲层110到间隔件SPC顺序地堆叠在衬底100上。当形成每个层时，可以同时(例如，同步地)形成坝单元DAM。此后，在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个中布置中间层222之后，可以顺序地形成相对电极223。

在一些实施方式中，可以将第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330顺序地布置在相对电极223上。在一些实施方式中，可以将触摸感测层TSL布置在第二无机封装层330上。

当完成以上操作时，可以在第二无机封装层330(或触摸感测层TSL)上形成多个堤部层400和堤部保护层410。堤部保护层410的上表面可以处于如图6A所示的平坦状态中。如上所述的堤部保护层410可以与多个堤部层400中的布置在最外部分处的堤部层400一体地形成，或者可以单独形成。在下文中，为了便于说明，更详细地描述了多个堤部层400中的布置在最外部分处的堤部层400和堤部保护层410一体地形成的实施方式。

当完成以上操作时，将抛光装置TOL布置在多个堤部层400和堤部保护层410上，以抛光和部分去除多个堤部层400和堤部保护层410的上部分。

具体地，如图6A所示，在布置抛光装置TOL之后，可以操作抛光装置TOL。抛光装置TOL可以包括旋转的主体单元BD和主体单元BD上的抛光垫CPD。主体单元BD不仅可以旋转抛光垫CPD，而且可以在图6A中的-z轴方向上按压抛光垫CPD。在该实施方式中，可以供应清洗液等，从而在抛光垫CPD旋转时平稳地执行抛光。

当抛光装置TOL如上所述操作时，抛光装置TOL可以在沿着图1所示的显示装置1或图3所示的显示面板10的整个区域移动的同时操作。在该实施方式中，由抛光垫CPD施加到布置成与图1所示的显示装置1或图3所示的显示面板10的边缘或拐角部分相邻的堤部层400的压力可以不同于施加到布置在其它部分中的堤部层400的压力。当抛光垫CPD的一部分布置在图1所示的显示装置1或图3所示的显示面板10的边缘或拐角部分的外部分处，并且抛光垫CPD的另一部分布置成接触图1所示的显示装置1或图3所示的显示面板10的内部分处时，抛光垫CPD可以向布置成与图1所示的显示装置1或图3所示的显示面板10的边缘或拐角部分相邻的堤部层400施加过大的力。在该实施方式中，布置在显示区域DA的边缘部分中的第一无机封装层310和/或第二无机封装层330可能与其它层分离。例如，如图6A所示，当堤部保护层410不在第一区域ZA1中时，可能向第二区域ZA2中的堤部层400施加过大的力。例如，第二区域ZA2中的堤部层400中的布置在最外部分处的堤部层400不被施加从堤部层400的顶部到底部的竖直力，而是可能被施加相对于堤部层400的高度方向在对角线方向上的力。在一些实施方式中，力不仅可以被施加到堤部层400同时与堤部层400的高度方向(例如，图6A的z轴方向)形成的角度可变，而且施加到堤部层400的力的大小也可能是不同的。然而，当如上所述布置堤部保护层410时，与现有技术的情况相比，在其中支承抛光垫CPD的区域增大，并且因此，可以防止或减少由抛光垫CPD施加到布置在显示区域DA的最外部分处的堤部层400的力过大，或者可以防止或减少所述力在不同于与堤部层400的上表面垂直的方向的方向上施加。在该实施方式中，堤部保护层410可以从显示区域DA的边缘延伸到间隔开3000μm或更大的区域。例如，如图6A所示，堤部保护层410的截面的上表面在x轴方向上的长度可以是3000μm或更大。当堤部保护层410的截面的上表面在x轴方向上的长度小于3000μm时，薄膜封装层300可能会与其它层分离，或者薄膜封装层300的多个层可能在对堤部层400进行抛光时通过施加到最外堤部层400的力彼此分离。

在这点上，当在尺寸为18.2英寸的衬底的显示区域中形成多个堤部层并且不布置堤部保护层410时，可以使用抛光装置对多个堤部层进行抛光。在显示区域DA的边缘部分处的堤部层400的高度的离散度可以是11.1％。此外，与显示区域DA的边缘相邻的堤部层400的高度和与显示区域DA的中心相邻的堤部层400的高度之间的差可以是约2μm。

相反，当在衬底100上在显示区域DA中布置具有相同尺寸的多个堤部层400，并且在将堤部保护层410布置在显示区域DA的边缘的外部分处之后使用抛光装置TOL时，可以将多个堤部层400的高度的离散度减小到5.7％。此外，与显示区域DA的边缘相邻的堤部层400的高度和与显示区域DA的中心相邻的堤部层400的高度之间的差可以是约0.5μm。

因此，当布置堤部保护层410时，可以确认，布置在显示区域DA的最外部分处的堤部层400的高度在抛光之后(即使使用抛光装置TOL)是恒定的。因此，可以确认，由抛光垫CPD施加到多个堤部层400的力在整个显示区域DA中在一定程度上被均匀地保持，并且不会向与显示区域DA的边缘部分相邻的部分施加过大的力。

当完成以上操作时，堤部保护层410的上表面可以具有一个或多个适当的形状。例如，如图6A所示，堤部保护层410的上表面可以是平坦的。从衬底100的表面到堤部保护层410的上表面的距离可以小于初始距离。在另一实施方式中，虽然没有示出，但是堤部保护层410的上表面可以形成倾斜的线。在另一实施方式中，如图6B和图6C所示，堤部保护层410的上表面可以形成为被基本上圆化。堤部保护层410的形成为圆形的上表面可以是曲形表面。例如，形成为圆形的堤部保护层410可以具有弧形上表面或半球形上表面。在另一实施方式中，堤部保护层410的上表面可以具有类似于橄榄球的外表面的一部分的形状。

在如上所述完成对多个堤部层400和堤部保护层410的抛光之后，可以在彼此相邻的堤部层400之间提供包括量子点的液滴或用于形成透明层的液滴。可以对应于每个像素来提供包括量子点的液滴和用于形成透明层的液滴。可以通过喷墨印刷方法在彼此相邻的堤部层400之间提供这些液滴。

可以通过提供液滴来形成第二颜色量子点层520、第三颜色量子点层530和透明层510。然后，可以在第二颜色量子点层520、第三颜色量子点层530和透明层510以及堤部层400上形成低折射率层600。

在低折射率层600上形成对应于堤部层400的黑色矩阵层710之后，可以在彼此相邻的黑色矩阵层710之间形成第一颜色滤色器层720、第二颜色滤色器层730和第三颜色滤色器层740。第一颜色滤色器层720、第二颜色滤色器层730和第三颜色滤色器层740也可以在不形成黑色矩阵层710的情况下布置成彼此相邻。当完成以上操作时，可以在第一颜色滤色器层720、第二颜色滤色器层730、第三颜色滤色器层740和黑色矩阵层710上形成外涂层800。

如上所述形成的堤部保护层410的高度可以在一个方向(例如，图6C的y轴方向和图7的x轴方向)上不同。例如，从衬底100的一个表面到堤部保护层410的一个部分的上表面的第一距离H1可以不同于从衬底100的一个表面到堤部保护层410的另一部分的第二距离H2。堤部保护层410的一部分可以比堤部保护层410的另一部分更靠近显示区域DA。在该实施方式中，第一距离H1可以大于第二距离H2。在一些实施方式中，从衬底100的一个表面到堤部保护层410的上表面的线性距离可以随着距显示区域DA的距离的增加而减小。

在该实施方式中，在堤部保护层410下方不仅布置有坝单元DAM，而且可以布置第一无机封装层310的一端和第二无机封装层330的一端。因此，堤部保护层410可以通过完全遮蔽第一无机封装层310的一端和第二无机封装层330的一端来防止或减少水分和氧气渗透到有机发光二极管OLED中。

在另一实施方式中，可以在薄膜封装层300上布置堤部层400、第二颜色量子点层520、第三颜色量子点层530和透明层510，而不包括触摸感测层TSL。图6B和图6C中触摸缓冲层TBF被示出为遮蔽坝单元DAM、以及薄膜封装层300的一端，然而在不包括触摸感测层TSL的另一实施方式中，可以存在堤部保护层410遮蔽坝单元DAM、以及薄膜封装层300的一端的结构。

图8是根据实施方式的堤部保护层410和显示面板10的一部分的示意性平面图。图9A是沿着图8的线A-A'截取的显示面板10的剖视图，其示出了显示装置的一部分。图9B是沿着图8的线B-B'截取的显示面板10的剖视图，其示出了显示装置的一部分。

参考图8至图9B，堤部保护层410可以在显示面板10上。堤部保护层410可以包括彼此间隔开的多个堤部保护层410。在该实施方式中，多个堤部保护层410的数量、布置和形状可以不同地适当地形成。然而，在下文中，为了便于说明，更详细地描述了多个堤部保护层410包括两个堤部保护层410的实施方式。

堤部保护层410可以包括第一堤部保护层410-1和第二堤部保护层410-2。显示区域DA可以在第一堤部保护层410-1内侧，并且第一堤部保护层410-1可以在第二堤部保护层410-2内侧。在该实施方式中，当在平面图中观察时，第一堤部保护层410-1和第二堤部保护层410-2可以各自形成封闭的环形。

在该实施方式中，第一堤部保护层410-1和第二堤部保护层410-2中的每个的平面形状不限于以上。例如，第二堤部保护层410-2的平面形状可以是圆环形状，并且第一堤部保护层410-1的平面形状可以是方环形状。在另一实施方式中，第二堤部保护层410-2的平面形状可以是方环形状和虚线形式，并且第一堤部保护层410-1的平面形状可以是方环形状。在另一实施方式中，第一堤部保护层410-1和第二堤部保护层410-2两者(例如，同时)可以具有方环形状和虚线形式。在另一实施方式中，第一堤部保护层410-1和第二堤部保护层410-2可以各自具有其它多边形、圆形或椭圆形的环形状。

如上所述的第一堤部保护层410-1可以与布置在显示区域DA的最外部分处的堤部层400a一体地形成，或者可以形成为与堤部层400a间隔开。在另一实施方式中，第一堤部保护层410-1也可以形成为与布置在显示区域DA的最外部分处的堤部层400a分离，并且布置成与堤部层400a间隔开。然而，在下文中，为了便于说明，主要更详细地描述第一堤部保护层410-1与布置在显示区域DA的最外部分处的堤部层400a一体地形成的实施方式。

在该实施方式中，如图9A和图9B所示，在第一堤部保护层410-1和/或第二堤部保护层410-2中，从衬底100的一个表面到第一堤部保护层410-1的上表面的距离可以在一个方向上不同于从衬底100的一个表面到第二堤部保护层410-2的上表面的距离。一个方向可以是远离显示区域DA的方向。

如上所述的显示装置可以类似于参考图6A至图7描述的那样制造。

在以上实施方式中，第一堤部保护层410-1或第二堤部保护层410-2可以布置成覆盖第一无机封装层310的一端和第二无机封装层330的一端。如图9A所示，在图8的下部分处的第二堤部保护层410-2可以被布置成覆盖第一无机封装层310的一端和第二无机封装层330的一端。第一堤部保护层410-1和第二堤部保护层410-2中的至少一个可以在一个操作中与堤部层400同时(例如，同步地)形成，或者可以单独形成。在一些实施方式中，第一堤部保护层410-1和第二堤部保护层410-2可以在一个操作中与彼此同时(例如，同步地)形成，或者可以通过单独的操作形成。

因此，在显示装置中，当对堤部层400进行抛光时，可以最小化或减少布置在布置于显示区域DA的最外部分处的堤部层400下方的薄膜封装层300的翘曲。在一些实施方式中，因为显示装置包括有效屏蔽水分或氧气的结构，所以可以增加其寿命。

图10A是根据实施方式的堤部保护层410和显示面板10的一部分的示意性平面图。图10B和图10C各自是根据实施方式的图10A所示的部分或区域C中的堤部保护层的示意性平面图。

参考图10A至图10C，可以包括多个堤部保护层410。在下文中，为了便于说明，更详细地描述多个堤部保护层410包括两个堤部保护层410的实施方式。

多个堤部保护层410可以包括布置成与显示区域DA相邻的第一堤部保护层410-1、以及布置在第一堤部保护层410-1外侧的第二堤部保护层410-2。第一堤部保护层410-1和第二堤部保护层410-2可以布置在不同的位置处。例如，第一堤部保护层410-1和第二堤部保护层410-2可以如图10A所示各自被布置成一行。在该实施方式中，可以设置多个第一堤部保护层410-1。多个第一堤部保护层410-1可以布置成彼此间隔开，以形成一个形状或图案。例如，当多个第一堤部保护层410-1彼此连接时，可以形成矩形的环形状。类似于第一堤部保护层410-1，可以设置多个第二堤部保护层410-2，并且多个第二堤部保护层410-2可以布置成彼此间隔开。

堤部保护层410的平面形状可以变化。例如，如图10B所示，堤部保护层410的平面形状可以是圆形。作为另一实施方式，如图10C所示，堤部保护层410的平面形状可以是诸如三角形或正方形的多边形。在这种情况下，第一堤部保护层410-1的平面形状和第二堤部保护层410-2的平面形状可以彼此相同或不同。

在该实施方式中，多个第一堤部保护层410-1和多个第二堤部保护层410-2可以布置成一个或多个适当的形状或图案。例如，如图10A所示，当从一个方向(例如，在平面图中垂直于显示区域DA的短侧边和/或显示区域DA的长侧边的方向)观察时，多个第一堤部保护层410-1和多个第二堤部保护层410-2可以彼此不重叠。在另一实施方式中，当从一个方向(例如，在平面图中垂直于显示区域DA的短侧边和/或显示区域DA的长侧边的方向)观察时，多个第一堤部保护层410-1和多个第二堤部保护层410-2可以至少部分地彼此重叠。

如上所述的第一堤部保护层410-1的长度和第二堤部保护层410-2的长度可以彼此不同或相同。在一些实施方式中，第一堤部保护层410-1的宽度和第二堤部保护层410-2的宽度可以彼此不同或相同。在该实施方式中，从第一堤部保护层410-1的与显示区域DA相邻的边缘到第二堤部保护层410-2的最外边缘的距离可以是约3500μm或更大。

图11是根据实施方式的显示面板的有机发光二极管OLED的示意图。

参考图11，有机发光二极管OLED可以类似于图6B、图6C、图9A和图9B所示的有机发光二极管OLED。在图11所示的附图标记中，与图6B、图6C、图9A和图9B的附图标记相同的附图标记指示相同的构件。

可以针对第一像素PX1至第三像素PX3中的每个图案化有机发光二极管OLED的像素电极221。在实施方式中，有机发光二极管OLED的中间层222和相对电极223各自可以一体地设置。然而，本公开不限于此。

有机发光二极管OLED可以包括中间层222，并且中间层222可以包括发射层EML和空穴传输层HTL。在一些实施方式中，中间层222还可以包括空穴注入层HIL、电子传输层ETL和电子注入层EIL。空穴注入层HIL可以在像素电极221和空穴传输层HTL之间。电子传输层ETL可以在发射层EML上并且被配置成将电子从相对电极223传输到发射层EML。电子注入层EIL可以在电子传输层ETL和相对电极223之间。

在实施方式中，发射层EML可以包括有机发光材料，诸如聚合物有机材料或发射特定颜色的光的低分子量有机材料。例如，发射层EML可以包括发射蓝光的有机材料。然而，本公开不限于此。在实施方式中，发射层EML可以包括发射红光或绿光的有机材料，和/或可以包括无机发光材料。

在该实施方式中，与第一像素PX1至第三像素PX3中的每个对应的有机发光二极管OLED可以发射具有相同波长带的光，并且从第一像素PX1至第三像素PX3中的有机发光二极管OLED发射的光在分别穿过布置成与第一像素PX1对应的透明层510、布置成与第二像素PX2对应的第二颜色量子点层520、以及布置成与第三像素PX3对应的第三颜色量子点层530的同时可以被转换成具有彼此不同的波长带的光。穿过透明层510的光可以具有与由有机发光二极管OLED发射的光相同的波长带。

此后，具有不同波长带的光可以穿过第一颜色滤色器层720、第二颜色滤色器层730和第三颜色滤色器层740，并且仅具有特定波长带的光可以穿过第一颜色滤色器层720、第二颜色滤色器层730和第三颜色滤色器层740。

图12是根据实施方式的显示面板的有机发光二极管OLED的示意图。

参考图12，有机发光二极管OLED可以类似于图6B、图6C、图9A和图9B所示的有机发光二极管OLED。在图12所示的附图标记中，与图6B、图6C、图9A和图9B的附图标记相同的附图标记指示相同的构件。

有机发光二极管OLED的中间层222可以通过堆叠多个发射层来设置。

在实施方式中，中间层222可以包括第一发射层EMLa和第二发射层EMLb。第一发射层EMLa和第二发射层EMLb可以包括相同的材料。例如，第一发射层EMLa和第二发射层EMLb可以各自包括发射蓝光的有机材料。然而，本公开不限于此。第一发射层EMLa和第二发射层EMLb可以各自包括发射红光或绿光的有机材料，和/或可以包括现有的发光材料或量子点。

在实施方式中，中间层222可以包括包含第一发射层EMLa的第一叠层222a、包含第二发射层EMLb的第二叠层222c、以及在第一叠层222a和第二叠层222c之间的电荷生成层222b。

在实施方式中，第一叠层222a可以具有空穴注入层HIL、第一空穴传输层HTLa、第一发射层EMLa和第一电子传输层ETLa顺序地堆叠的结构。在实施方式中，第二叠层222c可以具有第二空穴传输层HTLb、第二发射层EMLb、第二电子传输层ETLb和电子注入层EIL顺序地堆叠的结构。

在实施方式中，电荷生成层222b可以配置成向第一叠层222a和第二叠层222c提供电荷。在实施方式中，电荷生成层222b可以包括用于向第一叠层222a提供电荷的N型或N类电荷生成层n-CGL、以及用于向第二叠层222c提供空穴的P型或P类电荷生成层p-CGL。N型或N类电荷生成层n-CGL可以包括金属材料作为掺杂剂。

图12将有机发光二极管OLED的中间层222示出为具有堆叠的两个发射层，但是本公开不限于此。发射层可以通过堆叠成三个、四个或更多个来设置。

如上所述的中间层222可以包括至少一个发射层，并且所述发射层可以发射具有恒定波长带的光。例如，发射层可以发射具有在约450nm至约495nm中的波长的光。然而，本公开不限于此。

根据本公开的实施方式的显示装置可以最小化或减少水分和/或氧气的渗透。根据本公开的实施方式的显示装置可以最小化或减少薄膜封装层的翘曲现象。根据本公开的实施方式的显示装置可以提供清晰的图像。

根据本公开的实施方式的制造显示装置的方法可以减少薄膜封装层的翘曲。根据本公开的实施方式的制造显示装置的方法可以制造最小化(减少)水分和/或氧气的渗透的显示装置。

当描述本公开的实施方式时，“可以”的使用表示“本公开的一个或多个实施方式”。

如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”和类似的术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释将由本领域普通技术人员认识到的所测量或计算的值中的固有偏差。如本文中所使用的，“约”或“近似”包括所述值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

此外，本文中所记载的任何数值范围旨在包括包含在所记载范围内的具有相同的数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所记载的最小值1.0与所记载的最大值10.0之间的(包含本数)所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，例如以2.4至7.6为例。本文中所记载的任何最大数值限制旨在包括包含在其中的所有更低的数值限制，并且本说明书中所记载的任何最小数值限制旨在包括包含在其中的所有更高的数值限制。因此，申请人保留修改包括权利要求在内的本说明书的权利，以清楚地叙述包含在本文中所明确记载的范围内的任何子范围。

根据本文中所描述的本发明的实施方式的显示装置和/或任何其它相关装置或部件可以利用任何适当的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或软件、固件和硬件的组合来实现。例如，所述装置的各种部件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或形成在分开的IC芯片上。另外，所述装置的各种部件可以实现在柔性印刷电路膜、载带封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或者形成在一个衬底上。另外，所述装置的各种部件可以是在一个或多个计算装置中的一个或多个处理器上运行的、执行计算机程序指令并且与用于执行本文中所描述的各种功能的其它系统部件交互的进程或线程。计算机程序指令存储在可利用标准存储装置实现在计算装置中的存储器(例如，以随机存取存储器(RAM)为例)中。计算机程序指令还可以存储在其它非暂时性计算机可读介质(例如，以CD-ROM、闪存驱动器等为例)中。另外，本领域技术人员将认识到，在不背离本公开的实施方式的范围的情况下，各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以跨过一个或多个其它计算装置分布。

应理解的是，本文中描述的实施方式应仅以描述性的含义考虑，而非为了限制的目的。在每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域的普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求及其等同限定的精神和范围的情况下，可以在其中在形式和细节上做出一种或多种适当的改变。

Claims

1.显示装置，包括：

衬底，包括显示区域，在所述显示区域中布置有多个像素；

多个堤部层，布置在所述衬底上，并且限定分别与所述多个像素对应的开口区域；以及

堤部保护层，在所述多个堤部层的外侧。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述堤部保护层在所述显示区域的边缘的外侧。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，从所述堤部保护层的第一部分的上端到所述衬底的一个表面的第一距离不同于从所述堤部保护层的第二部分的上端到所述衬底的所述一个表面的第二距离。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一距离大于所述第二距离。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，相比于所述第二部分到所述显示区域，所述第一部分更靠近所述显示区域。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，从所述堤部保护层的上端到所述衬底的一个表面的距离在第一方向上减小。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一方向是远离所述显示区域的方向。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述堤部保护层的上端被圆化。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述堤部保护层包括无机材料和/或有机材料。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述堤部保护层包括与所述多个堤部层的材料不同的材料。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述堤部保护层围绕所述显示区域的所有边缘。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述堤部保护层具有封闭的环形形状。

13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述堤部保护层设置成多个，以及

多个所述堤部保护层在远离所述显示区域的所述边缘的方向上彼此间隔开。

14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述堤部保护层设置成多个，以及

多个所述堤部保护层沿着所述显示区域的所述边缘彼此间隔开。

15.根据权利要求1所述的显示装置，还包括在所述多个堤部层中的相邻的堤部层之间的多个量子点层。

16.根据权利要求15所述的显示装置，还包括滤色器层，所述滤色器层布置在所述多个量子点层和所述多个堤部层上。

17.根据权利要求1所述的显示装置，还包括薄膜封装层，所述薄膜封装层布置在所述衬底和所述多个堤部层之间，并且配置成遮蔽所述显示区域。

18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述薄膜封装层包括：

第一无机封装层，在所述衬底上；

有机封装层，在所述第一无机封装层上；以及

第二无机封装层，在所述有机封装层上。

19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述堤部保护层配置成遮蔽所述第一无机封装层的一端和所述第二无机封装层的一端。

20.根据权利要求1所述的显示装置，还包括在所述衬底上的坝单元。

21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述堤部保护层配置成遮蔽所述坝单元。

22.显示装置，包括：

衬底，包括显示区域，在所述显示区域中布置有多个像素；

薄膜封装层，布置在所述衬底上以覆盖所述显示区域；

多个堤部层，布置在所述薄膜封装层上，并且限定分别与所述多个像素对应的开口区域；以及

堤部保护层，布置在所述多个堤部层的外侧，并且具有从所述衬底的一个表面到所述堤部保护层的上表面的可变距离。

23.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述薄膜封装层的一端在所述堤部保护层下方。

24.根据权利要求22所述的显示装置，还包括在所述衬底上并且在所述堤部保护层下方的坝单元。

25.根据权利要求22所述的显示装置，还包括在所述多个堤部层中的相邻的堤部层之间的多个量子点层。

26.根据权利要求25所述的显示装置，还包括滤色器层，所述滤色器层布置在所述多个量子点层和所述多个堤部层上。

27.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述堤部保护层具有封闭的环形形状。

28.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述堤部保护层设置成多个，以及

多个所述堤部保护层在远离所述显示区域的边缘的方向上彼此间隔开。

29.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述堤部保护层设置成多个，以及

多个所述堤部保护层沿着所述显示区域的边缘彼此间隔开。

30.制造显示装置的方法，所述方法包括：

在衬底上在显示区域中形成彼此间隔开的多个像素；

在所述衬底上形成薄膜封装层；以及

在所述薄膜封装层上，形成多个堤部层和在所述多个堤部层的外侧的堤部保护层，其中所述多个堤部层限定分别与所述多个像素对应的多个开口区域。

31.根据权利要求30所述的方法，还包括对所述多个堤部层和所述堤部保护层进行抛光。

32.根据权利要求31所述的方法，其中，对所述堤部保护层进行抛光包括：将所述堤部保护层抛光成使得从所述堤部保护层的第一部分的上端到所述衬底的一个表面的第一距离不同于从所述堤部保护层的第二部分的上端到所述衬底的所述一个表面的第二距离。

33.根据权利要求32所述的方法，其中，所述第一距离大于所述第二距离。

34.根据权利要求33所述的方法，其中，相比于所述第二部分到所述显示区域，所述第一部分更靠近所述显示区域。

35.根据权利要求31所述的方法，其中，对所述堤部保护层进行抛光包括：将所述堤部保护层抛光成使得从所述堤部保护层的上端到所述衬底的一个表面的距离在第一方向上减小。

36.根据权利要求31所述的方法，其中，将所述堤部保护层的上端抛光成圆化的。

37.根据权利要求30所述的方法，其中，所述堤部保护层包括无机材料和/或有机材料。

38.根据权利要求30所述的方法，其中，所述堤部保护层具有封闭的环形形状。

39.根据权利要求30所述的方法，其中，形成所述堤部保护层包括：

在所述显示区域的边缘的外侧形成第一堤部保护层；以及

在所述第一堤部保护层的外侧形成第二堤部保护层。

40.根据权利要求30所述的方法，还包括在所述显示区域的外侧在所述衬底上形成坝单元。

41.根据权利要求40所述的方法，其中，所述堤部保护层配置成遮蔽所述坝单元。

42.根据权利要求30所述的方法，还包括将多个量子点层布置成分别对应于所述多个开口区域。

43.根据权利要求42所述的方法，还包括在所述多个堤部层和所述多个量子点层上布置滤色器层。