CN115132786A - 显示装置 - Google Patents

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CN115132786A CN202210285466.5A CN202210285466A CN115132786A CN 115132786 A CN115132786 A CN 115132786A CN 202210285466 A CN202210285466 A CN 202210285466A CN 115132786 A CN115132786 A CN 115132786A
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display device
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pixel
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李震龙
朴光雨
崔相现
崔千基
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种显示装置，该显示装置包括设置在基板之上的薄膜晶体管、设置在薄膜晶体管之上的平坦化层、设置在平坦化层之上并且通过提供在平坦化层中的接触孔电连接到薄膜晶体管的像素电极、覆盖像素电极的边缘以暴露像素电极的中心部分的像素限定层以及被布置成与像素限定层隔开并且被设置在像素电极的被像素限定层暴露的中心部分的一部分之上的堤，当在与基板垂直的方向上观看时，堤与接触孔重叠。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求2021年3月29日提交的第10-2021-0040505号韩国专利申请的优先权和权益，该申请出于所有目的通过引用合并于此，如同在本文中充分地阐述一样。
技术领域
本发明的实施例总体涉及显示装置，并且更具体地，涉及用于改善反射色感的显示装置。
背景技术
显示装置是能够向用户提供信息的电子装置。这样的显示装置正变得更薄且更轻，从而增加了用户的便利性。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于本发明构思的背景的理解，并且因此以上信息可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据本发明的例示性实施方式构造的显示装置由于减少了外部光的反射而能够具有改善的可视性。
即，现有技术的这种显示装置由于外部光的反射而具有显示装置的可视性降低的问题。
为了解决包括以上问题的各种问题，一个或多个实施例包括用于改善反射色感的显示装置。然而，这些问题仅是示例，并且本发明构思的范围不限于此。
本发明构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本发明构思的实践而习得。
根据一个或多个实施例，显示装置包括设置在基板之上的薄膜晶体管、设置在薄膜晶体管之上的平坦化层、设置在平坦化层之上并且通过限定在平坦化层中的接触孔电连接到薄膜晶体管的像素电极、覆盖像素电极的边缘以暴露像素电极的中心部分的像素限定层以及被布置成与像素限定层隔开并且被设置在像素电极的被像素限定层暴露的中心部分的一部分之上的堤，当在与基板垂直的方向上观看时，堤与接触孔重叠。
接触孔可以被布置在像素电极的被像素限定层暴露的中心部分的中心处。
在接触孔的一侧平坦化层的上表面相对于基板倾斜的倾斜方向可以与在接触孔的另一侧平坦化层的上表面相对于基板的倾斜方向相反。
平坦化层的在像素限定层之下的一部分的厚度可以大于平坦化层的在堤之下的另一部分的厚度。
像素电极的在像素限定层之下的一部分的厚度可以大于像素电极的在堤之下的另一部分的厚度。
当在与基板垂直的方向上观看时，堤的面积可以大于接触孔的面积。
显示装置可以进一步包括一体地形成为单个主体，并且设置在像素限定层和堤之上的对电极。
显示装置可以进一步包括设置在像素限定层之上并且包括当在与基板垂直的方向上观看时与像素电极的被像素限定层暴露的中心部分重叠的开口的遮光层以及设置在堤之上并且当在与基板垂直的方向上观看时与堤重叠的堤遮光层。
堤遮光层可以包括吸收可见光的材料。
根据一个或多个实施例，显示装置包括：设置在基板之上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；设置在第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管之上的平坦化层；设置在平坦化层之上并且通过限定在平坦化层中的第一接触孔电连接到第一薄膜晶体管的第一像素电极；设置在平坦化层之上并且通过限定在平坦化层中的第二接触孔电连接到第二薄膜晶体管的第二像素电极；覆盖第一像素电极的边缘、第二像素电极的边缘以及第二像素电极的与第二接触孔重叠的部分以暴露第一像素电极的与第一接触孔重叠的部分、第一像素电极的中心部分以及第二像素电极的中心部分的像素限定层；以及被布置成与像素限定层隔开并且被设置在第一像素电极的被像素限定层暴露的中心部分的一部分之上的堤，当在与基板垂直的方向上观看时，堤与第一接触孔重叠。
第一接触孔可以被布置在第一像素电极的被像素限定层暴露的中心部分的中心处。
在第一接触孔的一侧平坦化层的上表面相对于基板的倾斜方向可以与在第一接触孔的另一侧平坦化层的上表面相对于基板的倾斜方向相反。
平坦化层的在像素限定层之下的一部分的厚度可以大于平坦化层的在堤之下的另一部分的厚度。
第一像素电极的在像素限定层之下的一部分的厚度可以大于第一像素电极的在堤之下的另一部分的厚度。
第二像素电极的厚度可以是均匀的。
当在与基板垂直的方向上观看时，堤的面积可以大于第一接触孔的面积。
显示装置可以进一步包括一体地形成为单个主体并且设置在像素限定层和堤之上的对电极。
显示装置可以进一步包括设置在第一像素电极之上的第一发射层以及设置在第二像素电极之上并且发射与由第一发射层发射的光的颜色不同的颜色的光的第二发射层。
显示装置可以进一步包括设置在像素限定层上方并且包括当在与基板垂直的方向上观看时与第一像素电极和第二像素电极的被像素限定层暴露的中心部分重叠的开口的遮光层以及设置在堤之上并且当在与基板垂直的方向上观看时与堤重叠的堤遮光层。
堤遮光层可以包括吸收可见光的材料。
显示装置可以进一步包括填充遮光层的与第一像素电极相对应的开口的第一滤色器以及填充遮光层的与第二像素电极相对应的开口的第二滤色器，其中第一滤色器可以与第一像素电极的被像素限定层暴露的中心部分重叠，并且第二滤色器可以与第二像素电极的被像素限定层暴露的中心部分重叠。
应理解，前述概括描述和下面的详细描述两者都是例示性的和说明性的，并且旨在提供所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分的附图图示了本发明的例示性的实施例，并且与描述一起用来解释本发明构思。
图1是示意性地图示根据本发明的原理构造的、根据实施例的显示装置的平面图。
图2是图示图1的显示装置的一部分的放大平面图。
图3是示意性地图示图2的显示装置的一部分的截面图。
图4是示意性地图示根据另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图5是示意性地图示根据另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图6是示意性地图示根据另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图7是示意性地图示根据另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图8是示意性地图示根据另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图9是示意性地图示根据另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图10和图11是示意性地图示根据另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
具体实施方式
在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的各种实施例或实施方式的透彻理解。如本文中使用的，“实施例”和“实施方式”是采用本文中公开的一个或多个发明构思的设备或方法的非限制性示例的可互换的词。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者以一个或多个等同布置来实践各种实施例。在其它实例中，以框图形式示出了公知的结构和设备，以避免不必要地模糊各种实施例。进一步地，各种实施例可以是不同的，但不必是排他的。例如，实施例的特定形状、配置和特性可以在另一实施例中使用或实现，而不脱离本发明构思。
除非另外指明，否则图示的实施例应被理解为提供可以在实践中实现本发明构思的一些方式的变化的细节的例示性特征。因此，除非另外指明，否则在不脱离本发明构思的情况下，各种实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文中单独地或共同地称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。
在附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以阐明邻近元件之间的边界。因此，除非指明，否则交叉影线或阴影的存在或缺失都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、图示的元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。进一步地，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当实施例可以被不同地实现时，特定的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序被执行。此外，相同的附图标记指代相同的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接到或联接到另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，不存在居间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理、电气和/或流体连接。进一步地，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的诸如x轴、y轴和z轴的三个轴，并且可以在更广泛的意义上被解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示不彼此垂直(例如，基本彼此垂直)的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文中使用的，术语“和/或”包括关联列出的项目中的一个或多个的任意和所有组合。
尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此以下讨论的第一元件可以被称为第二元件，而不脱离本公开的教导。
为了描述的目的，本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”、“之上”、“更高的”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间上相对的术语，并且由此描述如附图中图示的一个元件相对于另一(些)元件的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间上相对的术语旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向为在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以涵盖上方和下方两种方位。此外，装置可以以其它方式被定向(例如，旋转90度或以其它方位定向)，并且因此，本文中使用的空间上相对的描述语被相应地解释。
本文中使用的术语用于描述特定实施例的目的，而不旨在限制。如本文中使用的，单数形式“一”和“该(所述)”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指明所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。还应注意，如本文中使用的，术语“基本”、“约”和其它类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且因此被利用以考虑本领域普通技术人员公认的测量的、计算的和/或提供的值的固有偏差。
本文中参考是理想化的实施例和/或中间结构的示意性图示的截面图示和/或分解图示来描述各种实施例。这样，可以预期由例如制造技术和/或公差而导致的图示形状的变化。因此，本文中公开的实施例不必被解释为限于区的具体图示的形状，而应包括由例如制造导致的形状的偏差。以这种方式，附图中图示的区本质上可以是示意性的，并且这些区的形状可以不反映设备的区的实际形状，并且因此不必旨在限制。
除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。诸如那些在常用词典中定义的术语应被解释为具有与它们在相关技术的背景中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于正式的意义来解释，除非本文中特意地如此限定。
图1是示意性地图示根据本发明的原理构造的、根据实施例的显示装置的平面图。如图1中图示的，根据本文中描述的实施例的显示装置可以包括显示面板10。显示装置可以是任何类型，只要该显示装置包括显示面板10即可。例如，显示装置可以是诸如智能电话、平板电脑、膝上型电脑、电视或广告牌的各种显示装置中的任一个。
显示面板10可以包括显示区域DA以及位于显示区域DA外部的外围区域PA。图1图示了显示区域DA具有矩形形状。然而，本文中描述的实施例不限于此。例如，显示区域DA可以具有诸如圆形形状、椭圆形形状、多边形形状或特定图形形状的各种形状。
显示区域DA可以是用于显示图像的区域，并且多个子像素PX可以被布置在显示区域DA中。每个子像素PX可以包括诸如有机发光二极管OLED(参见图3)的显示器件。即，根据本文中描述的实施例的显示装置可以是有机发光显示装置。每个子像素PX可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。每个子像素PX可以连接到包括薄膜晶体管和/或存储电容器等的像素电路。像素电路可以连接到被配置为传输扫描信号的多条扫描线SL、与扫描线SL交叉并且被配置为传输数据信号的数据线DL以及被配置为供给驱动电压的驱动电压线PL。扫描线SL可以在x方向上延伸，并且数据线DL和驱动电压线PL可以在y方向上延伸。
子像素PX可以在像素电路被驱动时发光。显示区域DA可以通过从子像素PX发射的光来提供特定图像。在本文中，子像素PX可以被限定为如以上描述的发射红光、绿光、蓝光和白光中的任一种的发射区域。
外围区域PA可以是在其中不布置子像素PX的区域，并且可以是不提供图像的区域。包括驱动器IC连接至其的端子单元和/或用于驱动子像素PX的电源线和驱动电路单元等的印刷电路板可以被布置在外围区域PA中。
此外，由于显示面板10包括基板100，因此可以说基板100包括显示区域DA和外围区域PA。在下文中，为了方便起见，将描述基板100包括显示区域DA和外围区域PA。
在下文中，作为根据实施例的显示装置，有机发光显示装置将被描述为示例。然而，本文中描述的实施例的显示装置不限于此。例如，本文中描述的实施例的显示装置可以是诸如无机发光显示装置(或无机EL显示装置)或量子点发光显示装置的显示装置。例如，在显示装置中提供的显示器件中包括的发射层可以包括有机材料或无机材料。此外，量子点可以位于从发射层发射的光的路径上。
图2是图示图1的显示装置的一部分的放大平面图。图2可以是图示可以在图1的显示装置的区域A中包括的实施例的配置的放大平面图。图3是示意性地图示图2的显示装置的一部分的截面图。图3可以是沿图2的第一子像素PX1的中心截取的显示装置的截面图。
如图2中图示的，显示装置可以包括多个子像素PX1、PX2和PX3。子像素PX1、PX2和PX3可以是发射不同颜色的光的第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。第一子像素PX1可以发射蓝光，第二子像素PX2可以发射绿光，并且第三子像素PX3可以发射红光。然而，本文中描述的实施例不限于此。例如，第一子像素PX1可以发射绿光，第二子像素PX2可以发射红光，并且第三子像素PX3可以发射蓝光。第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以以诸如条带布置、
Figure BDA0003558018970000071
布置和马赛克布置的各种形式被布置以实现图像。
当在z轴方向上观看时，第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以具有多边形形状当中的四方形状。然而，本文中描述的实施例不限于此。例如，第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以具有圆形形状或椭圆形形状。
图2图示了第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3具有相同的尺寸。然而，本文中描述的实施例不限于此。第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以具有不同的尺寸。例如，第三子像素PX3的尺寸可以大于第一子像素PX1和第二子像素PX2的尺寸。
在本文中，第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3的尺寸可以表示实现第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3的显示器件的发射区域的尺寸。例如，第一子像素PX1的第一发射区域EA1可以由像素限定层209(参见图3)的开口OP(参见图3)来限定。
如示意性地图示根据实施例的显示装置的一部分的截面图的图3中图示的，根据实施例的显示装置可以包括设置在基板100之上的有机发光二极管OLED，并且可以具有在其中缓冲层201、栅绝缘层203、层间绝缘层205、平坦化层207、像素限定层209、封盖层230、薄膜封装层400、遮光层530和滤色器CF按此顺序堆叠在基板100之上的结构。
基板100可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。当显示装置的至少一部分是可弯曲的或显示装置是柔性的时，基板100可能需要是柔性的或可弯曲的。在此情况下，基板100可以包括例如聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。此外，基板100可以被不同地修改，诸如具有包括两层(各自包括以上聚合物树脂)以及布置在该两层之间并且包括无机材料(例如，氧化硅、氮化硅或氧氮化硅)的阻挡层的多层结构。此外，当基板100不可弯曲时，基板100可以包括玻璃等。
缓冲层201可以位于在基板100之上，以减少或阻挡异物、水分或外部空气从基板100之下渗透，并且可以在基板100之上提供平坦的表面。缓冲层201可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或者有机/无机复合物，并且可以包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。用于阻挡外部空气渗透的阻挡层可以进一步包括在基板100与缓冲层201之间。缓冲层201可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNX)。
第一薄膜晶体管TFT1可以被设置在缓冲层201之上。第一薄膜晶体管TFT1可以包括半导体层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。第一薄膜晶体管TFT1可以连接到有机发光二极管OLED，以驱动有机发光二极管OLED。
半导体层ACT可以被设置在缓冲层201之上，并且可以包括多晶硅。在其它实施例中，半导体层ACT可以包括非晶硅。在其它实施例中，半导体层ACT可以包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。半导体层ACT可以包括沟道区以及用掺杂剂掺杂的源区和漏区。
栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可以由各种导电材料形成。栅电极GE可以包括钼、铝、铜和钛中的至少一种。例如，栅电极GE可以具有钼的单层，或者可以具有包括钼层、铝层和钼层的三层结构。源电极SE和漏电极DE可以包括铜、钛和铝中的至少一种。例如，源电极SE和漏电极DE可以具有包括钛层、铝层和钛层的三层结构。
此外，为了确保半导体层ACT与栅电极GE之间的绝缘，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅的无机材料的栅绝缘层203可以被设置在半导体层ACT与栅电极GE之间。另外，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅的无机材料的层间绝缘层205可以被设置在栅电极GE之上，并且源电极SE和漏电极DE可以被设置在层间绝缘层205之上。这样，可以通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)形成包括无机材料的绝缘层。这也可以适用于下面的实施例及其修改。
平坦化层207可以被设置在第一薄膜晶体管TFT1之上。为了提供平坦的上表面，可以在形成平坦化层207之后对平坦化层207的上表面执行化学机械抛光。例如，平坦化层207可以由诸如丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅烷(HMDSO)的有机材料形成。尽管图3图示了平坦化层207是单层，但是平坦化层207可以是多层。平坦化层207可以限定暴露第一薄膜晶体管TFT1的漏电极DE的一部分的第一接触孔CNT1。以下描述的第一像素电极2211可以通过第一接触孔CNT1电连接到第一薄膜晶体管TFT1。
第一像素电极2211可以被设置在平坦化层207之上。位于第一子像素PX1处的第一像素电极2211可以被布置成与和邻近子像素中的每个子像素对应的像素电极隔开。即，在多个子像素中，像素电极可以被布置成彼此隔开。第一像素电极2211可以被设置在平坦化层207之上，并且可以通过平坦化层207的第一接触孔CNT1电连接到第一薄膜晶体管TFT1。
第一像素电极2211可以是反射电极。在此情况下，第一像素电极2211可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的任意化合物的反射层以及形成在反射层之上的透明或半透明导电层。透明或半透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。例如，第一像素电极2211可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层209可以被设置在第一像素电极2211之上。例如，像素限定层209可以由诸如聚酰亚胺或六甲基二硅烷(HMDSO)的有机材料形成。像素限定层209可以覆盖第一像素电极2211的边缘，以暴露包括第一像素电极2211的与第一接触孔CNT1重叠的部分的第一像素电极2211的中心部分。像素限定层209可以覆盖第一像素电极2211的边缘，以增加第一像素电极2211的边缘与对电极223之间的距离，从而防止在第一像素电极2211的边缘处发生电弧等。第一发射区域EA1可以由像素限定层209限定。第一发射区域EA1可以是第一像素电极2211的不被像素限定层209覆盖的区域。
在一些实施例中，像素限定层209可以包括遮光材料。例如，遮光材料可以包括树脂或浆体(包括炭黑、碳纳米管或黑色染料)、金属颗粒(例如，镍、铝、钼或它们的任意合金)、金属氧化物颗粒(例如，氧化铬)或金属氮化物颗粒(例如，氮化铬)。通过布置包括遮光材料的像素限定层209，可以减少由设置在像素限定层209之下的金属结构引起的外部光的反射。
被布置成与像素限定层209隔开并且覆盖第一像素电极2211的与第一接触孔CNT1重叠的部分的堤310可以被设置在第一像素电极2211之上。如图2和图3中图示的，第一接触孔CNT1可以位于第一发射区域EA1中，并且第一像素电极2211可以被布置成填充第一接触孔CNT1。因此，第一像素电极2211的上表面的在第一像素电极2211的在第一接触孔CNT1之上的一部分处的形状可以不同于第一像素电极2211的上表面的在第一像素电极2211的在其他部分处的形状。因此，当不提供覆盖第一像素电极2211的在第一接触孔CNT1之上的一部分的堤310时，在位于第一像素电极2211之上的第一发射层中，与第一接触孔CNT1相对应的部分处的亮度可能不同于第一发射层的在第一发射层的其他部分处的亮度。这样，堤310可以覆盖可能导致不均匀亮度的部分，以在第一发射区域EA1中均匀地发光。
如图2中图示的，在与基板100垂直的方向(例如，z轴方向)上观看的视图中，堤310的面积A1可以大于第一接触孔CNT1的面积A2。堤310的在一个方向(例如，x轴方向)上的宽度可以被称为第一宽度D1，并且第一接触孔CNT1的在一个方向(例如，x轴方向)上的宽度可以被称为第二宽度D2。为了使堤310覆盖限定第一接触孔CNT1的区域，第一宽度D1可以大于第二宽度D2。因此，堤310的面积A1可以大于第一接触孔CNT1的面积A2。例如，第一宽度D1可以为大约16.9μm，并且第二宽度D2可以为大约5.5μm。然而，本文中描述的实施例不限于此。例如，第一宽度D1可以与第二宽度D2相当，或者第一宽度D1可以小于第二宽度D2。
此外，如图2中图示的，在第一子像素PX1和第三子像素PX3中，与第一像素电极2211对应的第一接触孔CNT1可以位于第一像素电极2211的基本中心部分处，并且与第三像素电极2213对应的第三接触孔CNT3可以位于第三像素电极2213的基本中心部分处。像素限定层209可以覆盖第一像素电极2211的边缘和第三像素电极2213的边缘，并且因此与第一像素电极2211的对应第一接触孔CNT1和与第三像素电极2213对应的第三接触孔CNT3可以不被像素限定层209覆盖。然而，在第二子像素PX2中，第二像素电极2212可以在第二像素电极2212的一侧具有突出部分，并且第二接触孔CNT2可以位于该突出部分处，并且像素限定层209可以在覆盖第二像素电极2212的边缘的同时覆盖第二接触孔CNT2。即，在与基板100垂直的方向(例如，z轴方向)上观看的视图中，第一子像素PX1中的第一接触孔CNT1和第三子像素PX3中的第三接触孔CNT3可以不与像素限定层209重叠，并且第二子像素PX2的第二接触孔CNT2可以与像素限定层209重叠。
然而，本文中描述的实施例不限于此。例如，同样在第二子像素PX2中，像素限定层209在必要时可以不覆盖与第二像素电极2212对应的第二接触孔CNT2。可替代地，第二子像素PX2也可以具有与第一子像素PX1相同或相似的结构，并且因此，与第二像素电极2212对应的第二接触孔CNT2可以位于第二像素电极2212的基本中心部分处，像素限定层209可以覆盖第二像素电极2212的边缘，并且与第二像素电极2212对应的第二接触孔CNT2可以不被像素限定层209覆盖。
堤310可以与像素限定层209包括相同的材料。例如，堤310可以与像素限定层209由相同的材料同时形成。因此，根据实施例的显示装置的堤310可以包括遮光材料。例如，遮光材料可以包括树脂或浆体(包括炭黑、碳纳米管或黑色染料)、金属颗粒(例如，镍、铝、钼或它们的任意合金)、金属氧化物颗粒(例如，氧化铬)或金属氮化物颗粒(例如，氮化铬)。通过布置包括遮光材料的堤310，可以减少由设置在堤310之下的金属结构引起的外部光的反射。
如图3中图示的，第一接触孔CNT1可以被布置在第一像素电极2211的不被像素限定层209覆盖的中心部分的中心处。即，第一接触孔CNT1可以被布置在第一发射区域EA1的中心部分处。在此情况下，在第一接触孔CNT1的一侧(-x方向)平坦化层207的上表面相对于基板100的倾斜方向可以与在第一接触孔CNT1的另一侧(+x方向)平坦化层207的上表面相对于基板100的倾斜方向相反。图3图示了平坦化层207的厚度在第一接触孔CNT1的一侧(-x方向)朝向第一接触孔CNT1减小，并且平坦化层207的厚度在第一接触孔CNT1的另一侧(+x方向)朝向第一接触孔CNT1减小。本文中描述的实施例不限于此，并且在必要时，相对于第一接触孔CNT1，在第一接触孔CNT1的一侧(-x方向)平坦化层207的上表面相对于基板100倾斜的形状可以与在第一接触孔CNT1的另一侧(+x方向)平坦化层207的上表面相对于基板100倾斜的形状对称。
由于平坦化层207具有这样的形状，因此设置在平坦化层207之上的第一像素电极2211的上表面也可以具有与平坦化层207的上表面相对应的形状。即，在第一接触孔CNT1的一侧(-x方向)第一像素电极2211的上表面相对于基板100的倾斜方向可以与在第一接触孔CNT1的另一侧(+x方向)第一像素电极2211的上表面相对于基板100的倾斜方向相反。图3图示了从基板100的上表面到第一像素电极2211的上表面的距离在第一接触孔CNT1的一侧(-x方向)朝向第一接触孔CNT1减小，并且从基板100的上表面到第一像素电极2211的上表面的距离在第一接触孔CNT1的另一侧(+x方向)朝向第一接触孔CNT1减小。本文中描述的实施例不限于此，并且在必要时，相对于第一接触孔CNT1，在第一接触孔CNT1的一侧(-x方向)第一像素电极2211的上表面相对于基板100倾斜的形状可以与在第一接触孔CNT1的另一侧(+x方向)第一像素电极2211的上表面相对于基板100倾斜的形状对称。
在该结构中，平坦化层207的在像素限定层209之下的一部分的厚度L1可以大于平坦化层207的在堤310之下的另一部分的厚度L2。此外，设置在平坦化层207之上的第一像素电极2211的上表面可以具有布置在第一发射区域EA1的中心部分处的第一接触孔CNT1之上的部分朝向基板100凹陷的形状。
中间层222可以被设置在第一像素电极2211和像素限定层209之上。中间层222可以包括第一公共层222a、第一发射层2221b和第二公共层222c。
第一发射层2221b可以被设置在像素限定层209的开口OP内。第一发射层2221b可以包括包含能够发射蓝光、绿光或红光的荧光或磷光材料的有机材料。以上有机材料可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。图3图示了第一发射层2221b位于第一像素电极2211的被像素限定层209和堤310暴露的部分之上。然而，本文中描述的实施例不限于此。第一发射层2221b可以被设置在像素限定层209的开口OP内，并且可以在第一像素电极2211和堤310之上一体地形成为单个主体。即，第一发射层2221b可以被设置成覆盖堤310。
第一公共层222a和第二公共层222c可以分别被设置在第一发射层2221b之下和之上。第一公共层222a可以包括例如空穴传输层(HTL)，或者可以包括HTL和空穴注入层(HIL)。第二公共层222c可以包括例如电子传输层(ETL)，或者可以包括ETL和电子注入层(EIL)。在一些实施例中，第二公共层222c可以被省略。
尽管第一发射层2221b被布置成与像素限定层209的开口OP相对应，但是第一公共层222a和第二公共层222c可以一体地形成为单个主体，以完全覆盖基板100。即，第一公共层222a和第二公共层222c中的每个可以一体地形成为单个主体，以完全覆盖基板100的显示区域DA。
对电极223可以是阴极。对电极223可以包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极223可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的任意合金的(半)透明层。可替代地，对电极223可以进一步包括在包括以上材料的(半)透明层之上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。有机发光二极管OLED可以包括从第一像素电极2211到对电极223的层。对电极223可以一体地形成为设置在像素限定层209和堤310之上的单个主体。即，对电极223可以被设置成覆盖像素限定层209和堤310。
在实施例中，显示装置可以进一步包括设置在有机发光二极管OLED之上的封盖层230。封盖层230可以用于根据相长干涉的原理提高有机发光二极管OLED的发光效率。例如，封盖层230可以包括相对于具有大约589nm的波长的光表现出大约1.6或更高的折射率的材料。
封盖层230可以是包括有机材料的有机封盖层、包括无机材料的无机封盖层或者包括有机材料和无机材料的复合封盖层。例如，封盖层230可以包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或它们的任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基的化合物可以被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或它们的任意组合的取代基选择性地取代。
薄膜封装层400可以被设置在封盖层230之上。薄膜封装层400可以具有包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的多层结构。无机封装层可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNX)、氧氮化硅(SiOXNY)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOX，其可以是ZnO和ZnO2)的无机绝缘材料。有机封装层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸)或它们的任意组合。
即使当在薄膜封装层400中出现裂纹时，薄膜封装层400也可以通过以上多层结构防止裂纹在无机封装层与有机封装层之间连接。因此，可以防止或最小化来自外部的水分或氧气通过其渗透到显示区域DA中的路径的形成。
位于像素限定层209上方并且在与基板100垂直的方向(例如，z轴方向)上观看的视图中与像素限定层209重叠的遮光层530可以被设置在薄膜封装层400之上。遮光层530可以包括与第一子像素PX1相对应的遮光层开口530_OP。即，在与基板100垂直的方向(例如，z轴方向)上观看的视图中，遮光层开口530_OP可以与第一像素电极2211的被像素限定层209暴露的部分重叠。从显示器件发射的光可以通过遮光层开口530_OP发射到外部。由于遮光层530可以与像素限定层209重叠，因此遮光层开口530_OP可以与像素限定层209的开口OP重叠。即，遮光层开口530_OP的面积可以基本等于像素限定层209的与遮光层开口530_OP相对应的开口OP的面积。
遮光层530可以包括吸收可见光的材料。即，遮光层530可以包括通常吸收大约380nm至大约780nm的波长的材料。因此，遮光层530可以具有与灰色或黑色相近的颜色。例如，遮光层530可以包括树脂或浆体(包括炭黑、碳纳米管或黑色染料)、金属颗粒(例如，镍、铝、钼或它们的任意合金)、金属氧化物颗粒(例如，氧化铬)或金属氮化物颗粒(例如，氮化铬)。遮光层530可以吸收入射在显示面板10上的外部光，并且吸收从显示面板10反射的反射光，从而改善显示装置的可视性。
设置在堤310上方并且在与基板100垂直的方向上观看的视图中与堤310重叠的堤遮光层510可以被设置在薄膜封装层400之上。由于堤310被布置成与像素限定层209隔开，因此堤遮光层510可以被布置成与遮光层530隔开。此外，堤遮光层510可以被布置在第一发射区域EA1的中心部分处。
堤遮光层510可以与遮光层530包括相同的材料。堤遮光层510可以包括吸收可见光的材料。即，堤遮光层510可以包括通常吸收大约380nm至大约780nm的波长的材料。因此，堤遮光层510可以具有与灰色或黑色相似的颜色。例如，堤遮光层510可以包括树脂或浆体(包括炭黑、碳纳米管或黑色染料)、金属颗粒(例如，镍、铝、钼或它们的任意合金)、金属氧化物颗粒(例如，氧化铬)或金属氮化物颗粒(例如，氮化铬)。堤遮光层510可以与遮光层530在同一工艺中同时形成。
由于堤310被布置在第一发射区域EA1(第一像素电极2211的不被像素限定层209覆盖的区域)的中心部分处，并且对电极223被设置在堤310之上，因此由于堤310之上的对电极223对外部光的反射而可能出现反射光。堤遮光层510可以吸收反射光。因此，可以提高显示装置的可视性。
滤色器CF可以被设置成填充遮光层530的遮光层开口530_OP。由于堤遮光层510位于遮光层开口530_OP中，因此滤色器CF可以填充遮光层开口530_OP中的除堤遮光层510之外的部分。此外，如图3中图示的，滤色器CF可以被设置在遮光层530之上，并且还可以被设置在堤遮光层510之上。在与基板100垂直的方向(例如，z轴方向)上观看的视图中，滤色器CF可以被设置成覆盖第一子像素PX1的与滤色器CF相对应的第一发射区域EA1。即，在与基板100垂直的方向上观看的视图中，滤色器CF的面积可以大于与滤色器CF相对应的第一子像素PX1的第一发射区域EA1的面积。此外，滤色器CF的端部可以与遮光层530重叠。
滤色器CF可以被认为被布置成与和滤色器CF相对应的第一子像素PX1中包括的第一发射层2221b重叠。在此情况下，由与滤色器CF重叠的第一发射层2221b发射的光的波长可以属于滤色器CF传递的波段。例如，当第一发射层2221b发射蓝光时，与第一发射层2221b重叠的滤色器CF可以传递蓝光并且吸收不同波长的光。
滤色器CF可以降低外部光反射率。具体地，滤色器CF可以不吸收从第一发射层2221b发射的光，并且可以吸收从外部进入显示装置之后反射的反射光当中的具有与从第一发射层2221b发射的光的颜色不同的颜色的光。因此，滤色器CF可以降低外部光反射率。即，即使不提供线偏振板或1/4波长板，也可以有效地降低外部光反射率。
保护层550可以被设置在滤色器CF之上，以覆盖滤色器CF和遮光层530。保护层550可以保护滤色器CF。此外，保护层550可以将由滤色器CF和遮光层530等引起的台阶平坦化。考虑到发光效率，保护层550可以包括具有高透光率的材料。
如以上描述的，多个子像素中的每个子像素可以包括像素电极。在子像素中包括的像素电极与位于其之下的线之间的相对位置关系可以不同于在另一子像素中包括的像素电极与位于其之下的线之间的位置关系。因此，在子像素中包括的像素电极相对于基板100的倾斜度可以不同于在另一子像素中包括的像素电极相对于基板100的倾斜度。例如，在第一子像素PX1中包括的第一像素电极2211可以相对于基板100倾斜，使得在-x方向上的端部可以比在+x方向上的端部更邻近基板100，并且在第三子像素PX3中包括的第三像素电极2213可以相对于基板100倾斜，使得在+x方向上的端部可以比在-x方向上的端部更邻近基板100。
在该结构中，当外部光在以非垂直角度入射到第一像素电极2211上之后被反射时，从第一子像素PX1的第一像素电极2211反射的光被遮光层530阻挡的程度和从第三子像素PX3的第三像素电极2213反射的光被遮光层530阻挡的程度可以不同。当从第一子像素PX1的第一像素电极2211反射之后穿过遮光层530的光的量大于从第三子像素PX3的第三像素电极2213反射之后穿过遮光层530的光的量时，用户可能相对明显地识别出穿过第一子像素PX1的滤色器CF的波段中的光的颜色。因此，用户可能在显示装置中识别出反射色带或识别出反射色出血现象。
然而，在根据本文中描述的实施例的显示装置的情况下，第一像素电极2211可以具有如以上描述的对称结构，从而防止反射色带和反射色出血现象的形成，并且改善反射色感。即，如以上描述的，第一像素电极2211的上表面相对于基板100的倾斜度可以相对于第一接触孔CNT1基本对称，并且第三像素电极2213的上表面的倾斜度可以相对于第三接触孔CNT3基本对称，从而防止或最小化第一子像素PX1和第三子像素PX3中的以上倾斜方向不同的现象。具体地，如以上描述的，由于在第一子像素PX1中第一像素电极2211的所有上表面都具有布置在第一发射区域EA1的中心部分处的第一接触孔CNT1之上的部分朝向基板100凹陷的形状，并且在第三子像素PX3中第三像素电极2213的所有上表面(参见图7)都具有布置在第三发射区域EA3(参见图7)的中心部分处的第三接触孔CNT3之上的部分朝向基板100凹陷的形状(如在第一子像素PX1中一样)，因此第三子像素PX3中的第三像素电极2213的上表面的形状可以与第一子像素PX1中的第一像素电极2211的上表面的形状基本相似。
图4是示意性地图示根据另一实施例的显示装置的一部分的截面图。在图4中，与图3中的附图标记相同的附图标记指代相同的构件，并且因此，为了简洁，将省略其冗余描述。
如图4中图示的，平坦化层207可以被设置在第一薄膜晶体管TFT1之上。平坦化层207可以包括第一平坦化层2071和第二平坦化层2073。例如，第一平坦化层2071和第二平坦化层2073可以由诸如丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅烷(HMDSO)的有机材料形成。在此情况下，由于线可以被设置在第一平坦化层2071与第二平坦化层2073之间，因此与平坦化层207为单层的情况相比，更复杂的线结构可以被配置。
第二平坦化层2073可以包括暴露连接电极CM的一部分的第一接触孔CNT1。第一像素电极2211可以通过第一接触孔CNT1和连接电极CM电连接到第一薄膜晶体管TFT1。
第一像素电极2211可以被设置在第二平坦化层2073之上。第一像素电极2211可以通过第二平坦化层2073的第一接触孔CNT1电连接到第一薄膜晶体管TFT1。
与像素限定层209隔开并且覆盖第一像素电极2211的与第一接触孔CNT1重叠的部分的堤310可以被设置在第一像素电极2211之上。在根据本文中描述的实施例的显示装置(在其中平坦化层207包括两个层)中包括的堤310的在一个方向(例如，x轴方向)上的宽度可以被称为第三宽度D3。在此情况下，第三宽度D3可以大于以上描述的第一宽度D1和第二宽度D2。例如，第一宽度D1可以为大约16.9μm，第二宽度D2可以为大约5.5μm，并且第三宽度D3可以为大约22.9μm。
图5是示意性地图示根据另一实施例的显示装置的一部分的截面图。在图5中，与图3和/或图4中的附图标记相同的附图标记指代相同的构件，并且因此，为了简洁，将省略其冗余描述。
如图5中图示的，根据其他实施例的显示装置可以进一步包括设置在像素限定层209与遮光层530之间的触摸感测器层TSL。触摸感测器层TSL可以是感测用户的触摸输入的层。触摸感测器层TSL可以通过使用电阻法或电容法等来感测用户的触摸输入。
触摸感测器层TSL可以包括第一子导电层CTL1、第二子导电层CTL2、触摸绝缘层603和触摸覆盖层605。在实施例中，触摸感测器层TSL可以进一步包括设置在薄膜封装层400与触摸绝缘层603之间的触摸缓冲层601。
触摸缓冲层601可以被设置在薄膜封装层400之上。触摸缓冲层601可以防止对薄膜封装层400的损坏，并且可以阻挡当触摸感测器层TSL被驱动时可能出现的干扰信号。触摸缓冲层601可以包括有机材料或者诸如氧化硅(SiOX)、氮化硅(SiNX)或氧氮化硅(SiOXNY)的无机绝缘材料。触摸缓冲层601可以具有包括以上有机材料或无机绝缘材料的单层或多层结构。
第一子导电层CTL1、触摸绝缘层603、第二子导电层CTL2和触摸覆盖层605可以被顺序地堆叠在触摸缓冲层601之上。第一子导电层CTL1和第二子导电层CTL2可以分别被设置在触摸绝缘层603之下和之上。第二子导电层CTL2可以用作用于感测用户的触摸输入的感测器。第一子导电层CTL1可以用作用于在一个方向上连接图案化的第二子导电层CTL2的连接器。在一些实施例中，第一子导电层CTL1和第二子导电层CTL2两者可以用作感测器。在此情况下，第一子导电层CTL1和第二子导电层CTL2可以通过接触孔电连接。这样，由于第一子导电层CTL1和第二子导电层CTL2两者用作感测器，因此可以减小触摸电极的电阻，并且因此可以快速感测用户的触摸输入。在一些实施例中，第一子导电层CTL1和第二子导电层CTL2可以具有网格结构，使得从有机发光二极管OLED发射的光可以穿过该网格结构。在此情况下，第一子导电层CTL1和第二子导电层CTL2可以被布置成不与有机发光二极管OLED的发射区域重叠。
第一子导电层CTL1和第二子导电层CTL2可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼(Mo)、银(Ag)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)或它们的任意合金。透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电氧化物。另外，透明导电层可以包括诸如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)、金属纳米线、碳纳米管或石墨烯等的导电聚合物。
触摸绝缘层603可以包括无机材料或有机材料。无机材料可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氧氮化硅中的至少一种。有机材料可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂和二萘嵌苯类树脂中的至少一种。触摸覆盖层605可以完全覆盖第二子导电层CTL2和触摸绝缘层603，以保护触摸感测器层TSL。
图6是示意性地图示根据另一实施例的显示装置的一部分的截面图。图6可以是第一子像素PX1和第二子像素PX2的截面图。图7是示意性地图示根据另一实施例的显示装置的一部分的截面图。图7可以是第一子像素PX1和第三子像素PX3的截面图。在图6和图7中，与前述附图中的附图标记相同的附图标记指代相同的构件，并且因此，为了简洁，将省略其冗余描述。
如图6中图示的，第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2可以被设置在基板100之上。平坦化层207可以被设置在第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2之上。通过平坦化层207的第一接触孔CNT1电连接到第一薄膜晶体管TFT1的第一像素电极2211以及通过平坦化层207的第二接触孔CNT2电连接到第二薄膜晶体管TFT2的第二像素电极2212可以被设置在平坦化层207之上。在平坦化层207之上，像素限定层209可以被设置成覆盖第一像素电极2211的边缘、第二像素电极2212的边缘以及第二像素电极2212的与第二接触孔CNT2重叠的部分，以暴露包括第一像素电极2211的与第一接触孔CNT1重叠的部分的第一像素电极2211的中心部分和第二像素电极2212的中心部分。
由第一薄膜晶体管TFT1驱动的有机发光二极管OLED的结构可以与图3中图示的有机发光二极管OLED的结构相同。与像素限定层209隔开并且覆盖第一像素电极2211的与第一接触孔CNT1重叠的部分的堤310可以被设置在第一像素电极2211之上。是堤310的在一个方向(例如，x轴方向)上的宽度的第一宽度D1可以大于是第一接触孔CNT1的在一个方向(例如，x轴方向)上的宽度的第二宽度D2。因此，在与基板100垂直的方向上观看的视图中，堤310的面积可以大于第一接触孔CNT1的面积。
第一接触孔CNT1可以被布置在第一像素电极2211的不被像素限定层209覆盖的中心部分的中心处。第一发射区域EA1可以是第一像素电极2211的不被像素限定层209覆盖的区域。因此，第一接触孔CNT1可以被认为被布置在第一发射区域EA1的中心部分处。平坦化层207的上表面在第一像素电极2211的被像素限定层209暴露的部分处相对于基板100的倾斜度可以与以上参考图3描述的倾斜度相同。例如，平坦化层207的上表面在第一像素电极2211的被像素限定层209暴露的部分处相对于基板100的倾斜度可以相对于第一接触孔CNT1对称。因此，设置在平坦化层207之上的第一像素电极2211相对于基板100的倾斜度也可以相对于第一接触孔CNT1对称。此外，平坦化层207的在像素限定层209之下的一部分的厚度L1可以大于平坦化层207的在堤310之下的另一部分的厚度L2。即，设置在平坦化层207之上的第一像素电极2211可以被布置成朝向布置在第一发射区域EA1的中心部分处的第一接触孔CNT1倾斜。
第一发射层2221b可以被设置在第一像素电极2211之上。第一发射层2221b可以包括包含能够发射蓝光、绿光或红光的荧光或磷光材料的有机材料。对电极223可以一体地形成为在像素限定层209和堤310之上的单个主体。
在与基板100垂直的方向(例如，z轴方向)上观看的视图中与像素限定层209重叠的遮光层530可以被设置在像素限定层209上方。遮光层530可以包括分别与子像素相对应的开口。即，在与基板100垂直的方向(例如，z轴方向)上观看的视图中，开口可以与第一像素电极2211和第二像素电极2212的被像素限定层209暴露的部分重叠。
此外，当在与基板100垂直的方向(例如，z轴方向)上观看时，堤遮光层510可以被设置在堤310上方，以与堤310重叠。遮光层530和堤遮光层510可以包括吸收可见光的材料。即，遮光层530和堤遮光层510可以包括通常吸收大约380nm至大约780nm的波长的材料。因此，堤遮光层510可以吸收从堤310之上的对电极223反射的反射光。
由第二薄膜晶体管TFT2驱动的有机发光二极管OLED的结构可以与由第一薄膜晶体管TFT1驱动的有机发光二极管OLED的结构相同。在由第一薄膜晶体管TFT1驱动的有机发光二极管OLED的情况下，可以通过在第一发射区域EA1的中心部分处布置第一接触孔CNT1来改善反射色感。然而，接触孔可以不必位于所有子像素中的发射区域的中心部分处。例如，如图6中图示的，在由第二薄膜晶体管TFT2驱动的有机发光二极管OLED的情况下，可以包括具有在其中第二接触孔CNT2被布置在像素限定层209之下而不是在第二发射区域EA2的中心部分处的结构的子像素。
平坦化层207可以限定布置在像素限定层209之下的第二接触孔CNT2。第二像素电极2212的不被像素限定层209覆盖的部分可以被称为第二发射区域EA2，并且第二接触孔CNT2可以不与第二发射区域EA2重叠。第二发射层2222b可以被设置在第二像素电极2212之上，并且可以发射与从第一发射层2221b发射的光的颜色不同的颜色的光。例如，第一发射层2221b可以发射红光，并且第二发射层2222b可以发射绿光。
触摸感测器层可以被设置在像素限定层209与遮光层530之间。触摸感测器层可以感测用户的触摸输入。
第一滤色器CF1可以被设置成填充遮光层530的与第一像素电极2211相对应的开口。第二滤色器CF2可以被设置成填充遮光层530的与第二像素电极2212相对应的开口。即，第一滤色器CF1可以与第一像素电极2211的被像素限定层209暴露的部分重叠，并且第二滤色器CF2可以与第二像素电极2212的被像素限定层209暴露的部分重叠。
在此情况下，由与第一滤色器CF1重叠的第一发射层2221b发射的光的波长可以属于第一滤色器CF1传递的波段。此外，由与第二滤色器CF2重叠的第二发射层2222b发射的光的波长可以属于第二滤色器CF2传递的波段。例如，当第一发射层2221b发射红光时，第一滤色器CF1可以传递红光，并且当第二发射层2222b发射绿光时，第二滤色器CF2可以传递绿光。
如是示意性地图示根据另一实施例的显示装置的一部分的截面图的图7中图示的，通过平坦化层207的第三接触孔CNT3电连接到第三薄膜晶体管TFT3的第三像素电极2213可以被设置在平坦化层207之上。与像素限定层209隔开并且覆盖第三像素电极2213的与第三接触孔CNT3重叠的部分的堤310可以被设置在第三像素电极2213之上。与第一接触孔CNT1一样，第三接触孔CNT3可以被布置在第三发射区域EA3的中心部分处。此外，第三像素电极2213可以朝向第三接触孔CNT3倾斜。第三像素电极2213相对于基板100的倾斜度可以相对于第三接触孔CNT3对称。
第三发射层2223b可以被设置在第三像素电极2213之上。第三发射层2223b可以包括发射与第一发射层2221b发射的光的颜色不同的颜色的光的材料。
第一滤色器CF1可以被设置成填充遮光层530的与第一像素电极2211相对应的开口。第三滤色器CF3可以被设置成填充遮光层530的与第三像素电极2213相对应的开口。第三滤色器CF3可以与第三像素电极2213的被像素限定层209暴露的部分重叠。
在此情况下，由与第一滤色器CF1重叠的第一发射层2221b发射的光的波长可以属于第一滤色器CF1传递的波段。此外，由与第三滤色器CF3重叠的第三发射层2223b发射的光的波长可以属于第三滤色器CF3传递的波段。例如，当第一发射层2221b发射红光时，第一滤色器CF1可以传递红光，并且当第三发射层2223b发射蓝光时，第三滤色器CF3可以传递蓝光。
图8是示意性地图示根据另一实施例的显示装置的一部分的截面图。根据参考图8描述的实施例的显示装置与以上参考图3描述的显示装置的不同之处可以在于：第一像素电极2211的在像素限定层209之下的一部分的厚度t1大于第一像素电极2211的在堤310之下的另一部分的厚度t2。在此情况下，平坦化层207的厚度可以是均匀的。与以上参考图3描述的显示装置类似，同样在根据本文中描述的实施例的显示装置的情况下，设置在平坦化层207之上的第一像素电极2211的上表面可以具有布置在第一发射区域EA1的中心部分处的第一接触孔CNT1之上的部分朝向基板100凹陷的形状。
图9是示意性地图示根据另一实施例的显示装置的一部分的截面图。根据参考图9描述的实施例的显示装置与以上参考图6描述的显示装置的不同之处可以在于：第一像素电极2211的在像素限定层209之下的一部分的厚度t1大于第一像素电极2211的在堤310之下的另一部分的厚度t2。在此情况下，平坦化层207的厚度可以是均匀的。即，第一像素电极2211和/或平坦化层207的结构可以与以上参考图8描述的结构相同。在第二像素电极2212的情况下，通过不被像素限定层209覆盖而被暴露的部分的厚度可以是基本均匀的，如图9中图示的。
尽管以上已经描述了有机发光显示装置，但是本文中描述的实施例不限于此。例如，如是示意性地图示根据另一实施例的显示装置的一部分的截面图的图10和图11中图示的，量子点显示装置也可以落入本文中描述的实施例的范围内。
在量子点显示装置的情况下，如图10和图11中图示的，发射层222b可以在第一子像素、第二子像素和第三子像素中具有整体形状。即，发射层222b可以在第一子像素、第二子像素和第三子像素中发射例如蓝光。
位于基板100之上的上基板101(有机发光二极管OLED在上基板101与基板100之间)可以包括与基板100相同的材料。例如，上基板101可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。
第一滤色器CF1可以位于上基板101的朝向基板100的下表面上。第一滤色器CF1可以传递从发射层222b发射的光。例如，第一滤色器CF1可以传递蓝光。第一滤色器CF1可以包括与第二发射区域EA2相对应的开口以及与第三发射区域EA3相对应的开口。
黑矩阵BM可以位于第一滤色器CF1的朝向基板100的表面上。黑矩阵BM可以与遮光层530包括相同的材料，并且可以吸收可见光。在与基板100垂直的方向(z轴方向)上观看的视图中，黑矩阵BM可以位于子像素之间。即，黑矩阵BM可以被设置成与第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3之间相对应。
第二滤色器CF2可以位于第一滤色器CF1的与第二发射区域EA2相对应的开口中，并且第三滤色器CF3可以位于第一滤色器CF1的与第三发射区域EA3相对应的开口中。此外，第二滤色器CF2可以延伸到黑矩阵BM上，并且第三滤色器CF3也可以延伸到黑矩阵BM上。第二滤色器CF2可以传递例如绿光，并且第三滤色器CF3可以传递红光。
上堤IL可以位于基板100与第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3之间。上堤IL可以包括与第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3相对应的开口。上堤IL可以包括氧化硅、氮化硅或氧氮化硅。
透明层TL可以位于上堤IL的与第一发射区域EA1相对应的开口中，第二量子点层QD2可以位于上堤IL的与第二发射区域EA2相对应的开口中，并且第三量子点层QD3可以位于上堤IL的与第三发射区域EA3相对应的开口中。
透明层TL可以包括丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅烷(HMDSO)。另外，透明层TL还可以包括散射体。此外，在一些情况下，与图10和图11中的图示不同，透明层TL可以不被提供在上堤IL的与第一发射区域EA1相对应的开口中。在第一子像素中，在发射层222b中产生的光(例如，蓝光)可以通过透明层TL和上基板101被发射到外部。
在与基板100垂直的方向(z轴方向)上观看的视图中，第二量子点层QD2可以与第二像素电极2212重叠。第二量子点层QD2可以将穿过第二量子点层QD2的光(例如，蓝光)转换成另一颜色的光(例如，绿光)。
第二量子点层QD2可以具有在其中量子点分布在树脂中的形式。在上文中描述的实施例、下面的实施例及其修改中，量子点可以指半导体化合物的晶体，并且可以包括能够取决于晶体的尺寸而发射各种发射波长的光的任意材料。这些量子点的直径可以是例如大约1nm至大约10nm。
量子点可以通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺或任意类似工艺来合成。湿化学工艺可以是在混合有机溶剂和前体材料之后生长量子点颗粒晶体的方法。在湿化学工艺的情况下，当晶体生长时，由于有机溶剂天然地起到在量子点晶体表面上配位的分散剂的作用并控制晶体的生长，因此湿化学工艺可以比诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)的气相沉积容易。此外，在湿化学工艺的情况下，在作为低成本工艺的同时，湿化学工艺可以控制量子点颗粒的生长。
量子点可以包括III-VI族半导体化合物、II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物或者它们的任意组合。
III-VI族半导体化合物的示例可以包括诸如In2S3的二元化合物、诸如AgInS、AgInS2、CuInS或CuInS2的三元化合物或它们的任意组合。
II-VI族半导体化合物的示例可以包括诸如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS的二元化合物，诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS的三元化合物，诸如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe的四元化合物或者它们的任意组合。
III-V族半导体化合物的示例可以包括诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs或InSb的二元化合物，诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs或InPSb的三元化合物，诸如GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlNP、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb的四元化合物或者它们的任意组合。此外，III-V族半导体化合物可以进一步包括II族元素。进一步包括II族元素的III-V族半导体化合物的示例可以包括InZnP、InGaZnP或InAlZnP。
I-III-VI族半导体化合物的示例可以包括诸如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuGaO2、AgGaO2或AgAlO2的三元化合物或者它们的任意组合。
IV-VI族半导体化合物的示例可以包括诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe或PbTe的二元化合物，诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe或SnPbTe的三元化合物，诸如SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe的四元化合物或者它们的任意组合。
IV族元素或化合物可以包括诸如Si或Ge的单元素化合物、诸如SiC或SiGe的二元化合物或者它们的任意组合。
在诸如二元化合物、三元化合物和四元化合物的多元化合物中包括的每个元素可以以均匀的浓度或以不均匀的浓度位于颗粒中。
此外，量子点可以具有核壳双结构或者在其中在量子点中包括的每种元素的浓度均一的单一结构。例如，在核中包括的材料和在壳中包括的材料可以彼此不同。量子点的壳可以用作用于防止核的化学改性以保持半导体特性的保护层和/或用于为量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以包括单层或多层。核与壳之间的界面可以具有壳中的元素的浓度朝向壳的中心减小的浓度梯度。
量子点的壳的示例可以包括金属氧化物或非金属氧化物、半导体化合物或者它们的任意组合。金属氧化物或非金属氧化物的示例可以包括诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO的二元化合物，诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4的三元化合物或者它们的任意组合。半导体化合物的示例可以包括如以上描述的III-VI族半导体化合物、II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物或者它们的任意组合。例如，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或者它们的任意组合。
量子点可以具有大约45nm或更小(例如，大约40nm或更小或者大约30nm或更小)的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)，并且在该范围内，可以提高其色纯度或色彩再现性。此外，由于通过量子点发射的光在所有方向上被发射，因此可以改善量子点的光学视角。
此外，具体地，量子点的形状可以是诸如球体、金字塔、多臂或立方体、纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板颗粒的形状。
由于可以通过调整量子点的尺寸来调整能带隙，因此可以从量子点发射层获得各种波长的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光器件。具体地，量子点的尺寸可以被选择以发射红光、绿光和/或蓝光。此外，量子点的尺寸可以被配置为通过组合各种颜色的光来发射白光。
第二量子点层QD2可以包括散射体。入射光可以被在第二量子点层QD2中包括的散射体散射，并且因此入射光可以被第二量子点层QD2中的量子点有效地转换。散射体可以不被具体限制，只要它是能够通过在散射体与透明树脂之间形成光学界面来部分地散射透射光的材料即可，并且可以是例如金属氧化物颗粒或有机颗粒。用于散射体的金属氧化物可以包括氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2)，并且用于散射体的有机材料可以包括丙烯酸类树脂或聚氨酯类树脂。不管入射角如何，散射体可以在各种方向上散射光，而基本不转换入射光的波长。因此，散射体可以改善显示装置的侧面可视性。此外，在第二量子点层QD2中包括的散射体可以通过增大入射在第二量子点层QD2上的入射光与量子点相遇的概率来增大光转换效率。
在第二量子点层QD2中包括的树脂可以包括是透明的同时对于散射体具有优异的分散特性的任意材料。例如，诸如丙烯酸类树脂、酰亚胺类树脂、环氧类树脂、苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅烷(HMDSO)的聚合物树脂可以用作用于形成第二量子点层QD2的材料。用于形成第二量子点层QD2的材料可以通过喷墨印刷工艺而位于上堤IL的与第一像素电极2211重叠的开口中。
第三量子点层QD3可以位于上堤IL的与第三像素电极2213重叠的开口中。在与基板100垂直的方向(z轴方向)上观看的视图中，第三量子点层QD3可以与第三像素电极2213重叠。第三量子点层QD3可以将穿过第三量子点层QD3的光(例如，蓝光)转换成另一颜色的光(例如，红光)。
第三量子点层QD3可以具有量子点分布在树脂中的形式。在本文中描述的实施例、下面的实施例及其修改中，量子点可以指半导体化合物的晶体，并且可以包括能够取决于晶体的尺寸而发射各种发射波长的光的任意材料。这些量子点的直径可以是例如大约1nm至大约10nm。由于在第二量子点层QD2中包括的量子点的描述可以适用于在第三量子点层QD3中包括的量子点，因此为了简明，将省略在第三量子点层QD3中包括的量子点的冗余描述。
第三量子点层QD3可以包括散射体。入射光可以被在第三量子点层QD3中包括的散射体散射，并且因此入射光可以被第三量子点层QD3中的量子点有效地转换。散射体可以不被具体限制，只要它是能够通过在散射体与透明树脂之间形成光学界面来部分地散射透射光的材料即可，并且可以是例如金属氧化物颗粒或有机颗粒。用于散射体的金属氧化物和用于散射体的有机材料可以与以上描述的材料相同。不管入射角如何，散射体可以在各种方向上散射光，而基本不转换入射光的波长。因此，散射体可以改善显示装置的侧面可视性。此外，在第三量子点层QD3中包括的散射体可以通过增大入射在第三量子点层QD3上的入射光与量子点相遇的概率来增大光转换效率。
在第三量子点层QD3中包括的树脂可以包括是透明的同时对于散射体具有优异的分散特性的任意材料。例如，诸如丙烯酸类树脂、酰亚胺类树脂、环氧类树脂、苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅烷(HMDSO)的聚合物树脂可以用作用于形成第三量子点层QD3的材料。用于形成第三量子点层QD3的材料可以通过喷墨印刷工艺而位于上堤IL的与第三像素电极2213重叠的开口中。
为了保护透明层TL、第二量子点层QD2和第三量子点层QD3，覆盖层CL可以位于透明层TL、第二量子点层QD2和第三量子点层QD3的朝向基板100的表面上，如图11中图示的。覆盖层CL可以包括诸如氧化硅或氮化硅的无机材料。例如，覆盖层CL可以具有包括氧化硅层和氮化硅层的两层结构。以上描述的遮光层530和堤遮光层510可以位于覆盖层CL的朝向基板100的表面上。此外，当需要时，透明层TL可以被设置成填充遮光层530的开口。
即使在量子点显示装置的情况下，以上参考图6和图7描述的平坦化层207、第一像素电极2211、第二像素电极2212和第三像素电极2213的结构也可以用于实现具有改善的反射色感的显示装置。可替代地，即使在量子点显示装置的情况下，以上参考图9描述的第一像素电极2211的结构也可以用于实现具有改善的反射色感的显示装置。在此情况下，图11的第三像素电极2213也可以与以上参考图9描述的第一像素电极2211具有相同的结构。
如以上描述的，根据实施例，可以实现用于改善反射色感的显示装置。然而，上文中描述的实施例的范围不限于这些效果。
尽管本文中已经描述了特定实施例和实施方式，但是其它实施例和修改将从本描述中显而易见。因此，本发明构思不限于这样的实施例，而是限于随附权利要求以及如对本领域普通技术人员来说将是显而易见的各种明显修改和等同布置的更广泛的范围。

Claims (21)

1.一种显示装置，包括：
薄膜晶体管，设置在基板之上；
平坦化层，设置在所述薄膜晶体管之上；
像素电极，设置在所述平坦化层之上，并且通过提供在所述平坦化层中的接触孔电连接到所述薄膜晶体管；
像素限定层，覆盖所述像素电极的边缘，以暴露所述像素电极的中心部分；以及
堤，被布置成与所述像素限定层隔开，并且被设置在所述像素电极的被所述像素限定层暴露的所述中心部分的一部分之上，当在与所述基板垂直的方向上观看时，所述堤与所述接触孔重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述接触孔被布置在所述像素电极的被所述像素限定层暴露的所述中心部分的中心处。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在所述接触孔的一侧所述平坦化层的上表面相对于所述基板的倾斜方向与在所述接触孔的另一侧所述平坦化层的所述上表面相对于所述基板的倾斜方向相反。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述平坦化层的在所述像素限定层之下的一部分的厚度大于所述平坦化层的在所述堤之下的另一部分的厚度。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素电极的在所述像素限定层之下的一部分的厚度大于所述像素电极的在所述堤之下的另一部分的厚度。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当在与所述基板垂直的所述方向上观看时，所述堤的面积大于所述接触孔的面积。
7.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括:
对电极，一体地形成为单个主体，并且设置在所述像素限定层和所述堤之上。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的显示装置，进一步包括：
遮光层，设置在所述像素限定层之上，并且包括当在与所述基板垂直的所述方向上观看时与所述像素电极的被所述像素限定层暴露的所述中心部分重叠的开口；以及
堤遮光层，设置在所述堤之上，并且当在与所述基板垂直的所述方向上观看时与所述堤重叠。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述堤遮光层包括吸收可见光的材料。
10.一种显示装置，包括：
第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，设置在基板之上；
平坦化层，设置在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之上；
第一像素电极，设置在所述平坦化层之上，并且通过限定在所述平坦化层中的第一接触孔电连接到所述第一薄膜晶体管；
第二像素电极，设置在所述平坦化层之上，并且通过提供在所述平坦化层中的第二接触孔电连接到所述第二薄膜晶体管；
像素限定层，覆盖所述第一像素电极的边缘、所述第二像素电极的边缘以及所述第二像素电极的与所述第二接触孔重叠的部分，以暴露所述第一像素电极的与所述第一接触孔重叠的部分、所述第一像素电极的中心部分以及所述第二像素电极的中心部分；以及
堤，被布置成与所述像素限定层隔开，并且被设置在所述第一像素电极的被所述像素限定层暴露的所述中心部分的一部分之上，当在与所述基板垂直的方向上观看时，所述堤与所述第一接触孔重叠。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一接触孔被布置在所述第一像素电极的被所述像素限定层暴露的所述中心部分的中心处。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，在所述第一接触孔的一侧所述平坦化层的上表面相对于所述基板的倾斜方向与在所述第一接触孔的另一侧所述平坦化层的所述上表面相对于所述基板的倾斜方向相反。
13.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述平坦化层的在所述像素限定层之下的一部分的厚度大于所述平坦化层的在所述堤之下的另一部分的厚度。
14.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一像素电极的在所述像素限定层之下的一部分的厚度大于所述第一像素电极的在所述堤之下的另一部分的厚度。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第二像素电极的厚度是均匀的。
16.根据权利要求10所述的显示装置，其中，当在与所述基板垂直的所述方向上观看时，所述堤的面积大于所述第一接触孔的面积。
17.根据权利要求10所述的显示装置，进一步包括：
对电极，一体地形成为单个主体，并且设置在所述像素限定层和所述堤之上。
18.根据权利要求10所述的显示装置，进一步包括：
第一发射层，设置在所述第一像素电极之上，并且发射第一颜色的光；以及
第二发射层，设置在所述第二像素电极之上，并且发射与所述第一颜色不同的第二颜色的光。
19.根据权利要求10至18中任一项所述的显示装置，进一步包括：
遮光层，设置在所述像素限定层上方，并且包括当在与所述基板垂直的所述方向上观看时与所述第一像素电极和所述第二像素电极的被所述像素限定层暴露的所述中心部分重叠的开口；以及
堤遮光层，设置在所述堤之上，并且当在与所述基板垂直的所述方向上观看时与所述堤重叠。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述堤遮光层包括吸收可见光的材料。
21.根据权利要求19所述的显示装置，进一步包括：
第一滤色器，填充所述遮光层的与所述第一像素电极相对应的所述开口；以及
第二滤色器，填充所述遮光层的与所述第二像素电极相对应的所述开口，
其中所述第一滤色器与所述第一像素电极的被所述像素限定层暴露的所述中心部分重叠，并且所述第二滤色器与所述第二像素电极的被所述像素限定层暴露的所述中心部分重叠。
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