CN116093742A - 一种垂直腔面发射激光器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种垂直腔面发射激光器。该垂直腔面发射激光器包括：衬底；第一布拉格反射镜，第一布拉格反射镜位于衬底的表面；有源区，有源区位于第一布拉格反射镜远离衬底的表面，有源区包括至少两层有源层和至少一个隧道结，任意相邻两层有源层之间设置有一隧道结；每一个隧道结包括P型隧道子层和N型隧道子层，P型隧道子层和N型隧道子层包括的元素相同、组分不同，隧道结内部包括能级势垒，能级势垒用于抑制电子溢出；第二布拉格反射镜，第二布拉格反射镜位于有源区远离第一布拉格反射镜的表面。本发明实施例提供的技术方案提高了隧道结的外延生长质量的同时，降低了隧道结中量子的逃逸程度。

Description

一种垂直腔面发射激光器
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种垂直腔面发射激光器。
背景技术
垂直腔面激光器(VCSEL)，具有很多与生俱来的优势，比如通过金属有机物气相外延(MOVPE)生长即可生成非常平整的布拉格反射镜的出射镜面，将出射镜面对光的损失降低到了很低的水平，使得垂直腔面激光器具有损耗低、光束质量好、调制速度快、结构紧凑、易于量产以及器件可靠性高等优势，进而使其在激光雷达，光通信，探测器等领域有着广泛的应用。其中以GaAs为有源层材料的垂直腔面激光器，广泛应用在中短波长的区间内。
但是相对边发射激光器(EEL)，单结垂直腔面激光器的输出功率仍然较低。于是乎，导入隧道结结构(Tunnel Junction)，采用多个量子阱串联，输出功率增强的多结垂直腔面激光器应运而生。此时隧道结的隧穿效率就直接影响到了垂直腔面激光器的光功率以及能量转换效率(Power conversion efficiency，PCE)等重要性能指标。目前主流的隧道结有两种结构，一种是异质隧道结，一种是同质隧道结。异质隧道结的优势是，可以采用合适的材料，来降低对特定波长的吸收，同时也因为材料不同的原因，在隧道结内部形成了一个能带的壁垒，从而抑制了量子逃逸，提升了隧道结的隧穿效率。可是由于材料不同，通过金属有机物气相外延生长时，材料晶格会有一定概率发生位错或者偏移。因此隧道结的外延生长质量反而有可能影响垂直腔面激光器的性能。另一种是同质隧道结，由于采用了相同的材料，因此在通过金属有机物气相外延生长阶段的晶格质量相对较高。随之带来的问题是，较为平滑的能级曲线以及会牺牲部分波长的吸收，也会影响垂直腔面激光器的性能。隧道结部分的量子在产生隧穿效应，穿过隧道结的同时，还会有一部分量子并不会产生隧穿电流，而是翻越能带壁垒。这种量子翻越壁垒的逃逸，会随着器件两端施加的电压升高，而愈发严重。这限制了隧道结的隧穿效率，从而影响了采用多结结构的垂直腔面激光器的光功率等指标。
发明内容
本发明提供了一种垂直腔面发射激光器，以提高隧道结的外延生长质量的同时，还能降低隧道结中量子的逃逸程度。
根据本发明的一方面，提供了一种垂直腔面发射激光器，包括：
衬底；
第一布拉格反射镜，所述第一布拉格反射镜位于所述衬底的表面；
有源区，所述有源区位于所述第一布拉格反射镜远离所述衬底的表面，所述有源区包括至少两层有源层和至少一个隧道结，任意相邻两层所述有源层之间设置有一所述隧道结；每一个所述隧道结包括P型隧道子层和N型隧道子层，所述P型隧道子层和所述N型隧道子层包括的元素相同、组分不同，所述隧道结内部包括能级势垒，所述能级势垒用于抑制电子溢出；
第二布拉格反射镜，所述第二布拉格反射镜位于所述有源区远离所述第一布拉格反射镜的表面。
可选地，所述P型隧道子层为A(x1)BC,所述N型隧道子层为A(x2)BC,所述X1和所述X2的取值不相等，所述A为所述P型隧道子层和所述N型隧道子层包括的第一种元素，所述B为所述P型隧道子层和所述N型隧道子层包括的第二种元素，所述C为所述P型隧道子层和所述N型隧道子层包括的第三种元素。
可选地，所述X1大于所述X2。
可选地，所述X2大于0。
可选地，所述X1小于1。
可选地，所述X1小于或等于0.41。
可选地，至少两层有源层包括第一有源层和第二有源层，所述隧道结位于所述第一有源层和所述第二有源层之间；
所述第一有源层包括第一N型子层、第一活动区和第一P型子层的叠层；
所述第二有源层包括第二N型子层、第二活动区和第二P型子层的叠层；
所述P型隧道子层和所述第一P型子层的叠层相邻设置；
所述N型隧道子层和所述第二N型子层相邻设置；
所述第一P型子层为A(x)BC，所述第二N型子层为A(x)BC；
所述X等于所述X1，或者，所述X等于所述X2。
可选地，所述A包括Al元素。
可选地，所述B包括Ga元素。
可选地，所述C包括As元素。
本实施例提供的技术方案，P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)的材料相同，通过调节隧道结材料的组分比例，人为在原有较为平滑的隧道结内制造能级壁垒的方法，降低量子逃逸，从而达到提升隧道结量子隧穿效率的目的。并且避免了异质结结构的隧道结由于采用不同材料所导致的生长位错以及应变。最终，将进一步提升采用多结结构垂直腔面激光器的性能指标。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中提供的两层有源层之间设置有一同质结隧道结的能带示意图；
图2是现有技术中提供的两层有源层之间设置有一异质结隧道结的能带示意图；
图3是根据本发明实施例提供的一种垂直腔面发射激光器的结构示意图；
图4是根据本发明实施例提供的一种两层有源层之间设置有一隧道结的能带示意图；
图5是根据本发明实施例提供的另一种两层有源层之间设置有一隧道结的能带示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
为了提高隧道结的外延生长质量的同时，还能降低隧道结中量子的逃逸程度，本发明实施例提供了如下技术方案：
图1是现有技术中提供的两层有源层之间设置有一同质结隧道结的能带示意图。图2是现有技术中提供的两层有源层之间设置有一异质结隧道结的能带示意图。
参见图3，图3是根据本发明实施例提供的一种垂直腔面发射激光器的结构示意图，该垂直腔面发射激光器包括：衬底1；第一布拉格反射镜2，第一布拉格反射镜2位于衬底1的表面；有源区3，有源区3位于第一布拉格反射镜2远离衬底1的表面，有源区3包括至少两层有源层和至少一个隧道结，任意相邻两层有源层之间设置有一隧道结；每一个隧道结包括P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)，P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)包括的元素相同、组分不同，隧道结内部包括能级势垒，能级势垒用于抑制电子溢出；第二布拉格反射镜4，第二布拉格反射镜4位于有源区3远离第一布拉格反射镜2的表面。
可选地，该垂直腔面发射激光器还包括第一电极5、第一欧姆接触层6、第二欧姆接触层7、第二电极8、第一氧化层9以及第二氧化层10。第一氧化层9、第二氧化层10以及第二布拉格反射镜4内部的第三氧化层11氧化后(氧化层氧化后对光场具有限制作用)形成了发光区12。
示例性的，图3中有源区3示出了三层有源层和两个隧道结，三层有源层分别是有源层30、有源层32和有源层34，有源层30和有源层32之间设置有隧道结31，有源层32和有源层34设置有隧道结33。
图3示出的垂直腔面发射激光器的发光原理如下：第一电极5和第二电极8施加电信号，隧道结31串联有源层30和有源层32，隧道结33串联有源层32和有源层34，有源区3的膜层在电信号作用下发光，该光线经过第一布拉格反射镜2和第二布拉格反射镜4的反射后透过发光区12出射。
图4是根据本发明实施例提供的一种两层有源层之间设置有一隧道结的能带示意图；图5是根据本发明实施例提供的另一种两层有源层之间设置有一隧道结的能带示意图，如图4和图5所示，图4和图5示出了任意相邻两层有源层之间设置有一隧道结的能带示意图。图1示出了任意相邻两层有源层之间设置有一同质结隧道结的能带示意图。图2示出了任意相邻两层有源层之间设置有一异质结隧道结的能带示意图。
图1、图2、图4和图5中，示例性的，示出了隧道结31串联有源层30和有源层32的能带示意图。隧道结31包括P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)。与P型隧道子层(P-TJ)相邻的有源层包括有源层30和有源层32。有源层30作为第一有源层，有源层32作为第二有源层。有源层30和有源层32可以代表任意两相邻的有源层。
至少两层有源层包括第一有源层30和第二有源层32。需要说明的是，有源层30作为第一有源层，有源层32作为第二有源层。有源层30和有源层32可以代表任意两相邻的有源层，示例性的，在本实施例中第一有源层使用附图标记30，第二有源层使用附图标记32。第一有源层30包括第一N型子层(N-Layer)、第一活动区(Active Region)和第一P型子层(P-Layer)的叠层。第二有源层30包括第二N型子层(N-Layer)、第二活动区(ActiveRegion)和第二P型子层(P-Layer)的叠层。P型隧道子层(P-TJ)和有源层30的第一P型子层(P-Layer)的叠层相邻设置，N型隧道子层(N-TJ)和有源层32的第二N型子层(N-Layer)相邻设置。
隧道结广泛应用在多结垂直腔面发射激光器以及多结的太阳能电池结构中，传统异质结结构的隧道结多是高掺杂并且不同的材料，因此在能级上虽然会形成一个用以限制载流子逃逸的势垒，但是由于材料晶格的位错，以及应力等原因容易造成晶圆质量的下降。从而降低器件的性能以及可靠性。而同质结结构的隧道结由于往往采用相同材料以及材料组分，因此能级连续且较为平滑。载流子在隧穿的同时，也会有一部分由于热等因素，不经过隧道结，反而逆着能级逃逸。随着隧道结两端电压增加，这种现象会随着温度的升高而愈发显著。本实施例提供的技术方案是在不改变材料的前提下，通过调整隧道结材料的组分，人为制造出具有异质结结构的结隧道结相似效果的能级壁垒，达到类似异质结结构的隧道结的能级结构。因此，采用这种隧道结的结构，既可以大幅降低晶格位错造成的晶圆质量下降，也可以拥有类似异质结隧道结结构的能级壁垒从而有效抑制量子的逃逸，提高隧道结整体的量子隧穿效率。
参见图1，P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)的均为Al(x)GaAs,隧道结31为元素相同且组分相同的同质结隧道结，该同质结隧道结能带连接处能级过度平滑，随着两端施加电压，量子隧穿的同时，也会有部分载流子沿着平滑的能级逃逸。
参见图2，P型隧道子层(P-TJ)为Al(x)GaAs，N型隧道子层(N-TJ)为GaAs，隧道结31为元素不相同的异质结隧道结，该异质结隧道结由于采用的是不同材料，会由于应力以及生长位错导致晶圆质量下降。
如图4和图5所示，隧道结31包括P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)。P型隧道子层(P-TJ)为Al(x1)GaAs，N型隧道子层(N-TJ)为Al(x2)GaAs,本实施例中的技术方案，P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)包括的元素相同，可以避免异质结结构的隧道结导致的晶圆结晶的生长位错以及应力破坏。由于P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)包括的元素相同，但是组分不同，通过调整组成隧道结材料的组分，人为制造出能级不连续的壁垒，相较同质结结构的隧道结结构，在相同电压下，具有能级壁垒的隧道结可以有效抑制载流子逃逸，从而达到增加隧穿效率的目的。同时也避开了异质结结构的隧道结由于材料不同所造成生长位错以及应变导致的晶圆质量下降的问题。示例性的，参见图4，由于P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)包括的元素相同，但是组分不同，图4中P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)之间能带不连续，并会形成一个能级壁垒E1。或者，参见图5，由于P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)包括的元素相同，但是组分不同，图5中P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)之间能带不连续，并会形成一个能级壁垒E2。
本实施例提供的技术方案，P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)的材料相同，通过调节隧道结材料的组分比例，人为在原有较为平滑的隧道结内制造能级壁垒的方法，降低量子逃逸，从而达到提升隧道结量子隧穿效率的目的。并且避免了异质结结构的隧道结由于采用不同材料所导致的生长位错以及应变。最终，将进一步提升采用多结结构垂直腔面激光器的性能指标。
可选地，在上述技术方案的基础上，P型隧道子层为A(x1)BC,N型隧道子层为A(x2)BC,X1和X2的取值不相等，A为P型隧道子层和N型隧道子层包括的第一种元素，B为P型隧道子层和N型隧道子层包括的第二种元素，C为P型隧道子层和N型隧道子层包括的第三种元素。
具体的，P型隧道子层为A(x1)BC,N型隧道子层为A(x2)BC,X1和X2的取值不相等，使得P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)包括的元素相同，可以避免异质结结构的隧道结导致的晶圆结晶的生长位错以及应力破坏。由于P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)包括的元素相同，但是组分不同(X1和X2的取值不相等)，因此相对同质结结构的隧道结中P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)，本实施例提供的技术方案在异质结结构的隧道结的基础上，采用了相同的材料，只是调整了A元素(Al)的组分，因此，最大限度的避免生长错位以及应变导致晶圆质量下降。采用了不同A元素(Al)组分之后，人为制造了能级壁垒，从而在VCSEL两端施加相同电压的情况下，可以有效的抑制逃逸的载流子，从而提升了隧道结的隧穿效率。需要说明的是，在本发明实施例中以A包括Al元素，B包括Ga元素，C包括As元素为例进行介绍。
可选地，在上述技术方案的基础上，X1大于X2。
具体的，P型隧道子层为A(x1)BC,N型隧道子层为A(x2)BC,X1大于X2，使得P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)包括的元素相同，可以避免异质结结构的隧道结导致的晶圆结晶的生长位错以及应力破坏。由于P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)包括的元素相同，但是组分不同(X1大于X2)，因此相对同质结结构的隧道结中P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)，本实施例提供的技术方案内部包括能级势垒，该能级势垒类似于异质结结构的势垒，从而限制了载流子的逸散。
可选地，在上述技术方案的基础上，X2大于0。
具体的，使得P型隧道子层为和N型隧道子层为均包括A元素，使得P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)包括的元素相同，可以避免异质结结构的隧道结导致的晶圆结晶的生长位错以及应力破坏。在本实施例中，A元素选用吸收效果好的Al元素，可以实现限制载流子逸散的作用。
可选地，在上述技术方案的基础上，X1小于1，优选地，X1小于或等于0.41。具体的，X1小于1，优选地，X1小于或等于0.41，使得P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)包括的元素相同，可以避免异质结结构的隧道结导致的晶圆结晶的生长位错以及应力破坏。在组分相差不多的范围内保证组分不同，因此相对同质结结构的隧道结中P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)，本实施例提供的技术方案内部包括能级势垒，该能级势垒类似于异质结结构的势垒，从而限制了载流子的逸散。
可选地，在上述技术方案的基础上，至少两层有源层包括第一有源层和第二有源层，隧道结位于第一有源层和第二有源层之间；第一有源层包括第一N型子层、第一活动区和第一P型子层的叠层；第二有源层包括第二N型子层、第二活动区和第二P型子层的叠层；P型隧道子层和第一P型子层的叠层相邻设置；N型隧道子层和第二N型子层相邻设置；第一P型子层为A(x)BC，第二N型子层为A(x)BC；X等于X1，或者，X等于X2。
参见图4和图5，隧道结31包括P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)。与P型隧道子层(P-TJ)相邻的有源层包括有源层30和有源层32。有源层30作为第一有源层30，有源层32作为第二有源层32。有源层30和有源层32可以代表任意两相邻的有源层。
有源层包括第一有源层30和第二有源层32，第一有源层30包括第一N型子层(N-Layer)、第一活动区(Active Region)和第一P型子层(P-Layer)的叠层。第二有源层32包括第二N型子层(N-Layer)、第二活动区(Active Region)和第二P型子层(P-Layer)的叠层。P型隧道子层(P-TJ)和有源层30的第一P型子层(P-Layer)的叠层相邻设置，N型隧道子层(N-TJ)和有源层32的第二N型子层(N-Layer)相邻设置。第一P型子层为A(x)BC，第二N型子层为A(x)BC。示例性的，参见图4，X等于X1，由于P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)包括的元素相同，但是组分不同，图4中P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)之间能带不连续，并会形成一个能级壁垒E1。或者，参见图5，X等于X2，由于P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)包括的元素相同，但是组分不同，图5中P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)之间能带不连续，并会形成一个能级壁垒E2。
上述技术方案使得P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)包括的元素相同，可以避免异质结结构的隧道结导致的晶圆结晶的生长位错以及应力破坏。但是A元素的组分不同，因此相对同质结结构的隧道结中P型隧道子层(P-TJ)和N型隧道子层(N-TJ)，本实施例提供的技术方案内部包括能级势垒，该能级势垒类似于异质结结构的势垒，从而限制了载流子的逸散。
在本实施例中，通过金属有机物气相外延生长设备在GaAs衬底上用Al(x)GaAs生长第一布拉格反射镜(NDBR)结构,x数值根据具体垂直腔面发射激光器波长与反射率进行调整，以波长为808nm的垂直腔面发射激光器器件为例，x数值分布在0 -1区间内，掺杂浓度在1.0E+17-5.0E+18区间内，厚度约为10微米。有源区3两侧的氧化层材料为Al(x)GaAs，有源区3的有源层中的活动区(包括但不限于第一活动区、第二活动区)部分采用经典的三层量子阱结构，阱(wells)/势垒层(barriers)部分可以选用AlGaAs,GaAsP,AlGaAsP等材料。多个量子阱之间有一个隧道结结构，该结构由不同铝组分的Al(x)GaAs组成。靠近P结的部分是高浓度C掺杂的Al(x1)GaAs组成，x1的取值范围在1-0.5的区间内。靠近N结的部分是高浓度Te掺杂的Al(x2)GaAs所组成，x2的取值范围在0-x1的区间内，隧道结的总厚度在20-40nm的范围内。有源区3的上层会生长一层第二布拉格反射镜(PDBR)结构，材料为Al(x)GaAs，x的数值约为0-1区间。掺杂浓度分布在1.0E+17-5.0E+19得到区间里。最后再用GaAs生长一层厚度约为20nm的高浓度掺杂接触层。完成生长后，对指定的位置进行氧化，制成限制电流用的氧化层(即第一氧化层9、第二氧化层10以及第二布拉格反射镜4内部的第三氧化层11氧化后(氧化层氧化后对光场具有限制作用)形成了发光区12)。并在垂直腔面发射激光器两面分别镀上金属电极，淬火，切割并测试。
应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本申请中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本申请的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。

Claims (10)

1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：
衬底；
第一布拉格反射镜，所述第一布拉格反射镜位于所述衬底的表面；
有源区，所述有源区位于所述第一布拉格反射镜远离所述衬底的表面，所述有源区包括至少两层有源层和至少一个隧道结，任意相邻两层所述有源层之间设置有一所述隧道结；每一个所述隧道结包括P型隧道子层和N型隧道子层，所述P型隧道子层和所述N型隧道子层包括的元素相同、组分不同，所述隧道结内部包括能级势垒，所述能级势垒用于抑制电子溢出；
第二布拉格反射镜，所述第二布拉格反射镜位于所述有源区远离所述第一布拉格反射镜的表面。
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述P型隧道子层为A(x1)BC,所述N型隧道子层为A(x2)BC,所述X1和所述X2的取值不相等，所述A为所述P型隧道子层和所述N型隧道子层包括的第一种元素，所述B为所述P型隧道子层和所述N型隧道子层包括的第二种元素，所述C为所述P型隧道子层和所述N型隧道子层包括的第三种元素。
3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述X1大于所述X2。
4.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述X2大于0。
5.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述X1小于1。
6.根据权利要求5所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述X1小于或等于0.41。
7.根据权利要求2-6任一所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，至少两层有源层包括第一有源层和第二有源层，所述隧道结位于所述第一有源层和所述第二有源层之间；
所述第一有源层包括第一N型子层、第一活动区和第一P型子层的叠层；
所述第二有源层包括第二N型子层、第二活动区和第二P型子层的叠层；
所述P型隧道子层和所述第一P型子层的叠层相邻设置；
所述N型隧道子层和所述第二N型子层相邻设置；
所述第一P型子层为A(x)BC，所述第二N型子层为A(x)BC；
所述X等于所述X1，或者，所述X等于所述X2。
8.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述A包括Al元素。
9.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述B包括Ga元素。
10.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述C包括As元素。
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