CN116086661B - 压力敏感材料的制备方法、压力传感器及传感阵列组件 - Google Patents

Abstract

本发明涉及压力传感器件技术领域，具体涉及一种压力敏感材料的制备方法、压力传感器及传感阵列组件，其中压力敏感材料的制备方法采用按质量百分比依次称取纳米压电材料、导电材料及高分子基底材料混合呈浆料状，并经涂布后固化成型得到压力敏感材料；压力传感器采用层叠式结构，包括第一银电极层、第二银电极层、粘附层、弹性层，以及压力敏感材料；传感阵列组件由压力传感器呈阵列分布形成；本发明组合了压电与压阻的两种传感原理，压电原理为材料提供导电通道，压阻原理是将外部压力信号转变成电阻变化的信号；电阻的变化由材料中形成的导电通道的多少决定的，导电通道越多，电阻越小，两者在量程范围内呈现相关性，性能优越。

Description

压力敏感材料的制备方法、压力传感器及传感阵列组件

技术领域

本发明涉及压力传感器件技术领域，特别涉及一种压力敏感材料的制备方法、压力传感器及传感阵列组件。

背景技术

压力传感器是能感受压力信号，并能按照一定的规律将压力信号转换成可用的输出电信号的器件或装置。压力传感器无论在工业领域还是个人使用领域都有着广泛的应用，理想的压力传感器，应该具有成本低廉、制备简单和耐用性强等特点。

现有压力传感器主要分为柔性压力传感器及刚性压力传感器两种，柔性压力传感器是一种基于柔性压力敏感材料制备而成的新型压力传感器，不同于传统的压力传感器，因其柔韧性好、可自由弯曲、厚度小、灵敏度高、易于大规模生产等优点，尤其适用于柔软表面接触应力的测量，在消费电子、智能家居、智慧医疗、可穿戴设备等领域具有广泛的应用前景，而刚性传感器显然不具备上述优势。

针对柔性压力传感器的制备，由于器件性能与材料及其配比、器件结构都有很强的关联性，现有技术中存在的不足在于：

（1）基于压阻原理的柔性传感器件阵列：现有的压阻传感机理，将导电填料作为第二相加入到导电能力相对较差的高分子材料当中，形成了导电复合材料，压力将会导致复合材料内部导电相的间隔发生变化，基于粒子之间的相互靠近，形成了其导电性随着压力变化而变化的导电网络；目前，市面上的压阻型柔性传感阵列结构设计，厚度差控制不佳引发电阻值的突跃式变化；原材料的选择及其配比，器件对压力的敏感度差，监控量程小，量程一般为5kg～10kg；同时这类传感器的缺点是易出现信号漂移与滞后，压阻传感阵列在长时间小角度反复弯折后很容易失效；

（2）基于压电原理的的器件阵列：其只能监控阵列受力瞬间的压力情况，而不能监控压力持续的时间长短，使得其只能监控传感阵列曾经受过压力，而不能判断某个时刻压力持续的时间以及某个时刻压力是否还存在，这将导致基于压电原理的传感阵列应用场景及受限。

（3）基于电容原理的柔性传感阵列：虽然解决了压电阵列中瞬间受力，但由于电容容易收到电场，磁场，温度，湿度等外界因素的影响而导致阵列发生误报警的概率很大。

由于现有的柔性压力传感原理有各自的缺点，在实际应用中，有诸多的限制；因此，本发明提供了一种压力敏感材料的制备方法、压力传感器及传感阵列组件，以解决现有技术中存在的问题。

发明内容

本发明目的是：提供一种压力敏感材料的制备方法、压力传感器及传感阵列组件，以解决现有技术中结构敏感度差、监控量程小、性能不佳，易受外界环境因素影响的问题。

本发明的技术方案是：一种压力敏感材料的制备方法，所述制备方法如下：

步骤S1：按λ：0.1：1-λ的质量百分比依次称取纳米压电材料、导电材料及高分子基底材料；其中，λ∈[0.01，0.1]；

步骤S2：将纳米压电材料、导电材料及高分子基底材料混合呈浆料状，并经涂布后固化成型得到压力敏感材料；所述压力敏感材料经受力后，内部导电通道数量与电阻倒数呈正相关。

优选的，所述步骤S1中，所述纳米压电材料选用电气石、压电陶瓷、BaTiO₃、SrTiO₃粉末中的任意一种；和/或，

所述导电材料选用PEDOT，聚苯乙炔，碳黑，聚苯胺，聚吡咯，碳纳米管，石墨烯中的任意一种；和/或，

所述高分子基底材料选用环氧树脂、有机硅胶、硅橡胶、Sylgard 184中的任意一种。

优选的，所述纳米压电材料选用电气石，所述导电材料选用碳黑，所述高分子基底材料选用有机硅胶；基于所述电气石、碳黑及有机硅胶的质量总和，所述电气石的质量百分比为3～6.5wt%。

优选的，所述电气石的直径为70±5nm。

基于一种压力敏感材料的制备方法，本发明还研制了一种压力传感器，包括第一银电极层、第二银电极层、粘附层、弹性层，以及所述的压力敏感材料；

所述弹性层设置于所述第一银电极层与所述第二银电极层之间，所述压力敏感材料嵌合于所述弹性层内；所述粘附层形成于所述弹性层外围，并粘连所述第一银电极层及第二银电极层。

优选的，所述弹性层采用XPE或TPU泡棉，且所述弹性层的厚度大于等于所述压力敏感材料的厚度。

优选的，设定所述压力敏感材料的厚度为D，所述粘附层的厚度大于所述压力敏感材料的厚度，两者之间的厚度差为Q*D；其中，D的范围为0.3～0.5mm，Q的取值范围为0.12～0.13。

基于一种压力传感器，本发明还研制了一种传感阵列组件，包括若干所述的压力传感器，若干所述压力传感器呈阵列分布。

优选的，包括第一银电极层、第二银电极层、粘附层、弹性层，以及压力敏感材料；所述弹性层与所述压力敏感材料呈阵列分布；所述第一银电极层及所述第二银电极层上均分布有电极阵列，并与呈阵列分布的压力敏感材料对应设置。

与现有技术相比，本发明的优点是：

（1）本发明基于纳米压电材料的选择，为压阻器件制造导电通道，实现压力导致器件电阻的变化；基于混合材料的特性，组合了压电与压阻的两种传感原理，压电原理为压力敏感材料提供导电通道，压阻原理是将外部压力信号转变成电阻变化的信号；电阻的变化由材料中形成的导电通道的多少决定的，导电通道越多，电阻越小，两者在量程范围内呈现相关性，性能优越。

（2）基于压力敏感材料的制备，制作压力传感器和传感阵列组件，材料性能受原材料及配比、纳米压电材料的粒径影响；制备得到的成品性能受压力敏感材料的性能、粘附层与压力敏感材料的厚度差影响，通过合理设计，既能保证每个压力值都能对应相应的电阻值，又能实现测量量程最大，面积为3.14cm²的压力传感器测量范围为0～65 kg。

（3）关于压力敏感材料的制备，最优的原材料配比使得每个压力值都能对应相应的电阻值，能够测量的量程也最大；粒径的选择使得材料比表面积适中，相同的质量比，产生的电压适中，产生的导电通道的数量适中，制备得到的传感器的压力-电阻呈线性关系，性能稳定。

（4）关于压力传感器和传感阵列组件的制备，在压力敏感材料的原材料中各组分相同配比的情况下，粘附层与压力敏感材料的厚度差控制在0.05mm左右，器件对压力的敏感程度高，并表现处高度一致的压力-电阻线性关系。

附图说明

下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述：

图1为本发明所述压力敏感材料形成导电通道的原理图；

图2为本发明所述压力传感器的结构爆炸图；

图3为本发明实施例1中所述的一种压力传感器在施加2N压力作用下对应的横截面高度拓扑图；

图4为本发明实施例1中所述的一种压力传感器在施加2N压力作用下针对图3中横截面对应的CAFM电流图；

图5为本发明实施例1中所述的一种压力传感器在施加2N压力作用下针对图4中a、b位置对应的电流曲线图；

图6为本发明实施例1中所述的一种压力传感器在施加5N压力作用下对应的横截面高度拓扑图；

图7为本发明实施例1中所述的一种压力传感器在施加5N压力作用下针对图6中横截面对应的CAFM电流图；

图8为本发明实施例1中所述的一种压力传感器在施加5N压力作用下针对图7中c、d位置对应的电流曲线图；

图9为本发明实施例1中所述的一种压力传感器在施加12N压力作用下对应的横截面高度拓扑图；

图10为本发明实施例1中所述的一种压力传感器在施加12N压力作用下针对图9中横截面对应的CAFM电流图；

图11为本发明所述压力敏感材料中的原料配比为0.05：0.1：0.85，粘附层与压力敏感材料厚度差为0.05mm，以及电气石直径为70nm时，制备得到的压力传感器的电阻-时间图；

图12为本发明所述压力敏感材料中的原料配比为0.05：0.1：0.85时，制备得到的压力传感器的电流-时间图；

图13为本发明所述压力敏感材料中的原料配比为0.01：0.1：0.89时，制备得到的压力传感器的电阻-时间图；

图14为本发明所述压力敏感材料中的原料配比为0.05：0.1：0.85时，制备得到的压力传感器的压力-电阻图；

图15为本发明所述压力敏感材料中的原料配比为0.1：0.1：0.8时，制备得到的压力传感器的电阻-时间图；

图16为本发明所述压力传感器在粘附层与压力敏感材料厚度差为0.1mm时对应的电阻-时间图；

图17为本发明所述压力传感器在粘附层与压力敏感材料厚度差为0.15mm时对应的电阻-时间图；

图18为本发明所述压力敏感材料中的电气石直径为10nm时，制备得到的压力传感器的电阻-时间图；

图19为本发明所述压力敏感材料中的电气石直径为200nm时，制备得到的压力传感器的电阻-时间图；

图20为本发明所述传感阵列组件的结构爆炸图。

其中：1、第一银电极层；2、第二银电极层；3、粘附层；4、弹性层；5、压力敏感材料；6、电极阵列。

具体实施方式

下面结合具体实施例，对本发明的内容做进一步的详细说明：

实施例1

一种压力敏感材料的制备方法，制备方法如下：

步骤S1：按0.05：0.1：0.85的质量百分比依次称取电气石、碳黑及有机硅胶；其中，电气石属于纳米压电材料，碳黑属于导电材料，有机硅胶属于高分子基底材料；结合图1所示，纳米压电材料的功能是为压阻器件制造导电通道，实现压力导致器件电阻的变化，本实施例中纳米压电材料采用直径为70nm的电气石；

步骤S2：将电气石、碳黑及有机硅胶混合呈浆料状，涂覆于基底材料表面，并在70～100℃的温度下固化成型；将成型的压力敏感材料从基底材料上撕除，并裁切即可。

基于制备好的压力敏感材料，研制一种压力传感器，如图2所示，包括第一银电极层1、第二银电极层2、粘附层3、弹性层4，以及的压力敏感材料5；弹性层4采用XPE或TPU泡棉，设置于第一银电极层1与第二银电极层2之间，压力敏感材料5嵌合于弹性层4内，弹性层4的厚度大于等于压力敏感材料5的厚度，用于实现受压后结构的回弹；粘附层3形成于弹性层4外围，并粘连第一银电极层1及第二银电极层2。设定压力敏感材料5的厚度为D，粘附层3的厚度大于压力敏感材料5的厚度，两者之间的厚度差为Q*D；其中，D的取值范围为0.3～0.5mm，Q的取值范围为0.12～0.13。本实施例中，粘附层3的厚度为0.4mm，Q作为系数选取0.125，则粘附层3与压力敏感材料5的厚度差为0.05mm。

压力传感器制备完成后，将压力传感器进行切割，并对其施加压力，然后用导电原子力显微镜扫描其横截面：

在施加2N的压力作用下，如图3所示，在高度拓扑图中，在压力作用方向上，高分子基底材料出现高度差，再结合图4所示，在压力传感器形成高度差的位置处对应产生有导电通道，以图4中对应的a、b位置所示，结合图5可知，对应的导电通道处有突跃式的电流变化，其中a位置对应图5左侧纵坐标所示的电流曲线，b位置对应图5右侧纵坐标所示的电流曲线；电流方向与施力方向相同，以图4所示为例，电流方向为上下方向；

在施加5N的压力作用下，结合图6～8所示，因施加压力的作用，材料内部仍然形成有导电通道，其导电通道的数量相较于2N的施力作用下明显增多，以图7中对应的c、d位置所示，对应的导电通道处产生的电流也明显增大，其中c位置对应图8左侧纵坐标所示的电流曲线，d位置对应图8右侧纵坐标所示的电流曲线；电流方向与施力方向相同，以图7所示为例，电流方向为上下方向；

在施加12N的压力作用下，结合图9、10所示，被触发的导电通道更进一步的明显增多，电流方向与施力方向相同，以图10为例，电流方向为左右方向。

由此可知，压力敏感材料经受力后，内部导电通道的数量与施加压力呈正相关，再结合附图11可知，不同压力对应不同的电阻值，随着压力值的增加，传感器的电阻值将不是一个固定值，呈现出缓慢降低的趋势，所有的压力值台阶都平滑，每一个压力值都能对应相应的电阻值，能够测量的量程较大，最大能达65kg。

再结合图12可知，基于单个传感器的电流-时间图，传感器能测试的最小压力值为0.1g，同时可以看出，传感器承受重量与电流（电阻）呈现很好的线性关系。

结合图13所示，根据不同的压力对应不同的电阻，得出的压力-电阻图呈现出指数关系：。取电阻的倒数，曲线呈现出很好的线性，线性度为0.99905。

综合上述，本发明中，压力传感器受力后的电阻变化由材料中形成的导电通道的多少决定，导电通道越多，电阻越小，进而实现导电通道与电阻的倒数呈正相关。

综合上述，针对压力传感器的设计，本申请中采用的压力敏感材料由纳米压电材料、导电材料及高分子基底材料组成，在结构设计上，压力敏感材料与一侧银电极层相贴，与另一侧银电极层之间因弹性层的设置而存在间隙；制备得到的压力传感器组合了压电与压阻的两种传感原理，电阻的变化由材料中形成的导电通道的多少决定。

而传统压力传感器，压力敏感材料由导电材料及高分子材料组成，在结构设计上，压力敏感材料采用涂布的方式形成于银电极层之间；制备得到的压力传感器基于压阻原理，通过粒子之间的相互靠近，形成了其导电性随着压力变化而变化的导电网络。

结合本申请与传统结构设计，压力传感器还可采用如下设计方式：材料上，压力敏感材料采用导电材料及高分子基底材料组成；结构上，压力敏感材料与一侧银电极层相贴，与另一侧银电极层之间因弹性层的设置而存在间隙；制备得到的压力传感器同样基于压阻原理形成导电网络，但压力敏感材料采用非涂布的方式设计，能够实现量程内的压力监测，但性能稳定性劣于本申请中涉及的压力传感器。

实施例2

一种压力敏感材料的制备方法，制备方法如下：

步骤S1：按0.05：0.1：0.85的质量百分比依次称取电气石、碳黑及有机硅胶；其中，电气石属于纳米压电材料，碳黑属于导电材料，有机硅胶属于高分子基底材料；纳米压电材料的功能是为压阻器件制造导电通道，实现压力导致器件电阻的变化，本实施例中采用直径为70nm的电气石；

步骤S2：将电气石、碳黑及有机硅胶混合呈浆料状，涂覆于基底材料表面，并在70～100℃的温度下固化成型；将成型的压力敏感材料从基底材料上撕除，并裁切即可。

经制备得到的传感器，设定粘附层与压力敏感材料的厚度差为0.05mm；结合附图14可知，不同压力对应不同的电阻值，由于纳米压电材料的含量较少，相同压力触发的导电通道也比较少，但基于材料特性，随着压力的持续施加，导电通道持续缓慢增加，使得传感器电阻值一直持续缓慢降低。

实施例3

一种压力敏感材料的制备方法，制备方法如下：

步骤S1：按0.1：0.1：0.8的质量百分比依次称取电气石、碳黑及有机硅胶；其中，电气石属于纳米压电材料，碳黑属于导电材料，有机硅胶属于高分子基底材料；纳米压电材料的功能是为压阻器件制造导电通道，实现压力导致器件电阻的变化，本实施例中采用直径为70nm的电气石；

步骤S2：将电气石、碳黑及有机硅胶混合呈浆料状，涂覆于基底材料表面，并在70～100℃的温度下固化成型；将成型的压力敏感材料从基底材料上撕除，并裁切即可。

经制备得到的传感器，设定粘附层与压力敏感材料的厚度差为0.05mm；如图15所示，随着纳米压电材料粒子含量的增加，能够触发的压力变小，而且小压力能够发生较大信号的突变。传感器能够测量的压力范围（量程）大大减小。

综合上述实施例1～3可知，在不同配比下，随着纳米压电材料含量的减少，相同压力触发的导电通道变少，导致触发传感器的压力值变大，敏感度降低；随着纳米压电材料含量的增加，器件监控量程减小；而在原料质量百分比为0.05：0.1：0.85时，制备得到的压力传感器的性能最佳；因此，选择最优配比为0.05：0.1：0.85。

实施例4

步骤S1：按0.05：0.1：0.85的质量百分比依次称取电气石、碳黑及有机硅胶；其中，电气石属于纳米压电材料，碳黑属于导电材料，有机硅胶属于高分子基底材料；纳米压电材料的功能是为压阻器件制造导电通道，实现压力导致器件电阻的变化，本实施例中采用直径为70nm的电气石；

步骤S2：将电气石、碳黑及有机硅胶混合呈浆料状，涂覆于基底材料表面，并在70～100℃的温度下固化成型；将成型的压力敏感材料从基底材料上撕除，并裁切即可。

本实施例与实施例1的不同点在于：一种压力传感器，包括第一银电极层1、第二银电极层2、粘附层3、弹性层4，以及的压力敏感材料5；其中，粘附层3的厚度大于压力敏感材料4的厚度，厚度差为0.1mm。结合图16所示，为本实施例中压力传感器的电阻-时间图，相较于实施例1中的图3可知，本实施例中压力传感器对压力的敏感度减小。

实施例5

本实施例与实施例1的不同点在于：一种压力传感器，包括第一银电极层1、第二银电极层2、粘附层3、弹性层4，以及的压力敏感材料5；其中，粘附层3的厚度大于压力敏感材料5的厚度，厚度差为0.15mm。结合图17所示，为本实施例中压力传感器的电阻-时间图，相较于实施例4对应的图16可知，本实施例中压力传感器对压力的敏感度进一步降低，同时还出现了电阻值的突跃。

实施例6

本实施例与实施例1的不同点在于：一种压力传感器，包括第一银电极层1、第二银电极层2、粘附层3、弹性层4，以及的压力敏感材料5；其中，粘附层3与压力敏感材料5的厚度相同。

通过试验可知，当粘附层的厚度小于压力敏感材料的厚度时，在没有压力情况下，压力传感点保持导通状态，判断阵列为不良品；结合实施例6可知，当粘附层厚度等于压力敏感材料的厚度时，在进行检测时仍然存在压力传感点保持导通状态的状态，进而导致使用场景下监测不精准；综合实施例1、4、5可知，当粘附层的厚度大于压力敏感材料的厚度时，相同配比下，粘附层与敏感层的高度差越小，器件对压力越敏感，器件表现出高度一致的压力-电阻线性关系。而高度差越大，器件压力-电阻的线性度较差，器件对压力敏感度下降的同时，量程也会变小。

再者，随着粘附层与压力敏感材料的厚度差增加，传感器对压力敏感度下降，传感器电阻与压力的线性度下降。压力增加到某一个临界点，将会出现电阻值的突跃。这是由于随着厚度差的增加，小压力只能让传感器发生很小变化，当压力增加到一定的程度，电阻值的降低抵消了厚度差，将会发生突跃性的电阻值降低。

实施例7

本实施例与实施例1的不同点在于：压力敏感材料的制备过程中，纳米压电材料的功能是为压阻器件制造导电通道，实现压力导致器件电阻的变化，本实施例中采用直径为10nm的电气石。

结合图18所示，由于电气石粒径越小，其比表面积越大，相同的质量比，其表面产生的电场强度越大，容易产生导电通道，从而使得产生的导电通道数量增加，压力与器件电阻呈现指数关系，而且量程很小。

而采用直径为70nm的电气石制备压力敏感材料时，结合图3所示，由于材料比表面积适中，相同的质量比，产生的电压适中，产生的导电通道的数量适中，压力和器件电阻成线性关系。

实施例8

本实施例与实施例1的不同点在于：压力敏感材料的制备过程中，纳米压电材料的功能是为压阻器件制造导电通道，实现压力导致器件电阻的变化，本实施例中采用直径为200nm的电气石。

如图19所示，由于材料比表面积小，相同的质量比，产生的电压小，发生通电的概率降低。压力与器件电阻在低压阶段，到达阈值压力下，压力与电阻呈现饱和状态，随着压力增加，电阻降低缓慢。

综合上述实施例，影响压力传感器性能的主要因素包括：压力敏感材料中原料的种类及配比、原料中电气石的直径、结构成型时粘附层与压力敏感材料的厚度差；当电气石、碳黑及有机硅胶的质量百分比为0.05：0.1：0.85，电气石的直径为70nm，粘附层与压力敏感材料的厚度差为0.05mm时，压力传感器的性能达到最优，敏感度高且监测量程大。

本发明中关于纳米压电材料、导电材料及高分子基底材料的最优选择为：纳米压电材料选用电气石，导电材料选用碳黑，高分子基底材料选用有机硅胶；当然，纳米压电材料还可选用压电陶瓷、BaTiO₃、SrTiO₃粉末中的任意一种；导电材料还可选用PEDOT，聚苯乙炔，聚苯胺，聚吡咯，碳纳米管，石墨烯中的任意一种；高分子基底材料还可选用环氧树脂、硅橡胶、Sylgard 184中的任意一种。

基于一种压力传感器，本发明还研制了一种传感阵列组件，如图20所示，包括若干个压力传感器，若干压力传感器呈阵列分布；具体的，包括第一银电极层1、第二银电极层2、粘附层3、弹性层4，以及的压力敏感材料5；其中弹性层4及压力敏感材料5呈阵列分布，弹性层4采用XPE或TPU泡棉，设置于第一银电极层1与第二银电极层2之间，压力敏感材料5嵌合于弹性层4内，弹性层4的厚度大于等于压力敏感材料5的厚度，主要提供回弹功能，在压力撤离后，恢复传感器的电阻至无穷大；第一银电极层1与第二银电极层2上均分布有电极阵列6，并与阵列分布的压力敏感材料5对应设置；粘附层3形成于弹性层4外围，并粘连第一银电极层1及第二银电极层2，实现整个产品的固定。

上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明，因此无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。

Claims (8)

1.一种压力敏感材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法如下：

步骤S1：按λ：0.1：1-λ的质量百分比依次称取纳米压电材料、导电材料及高分子基底材料；其中，λ∈[0.01，0.1]；

步骤S2：将纳米压电材料、导电材料及高分子基底材料混合呈浆料状，并经涂布后固化成型得到压力敏感材料；所述压力敏感材料经受力后，内部基于压电原理形成的导电通道的数量与基于压阻原理所产生的电阻倒数呈正相关；

其中，所述纳米压电材料选用电气石，所述电气石的直径为70±5nm，所述电气石的直径与其表面产生的电场强度呈负相关。

2.根据权利要求1所述的压力敏感材料的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，所述导电材料选用PEDOT，聚苯乙炔，碳黑，聚苯胺，聚吡咯，碳纳米管，石墨烯中的任意一种；和/或，

所述高分子基底材料选用环氧树脂、有机硅胶、硅橡胶、Sylgard184中的任意一种。

3.根据权利要求2所述的压力敏感材料的制备方法，其特征在于：所述导电材料选用碳黑，所述高分子基底材料选用有机硅胶；基于所述电气石、碳黑及有机硅胶的质量总和，所述电气石的质量百分比为3～6.5wt%。

4.一种压力传感器，其特征在于：包括第一银电极层、第二银电极层、粘附层、弹性层，以及权利要求1～3任一项所述的压力敏感材料；

所述弹性层设置于所述第一银电极层与所述第二银电极层之间，所述压力敏感材料嵌合于所述弹性层内；所述粘附层形成于所述弹性层外围，并粘连所述第一银电极层及第二银电极层。

5.根据权利要求4所述的压力传感器，其特征在于：所述弹性层采用XPE或TPU泡棉，且所述弹性层的厚度大于等于所述压力敏感材料的厚度。

6.根据权利要求4所述的压力传感器，其特征在于：设定所述压力敏感材料的厚度为D，所述粘附层的厚度大于所述压力敏感材料的厚度，两者之间的厚度差为Q*D；其中，D的范围为0.3～0.5mm，Q的取值范围为0.12～0.13。

7.一种传感阵列组件，其特征在于：包括若干如权利要求5～6任一项所述的压力传感器，若干所述压力传感器呈阵列分布。

8.根据权利要求7所述的传感阵列组件，其特征在于：包括第一银电极层、第二银电极层、粘附层、弹性层，以及压力敏感材料；所述弹性层与所述压力敏感材料呈阵列分布；所述第一银电极层及所述第二银电极层上均分布有电极阵列，并与呈阵列分布的压力敏感材料对应设置。