CN116075604A - 使用气体分配单元的气体供应方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种使用气体分配单元的气体供应方法，气体分配单元包括分别安装在多个气体供应通道上的多个气体流速控制设备，并配置为单独地控制通过各个气体供应通道供应的处理气体的流速，并且不同地调整通过各个气体供应通道供应的处理气体的气体供应时间和供应顺序，从而改善沉积薄膜在衬底的整个表面区域上的厚度均匀性。

Description

使用气体分配单元的气体供应方法

技术领域

本公开涉及一种气体供应方法，更具体地，涉及一种使用气体分配单元的气体供应方法，其包括分别安装在气体分配单元的多个气体供应通道上的多个气体流速控制设备，并且单独地控制通过各气体供应通道的气体的流速和分配顺序，从而改善沉积薄膜在衬底的整个表面区域上的厚度均匀性。

背景技术

通常，执行各种工艺来制造半导体设备或平面显示设备。各种工艺包括在衬底上沉积由特定材料制成的薄膜的薄膜沉积工艺，通过使用光敏材料曝光或隐藏薄膜的选定区域的光刻工艺，以及通过去除薄膜的选定区域以期望方式对薄膜进行图案化的蚀刻工艺。每种工艺都在衬底处理设备中执行，该衬底处理设备被设计成为相应的工艺提供最佳的环境。

特别地，沉积工艺中的重要控制元素之一是沉积在衬底上的薄膜的厚度均匀性。具体地，重要的是控制沉积在衬底上的薄膜的厚度，使得薄膜在衬底的整个表面区域上均匀地形成。当在衬底的整个表面区域上的沉积薄膜的厚度不均匀时，产品的质量、或半导体设备或平板显示设备的性能降低。

图1A是示出根据现有技术的衬底处理设备的示意图，以及图1B是示出衬底的示意性截面图，由图1A的衬底处理设备在其上完全地执行了沉积工艺。

如图1A所示，根据现有技术的反应腔室10包括：气体供应通道1，通过气体供应通道1从源材料存储单元供应源气体；气体分配板3，其配置为将从气体供应通道1排出的源气体喷射到衬底安置单元7的顶部上；气体供应通道1的出口1a；以及气体扩散空间5，其形成在气体分配板3上方并配置为扩散源气体。

根据现有技术的气体分配板3包括穿过气体分配板的一个表面和另一个表面形成的多个喷射孔4。

参照图1A，从气体供应通道的出口到各个喷射孔的距离彼此不同。因此，从气体供应通道的出口排出的源气体在气体扩散空间中扩散以抵达喷射孔入口的源气体扩散路径的长度根据各个喷射孔的位置而不同。结果，在气体分配板的喷射孔中，位于气体分配板的边缘部分并因此具有最长源气体扩散路径的喷射孔的出口的分压比位于气体分配板的中心部分并具有最短源气体扩散路径的喷射孔的出口要低。因此，从气体分配板边缘部分的喷射孔排出的源气体的流速不可避免地低于从气体分配板中心部分的喷射孔排出的源气体的流速。因此，如图1B所示，沉积在衬底中心部分上的薄膜的厚度t2不可避免地比沉积在衬底边缘部分上的薄膜的厚度t1大得多。也就是说，在现有技术中，源气体根据形成在气体分配板中的喷射孔的位置以不同的流速喷射，这使得难以保证沉积薄膜在整个衬底表面区域上的厚度均匀性。

为了解决这样的问题，根据现有技术的衬底处理设备中的扩散空间通过分隔壁被分成多个扩散区域，并且用于将处理气体供应到扩散区域的气体分配单元配置为包括多个气体供应通道，以便改善沉积薄膜在衬底整个表面区域上的厚度均匀性。

然而，即使在根据现有技术的衬底处理设备中，扩散空间被分隔壁分成多个扩散区域，并且包括多个气体供应通道的气体分配单元通过与扩散区域对应的气体供应通道仅向每个扩散区域供应气体以执行气体扩散。因此，由于槽阀部分处的温度不平衡、由于排气单元的存在导致的压力不平衡、以及形成在腔室的长轴和短轴上的壁加热器之间的尺寸不平衡，在衬底处理设备的腔室中可能发生电极的变形。因此，在改善沉积薄膜在整个衬底表面区域上的厚度均匀性方面存在限制。

发明内容

各种实施例涉及一种使用气体分配单元的气体供应方法，其包括分别安装在气体分配单元的多个气体供应通道上的多个气体流速控制设备，并且单独地控制通过各气体供应通道的气体的流速和分配顺序，从而改善沉积薄膜在衬底的整个表面区域上的厚度的均匀性。

在一个实施例中，提供了一种使用气体分配单元的气体供应方法，所述气体分配单元通过第一气体供应通道、第二气体供应通道、第三气体供应通道、第四气体供应通道和第五气体供应通道将处理气体供应到第一区域、第二区域、第三区域、第四区域和第五区域，所述第一区域对应于衬底处理设备中的气体扩散空间的中心区域，所述第二区域、第三区域、第四区域和第五区域对应于所述气体扩散空间的各边缘区域，每一个气体供应通道包括气体流速控制设备。气体供应方法可包括：第一供应步骤，通过第一气体供应通道将处理气体供应至第一区域、或分别通过第一至第五气体供应通道将处理气体供应至第一至第五区域；以及第二供应步骤，分别通过第二至第五气体供应通道将处理气体供应至所述第二至第五区域。

在一个实施例中，提供了一种使用气体分配单元的气体供应方法，所述气体分配单元通过第一气体供应通道、第二气体供应通道、第三气体供应通道、第四气体供应通道和第五气体供应通道将处理气体供应到第一区域、第二区域、第三区域、第四区域和第五区域，所述第一区域对应于衬底处理设备中的气体扩散空间的中心区域，所述第二区域、第三区域、第四区域和第五区域对应于所述气体扩散空间的各边缘区域，每一个气体供应通道包括气体流速控制设备。气体供应方法可包括：第一供应步骤，通过第一气体供应通道将处理气体供应至第一区域、或分别通过第一至第五气体供应通道将处理气体供应至第一至第五区域；以及第二供应步骤，分别通过第二至第五气体供应通道中的一个或多个气体供应通道将处理气体供应至第二至第五区域中的一个或多个区域。

根据本公开的实施例，使用气体分配单元的气体供应方法可以不同地控制供应到衬底的中心部分的处理气体的流速和供应到衬底的边缘部分的处理气体的流速，并且不同地调整供应到衬底的中心部分和边缘部分的气体的分配顺序。

此外，气体供应方法可单独地控制供应至衬底的中心部分及边缘部分的处理气体的流速及流动时间，并不同地调整通过各气体供应通道供应的气体的分配顺序，以控制处理气体供应。因此，可以改善沉积薄膜在整个衬底表面区域上的厚度均匀性。

附图说明

图1A是示出根据现有技术的衬底处理设备的示意图。

图1B是示出由图1A的衬底处理设备在其上完全执行了沉积工艺的衬底的示意性截面图。

图2是示出根据本公开的实施例的气体分配单元的示意性透视图。

图3A是示出使用根据本公开的实施例的气体分配单元的气体供应方法的工艺流程图。

图3B是示意性地说明根据图3A的实施例的工艺流程的图。

图3C是示意性地说明根据图3A的另一实施例的工艺流程的图。

图4A是示出使用根据本公开的实施例的气体分配单元的气体供应方法的工艺流程图。

图4B是示意性地说明根据图4A的实施例的工艺流程的图。

图4C是示意性地说明根据图4A的另一实施例的工艺流程的图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。本说明书和权利要求中使用的术语不应被解释成限制为典型的和字典的含义，而应解释为与本公开的技术问题一致的含义和概念。

在本说明书中描述的实施例和附图中示出的部件是本公开的优选实施例，并不代表本公开的所有技术构思。因此，在提交本申请时可以存在可以替代实施例的各种等同物和修改。

包括根据本公开的实施例的气体分配单元的衬底处理设备包括：处理腔室，在处理腔室中执行衬底的沉积工艺；气体分配单元，配置为向处理腔室内的气体扩散空间供应和分配处理气体；衬底安置单元，配置为支撑衬底；以及排气单元，配置为在沉积工艺完成后，将处理腔室内的残留处理气体和沉积残留物质排出到处理腔室的外部。

下文将更详细地描述根据本公开的实施例的气体分配单元。

图2是示出根据本公开的实施例的气体分配单元的示意性透视图。图2示出了气体分配单元包括五个气体供应通道并且气体扩散空间由五个区域组成，但是气体供应通道和区域的数量可以自由地改变。

如图2所示，根据本公开实施例的气体分配单元100包括气体扩散板110，第一至第五气体供应源121至125，第一至第五气体供应通道131至135以及第一至第五气体流速控制设备141至145。

气体扩散板110具有形成在其上的气体扩散空间，处理气体在该空间中扩散。气体扩散空间可以由分隔壁(未示出)分成第一区域151和第二至第五区域152至155。第一区域151对应于中心区域，第二至第五区域152至155对应于边缘区域。

处理气体从第一至第五气体供应源121至125分别通过第一至第五气体供应通道131至135供应至第一至第五区域151至155。图2示出了第一至第五气体供应通道131至135分别连接至第一至第五气体供应源121至125。然而，第一至第五气体供应通道131至135可连接至一个气体供应源以供应处理气体。

第一气体供应通道131将处理气体供应到作为气体扩散空间的中心区域的第一区域151，第二至第五气体供应通道132至135将处理气体供应到作为气体扩散空间的边缘区域的第二至第五区域152至155。

第一至第五气体供应通道131至135进一步包括第一至第五气体流速控制设备141至145，每个气体流速控制设备141至145配置为控制处理气体的流速。

根据本公开的实施例的气体分配单元100可以通过使用安装在第一至第五气体供应通道131至135上的第一至第五气体流速控制设备141至145来单独地控制通过第一至第五气体供应通道131至135供应至第一至第五区域151至155的处理气体的流速，供应时间和供应顺序，以便供应处理气体。此时，第一至第五气体流速控制设备141至145也可检查通过第一至第五气体供应通道131至135供应的处理气体的流速。

通常衬底处理设备包括安装在其腔室内的槽阀和排气单元，以及沿着腔室外壁安装的壁加热器。因此，由于腔室内部的槽阀位置导致的温度不平衡，由排气单元引起的压力不平衡、以及由形成在腔室的长轴和短轴上的壁加热器之间的尺寸差引起的不平衡可能使电极变形。结果，沉积在衬底中心部分上的薄膜可以具有与沉积在其边缘部分上的薄膜不同的厚度。

然而，根据本发明实施例的包括气体分配单元100的衬底处理设备可通过使用第一至第五气体流速控制设备141至145单独地控制从第一至第五气体供应通道131至135供应至第一至第五区域151至155的处理气体的流速、流动时间及流动顺序，由此消除沉积在衬底中心部分上的薄膜和沉积在其边缘部分上的薄膜之间的厚度不均匀性。

此后，将描述使用根据本公开的实施例的气体分配单元的气体供应方法。

图3A是示出使用根据本公开的实施例的气体分配单元的气体供应方法的工艺流程图，图3B是示意性地说明根据图3A的实施例的工艺流程的图，以及图3C是示意性地说明根据图3A的另一实施例的工艺流程的图。

参照图3A和3B，使用根据本公开的实施例的气体分配单元的气体供应方法包括第一供应步骤S310和第二供应步骤S320。

在第一供应步骤S310中，处理气体通过第一气体供应通道131从第一气体供应源121供应到对应于气体扩散空间的中心区域的第一区域151。此时，安装在第二至第五气体供应通道132至135上的第二至第五气体流速控制设备142至145中的阀全部关闭，并且仅第一气体流速控制设备141中的阀打开以仅通过第一气体供应通道131供应处理气体。

第一气体供应通道131具有第一气体流速控制设备141以控制处理气体的流速。在第一供应步骤S310中，可以在调整第一气体流速控制设备141中的阀以控制处理气体的流速和供应时间的同时供应处理气体，以便形成具有期望厚度的薄膜。

在第一供应步骤S310中，通过第一气体供应通道131供应到中心的处理气体可以通过气体喷射单元(未示出)供应到衬底上。然而，尽管供应到中心的处理气体被供应到衬底上，但电极可能由于腔室中的温度或压力的不平衡而变形。因此，沉积在衬底中心部分上的薄膜的厚度可以不同于沉积在其边缘部分上的薄膜的厚度。此外，随着衬底尺寸的增加，供应到衬底中心部分的处理气体可能不足以扩散到其边缘部分，使得沉积在衬底中心部分上的薄膜厚度不同于沉积在衬底边缘部分上的薄膜厚度。因此，需要一种使衬底边缘部分的薄膜厚度与衬底中心部分的薄膜厚度均匀化的工艺。

在第二供应步骤S320中，处理气体通过第二至第五气体供应通道132至135供应到对应于气体扩散空间的边缘区域的第二至第五区域152至155。此时，关闭第一气体流速控制设备141中的阀，并且仅打开安装在第二至第五气体供应通道132至135上的第二至第五气体流速控制设备142至145中的阀，以仅通过第二至第五气体供应通道132至135供应处理气体。

第二至第五气体供应通道132至135具有第二至第五气体流速控制设备142至145，每个气体流速控制设备142至145配置为控制处理气体的流速。在第二供应步骤S320中，可以在调整第二至第五气体流速控制设备142至145中的阀以控制处理气体的流速和供应时间的同时供应处理气体，以便在衬底的边缘部分形成具有期望厚度的薄膜。

也就是说，当调整第二至第五气体流速控制设备142至145中的阀时，通过第二至第五气体供应通道132至135供应的处理气体的流速可根据电极的变形而设置成相同或不同的值。

在一般的衬底处理设备中，由于槽阀部分处的温度不平衡、由于排气单元的存在引起的压力不平衡、以及形成在腔室的长轴和短轴上的壁加热器之间的尺寸不平衡，在腔室中可能发生电极的变形。这种电极变形通常发生在衬底的边缘部分。因此，取决于槽阀和排气单元的位置，沉积在衬底边缘部分上的薄膜可能具有不同的厚度。

因此，需要一种通过将处理气体选择性地供应到边缘部分的特定部分上——该处薄膜具有特别小的厚度——来补偿薄膜厚度的工艺，以便使衬底边缘部分处的薄膜厚度均匀化。

因此，使用根据本公开实施例的气体分配单元的气体供应方法可以进一步包括在第二供应步骤S320之后将处理气体供应到气体扩散空间的一些边缘部分上的第三供应步骤S330。

在第三供应步骤S330中，处理气体通过第二和第三气体供应通道132和133供应到对应于气体扩散空间的边缘区域的第二和第三区域152和153。此时，关闭第一、第四和第五气体流速控制设备141，144和145中的阀，并且仅打开安装在第二和第三气体供应通道132和133上的第二和第三气体流速控制设备142和143中的阀，以仅通过第二和第三气体供应通道132和133供应处理气体。

图3B示出了处理气体被供应到第二和第三区域。然而，考虑到沉积在衬底边缘部分上的薄膜的厚度，可以通过第二至第五气体供应通道中的一个或多个气体供应通道将处理气体供应到第二至第五区域中需要额外供应处理气体的一个或多个区域。

第二和第三气体供应通道132和133包括第二气体流速控制设备142和第三气体流速控制设备143，第二气体流速控制设备142和第三气体流速控制设备143均配置为控制处理气体的流速。在第三供应步骤S330中，可以在调整第二和第三气体流速控制设备142和143中的阀以控制处理气体的流速和供应时间的同时供应处理气体，以便在衬底的边缘部分形成具有期望厚度的薄膜。

也就是说，当调整第二和第三气体流速控制设备142和143中的阀时，通过第二和第三气体供应通道132和133供应的处理气体的流速可以根据电极的变形设定为相同的或不同的值。

参照图3A和3C，根据本公开的另一实施例的使用气体分配单元的气体供应方法包括第一供应步骤S310和第二供应步骤S320。

在第一供应步骤S310中，通过第一至第五气体供应通道131至135将处理气体从第一至第五气体供应源121至125供应到对应于气体扩散空间的中心区域的第一区域151和对应于气体扩散区域的边缘区域的第二至第五区域152至155。此时，安装在第一至第五气体供应通道131至135上的第一至第五气体流速控制设备141至145中的阀全部打开以通过第一至第五气体供应通道131至135供应处理气体。也就是说，在第一供应步骤S310中，可以在调整第一至第五气体流速控制设备141至145中的阀以控制处理气体的流速和供应时间的同时供应处理气体，以便形成具有期望厚度的薄膜。

在第一供应步骤S310中，通过第一至第五气体供应通道131至135供应到第一至第五区域151至155的处理气体可以通过气体喷射单元(未示出)供应到衬底上。然而，尽管供应到第一至第五区域151至155的处理气体被喷射到衬底上，但是由于腔室中温度或压力的不平衡，电极可能变形。因此，衬底中心部分的薄膜厚度可以不同于衬底边缘部分的薄膜厚度。此外，随着衬底尺寸的增加，供应到衬底中心部分的处理气体可能不足以扩散到其边缘部分，使得沉积在衬底中心部分上的薄膜厚度不同于沉积在衬底边缘部分上的薄膜厚度。因此，需要一种使衬底边缘部分的薄膜厚度与衬底中心部分的薄膜厚度均匀化的工艺。

因此，在第一供应步骤S310之后执行第二供应步骤S320。在第二供应步骤S320中，处理气体通过第二至第五气体供应通道132至135供应到对应于气体扩散空间的边缘区域的第二至第五区域152至155。由于第二供应步骤S320以与参照图3B描述的相同的方式执行，因此这里将省略其详细描述。

此外，由于槽阀部分处的温度不平衡、由于排气单元的存在引起的压力不平衡、以及形成在腔室的长轴和短轴上的壁加热器之间的尺寸不平衡，在腔室中可能发生电极的变形。这种电极变形通常发生在衬底的边缘部分。因此，根据槽阀和排气单元的位置，沉积在衬底边缘部分上的薄膜可能具有不同的厚度。

因此，需要一种通过选择性地将处理气体供应到边缘部分的特定部分上——该处薄膜具有特别小的厚度——来补偿薄膜厚度的工艺，以便使衬底边缘部分处的薄膜厚度均匀化。

因此，气体供应方法可以进一步包括在第二供应步骤S320之后的第三供应步骤S330。由于第三提供步骤S330以与参照图3B描述的相同的方式执行，因此这里将省略其详细描述。

图4A是示出根据本公开的另一实施例的使用气体分配单元的气体供应方法的工艺流程图，图4B是示意性地说明根据图4A的实施例的工艺流程的图，以及图4C是示意性地说明根据图4A的另一实施例的工艺流程的图。

参照图4A和4B，根据本公开的实施例的使用气体分配单元的气体供应方法包括第一供应步骤S410和第二供应步骤S420。

在第一供应步骤S410中，处理气体通过第一气体供应通道131从第一气体供应源121供应到对应于气体扩散空间的中心区域的第一区域151。此时，安装在第二至第五气体供应通道132至135上的第二至第五气体流速控制设备142至145中的阀全部关闭，并且仅第一气体流速控制设备141中的阀打开以仅通过第一气体供应通道131供应处理气体。

第一气体供应通道131具有第一气体流速控制设备141以控制处理气体的流速。在第一供应步骤S410中，可以在调整第一气体流速控制设备141中的阀以控制处理气体的流速和供应时间的同时供应处理气体，以便形成具有期望厚度的薄膜。

在第一供应步骤S410中，通过第一气体供应通道131供应到中心的处理气体可以通过气体喷射单元(未示出)供应到衬底上。然而，尽管供应到中心的处理气体被供应到衬底上，但电极可能由于腔室中的温度或压力不平衡而变形。因此，沉积在衬底中心部分上的薄膜的厚度可以不同于沉积在其边缘部分上的薄膜的厚度。因此，需要一种使衬底边缘部分的薄膜厚度与衬底中心部分的薄膜厚度均匀化的工艺。

在第二供应步骤S420中，处理气体通过第二和第三气体供应通道132和133供应到对应于气体扩散空间的边缘区域的第二和第三区域152和153。此时，关闭第一、第四和第五气体流速控制设备141、144和145中的阀，并且仅打开安装在第二和第三气体供应通道132和133上的第二和第三气体流速控制设备142和143中的阀，以仅通过第二和第三气体供应通道132和133供应处理气体。

图4B示出了处理气体被供应到第二和第三区域。然而，处理气体可以通过第二至第五气体供应通道的一个或多个气体供应通道供应到第二至第五区域的一个或多个区域。

第二和第三气体供应通道132和133包括第二气体流速控制设备142和第三气体流速控制设备143，第二气体流速控制设备142和第三气体流速控制设备143均配置为控制处理气体的流速。在第二供应步骤S420中，可以在调整第二和第三气体流速控制设备142和143中的阀以控制处理气体的流速和供应时间的同时供应处理气体，以便在衬底的边缘部分形成具有期望厚度的薄膜。

也就是说，当调整第二和第三气体流速控制设备142和143中的阀时，通过第二和第三气体供应通道132和133供应的处理气体的流速可以根据电极的变形设置为相同的或不同的值。

参照图4A和4C，根据本公开的另一实施例的使用气体分配单元的气体供应方法包括第一供应步骤S410和第二供应步骤S420。

在第一供应步骤S410中，通过第一至第五气体供应通道131至135将处理气体从第一至第五气体供应源121至125供应对应于气体扩散空间的中心区域的第一区域151和对应于气体扩散空间的边缘区域的第二至第五区域152至155。此时，安装在第一至第五气体供应通道131至135上的第一至第五气体流速控制设备141至145中的阀全部打开，以通过第一至第五气体供应通道131至135供应处理气体。即，在第一供应步骤S410中，可以在调整第一至第五气体流速控制设备141至145中的阀以控制处理气体的流速和供应时间的同时供应处理气体，以便形成具有期望厚度的薄膜。

在第一供应步骤S410中，通过第一至第五气体供应通道131至135供应到第一至第五区域151至155的处理气体可以通过气体喷射单元(未示出)供应到衬底上。然而，尽管供应到第一至第五区域151至155的处理气体被喷射到衬底上，但是由于腔室中温度或压力的不平衡，电极可能变形。因此，衬底中心部分的薄膜厚度可以不同于衬底边缘部分的薄膜厚度。因此，需要一种使衬底边缘部分的薄膜厚度与衬底中心部分的薄膜厚度均匀化的工艺。

在第二供应步骤S420中，处理气体通过第二和第三气体供应通道132和133供应到对应于气体扩散空间的边缘区域的第二和第三区域152和153。以与参照图4B相同的方式执行第二供应步骤S420。

此时，通过第一气体供应通道131供应到第一区域的处理气体的流速可以设定在整体处理气体的40％到80％的范围内，并且通过第二到第五气体供应通道132到135供应到第二到第五区域的处理气体的流速可以设定在整体处理气体的20％到60％的范围内。

当通过第一气体供应通道131供应到第一区域的处理气体的流速小于所供应的整体处理气体的40％时，处理气体可能不能从中心部分充分扩散到边缘部分。当通过第一气体供应通道131供应到第一区域的处理气体的流速超过所供应的整体处理气体的80％时，大量的处理气体可能不必要地供应到中心部分。在这种情况下，气体供应的效率可能降低。

在使用根据本公开的实施例的上述使用气体分配单元的气体供应方法中，气体分配单元可包括配置为将处理气体供应到衬底处理设备中的多个气体供应通道、以及气体流速控制设备，气体流速控制设备配置为检查通过各个气体供应通道供应的处理气体的流速、控制通过各个气体供应通道供应的处理气体的流速、以及调整处理气体的供应顺序和供应时间，从而改善沉积薄膜在衬底的整个表面区域上的厚度均匀性。

Claims (6)

1.一种使用气体分配单元的气体供应方法，所述气体分配单元通过第一气体供应通道、第二气体供应通道、第三气体供应通道、第四气体供应通道和第五气体供应通道将处理气体供应到第一区域、第二区域、第三区域、第四区域和第五区域，所述第一区域对应于衬底处理设备中的气体扩散空间的中心区域，所述第二区域、第三区域、第四区域和第五区域对应于所述气体扩散空间的各边缘区域，所述第一至第五气体供应通道分别包括第一气体流速控制设备、第二气体流速控制设备、第三气体流速控制设备、第四气体流速控制设备和第五气体流速控制设备，所述气体供应方法包括：

第一供应步骤，通过所述第一气体供应通道将所述处理气体供应至所述第一区域、或分别通过所述第一至第五气体供应通道将所述处理气体供应至所述第一至第五区域；以及

第二供应步骤，分别通过所述第二至第五气体供应通道将所述处理气体供应至所述第二至第五区域。

2.一种使用气体分配单元的气体供应方法，所述气体分配单元通过第一气体供应通道、第二气体供应通道、第三气体供应通道、第四气体供应通道和第五气体供应通道将处理气体供应到第一区域、第二区域、第三区域、第四区域和第五区域，所述第一区域对应于衬底处理设备中的气体扩散空间的中心区域，所述第二区域、第三区域、第四区域和第五区域对应于所述气体扩散空间的各边缘区域，所述第一至第五气体供应通道分别包括第一气体流速控制设备、第二气体流速控制设备、第三气体流速控制设备、第四气体流速控制设备和第五气体流速控制设备，所述气体供应方法包括：

第一供应步骤，通过所述第一气体供应通道将所述处理气体供应至所述第一区域、或分别通过所述第一至第五气体供应通道将所述处理气体供应至所述第一至第五区域；以及

第二供应步骤，分别通过所述第二至第五气体供应通道中的一个或多个气体供应通道将所述处理气体供应至所述第二至第五区域中的一个或多个区域。

3.根据权利要求1所述的气体供应方法，进一步包括第三供应步骤，所述第三供应步骤分别通过所述第二至第五气体供应通道中的一个或多个气体供应通道将所述处理气体供应至所述第二至第五区域中的一个或多个区域。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的气体供应方法，其中，当通过所述第一至第五气体供应通道供应所述处理气体时，分别通过分别安装在所述第一至第五气体供应通道上的第一至第五气体流速控制设备单独地控制第一至第五气体供应通道中的处理气体的流速，以供应所述处理气体。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的气体供应方法，其中，当通过所述第一至第五气体供应通道供应所述处理气体时，分别通过分别安装在所述第一至第五气体供应通道上的第一至第五气体流速控制设备单独地控制第一至第五气体供应通道中的处理气体的供应时间，以供应所述处理气体。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的气体供应方法，其中，在对应于整个处理时间的40％至80％的时间期间执行所述第一供应步骤。

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