CN116060627A - 一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源 - Google Patents

一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源 Download PDF

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Abstract

本发明属于团簇物理学技术领域，公开了一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源，包括设置有团簇生长腔室的中心源体，团簇生长腔室连通有激光溅射通路、样品通路、载气通路、喷嘴接口；低温制冷机和中心源体外部分别安装冷头真空热屏蔽罩和源真空热屏蔽罩，用于减少温度向外扩散及热辐射影响；中心源体通过导热带和低温制冷机连接座与低温制冷机连接，导热带对中心源体传递低温且调整位置；载气通路通过预冷气管与脉冲阀连接，预冷气管盘绕并焊接在冷头真空热屏蔽罩外部，实现载气进入中心源体之前预先冷却。本发明能够将低温下中心源体与周围环境的热传导和热传递均降到很低的水平，进而达到8.7±1K的超低温，实现超低温金属团簇制备。

Description

一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源
技术领域
本发明属于团簇物理学技术领域，具体的说，是涉及一种电中性团簇产生装置。
背景技术
团簇是介于原子、分子与宏观固体物质之间的物质结构新层次，团簇源是持续地制备具有不同尺寸大小的金属团簇并输出的关键部件，团簇研究对于认识大块凝聚物质的物理或化学性质与微观结构的关系以及演变规律，具有重要意义。
目前常用的团簇源有：超声膨胀源、电喷雾电离源、基质辅助激光解吸源、磁控溅射源和激光溅射源。超声膨胀源主要用于产生低熔点金属的团簇束流，如碱金属团簇，团簇温度不易测量，且产生较大团簇接近于金属的蒸发极限。电喷雾电离源通过加热溶液挥发溶剂，增大溶质液滴表面的电荷排斥力造成库仑爆炸，获得所需带电离子，通常用于分析生物分子和极性小分子。基质辅助激光解吸源通过将样品与过量的基质混合，使用激光对该混合物进行照射，样品分子在基质的帮助下被解吸和电离，主要应用于非挥发性生物大分子及团簇的研究中。磁控溅射团簇源通常使用高能惰性气体(氩、氪或氙)离子轰击金属表面产生团簇离子束流，而轰击能量范围为10到20keV，电流高达10mA，团簇离子束流的温度最低到77K。激光溅射源可以用于制备几乎所有金属的团簇束流，以产生中性、带正电和带负电的电离团簇，产生的团簇大小从几个原子到几百个原子不等，束流强度高，团簇温度接近或低于源温度。在激光溅射源里，用一束脉冲激光聚焦在棒状靶材上进行溅射，溅射出的材料被低温载气包裹，金属蒸气在载气环境中形成团簇，最终从喷嘴中喷出，制备出的团簇可以用于团簇各种性质的研究实验，deHeer等人对这种类型的团簇源加以改造，使得气体在与团簇作用时的温度达到预期的20K，但是其时序控制和变温实验中的操作流程都比较复杂，导致稳定性较低，需要定期对其进行维护。
由于团簇在低温下会产生与常温截然不同的物理现象，因此制备低温团簇是团簇研究中的一个关键步骤，超低温的实现对于团簇源的结构有着特殊的要求，当团簇源的温度到达很低后，与周围环境的热传导、热辐射都会影响源的温度进一步降低。同时，低温下的热胀冷缩效应会对束流准直度产生影响，也会直接影响团簇源的正常运转。到目前为止，实验上用到的所有中性团簇产生装置中，能够达到的最低温度为16K。
发明内容
本发明旨在解决超低温团簇制备的相关技术问题，提供了一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源，能够将低温下中心源体与周围环境的热传导和热传递均降到很低的水平，进而达到了8.7±1K的超低温，实现温度最低可达8.7±0.55K的各种金属团簇制备，是目前世界上运行的激光溅射源中温度最低水平。
为了解决上述技术问题，本发明通过以下的技术方案予以实现：
本发明提供了一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源，包括设置有团簇生长腔室的中心源体，所述团簇生长腔室连通有激光溅射通路、样品通路、载气通路、喷嘴接口；所述激光溅射通路位于所述团簇生长腔室前端，用于通入溅射激光；所述样品通路位于所述团簇生长腔室的侧部，用于样品杆伸入至所述团簇生长腔室；所述载气通路与所述团簇生长腔室的交汇处靠近于所述激光溅射通路与所述团簇生长腔室的连接处；所述喷嘴接口位于所述团簇生长腔室后端并且连接有喷嘴，所述喷嘴用于获得团簇束流；
所述中心源体和所述喷嘴由低温制冷机降温，所述低温制冷机包括一级冷头与二级冷头，所述二级冷头的端面连接有低温制冷机连接座；所述二级冷头外部设置有冷头真空热屏蔽罩，且所述冷头真空热屏蔽罩与所述一级冷头固定连接；所述冷头真空热屏蔽罩用于减少所述二级冷头的温度向外围扩散及周围的热辐射影响；所述中心源体的外部设置有源真空热屏蔽罩，且所述源真空热屏蔽罩与冷头真空热屏蔽罩固定连接；所述源真空热屏蔽罩用于减少所述中心源体的温度向外围扩散及周围的热辐射影响；
所述中心源体通过两个导热带与所述低温制冷机连接座连接；所述导热带能够通过其导热性将低温传递给所述中心源体，并且通过其延展性调整所述中心源体的位置；
所述载气通路通过预冷气管与脉冲阀连接，所述脉冲阀用于开启和关闭对所述中心源体的载气输入，以及控制输入所述中心源体的载气流量与载气强度；所述预冷气管盘绕在所述冷头真空热屏蔽罩外部，并且与所述冷头真空热屏蔽罩焊接，实现所述预冷气管内部载气在进入所述中心源体之前预先冷却。
进一步地，所述中心源体、所述冷头真空热屏蔽罩、所述源真空热屏蔽罩、所述导热带、所述预冷气管均由紫铜制成。
优选地，所述喷嘴接口与所述激光溅射通路对向设置；所述样品通路的延伸方向垂直于所述团簇生长腔室的长度方向；所述载气通路与所述激光溅射通路呈不超过90°夹角设置。
优选地，所述中心源体通过连接杆连接底板，所述底板设置于所述中心源体下方并且与电磁偏谱仪的腔体固定连接；所述连接杆采用低热导率和低热膨胀系数的材质，以减少热量向所述中心源体传导并且降低所述低温制冷机热胀冷缩的影响。
更为优选地，两根所述连接杆对称分布于所述中心源体的底面两侧，所述连接杆的一端与所述中心源体所设置的连接杆接口固定连接，另一端穿过所述底板设置的滑槽孔；通过所述连接杆与所述滑槽孔的连接位置，能够实现对所述中心源体在水平与垂直方向的调整。
进一步地，所述源真空热屏蔽罩预留有使激光、样品杆、预冷气管、喷嘴穿过的通孔。
进一步地，所述导热带设置有两个，所述中心源体和所述低温制冷机连接座的两个侧面均对称设置有导热带接口。
进一步地，所述预冷气管包括第一管段、第二管段、第三管段；所述第一管段和所述第三管段分别连接所述脉冲阀和所述载气通路，所述第二管段两端分别通过转接管与所述第一管段和所述第三管段连接；所述第一管段、第二管段、第三管段的材质均为紫铜，所述转接管的材质为特氟龙。
进一步地，还设置有控温模块，所述控温模块包括温度传感器、温控仪、加热器；所述温度传感器安装在所述中心源体上，所述加热器安装在所述低温制冷机连接座上，所述加热器和所述温度传感器均与温控仪连接；所述温控仪根据所述温度传感器反馈的温度信号，控制所述加热器的加热功率，从而对所述中心源体1的温度精确控制。
优选地，所述温度传感器的安装位置靠近于所述喷嘴接口与所述团簇生长腔室的连接处。
本发明的有益效果是：
本发明的用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源，一方面利用低温制冷机对中心源体进行降温，使中心源体的整体温度降低，保证团簇能够充分冷却；另一方面采用单脉冲阀控制并且将中心源体与预冷气管分隔开，不仅简化结构、提高稳定性，并且先利用低温制冷机的一级冷头对预冷气管内的气体进行预冷却，再利用二级冷头将中心源体与气体冷却到更低的温度，能够达到更好的制冷效果；同时通过冷头真空热屏蔽罩、源真空热屏蔽罩减少了中心源体的温度向外围扩散及外围热辐射的影响。
在此基础上，本发明通过导热带将中心源体与低温制冷机连接，既能够保证低温制冷机对团簇源的有效降温，又可以消除团簇源与低温制冷机硬连接的缺点，与低温制冷机实现机械解耦，提高源体的灵活性，提高了整个束流的准直精度，同时有效地避免低温制冷机运行时的振动为团簇束流动量带来的扰动，进而提高了测量的准确度。
在此基础上，本发明通过连接杆和底板将中心源体与电磁偏谱仪的腔体连接，减少热量向中心源体传导的同时降低低温制冷机热胀冷缩的影响，更提高了中心源体位置的灵活性，因而极大地提高了束流的准直精度，同时有效地避免了低温制冷机运行时的振动为团簇束流动量带来的扰动，进而提高了测量的准确度。
综上，本发明能够实现团簇源8.7±1K的超低温，可以稳定、持续地制备出温度为8.7±0.55K且束流强度高的各种金属团簇。
附图说明
图1为本发明实施例提供的激光溅射脉冲团簇源的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的激光溅射脉冲团簇源中的中心源体结构示意图；
图3为本发明实施例提供的激光溅射脉冲团簇源中的导热带连接示意图；
图4为本发明实施例提供的激光溅射脉冲团簇源中的载气流向及团簇制备示意图。
上述图中：1-中心源体，101-团簇生长腔室，102-激光溅射通路，103-样品通路，104-载气通路，105-喷嘴接口，106-温度测量接口，107-连接杆接口，108-导热带接口；2-喷嘴；3-连接杆；4-底板；5-支撑杆；6-导热带；7-低温制冷机连接座；8-低温制冷机；9-一级冷头；10-二级冷头；11-冷头真空热屏蔽罩；12-源真空热屏蔽罩；13-预冷气管；1301-第一管段；1302-第二管段；1303-第三管段；14-脉冲阀；15-转接管；16-溅射激光；17-团簇。
具体实施方式
为能进一步了解本发明的内容、特点及效果，兹例举以下实施例，并配合附图详细说明如下：
如图1所示，本实施例提供了一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源，包括中心源体1、喷嘴2、连接杆3、底板4、导热带6、低温制冷机连接座7、低温制冷机8、冷头真空热屏蔽罩11、源真空热屏蔽罩12、预冷气管13、脉冲阀14、转接管15。
如图2所示，中心源体1包括尺寸为12.5mm×28mm×30mm的长方形块体结构，其采用导热性高的材质制成，如紫铜。
中心源体1设置有团簇生长腔室101、激光溅射通路102、样品通路103、载气通路104、喷嘴接口105。激光溅射通路102、样品通路103、载气通路104、喷嘴接口105均连通团簇生长腔室101与中心源体1的外部空间。
团簇生长腔室101开设于中心源体1的中部，用于不同种类和不同尺寸的团簇在此生长、冷却、膨胀。团簇生长腔室101优选加工为圆柱体空腔，圆柱体空腔的直径以2mm-8mm为佳，圆柱体空腔的轴线一般位于中心源体1两侧之间的对称中心面上。
激光溅射通路102位于团簇生长腔室101前端，用于通入溅射激光16，使溅射激光16经过聚焦后进入团簇生长腔室101，并在团簇生长腔室101的样品杆上形成直径为1mm的聚焦光斑，从而实现溅射激光16剥离样品杆产生热的等离子体。
样品通路103位于团簇生长腔室101的侧部，其延伸方向垂直于团簇生长腔室101的长度方向。样品通路103用于将样品杆伸入至团簇生长腔室101，实现不同种类的金属靶材的放入。优选地，样品通路103直径为0.5mm-5mm。
载气通路104与团簇生长腔室101的交汇处靠近于激光溅射通路102与团簇生长腔室101的连接处。载气通路104用于连接预冷气管13，向团簇生长腔室101通入经过预冷后的低温载气，从而促使低温载气与热的金属蒸气充分混合形成团簇。优选地，载气通路104直径为0.5mm-5mm。另外，载气通路104与激光溅射通路102呈不超过90°夹角设置为佳，该夹角能够延长载气在中心源体1内的路径，使载气充分冷却到中心源体1的温度，并且减小气体的热对流。
喷嘴接口105位于团簇生长腔室101后端，并且与激光溅射通路102对向设置。喷嘴接口105设置有内螺纹，用于螺纹连接不同规格尺寸的喷嘴2，并与喷嘴2共同形成喷嘴通道，以获得不同温度、速度的团簇束流。
低温载气与热的金属蒸气在团簇生长腔室101充分混合形成团簇，并在喷嘴2附近发生超声膨胀，最终团簇载气混合物从喷嘴2出射形成团簇束流。优选地，喷嘴2的内径不超过5mm、长度不超过50mm。喷嘴2的尺寸会影响产生团簇束流的强度、大小、温度及发散度等，针对不同实验要求，选择使用不同规格尺寸的喷嘴2安装。
中心源体1和喷嘴2均由低温制冷机8降温，低温制冷机8包括一级冷头9与二级冷头10。
如图3所示，中心源体1通过导热带6和低温制冷机连接座7与低温制冷机8连接。
导热带6包括两个，每个导热带6的两端分别设置有两个通孔，两端分别用于与中心源体1的导热带接口108和低温制冷机连接座7相连。导热带6采用导热性能高、延展性能好的材质，例如铜排软连接；以达到自由弯曲以调整中心源体1位置的目的。导热带6不仅能够向中心源体1传递低温，而且能够使中心源体1不受低温制冷机8振动、热胀冷缩等机械结构的影响。优选的，导热带6的厚度不大于10mm。
中心源体1设置有两个导热带接口108，对称设置于中心源体1的两个侧面。
可见，中心源体1与低温制冷机8之间通过导热带6连接，实现了中心源体1和低温制冷机8之间的机械解耦，有效地避免团簇束流动量受到低温制冷机8运行过程中所产生的振动的影响，整个束流的准直精度从±2mm提高到±0.2mm。
作为一种优选的实施方式，中心源体1下端采用连接杆3抻拉，使得中心源体1在水平与垂直方向更容易调节，进而方便控制团簇束流的飞行方向。
连接杆接口107包含两处，对称设置于中心源体1的底面两侧，分别用于连接两个连接杆3。连接杆接口107可以采用螺纹孔，用于与连接杆3螺纹连接。
连接杆3包括两根，每根连接杆3的两端均设置有外螺纹，分别与连接杆接口107和底板4连接。连接杆3和底板4用于固定中心源体1的位置。连接杆3优选采用低热导率和低热膨胀系数的材质，如聚醚醚酮，能够减少热量向中心源体传导的同时降低低温制冷机8热胀冷缩的影响。
底板4位于中心源体1正下方，用于中心源体1在水平方向与垂直方向调整后对其进行固定。底板4的两端均与第四代电磁偏谱仪的腔体固定连接。
底板4对应于两根连接杆3分别设置有两个滑槽孔，连接杆3穿过滑槽孔并通过螺母进行固定。滑槽孔为长条形通孔，用于调节连接杆3与底板4固定的水平位置和竖直位置，从而实现对中心源体1在水平与垂直方向的调整，进而使得团簇生长腔室101处于准直激光所在的路径。
低温制冷机连接座7为方形块体结构，其上部与二级冷头10的端部采用法兰连接。低温制冷机连接座7的两侧分别设置有内螺纹孔，用于通过螺栓连接导热带6端部。
作为一种优选的实施方式，本发明还设置有控温模块，控温模块包括温度传感器、温控仪、加热器。温度传感器安装在中心源体1表面开设的温度测量接口106，温度测量接口106的位置以尽量靠近喷嘴接口105与团簇生长腔室101的连接处为佳。本实施例中，温度测量接口106采用螺纹孔，通过螺丝将温度传感器与中心源体1相连。加热器安装在低温制冷机连接座7预设的圆柱槽孔中，加热器和温度传感器均与设置在第四代电磁偏谱仪外部的温控仪连接。温控仪根据温度传感器反馈的温度信号，控制加热器的加热功率，从而对低温制冷机连接座7的温度精确控制，进而使中心源体1的温度能够在8.7K-300K范围内调控。
低温制冷机8的二级冷头10外部设置有冷头真空热屏蔽罩11，且冷头真空热屏蔽罩11与一级冷头9固定连接。冷头真空热屏蔽罩11用于减少二级冷头10的温度向外围扩散及周围的热辐射影响，其采用导热性高的材质，例如紫铜。冷头真空热屏蔽罩11包括顶面和底面均敞口的罩体，该罩体顶端与二级冷头10采用法兰连接，并且能够将二级冷头10的侧壁以一定间距进行覆盖。
中心源体1的外部设置有源真空热屏蔽罩12，且源真空热屏蔽罩12与冷头真空热屏蔽罩11固定连接。源真空热屏蔽罩12以一定间距全部覆盖中心源体1表面，并且预留有使激光、样品杆、预冷气管13、喷嘴2、连接杆3穿过的通孔。源真空热屏蔽罩12用于减少中心源体1的温度向外围扩散及周围的热辐射影响，其采用导热性高的材质，例如紫铜。作为一种可行的实施方式，源真空热屏蔽罩12包括顶部敞口的罩体，该罩体顶部两侧设置有连接块，连接块通过卡箍与冷头真空热屏蔽罩11实现连接。
如图4所示，本发明改变了以往双脉冲阀和预冷气室的结构，设置预冷气管13与单脉冲阀14，将预冷气管13与中心源体1分隔开，先利用低温制冷机8的一级冷头9先对预冷气管13内的气体进行预冷却到50K，再利用二级冷头10将中心源体1与气体冷却到更低的温度，大幅简化系统机械结构的同时，又能够有效保证氦气脉冲的强度和团簇束流的低温，能够达到更好的制冷效果。
预冷气管13包括第一管段1301、第二管段1302、第三管段1303。第一管段1301的一端与脉冲阀14连接，另一端通过一个转接管15与第二管段1302的一端连接；第二管段1302盘绕在冷头真空热屏蔽罩11外部，并且与冷头真空热屏蔽罩11整圈焊接；第二管段1302的另一端通过另一个转接管15与第三管段1303的一端连接，第三管段1303的另一端与中心源体1的载气通路104连接。其中，预冷气管13的材质均为紫铜，转接管15的材质为特氟龙。
如此，能够方便有效地利用低温制冷机8对第二管段1302内部的载气进行预冷却，无需再另外引入冷却设备。优选的，预冷气管13的长度不超过500mm，外径不超过3mm,内径为0.5mm-1.5mm。
紫铜的预冷气管13与特氟龙的转接管15交替连接，用于将预冷气管13与脉冲阀14、中心源体1分隔开，减少脉冲阀14向预冷气管13及预冷气管13向中心源体1的热传导影响。为防止载气泄漏，转接管15连接处采用粘接。优选的，转接管15长度不小于5mm、材质为特氟龙。
脉冲阀14设置在第四代电磁偏谱仪的腔体内部。脉冲阀14用于开启和关闭中心源体1的载气输入，以及控制输入中心源体1的载气流量与载气强度。脉冲阀14由驱动控制器提供驱动信号，驱动控制器设置在第四代电磁偏谱仪的腔体外部。通过脉冲阀14控制输出不同流量、不同强度的载气流，载气流包裹着经溅射激光16从靶材上剥离下来的等离子体，经冷却后形成团簇17。
尽管上面结合附图对本发明的优选实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，并不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可以作出很多形式的具体变换，这些均属于本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源，其特征在于，包括设置有团簇生长腔室的中心源体，所述团簇生长腔室连通有激光溅射通路、样品通路、载气通路、喷嘴接口；所述激光溅射通路位于所述团簇生长腔室前端，用于通入溅射激光；所述样品通路位于所述团簇生长腔室的侧部，用于样品杆伸入至所述团簇生长腔室；所述载气通路与所述团簇生长腔室的交汇处靠近于所述激光溅射通路与所述团簇生长腔室的连接处；所述喷嘴接口位于所述团簇生长腔室后端并且连接有喷嘴，所述喷嘴用于获得团簇束流；
所述中心源体和所述喷嘴由低温制冷机降温，所述低温制冷机包括一级冷头与二级冷头，所述二级冷头的端面连接有低温制冷机连接座；所述二级冷头外部设置有冷头真空热屏蔽罩，且所述冷头真空热屏蔽罩与所述一级冷头固定连接；所述冷头真空热屏蔽罩用于减少所述二级冷头的温度向外围扩散及周围的热辐射影响；所述中心源体的外部设置有源真空热屏蔽罩，且所述源真空热屏蔽罩与冷头真空热屏蔽罩固定连接；所述源真空热屏蔽罩用于减少所述中心源体的温度向外围扩散及周围的热辐射影响；
所述中心源体通过导热带与所述低温制冷机连接座连接；所述导热带能够通过其导热性将低温传递给所述中心源体，并且通过其延展性调整所述中心源体的位置；
所述载气通路通过预冷气管与脉冲阀连接，所述脉冲阀用于开启和关闭对所述中心源体的载气输入，以及控制输入所述中心源体的载气流量与载气强度；所述预冷气管盘绕在所述冷头真空热屏蔽罩外部，并且与所述冷头真空热屏蔽罩焊接，实现所述预冷气管内部载气在进入所述中心源体之前预先冷却。
2.根据权利要求1所述的一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源，其特征在于，所述中心源体、所述冷头真空热屏蔽罩、所述源真空热屏蔽罩、所述导热带、所述预冷气管均由紫铜制成。
3.根据权利要求1所述的一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源，其特征在于，所述喷嘴接口与所述激光溅射通路对向设置；所述样品通路的延伸方向垂直于所述团簇生长腔室的长度方向；所述载气通路与所述激光溅射通路呈不超过90°夹角设置。
4.根据权利要求1所述的一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源，其特征在于，所述中心源体通过连接杆连接底板，所述底板设置于所述中心源体下方并且与电磁偏谱仪的腔体固定连接；所述连接杆采用低热导率和低热膨胀系数的材质，以减少热量向所述中心源体传导并且降低所述低温制冷机热胀冷缩的影响。
5.根据权利要求4所述的一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源，其特征在于，两根所述连接杆对称分布于所述中心源体的底面两侧，所述连接杆的一端与所述中心源体所设置的连接杆接口固定连接，另一端穿过所述底板设置的滑槽孔；通过所述连接杆与所述滑槽孔的连接位置，能够实现对所述中心源体在水平与垂直方向的调整。
6.根据权利要求1所述的一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源，其特征在于，所述源真空热屏蔽罩预留有使激光、样品杆、预冷气管、喷嘴穿过的通孔。
7.根据权利要求1所述的一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源，其特征在于，所述导热带设置有两个，所述中心源体和所述低温制冷机连接座的两个侧面均对称设置有导热带接口。
8.根据权利要求1所述的一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源，其特征在于，所述预冷气管包括第一管段、第二管段、第三管段；所述第一管段和所述第三管段分别连接所述脉冲阀和所述载气通路，所述第二管段两端分别通过转接管与所述第一管段和所述第三管段连接；所述第一管段、第二管段、第三管段的材质均为紫铜，所述转接管的材质为特氟龙。
9.根据权利要求1所述的一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源，其特征在于，还设置有控温模块，所述控温模块包括温度传感器、温控仪、加热器；所述温度传感器安装在所述中心源体上，所述加热器安装在所述低温制冷机连接座上，所述加热器和所述温度传感器均与温控仪连接；所述温控仪根据所述温度传感器反馈的温度信号，控制所述加热器的加热功率，从而对所述中心源体1的温度精确控制。
10.根据权利要求1所述的一种用于制备超低温团簇的激光溅射脉冲团簇源，其特征在于，所述温度传感器的安装位置靠近于所述喷嘴接口与所述团簇生长腔室的连接处。
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