CN116057203A - 用于控制衬底处理系统的气动阀的具有备用电磁阀的电磁线圈组 - Google Patents

用于控制衬底处理系统的气动阀的具有备用电磁阀的电磁线圈组 Download PDF

Info

Publication number
CN116057203A
CN116057203A CN202180051464.3A CN202180051464A CN116057203A CN 116057203 A CN116057203 A CN 116057203A CN 202180051464 A CN202180051464 A CN 202180051464A CN 116057203 A CN116057203 A CN 116057203A
Authority
CN
China
Prior art keywords
solenoid valves
solenoid
valves
fluid
shafts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180051464.3A
Other languages
English (en)
Inventor
斯瓦吉斯·皮洛特·潘昌加姆
维纳亚卡拉迪·古拉巴尔
耶什万特·萨吉
科尔斯·格瓦达鲁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of CN116057203A publication Critical patent/CN116057203A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K31/00—Actuating devices; Operating means; Releasing devices
    • F16K31/02—Actuating devices; Operating means; Releasing devices electric; magnetic
    • F16K31/04—Actuating devices; Operating means; Releasing devices electric; magnetic using a motor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multiple-Way Valves (AREA)
  • Fluid-Pressure Circuits (AREA)

Abstract

一种用于衬底处理系统的流体控制系统包括：(M+N)个输入口，其被配置成分别与M个电磁线圈阀和N个备用电磁线圈阀流体连接，其中M和N为大于0的整数。M个输出部被配置成与M个气动阀流体连接。阀切换系统被配置成：选择性阻挡所述M个输入口中的1至N个，其中所述M个输入口中的所述1至N个分别对应于M个电磁线圈阀中的1至N个失灵者；以及从所述N个备用电磁线圈阀中的1至N个将流体供应至所述M个输出部中的1至N个，其中所述M个输出部中的所述1至N个分别对应于M个电磁线圈阀中的所述1至N个失灵者。

Description

用于控制衬底处理系统的气动阀的具有备用电磁阀的电磁线圈组
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年8月21日申请的美国临时专利申请No.63/068,439的优先权。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。
技术领域
本公开内容涉及衬底处理系统，且更具体而言涉及具有备用阀的电磁线圈组以控制将工艺气体供应至衬底处理系统的气动阀。
背景技术
这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
衬底处理系统在例如半导体晶片的衬底上执行处理。衬底处理的示例包括沉积、灰化、蚀刻、清洁和/或其他工艺。可将工艺气体混合物供应至处理室以处理衬底。可将等离子体用于点燃气体以增强化学反应。
当使用原子层沉积(ALD)进行膜沉积时，将衬底暴露于前体气体混合物。清扫处理室并将该衬底暴露于反应物气体混合物以转化该前体。接着，再次清扫该处理室。在每个循环期间，沉积通常受限于单层膜。在其他应用中使用等离子体增强原子层沉积(PEALD)进行膜沉积。各PEALD循环通常包括前体投配、配料清扫、RF等离子体投配以及RF清扫步骤。
在各阶段期间，可使用喷头或其他气体分配设备将不同气体混合物输送至处理室。由于各ALD循环沉积单层膜，因此非常迅速地将ALD循环重复进行以沉积具有所期望厚度的膜。这意味着需要将控制前体、反应物和/或清扫气体的阀迅速地进行开关。电磁线圈阀经常使用于供应惰性气体，以通过气体动力学方式致动控制前体、反应物和/或清扫气体的阀。由于高数量的循环以及快速的切换时间，电磁线圈阀容易失灵并且需要频繁地替换。
发明内容
一种用于衬底处理系统的流体控制系统包括：(M+N)个输入口，其被配置成分别与M个电磁线圈阀和N个备用电磁线圈阀流体连接，其中M和N为大于0的整数。M个输出部被配置成与M个气动阀流体连接。阀切换系统被配置成：选择性阻挡所述M个输入口中的1至N个，其中所述M个输入口中的所述1至N个分别对应于M个电磁线圈阀中的1至N个失灵者；以及从所述N个备用电磁线圈阀中的1至N个将流体供应至所述M个输出部中的1至N个，其中所述M个输出部中的所述1至N个分别对应于M个电磁线圈阀中的所述1至N个失灵者。
在其他特征中，外壳包括与所述(M+N)个输入口和所述M个输出部流体连接的N个空腔。在所述N个空腔中布置N个轴。所述N个轴中的每一个包括：圆柱形主体，其包括具有第一直径的第一轴部分，以及具有第二直径的第二轴部分；空腔，其沿轴方向延伸；以及M个孔，其以M个不同角度从所述空腔朝外延伸至所述第一轴部分中的至少一个。
在其他特征中，N个马达使所述N个轴选择性转动。M个密封环在分别对应于所述M个孔的分隔轴位置处布置于所述第一轴部分中的所述至少一个轴部分上。
在其他特征中，所述M个密封环中的每一个包括：环状主体；以及第一环状凸部和第二环状凸部，其在所述环状主体的相对轴向侧上径向朝外延伸，且被配置成由所述N个空腔中的一个的内表面密封。所述M个密封环中的每一个还包括：阻隔部，其在所述第一环状凸部与所述第二环状凸部之间轴向延伸；以及孔，其径向延伸通过所述阻隔部。中心空腔围绕在所述第一环状凸部与所述第二环状凸部之间以及在所述阻隔部的相对圆周侧之间的所述环状主体的径向外表面延伸。
在其他特征中，所述M个密封环中的每一个的所述孔与所述M个孔的相应一个轴向对准。N个阻隔环被布置在所述第一轴部分中的其他轴部分上的分隔轴向位置处。所述N个轴中的每一个还包括位于所述第二轴部分中的至少一个轴部分上的孔，所述第二轴部分中的至少一个轴部分位于所述第一轴部分中的相邻的轴部分之间。所述孔与所述N个轴中的每一个的所述空腔流体耦合。
在其他特征中，控制器被配置成：监测所述M个电磁线圈阀的操作；在所述M个电磁线圈阀中的一个未正确进行操作时做出判断；以及使所述N个马达中的至少一个将所述N个轴中的至少一个转动，以阻挡来自所述M个电磁线圈阀中的所述一个的流体流，并且从所述N个备用电磁线圈阀中的一者供应流体流。
一种用于切换衬底处理系统中的气动阀的方法包括：将电磁线圈组切换系统中的(M+N)个输入口分别与M个电磁线圈阀和N个备用电磁线圈阀连接，其中M和N为大于0的整数；将所述电磁线圈组切换系统的M个输出口与M个气动阀连接；监测所述M个电磁线圈阀的操作；以及响应于检测到所述M个电磁线圈阀中的一个已失灵，使用所述电磁线圈组切换系统以使得所述电磁线圈组切换系统的N个马达中的一个将所述电磁线圈组切换系统的N个轴中的一个转动以：将与所述M个电磁线圈阀中的所述失灵者对应的所述(M+N)个输入口中的一者进行阻挡；以及将所述N个备用电磁线圈阀中的一者流体连接至与所述M个电磁线圈阀中的所述失灵者对应的所述M个输出口中的一个。
一种系统包括：(M+N)个输入口，其被配置成分别与M个电磁线圈阀和N个备用电磁线圈阀流体连接，其中M和N为大于0的整数。该系统包括：M个输出部，其被配置成与M个气动阀流体连接。该系统包括：阀切换系统，其被配置成：选择性阻挡所述M个输入口中的1个至N个，其中所述M个输入口中的所述1个至N个分别对应于M个电磁线圈阀中的1个至N个失灵的电磁线圈阀；以及从所述N个备用电磁线圈阀中的1个至N个将流体供应至所述M个输出部中的1个至N个，其中所述M个输出部中的所述1至N个分别对应于M个电磁线圈阀中的所述1至N个失灵的电磁线圈阀。该系统包括：外壳，其包括与所述(M+N)个输入口和所述M个输出部流体连通的N个空腔；N个轴，其布置在所述N个空腔中；以及N个马达，其分别使所述N个轴选择性转动。
在其他特征中，所述N个轴中的每一个包括：圆柱形主体，其包括具有第一直径的第一轴部分，以及具有第二直径的第二轴部分；空腔，其沿轴方向延伸；以及M个孔，其以M个不同角度从所述空腔朝外延伸至所述第一轴部分中的至少一个轴部分。
在其他特征中，所述系统还包括M个密封环，其在分别对应于所述M个孔的分隔轴位置处布置在所述第一轴部分中的所述至少一个轴部分上。所述M个密封环中的每一个包括：环状主体；以及第一环状凸部和第二环状凸部，在所述环状主体的相对轴向侧上径向朝外延伸，且被配置成用所述N个空腔中的一个的内表面密封。
在其他特征中，所述M个密封环中的每一个还包括：阻隔部，其在所述第一环状凸部与所述第二环状凸部之间轴向延伸；孔，其径向延伸通过所述阻隔部；以及中心空腔，其围绕在所述第一环状凸部与所述第二环状凸部之间以及在所述阻隔部的相对圆周侧之间的所述环状主体的径向外表面延伸。
在其他特征中，所述M个密封环中的每一个的所述孔是与所述M个孔中的相应一个轴向对准。
在其他特征中，所述系统还包括N个阻隔环，其设置于所述第一轴部分中的其他轴部分上的分隔轴向位置处。
在其他特征中，所述N个轴中的每一个包括位于所述第二轴部分中的至少一轴部分上的孔，其中所述第二轴部分位于所述第一轴部分中的相邻轴部分之间；以及所述孔与所述N个轴中的每一个的所述空腔流体耦合。
在其他特征中，所述系统还包括控制器，其被配置成：监测所述M个电磁线圈阀的操作；在所述M个电磁线圈阀中的一个未正确进行操作时作出判断；以及使所述N个马达中的至少一者将所述N个轴中的至少一者转动，以阻挡来自所述M个电磁线圈阀中的所述一个的流体流，并且从所述N个备用电磁线圈阀中的一个供应流体流。
根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
附图说明
根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：
图1为根据本公开内容的衬底处理系统的一个示例的功能框图，该衬底处理系统包括电磁线圈组切换系统；
图2为根据本公开内容的用于气体输送系统的电磁线圈组切换系统的一个示例的功能框图；
图3为根据本公开内容的用于气体输送系统的电磁线圈组切换系统的一个示例的平面图；
图4为根据本公开内容的电磁线圈组切换系统的示例性外壳的立体图；
图5A和5B为根据本公开内容的电磁线圈组切换系统的轴的一个示例的部分立体图；
图6A为根据本公开内容的密封环的立体图；
图6B为根据本公开内容的另一密封环的立体图；
图7为根据本公开内容的用于电磁线圈组切换系统的轴和密封环的一个示例的平面图；以及
图8为用于操作电磁线圈组切换系统的方法的一个示例的流程图。
在附图中，可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。
具体实施方式
根据本公开内容的电磁线圈组切换系统包括M个电磁线圈交换器(switch)以及N个备用电磁线圈交换器，其中M和N是大于0的整数。当该M个电磁线圈交换器中的一者失灵时，电磁线圈组切换系统以该N备用电磁线圈交换器中的一者取代该M个电磁线圈交换器的失灵者。因此，尽管该M个电磁线圈交换器中的1至N者失灵，但衬底处理系统仍可持续操作而不会停滞。
虽然根据本公开内容的电磁线圈组切换系统将在执行ALD或PEALD的衬底处理系统的背景中进行描述，但可将该电磁线圈组切换系统用于控制各种其他类型的衬底处理系统中或者与衬底处理系统无关的其他系统中的流体流动。举例而言，可将电磁线圈组切换系统使用于原子层蚀刻(ALE)。现在参照图1，其显示了用于执行ALD或PEALD的衬底处理系统110的示例。该衬底处理系统110可用于在点燃或未点燃等离子体的情况下执行ALD。如果使用等离子体，则可使用电容耦合等离子体(CCP)点燃该等离子体，然而可使用感应耦合等离子体(ICP)或其他合适方法。
衬底处理系统110包括将衬底处理系统110的其他部件包围并且容纳RF等离子体(如果使用)的处理室122。衬底处理系统110包括上电极124、以及例如静电卡盘(ESC)之类的衬底支撑件126。在操作期间，衬底128被布置在该衬底支撑件126上。
仅举例说明，上电极124可以包括将工艺气体进行引导与分配的气体分配设备129，例如喷头。该气体分配设备129可包括杆部，该杆部包括连接至该处理室的顶表面的端部。环状主体通常是圆柱形的，并且从该杆部的相对端部径向往外延伸，该相对端部位于与该处理室的顶表面分隔开的位置处。喷头的该环状主体的面向衬底表面或面板包括多个孔洞，其中前体、反应物、蚀刻气体、惰性气体、承载气体、其他工艺气体、或清扫气体穿过该多个孔洞而流动。替代地，上电极124可以包括导电板，并以另一方式来引导处理气体。
衬底支撑件126包括作为下电极的底板130。该底板130支撑加热板132，该加热板132可对应于陶瓷多区域加热板。在加热板132与底板130之间可布置接合层和/或耐热层134。底板130可包括用于使冷却剂流经该底板130的一个或更多个通道136。
RF产生系统140产生RF电压，并将该RF电压输出至上电极124与下电极(例如，衬底支撑件126的底板130)中的一者。该上电极124与底板130的另一者可以是DC接地的、AC接地的或者浮动的。仅举例说明，该RF产生系统140可包括产生RF等离子体功率的RF产生器142，其中该RF等离子体功率通过匹配和分配网络144而馈送至上电极124或底板130。在其他示例中，可感应或远程地产生等离子体。
气体输送系统150包括一个或更多个气体源/质量流量控制器(MFC)152-1、152-2、…、及152-M(统称为气体来源/MFC 152)，其中M为大于零的整数。气体源/MFC 152通过气动阀154-1、154-2、…、以及154-M(统称为阀154)以及电荷容积/输入口156-1、156-2、…、及156-M(统称为电荷容积/输入口156)而连接至歧管160。虽然显示单一气体输送系统150，但可使用两个或更多个气体输送系统。
温度控制器163可以与布置在加热板132内的多个热控制元件(TCE)164连接。温度控制器163可用于控制该多个TCE 164而控制衬底支撑件126与衬底128的温度。温度控制器163可以与冷却剂组件166通信以控制经过通道136的冷却剂流。举例来说，冷却剂组件166可包括冷却剂泵、贮存器、和/或一个或更多个温度传感器。温度控制器163操作该冷却剂组件166，以使冷却剂选择性地流经通道136而使衬底支撑件126冷却。
阀170与泵172可用于将反应物从处理室122抽除。系统控制器180可用于控制衬底处理系统110的部件。如将在下文进一步描述的，电磁线圈组切换系统190包括电磁线圈阀和备用电磁线圈阀。当电磁线圈阀的其中一者失灵时，该电磁线圈组切换系统与失灵的电磁线圈阀中断连接，并连接备用电磁线圈阀中的一者。
现在参考图2，其显示了气体输送系统所用的电磁线圈组切换系统190。电磁线圈组切换系统包括M个电磁线圈阀和N个备用电磁线圈阀，其中M及N为大于0的整数。虽然上方描述涉及具有M＝5的电磁线圈阀以及N＝2的备用电磁线圈阀的电磁线圈组切换系统190，但可使用额外或较少的电磁线圈阀和/或备用电磁线圈阀。
歧管区块214-1、214-2、…、以及214-5被布置在电磁线圈阀216-1、216-2、…、以及216-5(统称为电磁线圈阀216)与第一旋转轴选择器218-1之间。歧管区块224-1及224-2(统称为歧管区块224)被布置在备用电磁线圈阀226-1和216-2(统称为备用电磁线圈阀226)与第一旋转轴选择器218-1之间。第二旋转轴选择器218-2与第一旋转轴选择器218-1相邻布置。
旋转轴选择器218-1和218-2(统称为旋转轴选择器218)中的每一者通过相应马达230-1和230-2(统称为马达230)而转动。第二旋转轴选择器218-2的流体输出部与气动阀154-1、154-2、...、以及154-5(统称为气动阀154)的控制输入部连接。在该示例中，气动阀154被布置在气体源/MFC 152-1、152-2、...、以及152-5与电荷容积/输入口156-1、156-2、...156-5之间。
电磁线圈阀216及备用电磁线圈阀226的输出部用于将气动阀154在开启状态及关闭状态之间切换。下方示例假定电磁线圈阀216-2先失灵，而接着电磁线圈阀216-1较晚失灵。当电磁线圈阀216-2并未正确操作时，旋转轴选择器218-1会阻挡失灵的电磁线圈阀216-2的输出部并且与备用电磁线圈阀226-1的输出部连接以供应流体，以控制气动阀154-2中的相应一者。当电磁线圈阀216-1并未正确操作时，旋转轴选择器218-2会阻挡失灵的电磁线圈阀216-1的输出部并且与备用电磁线圈阀226-2的输出部连接以供应流体，以控制气动阀154-1中的相应一者。
控制器240(其可以是独立的或与控制器180结合)控制电磁线圈阀216和备用电磁线圈阀226的操作。控制器240接收阀位置反馈并且诊断电磁线圈阀216的操作。举例而言，当MFC 156在相应气动阀154应当关闭时感测到流动时、和/或当MFC在相应气动阀应当开启时未感测到流动时可能表示失灵。替代地，位置传感器可用于感测气动阀的状态。
现在参考图3，其进一步详细显示了电磁线圈组切换系统190。该电磁线圈组切换系统190包括容纳阀切换系统300的外壳310。电磁线圈阀/歧管组件314-1、314-2、...、以及314-5与备用电磁线圈阀/歧管组件316-1、316-2、...、以及316-5沿着外壳310的第一侧布置。电磁线圈组切换系统190包括沿着外壳310的第二侧布置的马达324和326。外壳310的输出部330-1、330-2、...、及330-5(统称为输出部330)被布置在外壳310的第三侧(与第一侧相对)上。
现在参照图4，其显示了电磁线圈组切换系统190所用的外壳310。该外壳310包括第一空腔420和第二空腔430，其对于外壳310的第二侧是敞开的。第一空腔420和第二空腔430的相对端部426和436是关闭的。外壳310包括位于外壳的第一侧上，且进入第一空腔420的孔(或输入口)414-1、414-2、...、及414-7。该外壳310包括从第一空腔420至第二空腔430的孔424-1、424-2、...、以及424-7。该外壳310包括从第二空腔430通过外壳310的第三侧的孔(或输出口)424-1、424-2、...、以及424-5。
现在参照图5A和5B，其显示了电磁线圈组切换系统190的轴500和550。轴500包括第一轴部分510、530和532，其具有大于第二轴部分520、522和526的直径。第二轴部分520被布置在第一轴部分510与530之间。第二轴部分522被布置在第一轴部分530与532之间。第二轴部分526从第一轴部分532轴向延伸。轴500包括在轴方向中延伸的空腔540，以及以不同角位置从空腔540朝外延伸的M个孔514。在一些示例中，空腔540与轴的中心轴向对准，而孔514在M个不同径向方向中延伸。虽然将轴显示为具有两个不同直径，但轴直径可以是单一直径，或者可以使用多于两个的不同直径。
在图5A中，第二轴部分522包括从空腔540朝外延伸至第二轴部分520的径向外表面的孔542。在图5B中，轴550类似于轴500。然而，第二轴部分520包括孔552(而不是如图5A所示位于第二轴部分522上的孔542)。
现在参照图6A，密封环610在孔514所在的M个位置中围绕第一轴部分510布置。密封环610包括环状主体614，其具有径向朝外延伸的环状凸部615和616(位于中心环状空腔618的相对侧上)。中心环状空腔618几乎完全围绕环状主体614的径向外表面延伸。阻隔部626的直径类似于环状凸部615和616的直径，且该阻隔部626被布置成阻挡中心环状空腔618的一部分。阻隔部分626包括径向朝内延伸且穿过环状主体614的孔630。在一些示例中，孔514和孔630具有大致相同的直径。密封环的孔630与轴500或轴550的孔514对准。
在一些示例中，轴500被布置在第一空腔420中，而轴550被布置在第二空腔430中。外壳310的孔414-1至414-5与密封环610的中心环状空腔618对准。孔414-6与第一轴部分510与530之间的第二轴部分520对准。孔414-7与第一轴部分530与532之间的第二轴部分522对准。
密封环610的内表面向第一轴部分510提供流体密封。密封环610的外表面(例如，环状凸部615和616)向空腔420或430的内直径提供密封。当阻隔部626的孔630与孔或输出口424和/或434错位时，流体在中心环状空腔618中流动。换言之，流体围绕中心环状空腔618中的密封环610流动，并且流经孔或输出口424和/或434。当阻隔部626的孔630与孔或输出口424和/或434对准时，中心环状空腔618中的流体被阻隔部626阻挡，而来自轴500或550的空腔540的流体可流经孔或输出口424和/或434。
在一些示例中，与对于空腔420和430的内直径的摩擦接口进行比较，密封环610具有对于第一轴部分510的较高摩擦接口，以允许轴500和550相对于空腔420和430的内直径进行转动，而不改变轴500或550上的密封环610的角位置。在一些示例中，使用花键、粘附剂或销件以保持密封环610相对于轴500或550的相对方位。
现在参照图6B，其显示了环状密封环710包括环状主体712，该环状主体712包括内表面714、外表面716和侧部718。
现在参照图7，其显示了电磁线圈组切换系统190所用的轴500以及550与多个密封环610。密封环610-1、610-2、...、及610-5被显示为安装在轴500和550的第一轴部分510上。密封环610与孔514对准。环状密封环710-1和710-2分别布置在第一轴部分530和532上，以确保流体流入孔542或552中。马达324和326通过花键轴734和744而连接至第二轴部分526。
在图7显示的示例中以实线和虚线两者显示流体流动。实线表示围绕密封环610的前侧流动的流体，而虚线表示围绕密封环610的背侧流动或流经轴500和轴550中的一者的空腔540的流体。在该示例中，操作与电磁线圈阀/歧管组件314-1相关的电磁线圈阀并转动密封环610-1，使阻隔部626未与图4中的孔414-1或孔424-1对准。由于密封环610-1的阻隔部626位于顶侧上，因此流体围绕密封环610-1的背侧流动。流体流经孔424-1，围绕轴550的密封环610-1流动，并且流经孔434-1而到达相应气动阀154-1。
与电磁线圈阀/歧管组件314-5相关的电磁线圈阀并未进行操作，而备用电磁线圈阀中的一者被配置成供应流体。流体流入孔542中，并且通过轴500的空腔540而到达孔514。流体流出密封环610-5的阻隔部626的孔630。流体流经孔424-5，围绕密封环610-5的背侧流动，并且流经孔434-5以供应相应气动阀154-5。
虽然并未显示，当与备用电磁线圈阀/歧管组件316-2相关的备用电磁线圈阀输送流体时，流体行进通过孔414-7，绕着轴500的第二轴部分528行进，行进通过孔424-7，围绕轴550的第二轴部分行进，进入孔552中，行进通过轴550的空腔540而到达对准密封环中的一者。
现在参照图8，其显示了用于操作电磁线圈组切换系统的方法的一个示例的流程图800。在步骤810处，该方法判断衬底处理工具是否正在进行操作。如果为是，则该方法在步骤814处续行，并且根据需求而将电磁线圈阀开启和关闭，以致动相应气动阀。在步骤818处，该方法判断电磁线圈阀中的一者是否失灵。如果步骤818为是，则该方法判断失灵的数量是否大于备用电磁线圈阀的数量。如果步骤822为是，则停止该工具的操作。
如果步骤822为否，则在步骤826处将马达的相应一者进行致动并在步骤828处将其转动，以在步骤826处与其中一轴对准，使得阻隔部626和孔630如上述地与轴中的孔514对准。在步骤832处，将备用电磁线圈阀进行致动而供应流体，以控制气动阀。
电磁线圈组切换系统190通过检测电磁线圈阀的失灵并且切换备用电磁线圈阀而提高衬底处理系统的可操作时间。
前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，虽然本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应当被如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方案在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方案描述的那些特征中的任何一个或多个，可以在任何其它实施方案的特征中实现和/或与任何其它实施方案的特征组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施方案不是相互排斥的，并且一个或多个实施方案彼此的置换保持在本公开的范围内。
使用各种术语来描述元件之间(例如，模块之间、电路元件之间、半导体层之间等)的空间和功能关系，各种术语包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧挨”、“在...顶部”、“在...上面”、“在...下面”和“设置”。除非将第一和第二元件之间的关系明确地描述为“直接”，否则在上述公开中描述这种关系时，该关系可以是直接关系，其中在第一和第二元件之间不存在其它中间元件，但是也可以是间接关系，其中在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件。如本文所使用的，短语“A、B和C中的至少一个”应当被解释为意味着使用非排他性逻辑或(OR)的逻辑(A或B或C)，并且不应被解释为表示“A中的至少一个、B中的至少一个和C中的至少一个”。
在一些实现方案中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何工艺，包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(RF)产生器设置、RF匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出工具和其他转移工具和/或与具体系统连接或通过接口连接的装载锁。
从广义上讲，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(DSP)、定义为专用集成电路(ASIC)的芯片、和/或执行程序指令(例如，软件)的一个或多个微处理器或微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定工艺的操作参数。在一些实施方案中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。
在一些实现方案中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的工艺。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供工艺配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的工艺的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的工艺和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的工艺。
示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(PVD)室或模块、化学气相沉积(CVD)室或模块、原子层沉积(ALD)室或模块、原子层蚀刻(ALE)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。
如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。

Claims (20)

1.一种用于衬底处理系统的流体控制系统，其包括：
(M+N)个输入口，其被配置成分别与M个电磁线圈阀和N个备用电磁线圈阀流体连接，其中M和N为大于0的整数；
M个输出部，其被配置成与M个气动阀流体连接；以及
阀切换系统，其被配置成：
选择性阻挡所述M个输入口中的1至N个，其中所述M个输入口中的所述1至N个分别对应于M个电磁线圈阀中的1至N个失灵者；以及
从所述N个备用电磁线圈阀中的1至N个将流体供应至所述M个输出部中的1至N个，其中所述M个输出部中的所述1至N个分别对应于M个电磁线圈阀中的所述1至N个失灵者。
2.根据权利要求1所述的流体控制系统，其还包括外壳，所述外壳包括与所述(M+N)个输入口和所述M个输出部流体连接的N个空腔。
3.根据权利要求2所述的流体控制系统，其还包括设置在所述N个空腔中的N个轴，其中所述N个轴中的每一个包括：
圆柱形主体，其包括具有第一直径的第一轴部分，以及具有第二直径的第二轴部分；
空腔，其沿轴方向延伸；以及
M个孔，其以M个不同角度从所述空腔朝外延伸至所述第一轴部分中的至少一个。
4.根据权利要求3所述的流体控制系统，其还包括N个马达，其分别使所述N个轴选择性转动。
5.根据权利要求3所述的流体控制系统，其还包括M个密封环，其在分别对应于所述M个孔的分隔轴位置处布置于所述第一轴部分中的所述至少一个轴部分上。
6.根据权利要求5所述的流体控制系统，其中所述M个密封环中的每一个包括：
环状主体；以及
第一环状凸部和第二环状凸部，在所述环状主体的相对轴向侧上径向朝外延伸，且被配置成用所述N个空腔中的一个的内表面密封。
7.根据权利要求6所述的流体控制系统，其中所述M个密封环中的每一个还包括：
阻隔部，其在所述第一环状凸部与所述第二环状凸部之间轴向延伸；
孔，其径向延伸通过所述阻隔部；以及
中心空腔，其围绕在所述第一环状凸部与所述第二环状凸部之间以及在所述阻隔部的相对圆周侧之间的所述环状主体的径向外表面延伸。
8.根据权利要求7所述的流体控制系统，其中所述M个密封环中的每一个的所述孔与所述M个孔的相应一个轴向对准。
9.根据权利要求3所述的流体控制系统，其还包括N个阻隔环，其被布置在所述第一轴部分中的其他轴部分上的分隔轴向位置处。
10.根据权利要求8所述的流体控制系统，其中：
所述N个轴中的每一个还包括位于所述第二轴部分中的至少一个轴部分上的孔，所述第二轴部分中的至少一个轴部分位于所述第一轴部分中的相邻的轴部分之间；以及
所述孔与所述N个轴中的每一个的所述空腔流体耦合。
11.根据权利要求4所述的流体控制系统，其还包括控制器，该控制器被配置成：
监测所述M个电磁线圈阀的操作；
在所述M个电磁线圈阀中的一个未正确进行操作时做出判断；以及
使所述N个马达中的至少一个将所述N个轴中的至少一个转动，以阻挡来自所述M个电磁线圈阀中的所述一个的流体流，并且从所述N个备用电磁线圈阀中的一者供应流体流。
12.一种用于切换衬底处理系统中的气动阀的方法，其包括：
将电磁线圈组切换系统中的(M+N)个输入口分别与M个电磁线圈阀和N个备用电磁线圈阀连接，其中M和N为大于0的整数；
将所述电磁线圈组切换系统的M个输出口与M个气动阀连接；
监测所述M个电磁线圈阀的操作；以及
响应于检测到所述M个电磁线圈阀中的一个已失灵，使用所述电磁线圈组切换系统以使得所述电磁线圈组切换系统的N个马达中的一个将所述电磁线圈组切换系统的N个轴中的一个转动以：
将与所述M个电磁线圈阀中的所述失灵者对应的所述(M+N)个输入口中的一者进行阻挡；以及
将所述N个备用电磁线圈阀中的一者流体连接至与所述M个电磁线圈阀中的所述失灵者对应的所述M个输出口中的一个。
13.一种系统，其包括：
(M+N)个输入口，其被配置成分别与M个电磁线圈阀和N个备用电磁线圈阀流体连接，其中M和N为大于0的整数；
M个输出部，其被配置成与M个气动阀流体连接；
阀切换系统，其被配置成：
选择性阻挡所述M个输入口中的1个至N个，其中所述M个输入口中的所述1个至N个分别对应于M个电磁线圈阀中的1个至N个失灵的电磁线圈阀；以及
从所述N个备用电磁线圈阀中的1个至N个将流体供应至所述M个输出部中的1个至N个，其中所述M个输出部中的所述1至N个分别对应于M个电磁线圈阀中的所述1个至N个失灵的电磁线圈阀；
外壳，其包括与所述(M+N)个输入口和所述M个输出部流体连通的N个空腔；
N个轴，其布置在所述N个空腔中；以及
N个马达，分别使所述N个轴选择性转动。
14.根据权利要求13所述的系统，其中所述N个轴中的每一个包括：
圆柱形主体，其包括具有第一直径的第一轴部分，以及具有第二直径的第二轴部分；
空腔，其沿轴方向延伸；以及
M个孔，其以M个不同角度从所述空腔朝外延伸至所述第一轴部分中的至少一个轴部分。
15.根据权利要求14所述的系统，其还包括M个密封环，其在分别对应于所述M个孔的分隔轴位置处布置在所述第一轴部分中的所述至少一个轴部分上，其中所述M个密封环中的每一个包括：
环状主体；以及
第一环状凸部和第二环状凸部，在所述环状主体的相对轴向侧上径向朝外延伸，且被配置成用所述N个空腔中的一个的内表面密封。
16.根据权利要求15所述的系统，其中所述M个密封环中的每一个还包括：
阻隔部，其在所述第一环状凸部与所述第二环状凸部之间轴向延伸；
孔，其径向延伸通过所述阻隔部；以及
中心空腔，其围绕在所述第一环状凸部与所述第二环状凸部之间以及在所述阻隔部的相对圆周侧之间的所述环状主体的径向外表面延伸。
17.根据权利要求16所述的系统，其中所述M个密封环中的每一个的所述孔是与所述M个孔中的相应一个轴向对准。
18.根据权利要求14所述的系统，其还包括N个阻隔环，其布置于所述第一轴部分中的其他轴部分上的分隔轴向位置处。
19.根据权利要求17所述的系统，其中：
所述N个轴中的每一个包括位于所述第二轴部分中的至少一轴部分上的孔，其中所述第二轴部分位于所述第一轴部分中的相邻轴部分之间；以及
所述孔与所述N个轴中的每一个的所述空腔流体耦合。
20.根据权利要求13所述的系统，其还包括控制器，其被配置成：
监测所述M个电磁线圈阀的操作；
在所述M个电磁线圈阀中的一个未正确进行操作时作出判断；以及
使所述N个马达中的至少一者将所述N个轴中的至少一者转动，以阻挡来自所述M个电磁线圈阀中的所述一个的流体流，并且
从所述N个备用电磁线圈阀中的一个供应流体流。
CN202180051464.3A 2020-08-21 2021-08-17 用于控制衬底处理系统的气动阀的具有备用电磁阀的电磁线圈组 Pending CN116057203A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063068439P 2020-08-21 2020-08-21
US63/068,439 2020-08-21
PCT/US2021/046277 WO2022040166A1 (en) 2020-08-21 2021-08-17 Solenoid bank with standby solenoid valves for controlling pneumatic valves of a substrate processing system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116057203A true CN116057203A (zh) 2023-05-02

Family

ID=80323226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180051464.3A Pending CN116057203A (zh) 2020-08-21 2021-08-17 用于控制衬底处理系统的气动阀的具有备用电磁阀的电磁线圈组

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230274915A1 (zh)
KR (1) KR20230054436A (zh)
CN (1) CN116057203A (zh)
TW (1) TW202227659A (zh)
WO (1) WO2022040166A1 (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100483208B1 (ko) * 2002-08-02 2005-04-15 주성엔지니어링(주) 원자층증착방법용 박막증착장치의 밸브 시스템
KR101275890B1 (ko) * 2006-09-18 2013-06-14 엘지디스플레이 주식회사 가스분배 공급장치
KR100852624B1 (ko) * 2006-09-21 2008-08-18 주식회사 케이씨텍 전자소재 제조용 가스공급장치
JP6370630B2 (ja) * 2014-07-31 2018-08-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法
US11718913B2 (en) * 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230054436A (ko) 2023-04-24
US20230274915A1 (en) 2023-08-31
WO2022040166A1 (en) 2022-02-24
TW202227659A (zh) 2022-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20240112893A1 (en) Multi-plate electrostatic chucks with ceramic baseplates
KR102360248B1 (ko) 상이한 히터 트레이스 재료를 사용한 적층된 히터
KR20160031420A (ko) 기생 플라즈마를 억제하고 웨이퍼 내 불균일성을 감소시키기 위한 시스템들 및 방법들
US10741425B2 (en) Helium plug design to reduce arcing
US10323323B2 (en) Systems and methods enabling low defect processing via controlled separation and delivery of chemicals during atomic layer deposition
US10157755B2 (en) Purge and pumping structures arranged beneath substrate plane to reduce defects
KR20240004198A (ko) 원자층 증착 동안 화학물질들의 제어된 분리 및 전달을 통해 저 디펙트 프로세싱을 가능하게 하는 시스템들 및 방법들
KR20210008919A (ko) 냉각된 대면 플레이트를 갖는 샤워헤드를 갖는 기판 프로세싱 챔버
US11967517B2 (en) Electrostatic chuck with ceramic monolithic body
US11133211B2 (en) Ceramic baseplate with channels having non-square corners
US10667379B2 (en) Connections between laminated heater and heater voltage inputs
CN116057203A (zh) 用于控制衬底处理系统的气动阀的具有备用电磁阀的电磁线圈组
US20230377908A1 (en) Compact modular gas distribution plumbing and heating system for multi-station deposition modules
WO2018165292A1 (en) Boltless substrate support assembly
WO2021216275A1 (en) Floating pcb design for substrate support assembly
US20230369025A1 (en) High precision edge ring centering for substrate processing systems
US10764966B2 (en) Laminated heater with different heater trace materials
WO2024030307A1 (en) System and method to maintain constant clamping pressure during chamber rebooting and power failure instances
TW202140840A (zh) 用於溝槽輪廓最佳化的多區氣體分配板
WO2023172434A1 (en) Encapsulated compression washer for bonding ceramic plate and metal baseplate of electrostatic chucks
JP2023550333A (ja) 基板全体に均一な温度を有する基板支持体

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination