CN116031972A - 充电芯片的参数调整方法、电子设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请提供充电芯片的参数调整方法、电子设备及存储介质，方法，包括：检测充电芯片的触发信号，并根据所述触发信号确定触发类型；根据所述触发类型，确定目标保护参数；将所述目标保护参数反馈到充电芯片，以控制所述充电芯片基于所述目标保护参数运行实现处理器的负载电流调节。控制所述充电芯片基于所述目标保护参数运行实现对处理器的负载电流调节，进而实现限制负载电流的大小，避免元器件烧坏。同时避免无差别进行充电芯片的参数调整导致调整精度低的问题，提升充电芯片的负载电流控制精度，进而提升电子设备的使用性能。

Description

充电芯片的参数调整方法、电子设备及存储介质

技术领域

本申请涉及电路技术领域，具体涉及一种充电芯片的参数调整方法、电子设备及存储介质。

背景技术

随着电子科技的发展，电子设备的应用逐渐广泛，电子设备中包括的用电部件，用电部件比如处理器(CPU)，处理器用于对电子设备和系统进行控制和线程处理。其中，电子设备一般通过外部电源设备对的电子设备中的用电部件进行电源补给。

但是，在外部电源设备的插拔、电子设备的高速做功等情况下，会导致系统电流激增，即，处理器的负载电流较大，对电子设备的用电部件造成冲击损伤，影响电子设备的使用性能。

发明内容

本申请提供一种充电芯片的参数调整方法、电子设备及存储介质，旨在解决不同原因导致处理器的负载电流较大，对电子设备的用电部件造成冲击损伤，影响电子设备的使用性能的问题，提升电子设备使用性能。

第一方面，本申请提供一种充电芯片的参数调整方法，应用于控制器，所述方法包括：

检测充电芯片的触发信号，并根据所述触发信号确定触发类型；

根据所述触发类型，确定目标保护参数；

将所述目标保护参数反馈到充电芯片，以控制所述充电芯片基于所述目标保护参数运行实现对处理器的负载电流调节。

在本申请一种可能的实现方式中，所述根据所述触发类型，确定目标保护参数，包括：

若所述触发类型为所述第一类型，确定第一保护参数为目标保护参数，其中，所述第一保护参数包括锁定时长和第一配置参数第一类型。

在本申请一种可能的实现方式中，所述目标保护参数为第一保护参数，所述第一保护参数包括锁定时长和第一配置参数；

所述将所述目标保护参数反馈到充电芯片，以控制所述充电芯片基于所述目标保护参数运行实现对处理器的负载电流调节，包括：

根据所述触发信号对应的触发时间和所述锁定时长，确定写入所述第一配置参数的目标时间；

根据所述目标时间将所述第一配置参数写入所述充电芯片对应的状态寄存器，以控制所述充电芯片基于所述第一配置参数运行实现对处理器的负载电流调节。

在本申请一种可能的实现方式中，所述根据所述触发类型，确定目标保护参数，包括：

若所述触发类型为所述第二类型，则获取所述充电芯片对应的处理器的运行频率；

根据所述运行频率与预设频率阈值之间的大小关系，确定所述第二类型对应的第二保护参数，所述第二保护参数为所述目标保护参数。

在本申请一种可能的实现方式中，所述第二保护参数包括第一配置子参数和第二配置子参数；

所述根据所述运行频率与预设频率阈值之间的大小关系，确定所述第二类型对应的第二保护参数，包括：

若所述运行频率大于预设频率阈值，则获取所述第一配置子参数，所述第一配置子参数用于控制所述充电芯片输出降低处理器频率的温控信号实现对处理器的负载电流降低调节；

若所述运行频率小于预设频率阈值，则获取所述第二配置子参数，所述第二配置子参数用于控制所述充电芯片输出拉高处理器频率的温控信号实现对处理器的负载电流增大调节。

在本申请一种可能的实现方式中，所述目标保护参数为第二保护参数，所述第二保护参数包括第一配置子参数或第二配置子参数；

所述将所述目标保护参数反馈到充电芯片，以控制所述充电芯片基于所述目标保护参数运行实现对处理器的负载电流调节，包括：

将所述第二保护参数写入所述充电芯片对应的状态寄存器，以控制所述充电芯片基于所述第一配置子参数或第二配置子参数运行实现对处理器的负载电流增大调节或降低调节。

在本申请一种可能的实现方式中，所述根据所述触发类型，确定目标保护参数，包括：

若所述触发类型为第二类型，且所述触发类型与上一次检测到的触发信号对应的触发类型相同，则获取所述第二类型对应的预设保护参数，并确定所述预设保护参数为目标保护参数。

在本申请一种可能的实现方式中，所述检测充电芯片的触发信号，并根据所述触发信号确定触发类型，包括：

读取所述充电芯片对应的事件寄存器；

若从所述充电芯片对应的事件寄存器内读取到目标数据，则查询预设的数据类型定义规则，确定所述目标数据对应的触发类型。

在本申请一种可能的实现方式中，所述根据所述触发类型，确定目标保护参数，包括：

查找触发类型和保护参数对应的预设映射表，获取所述触发类型对应的目标修正参数；

根据所述目标修正参数对所述充电芯片对应的初始保护参数进行修正，得到目标保护参数。

第二方面，本申请提供一种充电芯片的参数调整方法，应用于充电芯片，其特征在于，所述充电芯片和控制器连接，所述方法包括：

当检测到处理器的负载电流大于预设负载电流阈值时，根据预设保护参数控制所述充电芯片进行参数调整；

根据所述充电芯片中目标引脚对应的电流信号，生成触发信号；

将所述触发信号写入所述充电芯片对应的事件寄存器，以使所述控制器检测充电芯片的触发信号，并根据所述触发信号确定触发类型，根据所述触发类型，确定目标保护参数；

接收所述控制器响应所述触发信息反馈的目标保护参数，并根据所述目标保护参数进行参数调整。

第三方面，本申请提供一种电子设备，所述电子设备包括：

一个或多个处理器；

充电芯片；

控制器；

存储器；以及

一个或多个应用程序，其中所述一个或多个应用程序被存储于所述存储器中，并配置为由所述控制器执行以实现任一项所述的充电芯片的参数调整方法；和/或；配置为由所述充电芯片执行以实现所述充电芯片的参数调整方法。

第四方面，本申请提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器进行加载，以执行任一项所述的充电芯片的参数调整方法中的步骤。

本申请中提供一种充电芯片的参数调整方法、电子设备及存储介质，通过检测充电芯片的触发信号，并根据所述触发信号确定触发类型；并根据所述触发类型，确定目标保护参数；然后将所述目标保护参数反馈到充电芯片，以控制所述充电芯片基于所述目标保护参数运行实现对处理器的负载电流调节。本方案通过检测充电芯片的触发信号，并根据所述充电芯片的触发信号，确定造成触发类型，比如为电源插拔类型，或者处理器高频运行，根据触发类型，确定对应的目标保护参数，并将目标保护参数反馈到充电芯片，以控制所述充电芯片基于所述目标保护参数运行实现对处理器的负载电流调节，以使充电芯片根据所述调整后的目标保护参数进行工作，进而输出对应的用于控制处理器处理频率的温控线号，通过温控信号控制处理器频率调节，进而限制负载电流的大小，避免元器件烧坏。同时避免无差别进行充电芯片的参数调整导致调整精度低的问题，提升充电芯片的电流控制精度，进而提升电子设备的使用性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施方案提供的充电芯片的参数调整方法运用场景示意图；

图2为本申请实施例中充电芯片的参数调整方法的一个实施例流程示意图；

图3为申请实施方案提供的一种充电芯片的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的充电芯片的参数调整方法的另一种实施方案的流程示意图；

图5为本申请实施例提供的充电芯片的参数调整方法中目标保护参数的确定的其中一种实施方案流程示意图；

图6为本申请实施例提供的充电芯片的参数调整方法的又一种实施方案的流程示意图；

图7为本申请实施例提供的充电芯片的参数调整方法中根据所述触发信号确定触发类型的其中一种实施方案流程示意图；

图8为本申请实施例提供的充电芯片的参数调整方法的其中一种实施方案流程示意图；

图9是本申请实施例中提供的电子设备的一个实施例结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

由背景技术可知，电子设备在外部电源的插拔时，即，接入或者移除外部电源时会产生较大的峰值电流，会导致笔记本电路板上的元器件损坏，另一种情况下，当外部电源接入时，电子设备的处理器进行高频模式(turbo mode)运行时无限制，会产生较大的输出电流，可能会使系统的峰值功率大于适配器adpter与电子设备的蓄电池battery的可用功率，从而出现接入adapter时(即，充电时)，电池电量仍然会降低，对电子设备的元件造成损伤。

因此，本申请实施例提供一种充电芯片的参数调整方法、电子设备及存储介质，以下分别进行详细说明。

参见图1，图1为本申请实施方案提供的充电芯片的参数调整方法运用场景示意图，场景中包括充电芯片100(charger IC)、控制器200、处理器300、蓄电池400以及外部电源500(adapter)，外部电源500(adapter)用于给蓄电池400充电和/或给处理器300供电；示例性的，当外部电源500(adapter)接入时，用于给蓄电池400充电和/或给处理器300供电；蓄电池400不放电，当述外部电源500(adapter)拔出时，蓄电池400给处理器300供电；在本申请实施方案中，充电芯片100(charger IC)主要用于检测外部电源500的输入到处理器300的负载电流，控制器200主要用于读写充电芯片100(charger IC)的寄存器，实现对充电芯片100(charger IC)的状态参数配置，以使充电芯片100(charger IC)根据状参数进行工作，进而输出用于控制处理器300的处理频率的温控线号，温控信号通过控制触发处理器300的电平拉高或拉低，实现处理器300的频率调节，进而限制负载电流的大小，避免元器件烧坏。

其中，充电芯片100(charger IC)、控制器200、处理器300、蓄电池400设置于电子设备中，可以理解的是，在本申请的其他一些实施方案中，电子设备中也可以不设置包括蓄电池；进一步的，充电芯片100包括与外部电源500连通用于充电的目标引脚(目标引脚用于根据电流信号的变化确定外部电源的插入动作和拔出动作，比如，目标引脚当检测到电流信号时，确定外部电源的插入动作，目标引脚当检测到电流信号消失时，确定外部电源的拔出动作)，以及与蓄电池400连接的连接电路，以及用于检测负载电流的电流检测元件(比如电流传感器)、用于控制充电芯片100工作的寄存器(寄存器内的数据为预设的配置参数，可以理解的是，寄存器可包括多个，比如用于记录目标数据供控制器200读取判断触发类型的事件寄存器、以及用于保存有配置参数以控制充电芯片100的工作状态的状态寄存器)以及温控信号输出单元(用于根据充电芯片100的工作状态输出对应的温控信号控制处理器300的频率变化)。

具体的，当充电芯片100中的电流电测元件检测到电流大于预设电流阈值时候，查看充电芯片100的目标引脚的通路情况，根据通路情况生成触发信号，写入到充电芯片100的事件寄存器中，控制器200根据读取事件寄存器检测充电芯片100的触发信号，并根据触发信号确定触发类型；根据触发类型，确定目标保护参数，将目标保护参数写入到充电芯片100中状态寄存器，可以理解的是，目标保护参数，即状态寄存器中的配置参数，充电芯片100根据写入的目标保护参数控制充电芯片100的工作状态，变化，进而触发温控信号输出单元输出温控信号，到处理器300，处理器300根据温控信号进行电平拉高或拉低，进而控制处理器300频率升高或降低，进而降低处理器300的负载电流大小，避免大负载电流损坏元件，通过对充电芯片100的配置参数调整实现对处理器300的负载电流控制，避免处理器300的负载电流过大，损坏用电元件，同时避免无差别进行充电芯片的参数调整导致调整精度低的问题，提升充电芯片的电流控制性能，进而提升电子设备的使用性能。

基于上述充电芯片的参数调整方法的场景，提出了充电芯片的参数调整方法的实施例。

如图2所示，图2为本申请实施例中充电芯片的参数调整方法的一个实施例流程示意图，充电芯片的参数调整方法运用于控制器，该充电芯片的参数调整方法包括步骤S201-S203：

S201、检测充电芯片的触发信号，并根据触发信号确定触发类型。

其中，充电芯片，即，charger IC，可以理解的是，充电芯片(charger IC)主要用于检测外部电源的输入到处理器的负载电流，控制器主要用于读写充电芯片(charger IC)的寄存器，检测充电芯片的触发信号，并根据触发信号实现对充电芯片(charger IC)的状态参数配置，以使充电芯片(charger IC)根据状参数进行工作，进而输出用于控制处理器的处理频率的温控线号，温控信号通过控制触发处理器的电平拉高或拉低，实现处理器的频率调节，进而限制负载电流的大小，避免元器件烧坏。

其中，触发信号，即，触发充电芯片进行电路保护的信号，可以理解的是，充电芯片包括温控信号输出单元，当检测到输出电流过大时，会触发温控信号输出单元的电路保护，并根据触发电路保护的不同原因生成不同的触发信号。

具体的，参见图3，图3为申请实施方案提供的一种充电芯片的结构示意图，其中，充电芯片中的Processor Hot单元(1)，即温控输出单元，触发电流保护的信号存储在charger IC中的事件寄存器中。温控输出单元为chargerI C中的Processor Hot单元，用于输出温控信号PROCHOT到处理器，控制处理器进行频率调节，其中，充电芯片中包括的事件寄存器和状态寄存器均包括在图3中的模块(3)中。

其中，触发类型，即触发充电芯片进行电路保护的类型，在本申请实施方案中，触发类型包括第一类型和第二类型，具体的，第一类型用于指示由于外部电源设备的插拔引起峰值电流触发电路保护的触发类型，第二类型用于指示由于电子设备的处理器进行高频模式运行引起大电流触发电路保护的触发类型。

具体的，在本申请实施方案中，充电芯片的参数调整方法运用于控制器，控制器检测充电芯片的触发信号，并根据触发信号确定触发类型，具体的实现方式本申请不作具体的限定，比如，包括：

在一些可实现的实施方案中，控制器基于与充电芯片连接的通信线路或者与充电芯片配对的无线信号接收器接收充电芯片发送的触发信号，当控制器接收到触发信号时，即，检测到触发信号，然后解析触发信号，得到触发信号对应的触发类型。

在一些可实现的实施方案中，控制器通过读取充电芯片写入预设寄存器内的寄存器值检测充电芯片发送的触发信号，当控制器检测到触发信号时，解析触发信号，得到触发信号对应的触发类型。

S202、根据触发类型，确定目标保护参数。

其中，目标保护参数，即，用于调整充电芯片中温控输出单元输出的温控信号PROCHOT到处理器，控制处理器进行频率调节。具体的，目标保护参数为充电芯片中状态寄存器中的配置参数，可以理解的是，充电芯片根据状态寄存器中的配置参数进行工作，并触发充电芯片中温控输出单元输出不同的温控信号PROCHOT。

可以理解的是，不同的触发类型对应不同的目标保护参数。在一些实施例中，第一类型对应的目标保护参数为第一保护参数，可选的，第一保护参数包括：包括锁定时长和第一配置参数；第二类型对应的目标保护参数为第二保护参数，可选的，第二保护参数包括：第二配置子参数。

具体的，控制器在获取到充电芯片的触发信号后，并根据触发信号确定触发类型，并根据触发类型，确定触发类型对应的目标保护参数，具体的，根据触发类型，确定触发类型对应的目标保护参数的实现方式本申请不做具体的限定，比如：

一些可以实现的实施方案中，控制器根据触发类型，查找预设映射表，获取触发类型对应的目标保护参数，其中，预设映射表中包括多组映射关系，每组映射关系包括一个触发类型和该触发类型对应的保护参数。

在上述实施例中，不同的触发类型，对应不同的目标保护参数。不同的目标保护参数，对应不同的映射表。

另一些可以实现的实施方案中，目标保护参数保存在存储空间的不同位置，控制器将根据不同触发类型，查找不同的触发类型对应的存储位置信息，根据对应的存储位置信息，确定对应的目标保护参数，比如，存储位置信息可以为目标保护参数在存储器中的存储地址。

又一些可以实现的实施方案中，查找触发类型和保护参数对应的预设映射表，获取触发类型对应的目标修正参数；根据目标修正参数对充电芯片对应的初始保护参数进行修正，得到目标保护参数。

S203、将目标保护参数反馈到充电芯片，以控制充电芯片基于目标保护参数运行实现对处理器的负载电流调节。

具体的，控制器在根据触发类型，确定目标保护参数后，将目标保护参数反馈到充电芯片的实现方式本申请不做具体的限定，比如：

在一些可实现的实施方案中，控制器基于与充电芯片连接的通信线路或者与充电芯片配对的无线信号发送器发送目标保护参数到充电芯片，实现将目标保护参数反馈到充电芯片。

在另一些可实现的实施方案中，控制器通过在充电芯片对应的预设寄存器内的写入目标保护参数，以使充电芯片读取目标保护参数，实现将目标保护参数反馈到充电芯片。

具体的，在本申请实施方案中，控制器将目标保护参数反馈到充电芯片，充电芯片根据目标保护参数运行，触发充电保护参数中的温控输出单元输出对应的温控信号PROCHOT到处理器。

进一步的，在上述实施方案的基础上，参见图4，图4为本申请实施例提供的充电芯片的参数调整方法的另一种实施方案的流程示意图，包括步骤S401-S404：

S401、检测充电芯片的触发信号，并根据触发信号确定触发类型。

其中，步骤S401的实施方案参见上述。

S402、若触发类型为第一类型，确定第一保护参数为目标保护参数，第一保护参数至少包括锁定时长和第一配置参数；

在该情形下，第一保护参数至少包括锁定时长和第一配置参数。

其中，第一类型用于指示由于外部电源设备的插拔引起峰值电流触发电路保护的触发类型。

可以理解的是，当外部电源插拔时，可能会产生较大的峰值电流(即负载电流增大的最大值)。若峰值电流大于预设电流阈值，充电芯片会触发应急保护，直接将应急保护对应的预设配置参数写入充电芯片对应的状态寄存器中以控制将充电芯片根据预设配置参数工作，充电芯片中的温控信号输出单元对应充电芯片的工作状态输出温控信号到处理器，使充电芯片能针对不同的类型输出不同的温控信号prochot，prochot将会控制处理器的电平拉低，进而降低处理器的频率。

其中，第一类型锁定时长，即，充电芯片中温控信号输出单元的当前的保护参数的保持时长。可以理解的是，当触发类型为第一类型时，为了避免充电插拔的峰值电流反复，会设置锁定时长，使得温控信号输出单元在应急保护阶段的保护参数保持锁定时长。

其中，第一配置参数，即，用于在检测到第一类型的情况下，写入充电芯片的状态寄存器中的配置参数，通过配置参数更新控制充电芯片的工作状态变化，触发输出对应的prochot，在本申请实施方案中，第一配置参数对应的生成的prochot用于将会拉处理器的电平，恢复处理器电平拉低前的运行频率。

具体的，控制器在检测充电芯片的触发信号，并根据触发信号确定触发类型后，若触发类型为第一类型，则根据第一类型对应的参数存储地址，获取第一类型对应的锁定时长和配置参数。

S403、根据触发信号对应的触发时间和锁定时长，确定写入第一配置参数的目标时间。

其中，触发信号对应的触发时间，为触发信号的确定时间，可以通过与充电芯片通信获取，或者通过读取触发信号的写入事件寄存器的时间确定，或者为读取触发信号的时间；可以理解的是，在本申请实施方案中，触发信号控制器通过读取充电芯片写入事件寄存器的寄存器值(触发信号)检测到，故，触发信号对应的触发时间可以通过读取触发信号的写入事件寄存器的时间确定。

其中，写入第一配置参数的目标时间，即，将第一配置参数写入充电芯片对应的状态寄存器的时间，可以理解的是，在本申请实施方案中，充电芯片的通过读取状态寄存器中的第一配置参数控制充电芯片的运行状态，触发输出不同的温控信号。

具体的，参见图3，控制器通过引脚SDA和SCL读事件寄存器和写状态寄存器，控制器在确定第一类型对应的锁定时长和配置参数后，获取触发信号对应的触发时间，将触发时间加上锁定时长，得到写入配置参数的目标时间。

S404、根据目标时间将第一配置参数写入充电芯片对应的状态寄存器，以控制充电芯片基于第一配置参数运行实现对处理器的负载电流调节。

具体的，控制器检测当前时间，若当前时间达到目标时间将第一配置参数写入充电芯片对应的状态寄存器，以控制充电芯片基于第一配置参数进行的电平调整，即，充电芯片在检测到状态寄存器有写入数据时，读取写入的第一配置参数，根据第一配置参数控制充电芯片的内部运行参数变化，反馈到输出调节单元，触发生成对应的温控信号，以调节处理器的处理频率，进而限制处理器的负载电流的电流大小。

进一步的，参见图5，图5为本申请实施例提供的充电芯片的参数调整方法中目标保护参数的确定的其中一种实施方案流程示意图，具体包括步骤S501-S502：

S501、若触发类型为第二类型，则获取充电芯片对应的处理器的运行频率。

其中，第二类型为由于电子设备的处理器进行高频模式(turbo mode)运行引起大电流触发电路保护的触发类型。

可以理解的是，当CPU处于turbo mode时，如果充电芯片触发电路保护产生应急保护，会将charger IC(充电芯片)中的配置参数配置修改为为预设配置参数，触发prochot，prochot将会拉低，处理器会降到最低的频率。用户会感觉到明显的卡顿，影响其体验感。

其中，处理器的运行频率，即CPU频率概念；CPU频率它决定计算机的运行速度。

即，具体的，控制器在检测充电芯片的触发信号，并根据触发信号确定触发类型后，若触发类型为第二类型，则获取充电芯片对应的处理器的运行频率，对处理器的运行频率进行判断，判断是否会导致设备卡顿。可以理解的是，处理器的运行频率可以通过控制器与处理器通信获取。

S502、根据运行频率与预设频率阈值之间的大小关系，确定第二类型对应的第二保护参数；

在该场景下，目标保护参数包括第二保护参数。

其中，预设第二类型频率阈值，即，处理器高频模式运行时的最低运行的频率阈值，若低于频率阈值，则可能会导致处理器卡顿，进而引起设备卡顿。

具体的，控制器在检测充电芯片的触发信号，并根据触发信号确定触发类型后，若触发类型为第二类型，则获取充电芯片对应的处理器的运行频率，将运行频率与预设频率阈值进行大小比对，并根据比对得到大小关系，确定第二类型对应的第二保护参数，具体的，在本申请实施方案中，第二保护参数，包括第一配置子参数和第二配置子参数。根据大小关系，确定第二类型对应的第二保护参数的过程具体包括以下步骤：

(1)若运行频率大于预设频率阈值，则获取第一配置子参数，第一配置子参数用于控制充电芯片输出降低处理器频率的温控信号实现对处理器的负载电流降低调节；

可以理解的是，控制器将运行频率与预设频率阈值进行大小比对，若运行频率大于预设频率阈值，则说明处理器的运行频率还是太高，处理器的负载电流还是太大，可能有导致充电芯片触发电路保护的风险，进一步获取第一配置子参数，将第一配置子参数写入充电芯片对应的状态寄存器，以控制充电芯片基于第一配置子参数进一步控制处理器频率降低，进而限制处理器的负载电流的电流大小。

(2)若运行频率小于预设频率阈值，则获取第二配置子参数，第二配置子参数用于控制充电芯片输出拉高处理器频率的温控信号实现对处理器的负载电流增大调节。

可以理解的是，控制器将运行频率与预设频率阈值进行大小比对，若运行频率小于预设频率阈值，则说明处理器的运行频率还是太低可能有导致处理器卡顿的风险，进一步获取第二配置子参数，将第二配置子参数写入充电芯片对应的状态寄存器，以控制充电芯片基于第二配置子参数进行的电平调整，即，充电芯片在检测到状态寄存器有写入数据时，读取写入的第二配置子参数，根据第二配置子参数控制充电芯片输出调节单元输出控制处理器频率升高的温控信号，进而增大处理器的负载电流，提升处理器的运行频率。

进一步的在上述实施方案的基础上，参见图6，图6为本申请实施例提供的充电芯片的参数调整方法的又一种实施方案的流程示意图，包括步骤S601-S604：

S601、检测充电芯片的触发信号，并根据触发信号确定触发类型。

S602、若运行频率大于预设频率阈值，则获取第一配置子参数，第一配置子参数用于控制充电芯片输出降低处理器频率的温控信号实现对处理器的负载电流降低调节。

S603、若运行频率小于预设频率阈值，则获取第二配置子参数，第一配置参数用于控制充电芯片输出降低处理器频率的温控信号实现对处理器的负载电流增大调节。

其中，步骤S601-S603的具体实施方案参见上述任一项实施方案。

S604、将第二保护参数写入充电芯片对应的状态寄存器，以控制充电芯片基于第一配置子参数或第二配置子参数运行实现对处理器的负载电流增大调节或降低调节。

其中，状态寄存器用于存储控制充电芯片的状态配置参数，可以理解的是，充电芯片根据状态配置参数进行运行，会触发充电芯片的输出调节单元输出温控信号，控制处理器的charger prochot的电平拉高或拉低，实现对处理器的运行频率的控制，进而实现对充电芯片的输出电流的大小的控制。

进一步的，在本申请的其中一种实施方案中，本申请还提供一种充电芯片的参数调整方法的实施方案，包括步骤：

(1)检测充电芯片的触发信号，并根据触发信号确定触发类型；

(2)若触发类型为第二类型，且触发类型与上一次检测到的触发信号对应的触发类型相同，则获取第二类型对应的预设保护参数，并确定预设保护参数为目标保护参数；

其中，预设保护参数，即，第二类型对应的预设配置参数(可以为用于触发拉高处理器的频率的温控信号和触发拉低处理器的频率的温控信号之间的配置参数的切换频率，即对应的状态寄存器的配置参数的更新频率)，避免在预设时长内第二类型对应的触发信号反复触发，预设保护参数可以根据实验获取的预设保护参数。

(3)将目标保护参数反馈到充电芯片，以控制充电芯片基于目标保护参数运行实现对处理器的负载电流调节。

具体的，控制器在检测充电芯片的触发信号，并根据触发信号确定触发类型后，若触发类型为第二类型，且在预设时间周期内上一次检测到的触发信号对应的触发类型也为第二类型，则获取第二类型对应的预设保护参数，并确定预设保护参数为目标保护参数，将目标保护参数反馈到充电芯片，以控制充电芯片基于目标保护参数运行实现对处理器的负载电流调节。可以理解的是，预设时间周期可以30分钟，即，当控制器在检测充电芯片的触发信号时的前30分钟。

进一步的，参见图7，图7为本申请实施例提供的充电芯片的参数调整方法中根据触发信号确定触发类型的其中一种实施方案流程示意图，具体包括步骤S701-S702：

S701、读取充电芯片对应的事件寄存器。

其中，事件寄存器用于供充电芯片写入触发信号，供控制器读出触发信号，具体的，在本申请实施方案中，当控制器读出事件寄存器中的触发信号后，会对触发信号进行擦除，以便于下一次充电芯片再次写入触发信号。

可以理解的是，控制器读取充电芯片对应的事件寄存器，可以根据预设的读取频率进行读取，也可以对事件寄存器的写入情况进行检测，当检测到事件寄存器写入数据时，则读取事件寄存器写入的数据，即，读取充电芯片对应的事件寄存器中写入的目标数据。

S702、若从充电芯片对应的事件寄存器内读取到目标数据，则查询预设的数据类型定义规则，确定目标数据对应的触发类型。

其中，目标数据，即，触发信号。

其中，数据类型定义规则，限定目标数据对应不同的触发类型的定义规则，比如，目标数据可以为0、1，数据类型定义规则则定义0为第一类型，1为第二类型。

具体的，当控制器读取充电芯片对应的事件寄存器读取到目标数据时，查询预设的数据类型定义规则，确定目标数据对应的触发类型。

本申请上述实施方案中提供充电芯片的参数调整方法，应用于控制器，通过检测充电芯片的触发信号，并根据触发信号确定触发类型；并根据触发类型，确定目标保护参数；然后将目标保护参数反馈到充电芯片，以控制充电芯片基于目标保护参数运行实现对处理器的负载电流调节。本方案通过检测充电芯片的触发信号，并根据充电芯片的触发信号，确定造成触发类型，比如为电源插拔类型，或者处理器高频运行，根据触发类型，确定对应的目标保护参数，并将目标保护参数反馈到充电芯片，以控制充电芯片基于目标保护参数运行实现对处理器的负载电流调节，以使充电芯片根据调整后的目标保护参数进行工作，进而输出对应的用于控制处理器处理频率的温控线号，通过温控信号控制处理器频率调节，进而限制负载电流的大小，避免元器件烧坏。同时避免无差别进行充电芯片的参数调整导致调整精度低的问题，提升充电芯片的电流控制精度，进而提升电子设备的使用性能。

进一步的，在上述实施方案的基础上，参见图8，图8为本申请实施例提供的充电芯片的参数调整方法的其中一种实施方案流程示意图，方法运用与充电芯片，具体包括步骤S801-S804：

S801、当检测到处理器的负载电流大于预设负载电流阈值时，根据预设保护参数控制充电芯片进行参数调整。

其中，负载电流，即，外部电源和与处理器连接的一端的处理器输入电流，即，可以理解的是，输出电流，即，用于为处理器供能的电流，可以理解的是，输出电流的大小可以根据电流传感器进行检测。

其中，预设电流阈值用于与负载电流进行比对，判断输出电流是否过大，可以理解的是，预设电流阈值可以根据不同的电子设备设置不同的电流阈值，具体本申请不做限定。

其中，预设保护参数，即，充电芯片在检测到输出电流过大(即大于预设电流阈值)后，充电芯片会触发应急保护，直接将应急保护对应的预设配置参数写入充电芯片对应的状态寄存器中以控制将充电芯片根据预设配置参数工作，充电芯片中的温控信号输出单元对应充电芯片的工作状态输出温控信号到处理器，使充电芯片能针对不同的类型输出不同的温控信号prochot，prochot将会控制处理器的电平拉低，进而降低处理器的频率。

其中，处理器，即，中央处理器(CPU)，用于进行数据处理，可以理解的是，在本申请实施方案中，充电芯片的参数调整方法运用于电子设备，处理器，即，电子设备的处理器。

具体的，充电芯片的检测到目标数据输出端的输出电流大于预设电流阈值时，获取预设保护参数，根据预设保护参数控制充电芯片进行参数调整。

S802、根据充电芯片中目标引脚对应的电流信号，生成触发信号。

其中，目标引脚为，与外部电源连接的目标引脚，参见图3，中的引脚8(3)，当与外部电源连接充电时，目标引脚有电流信号，反之则没有电流信号，具体的，根据充电芯片中目标引脚对应的电流信号，生成触发信号，包括：

(1)若接收到充电芯片中目标引脚对应的电流信号，则生成第一触发信号；

(2)若未接收到充电芯片中目标引脚对应的电流信号，则生成第二触发信号。

可以理解的是，目标引脚用于根据电流信号的变化确定外部电源的插入动作和拔出动作，比如，目标引脚当检测到电流信号时，生成第一触发信号，确定外部电源的插入动作，目标引脚当检测到电流信号消失时，生成第一触发，确定外部电源的拔出动作。

具体的，第一触发信号为对应第一类型的触发信号，第二触发信号为对应的第二类型的触发信号，可以理解的是，外部电源在插拔时，目标引脚都会有电流信号的变化，根据充电芯片中目标引脚对应的电流信号的变化，生成触发信号，比如，第一触发信号对应0，第二触发信号对应1。

S803、将触发信号写入充电芯片对应的事件寄存器，以使控制器检测充电芯片的触发信号，并根据触发信号确定触发类型，根据触发类型，确定目标保护参数。

具体的，充电芯片在根据充电芯片中目标引脚对应的电流信号，生成触发信号后，将触发信号写入充电芯片对应的事件寄存器中，当控制器检测到事件寄存器中写入信号时，读取事件寄存器中写入的目标数据，即，读取写入的触发信号，实现检测充电芯片的触发信号，并根据触发信号确定触发类型，根据触发类型，确定目标保护参数的目的，然后，控制器反馈目标保护参数到充电芯片。

S804、接收控制器响应触发信息反馈的目标保护参数，并根据目标保护参数进行参数调整。

具体的，充电芯片接收控制器响应触发信息反馈的目标保护参数，可以为通过数据线接收，也可以通过寄存器读取数据接收，在本申请实施方案中，控制器将目标保护参数写入充电芯片对应的状态寄存器中，充电芯片检测到状态寄存器有写入数据时，读取写入的目标保护参数，即，状态配置参数，根据目标保护参数控制充电芯片运行，以使得输出调节单元触发生成对应的温控信号，进而限制处理器的负载电流的电流大小。

可以理解的是，在本申请实施方案中，充电芯片在读取状态寄存器中的数据后即对状态寄存器中的数据进行擦除。

可以理解的是，在上述任一项实施方案中，充电芯片中包括用于存储目标保护参数的状态寄存器，控制器通过对充电芯片中的状态配置参数调整来对温控信号(prochot)进行动态调整，以控制CPU的频率。控制器根据不同的电流变化类型控制充电芯片触发不同prochot，充电芯片会实时监测是否有相应的事件触发，即，实施检测电源的输出电流是否大于预设电流阈值。其中，控制器会读取状态寄存器来判断是否被触发以及根据输出电流的变化信息确定不同的触发事件(即不同的电流变化类型)对温控信号做出相应的动态调整。

本申请上述实施方案提供一种用于充电芯片的参数调整方法，通过检测充电芯片的触发信号，并根据触发信号确定触发类型；并根据触发类型，确定目标保护参数；然后将目标保护参数反馈到充电芯片，以控制充电芯片基于目标保护参数运行实现对处理器的负载电流调节。本方案通过检测充电芯片的触发信号，并根据充电芯片的触发信号，确定造成触发类型，比如为电源插拔类型，或者处理器高频运行，根据触发类型，确定对应的目标保护参数，并将目标保护参数反馈到充电芯片，以控制充电芯片基于目标保护参数运行实现对处理器的负载电流调节，以使充电芯片根据调整后的目标保护参数进行工作，进而输出对应的用于控制处理器处理频率的温控线号，通过温控信号控制处理器频率调节，进而限制负载电流的大小，避免元器件烧坏。同时避免无差别进行充电芯片的参数调整导致调整精度低的问题，提升充电芯片的电流控制精度，进而提升电子设备的使用性能。

为了更好实施本申请实施例中充电芯片的参数调整方法，本发明实施例还提供一种电子设备，如图9所示，图9是本申请实施例中提供的电子设备的一个实施例结构示意图。

电子设备用于执行了本发明实施例所提供的任一种充电芯片的参数调整方法，电子设备包括：

一个或多个处理器；

充电芯片；

控制器；

存储器；以及

一个或多个应用程序，其中一个或多个应用程序被存储于存储器中，并配置为由控制器执行以实现任一项的充电芯片的参数调整方法；和/或；配置为由充电芯片执行以实现充电芯片的参数调整方法。

具体来讲：电子设备可以包括一个或者一个以上处理核心的处理器901、一个或一个以上计算机可读存储介质的存储器902、电源903(即蓄电池)、充电芯片904、控制器905等部件。本领域技术人员可以理解，图9中示出的电子设备结构并不构成对电子设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。其中：

处理器901是该电子设备的控制中心，利用各种接口和线路连接整个电子设备的各个部分，通过运行或执行存储在存储器902内的软件程序和/或模块，以及调用存储在存储器902内的数据，执行电子设备的各种功能和处理数据，从而对电子设备进行整体监控。

存储器902可用于存储软件程序以及模块，处理器901通过运行存储在存储器902的软件程序以及模块，从而执行各种功能应用以及数据处理。存储器902可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等；存储数据区可存储根据电子设备的使用所创建的数据等。此外，存储器902可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。相应地，存储器902还可以包括存储器控制器，以提供处理器901对存储器902的访问。

控制器905可以为EC芯片(Embedded Controller)、嵌入式控制器、单片机等。

在本申请一些实施例中，充电芯片的参数调整方法可在如图8所示的电子设备上运行。电子设备的存储器中可存储充电芯片的参数调整方法对应的各个程序模块，各个程序模块构成的计算机程序使得处理器执行本说明书中描述的本申请各个实施例的空调参数调整方法中的步骤。

例如，充电芯片的参数调整方法对应的一个或多个应用程序，其中一个或多个应用程序被存储于存储器中，并配置为由控制器执行以实现上述实施方案中运用于控制器的任一项的充电芯片的参数调整方法；和/或；配置为由充电芯片执行以实现上述实施方案中运用于充电芯片的参数调整方法。该电子设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器和网络接口。其中，该电子设备的处理器用于提供计算和控制能力。该电子设备的存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该电子设备的网络接口用于与外部的电子设备通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种空调参数调整方法。

电子设备还包括给各个部件供电的电源903，优选的，电源903可以通过电源管理系统与处理器901逻辑相连，从而通过电源管理系统实现管理充电、放电、以及功耗管理等功能。电源903还可以包括一个或一个以上的直流或交流电源、再充电系统、电源故障检测电路、电源转换器或者逆变器、电源状态指示器等任意组件。

该电子设备还可包括输入单元804，该输入单元804可用于接收输入的数字或字符信息，以及产生与用户设置以及功能控制有关的键盘、鼠标、操作杆、光学或者轨迹球信号输入。

尽管未示出，电子设备还可以包括显示单元等，在此不再赘述。具体在本实施例中，电子设备中的处理器901会按照如下的指令，将一个或一个以上的应用程序的进程对应的可执行文件加载到存储器902中，并由控制器905来运行存储在存储器902中的应用程序，从而实现各种功能，如下：

检测充电芯片的触发信号，并根据触发信号确定触发类型；

根据触发类型，确定目标保护参数；

将目标保护参数反馈到充电芯片，以控制充电芯片基于目标保护参数运行实现对处理器的负载电流调节。

本领域普通技术人员可以理解，上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤可以通过指令来完成，或通过指令控制相关的硬件来完成，该指令可以存储于一计算机可读存储介质中，并由处理器进行加载和执行。

为此，本发明实施例提供一种计算机可读存储介质(可简称存储介质)，该计算机可读存储介质可以包括：只读存储器(ROM，ReadOnlyMemory)、随机存取记忆体(RAM，RandomAccessMemory)、磁盘或光盘等。其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器进行加载，以执行本发明实施例所提供的任一种充电芯片的参数调整方法中的步骤。例如，计算机程序被处理器进行加载可以执行如下步骤：

检测充电芯片的触发信号，并根据触发信号确定触发类型；

根据触发类型，确定目标保护参数；

将目标保护参数反馈到充电芯片，以控制充电芯片基于目标保护参数运行实现对处理器的负载电流调节。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文针对其他实施例的详细描述，此处不再赘述。

具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。

以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。

以上对本申请实施例所提供的一种充电芯片的参数调整方法、电子设备及存储介质进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (12)

1.一种充电芯片的参数调整方法，应用于控制器，其特征在于，所述方法包括：

检测充电芯片的触发信号，并根据所述触发信号确定触发类型；

根据所述触发类型，确定目标保护参数；

将所述目标保护参数反馈到充电芯片，以控制所述充电芯片基于所述目标保护参数运行实现处理器的负载电流调节。

2.根据权利要求1所述的充电芯片的参数调整方法，其特征在于，所述根据所述触发类型，确定目标保护参数，包括：

若所述触发类型为所述第一类型，确定第一保护参数为目标保护参数，其中，所述第一保护参数包括锁定时长和第一配置参数第一类型。

3.根据权利要求1所述的充电芯片的参数调整方法，其特征在于，所述目标保护参数为第一保护参数，所述第一保护参数包括锁定时长和第一配置参数；

所述将所述目标保护参数反馈到充电芯片，以控制所述充电芯片基于所述目标保护参数运行实现对处理器的负载电流调节，包括：

根据所述触发信号对应的触发时间和所述锁定时长，确定写入所述第一配置参数的目标时间；

根据所述目标时间将所述第一配置参数写入所述充电芯片对应的状态寄存器，以控制所述充电芯片基于所述第一配置参数运行实现对处理器的负载电流调节。

4.根据权利要求1所述的充电芯片的参数调整方法，其特征在于，所述根据所述触发类型，确定目标保护参数，包括：

若所述触发类型为所述第二类型，则获取所述充电芯片对应的处理器的运行频率；

根据所述运行频率与预设频率阈值之间的大小关系，确定所述第二类型对应的第二保护参数，所述第二保护参数为所述目标保护参数。

5.根据权利要求4所述的充电芯片的参数调整方法，其特征在于，所述第二保护参数包括第一配置子参数和第二配置子参数；

所述根据所述运行频率与预设频率阈值之间的大小关系，确定所述第二类型对应的第二保护参数，包括：

若所述运行频率大于预设频率阈值，则获取所述第一配置子参数，所述第一配置子参数用于控制所述充电芯片输出降低处理器频率的温控信号实现对处理器的负载电流降低调节；

若所述运行频率小于预设频率阈值，则获取所述第二配置子参数，所述第二配置子参数用于控制所述充电芯片输出拉高处理器频率的温控信号实现对处理器的负载电流增大调节。

6.根据权利要求1所述的充电芯片的参数调整方法，其特征在于，所述目标保护参数为第二保护参数，所述第二保护参数包括第一配置子参数或第二配置子参数；

所述将所述目标保护参数反馈到充电芯片，以控制所述充电芯片基于所述目标保护参数运行实现对处理器的负载电流调节，包括：

将所述第二保护参数写入所述充电芯片对应的状态寄存器，以控制所述充电芯片基于所述第一配置子参数或第二配置子参数运行实现对处理器的负载电流增大调节或降低调节。

7.根据权利要求1所述的充电芯片的参数调整方法，其特征在于，所述根据所述触发类型，确定目标保护参数，包括：

若所述触发类型为第二类型，且所述触发类型与上一次检测到的触发信号对应的触发类型相同，则获取所述第二类型对应的预设保护参数，并确定所述预设保护参数为目标保护参数。

8.根据权利要求1所述的充电芯片的参数调整方法，其特征在于，所述检测充电芯片的触发信号，并根据所述触发信号确定触发类型，包括：

读取所述充电芯片对应的事件寄存器；

若从所述充电芯片对应的事件寄存器内读取到目标数据，则查询预设的数据类型定义规则，确定所述目标数据对应的触发类型。

9.根据权利要求1所述的充电芯片的参数调整方法，其特征在于，所述根据所述触发类型，确定目标保护参数，包括：

查找触发类型和保护参数对应的预设映射表，获取所述触发类型对应的目标修正参数；

根据所述目标修正参数对所述充电芯片对应的初始保护参数进行修正，得到目标保护参数。

10.一种充电芯片的参数调整方法，应用于充电芯片，其特征在于，所述充电芯片和控制器连接，所述方法包括：

当检测到处理器的负载电流大于预设负载电流阈值时，根据预设保护参数控制所述充电芯片进行参数调整；

根据所述充电芯片中目标引脚对应的电流信号，生成触发信号；

将所述触发信号写入所述充电芯片对应的事件寄存器，以使所述控制器检测充电芯片的触发信号，并根据所述触发信号确定触发类型，根据所述触发类型，确定目标保护参数；

接收所述控制器响应所述触发信息反馈的目标保护参数，并根据所述目标保护参数进行参数调整。

11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：

一个或多个处理器；

充电芯片；

控制器；

存储器；以及

一个或多个应用程序，其中所述一个或多个应用程序被存储于所述存储器中，并配置为由所述控制器执行以实现权利要求1至9中任一项所述的充电芯片的参数调整方法；和/或；配置为由所述充电芯片执行以实现权利要求10所述充电芯片的参数调整方法。

12.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器进行加载，以执行权利要求1至10任一项所述的充电芯片的参数调整方法中的步骤。

Images