CN116031197A - 一种晶圆支撑结构、晶圆加工装置及其加工方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种晶圆支撑结构、一种晶圆加工装置及其加工方法。该晶圆支撑结构设置于气相沉积设备的反应腔内，包括：金属顶针，经由设置于晶圆托盘的顶针过孔穿过该晶圆托盘，以支撑放置于该晶圆托盘上的晶圆，其中，该顶针过孔与该金属顶针之间保持间隙，该间隙的宽度是根据该金属顶针的金属材料的热膨胀率确定；以及托板，设置于该金属顶针的下方，在需要顶起该晶圆时抬起，向上推动该金属顶针的下部，以顶起该晶圆。上述晶圆支撑结构、晶圆加工装置及其加工方法，不仅能够免去额外的外部加重零件，便可加重顶针的重量以使其快速降落，并且能够缩小顶针过孔，以提高顶针支撑晶圆重复放置的精度，且增强顶针的强度以提高其使用寿命。

Description

一种晶圆支撑结构、晶圆加工装置及其加工方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及了一种晶圆支撑结构、一种晶圆加工装置和一种晶圆加工方法。

背景技术

目前，在现有的原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)过程中，晶圆通过传片室内的机械手传入反应腔内，晶圆先是放在反应腔内的顶针(pin)上，之后反应腔内的加热盘上升，晶圆落在加热盘上。

如图1A、1B所示，图1A、1B示出了现有技术中顶针和衬套之间的结构示意图。现有技术中，通常采用陶瓷作为顶针的材料，根据陶瓷材料的热膨胀系数，选用间隙配合，来保证陶瓷顶针100的升降顺畅。

但是，由于陶瓷材料的密度小，陶瓷制成的陶瓷顶针100结构会导致顶针本身质量较轻。对于依赖重力的顶针升降，质量越大，顶针回落速度越快。因而，现有技术中通常在陶瓷顶针100的下部设置重锤111来增加其重量。这样不仅增加了设备零部件的数量，提高了成本，而且还增加了设备制造的工艺程度。

另一方面，由于陶瓷材料热膨胀系数的限制，如图1A所示，为了保证高温条件下陶瓷顶针100能升降顺畅，还需要采用较大的公差配合，即陶瓷顶针100其外部的衬套110之间的间隙d1较大，以保证陶瓷顶针100在受热膨胀后依旧能够顺利升降。然而，如图1B所示，较大的间隙d1在常温下可能会导致陶瓷顶针100在衬套110内存在倾斜现象，这不仅会影响常温状态下的陶瓷顶针100的升降，还会影响晶圆重复放置定位的精度。而且，陶瓷顶针100在薄膜沉积的过程中，该较大的间隙d1也会导致沉积异物易进入衬套110中，会导致陶瓷顶针100的升降不顺畅，进而导致沉积膜层的偏向，严重的会导致晶圆破片和顶针折断。

为了解决现有技术中存在的上述问题，本领域亟需一种改进的晶圆支撑结构，不仅能够免去额外的外部加重零件，便可加重顶针的重量以使其快速降落，并且能够缩小顶针过孔，以提高顶针支撑晶圆重复放置的精度，且增强顶针的强度以提高其使用寿命。

发明内容

以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。

为了解决现有技术中存在的上述技术问题，本发明的第一方面提供了一种晶圆支撑结构，设置于气相沉积设备的反应腔内。该晶圆支撑结构包括：金属顶针，经由设置于晶圆托盘的顶针过孔穿过该晶圆托盘，以支撑放置于该晶圆托盘上的晶圆，其中，该顶针过孔与该金属顶针之间保持间隙，该间隙的宽度是根据该金属顶针的金属材料的热膨胀率确定；以及托板，设置于该金属顶针的下方，在需要顶起该晶圆时抬起，向上推动该金属顶针的下部，以顶起该晶圆。本发明一方面提供的晶圆支撑结构，不仅能够免去额外的外部加重零件，便可加重顶针的重量以使其快速降落，并且能够缩小顶针过孔，以提高顶针支撑晶圆重复放置的精度，且增强顶针的强度以提高其使用寿命。

可选地，在一实施例中，该气相沉积设备包括等离子体气相沉积设备，该金属顶针的上部与该晶圆的接触部设有陶瓷支撑部或覆盖有陶瓷涂层。

可选地，在一实施例中，该金属材料的热膨胀率低于陶瓷的热膨胀率，和/或该金属材料的密度大于陶瓷的密度。

可选地，进一步地，该金属材料选用含铁镍钴型奥氏体固溶合金。

可选地，在一实施例中，该气相沉积设备包括多个反应腔，该晶圆支撑结构包括多组金属顶针及多个托板，其中，该多个反应腔对应不同的晶圆取放高度，各组该金属顶针及该托板被分别设置于一个该反应腔，用于将各该晶圆分别顶起到对应反应腔所需的晶圆取放高度。

可选地，进一步地，该的晶圆支撑结构还包括多个顶针垫块，其中，各组该金属顶针具有相同的长度，而各该托板分别经由对应的顶针垫块向上推动对应金属顶针的下部，以将对应的晶圆顶起到对应反应腔所需的晶圆取放高度。

可选地，更进一步地，不同高度的各该顶针垫块具有不同的形状，各该托板上分别设有对应形状的垫块放置槽，以承载具有正确高度的顶针垫块。

本发明的第二方面还提供了一种晶圆加工装置，包括：反应腔，内部设有如上述任一项所述的晶圆支撑结构；以及传片腔，内部设有机械传送装置，用于经由该机械传送装置向该反应腔放置待加工的晶圆，并经由该机械传送装置从该反应腔拾取完成加工的晶圆。本发明另一方面提供的晶圆加工装置包括上述一方面提供的晶圆支撑结构，不仅能够免去额外的外部加重零件，便可加重顶针的重量以使其快速降落，并且能够缩小顶针过孔，以提高顶针支撑晶圆重复放置的精度，且增强顶针的强度以提高其使用寿命。

可选地，在一实施例中，该晶圆加工装置包括多个该反应腔，其中，各该反应腔分布于传片腔外围，并具有不同的晶圆取放高度。

此外，本发明的第三方面还提供了一种晶圆加工方法，采用上述任一项所述的晶圆加工装置来加工处理晶圆。本发明另一方面提供的晶圆加工方法，通过使用上述一方面提供的晶圆加工装置，不仅能够免去额外的外部加重零件，便可加重顶针的重量以使其快速降落，并且能够缩小顶针过孔，以提高顶针支撑晶圆重复放置的精度，且增强顶针的强度以提高其使用寿命。

附图说明

在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本发明的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。

图1A、1B示出了现有技术中顶针和衬套之间的结构示意图；

图2示出了根据本发明的一些实施例所提供的一种晶圆加工装置的结构示意图；

图3示出了根据本发明的一些实施例所提供的一种晶圆支撑结构的结构示意图；

图4A、4B为图3所示的晶圆支撑结构的金属顶针的结构示意图；

图5为图3所示的晶圆支撑结构的金属顶针和衬套之间的结构示意图；以及

图6示出了根据本发明的另一些实施例所提供的一种晶圆支撑结构的结构示意图。

附图标记：

100 陶瓷顶针；

110 衬套；

111 重锤；

200 晶圆加工装置；

210 第一反应腔；

211、221 晶圆托盘；

212、222 金属顶针；

2120 衬套；

2121 陶瓷涂层；

2122 陶瓷支撑部；

2123 顶针过孔；

213、223 顶针垫块；

214、224 托板；

220 第二反应腔；

230 第三反应腔；

240 传片腔；

241 机械传送装置；

250 预载室；

300、400 晶圆；

d1、d2 间隙。

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。虽然本发明的描述将结合优选实施例一起介绍，但这并不代表此发明的特征仅限于该实施方式。恰恰相反，结合实施方式作发明介绍的目的是为了覆盖基于本发明的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造。为了提供对本发明的深度了解，以下描述中将包含许多具体的细节。本发明也可以不使用这些细节实施。此外，为了避免混乱或模糊本发明的重点，有些具体细节将在描述中被省略。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

另外，在以下的说明中所使用的“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“水平”、“垂直”应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作，因此不应理解为对本发明的限制。

能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种组件、区域、层和/或部分，这些组件、区域、层和/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的组件、区域、层和/或部分。因此，以下讨论的第一组件、区域、层和/或部分可在不偏离本发明一些实施例的情况下被称为第二组件、区域、层和/或部分。

如上所述，如图1A、1B所示，图1A、1B示出了现有技术中顶针和衬套之间的结构示意图。现有技术中，通常采用陶瓷作为顶针的材料，根据陶瓷材料的热膨胀系数，选用间隙配合，来保证陶瓷顶针100的升降顺畅。

但是，由于陶瓷材料的密度小，陶瓷制成的陶瓷顶针100结构会导致顶针本身质量较轻。对于依赖重力的顶针升降，质量越大，顶针回落速度越快。因而，现有技术中通常在陶瓷顶针100的下部设置重锤111来增加其重量。这样不仅增加了设备零部件的数量，提高了成本，而且还增加了设备制造的工艺程度。

另一方面，由于陶瓷材料热膨胀系数的限制，如图1A所示，为了保证高温条件下陶瓷顶针100能升降顺畅，还需要采用较大的公差配合，即陶瓷顶针100其外部的衬套110之间的间隙d1较大，以保证陶瓷顶针100在受热膨胀后依旧能够顺利升降。然而，如图1B所示，较大的间隙d1在常温下可能会导致陶瓷顶针100在衬套110内存在倾斜现象，这不仅会影响常温状态下的陶瓷顶针100的升降，还会影响晶圆重复放置定位的精度。而且，陶瓷顶针100在薄膜沉积的过程中，该较大的间隙d1也会导致沉积异物易进入衬套110中，会导致陶瓷顶针100的升降不顺畅，进而导致沉积膜层的偏向，严重的会导致晶圆破片和顶针折断。

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种晶圆支撑结构、一种晶圆加工装置及其加工方法，不仅能够免去额外的外部加重零件，便可加重顶针的重量以使其快速降落，并且能够缩小顶针过孔，以提高顶针支撑晶圆重复放置的精度，且增强顶针的强度以提高其使用寿命。

在一些非限制性的实施例中，本发明的第一方面提供的上述晶圆支撑结构可以配置于本发明的第二方面提供的上述晶圆加工装置中。本发明另一方面提供的晶圆加工方法也可以由本发明第二方面提供的上述晶圆加工装置实施。

以下将结合一些晶圆加工装置的实施例来描述上述晶圆支撑结构的工作原理。本领域的技术人员可以理解，这些晶圆加工装置的实施例只是本发明提供的一些非限制性的实施方式，旨在清楚地展示本发明的主要构思，并提供一些便于公众实施的具体方案，而非用于限制该晶圆支撑结构的全部工作方式或全部功能。同样地，该晶圆支撑结构也只是本发明提供的一种非限制性的实施方式，不对晶圆加工装置的全部工作方式或全部功能构成限制。

具体请参看图2，图2示出了根据本发明的一些实施例所提供的一种晶圆加工装置的结构示意图。

如图2所示，在本发明的一些实施例中，晶圆加工装置200主要包括反应腔(Process Module)和传片腔(Transform Module)240。传片腔240内部设有机械传送装置241，经由该机械传送装置241，例如机械手，可以向反应腔内放置待加工的晶圆，并经由该机械传送装置241从反应腔内拾取出完成加工的晶圆。

优选地，如图2所示，晶圆加工装置200中可以包括多个反应腔，例如第一反应腔210、第二反应腔220以及第三反应腔230。反应腔210～230可以是化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition,CVD)设备的反应腔，包括热化学气相沉积(Thermal-CVD)设备等。化学气相沉积是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。半导体产业使用此技术来成长薄膜。

典型的CVD制程是将晶圆(基底)暴露在一种或多种不同的前趋物下，在基底表面发生化学反应或/及化学分解来产生欲沉积的薄膜。反应过程中通常也会伴随地产生不同的副产品，但大多会随着气流被带走，而不会留在反应腔中。

各个反应腔210、220、230可以分布于传片腔240的外围，包括水平分布于传片腔240的四周和纵向分布于传片腔240的四周。因而，不同的反应腔210、220、230可以对应有不同的晶圆取放高度。

可选地，晶圆加工装置200中还可以包括预载室(Load Lock)250。预载室250为传片腔240的前一级腔室，用于让晶圆从非真空状态到另一高真空状态前的过渡腔体。待加工的晶圆可以放置于预载室250内，并经由传输到达传片室240。预载室250可以保持后续传片腔240和反应腔210～230的洁净度，提高晶圆加工的质量并缩短加工处理时间。

每个反应腔210～230的内部设有晶圆支撑结构，用以接收从传片室240内的机械传送装置241传入的待加工的晶圆。

具体参看图3，图3示出了根据本发明的一些实施例所提供的一种晶圆支撑结构的结构示意图。

以上述晶圆加工装置200中的第一反应腔210为例，图3示出了该第一反应腔210内的晶圆支撑结构的实施例。

如图3所示，晶圆支撑结构设置于气相沉积设备的第一反应腔210内，主要包括金属顶针212和托板214。金属顶针212经由设置于晶圆托盘211的顶针过孔2123穿过晶圆托盘211，以支撑放置于该晶圆托盘211上的晶圆300。并且，晶圆托盘211中的顶针过孔2123与金属顶针212之间保持间隙。该间隙的宽度可以根据金属顶针212的金属材料的热膨胀率确定。

托板214设置于该金属顶针212的下方。在需要顶起该晶圆300时抬起，向上推动金属顶针212的下部，以顶起晶圆300。

具体来说，晶圆300通过传片室240内的机械传送装置241传入第一反应腔210内，先是放在该第一反应腔210内的金属顶针212上，之后第一反应腔210内的晶圆托盘211上升，以使晶圆300落在该晶圆托盘211上。晶圆托盘211可以选用加热盘。

在一些可选的实施例中，第一反应腔210对应的气相沉积设备可以为等离子体气相沉积设备，即利用等离子体促进沉积化学反应，使气相化学沉积能够在较低温度下形成高质量的固体薄膜，适用于SiO2(SiH4、TEOS)、SiNx、SiOxNy等多种介质薄膜沉积。

在本实施例中，优选地，金属顶针212的上部与晶圆300的接触部可以设有陶瓷支撑部或覆盖有陶瓷涂层，以避免在等离子体进行气相化学反应的过程中，金属顶针212发生打火，从而影响生长薄膜的质量。

具体请参看图4A、4B，图4A、4B为图3所示的晶圆支撑结构的顶针的结构示意图。

如图4A所示，金属顶针212的上部的表面沉积了不同材质的陶瓷涂层2121，例如，氧化铝、氮化硅等，可实现将金属顶针212应用于不同条件下薄膜沉积腔室。

可选地，如图4B所示，金属顶针212也可以采用陶瓷和金属组合的形式实现。具体方式为，金属顶针212的上部的用于支撑晶圆300的接触端采用陶瓷材料，形成陶瓷支撑部2122，其余部分采用金属材料。本领域技术人员可以理解，上端的陶瓷支撑部2122与下端金属的连接处的连接方式包括但不限制于螺纹连接、机械榫卯、胶水粘接等。

通过上述在金属顶针212表面沉积陶瓷涂层2121或设置陶瓷支撑部2122的方式，可以避免金属污染，生成高质量的生长薄膜。

进一步地，请参看图5，图5为图3所示的晶圆支撑结构的顶针和衬套之间的结构示意图。

如图5所示，晶圆托盘211中的顶针过孔2123与金属顶针212之间保持一定的间隙d2。具体来说，金属顶针212套接于晶圆托盘211中的衬套2120之内。金属顶针212的金属材料的热膨胀率低于现有技术中采用的陶瓷顶针100的热膨胀率，因而本实施例中的金属顶针212和衬套2120之间的间隙d2可以明显小于图1A、1B所示的现有技术中的陶瓷顶针100和衬套110之间的间隙d1。

优选地，金属顶针212采用的金属材料可以选用含铁镍钴型奥氏体固溶合金。例如，铁镍钴超因瓦合金32-5(Super Invar 32-5)，其具有极低的热膨胀系数(10-6)。在180℃内，其热膨胀系数小于1.2，400℃下其热膨胀系数也小于4。相比之下，陶瓷顶针100的热膨胀系数在6.5～8之间。相同高温条件下，Super Invar 32-5制成的金属顶针212所需要的间隙d2相比于陶瓷顶针100所需的间隙d1可以减小45％～82％。随着顶针和衬套之间的间隙减小，能够有效地避免顶针在衬套内的倾斜情况，从而提高晶圆重复放置定位的精度。而且，薄膜沉积的过程中，该较小的间隙d2也可以避免沉积异物易进入衬套2120中，减少了金属顶针212升降不顺畅，进而导致沉积膜层的偏向，甚至导致晶圆破片和顶针折断的风险。

进一步地，在一些优选的实施例中，晶圆支撑结构中的金属顶针212的金属材料的密度大于陶瓷的密度。例如，可以选用含铁镍钴型奥氏体固溶合金，如Super Invar 32-5金属作为金属顶针212的材料，其密度大于8.1g/cm3。相同结构下，对比陶瓷顶针100，其质量提升了130％以上，并且抗拉强度也提升了70％。相对于金属顶针212质量提升130％，如果陶瓷顶针100想要实现同样的质量，就要需要增加额外的外部加重零件，例如重锤，这就使得陶瓷顶针100的结构相比于金属顶针212更加复杂，而且增加的重锤部分，同时增加了维护工件的时间和成本。

如上所述，通过改用金属顶针212来代替陶瓷顶针100支撑晶圆300，不仅可以提高顶针的强度，降低断针的风险，从而延长了顶针的使用寿命，而且还可以免去额外的外部加重零件，加重顶针自身的重量以使其快速降落，降低了卡针的风险。更重要的是，采用低膨胀系数的金属材料，减小了顶针与衬套的间隙，提高了顶针放置的精度。

请继续回到图2，如图2所示，为了提高晶圆处理的效率，气相沉积设备可以包括多个反应腔，例如第一反应腔210、第二反应腔220和第三反应腔230。针对多反应腔沉积通常采用交替双机械手取放晶圆，为此，现有技术中多反应腔通常采用不同高度的顶针，来实现不同高度的晶圆取放。然而，这会带来一个风险，即不同高度的顶针如果放置入不对应的、错误的反应腔内，就会导致晶圆破片和/或顶针断裂。

为了进一步解决上述的技术问题，晶圆支撑结构可以包括多组金属顶针及多个托板。其中，多个反应腔可以对应不同的晶圆取放高度，各组金属顶针及托板可以被分别设置于一个反应腔内，用于将各晶圆分别顶起到对应反应腔所需的晶圆取放高度。

具体请结合参看图3和图6对比参看，图6示出了根据本发明的另一些实施例所提供的一种晶圆支撑结构的结构示意图。图6中的晶圆支撑结构与上述图3所示的实施例中所述的晶圆支撑结构大致相同，此处就不再赘述。

如图3和图6所示，假设图3和图6分别对应晶圆加工装置中的第一反应腔210和第二反应腔220。在本实施例中，晶圆支撑结构还包括多个顶针垫块213、223，其中，各组金属顶针212、222具有相同的长度，而各托板214、224分别经由对应的顶针垫块213、223向上推动对应金属顶针212、222的下部，以将对应的晶圆300、400顶起到对应反应腔，即第一反应腔210、第二反应腔220所需的晶圆取放高度。

第一、第二反应腔210、220中的金属顶针212、222下方的顶针垫块213、223的高度可以不同。例如，图3和图6所示，第一反应腔210的金属顶针212下方的顶针垫块213的高度低于第二反应腔220的金属顶针222下方的顶针垫块223。满足了在机械传送装置241向多个反应腔，如第一反应腔210和第二反应腔220，送片或取片时，晶圆可以处于不同的放置高度位置，从而减少了晶圆从传片腔240到第一、第二反应腔210、220过程中的机械传送装置241的搬运距离，进一步提高了机械传送装置241放置晶圆的精度。

也就是说，针对多反应腔的结构，可以通过调整晶圆支撑结构，将原本不同反应腔内的顶针之间的高度差转移到顶针垫块上，从而可以保持不同反应腔内的顶针的高度相同，避免了工作人员误操作放错顶针和对应反应腔，致使顶针折断和破片的后果。同时，也减少了顶针的备货种类，节约成本。

在一些优选的实施例中，为了防止不同反应腔内，第一反应腔210、第二反应腔220，所对应放置的顶针垫块213、223放置错误，还可以根据晶圆所需的不同高度，将其对应的各顶针垫块213、223设计成不同的形状，例如，三角形、圆形、方形等，并在各托板214、224上分别设有对应形状的垫块放置槽，以承载具有正确高度的顶针垫块213、223。

以上为本发明一方面所提供的晶圆支撑结构和晶圆加工装置的结构及其工作原理。本发明另一方面提供的晶圆加工方法，可以采用上述一方面中的晶圆加工装置来加工处理晶圆，在上述介绍晶圆支撑结构和晶圆加工装置的结构的过程中已说明，此处就不再赘述。

综上所述，本发明提供了一种晶圆支撑结构、一种晶圆加工装置及其加工方法，不仅能够免去额外的外部加重零件，便可加重顶针的重量以使其快速降落，并且能够缩小顶针过孔，以提高顶针支撑晶圆重复放置的精度，且增强顶针的强度以提高其使用寿命。

尽管为使解释简单化将上述方法图示并描述为一系列动作，但是应理解并领会，这些方法不受动作的次序所限，因为根据一个或多个实施例，一些动作可按不同次序发生和/或与来自本文中图示和描述或本文中未图示和描述但本领域技术人员可以理解的其他动作并发地发生。

提供对本公开的先前描述是为使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改对本领域技术人员来说都将是显而易见的，且本文中所定义的普适原理可被应用到其他变体而不会脱离本公开的精神或范围。由此，本公开并非旨在被限定于本文中所描述的示例和设计，而是应被授予与本文中所公开的原理和新颖性特征相一致的最广范围。

Claims (10)

1.一种晶圆支撑结构，设置于气相沉积设备的反应腔内，其特征在于，包括：

金属顶针，经由设置于晶圆托盘的顶针过孔穿过所述晶圆托盘，以支撑放置于所述晶圆托盘上的晶圆，其中，所述顶针过孔与所述金属顶针之间保持间隙，所述间隙的宽度是根据所述金属顶针的金属材料的热膨胀率确定；以及

托板，设置于所述金属顶针的下方，在需要顶起所述晶圆时抬起，向上推动所述金属顶针的下部，以顶起所述晶圆。

2.如权利要求1所述的晶圆支撑结构，其特征在于，所述气相沉积设备包括等离子体气相沉积设备，所述金属顶针的上部与所述晶圆的接触部设有陶瓷支撑部或覆盖有陶瓷涂层。

3.如权利要求1所述的晶圆支撑结构，其特征在于，所述金属材料的热膨胀率低于陶瓷的热膨胀率，和/或所述金属材料的密度大于陶瓷的密度。

4.如权利要求3所述的晶圆支撑结构，其特征在于，所述金属材料选用含铁镍钴型奥氏体固溶合金。

5.如权利要求1所述的晶圆支撑结构，其特征在于，所述气相沉积设备包括多个反应腔，所述晶圆支撑结构包括多组金属顶针及多个托板，其中，所述多个反应腔对应不同的晶圆取放高度，各组所述金属顶针及所述托板被分别设置于一个所述反应腔，用于将各所述晶圆分别顶起到对应反应腔所需的晶圆取放高度。

6.如权利要求5所述的晶圆支撑结构，其特征在于，还包括多个顶针垫块，其中，各组所述金属顶针具有相同的长度，而各所述托板分别经由对应的顶针垫块向上推动对应金属顶针的下部，以将对应的晶圆顶起到对应反应腔所需的晶圆取放高度。

7.如权利要求6所述的晶圆支撑结构，其特征在于，不同高度的各所述顶针垫块具有不同的形状，各所述托板上分别设有对应形状的垫块放置槽，以承载具有正确高度的顶针垫块。

8.一种晶圆加工装置，其特征在于，包括：

反应腔，内部设有如权利要求1～7中任一项所述的晶圆支撑结构；以及

传片腔，内部设有机械传送装置，用于经由所述机械传送装置向所述反应腔放置待加工的晶圆，并经由所述机械传送装置从所述反应腔拾取完成加工的晶圆。

9.如权利要求8所述的晶圆加工装置，其特征在于，包括多个所述反应腔，其中，各所述反应腔分布于传片腔外围，并具有不同的晶圆取放高度。

10.一种晶圆加工方法，其特征在于，采用如权利要求8或9所述的晶圆加工装置来加工处理晶圆。

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