CN116030852A - 执行偏移校准的存储器装置及其操作方法 - Google Patents

Abstract

公开了一种执行偏移校准的存储器装置和操作存储器装置的方法。该存储器装置包括：被配置为从在外部的装置接收数据的输入/输出焊盘；连接至输入/输出焊盘的片内端接(ODT)电路；多个接收器，其连接至ODT电路，并被配置为接收来自于输入/输出焊盘的数据；偏移校准电路，其被配置为对由多个接收器输出的数据执行偏移校准操作，并输出偏移校正；第一开关，其被配置为向多个接收器提供第一电压；以及第二开关，其被配置为向多个接收器提供第二电压。在操作偏移校准期间，多个接收器响应于ODT电路被使能而接收第三电压，并且通过第一开关接收第一电压。

Description

执行偏移校准的存储器装置及其操作方法

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2021年10月27日提交的韩国专利申请No.

10-2021-0144975和2022年6月9日提交的韩国专利申请No.10-2022-0070295的优先权，所述申请中的每一个的公开内容以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本发明构思的示例实施例涉及一种存储器装置，更具体地说，涉及一种用于执行偏移校准的存储器装置及其操作方法。

背景技术

由于控制器和存储器装置之间的通信包括诸如动态随机存取存储器(DRAM)或静态随机存取存储器(SRAM)的高速存储器，因此通信速度正在提高。当高速信号通过信道时，由于码间干扰(ISI)，信号完整性(SI)特性可能会恶化。

发明内容

本发明构思提供了一种存储器装置以及操作该存储器装置的方法，该存储器装置通过选择电压来操作偏移校准和偏移校准反馈，以便提高信号完整性。

根据本发明构思的一方面，提供了一种存储器装置，该存储器装置包括：被配置为从在外部的装置接收数据的输入/输出焊盘；连接至输入/输出焊盘的片内端接(ODT)电路；多个接收器，所述多个接收器各自包括连接至ODT电路并且被配置为接收来自于输入/输出焊盘的数据作为第一输入数据的第一输入端子、被配置为接收第二输入数据的第二输入端子、以及被配置为基于第一输入数据和第二输入数据输出数据的输出端子；偏移校准电路，其被配置为对从多个接收器输出的数据执行偏移校准操作，并将作为偏移校准操作的结果的偏移校正输出至多个接收器；第一开关，其被配置为响应于第一开关接通而向多个接收器的第二输入端子提供第一电压；以及第二开关，其被配置为响应于第二开关接通而向第二输入端子提供不同于第一电压的第二电压。多个接收器被配置为在偏移校准期间，响应于ODT电路被使能而通过多个接收器的第一输入端子接收不同于第二电压的第三电压，响应于第一开关接通和第二开关关断而通过第二输入端子接收第一电压，以及从ODT电路接收作为偏移校准操作的结果的偏移校正。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种操作包括多个接收器的存储器装置的方法，所述多个接收器各自具有连接至片内端接(ODT)电路的第一输入端子、第二输入端子、以及连接至偏移校准电路的输出端子。该方法包括：响应于来自在外部的装置的模式寄存器写入开始命令而将ODT电路使能，以向多个接收器的第一输入端子提供第三电压；将第二开关关断并将第一开关接通，以向多个接收器的第二输入端子提供第一电压；响应于第一电压和第三电压的电压电平，将来自于多个接收器的输出端子的数据输出至偏移校准电路；通过偏移校准电路对从多个接收器输出的数据执行偏移校准操作；将执行偏移校准操作的结果反馈至多个接收器；以及将第一开关关断并将第二开关接通，以向第二输入端子提供与第一电压不同的第二电压。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种操作包括多个接收器的存储器装置的方法。该方法包括：响应于来自在外部的装置的模式寄存器写入开始命令，将连接至多个接收器的第一输入端子的片内端接电路使能，以向第一输入端子提供第三电压；开启第一开关，以向多个接收器的第二输入端子提供与第三电压相同的第一电压；响应于第一电压和第三电压的电压电平，从多个接收器的输出端子输出数据；对从多个接收器接收到的数据执行偏移校准操作；反馈执行所述偏移校准操作的结果；以及将第一开关关断并将第二开关接通以向第二输入端子提供与所述第一电压不同的第二电压。

附图说明

将从下面结合附图的详细描述中更清楚地理解本发明构思的实施例，在附图中：

图1是示出根据实施例的存储器系统的框图；

图2是示出根据实施例的ODT电路的电路图；

图3是示出根据实施例的存储器装置的偏移校准操作方法的流程图；

图4是示出根据实施例的存储器装置的偏移校准操作方法的电路图；

图5是示出根据实施例的存储器装置的偏移校准反馈操作方法的电路图；

图6是示出根据另一个实施例的存储器装置的偏移校准操作方法的电路图；

图7是示出根据另一个实施例的存储器装置的偏移校准反馈操作方法的电路图；

图8是示出根据实施例的随着时间推移存储器控制器和存储器装置之间的操作的示例的示图；

图9是示出根据另一个实施例的随着时间推移存储器控制器和存储器装置之间的操作示例的示图；以及

图10是根据实施例的在偏移校准期间在存储器装置和存储器控制器之间传输的信号的时序图。

具体实施方式

下文中，将参照附图详细描述本发明构思的实施例。

图1是示出根据实施例的存储器系统的框图。

参照图1，存储器系统10可包括存储器控制器100和存储器装置200，并且存储器控制器100可以通过信道连接至存储器装置200。例如，存储器控制器100可以基于以切换标准定义的存储器接口协议连接至存储器装置200。但是，本发明构思不限于此，存储器控制器100可以基于各种标准接口连接至存储器装置200。

例如，用于将存储器控制器100连接至存储器装置200的接口可以通过各种接口方法实现，例如高级技术附件(ATA)、串行ATA(SATA)、外部SATA(e-SATA)、小型计算机系统接口(SCSI)、串行连接SCSI(SAS)、外围组件互连(PCI)、PCI快件(PCIe)、NVM快件(NVMe)、IEEE1394、通用串行总线(USB)、安全数字(SD)卡、多媒体卡(MMC)、嵌入式多媒体卡(eMMC)、通用闪存(UFS)、嵌入式通用闪存(eUFS)、紧凑型闪存(CF)卡接口等等。

返回参照图1，存储器系统10可包括用于在存储器控制器100和存储器装置200之间传输信号输入/输出的多个引脚。在这里，引脚可以指导体，也可以被称为端子。

存储器装置200可以通过第一信号线SL1至第四信号线SL4连接至存储器控制器100。存储器装置200可包括分别对应于第一信号线SL1至第四信号线SL4的多个输入/输出引脚(或输入/输出焊盘)P1至P4。包括在存储器装置200中的多个输入/输出引脚P1至P4可以分别对应于包括在存储器控制器100中的多个输入/输出引脚P1’至P4’。

存储器控制器100可以通过第一信号线SL1连接至存储器装置200。存储器装置200可以通过第一引脚P1接收数据DQ。第一信号线SL1可以被称为数据信号线。第一引脚P1和第一引脚P1’可以被称为数据输入/输出引脚。包括在存储器装置200中的多个接收器(RX1至RXn，n为自然数)可以共享第一信号线SL1。例如，当接收器的数量为4时，多个接收器RX1至RX4中的每一个可以通过第一信号线SL1接收多个数据信号DQ[0:3]。例如，当接收器的数量为8时，多个接收器RX1至RX8中的每一个可以通过第一信号线SL1接收多个数据信号DQ[0:7]。

存储器控制器100可以通过第二信号线SL2连接至存储器装置200。存储器控制器100可以通过第二信号线SL2向存储器装置200提供时钟信号CK。存储器装置200可以通过第二引脚P2接收时钟信号CK。第二信号线SL2可以被称为时钟信号线。第二引脚P2和P2’可以被称为时钟输入/输出引脚。时钟信号CK可以被用于在存储器控制器100向存储器装置200提供命令和地址时的定时。

存储器控制器100可以通过第三信号线SL3连接至存储器装置200。存储器控制器100可以通过第三信号线SL3向存储器装置200提供地址/命令CA。存储器装置200可以通过第三引脚P3接收地址/命令CA。第三信号线SL3可以被称为地址/命令信号线。第三引脚P3和P3'可以称为地址/命令输入/输出引脚。

存储器控制器100可以通过第四信号线SL4连接至存储器装置200。存储器控制器100可以通过第四信号线SL4向存储器装置200提供数据时钟WCK。存储器装置200可以通过第四引脚P4接收数据时钟WCK。第四信号线SL4可以被称为数据时钟信号线。第四引脚P4和P4'可以被称为数据时钟输入/输出引脚。数据时钟WCK可以被用于在存储器控制器100向存储器装置200提供数据时的定时。

存储器控制器100可以包括驱动器Drv。驱动器Drv输出的信号和/或数据的信号完整性(SI)特性可能会在该信号和/或数据通过第一信号线SL1的同时由于码间干扰(ISI)而恶化。为了提高信号和/或数据的SI特性，存储器装置200的多个接收器(第一接收器RX1至第n接收器RXn，n是自然数)可以通过对通过第一信号线SL1接收到的信号、连接至片内端接(ODT)电路210的电压、以及第一电压V1的电压电平与第二电压V2的电压电平之间的电压差执行偏移校准来补偿SI特性。

存储器装置200可包括多个接收器(第一接收器RX1至第n接收器RXn，其中n为自然数)、ODT电路210、以及偏移校准电路220。存储器装置200可包括连接至第一连接节点N1的ODT电路210，以及连接至第二连接节点N2的第一开关SW1和第二开关SW2。当第一开关SW1接通时，多个接收器RX1至RXn可以接收第一电压V1，当第二开关接通时，多个接收器RX1至RXn可以接收第二电压V2。第一电压V1可以是地电压，第二电压V2可以是基准电压。基准电压可以是从存储器控制器100提供给存储器装置200的电压值的平均值。

多个接收器RX1至RXn(n为自然数)可包括第一接收器RX1至第四接收器RX4。例如，多个接收器RX1至RXn中的每一个可以包括第一输入端子、第二输入端子、以及输出端子。在图1中，假设有四个接收器，第一接收器RX1至第四接收器RX4中的每一个可以通过第一接收器RX1至第四接收器RX4的第一输入端子连接至第一信号线SL1。第一接收器RX1至第四接收器RX4的第一输入端子可以通过连接至第一信号线SL1的第一引脚P1接收来自于存储器控制器100的数据DQ。第一接收器RX1至第四接收器RX4可以通过连接至第一引脚P1的第一连接节点N1接收第一数据至第四数据D[0:3]。第一接收器RX1至第四接收器RX4的第二输入端子可以通过第一开关SW1接收第一电压V1，或者通过连接至第二连接节点N2的第二开关SW2接收第二电压V2。在这里，接收第一电压V1或第二电压V2可意味着可以接收电压(源)的电压电平或电流电平。

第一接收器RX1可以在第一相位(例如，WCK0)中接收第一数据D[0]。第二接收器RX2可以在第二相位(例如，WCK90)中接收第二数据D[1]。第二相位可以是滞后第一相位90度的相位。第三接收器RX3可以在第三相位(例如，WCK180)中接收第三数据D[2]。第三相位可以是滞后第二相位90度的相位。第三相位可以比第一相位滞后180度。第四接收器RX4可以在第四相位(例如，WCK270)中接收第四数据D[3]。第四相位可以比第三相位滞后90度。第四相位可以比第二相位滞后180度。第四相位可以比第一相位滞后270度。例如，第一相位可以是0度相位，第二相位可以是90度相位，第三相位可以是180度相位，第四相位可以是270度相位。第一相位至第四相位WCK0、WCK90、WCK180和WCK270可以由第四信号线SL4的数据时钟WCK控制。第一接收器RX1至第四接收器RX4可以通过第一接收器RX1至第四接收器RX4的第一输入端子接收作为输入数据的第一数据至第四数据D[0:3]。第一接收器RX1至第四接收器RX4可以通过第一接收器RX1至第四接收器RX4的输出端子输出作为输出数据的第一数据至第四数据D[0:3]。

当连接至第二连接节点N2的第一开关SW1接通时，第一接收器RX1至第四接收器RX4可以接收第一电压V1的电压电平或电流电平。当连接至第二连接节点N2的第二开关SW2接通时，第一接收器RX1至第四接收器RX4可以接收第二电压V2的电压电平或电流电平。根据实施例，共享第二连接节点N2的第一开关SW1和第二开关SW2可以选择性地接通。在一些示例中，当偏移校准电路220执行偏移校准操作时，第一开关SW1可以接通，第二开关SW2可以关断。在一些示例中，当偏移校准电路220的偏移校准操作结束时，第二开关SW2可以接通，并且第一开关SW1可以关断。

第一接收器RX1至第四接收器RX4可以通过第一连接节点N1接收ODT电路210的电压电平或电流电平，并且可以通过第二连接节点N2接收作为输入数据(例如，D[0:3])的第一电压V1或第二电压V2的电压电平或电流电平。第一接收器RX1至第四接收器RX4可以将接收到的数据D[0:3]输出，并向偏移校准电路220提供输出数据D[0:3]。例如，当偏移校准电路执行偏移校准操作时，第一接收器RX1至第四接收器RX4可以向偏移校准电路220提供输出数据D[0:3]。在一些示例中，当存储器装置200执行写入操作时，第一接收器RX1至第四接收器RX4可以向存储器装置200的某个电路(例如，写入驱动器)提供输出数据D[0:3]。

偏移校准电路220可以接收从第一接收器RX1至第四接收器RX4接收的第一数据至第四数据D[0:3]。偏移校准电路220可以基于接收到的第一数据至第四数据D[0:3]执行偏移校准。偏移校准可以指存储器装置200执行训练操作或校正所接收的第一数据至第四数据D[0:3]的电压电平中的错误。此外，偏移校准可以指基于存储在存储器装置200中的结果值而校正电压电平中的错误。偏移校准电路220可以将执行偏移校准的结果提供给第一接收器RX1至第四接收器RX4中的每一个。偏移校准电路220可以通过将执行偏移校准的结果提供给第一接收器RX1至第四接收器RX4来执行偏移校准反馈。偏移校准反馈可以指提供作为执行偏移校准结果的电压电平的误差校正结果值。错误校正可以被提供为具有逻辑值“0”或“1”的代码。例如，错误校正的代码可以包括多个位，并且多个位中的每一位具有逻辑值“0”或“1”。在示例实施例中，当第一接收器RX1接收来自于偏移校准电路220的错误校正代码时，来自于第一接收器RX1的第一数据D[0]的电压电平可以从“0”更改为“1”或从“1”更改为“0”。

ODT电路210可以包括多个ODT电阻器(ODT1至ODTm，m是自然数)。下面将参照图2描述ODT电路210的配置。ODT电路210的一端可以被连接至第一连接节点N1，其另一端可以被连接至第三电压V3。第三电压V3可以与第一电压V1相同。第三电压V3的电压电平可以与第一电压V1的电压电平相同。第一电压V1和第三电压V3的电压电平可以低于第二电压V2的电压电平。

在一些实施例中，存储器系统10可以是嵌入在电子装置中的内部存储器。例如，存储器系统10可以是SSD、嵌入式UFS存储器装置或eMMC。在一些实施例中，存储器系统10可以是能够从电子装置分离的外部存储器。例如，存储器系统10可以是UFS存储卡、CF卡、数码安全(SD)卡、微型数码安全(Micro-SD)卡、迷你数码安全(Mini–SD)卡、极限数字(xD)卡或记忆棒。

在一些实施例中，存储器控制器100可以被实现为包括在个人计算机(PC)或移动电子装置中。例如，移动电子装置可以被实现为笔记本电脑、移动电话、无人机、智能手机、平板电脑、个人数字助理(PDA)、企业数字助理(EDA)、数字静态相机、数字摄像机、便携式多媒体播放器(PMP)、个人(或便携式)导航装置(PND)、手持游戏机、移动互联网装置(MID)、穿戴式计算机、物联网(IoT)装置、或万物互联(IoE)装置，或无人机。

存储器控制器100可以被实现为集成电路(IC)、片上系统(SoC)、应用处理器(AP)、移动AP、芯片集或一组芯片。例如，存储器控制器100可以是AP中包括的一个组件。AP可以包括随机存取存储器(RAM)、中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)和/或调制解调器。

在一些实施例中，存储器装置200可以被实现为易失性存储器装置。易失性存储器装置可以被实现为RAM、动态RAM(DRAM)或静态RAM(SRAM)，但不仅限于此。例如，存储器装置200可以包括双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR SDRAM)、低功率双倍数据速率(LPDDR)SDRAM、图形双倍数据速率(GDDR)SDRAM、rambus动态随机存取存储器(RDRAM)等等。可替换地，存储器装置200可以被实现为高带宽存储器(HBM)。

图2是示出根据实施例的ODT电路的电路图。

一并参照图1和图2，ODT电路210可以包括多个ODT电阻器(ODT1至ODTm，m是自然数)。尽管此处被称为ODT电阻器，但电阻器不限于此，其可以是晶体管(例如，NMOS晶体管)。例如，多个ODT电阻器ODT1至ODTm中的每一个可包括晶体管。多个ODT电阻器ODT1至ODTm可以基于从存储器控制器100提供的信号(例如，代码)和/或命令被开启/关闭。

多个ODT电阻器ODT1至ODTm(其中m是自然数)可以包括第一ODT电阻器ODT1至第mODT电阻器ODTm。多个ODT电阻器ODT1至ODTm中的每一个可以并联连接。例如，第一ODT电阻器ODT1的一端可以连接至连接于第一引脚P1的第一信号线SL1，其另一端可以连接至第三电压V3。第二ODT电阻器ODT2的一端可以连接至连接于第一引脚P1的第一信号线SL1，其另一端可以连接至第三电压V3。第m ODT电阻器ODTm的一端可以连接至连接于第一引脚P1的第一信号线SL1，其另一端可以连接至第三电压V3。

第一ODT电阻器ODT1至第m ODT电阻器ODTm可以连接至第一信号线SL1，并且可以通过存储器控制器100提供的信号和/或命令被开启/关闭。存储器控制器100可以生成ODT电阻码CODE[0:x]，并将生成的ODT电阻码CODE[0:x]提供给ODT电路210。ODT电阻码CODE[0:x]可以包括多个位，并且多个位中的每个位可以被输入到第一ODT电阻器ODT1至第m ODT电阻器ODTm中的每一个的栅极端子，以控制第一ODT电阻器ODT1至第m ODT电阻器ODTm的开启或关闭。例如，在第一ODT电阻器ODT1至第mODT电阻器ODTm中，只有一个ODT电阻器可以被开启，或者两个或更多个ODT电阻器可以被开启。

图3是示出根据实施例的存储器装置的偏移校准操作方法的流程图。

参照图3，在操作S10中，存储器装置200可以接收开始命令。例如，存储器控制器100可以通过第三信号线SL3将开始命令传输至存储器装置200。开始命令可包括模式寄存器写入开始(以下被称为“MRW_st”)命令和/或列地址选通脉冲(CAS)。存储器装置200可以接收来自于存储器控制器100的开始命令，以向多个接收器RX1至RXn提供数据D[0:n-1]。例如，第一数据至第四数据D[0:3]可以分别提供给第一接收器RX1至第四接收器RX4。

在操作S20中，存储器装置200可以使能(或激活)ODT电路210，将第一开关SW1接通、以及将第二开关SW2关断。例如，存储器装置200可以使能连接至第一连接节点N1的ODT电路210，以电连接至第三电压V3。例如，当ODT电路210响应于预先确定的ODT电阻码CODE[0:x]而被使能时，第一连接节点N1的电压电平可以成为第三电压V3的电压电平。存储器装置200可以将连接至第二连接节点N2的第一开关SW1接通，以向第一接收器RX1至第四接收器RX4中的每一个提供第一电压V1的电压电平或电流电平，并且可以关断第二开关SW2。

在操作S30时，偏移校准电路220可以执行偏移校准。例如，第一接收器RX1至第四接收器RX4可以接收第一电压V1的电压电平和第三电压V3的电压电平。第一接收器RX1至第四接收器RX4可以将接收到的电压电平作为第一数据至第四数据D[0:3]提供给偏移校准电路220。

在操作S40中，偏移校准电路220可以执行偏移校准反馈操作。例如，偏移校准电路220可以将执行偏移校准的结果提供给第一接收器RX1至第四接收器RX4。执行偏移校准的结果可以至少包括执行偏移校准的校正值的逻辑电平。

在操作S50中，存储器装置200可以关断第一开关SW1并使第二开关SW2接通。例如，通过关断第一开关SW1和使第二开关SW2接通，存储器装置200可以向第一接收器RX1至第四接收器RX4中的每一个提供第二电压V2的电压电平。在一些示例中，当第一开关SW1关断并且第二开关SW2接通时，存储器装置200可以禁用ODT电路210。

在操作S60中，存储器装置200可以接收退出命令。退出命令可包括模式寄存器写入退出(以下称其为“MRW_ex”)命令和/或CAS。例如，存储器控制器100可以通过第三信号线SL3向存储器装置200传输退出命令。存储器装置200可以接收来自于存储器控制器100的退出命令，并将接收到的退出命令提供给第一接收器RX1至第四接收器RX4或偏移校准电路220。存储器装置200可以通过接收退出命令来退出偏移校准操作和/或偏移校准反馈操作。

图4是示出根据实施例的存储器装置的偏移校准操作方法的电路图。图4将在假设第一接收器RX1至第四接收器RX4各自接收1位数据的情况下进行描述。

尽管没有在图4中示出，但是在存储器控制器100向存储器装置200提供数据DQ后，存储器控制器100可以切换到浮置状态。浮置状态可以指存储器控制器100不再向存储器装置200提供信号和命令的状态。

参照图4，当ODT电路210被使能时，第三电压V3可以电连接至第一连接节点N1。ODT电路210的一端可以连接至第一连接节点N1，其另一端可以连接至第三电压V3。第一接收器RX1至第四接收器RX4中的每一个可以接收第三电压V3的电压电平。

连接至第二连接节点N2的第一开关SW1可以接通，并且第二开关SW2可以关断。当第一开关SW1接通时，第一接收器RX1至第四接收器RX4中的每一个可以接收第一电压V1的电压电平。

第一接收器RX1可以在第一相位中接收作为第一数据D[0]的第一电压V1和第三电压V3的电压电平。第二接收器RX2可以在第二相位中接收作为第二数据D[1]的第一电压V1和第三电压V3的电压电平。第二相位可以是滞后第一相位90度的相位。第三接收器RX3可以在第三相位中接收作为第三数据D[2]的第一电压V1和第三电压V3的电压电平。第三相位可比第二相位滞后90度并且比第一相位滞后180度。第四接收器RX4可以在第四相位中接收作为第四数据D[3]的第一电压V1和第三电压V3的电压电平，第四相位可比第三相位滞后90度、比第二相位滞后180度并且比第一相位滞后270度。例如，第一相位可以是0度，第二相位可以是90度，第三相位可以是180度，第四相位可以是270度。第一接收器RX1至第四接收器RX4可以向偏移校准电路220提供第一数据至第四数据D[0:3]。

图5是示出根据实施例的存储器装置的偏移校准反馈操作方法的电路图。

参照图5，当ODT电路210被使能时，第三电压V3可以电连接至第一连接节点N1。ODT电路210的一端可以连接至第一连接节点N1，其另一端可以连接至第三电压V3。ODT电路210可以始终保持如图4所示的使能状态。第一接收器RX1至第四接收器RX4中的每一个可以接收第三电压V3的电压电平。

相反，当偏移校准操作完成时，连接至第二连接节点N2的第一开关SW1可以关断，并且第二开关SW2可以接通。当第二开关SW2接通时，第一接收器RX1至第四接收器RX4中的每一个可以接收第二电压V2的电压电平。

偏移校准电路220可以将执行偏移校准的结果(例如，校正值的逻辑电平)提供给第一接收器RX1至第四接收器RX4。偏移校准电路220可以基于执行偏移校准操作的结果执行偏移校准反馈操作。

例如，第一接收器RX1可以在第一相位(例如，WCK0)中接收第一电压V1和第三电压V3的电压电平以及作为偏移校准电路220的反馈结果的偏移校正。第二接收器RX2可以在第二相位(例如，WCK90)中接收第一电压V1和第三电压V3的电压电平以及作为偏移校准电路220的反馈结果的偏移校正。第二相位可比第一相位滞后90度。第三接收器RX3可以在第三相位(例如，WCK180)中接收第一电压V1和第三电压V3的电压电平以及作为偏移校准电路220的反馈结果的偏移校正。第三相位可比第二相位滞后90度。第四接收器RX4可以在第四相位(例如，WCK270)中接收第一电压V1和第三电压V3的电压电平以及作为偏移校准电路220的反馈结果的偏移校正。第四相位可比第三相位滞后90度。在示例实施例中，偏移校准电路220可以顺序或同时地执行针对多个接收器RX1至RX4的偏移校准操作。

参照图1和图2，偏移校准电路220执行偏移校准操作和偏移校准反馈操作所需的时间段可达到3μs(微秒)。

图6是示出根据另一个实施例的存储器装置的偏移校准操作方法的电路图。图6将在假设第一接收器RX1至第八接收器RX8各自接收1位数据的情况下进行描述。省略参照图4已经给出的描述，并且对图6进行描述。

尽管没有在图6中示出，但是在存储器控制器100向存储器装置200提供数据DQ后，存储器控制器100可以被切换到浮置状态。

参照图6，当ODT电路210被使能时，第三电压V3可以电连接至第一连接节点N1。ODT电路210的一端可以连接至第一连接节点N1，其另一端可以连接至第三电压V3。第一接收器RX1至第八接收器RX8中的每一个可以接收第三电压V3的电压电平。

连接至第二连接节点N2的第一开关SW1可以接通，第二开关SW2可以关断。当第一开关SW1接通时，第一接收器RX1至第八接收器RX8中的每一个可以接收第一电压V1的电压电平。

第一接收器RX1可以在第一相位中接收作为第一数据D[0]的第一电压V1和第三电压V3的电压电平。第二接收器RX2可以在第二相位中接收作为第二数据D[1]的第一电压V1和第三电压V3的电压电平。第三接收器RX3可以在第三相位中接收作为第三数据D[2]的第一电压V1和第三电压V3的电压电平。第四接收器RX4可以在第四相位中接收作为第四数据D[3]的第一电压V1和第三电压V3的电压电平。第五接收器RX5可以在第一相位中接收作为第五数据D[4]的第一电压V1和第三电压V3的电压电平。第六接收器RX6可以在第二相位中接收作为第六数据D[5]的第一电压V1和第三电压V3的电压电平。第七接收器RX7可以在第三相位中接收作为第七数据D[6]的第一电压V1和第三电压V3的电压电平。第八接收器RX8可以在第四相位中接收作为第八数据D[7]的第一电压V1和第三电压V3的电压电平。第一接收器RX1至第八接收器RX8可以向偏移校准电路220提供第一数据至第八数据D[0:7]。

图7是示出根据另一个实施例的存储器装置的偏移校准反馈操作方法的电路图。省略参照图5已经给出的描述，并且对图7进行描述。

参照图7，当ODT电路210被使能时，第三电压V3可以电连接至第一连接节点N1。ODT电路210的一端可以连接至第一连接节点N1，其另一端可以连接至第三电压V3。ODT电路210可以始终保持如图6所示的使能状态。第一接收器RX1至第八接收器RX8中的每一个可以接收第三电压V3的电压电平。

相反，当偏移校准电路220完成偏移校准操作时，第一开关SW1可以关断，并且第二开关SW2可以接通。当第二开关SW2接通时，第一接收器RX1至第八接收器RX8中的每一个可以接收第二电压V2的电压电平。

偏移校准电路220可以将执行偏移校准的结果(例如，校正值的逻辑电平)提供给第一接收器RX1至第四接收器RX8。偏移校准电路220可以基于执行偏移校准操作的结果执行偏移校准反馈操作。

例如，第一接收器RX1和第五接收器RX5可以在第一相位中接收第一电压V1和第三电压V3的电压电平以及作为偏移校准电路220的反馈结果的偏移校正。第二接收器RX2和第六接收器RX6可以在第二相位中接收第一电压V1和第三电压V3的电压电平以及作为偏移校准电路220的反馈结果的偏移校正。第三接收器RX3和第七接收器RX7可以在第三相位中接收第一电压V1和第三电压V3的电压电平以及作为偏移校准电路220的反馈结果的偏移校正。第三相位可比第二相位滞后90度。第四接收器RX4和第八接收器RX8可以在第四相位中接收第一电压V1和第三电压V3的电压电平以及作为偏移校准电路220的反馈结果的偏移校正。

参照图6和图7，偏移校准电路220执行偏移校准操作和偏移校准反馈操作所需的时间可达到3μs(微秒)。

图8是示出根据实施例的随着时间推移存储器控制器和存储器装置之间的操作的示例的示图。

参照图8，存储器控制器100a和存储器装置200a可分别对应于图1所示的存储器控制器100和存储器装置200。

在操作S100中，存储器控制器100a可以传输MRW_st命令。存储器控制器100a可以通过第三信号线SL3将MRW_st命令传输至存储器装置200a。此外，当存储器控制器100a向存储器装置200a提供MRW_st命令时，存储器控制器100a可以被切换到浮置状态。

在操作S200中，响应于接收到的MRW_st命令，存储器装置200a可以使能ODT电路210、将第一开关SW1接通、并关断第二开关SW2。ODT电路210可以被使能并连接至第一连接节点N1。ODT电路210可以连接至第三电压V3。第一开关SW1可以接通并连接至第二连接节点N2，以提供第一电压V1的电压电平。第二开关SW2可以关断，并且不连接至第二连接节点N2。由于第二开关SW2关断，可以不提供第二电压V2的电压电平。第一接收器RX1至第四接收器RX4中的每一个可以通过第一连接节点N1接收第三电压V3的电压电平，并且其可以通过第二连接节点N2接收第一电压V1的电压电平。

在操作S300中，存储器装置200a可以执行偏移校准操作。偏移校准电路220可以从第一接收器RX1至第四接收器RX4接收第一数据至第四数据D[0:3]并执行偏移校准。

在操作S400中，存储器装置200a可以执行偏移校准反馈操作。偏移校准电路220可以将执行偏移校准的结果提供给第一接收器RX1至第四接收器RX4。偏移校准电路220可以执行偏移校准反馈操作。例如，第一接收器RX1可以在第一相位中接收第一电压V1和第三电压V3的电压电平以及作为偏移校准电路220的反馈结果的校正值。第二接收器RX2可以在第二相位中接收第一电压V1和第三电压V3的电压电平以及作为偏移校准电路220的反馈结果的校正值。第三接收器RX3可以在第三相位中接收第一电压V1和第三电压V3的电压电平以及作为偏移校准电路220的反馈结果的校正值。第四接收器RX4可以在第四相位中接收第一电压V1和第三电压V3的电压电平以及作为偏移校准电路220的反馈结果的校正值。

在操作S500时，连接至第二连接节点N2的第二开关SW2可以接通以接收第二电压V2。第一开关SW1可以关断，因此第一电压V1的电压电平可能无法提供给第二连接节点N2。第一接收器RX1至第四接收器RX4中的每一个可以通过第二开关SW2接收第二电压V2的电压电平。在一些示例中，当第一开关SW1关断并且第二开关SW2接通时，存储器装置200a可以禁用ODT电路210。

在操作S600中，存储器控制器100a可以传输MRW_ex命令。存储器控制器100a可以通过第三信号线SL3将MRW_ex命令传输至存储器装置200a。

从操作S100至操作S600所花费的时间可以是预设时间。预设时间可达到3μs(微秒)的最大值。

在操作S700中，存储器装置200a可以响应于MRW_ex命令而结束偏移校准操作。在这种情况下，存储器装置200a可以不再执行偏移校准和偏移校准反馈操作而终止。

图9是示出根据另一个实施例的随着时间推移存储器控制器和存储器装置之间的操作的示例的示图。省略参照图8已经给出的描述，并且对图9进行描述。

参照图9，存储器控制器100b和存储器装置200b可以分别对应于图1所示的存储器控制器100和存储器装置200。

在操作S110中，存储器控制器100b可以向存储器装置200b传输CAS和数据时钟WCK。

在操作S210中，存储器控制器100b可以传输MRW_st命令。存储器控制器100b可以通过第三信号线SL3将MRW_st命令传输至存储器装置200b。此外，在存储器控制器100b向存储器装置200b提供MRW_st命令后，存储器控制器100b可以被切换到浮置状态。在这种情况下，浮置状态可以指存储器控制器100b不再向存储器装置200b提供CAS、数据时钟WCK和MRW_st命令的状态。

在操作S310中，存储器装置200b可以响应于接收到的MRW_st命令而使能ODT电路210、将第一开关SW1接通、并且关断第二开关SW2。ODT电路210可以被使能并连接至第一连接节点N1。当ODT电路210被使能时，第一连接节点N1可以电连接至第三电压V3。第一开关SW1可以接通并连接至第二连接节点N2，以提供第一电压V1的电压电平。第二开关SW2可以关断，并且不连接至第二连接节点N2。由于第二开关SW2关断，可以不提供第二电压V2的电压电平。例如，第一接收器RX1至第四接收器RX4中的每一个可以通过第一连接节点N1接收第三电压V3的电压电平，并且可以通过第二连接节点N2接收第一电压V1的电压电平。

在操作S410中，存储器装置200b可以执行偏移校准。偏移校准电路220可以从第一接收器RX1至第四接收器RX4接收第一数据至第四数据D[0:3]并执行偏移校准。

在操作S510中，存储器装置200b可以执行偏移校准反馈操作。偏移校准电路220可以将执行偏移校准操作的结果提供给第一接收器RX1至第四接收器RX4。偏移校准电路220可以执行偏移校准反馈操作。

在操作S610中，存储器装置200b可以关断第一开关SW1并接通第二开关SW2。例如，通过关断第一开关SW1和接通第二开关SW2，存储器装置200b可以向第一接收器RX1至第四接收器RX4中的每一个提供第二电压V2的电压电平。在一些示例中，当第一开关SW1关断并且第二开关SW2接通时，存储器装置200b可以禁用ODT电路210。

在操作S710中，存储器控制器100b可以传输MRW_ex命令。存储器控制器100b可以通过第三信号线SL3向存储器装置200b传输MRW_ex命令。

在操作S810中，存储器控制器100b可以向存储器装置200b传输CAS和数据时钟WCK。

从操作S210至操作S710所花费的时间可以是预设时间。预设时间可达到3μs(微秒)的最大值。

在操作S910中，存储器装置200b可以响应于MRW_ex命令而结束偏移校准操作。在这种情况下，存储器装置200ab可以不再执行偏移校准和偏移校准反馈操作而终止。

图10是根据实施例的在偏移校准期间在存储器装置和存储器控制器之间传输的信号的时序图。

参照图1和图10，当存储器控制器100向存储器装置200传输命令CMD时，可以开始偏移校准操作。在这里，命令可包括CAS和/或MRW_st命令、MRW_ex命令等等。

存储器控制器100可以向存储器装置200提供时钟信号CK_t和CK_c以及数据时钟WCK_t和WCK_c。时钟信号CK_t和CK_c可以是互补的，数据时钟WCK_t和WCK_c可以是互补的。此外，数据时钟WCK_t和WCK_c可以比时钟信号CK_t和CK_c具有更高的时钟频率。例如，数据时钟WCK_t和WCK_c的时钟频率可以是时钟信号CK_t和CK_c的四倍。下面，为了便于描述，时钟信号CK_t和CK_c可以被称为时钟信号CK，并且数据时钟WCK_t和WCK_c可以被称为数据时钟WCK。当存储器控制器100向存储器装置200提供命令及相关地址时，存储器装置200可以接收命令及相关地址。存储器装置200可以执行模式寄存器写入(MRW)操作。例如，当存储器控制器100向存储器装置200提供MRW_st命令时，存储器装置200可以执行MRW开始操作。可以在Tc0之前提供MRW_st命令。例如，当存储器控制器100向存储器装置200提供MRW_ex命令时，存储器装置200可以执行MRW结束操作。可以在Td0之前提供MRW_ex命令。

当MRW_st命令被提供给存储装置200时，偏移校准电路220可以执行偏移校准操作和/或偏移校准反馈操作。当第二连接节点N2通过第一交换机SW1电连接至第一电压V1时，可以执行偏移校准操作和偏移校准反馈操作。

时间tWCKENL_FS可以指内存控制器100向存储装置200提供数据时钟WCK后，存储装置200被使能所需要的时间段。时间tWCKENL_FS可以指时间T0和时间Ta0之间的时间段。时间tWCKPRE_Static可以指时间Ta0和时间Tb0之间的时间段。时间tWCKPRE_toggle_FS可以指存储器装置200被切换所需的时间段。时间tWCKPRE_toggle_FS可以指时间Tb0和时间Tc0之间的时间段。时间tMRD可以指时间Td1和时间Te1之间的时间段。时间tWCKSTOP可以指存储器控制器100不再向存储器装置200提供数据时钟WCK的时间段。时间tWCKSTOP可以指时间Te1和时间Tf0之间的时间段。

时间tOSCAL可以是执行偏移校准操作和偏移校准反馈操作所需的时间段。时间tOSCAL可以指时间Tc1和时间Td1之间的时间段。例如，时间tOSCAL可达到3μs(微秒)。

例如，根据本发明构思的技术思想，通过驱动偏移校准电路的训练来保证信号的完整性和提高数据信号的质量是可行的。

此外，根据本发明构思的技术思想，由于可以通过选择电压来执行偏移校准电路的训练操作，因此减少训练时间并提高接收接口的效率是可行的。

尽管上面已经参照实施例特定地示出和描述了本发明构思，但是将理解的是，在不偏离所附权利要求的精神和范围的情况下可在形式和细节上进行各种变化。

Claims (20)

1.一种存储器装置，包括：

输入/输出焊盘，其被配置为从在外部的装置接收数据；

片内端接电路，其连接至所述输入/输出焊盘；

多个接收器，所述多个接收器各自包括：

第一输入端子，其连接至所述片内端接电路，并且被配置为接收来自于所述输入/输出焊盘的数据作为第一输入数据，

第二输入端子，其被配置为接收第二输入数据，以及

输出端子，其被配置为基于所述第一输入数据和所述第二输入数据来输出数据；

偏移校准电路，其被配置为对从所述多个接收器输出的数据执行偏移校准操作，并将作为所述偏移校准操作的结果的偏移校正输出至所述多个接收器；

第一开关，其被配置为响应于所述第一开关接通而向所述多个接收器的第二输入端子提供第一电压作为所述第二输入数据；以及

第二开关，其被配置为响应于所述第二开关接通而向所述第二输入端子提供不同于所述第一电压的第二电压作为所述第二输入数据，

其中，所述多个接收器被配置为在偏移校准操作期间：

响应于所述片内端接电路被使能，通过所述多个接收器的第一输入端子接收与所述第二电压不同的第三电压，

响应于所述第一开关接通和所述第二开关关断，通过所述第二输入端子接收所述第一电压，以及

从所述片内端接电路接收作为所述偏移校准操作的结果的偏移校正。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述片内端接电路包括第一片内端接电阻器、第二片内端接电阻器和第三片内端接电阻器，并且

其中，所述第一片内端接电阻器、第二片内端接电阻器和第三片内端接电阻器被并联连接。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：

所述多个接收器包括第一接收器、第二接收器、第三接收器和第四接收器，

所述第一接收器被配置为在第一相位中接收第一数据，

所述第二接收器被配置为在第二相位中接收第二数据，

所述第三接收器被配置为在第三相位中接收第三数据，

所述第四接收器被配置为在第四相位中接收第四数据，并且

所述第二相位滞后于所述第一相位，所述第三相位滞后于所述第二相位，所述第四相位滞后于所述第三相位。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述多个接收器的第二输入端子被配置为当所述第一开关关断并且所述第二开关接通时接收所述第二电压。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述偏移校准电路被配置为将所述偏移校准输出至所述第一接收器、所述第二接收器、所述第三接收器和所述第四接收器中的每一个。

6.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述存储器装置被配置为当所述第一开关接通并且所述第二开关关断时，所述第一接收器将接收到的第一数据传输到所述偏移校准电路，并且所述偏移校准电路将所述偏移校准传输到所述第一接收器。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述存储器装置被配置为当所述第一开关关断并且所述第二开关接通时，所述第一接收器通过所述第二开关接收所述第二电压。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一电压的电压电平低于所述第二电压的电压电平。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一电压的电压电平等于所述第三电压的电压电平。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述偏移校准电路被配置为响应于来自在外部的所述装置的模式寄存器写入开始命令而执行所述偏移校准操作并将所述偏移校准输出到所述多个接收器。

11.一种操作包括多个接收器的存储器装置的方法，所述多个接收器各自具有连接到片内端接电路的第一输入端子、第二输入端子和连接到偏移校准电路的输出端子，所述方法包括步骤：

响应于来自在外部的装置的模式寄存器写入开始命令，将所述片内端接电路使能以向所述多个接收器的第一输入端子提供第三电压；

将第二开关关断并且将第一开关接通以向所述多个接收器的第二输入端子提供第一电压；

响应于所述第一电压和所述第三电压的电压电平，将来自所述多个接收器的输出端子的数据输出至所述偏移校准电路；

通过所述偏移校准电路对从所述多个接收器输出的数据执行偏移校准操作；

将执行所述偏移校准操作的结果反馈至所述多个接收器；以及

将所述第一开关关断并且将所述第二开关接通，以向所述第二输入端子提供与所述第一电压不同的第二电压。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，执行所述偏移校准操作的步骤包括：由所述多个接收器以彼此不同的相位接收所述第一电压和所述第三电压。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一电压的电压电平等于所述第三电压的电压电平。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一电压的电压电平低于所述第二电压的电压电平。

15.根据权利要求11所述的方法，还包括步骤：

当执行将所述第二开关接通的步骤时，禁用所述片内端接电路。

16.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在将执行所述偏移校准操作的结果反馈的步骤后，从在外部的所述装置接收模式寄存器写入退出命令。

17.一种操作包括多个接收器的存储器装置的方法，所述方法包括步骤：

响应于来自在外部的装置的模式寄存器写入开始命令，将连接至所述多个接收器的第一输入端子的片内端接电路使能，以向所述第一输入端子提供第三电压；

将第二开关关断并且将第一开关接通，以向所述多个接收器的第二输入端子提供与所述第三电压相同的第一电压；

响应于所述第一电压和所述第三电压的电压电平，从所述多个接收器的输出端子输出数据；

对从所述多个接收器接收到的数据执行偏移校准操作；

反馈执行所述偏移校准操作的结果；以及

将所述第一开关关断并且将第二开关接通以向所述第二输入端子提供与所述第一电压不同的第二电压。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，执行所述偏移校准操作的步骤包括：通过所述多个接收器以彼此不同的相位依次接收所述第一电压和所述第三电压的电压电平。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，反馈执行所述偏移校准操作的结果的步骤包括：以彼此不同的相位将所述偏移校准操作的结果反馈到所述多个接收器。

20.根据权利要求17所述的方法，其中，仅在预先确定的时间段内进行执行所述偏移校准操作的步骤。

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