CN116002608A - 半导体器件和用于制造多个半导体器件的方法 - Google Patents

半导体器件和用于制造多个半导体器件的方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种半导体器件。半导体器件包括：有源区；和俘获区，相对于有源区定位在周边，俘获区具有允许颗粒通过的俘获孔，俘获孔与用于俘获颗粒的至少一个俘获腔室流体连通。本发明还涉及一种用于从一个半导体晶片制造多个半导体器件的方法，该半导体晶片具有要沿切单部分线被单个化的多个半导体器件区。该方法可以包括：在每个半导体器件区中，通过在有源区中制作或应用至少一种有源元件、制作至少一个俘获腔室、并在在比有源区更周边定位的半导体器件区的俘获区中制作与至少一个俘获腔室流体连通的俘获孔，来制作半导体前体；并且通过沿切单部分线分离半导体器件前体来对半导体器件区进行单片化，从而获得多个半导体器件。

Description

半导体器件和用于制造多个半导体器件的方法
技术领域
本发明涉及半导体器件(例如，片状半导体器件)和用于制造多个半导体器件的方法。
背景技术
半导体器件(例如微机电系统、MEMS)的不断小型化导致它们的尺寸多年来不断减小。然而，极其小型化的系统对粉末很敏感，这可能会大大降低其性能。例如，如果粉末沉积在MEMS麦克风的膜上，则会导致其性能出现不确定的下降。这尤其发生在特别大的器件(例如，膜……)中，其中特别不希望粉末积累在特定范围中。
一些半导体器件是使用导致粉末产生的方法而被制造的，这一事实加剧了该问题。发明人已经注意到，例如，当通过激光束割裂晶片来单片化半导体晶片时，不仅会立即产生粉末，而且还会产生一些结构(所谓的烛棒)，这些结构仅会随后破裂，在不确定的时刻产生粉末，即使在半导体器件已售出并正在运行时也是如此。因此，粉末本质上是由半导体器件本身在这些情况下产生的。这是特别不希望的，因为粉末倾向于积聚在半导体器件的有源范围的周边区中，因此降低了半导体器件在操作中的性能。
因此，需要一些解决方案来避免粉末在不确定的时刻到达半导体器件的有源范围。
发明内容
根据一个方面，提供了一种半导体器件，包括：
有源区；和
俘获区，相对于有源区定位在周边，该俘获区具有允许颗粒通过的至少一个俘获孔，该至少一个俘获孔与至少一个俘获腔室流体连通以俘获颗粒。
因此，俘获区可以接收颗粒，从而避免颗粒到达有源区。
根据一方面，至少一个俘获孔具有从第一俘获孔部分向比第一俘获孔部分更宽的第二俘获孔部分逐渐延伸的锥形形状。根据一个方面，至少一个俘获孔由从第一俘获孔部分向第二俘获孔部分逐渐分叉的至少一对边界界定，以将颗粒从第一俘获孔部分导向第二俘获孔部分。
因此，颗粒可以通过其自身重量的作用受到朝向第二俘获孔部分的力的作用，例如由于其重心与支撑颗粒的支撑点隔开，这意味着颗粒上的动量，因此倾向于(例如通过滚动)朝向第二俘获孔部分移动。
此外，实现了储蓄罐(piggybank)效应，因为通过第二俘获孔部分进入俘获腔室的颗粒离开俘获腔室的概率将极低，因为俘获腔室内的大多数位置不低于一个窄到不会让颗粒离开的孔径或低于该孔径的一部分。
根据一个方面，至少一对边界包括至少一个第一对边界和至少一个第二对边界。所述至少一个第一对边界可以比所述至少一个第二对边界更靠近所述至少一个俘获腔室，并且至少一个第一对边界可以相对于第二对边界限制至少一个俘获孔。
因此，即使在颗粒受到朝向横向方向的力的情况下，第二对边界也可以将颗粒保持在适当位置。颗粒可能会在第二对边界的边界上反弹，从而回到它在第一对边界上的位置。
根据一方面，第二俘获孔部分的最近部分连接到横向俘获孔部分，该横向俘获孔部分增加至少一个俘获孔沿周向方向的伸长。另外或替代地，所述至少一个俘获孔还具有比所述第二俘获孔部分更接近的第三俘获孔部分，并且这增加了所述至少一个俘获孔沿远端/近端方向的伸长。
因此，至少一个俘获孔可导致拉长，并因此允许俘获拉长的颗粒。
根据一个方面，提供了一种用于从一个半导体晶片制造多个半导体器件(例如，像上面和/或下面那些中的一个)的方法，该半导体晶片具有要沿切单部分线单片化的多个半导体器件区，方法包括：
在每个半导体器件区中，通过在有源区中制作或应用至少一种有源元件、制作至少一个俘获腔室、并在比有源区更周边定位的半导体器件区的俘获区中制作与至少一个俘获腔室流体连通的至少一个俘获孔，来制作半导体器件前体；和
通过沿切单部分线分离半导体器件前体来单片化半导体器件区，从而获得多个半导体器件。
因此，可以获得能够容忍粉末(通过单片化晶片产生的粉末和有可能到达半导体器件的有源区的其他粉末)存在的多个半导体器件。
该方法可以包括根据锥形形状成形至少一个俘获孔，该锥形形状从第一俘获孔部分朝向比第一俘获孔部分更宽的第二俘获孔部分逐渐延伸。附加地或替代地，成形可以包括成形至少一个俘获孔，使得第二俘获孔部分允许具有确定直径的确定颗粒通过，并且第一俘获孔部分不允许确定颗粒通过。
因此，在制造过程中产生的粉末可能被俘获到至少一个俘获腔室中，和/或朝向半导体器件的有源范围移动的额外粉末也可能被俘获到其中。
根据一个方面，该方法可以包括使半导体晶片粘附到粘合层，其中单片化包括：
沿着切单部分线产生裂纹(例如通过激光)，使得半导体器件前体成为彼此分离的半导体器件；并且，随后，
使粘合层扩张，从而使半导体器件彼此间隔开。
这些步骤(或任何其他分离步骤)可以可靠地执行，因为生成的粉末将落入至少一个俘获腔室中。
附图说明
图1a示出了根据示例的半导体器件的平面图。
图1b示出了图1a的半导体器件在范围Ib中的放大图。
图1c示出了图1a和1b的半导体器件沿图1b中的剖面线Ic-Ic的视图。
图2a示出了根据示例的半导体晶片的平面图。
图2b示出了图2a的半导体晶片的放大图。
图2c示出了图1a和1b的半导体晶片沿图2b中的剖面线IIc-IIc的视图。
图3a-3d示出了本发明的操作的时间序列。
图4示出了根据本发明的方法的示意图。
具体实施方式
图1a-图1c示出了根据示例的半导体器件1。半导体器件1可以是芯片。图1a示出了从上方看的示例，并且示出了半导体器件1沿两个平面方向延伸。特别地，图1a示出了在图1a中表示为垂直的第一平面方向和在图1a中表示为水平的第二平面方向。在图1a中，第一平面方向可以沿着(例如平行于)两个侧边92a'和92a”延伸以与两个侧边92e'和92e”(例如垂直地)相交，并且第二平面方向可以沿着(例如平行于)两个侧边92e'和92e”以与两个侧边92a'和92a”(例如垂直地)相交。特别地，这适用于当半导体器件1具有矩形(例如正方形)形状时。图1a示出了基本上沿平面方向延伸的顶面10a。即使在半导体器件1的另一侧，反面10b(底面)也可以基本上沿平面方向延伸。在图1a中看不到与顶面10a和底面10b(例如垂直地)相交的厚度方向(垂直于图1a中的纸面)。厚度方向在此也称为高度方向，并且也经常被认为是垂直方向，因为为了本发明的目的，半导体器件1的大部分使用通常以这样的方式来设计，即面10a和10b意在水平(或基本水平)放置，面10a在面10b之上，并且半导体器件1的厚度方向意在垂直(按测高地、按大地测量地垂直)，以允许重力沿其垂直方向施加其作用。当然，在半导体器件1的取向不同的情况下，厚度方向和垂直方向不再重合(例如，它们相异)。半导体器件1可以包括至少一个俘获孔30。在这种情况下，半导体器件1可以包括多个俘获孔30。至少一个俘获孔30可以沿着边界36引导颗粒(例如通过滚动)，并且例如通过重力让颗粒通过至少一个俘获孔30进入(例如下落)到至少一个俘获腔室40上，这在顶面10a(其限定孔30)被放置在底面之上时是有利的。在许多应用中，半导体器件1沿厚度方向(高度方向、垂直方向)的延伸(厚度)远小于半导体器件1沿第一和/或第二平面方向的延伸(例如，厚度可以远小于侧边92a'、92a、92e'和92e”中的每一个，例如至少小十倍)。将显示，图1b示出了图1a的、对应于图1a的范围Ib的放大部分。以下更强调“远/近端方向”和“横向或周边方向”。“远/近端方向”可以被视为半导体器件1的中心与半导体器件的边界92(例如，边界92包围侧边92a'、92a、92e'和92e”)之间的方向(特别地，当从半导体器件1的周边向中心移动时称为“朝近端方向”；当从半导体器件1的中心向周边移动时称为“朝远端方向”)。“横向或周边方向”是沿着侧边92a'、92a、92e'和92e”之一。因此，“第一平面方向”(图1a和1b中的垂直方向)在图1b中也是“远/近端方向”，并且“第二平面方向”(图1a和1b中的水平方向)在图1b中也是“横向或周边方向”，但这在具有(邻接)侧边92e'和92e”的区域中有效。在具有侧边92a'和92a”的区域中，“第二平面方向”(图1a中的垂直方向)变为“远/近端方向”，而“第一平面方向”(图1a中的水平方向)变为“横向或周边方向”。因此，对于具有侧边92a'、92a、92e'和92e”之一的半导体器件1的区域，“横向或周边方向”可以是平行于侧边92a'、92a、92e'和92e”其中之一的方向(例如平面方向中)，并且“远/近端方向”可以是以下方向(例如，平面方向中)：该方向与到中心的距离一起变化(例如，“横向或周边方向”可以是垂直于边92a'、92a、92e'和92e”之一的方向)。一般而言，可以想象侧边92a'、92a、92e'和92e”对应于切单部分线92，已经沿着切单部分线92从半导体晶片开始切单半导体器件1(也参见下文)。
图1a示出了相对于有源区10定位在周边(至少在平面方向)的有源区10、俘获区20。有源区10和俘获区20可以以单件式一体制成(例如，从一个单一的半导体块获得)，或有源区10的至少一部分与俘获区20以单件式一体制成。俘获区20可以直接界定有源区10，例如，至少在平面方向上，例如从上方(例如从顶面10a)看时。在俘获区20周围(例如至少在平面方向上，例如当从上方看时)，可以存在最外部区90(尽管并不总是严格必要的)。最外部区90和俘获区20可以与俘获区20以单件式一体制成(例如，从单个半导体块获得)。最外部区90可以直接界定俘获区20，例如至少在平面方向上，例如从上方看时(例如从顶面10a)。因此，有源区10可以邻接俘获区20，和/或俘获区20可以邻接外部区90。在示例中，当从上方(沿厚度方向)看时，有源区10可以被俘获区20完全包围，和/或俘获区20可以被外部区90完全包围。值得注意的是，侧边92a'、92a、92e'和92e”可以在最外部区90中。因此，在一些示例中，有源区10可以被俘获区20周边(部分或全部)包围。有源区10可以被俘获区20周边(部分或全部)包围。俘获区20和大多数外部区90相对于有源区10可以更外部，并且通常可以不是有源区(例如，它们没有被掺杂)。有源区10可以包含或支持或无论如何由任何可能的有源半导体元件构成。有源区10可以包括或支撑例如至少一个二极管(例如光电二极管)，或至少另一个具有P-N结的半导体元件；至少一个晶体管(例如光电晶体管)，或至少另一个具有P-N-P或N-P-N结的半导体元件；至少一个微机械电气系统MEMS；至少一个声学传感器，例如麦克风或另一种类型的电容器；至少一个另一种传感器；至少一个透镜；以及在有源区10中构成或由有源区10支持的任何其他可能的电路。这里并不总是特别重要的是：在有源区10中实现的有源半导体元件。在示例中，虽然最外部区90可以是块体和/或大块的，俘获区20可以包括孔(俘获孔和/或至少一个俘获腔室，见下文)。
半导体器件1可以包括至少一个内部俘获腔室40(图1a中未示出)和俘获孔30(图1a中也未示出)。俘获孔30可以在俘获区20中，并且可以允许至少一个俘获腔室40(例如从上方)与外部环境流体连通。至少一个或多个俘获孔30被定位使得，当从上方看时，可以看到至少一个俘获腔室40的底板40b的至少一部分(或者，以另一种方式说，至少一个俘获孔30朝向远端方向的突出部分与俘获腔室40的底板40b相交)。
图1b示出了图1a中所示的部分Ib的放大图像。在图1b(其也绘出平面方向上的范围)中，显示了有源区10、俘获区20和最外部区90。在图1b中，可以看到俘获孔30，其使内部俘获腔室40与外部环境连通。如图1b中可见，多个孔30(其可彼此连通，例如沿横向或周边方向)可与单个俘获腔室40连通(尽管在一些示例中，可以有多个俘获腔室40，每个俘获腔室可以与至少一个或多个俘获孔30连通)。
从图1b中可以看出，俘获腔室40的延伸可以大于俘获孔30的延伸(特别地，俘获腔室40可以具有沿平面方向更宽的表面延伸，例如比与相应的俘获腔室40连通的所有俘获孔30的表面延伸的总和宽至少50％)。
从图1b可以看出，每个俘获孔30可以具有锥形形状。锥形形状可以从第一俘获孔部分32向第二俘获孔部分34逐渐延伸，第二俘获孔部分34比第一俘获孔部分32宽。因此，更远的俘获孔部分(其是第一俘获孔部分32)与更近的俘获孔部分(其是第二俘获孔部分34)相比更窄。特别地，第一俘获孔部分32的两个边界36(或38)之间的距离32e'(沿横向或周边方向测量并在孔30的最远边缘处取得)小于在相同的两个边界36(或38)(在沿厚度方向测量的相同高度处确定)之间并在第二俘获孔部分34处测量的距离32e”(沿横向或周边方向测量)。每个俘获孔30可以被看作是被至少一对边界(例如，36和/或38)界定的。至少一对边界(例如36或38)可以从第一俘获孔部分32向第二俘获孔部分34逐渐分叉(例如，如在平面方向上所见)。从图1b可以看出，由于俘获孔30的存在，位于与第一俘获孔部分32对应的面10a上的球形元素(例如，颗粒，例如粉末颗粒)可能无法从上方进入腔室40，但是相同的颗粒可以对应于第二俘获孔部分34进入(例如，通过至少重力或至少另一个其他偏压力)俘获腔室40。
图1c是沿图1b中的线Ic-Ic截取的截面图。图1c显示了沿厚度方向(在图1c中是垂直的)和横向或周边方向(在图1c中是水平的并且对应于图1a和1b中水平的第一平面方向)的延伸。图1c显示了俘获腔室40在内部由以下至少一项界定：
-两个侧壁40a(在横向或周边方向上界定俘获腔室40)；
-远端壁40e和近端壁40d(两者都在远/近端方向上界定俘获腔室40)；
-顶板40c(在厚度方向上限定俘获腔室40，在顶面10a侧)；
-底板40b(在厚度方向上限定俘获腔室40，在底面10b侧)。
两个壁40a在这里被认为是侧壁，而近端壁40d也存在(并且在图1c中它是平行于纸面看到的壁)，而远端壁40e在图1c中看不到(但在图1b中被指出，并且在这种情况下，可以由将外部区90与俘获区20分开的壁界定)。因此，壁40a、40d、40e与厚度方向大致平行，顶板40c和地板40b与由平面方向形成的平面大致平行。
每个俘获孔30在此表示为具有第一对边界36和第二对边界38，其中第一对边界36居中地在俘获腔室40和第二对边界38之间。如图1b和1c所示，较高的第二对边界38的延伸(特别是沿横向或周边方向和/或远/近端方向)比较低的第一对边界36的延伸更宽。从上方看，第一对边界36相对于第二对边界38限制了俘获孔，使得俘获孔30沿第二对边界38的表面延伸大于俘获孔30沿着第一对边界36的表面延伸。这意味着，例如，对应于图1c的位置，直径小于边界36之间的距离(沿横向或周边方向测量)的球形颗粒可以进入俘获腔室40，但直径大于边界36之间的距离(沿横向或周向测量)的球形颗粒不能进入俘获腔室，尽管小于边界38之间的距离。
一般而言，俘获腔室40可以在以下项之间获得：
-例如沿平面方向延伸的延伸层41b(其可以在内部界定底板40b和/或在外部界定底面10b)；
-两个垂直延伸的层41a(其可以在内部界定侧壁40a)；
-顶层45(其可在内部界定顶板40c和/或在外部界定顶面10a)，尽管如此，其对应于孔30(例如，在顶层45中获得边界36和/或38)是开放的，在示例中，顶层45由两个或至少两个子层46和48构成：
o第一子层46可被认为界定第一对边界36的形状(例如，如从上方所见)，
o而较高的第二子层48可被认为界定第二对边界38的形状(例如，如从上方所见)。
基本上，在一些示例中，俘获腔室40可以被认为由层41a、41b、45(46、48)、以及由外部区90(其产生壁40e)、以及由限定壁40d的另一个大块区域41a(其仅在图1b中可以看到)、以及由俘获孔30限定。然而，在其他示例中，可以限定至少一个俘获腔室40的不同形状。在一些示例中，邻接层41a和41b之一，可以存在另一个俘获腔室40，通过其他俘获孔30对外部环境开放。
如图1b所示，每个俘获孔30可以具有近端的第三俘获孔部分35，在一些示例中其是可选的。第三俘获孔部分35的两个边界36(或38)之间的距离32e”'(沿横向或周向测量)可以小于在相同的两个边界36(或38)之间的距离32e”(沿横向或周向测量，在相同高度处)。在一些情况下，部分35也可以被制成与第一俘获孔部分32对称(或几乎对称)，并且特别地，由渐缩的边界限定，即使在这种情况下，边界向远端方向分叉。
当在平面方向(例如从上方)看时，俘获孔30可以通过侧向部分34a彼此连接，侧向部分也在至少一个俘获腔室40上孔。尽管如此，侧向部分34a可以被避免。在任何情况下，当颗粒具有拉长的形状(例如椭圆形)时，横向部分34a可以有助于允许颗粒通过孔30。这同样适用于第三孔部分35，因此可以允许椭圆形或细长颗粒进入。因此，在一些示例中，至少一个俘获孔30可以具有更细长的形状，并且在近端方向上也朝向第二俘获孔部分34拉长(各自构成第三俘获孔部分35)，该部分可以具有比第二俘获孔部分34的最大横向延伸更窄的延伸(例如，在横向或周边方向上)。另外或替代地，至少一个俘获孔30可以包括至少一个横向部分34a(例如当从上面看时横向的)，其相对于第二俘获孔部分34更横向地延伸，从而增加俘获孔30的横向延伸，并因此增加可插入俘获腔室40中的颗粒的直径。因此，两个横向部分34a(横向连接到第二俘获孔部分34)可以导致第二俘获孔部分34的最近端部分基本上是无边界的，从而大大增加了可以进入俘获腔室40的颗粒的直径。
因此，由于部分32/34/35(在远/近端方向上从更靠近外部区90的更远端部分朝向更靠近有源区10的最近端部分延伸)和/或34a/34/34a(沿横向或周边方向延伸)的顺序，每个俘获孔30可以沿着两个优先方向延伸。
在存在两对不同边界36和38的示例中，俘获孔30(特别是部分32、35、36、34a)的形状可以至少被理解为较窄对边界(例如，第一对边界36)的形状，因为该形状是允许或不允许颗粒落入俘获腔室40的形状。
由于俘获孔30相对于至少一个俘获腔室40的特定形状，可以理解的是，确定直径的球形颗粒可以例如进入(例如，通过重力下落)通过第二俘获孔部分34进入腔室40，但是一旦在俘获腔室40内，球形颗粒只有一种从俘获腔室40离开(即，通过第二俘获孔部分34)的可能性。当插入俘获腔室40时，颗粒可以移动(在俘获腔室40内沿平面方向移动，但只能通过第二俘获孔部分34离开)。如果通过在俘获腔室40内移动，球形颗粒结束与部分32或(如果存在)35和/或34a相对应或在顶板40c下方，则球形颗粒不能再离开。
在细长(例如椭圆形、橄榄形)颗粒的情况下，细长颗粒可以沿着两个优先方向之一(例如，沿着具有连续部分32/34/35的远/近端方向的一个方向，或具有连续部分34a/34/34a的横向或周边方向)进入俘获孔30，但是，只要细长颗粒在俘获腔室40内移动或以其他方式改变在俘获腔室40中的取向，细长颗粒就不再能从俘获腔室40离开。
一般而言，获得了储蓄罐效应，这大大降低了俘获在俘获腔室40中的球形或细长颗粒返回外部环境的概率。
特别地，可以提供俘获孔30的延伸，使得具有确定直径的颗粒可以穿过俘获孔30(例如对应于第二俘获孔部分34)，但是彼此相切的、各自具有相同确定直径的两个颗粒不能通过一个或多个孔30，从而最小化颗粒从至少一个俘获腔室40离开的概率。例如部分35和34a各自均不允许具有确定直径的单个球形颗粒通过，而每个第二俘获孔部分34一次只允许一个颗粒通过。因此，在图1b的示例中，每次只有三个颗粒(每个俘获孔30各一个)可以同时从俘获腔室40逸出。
图3a-图3d示出了对应于俘获区20最初沿着半导体器件1的表面(例如在顶面10a上)移动的球形粉末颗粒80的序列。如图3a中可见，颗粒图80可以在俘获区20的远端部分中(例如，由于颗粒80通常对应于通过使外部区90破裂而产生的切单部分线92而产生的事实)。如图1a所示，颗粒80对应于近端孔部分30被支持并且由第一对边界36支撑。如图3b所示，颗粒80朝着近端方向移动，即放弃第一俘获孔部分32并朝向第二俘获孔部分34移动，第二俘获孔部分34比第一俘获孔部分32宽。颗粒80仍然由第一对边界36支撑并且还不能进入跟踪腔室40。当颗粒80对应于第二孔区34到达，颗粒80可以进入(例如，通过重力下落)进入俘获腔室40。随后，如图3d所示，颗粒80可以在用80a、80b、80c和80d指示的任何位置移动(例如，通过任何可能的偶然运动)。然而，只有当颗粒80到达第二俘获孔部分34下方的位置之一时，才能离开俘获腔室40(并且也仅在存在作用在该方向上的力的情况下)，从而获得储蓄罐效应。
在俘获腔室40内，通常不仅有一个单一的颗粒，而且有许多颗粒被俘获在其中(即，所有颗粒储存在内部，理想地直到完全补充内腔室)。然而，内部俘获腔室40的尺寸(特别是在平面方向上)可能相对于颗粒80的尺寸和相对于俘获孔30的表面延伸而言显著提高。基本上，俘获腔室40占据的平面面积(例如，在底板40b上测量)可以是与同一腔室40连通的俘获孔30的总面积的至少两倍(或至少大50％)。需要说明的是，俘获腔室40在平面方向上的延伸不限于对应于三个俘获孔30的横向延伸。例如，俘获腔室40的延伸可以是细长的，例如，在远/近端方向上(例如，在近端方向上，通过在有源区中进一步延伸俘获腔室40；在远端方向上，通过在外部范围90中进一步延伸俘获腔室40；以及在横向或周边方向上，通过增加俘获腔室40上的俘获孔30的数量)。
现在解释一种方式，根据该方式，即使在完全或部分不存在其他偏置力的情况下(例如通过仅依赖或至少主要依赖重力，特别是当半导体器件1的顶面10a在底面10b之上时，和/或厚度方向与垂直方向重合时)，球形粉末颗粒80也可以自主地朝向第一俘获孔部分32朝向第二俘获孔部分34移动。这种情况显示在图3a中，它显示了颗粒80的重心(质心)80c。图3a还显示了颗粒80与第一对边界36接触的两个支撑点80b(支撑点80b的两个示例在图1c中示出，并且被放置在第一对边界36的垂直较高部分中)。(在图3a的视图中，点80b和80c实际上会被颗粒80的较高表面覆盖，但它们的位置实际上是图中所示的位置)。从图3a可以看出，重心80c不与支撑点80b成一直线，而是在俘获孔30的宽度增加的方向(在这种情况下，在近端方向)上更靠前。因此，产生角动量，其趋向于使颗粒80沿着第一对边界36滚动(并且特别地朝向俘获孔30的宽度增加的方向，在这种情况下是近端方向，例如由于边界36在朝向半导体器件1的近端部分移动时越来越远)。角动量也在图3b中继续以施加滚动效应，并且颗粒80到达这个通过更宽的第二孔部分34(在图3c中)落入俘获腔室40的点。凭借这些特征的智能组合，因此可以让颗粒80自主趋向于朝向第二俘获孔部分34到达并落入内部俘获腔室40中。据了解，因此甚至不需要进行特定的独特运动来促使颗粒移动，因为实际上任何运动都可以引发颗粒的运动(特别是当顶面10a在底面10b之上时，以促进重力运动)。一旦在从较窄的第一孔部分32朝向较宽的第二孔部分34的方向上开始移动，颗粒80将受角动量作用，这趋于自主地使颗粒80朝向第二俘获孔部分34。应当理解，即使是最小的运动也可以允许开始颗粒80的运动而并不很复杂。在某些情况下，半导体器件1的些许倾斜或甚至一点振动都可以允许启动颗粒80的运动。
第二对边界38的存在获得了额外的优点，第二对边界38在平面方向(例如，当从上方看时)比第一对边界36更多地延伸。在横向或圆周方向上作用的力的情况下，垂直位于较窄的第一对边界36之上的第二对边界38的存在允许将颗粒80保持在适当位置。因此，如果在图3b中(例如，由于外力，或由于其形状的某些不规则性)颗粒80意外地偏向右侧或左侧，则与边界38之一的接触将导致颗粒80倾向于保持在其位置，并且可能反弹回预期位置(使得颗粒80保持由两个边界36支撑)。尽管如此，第二对边界38是可选的。另一方面，也可以具有多于两对边界，例如，相对于第一和第二对边界36和38甚至更垂直地升高(并且也比由边界36和38产生的延伸更宽)，这样可以获得更好的定位效果。
现在解释用于制造多个半导体器件的方法400，例如如上所述的那些。由于在一些情况下，方法400允许获得如上述之一的半导体器件1，因此在一些示例中，如上所述的半导体器件1的特征中的至少一些可以补充针对本方法所讨论的特征，并且用于描述方法400的特征可以全部或部分地用于补充上述半导体器件1的特征。
图4示出了可以实现制造半导体器件1的方法400的示例。方法400可以包括步骤402以及随后的步骤404。
图2a、2b和2c也涉及获得半导体器件1的方法并且仅分别对应于图1a、1b、1c(使用相同的标号，不重复说明)。从步骤402可以看出，方法400可以始于具有多个半导体器件区101(见图2a)的半导体晶片100(图2a-图2c)。晶片100大部分沿平面方向伸长。不同的半导体器件区101(例如大部分在平面方向上延伸)将沿着切单部分线92(参见图2a)例如通过激光锥93(图2a)被单片化。切单部分线92可以对应于图1a和图1b中的半导体器件1的边界92(侧边92a'、92a”、92e'、92e”)，并且因此用相同的数字表示。更一般地，每个半导体器件区101是指作为半导体器件1的底座。如图2a所示，每个半导体器件区101可以包括有源区10(或其前体)，俘获区20(或其前体)和外部区90(或其前体)，它们可以具有与上述区10、20、90相同的位置关系。一般而言，晶片100可以从半导体元件获得，例如多晶硅或另外的非有源半导体材料。晶片100最初可以例如是大块体(massive block)或半导体、非掺杂材料(非有源)，并且区10、20和90之间的界定(以及不同半导体器件区101之间的界定)最初可能只是位置问题，不可能区分晶片100上的不同范围。
然而，在步骤402，可以通过在有源区10中制作或应用至少一种有源元件来使每个半导体器件区101成为半导体器件前体。例如，可以对有源区的部分进行掺杂(例如，通过用P掺杂剂或N掺杂剂掺杂某些区)。可以有任何种类的导电材料(例如，用于制作导线)，可以制作通孔，可以有多个导电和/或非导电层。通常，可以制造几乎任何可能的半导体器件1(包括MEMS器件、传感器、晶体管、光电晶体管、光电二极管、电容器、麦克风和其他压力传感器)。
在同一步骤402中，还可以制作至少一个俘获腔室40。至少一个俘获腔室40在一些示例中可以仅在俘获区20中，但在一些其他示例中，至少一个俘获腔室40也可以延伸穿过有源区10的部分(例如未使用部分)。只需要至少部分俘获腔室40在周边俘获区20中，以允许颗粒(大部分对应于切单部分线92产生)到达而不经过有源区10。也可以在状态402中制造允许外部环境与至少一个俘获腔室40之间的流体连通的俘获孔30。
对有源区10的操作(例如，在有源区10中制作或应用至少一种有源元件)、在至少一个俘获腔室40中(即，物理地制作俘获腔室40)以及关于俘获孔30的操作不一定按照相对于彼此的特定顺序进行。在一些情况下，孔部分30在俘获腔室40和/或有源区10之前形成；在一些其他情况下，有源区10在孔部分30和/或俘获腔室40之前制作，等等。在一些情况下，可以同时或至少并行地执行用于制造俘获腔室40、有源区10和孔30的不同操作。在一些情况下，制造有源区10的相同技术也可以用于制造孔30和/或俘获腔室40。
特别地，可以将俘获孔中的至少一个俘获孔30成形为从第一俘获孔部分34向比第一俘获孔部分32更宽的第二俘获孔部分36逐渐延伸的锥形形状(步骤421)。如上所述，在步骤422中，可以获得至少一个第一对边界36和至少一个第二对边界38，至少一个第一对边界36比至少一个第二对边界38更接近(例如，在厚度方向上)俘获腔室40，至少一个第一对边界36相对于第一对边界36限制至少一个俘获孔30。在一些情况下，它可以通过将俘获孔30成形为使得第二俘获孔部分34允许具有确定直径的确定颗粒通过，并且第一俘获孔部分32不通过允许确定的颗粒通过(步骤423)。在步骤424中，可以界定至少一对边界36、38，使得它们从第一俘获孔部分32向第二俘获孔部分34逐渐分叉。这样，可以获得半导体前体101。半导体前体101可以与待制造的半导体器件1完全相同，不同之处在于它们由于尚未进行单片化而仍然是一体的。
如上所述，晶片100有可能至少最初是一个单一的、大块体的半导体材料(至少对应于区20和90或其前体，但在一些示例中也对应于范围10的前体)。因此，可以使半导体器件1的前体101如下。
晶片100最初是大块的并且在任何俘获腔室40中不存在任何装置30。最初，可以对应于为了制造俘获孔30而必须去除的表面来蚀刻晶片100，例如通过从上向下(沿厚度方向)蚀刻。在具有两对边界36和38的情况下，可以在第二对边界38延伸的较宽范围上执行第一蚀刻操作。随后，可以在边界36延伸的较窄范围中执行第二蚀刻操作。然而，在这种情况下，蚀刻可能不仅关注子层46，而且可能关注俘获腔室40的整个高度，直到底板40b。此时，可以进行直到侧壁40a、近端壁40d和远端壁40e的内部蚀刻(例如，沿平面方向进行)。因此，可以获得俘获腔室40。
在其他示例中，可以不使用内部蚀刻，而是由两个不同的半晶片来制造晶片100。例如，上层45可以在第一半晶片中制造，而底层41b可以在不同的第二半晶片中制造。横向层41a可以在半晶片41b中、或在具有底层41b的半晶片中、或在具有顶层45的半晶片中制成。在这种情况下，两个半晶片可以被胶合或以其他方式使它们彼此粘附，从而产生腔室40，作为由横向层41a产生的距离的效果。在某些情况下，俘获孔30可能已经在具有顶层45的半晶片中准备好，或者可选的，它们可以随后被蚀刻。
在其他情况下，顶层45可以作为悬臂层获得，横向层41a是支撑由顶层45实例化的悬臂元件的元件(或者悬臂层在其他示例中可以是底层41b)。
其他示例可包括将弹簧用于一个悬挂层(例如，通过悬挂顶层45或底层41b)。
实际上可以实施任何其他已知方法来获得至少一个俘获腔室40和俘获孔30。
在示例中，方法400可以包括通过沿着切单部分线92分离半导体器件前体101来单片化半导体器件区101的步骤404。因此，可以获得多个各自与其他半导体器件单片化半导体器件1。在一些示例中，如果单片化步骤404产生容易导致粉末产生的裂纹和/或不连续元素，则步骤404可以包括将半导体器件1或其前体(101)间隔开的步骤，而半导体器件1或其前体(101)被定位为使得顶面10a(例如，在厚度方向上)在底面10b之上、和/或半导体器件1或其前体(101)的平面方向基本水平。至少，可以规定俘获孔30垂直地位于相应俘获腔室(40)之上，以增加粉末沿边界36开始运动(理想地滚动运动)的可能性，如图3a-图3c的顺序所描述的。
现在解释用于沿切单部分线92单片化半导体部分的一些技术。首先，在一些示例中，可以使晶片100粘附(例如，将顶面10a垂直地定位在底面10b之上)到在平面方向上延伸的粘合层。例如，可以使每个半导体前体101的底面10b粘附到外部的且未示出的粘合层。为了单片化半导体区101(前体)，可以沿着半导体晶片100中的切单部分线92应用激光束(锥体)。在一些示例中，可以执行激光隐形切单(或其他激光技术)。激光束可能会沿着切单部分线92产生裂纹。因此，半导体器件1的前体具有与线92相对应的一些断裂线；尽管它们仍然相互修补。为了在不同的前体之间分离(即，产生不为零的距离)，可以使粘合层扩张(例如，通过应用一些倾向于使其沿平面方向延伸的力)。这导致不同半导体器件1(此时它们是独立器件)的边界92之间的距离增加。优选地，当顶面10a垂直地(在垂直方向上)位于底面10b之上时，特别是当底面10b和顶面10a基本上水平定位时，执行该扩张。
最外部区90是块体和/或大块的事实允许简化切单操作，因为如果将半导体器件1的前体101直接单片化，则粉末(或像烛棒的缺陷)的存在将增加。由于存在孔(腔室40、孔30等)，这将增加粉末的产生或导致未确定的粉末产生的其他缺陷(例如烛棒)的存在。
需要注意的是，在晶片破裂的过程中产生的粉末随后通过粘合层的扩张而扩张，这可能会导致粉末颗粒的退化。然而，这些颗粒可以通过移动(如上所述)通过孔区并落入俘获腔室40中而被俘获在俘获区中。
本技术的有利之处在于，甚至不必(尽管也可能)执行对半导体器件进行摇动或通风的后续步骤。这是因为仅通过移动半导体器件1就可以简单地获得俘获粉末颗粒的预期效果。因此，大部分颗粒不会落到有源区10上，因此可以保持高性能这会因那里存在粉末而受到损害。图4的步骤406示出，随后在406，半导体器件(1)被移动，例如通过操纵机器人移动，以进行其他正常操作。在这些通过期间和/或随后，颗粒可朝向第二俘获孔部分34移动，例如受其重量影响移动；将颗粒从第一俘获孔部分32朝向第二俘获孔部分34引导；并且至少一个第一对边界36支撑和引导颗粒，并且至少一个第二对边界38将由至少一个第一对边界36支撑的颗粒保持在适当位置。
发明人已经注意到最危险的颗粒具有1μm(微米)和5μm(微米)之间的直径。因此，在示例中，优选限定俘获孔30的尺寸，使得至少对应于第二俘获孔部分34，直径为5μm(微米)的球形颗粒可以通过俘获孔30。值得注意的是，由于俘获孔30的横向俘获部分34a和/或第三俘获部分35的存在，直径为5μm(微米)的球形颗粒也可以通过。因此，虽然俘获孔30(图1b)的边界36之间的部段32e'可能小于5μm(微米)，但球形颗粒可以至少由于横向俘获部分34a和/或第三俘获部分35穿过第二俘获孔部分34，这使得第二俘获孔部分34在其最近端部分基本上是无边界的。为了俘获直径为1μm(微米)的颗粒，至少第一俘获孔部分32应允许直径为1μm的球形颗粒通过。例如，在俘获孔30(图1b)的最远边缘处测量的部段32e'可以是至少1μm(微米)或至少0.8μm(微米)。
半导体器件1可以具有平面延伸(在平面方向上)，在一些示例中可以在0.5mm2和1000mm2之间，例如100mm2和1000mm2之间。特别是在200mm2和600mm2(平方毫米)之间，例如20mmx20mm(例如，在图1a的第一平面方向上为20mm，在第二平面方向上为20mm)，包括有源区10、俘获区20和最外部区90。沿着远/近端方向，最外部区90的可以在20μm(微米)和100μm(微米)之间，并且可以是50μm(微米)。该尺寸可能受到激光束尺寸的限制，例如在通过激光进行破裂获得半导体器件1的示例中：由于激光束的直径可以在20μm(微米)和200μm(微米)之间、并且可以是100μm(微米)，因此最外部区90可以具有激光束直径的一半的延伸。俘获区20沿远/近端方向的延伸可以在20和80μm(微米)之间，并且可以是例如30μm或35μm(微米)。已经注意到，这些测量可以被认为是最佳的，特别是(但不是唯一的)在激光进行破裂的情况下。
注意，在其他示例中，可以实现不同形状和数量的俘获孔30。例如，可以有一个与每个俘获腔室40连通的单个俘获孔30，或两个、或三个、或四个或甚至更多个每个俘获腔室40连通的俘获孔30。而在图1中多个俘获孔30显示为沿横向排成一排，也可以根据不同的顺序将它们部分位移。例如，可以有两排或两排平行的俘获孔30，或者沿着第一和第二平面方向的不同布置。

Claims (15)

1.一种半导体器件(1)，包括：
有源区(10)；和
俘获区(20)，相对于所述有源区(10)定位在周边，所述俘获区(20)具有允许颗粒通过的至少一个俘获孔(30)，所述至少一个俘获孔(30)与至少一个俘获腔室(40)流体连通以俘获所述颗粒。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个俘获孔(30)具有从第一俘获孔部分(32)向比所述第一俘获孔部分(32)更宽的第二俘获孔部分(34)逐渐延伸的锥形形状。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述至少一个俘获孔(30)由从所述第一俘获孔部分(32)向所述第二俘获孔部分(34)逐渐分叉的至少一对边界(36、38)界定，以将颗粒从所述第一俘获孔部分(32)导向所述第二俘获孔部分(34)。
4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其中所述至少一对边界(36、38)包括至少一个第一对边界(36)和至少一个第二对边界(38)，其中至少一个所述第一对边界(36)比至少一个所述第二对边界(38)更靠近所述至少一个俘获腔室(40)，并且其中至少一个所述第一对边界(36)相对于所述第二对边界(38)限制所述至少一个俘获孔(30)。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的半导体器件，其中所述至少一个俘获孔(30)被成形为使得所述第二俘获孔部分(34)允许具有确定直径的确定颗粒通过，并且所述第一俘获孔部分(32)不允许所述确定颗粒通过。
6.一种用于由一个半导体晶片(100)制造多个半导体器件(1)的方法，所述半导体晶片具有沿切割部分线(91)要单片化的多个半导体器件区(101)，所述方法包括：
在每个半导体器件区(101)中，通过在有源区(10)中制作或应用至少一种有源元件、制作至少一个俘获腔室(40)、并在比有源区(10)更周边定位的所述半导体器件区(101)的俘获区(20)中制作与至少一个所述俘获腔室(40)流体连通的至少一个俘获孔(30)，来制作半导体前体(101)；
通过沿所述切单部分线(91)分离所述半导体器件前体(101)来单片化所述半导体器件区(101)，从而获得所述多个半导体器件(1)。
7.根据权利要求6所述的方法，其中制作包括根据锥形形状成形至少一个俘获孔(30)，所述锥形形状从第一俘获孔部分(34)朝向比所述第一俘获孔部分更宽的第二俘获孔部分(36)逐渐延伸。
8.根据权利要求7所述的方法，其中成形包括界定至少一对边界(36、38)，使得所述至少一对边界从所述第一俘获孔部分(32)向所述第二俘获孔部分(34)逐渐分叉。
9.根据权利要求8所述的方法，其中成形包括获得至少一个第一对边界(36)和至少一个第二对边界(38)，其中所述至少一个第一对边界(36)比所述至少一个第二对边界(38)更接近所述俘获腔室，并且其中所述至少一个第一对边界相对于第一对边界(36)限制所述至少一个俘获孔(30)。
10.根据权利要求7-9中任一项所述的方法，其中成形包括成形所述至少一个俘获孔(30)使得所述第二俘获孔部分(34)允许具有确定直径的确定颗粒通过，并且所述第一俘获孔部分(32)不允许所述确定颗粒通过。
11.根据权利要求6-10中任一项所述的方法，还包括使所述半导体晶片(100)粘附到粘合层，其中单片化包括：
沿着切割部分线(91)产生裂纹，使得所述半导体器件前体(101)成为彼此分离的半导体器件(1)；并且，随后，
使粘合层扩张，从而使所述半导体器件(1)彼此间隔开。
12.根据权利要求11所述的方法，其中产生裂纹包括沿所述切单部分线(91)应用激光束。
13.根据权利要求6-12中任一项所述的方法，其中单片化包括将所述半导体器件(1)或所述半导体器件前体(101)间隔开，同时所述至少一个俘获孔(30)定位在所述俘获腔室(40)之上，并且所述半导体器件(1)或所述半导体器件前体(101)的顶面(10a)基本上是水平的。
14.根据权利要求5所述的半导体器件，其中每个俘获孔不允许两个球形颗粒通过，所述两个球形颗粒一个与另一个相切、各自具有确定直径。
15.根据权利要求2-5和14中任一项所述的半导体器件，其中所述第一俘获孔部分(32)比所述第二俘获孔部分(34)更远。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6875257B2 (en) * 2002-08-20 2005-04-05 Memx, Inc. Particle filter for microelectromechanical systems
US9438972B2 (en) * 2011-12-29 2016-09-06 Goertek Inc. Silicon based MEMS microphone, a system and a package with the same
CN108370477B (zh) * 2015-12-18 2020-10-13 美商楼氏电子有限公司 麦克风
WO2018148871A1 (en) * 2017-02-15 2018-08-23 Harman International Industries, Incorporated Air particle filter used in microphone

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